JP3488372B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精度かつ安価な
薄型軽量の大型画面用カラー画像表示装置等の発光素子
として用いられるプラズマディスプレイパネル（以下、
ＰＤＰと略記する）に関するものである。
薄型軽量の大型画面用カラー画像表示装置等の発光素子
として用いられるプラズマディスプレイパネル（以下、
ＰＤＰと略記する）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から画像表示装置として多用されて
きたＣＲＴは、容積及び重量が大で高電圧が必要である
という欠点から、近年のマルチメデイ アの浸透に伴い、
情報のインターフェースとして発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）や液晶表示素子（ＬＣＤ）、あるいはＰＤＰ等の大
型画面で高画質、その上、薄型軽量で設置場所を選ばな
い等の特徴を有する平面画像表示装置が開発され、これ
らの利用範囲が拡大しつつある。
きたＣＲＴは、容積及び重量が大で高電圧が必要である
という欠点から、近年のマルチメデイ アの浸透に伴い、
情報のインターフェースとして発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）や液晶表示素子（ＬＣＤ）、あるいはＰＤＰ等の大
型画面で高画質、その上、薄型軽量で設置場所を選ばな
い等の特徴を有する平面画像表示装置が開発され、これ
らの利用範囲が拡大しつつある。
【０００３】かかる平面画像表示装置としては、とりわ
けプラズマ発光を利用したＰＤＰが大型画面用カラー画
像表示装置の発光素子として将来性が注目されている。
けプラズマ発光を利用したＰＤＰが大型画面用カラー画
像表示装置の発光素子として将来性が注目されている。
【０００４】このようなＰＤＰは、背面板と正面板を成
す一対の平坦な絶縁基板と、その空間を仕切る隔壁で囲
まれた微小な放電表示セル内に、対向する電極群を設け
ると共に、前記空間に希ガス等の放電可能なガスを気密
封入した構造を成しており、前記対向する電極間に電圧
を選択的に印加して放電によりプラズマを発生させ、該
プラズマから放出される紫外光により放電表示セル内壁
に形成した蛍光体を発光させて画像表示装置の発光素子
として利用するものである。
す一対の平坦な絶縁基板と、その空間を仕切る隔壁で囲
まれた微小な放電表示セル内に、対向する電極群を設け
ると共に、前記空間に希ガス等の放電可能なガスを気密
封入した構造を成しており、前記対向する電極間に電圧
を選択的に印加して放電によりプラズマを発生させ、該
プラズマから放出される紫外光により放電表示セル内壁
に形成した蛍光体を発光させて画像表示装置の発光素子
として利用するものである。
【０００５】従って、前記隔壁は放電によって発生した
プラズマの漏洩による放電表示セルの表示色の混合を防
ぐために設けられるものであるが、かかる隔壁は１００
ｋＨｚにおける比誘電率が１２を越え、誘電損失も１０
％を越えることから、アドレス期間中の電束分布を放電
空間に集中させることができず、発光効率を下げる原因
となる他、前記放電表示セルの静電容量が大となること
から、ＰＤＰを駆動する際の放電電極間の駆動電流が大
きいためにＰＤＰの消費電力が引き上げられ、電源設備
が大型化するという問題があった。
プラズマの漏洩による放電表示セルの表示色の混合を防
ぐために設けられるものであるが、かかる隔壁は１００
ｋＨｚにおける比誘電率が１２を越え、誘電損失も１０
％を越えることから、アドレス期間中の電束分布を放電
空間に集中させることができず、発光効率を下げる原因
となる他、前記放電表示セルの静電容量が大となること
から、ＰＤＰを駆動する際の放電電極間の駆動電流が大
きいためにＰＤＰの消費電力が引き上げられ、電源設備
が大型化するという問題があった。
【０００６】そこで前記問題を解消するために、放電表
示セルの静電容量を低減すべく低誘電率の低融点ガラス
材料から成る誘電体層を放電電極に被覆したり、該低融
点ガラス材料から成る誘電体で隔壁を構成すること等が
提案されている（特開平８−７７９３０号、特公平７−
２４１８９号公報参照）。
示セルの静電容量を低減すべく低誘電率の低融点ガラス
材料から成る誘電体層を放電電極に被覆したり、該低融
点ガラス材料から成る誘電体で隔壁を構成すること等が
提案されている（特開平８−７７９３０号、特公平７−
２４１８９号公報参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記提
案では使用する低融点ガラスは低誘電率ではあるもの
の、線膨張係数７．０ｐｐｍ／℃未満となって絶縁基板
との熱膨張差からＰＤＰの製造工程の焼成過程で、昇温
時に隔壁にクラック等の欠陥を生じるという課題があっ
た。
案では使用する低融点ガラスは低誘電率ではあるもの
の、線膨張係数７．０ｐｐｍ／℃未満となって絶縁基板
との熱膨張差からＰＤＰの製造工程の焼成過程で、昇温
時に隔壁にクラック等の欠陥を生じるという課題があっ
た。
【０００８】また、ＰＤＰの点灯時には、駆動電力によ
ってＰＤＰ全体が１５０℃以上に温められ、その結果、
前記同様の線膨張係数の違いから絶縁基板に反りを生じ
たりするという課題もあった。
ってＰＤＰ全体が１５０℃以上に温められ、その結果、
前記同様の線膨張係数の違いから絶縁基板に反りを生じ
たりするという課題もあった。
【０００９】その結果、隔壁に発生したクラックにより
放電表示セルに設けた蛍光体が該クラックから流出して
混合してしまったり、前記熱膨張差により放電表示セル
の位置ずれが生じて高精細で、かつ正確なアドレスがで
きないことがある等の課題があった。
放電表示セルに設けた蛍光体が該クラックから流出して
混合してしまったり、前記熱膨張差により放電表示セル
の位置ずれが生じて高精細で、かつ正確なアドレスがで
きないことがある等の課題があった。
【００１０】また、線膨張係数を制御する目的で低誘電
率の低融点ガラス材料に低い線膨張係数を有する添加物
を加えると、隔壁の比誘電率や誘電損失、抵抗率等の電
気的特性が変化し易く、その結果、ＰＤＰの浮遊容量が
変化するため、放電で発生するプラズマのアドレス応答
性を良好に保つためには印加する電圧を変えるか、ある
いは駆動回路を変更する等の駆動装置の設計変更が必要
になるという課題があった。
率の低融点ガラス材料に低い線膨張係数を有する添加物
を加えると、隔壁の比誘電率や誘電損失、抵抗率等の電
気的特性が変化し易く、その結果、ＰＤＰの浮遊容量が
変化するため、放電で発生するプラズマのアドレス応答
性を良好に保つためには印加する電圧を変えるか、ある
いは駆動回路を変更する等の駆動装置の設計変更が必要
になるという課題があった。
【００１１】
【発明の目的】本発明は前記課題に鑑み成されたもの
で、その目的は、放電表示セルを構成する隔壁の比誘電
率や誘電損失、抵抗率等の電気的特性を維持したまま、
線膨張係数を制御することによって、放電で発生するプ
ラズマのアドレス応答性を良好に保つために印加する電
圧を変えたり、駆動回路を変更したりする等の駆動装置
自体を変更したりすることなく、ＰＤＰの駆動中にも絶
縁基板の熱変形等による寸法ずれ等を発生しない良好な
隔壁を有すると共に、高精細度化が実現できるＰＤＰを
提供することにある。
で、その目的は、放電表示セルを構成する隔壁の比誘電
率や誘電損失、抵抗率等の電気的特性を維持したまま、
線膨張係数を制御することによって、放電で発生するプ
ラズマのアドレス応答性を良好に保つために印加する電
圧を変えたり、駆動回路を変更したりする等の駆動装置
自体を変更したりすることなく、ＰＤＰの駆動中にも絶
縁基板の熱変形等による寸法ずれ等を発生しない良好な
隔壁を有すると共に、高精細度化が実現できるＰＤＰを
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題に
鑑み鋭意検討した結果、低温焼成が可能で、かつ焼成体
の比誘電率が低いガラスに低い線膨張係数を有するＳｉ
Ｏ2 系材料を分散させた焼成体で隔壁又は隔壁の一部を
形成したＰＤＰでは、所定の電気的特性を維持したま
ま、線膨張係数を低くすることが可能となり、前記課題
が解消できることを見いだし、本発明に至った。
鑑み鋭意検討した結果、低温焼成が可能で、かつ焼成体
の比誘電率が低いガラスに低い線膨張係数を有するＳｉ
Ｏ2 系材料を分散させた焼成体で隔壁又は隔壁の一部を
形成したＰＤＰでは、所定の電気的特性を維持したま
ま、線膨張係数を低くすることが可能となり、前記課題
が解消できることを見いだし、本発明に至った。
【００１３】即ち、本発明のＰＤＰは、放電表示セルを
構成する隔壁あるいは欠損部を補填した隔壁が、低温焼
成可能なガラスを主成分とする焼成体から成り、該焼成
体中に前記ガラス１００重量部に対して溶融シリカ、α
−クォーツ、クリストバライトの二種類以上を無機充填
材として１〜４０重量部の割合で含有して成り、その線
膨張係数が７．０〜９．０ｐｐｍ／℃で、１００ｋＨｚ
における比誘電率が８．０以下であり、誘電損失が１．
０％以下、かつ歪点が４００〜５００℃であることを特
徴とするものである。
構成する隔壁あるいは欠損部を補填した隔壁が、低温焼
成可能なガラスを主成分とする焼成体から成り、該焼成
体中に前記ガラス１００重量部に対して溶融シリカ、α
−クォーツ、クリストバライトの二種類以上を無機充填
材として１〜４０重量部の割合で含有して成り、その線
膨張係数が７．０〜９．０ｐｐｍ／℃で、１００ｋＨｚ
における比誘電率が８．０以下であり、誘電損失が１．
０％以下、かつ歪点が４００〜５００℃であることを特
徴とするものである。
【００１４】更に、本発明のＰＤＰは、前記低温焼成可
能なガラスが、ホウケイ酸亜鉛系ガラスにＬｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのアルカリ金属の二種類以上の酸化物を
含有して成るもので、前記ガラスを含む焼成体の１００
ｋＨｚにおける比誘電率が７．０以下で、かつ誘電損失
が０．５％以下であるものがより望ましい。
能なガラスが、ホウケイ酸亜鉛系ガラスにＬｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのアルカリ金属の二種類以上の酸化物を
含有して成るもので、前記ガラスを含む焼成体の１００
ｋＨｚにおける比誘電率が７．０以下で、かつ誘電損失
が０．５％以下であるものがより望ましい。
【００１５】
【作用】本発明のＰＤＰによれば、ＰＤＰの放電表示セ
ルを構成する隔壁又はその一部が、低温焼成が可能なガ
ラスを主成分とする焼成体中に、ＳｉＯ2 系材料として
相の異なるものを無機充填材として所定範囲で混合物中
に均一に分散含有したものであることから、線膨張係数
を制御できると共に、隔壁にクラック等の欠陥を生ぜ
ず、しかもパネルの点灯時に絶縁基板の反りが発生しな
いことから、蛍光体自体が隣接する放電表示セル同士で
混合したり、放電表示セルの位置ずれを生じたりするこ
となく、高精細のアドレスが可能となる。
ルを構成する隔壁又はその一部が、低温焼成が可能なガ
ラスを主成分とする焼成体中に、ＳｉＯ2 系材料として
相の異なるものを無機充填材として所定範囲で混合物中
に均一に分散含有したものであることから、線膨張係数
を制御できると共に、隔壁にクラック等の欠陥を生ぜ
ず、しかもパネルの点灯時に絶縁基板の反りが発生しな
いことから、蛍光体自体が隣接する放電表示セル同士で
混合したり、放電表示セルの位置ずれを生じたりするこ
となく、高精細のアドレスが可能となる。
【００１６】また、前記相の異なるＳｉＯ2 系材料は、
誘電特性を変えないので、駆動装置の設計が容易とな
る。
誘電特性を変えないので、駆動装置の設計が容易とな
る。
【００１７】更に、本発明のＰＤＰは、駆動時における
絶縁基板の熱変形の影響が小さく、高い寸法精度を有す
る隔壁が得られると共に、均一かつ高精細で微細なピッ
チを有する大型画面化が可能な隔壁を有するＰＤＰが得
られる。
絶縁基板の熱変形の影響が小さく、高い寸法精度を有す
る隔壁が得られると共に、均一かつ高精細で微細なピッ
チを有する大型画面化が可能な隔壁を有するＰＤＰが得
られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＰＤＰについて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１９】本発明のＰＤＰの隔壁又はその一部を形成
する焼成体の主成分を成すガラスは、５５０℃以下の低
温焼成が可能なもので、例えば鉛やアルカリ、リン等を
含有する各種ガラスが挙げられ、前記ガラスとしては該
ガラスの歪点の低下とＰＤＰの発光効率を向上させる誘
電特性を有するという点からは、アルカリ金属の酸化物
がガラス溶融時に融剤として作用するものであることか
ら、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのアルカリ金属の二種
類以上を含有することがより望ましく、最終的にＬｉ2
Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｒｂ2 Ｏ、Ｃｓ2 Ｏの酸化物と
なればいずれの形態でも採用し得る。
する焼成体の主成分を成すガラスは、５５０℃以下の低
温焼成が可能なもので、例えば鉛やアルカリ、リン等を
含有する各種ガラスが挙げられ、前記ガラスとしては該
ガラスの歪点の低下とＰＤＰの発光効率を向上させる誘
電特性を有するという点からは、アルカリ金属の酸化物
がガラス溶融時に融剤として作用するものであることか
ら、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのアルカリ金属の二種
類以上を含有することがより望ましく、最終的にＬｉ2
Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｒｂ2 Ｏ、Ｃｓ2 Ｏの酸化物と
なればいずれの形態でも採用し得る。
【００２０】とりわけ、Ａｇ電極の拡散を防止する点か
らは異種アルカリ酸化物のクラスターを形成し易いもの
として、原子量の大きく異なる組み合わせが好ましく、
例えばＬｉとＣｓ、ＮａとＲｂの組み合わせが好適であ
る。
らは異種アルカリ酸化物のクラスターを形成し易いもの
として、原子量の大きく異なる組み合わせが好ましく、
例えばＬｉとＣｓ、ＮａとＲｂの組み合わせが好適であ
る。
【００２１】また、特に発光効率の向上に好適な誘電特
性を具備し、機械的強度や製造工程における化学的耐久
性を具備するという点では、かかるガラスとしてはホウ
ケイ酸亜鉛系ガラスに前記アルカリ金属の酸化物を含有
するものがより望ましい。
性を具備し、機械的強度や製造工程における化学的耐久
性を具備するという点では、かかるガラスとしてはホウ
ケイ酸亜鉛系ガラスに前記アルカリ金属の酸化物を含有
するものがより望ましい。
【００２２】特に、前記ホウケイ酸亜鉛ガラスとして
は、それぞれ以下に詳述する理由により２５〜６０重量
％のＢ2 Ｏ3 と、２０〜４５重量％のＺｎＯと、１０〜
２０重量％のＳｉＯ2 と、１〜５重量％のＡｌ2 Ｏ
3 と、２〜８重量％のＺｒＯ2 とから成り、前記アルカ
リ金属のうち、二種類以上を酸化物で６〜１４重量％含
有するものがより望ましい。
は、それぞれ以下に詳述する理由により２５〜６０重量
％のＢ2 Ｏ3 と、２０〜４５重量％のＺｎＯと、１０〜
２０重量％のＳｉＯ2 と、１〜５重量％のＡｌ2 Ｏ
3 と、２〜８重量％のＺｒＯ2 とから成り、前記アルカ
リ金属のうち、二種類以上を酸化物で６〜１４重量％含
有するものがより望ましい。
【００２３】即ち、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスの組成
中、前記ガラス溶融時に融剤として作用し、強固なガラ
スを作る効果を有するＢ2 Ｏ3 は、ＰＤＰの絶縁基板と
の熱膨張率の整合から前記含有量がより望ましい。
中、前記ガラス溶融時に融剤として作用し、強固なガラ
スを作る効果を有するＢ2 Ｏ3 は、ＰＤＰの絶縁基板と
の熱膨張率の整合から前記含有量がより望ましい。
【００２４】また、表面硬度を高くする高融点ガラスの
主要成分であり、比誘電率を低下させるＳｉＯ2 は、歪
点と比誘電率及び表面硬度の点から前記含有量がより望
ましいものである。
主要成分であり、比誘電率を低下させるＳｉＯ2 は、歪
点と比誘電率及び表面硬度の点から前記含有量がより望
ましいものである。
【００２５】一方、前記ＺｎＯは化学的耐久性を増大さ
せ、歪点を下げる効果を奏するものであり、歪点からは
前記含有量が好適となる。
せ、歪点を下げる効果を奏するものであり、歪点からは
前記含有量が好適となる。
【００２６】更に、Ａｌ2 Ｏ3 はガラスの分相を防ぎ化
学的耐久性を向上し、隔壁の強度を増し絶縁基板との熱
膨張率の整合を図るために含有させるものであり、歪点
と強度の点からは前記含有量がより好ましいものであ
る。
学的耐久性を向上し、隔壁の強度を増し絶縁基板との熱
膨張率の整合を図るために含有させるものであり、歪点
と強度の点からは前記含有量がより好ましいものであ
る。
【００２７】また、ＺｒＯ2 は隔壁を白色化に寄与する
ものであり、歪点との関係から前記含有量が望ましい。
ものであり、歪点との関係から前記含有量が望ましい。
【００２８】一方、本発明の無機充填材としては、低い
線膨張係数を有するＳｉＯ2 系材料の内、溶融シリカ、
α−クォーツ、クリストバライト等が好適であり、隔壁
材料のガラスの線膨張係数が７．０ｐｐｍ／℃未満の場
合には、α−クォーツを主体にクリストバライトを添加
し、前記隔壁材料のガラスの線膨張係数が９．０ｐｐｍ
／℃より大の場合には、同じくα−クォーツを主体に溶
融シリカを添加するのが望ましいが、その混合比は１０
対１を越えないようにし、かつ添加量の少ない方は前記
ガラスの１００重量部に対して１重量部以上、添加する
ことが望ましい。
線膨張係数を有するＳｉＯ2 系材料の内、溶融シリカ、
α−クォーツ、クリストバライト等が好適であり、隔壁
材料のガラスの線膨張係数が７．０ｐｐｍ／℃未満の場
合には、α−クォーツを主体にクリストバライトを添加
し、前記隔壁材料のガラスの線膨張係数が９．０ｐｐｍ
／℃より大の場合には、同じくα−クォーツを主体に溶
融シリカを添加するのが望ましいが、その混合比は１０
対１を越えないようにし、かつ添加量の少ない方は前記
ガラスの１００重量部に対して１重量部以上、添加する
ことが望ましい。
【００２９】従って、前記ＳｉＯ2 系材料の無機充填材
としては、溶融シリカ、α−クォーツ、クリストバライ
トの二種類以上が、ガラス１００重量部に対して１重量
部未満になると絶縁基板との熱膨張差を小さく制御する
ことが困難となり、その結果、機械的強度の低下を招く
恐れが大となり、４０重量部を越えると焼成温度が高く
成り過ぎて隔壁形状が崩れてしまう恐れがあることか
ら、１〜４０重量部に限定され、隔壁の機械的強度と焼
成温度の点からは２０〜３０重量部程度が好適である。
としては、溶融シリカ、α−クォーツ、クリストバライ
トの二種類以上が、ガラス１００重量部に対して１重量
部未満になると絶縁基板との熱膨張差を小さく制御する
ことが困難となり、その結果、機械的強度の低下を招く
恐れが大となり、４０重量部を越えると焼成温度が高く
成り過ぎて隔壁形状が崩れてしまう恐れがあることか
ら、１〜４０重量部に限定され、隔壁の機械的強度と焼
成温度の点からは２０〜３０重量部程度が好適である。
【００３０】尚、本発明のＰＤＰには、前記低温焼成可
能なガラスとＳｉＯ2 系材料の無機充填材以外に、適
宜、第３の成分を添加して比誘電率や誘電損失、抵抗率
等の電気的特性や線膨張係数を調整することや、隔壁を
白色化して可視光の反射率を向上させるものとして前記
ＺｒＯ2 やＴｉＯ2 等を添加することも可能である。
能なガラスとＳｉＯ2 系材料の無機充填材以外に、適
宜、第３の成分を添加して比誘電率や誘電損失、抵抗率
等の電気的特性や線膨張係数を調整することや、隔壁を
白色化して可視光の反射率を向上させるものとして前記
ＺｒＯ2 やＴｉＯ2 等を添加することも可能である。
【００３１】また、ＰＤＰの放電表示セルを構成する隔
壁を積層して成形したり、隔壁成形体のダレや低融点物
質の溶融による隔壁の曲がりや反り等の変形を抑制し、
成形体の強度を向上するためには、前記ガラスに例えば
Ａｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 等の酸化物系セラミックスや、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等の非酸化物系セラミックスをはじめ、希土類
元素の酸化物や周期律表第３ａ族元素の酸化物等を随時
添加することも可能である。
壁を積層して成形したり、隔壁成形体のダレや低融点物
質の溶融による隔壁の曲がりや反り等の変形を抑制し、
成形体の強度を向上するためには、前記ガラスに例えば
Ａｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 等の酸化物系セラミックスや、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等の非酸化物系セラミックスをはじめ、希土類
元素の酸化物や周期律表第３ａ族元素の酸化物等を随時
添加することも可能である。
【００３２】そのように特性の改善を図るべくセラミッ
クス等を添加する場合には、分散剤や粘度調整剤等を適
宜、その種類と含有量を選択して使用することが望まし
く、隔壁を形成する無機成分の分散性を向上するもので
あれば特に限定するものではない。
クス等を添加する場合には、分散剤や粘度調整剤等を適
宜、その種類と含有量を選択して使用することが望まし
く、隔壁を形成する無機成分の分散性を向上するもので
あれば特に限定するものではない。
【００３３】次に、前記ＰＤＰの隔壁又はその一部を成
す焼成体の線膨張係数が７．０ｐｐｍ／℃未満、もしく
は９．０ｐｐｍ／℃を越える場合には、絶縁基板との熱
膨張差が大きく、背面板に反りを生じたり、隔壁に応力
が加わって欠け易く、焼成時に隔壁にクラックを発生さ
せ易くなる。
す焼成体の線膨張係数が７．０ｐｐｍ／℃未満、もしく
は９．０ｐｐｍ／℃を越える場合には、絶縁基板との熱
膨張差が大きく、背面板に反りを生じたり、隔壁に応力
が加わって欠け易く、焼成時に隔壁にクラックを発生さ
せ易くなる。
【００３４】従って、本発明のＰＤＰの放電表示セルを
構成する隔壁又はその一部を成す焼成体の線膨張係数は
７．０〜９．０ｐｐｍ／℃に特定される。
構成する隔壁又はその一部を成す焼成体の線膨張係数は
７．０〜９．０ｐｐｍ／℃に特定される。
【００３５】次に、本発明のＰＤＰの放電表示セルを構
成する隔壁の焼成体は、１００ｋＨｚにおける比誘電率
が８．０を越えると、十分に放電空間に電束分布を集中
させることができず、発光効率の向上及び消費電力の低
減という作用効果が小さくなる。
成する隔壁の焼成体は、１００ｋＨｚにおける比誘電率
が８．０を越えると、十分に放電空間に電束分布を集中
させることができず、発光効率の向上及び消費電力の低
減という作用効果が小さくなる。
【００３６】また、前記焼成体の誘電損失が１．０％を
越えると、隔壁部でのエネルギー損失や印加電圧パルス
に対する応答の遅れが大きく、消費電力を増大させる原
因となる。
越えると、隔壁部でのエネルギー損失や印加電圧パルス
に対する応答の遅れが大きく、消費電力を増大させる原
因となる。
【００３７】従って、本発明では１００ｋＨｚにおける
比誘電率が８．０以下、かつ誘電損失が１．０％以下に
特定され、発光効率の向上及び消費電力の低減という点
からは１００ｋＨｚにおける比誘電率が７．０以下、か
つ誘電損失が０．５％以下であることがより望ましい。
比誘電率が８．０以下、かつ誘電損失が１．０％以下に
特定され、発光効率の向上及び消費電力の低減という点
からは１００ｋＨｚにおける比誘電率が７．０以下、か
つ誘電損失が０．５％以下であることがより望ましい。
【００３８】尚、前記焼成体の歪点が４００℃未満の場
合には、焼成時に隔壁の曲がりや反り等の変形を生じ易
くなり、５００℃を越えると短時間焼成が困難となる。
合には、焼成時に隔壁の曲がりや反り等の変形を生じ易
くなり、５００℃を越えると短時間焼成が困難となる。
【００３９】従って、本発明では、前記焼成体の歪点は
４００〜５００℃の範囲であることが望ましく、焼成は
隔壁用組成物が緻密化し、かつ絶縁基板と密着すれば良
いことから、焼成温度は前記歪点以上で絶縁基板の歪点
以下の温度であれば良く、具体的には５３０〜５５０℃
の温度範囲が好ましい。
４００〜５００℃の範囲であることが望ましく、焼成は
隔壁用組成物が緻密化し、かつ絶縁基板と密着すれば良
いことから、焼成温度は前記歪点以上で絶縁基板の歪点
以下の温度であれば良く、具体的には５３０〜５５０℃
の温度範囲が好ましい。
【００４０】
【実施例】次に、本発明のＰＤＰを以下のようにして評
価した。
価した。
【００４１】先ず、ガラス粉末原料と相の異なるＳｉＯ
2 系材料から成る無機充填材を表１に示す割合でそれぞ
れ秤量し、その他の無機成分としてＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 を表１に示す種類で
添加し、それらをＩＰＡを溶媒としてそれぞれ１８時
間、ボールミルにて湿式混合した。
2 系材料から成る無機充填材を表１に示す割合でそれぞ
れ秤量し、その他の無機成分としてＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 を表１に示す種類で
添加し、それらをＩＰＡを溶媒としてそれぞれ１８時
間、ボールミルにて湿式混合した。
【００４２】尚、ガラス粉末に含有させるアルカリ金属
の酸化物としてはＬｉ2 Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｒｂ2
Ｏ、Ｃｓ2 Ｏをそれぞれ添加した。
の酸化物としてはＬｉ2 Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｒｂ2
Ｏ、Ｃｓ2 Ｏをそれぞれ添加した。
【００４３】また、表１に記載したガラス粉末原料の区
分は、その詳細を表２に示した。
分は、その詳細を表２に示した。
【００４４】尚、前記ＳｉＯ2 系材料を含有しない組成
から成るものを比較例とした。
から成るものを比較例とした。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【表２】
【００４７】次いで、前記混合物を乾燥後、８００℃の
温度で２時間焼成してから乳鉢で粗く粉砕した後、再び
ＩＰＡを溶媒としてそれぞれ１８時間、ボールミルにて
湿式で粉砕混合した。
温度で２時間焼成してから乳鉢で粗く粉砕した後、再び
ＩＰＡを溶媒としてそれぞれ１８時間、ボールミルにて
湿式で粉砕混合した。
【００４８】その後、前記粉砕混合物に周知の有機性添
加物から成るバインダーを添加して撹拌した後、５０メ
ッシュの網を通して得られた造粒体を１０００ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力で直径２０ｍｍ、厚さ４ｍｍの円板状に成形
し、該成形体を表３に示す各焼成温度で２０分間焼成し
た。
加物から成るバインダーを添加して撹拌した後、５０メ
ッシュの網を通して得られた造粒体を１０００ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力で直径２０ｍｍ、厚さ４ｍｍの円板状に成形
し、該成形体を表３に示す各焼成温度で２０分間焼成し
た。
【００４９】その後、前記円板状の焼成体を研磨加工し
て直径１７ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板を作製し、両端面に
Ｉｎ−Ｇａ電極を塗布して評価用の試料を得た。
て直径１７ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板を作製し、両端面に
Ｉｎ−Ｇａ電極を塗布して評価用の試料を得た。
【００５０】かくして得られた評価用の試料をＬＣＲメ
ータを用いて、雰囲気温度が２５℃、１００ｋＨｚ（Ａ
Ｃ１００Ｖ）の条件で比誘電率、誘電損失を測定した。
ータを用いて、雰囲気温度が２５℃、１００ｋＨｚ（Ａ
Ｃ１００Ｖ）の条件で比誘電率、誘電損失を測定した。
【００５１】一方、線膨張係数の評価試料は、前記粉砕
混合物の造粒体を５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で直径５ｍ
ｍ、高さ１３ｍｍの円柱状に成形し、表３に示す焼成温
度で２０分間焼成した後、該焼成体の両端面をそれぞれ
平行に研磨して高さ１０ｍｍとしたものを用い、大気
中、２０℃／ｍｉｎ．の昇温速度で該評価試料の長さの
変化を測定して線膨張係数を求めた。
混合物の造粒体を５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で直径５ｍ
ｍ、高さ１３ｍｍの円柱状に成形し、表３に示す焼成温
度で２０分間焼成した後、該焼成体の両端面をそれぞれ
平行に研磨して高さ１０ｍｍとしたものを用い、大気
中、２０℃／ｍｉｎ．の昇温速度で該評価試料の長さの
変化を測定して線膨張係数を求めた。
【００５２】次に、前記評価用試料の歪点は、室温から
７００℃の温度範囲における線膨張を測定して変曲点か
ら決定した。
７００℃の温度範囲における線膨張を測定して変曲点か
ら決定した。
【００５３】
【表３】
【００５４】表から明らかなように、相の異なるＳｉＯ
2 系材料を無機充填材として含有しない比較例の試料番
号１、５、９、２７では、線膨張係数がいずれも７．０
ｐｐｍ／℃未満と小さく、比誘電率や誘電損失も大であ
り電気的特性を満足するものではなく、一方、本発明の
請求範囲外である試料番号４、８、１４、２６、３０、
３３、３６、３７では、いずれも線膨張係数が９．０ｐ
ｐｍ／℃を越えたり、同じく試料番号２０では線膨張係
数が７．０ｐｐｍ／℃未満となり、電気的特性も満足す
べきものではない。
2 系材料を無機充填材として含有しない比較例の試料番
号１、５、９、２７では、線膨張係数がいずれも７．０
ｐｐｍ／℃未満と小さく、比誘電率や誘電損失も大であ
り電気的特性を満足するものではなく、一方、本発明の
請求範囲外である試料番号４、８、１４、２６、３０、
３３、３６、３７では、いずれも線膨張係数が９．０ｐ
ｐｍ／℃を越えたり、同じく試料番号２０では線膨張係
数が７．０ｐｐｍ／℃未満となり、電気的特性も満足す
べきものではない。
【００５５】それらに対して、本発明にかかる試料番号
のものは、いずれも線膨張係数が７．０〜９．０ｐｐｍ
／℃の範囲内にあり、かつ比誘電率や誘電損失の電気的
特性も満足すべきものが得られていることが分かる。
のものは、いずれも線膨張係数が７．０〜９．０ｐｐｍ
／℃の範囲内にあり、かつ比誘電率や誘電損失の電気的
特性も満足すべきものが得られていることが分かる。
【００５６】尚、本発明は前記詳述した実施例に何等限
定されるものではない。
定されるものではない。
【００５７】
【発明の効果】叙上の如く、本発明のＰＤＰは、放電表
示セルを構成する隔壁又は欠損部を補填した隔壁を形成
する焼成体が、該焼成体の主成分であるガラス１００重
量部に対して無機充填材として相の異なるＳｉＯ2 系成
分を１〜４０重量部の割合で含有し、線膨張係数が７．
０〜９．０ｐｐｍ／℃で、１００ｋＨｚにおける比誘電
率が８．０以下、誘電損失が１．０％以下、かつ歪点が
４００〜５００℃であることから、放電表示セルの静電
容量が小さく印加電圧パルスに対する応答性が良く、ま
た、隔壁部でのエネルギー損失を低減できることから、
アドレス期間に放電空間内の電束密度を高めて発光効率
を向上させることができ、消費電力を低減できることは
勿論、電気的特性を変えずに線膨張係数を自由に制御で
きることから、駆動装置の設計に支障をきたすことな
く、欠陥や寸法ずれのない隔壁を有する高精細度化が可
能なＰＤＰが得られる。
示セルを構成する隔壁又は欠損部を補填した隔壁を形成
する焼成体が、該焼成体の主成分であるガラス１００重
量部に対して無機充填材として相の異なるＳｉＯ2 系成
分を１〜４０重量部の割合で含有し、線膨張係数が７．
０〜９．０ｐｐｍ／℃で、１００ｋＨｚにおける比誘電
率が８．０以下、誘電損失が１．０％以下、かつ歪点が
４００〜５００℃であることから、放電表示セルの静電
容量が小さく印加電圧パルスに対する応答性が良く、ま
た、隔壁部でのエネルギー損失を低減できることから、
アドレス期間に放電空間内の電束密度を高めて発光効率
を向上させることができ、消費電力を低減できることは
勿論、電気的特性を変えずに線膨張係数を自由に制御で
きることから、駆動装置の設計に支障をきたすことな
く、欠陥や寸法ずれのない隔壁を有する高精細度化が可
能なＰＤＰが得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 半田 真一
滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の
６ 京セラ株式会社滋賀工場内
(56)参考文献 特開 平８−255510（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−301631（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−59544（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−120905（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−302651（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−297937（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−111181（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−22869（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−19942（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−77930（ＪＰ，Ａ)
特公 平７−24189（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 17/16
C03C 10/00
G09F 9/30 324
H01J 11/02
Claims (2)
- 【請求項１】プラズマディスプレイパネルの放電表示セ
ルを構成する隔壁又はその一部が、低温焼成可能なガラ
スを主成分とする焼成体中に無機充填材として溶融シリ
カ、α−クォーツ、クリストバライトの二種類以上を、
ガラス１００重量部に対して１〜４０重量部の割合で含
有して成り、該焼成体の線膨張係数が７．０〜９．０ｐ
ｐｍ／℃で、１００ｋＨｚにおける比誘電率が８．０以
下であり、誘電損失が１．０％以下、かつ歪点が４００
〜５００℃であることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネル。 - 【請求項２】前記焼成体を構成するガラスがホウケイ酸
亜鉛系ガラスにＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのアルカリ
金属の二種類以上の酸化物を含有して成り、該焼成体の
１００ｋＨｚにおける比誘電率が７．０以下、かつ誘電
損失が０．５％以下であることを特徴とする請求項１に
記載のプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32677797A JP3488372B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32677797A JP3488372B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162361A JPH11162361A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3488372B2 true JP3488372B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=18191594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32677797A Expired - Fee Related JP3488372B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3488372B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367519A (ja) | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用隔壁材料 |
| EP2036111B1 (en) | 2006-06-28 | 2013-04-24 | Thomson Licensing | Luminescent display device having filler material |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP32677797A patent/JP3488372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11162361A (ja) | 1999-06-18 |
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