JP4095825B2 - 回路装置 - Google Patents

回路装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4095825B2
JP4095825B2 JP2002132802A JP2002132802A JP4095825B2 JP 4095825 B2 JP4095825 B2 JP 4095825B2 JP 2002132802 A JP2002132802 A JP 2002132802A JP 2002132802 A JP2002132802 A JP 2002132802A JP 4095825 B2 JP4095825 B2 JP 4095825B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection
contact
substrate
circuit board
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002132802A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003069261A (ja
Inventor
ゲープル クリスチアン
トルスキー ヴェルナー
シュテーガー ユルゲン
ベッケダール ピーター
マウリック パウル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10127947A external-priority patent/DE10127947C1/de
Application filed by Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Publication of JP2003069261A publication Critical patent/JP2003069261A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4095825B2 publication Critical patent/JP4095825B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4846Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • H01L2924/13034Silicon Controlled Rectifier [SCR]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基本ボディと、上面において陽極・導体通路、陰極・導体通路、交流・導体通路、並びに補助接続部を有する少なくとも1つの基板と、それらの導体通路と少なくとも部分的に接触されている例えばトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、抵抗、集積回路、又はセンサのような構成部品と、陽極・直流接続部及び陰極・直流接続部を有する中間回路ボードと、陽極・直流接続部と陰極・直流接続部の間に接続されている少なくとも1つの電気的なコンデンサと、少なくとも1つの交流接続部とを有する回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
ドイツ特許出願第10037533.2号明細書では、電気絶縁性の基板と、この基板上にあり互いに電気的に絶縁されている金属性の導体通路と、これらの導体通路上に取り付けられているパワースイッチとを備えた、寄生インダクタンスの小さな回路装置が記載されている。そこではパワースイッチがパワートランジスタを有し、これらのパワートランジスタは有利にはMOSFET又はIGBTで形成されている。
【0003】
この種の回路装置の稼動は、中間回路内、基板上、並びに交流接続要素において熱を発生させる。中間回路の冷却は従来技術により構成部品における熱対流を介して行われる。基板の熱は冷却体に対する直接的な接触を介して運び去られる。交流接続要素の熱は従来技術により同様に熱対流だけを介して運び去られる。交流接続要素の温度上昇は、そこでオーム抵抗を増加させ、それにより電流容量をより小さくする。更に少なくとも1つの交流接続要素上にはセンサが配設され得て、それらの機能は温度上昇により損なわれる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の基礎を成す課題は、製造手間即ち組立手間が僅かであり、傑出した耐振動性及び耐衝撃性を有し、冷却体に対する中間回路内及び/又は接続要素にて発生する熱の排出が改善される、寄生インダクタンスの小さな冒頭に掲げた形式の回路装置を創作することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記課題は、冒頭に掲げた形式の回路装置において、本発明に従い、以下の構成要件のうちの少なくとも1つにより解決される:
・ 中間回路ボードが、少なくとも1つの基板の陽極・導体通路及び陰極・導体通路と直接的に低インダクタンスで接触するための第1及び第2接触要素を有し、中間回路ボード及び少なくとも1つの基板には、第3接触要素を有する付属の交流接続要素が付設されていて、中間回路ボートの第1及び第2接触要素及び少なくとも1つの交流接続要素の第3接触要素を少なくとも1つの基板の付属の導体通路と電気的に接触させるためのプレス装置が設けられていること。
・ 外部に電気的に接触するための少なくとも1つの接続ピンが、電気絶縁性で熱伝導性のボディを用いて冷却体と熱接触状態にもたらされること。
・ 少なくとも1つの電流接続部の内部の接続プレートが部分領域を有し、これらの部分領域を用いて接続プレートが熱伝導性で電気絶縁性のボディを介して冷却体との接続を形成すること。
・ 冷却すべき少なくとも1つのコンデンサを有する中間回路ボードが、少なくとも1つの基板の陽極・導体通路及び陰極・導体通路と直接的に接触するための接触要素を有すること。
【0006】
本発明による回路装置では3相交流(U、V、W)のために有利には3つの基板が設けられている。この種の回路装置は3つの交流接続部を有する。
【0007】
本発明による回路装置が通常はパワークラスの回路装置である以上、基本ボディが冷却体に配置されていると有利であり、少なくとも1つの基板がその底面を用いて冷却体と熱伝導式で接触されていると有利である。この目的のために少なくとも1つの基板の底面には金属被覆或いは金属層が設けられ得て、基板はこの金属被覆或いは金属層を用いて広い面に渡って基本ボディ或いは冷却体上に載置される。基本ボディは、付属の基板のための少なくとも一つの区画を有するように枠状に形成されている。
【0008】
本発明により中間回路ボードが陽極・直流接続部を有する第1金属面要素及び陰極・直流接続部を有する第2金属面要素を有し、これらの金属面要素が互いに絶縁されていると、比較的簡単に且つ僅かな製造コストで実現可能である回路装置が達成され、この際、中間回路ボードの少なくとも1つのコンデンサの接続要素は夫々の付属の金属面要素と接触されていて、中間回路ボードの接触要素は少なくとも1つの基板の夫々の付属の金属面要素と一体式に形成されている。陽極・直流接続部のための金属面要素及び陰極・直流接続部のための金属面要素は、有利には、例えば銅から成り且つ打ち抜かれて対応的に曲げられている板金により形成され得る。このようにして簡単に且つ低コストで実現可能である中間回路ボードを有する回路装置が得られ、この際、これらの長所は、コンパクトで機械的に頑丈であり並びに低インダクタンスの構成を伴う。陽極・直流接続部の金属面要素と陰極・直流接続部の金属面要素の電気絶縁は、電気絶縁性の材料から成り且つ一重に形成される面要素により実現され得る。直流接続部及び交流接続部を外部に電気的に接続させるために、基本ボディ上には接続ピンが設けられ、対応する接続要素には穴が設けられている。
【0009】
他の可能性として、例えば、陽極・直流接続部と接続されている金属コーティングを1つの主面に有し、陰極・直流接続部と接続されている金属コーティングを反対側の第2の主面に有する中間回路ボードを設けることも可能であり、この際、中間回路ボードの接触要素は接触フィンガーにより形成されていて、これらの接触フィンガーを用いて接触要素が中間回路ボードと適合して接触されている。対応的に少なくとも1つの交流接続部には接触要素が設けられ得て、これらの接触要素は同様に接触フィンガーにより形成されていて、接触要素を少なくとも1つの交流接続要素と接触させる。しかし、この種の差込接触は無視することのできない組立手間を必要とし、それゆえに、中間回路ボードの両方の直流接続部の接触要素を対応的な金属面要素を用いて一体式で形成すること、及び、少なくとも1つの交流接続要素の接触要素をこの交流接続要素を用いて一体式で形成することが有利である。
【0010】
中間回路ボードの接続要素及び少なくとも1つの交流接続要素を少なくとも1つの基板の付属の導体通路と電気的に接触させることがプレス装置を用いて行われ、このプレス装置が、形状安定性のプレスボディと、このプレスボディに適合された面寸法を有する制限された可撓性のプレス要素とを有すると本発明による回路装置において有利であると示された。有利には金属から構成される形状安定性のプレスボディと、制限された可撓性のプレス要素との間には合目的には電気絶縁性の材料から成る中間ボディが設けられていて、この中間ボディの管状の貫通要素は形状安定性のプレスボディを通じて延びている。本発明による回路装置のプレス装置上にはドライバ回路が配設され得て、この際、プレス装置を貫いて接触ワイヤ要素が延びていて、これらの接触ワイヤ要素は少なくとも1つの基板の夫々の付属の導体通路及び補助接続部とプレス接触されている。
【0011】
【発明の実施の形態】
他の詳細、特徴、長所は、図面に描かれている本発明の回路装置の実施形態に関する以下の説明から明らかである。
【0012】
図1には、基本ボディ12を有する回路装置10の構成において主要部が示されている。枠状の基本ボディ12は、冷却体に取り付けられていて、互いに離された3つの区画14を有する。各区画14は基板16のために設けられている。この種の基板16は図2に描かれていて後で詳細に説明される。
【0013】
基本ボディ12からピン18が上方に向かって立ててあり、これらのピン18は、夫々に付属する交流接続要素20を正確に位置決めするために設けられている。この種の交流接続要素20は図4に描かれていて後で詳細に説明される。
【0014】
基本ボディ12から更に2つのピン22が上方に向かって立ててあり、これらのピン22は中間回路ボード24を正確に位置決めするために設けられている。この種の中間回路ボード24は図3において付属の電気的なコンデンサを伴わない分解斜視図として描かれていて後で詳細に説明される。
【0015】
基本ボディ12から一体式でネジ付きスリーブ26が上方に向かって立ててあり、これらのネジ付きスリーブ26は図5に分解斜視図で示されているプレス装置28を基本ボディ12に固定するために用いられる。
【0016】
基板16又は夫々の基板16は、その上面30において、陽極・導体通路(陽極・導電トラック)32、陰極・導体通路(陰極・導電トラック)34、これらの通路間に設けられている交流・導体通路(交流・導電トラック)36、並びに補助接続部38及び40を有する。例えばパワートランジスタ又はパワーダイオードのような構成部品42は導体通路32、34、36及び補助接続部38と接触されている。この接触は例えばボンディングワイヤ44を用いて行われる。
【0017】
中間回路ボード24の陽極・直流接続部46は夫々の基板16の陽極・導体通路32と接触されている。中間回路ボード24(図3も参照のこと)の陰極・直流接続部48は夫々の基板16の陰極・導体通路34と接触されている。この目的のために中間回路ボード24は、陽極・直流接続部46を有する第1金属面要素50、及び、陰極・直流接続部48を有する第2金属面要素52を有し、これらの間には、図3から見て取れるように、金属面要素50及び52に面として適合される絶縁要素54が設けられている。
【0018】
金属面要素50及び金属面要素52には、銅のような導電性の金属から成る打抜板金が夫々に用いられ、この場合、陽極・直流接続部46のための金属面要素50から一体式で第1接触要素56が離れてゆくように立てられている。これらの第1接触要素56は、縦長の金属面要素50の横方向に方向付けられていて、金属面要素50と直角を形成する。これらの第1接触要素56はプレス装置28を使って夫々の基板16の陽極・導体通路32に対して押し付けられる。
【0019】
陰極・直流接続部48の金属面要素52から離れてゆくように第2接触要素58が縦方向に方向付けられて垂直に立てられていて、これらの第2接触要素58はプレス装置28を使って夫々の基板16の陰極・導体通路34に対して押し付けられる。
【0020】
陽極・直流接続部46の金属面要素50は、中間回路ボード24の非図示のコンデンサにおける対応的な接続部に電気伝導式で接触するための接触穴60を有するように形成されている。陰極・直流接続部48の金属面要素52には、中間回路ボード24の非図示のコンデンサにおける陰極・接続要素のための接触穴62が設けられている。絶縁要素54は、中間回路ボード24のコンデンサの接続要素のために前記の穴に適合された貫通穴64を有するように形成されている。
【0021】
直接的に配設されている第1及び第2接触要素56、58を有する金属面要素50、52と、絶縁要素54と、冷却体上に直接的に設けられる基板16とから形成されている中間回路ボード24の密に隣接する配置により、冷却体と、中間回路ボード24上に配設されるコンデンサとの間において極めて効果的な熱接触が達成される。このことは中間回路内に発生する熱の効率のよい排出を可能とする。
【0022】
陽極・直流接続部46は穴66を有するように形成されていて、この穴66を通じ、基本ボディ12から上方に向かって立てられているピン22が延在する。陰極・直流接続部48は穴68を有するように形成されていて、この穴68を通じ、基本ボディ12の他のピン22が延在する。
【0023】
図4では交流接続要素20が斜視図として明確化されていて、この交流接続要素20は、陽極・直流接続部46のための金属面要素50における第1接触要素56と同様に、第3接触要素70を有する打抜板金として形成されていて、接続プレート72を有するように形成されている。夫々の交流接続要素20の接続プレート72は穴74を有するように形成されていて、組み立てられた状態で基本ボディ12の対応的なピン18が穴74を通じて延在する。接続プレート72には電流センサ114(図1も参照)を受け入れるための他の穴104も設けられている。夫々の交流接続要素20の第3接触要素70は夫々の基板16の交流・導体通路36と接触されている。中間回路ボード24の陽極・直流接続部46及び陰極・直流接続部48のための金属面要素50及び52における第1及び第2接触要素56及び58は、回路装置10の夫々の基板16の付属の導体通路32及び34と低インダクタンスで直接的に接触するために用いられる。
【0024】
電流センサ114のための穴104のまわりにおける接続プレート72の領域は効果的な熱除去を必要とし、その理由は、一方では高すぎる温度が電流センサの機能を低減し、他方では接続プレート72の高すぎる温度がこの接続プレート72のオーム抵抗を増加させ、電流の最大の流れを減少させ、従って直接的に回路装置の能率を減少させるためである。
【0025】
図5には、回路装置10のプレス装置28の構成が分解斜視図として明確化されている(図1も参照)。プレス装置28は、制限された可撓性のプレス要素76と、形状安定性のプレスボディ78とを有する。制限された可撓性のプレス要素76と、このプレス要素76に底面として適合されている形状安定性のプレスボディ78との間には電気絶縁性の材料から成る中間ボディ80が設けられていて、この中間ボディ80には絶縁スリーブ82が中間ボディ80から離れてゆくように立てられている。これらの絶縁スリーブ82は、プレス装置28が組み立てられた状態で、形状安定性のプレスボディ78の対応的な穴84を通じ、並びに、プレス要素76の穴86及び凹部88内において延在する。形状安定性のプレスボディ78は、例えば金属から構成され、例えば皿頭ネジのための皿穴90を有するように形成されている。これらの皿穴90は、基本ボディ12から離れてゆくように立てられているネジ付きスリーブ26と位置的に一致するように設けられていて、それにより前記の皿頭ネジを使ってプレス装置28が基本ボディ12に固定され、この際、プレス装置28を使って同時に中間回路ボード24が基板16と適合するように接触される。
【0026】
プレス装置28の中間ボディ80の絶縁スリーブ82を通じて接触ワイヤ要素92が延びていて、これらの接触ワイヤ要素92には、絶縁スリーブ82から僅かに出ている接触部分94が上側に設けられ、絶縁スリーブ82から下側に出ている下側のピン形状の端部分96が設けられている。回路装置10が組み立てられた状態で、接触ワイヤ要素92の上側の接触部分94は、プレス装置28上に位置決めされている(非図示の)ドライバ回路における付属の接触箇所と接触する。この際、接触ワイヤ要素92における下側のピン形状の端部分96は、夫々の基板16における付属の導体通路及び補助接続部と接触される。
【0027】
図6には、接続プレート72の領域からの熱除去を改善するための詳細部が示されている。そのために接続プレート72の領域には基本ボディ12内に凹部112が形成されている。これらの凹部112は、熱抵抗の小さな電気絶縁性のボディ100(例えば、セラミック材料、雲母、酸化アルミニウムなど)を凹部112内に受容するために形成されている。また熱除去は2つの経路で達成され、これらの経路は、夫々が接続プレート72の温度減少を自ずと達成するにもかかわらず、有利には両方とも使用される:
・ 接続プレート72の対向する2つの側面において領域106が次のように折り曲げられる。即ち、これらの領域106が組立後にボディ100と直接的な熱接触状態にあるようにである。また、ボディ100は冷却体102と直接的な熱接触状態にある。
・ ピン18が次のように形成されている。即ち、このピン18が、有利にはネジ108を用いた接続領域と、フット110とから成り、この際、フット110は電気絶縁性のボディ100に対する直接的な熱接触部を有し、ボディ100の方は冷却体102と直接的な熱接触部を有する。接続ピン18並びに接続プレート72は、外部の交流接続を可能とするために、電気伝導式で接続されている。
【0028】
図7には、非図示の冷却体の方から見た、交流接続部の分解図が示されている。凹部112は次のように形成されている。即ち、熱伝導性で電気絶縁性のボディ100が、一方では接続ピン18のフット110と折り曲げられている部分領域106(図4も参照)との間の熱接触部、他方では接続ピン18のフット110と冷却体12との間の熱接触部を形成するようにである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 回路装置の主要部を立体的に示す図であり、この際、基本ボディは3相交流のための3つの基板を有し、ここで中間回路ボードは、基板が備え付けられている枠状の基本ボディから離されて示されている。
【図2】 図1による回路装置の基板を立体的に示す図である。
【図3】 図1による回路装置の中間回路ボードの立体的な分解図を示す図である。
【図4】 図1による回路装置の交流接続要素を立体的に示す図である。
【図5】 回路装置のプレス装置の立体的な分解図を示す図であり、この回路装置は図1ではプレス装置を伴わずに図示されている。
【図6】 本発明による構成の電流接続要素を有する回路装置の一部分の立体図、並びに本発明による構成の接続ピンを示す図である。
【図7】 基本ボディの一部分の立体図、並びに本発明による構成の接続ピンを示す図である。
【符号の説明】
10 回路装置
12 基本ボディ(10より)
14 区画(12より)
16 基板(14内)
18 ピン(12において20のため)
20 交流接続要素(10より)
22 ピン(12において46、48のため)
24 中間回路ボード(10より)
26 ネジ付きスリーブ(12において28のため)
28 プレス装置(10より)
30 上面(16より)
32 陽極・導体通路(30における)
34 陰極・導体通路(30における)
36 交流・導体通路(30における)
38 補助接続部(30における)
40 補助接続部(30における)
42 構成部品(16における)
44 ボンディングワイヤ(42における)
46 陽極・直流接続部(24より)
48 陰極・直流接続部(24より)
50 金属面要素(46より)
52 金属面要素(48より)
54 絶縁要素(50と52の間において24より)
56 第1接触要素(50における)
58 第2接触要素(52における)
60 接触穴(50内)
62 接触穴(52内)
64 貫通穴(54内)
66 穴(46内)
68 穴(48内)
70 第3接触要素(20より)
72 接続プレート(20より)
74 穴(72内)
76 制限された可撓性のプレス要素(28より)
78 形状安定性のプレスボディ(28より)
80 中間ボディ(76と78の間において28より)
82 絶縁スリーブ(80より)
84 穴(78内)
86 穴(76内)
88 凹部(76内)
90 皿穴(78内)
92 接触ワイヤ要素(82内)
94 接触部分(92より)
96 ピン形状の端部分(92より)
100 絶縁ボディ
102 冷却体
104 穴(72内)
106 部分領域(接続プレート72より)
108 ネジ(接続ピン18より)
110 フット(接続ピン18より)
112 凹部(12から)
114 電流センサ

Claims (16)

  1. 基本ボディ(12)と、この基本ボディ(12)内に配設され且つ上面(30)において陽極・導体通路(32)、陰極・導体通路(34)、交流・導体通路(36)、並びに補助接続部(38、40)を有する少なくとも1つの基板(16)と、それらの導体通路(32、34、36)及び補助接続部(38、40)と少なくとも部分的に接触されている構成部品(42)と、基板(16)上に配設され、陽極・直流接続部(46)及び陰極・直流接続部(48)を有し、これらの陽極・直流接続部(46)と陰極・直流接続部(48)の間に接続されている少なくとも1つの電気的なコンデンサを有する中間回路ボード(24)と、少なくとも1つの交流接続要素(20)とを有する回路装置において、
    中間回路ボード(24)の陽極・直流接続部(46)が、基板(16)の陽極・導体通路(32と直接的に低インダクタンスで接触するための第1接触要素(56を有し、中間回路ボード(24)の陰極・直流接続部(48)が、基板(16)の陰極・導体通路(34)と直接的に低インダクタンスで接触するための第2接触要素(58)を有すること、
    間回路ボード(24)及び少なくとも1つの基板(16)には、基板(16)の交流・導体通路(36)と接触するための第3接触要素(70)を有する流接続要素(20)が付設されていること、及び、
    基本ボディ(12)には接続ピン(18、22)が設けられていて、交流接続要素(20)の接続プレート(72)の穴(74)を通じて付属の接続ピン(18)が延在し、中間回路ボード(24)の陽極・直流接続部(46)の穴(66)を通じて付属の接続ピン(22)が延在し、中間回路ボード(24)の陰極・直流接続部(48)の穴(68)を通じて付属の接続ピン(22)が延在していること
    を特徴とする回路装置。
  2. なくとも1つの接続ピン(18、22)がフット(110)を有し、フット(110)が電気絶縁性で熱伝導性のボディ(100)を介して冷却体(102)上に配設されていること特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
  3. 少なくとも1つの接続プレート(72)が部分領域(106)を有し、これらの部分領域(106)が電気絶縁性で熱伝導性のボディ(100)を介して冷却体(102)に対して熱的に接触していることを特徴とする、請求項1又は2に記載の回路装置。
  4. 3相交流(U、V、W)のために3つの基板(16)が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
  5. 基本ボディ(12)が冷却体に取り付けられていること、及び、少なくとも1つの基板(16)がその底面を用いて基本ボディ(12)と熱伝導式で接触されていることを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
  6. 中間回路ボード(24)が、陽極・直流接続部(46)を有する第1金属面要素(50)及び陰極・直流接続部(48)を有する第2金属面要素(52)を有し、これらの金属面要素が互いに電気絶縁されていて、少なくとも1つのコンデンサの接続要素が中間回路ボード(24)の夫々属の第1或いは第2金属面要素(50、52)と接触されていて、中間回路ボード(24)の第1接触要素(56第1金属面要素(50と一体式に形成されていて、中間回路ボード(24)の第2接触要素(58)が第2金属面要素(52)と一体式に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
  7. 少なくとも1つの交流接続要素(20)が第3接触要素(70)と一体式に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
  8. 構成部品(42)が、パワーダイオード、パワーサイリスタ、パワートランジスタ、センサ、抵抗、及び/又は、集積回路であることを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
  9. 第1、第2、第3接触要素(56、58、70)を少なくとも1つの基板(16)の前記の導体通路(32、34、36)と電気的に接触させるためのプレス装置(28)が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
  10. プレス装置(28)が、形状安定性のプレスボディ(78)と、プレスボディ(78)に適合された面寸法を有する制限された可撓性のプレス要素(76)とを有することを特徴とする、請求項に記載の回路装置。
  11. プレス装置(28)上にはドライバ回路が配設されていて、プレス装置(28)を貫いて接触ワイヤ要素(92)が延びていて、これらの接触ワイヤ要素が、ドライバ回路と、及び、少なくとも1つの基板(16)の付属の前記の導体通路(32、34、36)及び補助接続部(38、40)とプレス接触されていることを特徴とする、請求項に記載の回路装置。
  12. 熱伝導性で電気絶縁性のボディ(100)がセラミック材料から構成されていることを特徴とする、請求項2又は3に記載の回路装置。
  13. 接続ピン(18)がそのフット(110)の反対側の部分にネジ(108)を有することを特徴とする、請求項2に記載の回路装置。
  14. 接続プレート(72)の部分領域(106)が接続プレート(72)自体の折り曲げられた領域により形成されることを特徴とする、請求項に記載の回路装置。
  15. 接続ピン(18が、基本ボディ(12)に埋設されていて、接続プレート(72)と熱伝導式及び電気伝導式で接続されていることを特徴とする、請求項に記載の回路装置。
  16. 板(16)、第1及び第2接触要素(56、58)、第1及び第2金属面要素(50、52)が、密に隣接して配設されていて、少なくとも1つのコンデンサを冷却するために少なくとも1つのコンデンサと、基本ボディ(12)に取り付けられた冷却体との間において熱伝導式で電気絶縁式の短い接続経路を形成することを特徴とする、請求項6に記載の回路装置。
JP2002132802A 2001-06-08 2002-05-08 回路装置 Expired - Lifetime JP4095825B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10127947A DE10127947C1 (de) 2001-08-22 2001-06-08 Schaltungsanordnung
DE10127947.7 2001-06-08
DE10141114A DE10141114C1 (de) 2001-06-08 2001-08-22 Schaltungsanordnung
DE10141114.6 2001-08-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003069261A JP2003069261A (ja) 2003-03-07
JP4095825B2 true JP4095825B2 (ja) 2008-06-04

Family

ID=26009493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002132802A Expired - Lifetime JP4095825B2 (ja) 2001-06-08 2002-05-08 回路装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6654249B2 (ja)
EP (1) EP1265282B1 (ja)
JP (1) JP4095825B2 (ja)
KR (1) KR100820513B1 (ja)
CN (1) CN1264216C (ja)
DE (1) DE10141114C1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7327024B2 (en) * 2004-11-24 2008-02-05 General Electric Company Power module, and phase leg assembly
DE102005036105B3 (de) * 2005-08-01 2006-11-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Elektrisches Bauteil
JP4603956B2 (ja) * 2005-08-26 2010-12-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
DE102006006423B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102006006425B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102007007224B4 (de) * 2007-02-14 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse
DE102008018841A1 (de) * 2008-04-15 2009-10-22 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zur Herstellung und Aufbau eines Leistungsmoduls
DE102009017621B3 (de) * 2009-04-16 2010-08-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Verringerung der Störabstrahlung in einem leistungselektronischen System
CN101998783A (zh) * 2009-08-18 2011-03-30 深圳富泰宏精密工业有限公司 壳体
JP5338803B2 (ja) * 2010-01-22 2013-11-13 株式会社デンソー 電力変換装置
DE102012202673A1 (de) 2012-02-22 2013-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronikmodulsystem
LU92932B1 (en) * 2015-12-24 2017-07-21 Iee Sa Flat Built Temperature Control Unit for Battery Temperature Monitoring
US10021802B2 (en) * 2016-09-19 2018-07-10 General Electric Company Electronic module assembly having low loop inductance
DE102019205236A1 (de) * 2019-04-11 2020-10-15 Zf Friedrichshafen Ag Sensorvorrichtung, Basisteil und Stromschienen-Sensor-Anordnung
CN111867237B (zh) * 2020-08-21 2024-02-20 上海无线电设备研究所 一种大绑线结构的刚性印制板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0064856B1 (en) * 1981-05-12 1986-12-30 LUCAS INDUSTRIES public limited company A multi-phase bridge arrangement
US4965710A (en) * 1989-11-16 1990-10-23 International Rectifier Corporation Insulated gate bipolar transistor power module
JP2725952B2 (ja) * 1992-06-30 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP2896295B2 (ja) * 1993-09-28 1999-05-31 株式会社東芝 半導体モジュール装置
US5923085A (en) * 1996-05-02 1999-07-13 Chrysler Corporation IGBT module construction
DE19645636C1 (de) * 1996-11-06 1998-03-12 Telefunken Microelectron Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren
US6078501A (en) * 1997-12-22 2000-06-20 Omnirel Llc Power semiconductor module
US6359331B1 (en) * 1997-12-23 2002-03-19 Ford Global Technologies, Inc. High power switching module
US6166464A (en) * 1998-08-24 2000-12-26 International Rectifier Corp. Power module
US6249024B1 (en) * 1998-12-09 2001-06-19 International Rectifier Corp. Power module with repositioned positive and reduced inductance and capacitance
DE19942915A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Still Gmbh Leistungshalbleitermodul
DE19942770A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter-Modul
JP4142227B2 (ja) * 2000-01-28 2008-09-03 サンデン株式会社 車両用電動圧縮機のモータ駆動用インバータ装置
DE10037533C1 (de) 2000-08-01 2002-01-31 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
EP1265282A2 (de) 2002-12-11
US6654249B2 (en) 2003-11-25
DE10141114C1 (de) 2002-11-21
CN1391279A (zh) 2003-01-15
EP1265282A3 (de) 2005-05-25
KR100820513B1 (ko) 2008-04-10
KR20020095069A (ko) 2002-12-20
US20020186543A1 (en) 2002-12-12
EP1265282B1 (de) 2011-05-25
JP2003069261A (ja) 2003-03-07
CN1264216C (zh) 2006-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4095825B2 (ja) 回路装置
JP4192396B2 (ja) 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置
US5892279A (en) Packaging for electronic power devices and applications using the packaging
JP4409600B2 (ja) 電力半導体回路及びその製造方法
JP4478618B2 (ja) パワー半導体モジュール
US6793502B2 (en) Press (non-soldered) contacts for high current electrical connections in power modules
JPH10178151A (ja) 電動機を制御する電力モジユール
CN105981168A (zh) 功率半导体模块
JP2001267479A (ja) 母線ヒートシンク
US9891247B2 (en) U-shaped vertical shunt resistor for Power Semiconductor module
US8040707B2 (en) Power converter
JP2019506753A (ja) 多層回路基板に基づくパワーモジュール
JP2004225580A (ja) シャント抵抗装備インバータ一体型電動コンプレッサ及びシャント抵抗装置
JP3649259B2 (ja) インバータ装置
JP2011014261A (ja) 誘導加熱調理器
US7042730B2 (en) Non-isolated heatsink(s) for power modules
US6295201B1 (en) Bus bar having embedded switching device
US8018730B2 (en) Power converter apparatus
JP3974747B2 (ja) パワー回路
US20030171026A1 (en) Electrical device
JP3507444B2 (ja) ワンシステムモジュール
WO2020080248A1 (ja) 回路構造体及び電気接続箱
JP2016101071A (ja) 半導体装置
CN218587504U (zh) 电助力自行车控制器
WO2023189265A1 (ja) 半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070703

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071002

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071005

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071102

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080310

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4095825

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term