JP4050106B2

JP4050106B2 - 抵抗基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP4050106B2
Application number: JP2002212686A
Authority: JP
Inventors: 好弘田口; 春悦佐藤
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2002-07-22
Filing date: 2002-07-22
Publication date: 2008-02-20
Anticipated expiration: 2022-07-22
Also published as: US20040012478A1; JP2004055900A; US6882265B2

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可変抵抗器などに使用される抵抗基板に係わり、特に抵抗体層の表面が露出するように基板内に抵抗体層が埋設された抵抗基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の抵抗基板は、成形基板の表面に抵抗体層が所定のパターンで設けられているが、この抵抗体層の両端部の下に電極層が重ねられて形成されている。可変抵抗器の場合には、それぞれの電極層に導通する端子が設けられ、また電極層と電極層との間に位置する前記抵抗体層の表面を摺動する摺動子が設けられ、この摺動子と前記端子との間で、摺動子の摺動位置に対応する電圧の変化を検出できるようにしている。
【０００３】
従来のこの種の抵抗基板は、以下の工程で製造されているのが一般的である。第１の工程では、溶媒に、カーボンブラックと、粉砕したカーボンファイバーと、ポリイミド樹脂などの熱硬化性のバインダー樹脂とを混合した抵抗ペーストを生成し、この抵抗ペーストを黄銅製の金属板からなる転写シートの上にスクリーン印刷する。
【０００４】
第２の工程では、前記抵抗ペーストを例えば２００℃で３０分程度で乾燥させ、前記溶媒を除去する。さらにその上に前記抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥する工程を繰り返して、抵抗ペーストが乾燥した層を２層以上重ねる。
【０００５】
第３の工程では、溶媒に、熱硬化性のバインダー樹脂と銀粉を分散させた電極ペーストを抵抗体層の上にスクリーン印刷し、例えば２００℃で３０分、さらに２６０℃で３０分程度乾燥させて前記溶媒を除去する。
【０００６】
さらに第３の工程では、例えば３８０℃で７０分程度加熱して、前記抵抗ペーストに用いられているバインダー樹脂と、前記電極ペーストに設けられているバインダー樹脂を一緒に熱硬化させることにより樹脂内に前記カーボンが分散した抵抗体層と、同じく樹脂内に前記銀粉が分散した電極層とを形成する。
【０００７】
そして第４の工程では、前記抵抗体層の上に電極層が重ねられた転写シートを金型内に装着し、前記金型のキャビティ内にエポキシ樹脂などを射出して基板をインジェクション成形し、冷却した後に、前記転写シートを剥離する。
【０００８】
これにより、基板の表面に抵抗体層が現れ、この抵抗体層の内側に電極層が重ねられた状態で、この抵抗体層と電極層とが基板内に埋設されたものとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の製造方法で製造した抵抗基板では、電極層内の銀粉からなる金属粉が抵抗体層内に拡散しやすく、前記銀粉が抵抗体層の表面に浸出しやすいものであった。
【００１０】
その原因は、従来の製造方法では、抵抗体層と電極層のそれぞれの層をパターン形成した後に、前記両層のバインダー樹脂を加熱工程で同時に熱硬化させているため、バインダー樹脂が硬化する過程で、樹脂が軟化する際に電極層内の銀粉が抵抗体層に浸出しやすい点にある。特に、従来は抵抗体層と電極層とで同じバインダー樹脂を使用していたため、加熱工程で両層の樹脂が同時に軟化するため、そのときに電極層の金属粉（銀粉）が抵抗体層へ移行しやすい。
【００１１】
そして、抵抗体層の表面に金属粉として用いた銀粉が現われると、銀が腐食（硫化等）したり、近接するパターン同士のショートにつながるマイグレーションが発生するおそれが生じる。
【００１２】
また可変抵抗器では、電極層と電極層との間に位置する抵抗体層の表面を摺動子が摺動することにより抵抗値の変化が検出されるが、前記摺動子は、その摺動過程において電極層と抵抗体層が重ねられた領域（積層パターン）も摺動することがある。しかしこの領域に位置する抵抗体層に前記のように銀粉が浸出していると、銀はカーボン系粒子（特にカーボンファイバー）に比べて硬度が低いので、その領域の抵抗体層の強度が低下し、摺動子の摺動により前記抵抗体層が摩耗しやすくなる。
【００１３】
前記のように抵抗体層の表面への銀粉の露出を抑制するために、従来は前記第２の工程に示すように、抵抗ペーストのパターン印刷と乾燥を２回以上繰り返して、抵抗体層の膜厚を厚くしていた。しかし、抵抗ペーストのパターン印刷の工数が増えることになり生産性が悪く製造コストが高くなる。また抵抗体層の膜厚を厚くしても、加熱硬化において金属粉(銀粉)の抵抗体層への浸出を完全に無くすことは困難であった。
【００１４】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、電極層内に分散する金属粉が抵抗体層に浸出するのを防止でき、生産性を高めることができる抵抗基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、熱硬化した樹脂内に導電粉が分散した抵抗体層と、熱硬化した樹脂内に金属粉が分散した電極層とを有し、最表面に前記抵抗体層が現れ前記抵抗体層の基板内方側に前記電極層が積層された状態で、前記抵抗体層と前記電極層とが基板に支持されている抵抗基板において、
前記抵抗体層の樹脂よりも、前記電極層の樹脂の方が熱硬化温度が低いことを特徴とするものである。
【００１６】
この抵抗基板では、電極層の樹脂の熱硬化温度を低くしているため、例えば最初に抵抗体層の樹脂を熱硬化させた後に、その上に電極層を形成する場合に、電極層のバインダー樹脂を熱硬化させるときに、抵抗体層が軟化することがなく、よって電極層内の金属粉が抵抗体層内に浸出しにくい。
【００１７】
また、従来のように、抵抗体層のバインダー樹脂と電極層のバインダー樹脂とを同時に熱硬化させる製造方法を採用した場合においても、両層で熱硬化温度が相違しているため、過熱工程で先に電極層が硬化し、その後に抵抗体層が硬化するため、これによっても前記金属粉の浸出しを防止しやすい。
【００１８】
また、前記金属粉として銀粉を用い、前記導電粉としてカーボン粉を用いたものが好ましい。
【００１９】
前記のように、金属粉の浸出しを防止するためには、前記樹脂の熱硬化温度の差が３０℃以上であることが好ましい。
【００２０】
また先に抵抗体層のバインダー樹脂を熱硬化させ、その後に電極層を形成しているバインダー樹脂を熱硬化させる場合において、電極層を熱硬化させる際に、抵抗体層が軟化しないようにするためには、前記電極層の樹脂の熱硬化温度が、前記抵抗体層の樹脂のガラス転移温度よりも低いことが好ましい。
【００２１】
このような樹脂の組み合わせの例は、前記抵抗体層の樹脂が、熱硬化性ポリイミド、熱硬化性ポリエーテルケトン、熱硬化性ビスマレイミドのいずれか１種以上であり、前記電極層の樹脂が、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂のいずれか１種以上である。
【００２２】
また、前記基板には、前記電極層に導通された端子が固定されているものとして構成できる。さらに前記抵抗体層の表面を摺動する導電性の摺動子を設けた可変抵抗器として構成することができる。
【００２３】
また本発明は、以下の工程を有することを特徴とする抵抗基板の製造方法である。
【００２４】
（１）溶媒で溶かされた第１のバインダー樹脂内に導電粉が分散した抵抗ペーストを転写シートの上にパターン形成し、その後前記溶媒を除去し、さらに前記第１のバインダー樹脂を熱硬化させて抵抗体層を形成する工程と、
（２）前記第１のバインダー樹脂の熱硬化温度よりも低い温度で熱硬化する第２のバインダー樹脂が溶媒で溶かされて金属粉が分散させられた電極ペーストを、前記抵抗体層に重ねてパターン形成する工程と、
（３）前記電極ペーストの溶媒を除去し、さらに前記第２のバインダー樹脂を熱硬化させて電極層を形成する工程と、
（４）前記抵抗体層が基板表面に現れるように、前記転写シートを除去した前記抵抗体層と前記電極層とを基板に支持させる工程。
【００２５】
また、前記（３）の工程では、抵抗体層で硬化させられている第１のバインダー樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で第２のバインダー樹脂を熱硬化させることが好ましい。
【００２６】
また、前記第１のバインダー樹脂を溶かす溶媒と、前記第２のバインダー樹脂を溶かす溶媒を異なるものとすることが好ましい。
【００２７】
例えば電極ペーストに用いられる溶媒を、抵抗ペーストの第１のバインダー樹脂を溶解させにくいものとしておくと、抵抗体層の上に電極ペーストを形成する際に、電極ペースト内の溶媒によって、抵抗体層の樹脂が溶解させられることななくなり、これによっても金属体が抵抗体層に浸出するのを防止できる。
【００２８】
この場合も、前記第１のバインダー樹脂が、熱硬化性ポリイミド、熱硬化性ポリエーテルケトン、熱硬化性ビスマレイミドのいずれか１種以上であり、前記第２のバインダー樹脂が、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂のいずれか１種以上であることが好ましい。
【００２９】
また、前記金属粉として銀粉を用い、前記導電粉としてカーボン粉を用いることが好ましい。
【００３０】
また、前記第１のバインダー樹脂を溶かす溶媒が、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、メチルトリグライムのいずれか１種以上、あるいはこれらの溶媒とα−テルピネオールとの混合溶媒であり、
前記第２のバインダーを溶かす溶媒が、酢酸カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、メチルトリグライムのいずれか１種以上であることが好ましい。
【００３１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態として可変抵抗器に用いられる抵抗基板を示す斜視図、図２は前記抵抗基板の平面図、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。
【００３２】
この抵抗基板１は、エポキシ樹脂などで形成された絶縁性の成形基板２を有している。この成形基板２の中央には回転子が取り付けられる円形の開口部２ａが形成されている。また成形基板２の表面２ｂには、コモンパターン３、抵抗検出パターン４、補助パターン５が形成されており、これらの主な部分は、前記開口部２ａの中心と同心円のリング状パターンとして形成されている。コモンパターン３には引き出しパターン３ａが連続してこれが成形基板２の端縁２ｃまで延び、抵抗検出パターン４と連続する引き出しパターン４ａと、補助パターン５に連続する引き出しパターン５ａも前記端縁２ｃまで延びている。
【００３３】
成形基板２の前記端縁２ｃからは導電性金属材料で形成された端子６ａ，６ｂ，６ｃが突出しており、端子６ａは前記引き出しパターン３ａに重ねられて導通され、端子６ｂと端子６ｃは、引き出しパターン４ａと５ａに重ねられてそれぞれ導通されている。
【００３４】
また、前記抵抗検出パターン４と補助パターン５は、接続パターン５ｂにおいて互いに直列に接続されている。なお、前記補助パターン５は、抵抗検出パターン４の一端と端子６ｃとを接続する引き回しパターンである。
【００３５】
図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した断面を示しており、これには抵抗検出パターン４の一部およびその引き出しパターン４ａと、前記補助パターン５の一部が現れている。図３に示すように、各パターンは、抵抗体層２１のみで形成されている領域と、前記抵抗体層２１の基板内方側に電極層２２が積層された領域とを有しており、電極層２２のみで形成されている領域は存在していない。
【００３６】
図２では、説明の都合上、抵抗体層２１のみで形成されている領域にドットを付して示しており、抵抗体層２１と電極層２２とが積層されている領域にハッチングを付して示している。前記コモンパターン３およびその引き出しパターン３ａは、その全域で抵抗体層２１と電極層２２とが積層されている。前記抵抗検出パターン４では、角度θの範囲が抵抗体層２１のみで形成されており、その両端部および引き出しパターン４ａは、抵抗体層２１と電極層２２とが積層されている。また、補助パターン５は、引き出しパターン５ａおよび接続パターン５ｂを含むその全域で、抵抗体層２１と電極層２２とが積層されている。
【００３７】
すなわち、前記抵抗検出パターン４の角度θの範囲は、摺動子の摺動位置に応じた抵抗値の変化を検出するために抵抗体層２１のみで形成されているが、それ以外のパターンは電極層２２で形成されているとともに、この電極層２２が表面２ｂに露出しないように抵抗体層２１で覆われた構造である。
【００３８】
前記端子６ａ，６ｂ，６ｃは、成形基板２内に埋設されており、前記引き出しパターン３ａ，４ａ，５ａにて基板内側に形成されている前記電極層２２に、前記端子６ａ，６ｂ，６ｃのそれぞれが銀の接着層（図示せず）を介して接合されている。
【００３９】
前記開口部２ａには回転子が取り付けられ、この回転子に取り付けられた導電性の摺動子が、前記コモンパターン３と抵抗検出パターン４の表面を摺動する。その結果、端子６ａと端子６ｂとの間、および端子６ａと端子６ｃとの間で、摺動子の摺動位置に対応した抵抗変化を検出できるようになっている。
【００４０】
前記抵抗体層２１は、熱硬化性の樹脂の内部に導電粉としてカーボン粉（カーボンブラック、グラファイト、カーボンファイバーの少なくとも１種）が分散したものであり、前記電極層２２は、熱硬化性樹脂の内部に金属粉として銀粉が分散しているものである。そして比抵抗は、電極層２２の方が抵抗体層２１よりも充分に小さくなっている。なお、前記電極層２２に含まれる金属粉は、前記銀粉のほかに、金粉、銅粉、プラチナ粉、Ａｇ−Ｐｄ粉、ニッケル粉などであってもよい。またはこれらの金属粉を混合したものでも良い。
【００４１】
前記抵抗体層２１の樹脂よりも、電極層２２の樹脂の方が熱硬化温度が低く、さらには電極層２２の樹脂の熱硬化温度が、前記抵抗体層２１の樹脂のガラス転移温度よりも低くなっている。好ましくは、抵抗体層２１の樹脂と電極層２２との樹脂の熱硬化温度の差は３０℃以上である。
【００４２】
このように樹脂の熱硬化温度に差を持たせておくと、後に説明するように先に抵抗体層２１の樹脂を熱硬化させた後に、これに重なるように前記電極層２２をパターン形成して電極層２２の樹脂を熱硬化させる製造工程を採用したときに、既に硬化している抵抗体層２１の樹脂が軟化せず、電極層２２内の銀粉が抵抗体層２１に浸出し拡散することが生じにくくなる。
【００４３】
また、抵抗体層２１を形成する抵抗ペーストをパターン化して乾燥させ、その上に電極層２２を形成する電極ペーストをパターン化して乾燥させ、両層の樹脂を同じ加熱工程で熱硬化させる製造工程を採用した場合も、熱硬化温度の低い電極層２２の樹脂が先に熱硬化するため、電極層２２内の銀粉が抵抗体層２１に移行しずらい。
【００４４】
よって、図２においてハッチングで示している抵抗体層２１と電極層２２とが積層されている領域において、抵抗体層２１内に銀粉が拡散しにくくパターン表面に銀粉が露出することがなくなる。したがって、前記摺動子は、樹脂とカーボンとの混合体である抵抗体層２１の表面を摺動するようになり、コモンパターン３において、摺動子が銀粉を摺動することがなく、可変抵抗器としての摺動寿命を高くできる。
【００４５】
以下、前記抵抗基板１の製造方法について説明する。
（第１の工程；抵抗体層の形成）
第１の溶媒に、６４体積％〜７４体積％の第１のバインダー樹脂を溶解させ、これに１０〜２０体積％のカーボンブラックと、１６体積％のカーボンファイバー（３μｍのカーボンファイバーの粉砕粉）を混合させた抵抗ペーストを生成する（ただし、溶媒を除いた第１のバインダー樹脂、カーボンブラック、カーボンファイバーの合計が１００体積％）。
【００４６】
黄銅板の転写シート３０（図４参照）を用意し、抵抗体層２１のパターンの形状（図２のドットとハッチングの双方で示す全パターン）を製版するステンレス製のマスクを用い、前記転写シート３０の表面に前記抵抗ペーストをスクリーン印刷する。
【００４７】
印刷後に、焼成炉を用いて、前記スクリーン印刷した抵抗ペーストの層を２００℃で３０分間乾燥させて、前記第１の溶媒を蒸発させて除去する。
【００４８】
次に、同じ焼成炉で２６０℃で３０分間の加熱処理を行い、続けて同じ焼成炉で、３８０℃で７０分間加熱する。この２段階の加熱処理により第１のバインダー樹脂が三次元的に結合して架橋し、内部にカーボンブラックとカーボンファイバーを含んだ状態で抵抗体層２１が形成される。
【００４９】
前記のように乾燥処理後の加熱処理を２段階（複数段階）に分けて、段階的に温度を上げて行うことにより、樹脂が熱硬化する際の内部応力を緩和させることができ、歪が残るのを抑制できる。
【００５０】
前記第１の溶媒は、メチルカルビトール（ジエチレングリコールモノメチルエーテル）、エチルカルビトール（ジエチレングリコールモノエチルエーテル）、ブチルカルビトール（ジエチレングリコールモノブチルエーテル）、メチルトリグライムなどの単独溶媒のうちいずれか１種以上、あるいは前記単独溶媒とα−テルピネオールとの混合溶媒が使用される。このうち、後述する第２の溶媒との差をもたせるためにカルビトール類とα−テルピネオールとの混合溶媒が好ましい。
【００５１】
前記第１のバインダー樹脂としては、熱硬化温度が２５０〜３８０℃程度の樹脂が好ましく、例えば熱硬化性ポリイミド（熱硬化温度が２５０〜３８０℃、ガラス転移温度Ｔｇが３００〜３５０℃）、熱硬化性ポリエーテルケトン（ＰＥＫ樹脂）（熱硬化温度が２５０〜３８０℃、ガラス転移温度Ｔｇが３５０℃付近）、熱硬化性ビスマレイミド（熱硬化温度が３００℃付近、ガラス転移温度Ｔｇが２５０〜３００℃程度）のいずれか１種以上を用いる。
【００５２】
（第２の工程；電極層の形成）
前記のように第１のバインダー樹脂が熱硬化して形成された抵抗体層２１の上に、電極ペーストの層をスクリーン印刷で形成する。
【００５３】
前記電極ペーストは、第２の溶媒中に、１０〜５０体積％の銀粉と、５０〜９０体積％の第２のバインダー樹脂を混合してペースト状としたものである（ただし、溶媒を除いた銀粉と第２のバインダー樹脂との合計が１００体積％）。
【００５４】
図２においてハッチングで示す領域のパターンを製版するマスクで、前記転写シート３０と抵抗体層２１を覆い、前記抵抗体層２１の表面に電極ペーストをパターン形成する。
【００５５】
焼成炉において２００℃で３０分間加熱し、前記電極ペースト内の第２の溶媒を蒸発させて除去させるとともに、第２のバインダー樹脂を三次元結合させて架橋させ樹脂の内部に銀粉が含まれた電極層２２を形成する。
【００５６】
図４Ａは、転写シート３０の表面に抵抗体層２１と電極層２２とが積層されたものを断面図で示している。
【００５７】
前記第２の溶媒は、酢酸カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、メチルトリグライムのいずれか１種以上を用いる。
【００５８】
また第２のバインダー樹脂は、熱硬化温度が、前記第１のバインダー樹脂の熱硬化温度およびガラス転移温度Ｔｇよりも低いものであり、例えば、熱硬化温度が２００〜２２０℃のフェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂のいずれか１種以上が使用される。
【００５９】
（第３の工程；端子接着層の形成）
図４Ａに示すように、転写シート３０上に抵抗体層２１と電極層２２とが積層されたものにおいて、各引き出しパターン３ａ，４ａ，５ａの部分の前記電極層２２の表面に図示しない端子接着層（導電性接着層）を形成する。
【００６０】
この工程では、前記電極層２２の表面にスクリーン印刷により端子接着用ペーストの層を形成し、前記焼成炉において８０℃で１０分間乾燥させ、端子接着用ペースト内の溶媒を蒸発させて除去し、前記端子接着層を形成する。例えば、前記端子接続用ペーストは、酢酸カルビトールなどからなる溶剤に、２０体積％の銀粉と、２０体積％のフェノール樹脂と、６０体積％のエポキシ樹脂を混合させてペースト状としたものである（ただし、溶媒を除いた合計が１００体積％）。
【００６１】
（第４の工程；成形及び転写）
図４Ｂに示すように、前記転写シート３０を専用の金型４０で覆う。このとき引き出しパターン３ａ，４ａ，５ａの電極層２２の表面に前記端子接着層を介して端子６ａ，６ｂ，６ｃを設置する。そして、前記金型４０のキャビティ４１に溶融状態のエポキシ樹脂を注入する。このときのエポキシ樹脂の温度は、抵抗体層２１で硬化している樹脂および電極層２２で硬化している樹脂のガラス転移温度Ｔｇよりも低いことが好ましく、例えば樹脂温度が２００℃である。
【００６２】
キャビティ４１内に溶融状態のエポキシ樹脂が注入されると、その熱で前記端子接着層のフェノール樹脂とエポキシ樹脂との混合体が熱硬化して、端子６ａ，６ｂ，６ｃが引き出しパターン３ａ，４ａ，５ａにおいて電極層２２に接着される。
【００６３】
前記金型４０が空気中で室温になるまで冷却されると、前記エポキシ樹脂が硬化して成形基板２が形成される。そして、金型４０から抜き出して、転写シート３０を剥がすことで、前記抵抗基板１が完成する。
【００６４】
この製造方法では、先に抵抗体層２１の樹脂を加熱硬化させた後に、電極層２２の樹脂を加熱硬化させ、このとき電極層２２のバインダー樹脂として、前記抵抗体層２１の樹脂の熱硬化温度およびガラス転移温度よりも熱硬化温度の低い樹脂を用いることにより、電極層２２内の銀粉が抵抗体層２１に浸出するのを防止できる。
【００６５】
また、抵抗体層２１を形成する際の第１の溶媒と、電極層２２を形成する際の第２の溶媒を異なるものとし、前記第２の溶媒として、前に列記したように抵抗体層２１の硬化樹脂を溶解させにくいものを使用することにより、さらに銀粉が抵抗体層２１に移行するのを防止できる。
【００６６】
なお、本発明の抵抗基板は、図１と図２に示すような回転式可変抵抗器用のほかに、直線的にスライドするスライド式可変抵抗器、その他の抵抗センサーなどに使用することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように本発明では、電極層の上に抵抗体層が覆われているものにおいて、電極層に含まれている金属粉が抵抗体層の内部に浸出しにくくなり、抵抗体層の表面に前記金属体が露出するのを防止できる。よって、表面に金属粉が露出することに伴なう種々の問題（金属粉の腐食や銀マイグレーション等）の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の抵抗基板を示す斜視図、
【図２】前記抵抗基板の平面図、
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面図、
【図４】Ａ，Ｂは抵抗基板の製造方法を示すものであり、Ａは転写シートに抵抗体層と電極層とが積層された状態の断面図、Ｂは基板を形成する工程を示す断面図、
【符号の説明】
１抵抗基板
２成形基板
２ｂ表面
３コモンパターン
４抵抗検出パターン
５補助パターン
３ａ，４ａ，５ａ引き出しパターン
５ｂ接続パターン
６ａ，６ｂ，６ｃ端子
２１抵抗体層
２２電極層

Claims

熱硬化した樹脂内に導電粉が分散した抵抗体層と、熱硬化した樹脂内に金属粉が分散した電極層とを有し、最表面に前記抵抗体層が現れ前記抵抗体層の基板内方側に前記電極層が積層された状態で、前記抵抗体層と前記電極層とが基板に支持されている抵抗基板において、
前記抵抗体層の樹脂よりも、前記電極層の樹脂の方が熱硬化温度が低いことを特徴とする抵抗基板。
前記金属粉として銀粉を用い、前記導電粉としてカーボン粉を用いたものである請求項１記載の抵抗基板。
前記樹脂の熱硬化温度の差が３０℃以上である請求項１または２記載の抵抗基板。
前記電極層の樹脂の熱硬化温度が、前記抵抗体層の樹脂のガラス転移温度よりも低い請求項１ないし３のいずれかに記載の抵抗基板。
前記抵抗体層の樹脂が、熱硬化性ポリイミド、熱硬化性ポリエーテルケトン、熱硬化性ビスマレイミドのいずれか１種以上であり、前記電極層の樹脂が、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂のいずれか１種以上である請求項１ないし４のいずれかに記載の抵抗基板。
前記基板には、前記電極層に導通された端子が固定されている請求項１ないし５のいずれかに記載の抵抗基板。
以下の工程を有することを特徴とする抵抗基板の製造方法。
（１）溶媒で溶かされた第１のバインダー樹脂内に導電粉が分散した抵抗ペーストを転写シートの上にパターン形成し、その後前記溶媒を除去し、さらに前記第１のバインダー樹脂を熱硬化させて抵抗体層を形成する工程と、
（２）前記第１のバインダー樹脂の熱硬化温度よりも低い温度で熱硬化する第２のバインダー樹脂が溶媒で溶かされて金属粉が分散させられた電極ペーストを、前記抵抗体層に重ねてパターン形成する工程と、
（３）前記電極ペーストの溶媒を除去し、さらに前記第２のバインダー樹脂を熱硬化させて電極層を形成する工程と、
（４）前記抵抗体層が基板表面に現れるように、前記転写シートを除去した前記抵抗体層と前記電極層とを基板に支持させる工程。
前記（３）の工程では、抵抗体層で硬化させられている第１のバインダー樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で第２のバインダー樹脂を熱硬化させる請求項７記載の抵抗基板の製造方法。
前記第１のバインダー樹脂を溶かす溶媒と、前記第２のバインダー樹脂を溶かす溶媒を異なるものとする請求項７または８記載の抵抗基板の製造方法。
前記第１のバインダー樹脂が、熱硬化性ポリイミド、熱硬化性ポリエーテルケトン、熱硬化性ビスマレイミドのいずれか１種以上であり、前記第２のバインダー樹脂が、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂のいずれか１種以上である請求項７ないし９のいずれかに記載の抵抗基板の製造方法。
前記金属粉として銀粉を用い、前記導電粉としてカーボン粉を用いる請求項７ないし１０のいずれかに記載の抵抗基板の製造方法。
前記第１のバインダー樹脂を溶かす溶媒が、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、メチルトリグライムのいずれか１種以上、あるいはこれらの溶媒とα−テルピネオールとの混合溶媒であり、
前記第２のバインダーを溶かす溶媒が、酢酸カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、メチルトリグライムのいずれか１種以上である請求項７ないし１１のいずれかに記載の抵抗基板の製造方法。