JP4036757B2 - 能動デバイス、電界効果トランジスタ、電気回路及び布地 - Google Patents
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Description
Claims (54)
- 軸方向に延び且つエネルギーが加えられる細長いコアと、該コアの上に配設され該コアの軸方向に沿った幅を有する半導体層とを有する細長いスレッドと、
該スレッドの外面に接し且つ前記コアの軸方向に沿って互いに平行に設けられ、前記半導体層の互いに離れた場所において前記コアの軸方向に沿った前記幅に亘って前記半導体層にそれぞれ接触する第1導電体および第2導電体とを備え、
前記スレッドの前記コアに加えられるエネルギーによって前記半導体層のキャリア濃度を変調することにより、前記半導体層の前記コアの軸方向に沿った前記幅に亘って前記半導体層に接触する前記第1導電体および前記第2導電体の間のインピーダンスを変化させる、能動デバイス。 - 前記半導体層が前記コアを取り囲む層である、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記コアが光ファイバである、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記コアが圧電材料である、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記コアと前記半導体層の間に配設された絶縁材料の層をさらに備え、前記コアおよび前記第1および第2導電体が、電界効果トランジスタのゲート、ソースおよびドレインである、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記スレッドが複数本の可撓性のスレッドの第1スレッドであり、前記第1および第2導電体が前記複数本のスレッドの第2および第3スレッドであり、該第2および第3スレッドが前記第1スレッドの軸方向に延びる、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記第1スレッドの前記コアが光ファイバである、請求項6に記載の能動デバイス。
- 前記第1スレッドが導電コアを含み、電気絶縁材料の層が前記コア上に配設される、請求項6に記載の能動デバイス。
- 前記半導体層が前記電気絶縁材料の層上に配設された層である、請求項8に記載の能動デバイス。
- 前記複数本のスレッドの第4スレッドが前記第1スレッドの軸方向に延びる、請求項8に記載の能動デバイス。
- 前記第4スレッドが、前記第2および第3スレッドの間に挿入された絶縁材料からなるスペーサである、請求項10に記載の能動デバイス。
- 前記第4スレッドが、導電コアおよび前記コア上に配設された電気絶縁材料の層を含む、請求項10に記載の能動デバイス。
- 前記第4スレッドを囲んで電気絶縁材料の層が配設され、該電気絶縁材料の層上に半導体層が配設される、請求項10に記載の能動デバイス。
- 前記第1スレッドの軸方向に延びる第1および第2接点スレッドをさらに備え、前記第1接点スレッドが前記半導体層および前記第2スレッドと電気的に接触してそれらの間に配設され、前記第2接点スレッドが前記半導体層および前記第3スレッドと電気的に接触してそれらの間に配設されてキャリアを増強する、請求項6に記載の能動デバイス。
- 前記第2スレッドが第1コアを含み前記第3スレッドが第2コアを含み、前記第1接点スレッドが前記第1コアに接して配設され、前記第2接点スレッドが前記第2コアに接して配設される、請求項14に記載の能動デバイス。
- 前記第1および第2接点スレッドが前記複数本のスレッドの第4および第5スレッドである、請求項14に記載の能動デバイス。
- 前記半導体層が有機半導体材料を含む、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記有機半導体材料が、半導体低分子、オリゴマーおよびポリマーからなる群から選択される材料である、請求項17に記載の能動デバイス。
- 前記有機半導体材料が、ペンタセン、オリゴチオフェンおよびポリチオフェンからなる群から選択される材料である、請求項17に記載の能動デバイス。
- 前記半導体層が有機−無機ハイブリッド半導体材料を含む、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記有機−無機ハイブリッド半導体材料がヨウ化フェニチルアンモニウムスズである、請求項20に記載の能動デバイス。
- 前記コアが1本または複数本の細長いフィラメントを含む、請求項2に記載の能動デバイス。
- 前記1本または複数本のフィラメントが導電性である、請求項22に記載の能動デバイス。
- 前記スレッドが可撓性である、請求項1に記載の能動デバイス。
- 前記複数本のスレッドが撚り合わされている、請求項6に記載の能動デバイス。
- 前記複数本のスレッドを合わせて保持する手段をさらに備える、請求項6に記載の能動デバイス。
- 電流が、前記第2スレッド、前記半導体層および前記第3スレッドを含む経路中を流れる、請求項6に記載の能動デバイス。
- 前記コアが導電性である、請求項1に記載の能動デバイス。
- 軸方向に延び且つエネルギーが加えられる細長い導電コア、該導電コアの上に配設され該導電コアの軸方向に延びて配設された電気絶縁材料の層、及び該電気絶縁材料の層の上に配設され前記導電コアの軸方向に沿った幅を有する半導体層を有する細長いスレッドと、
該スレッドの外面に接し且つ前記コアの軸方向に沿って互いに平行に設けられ、前記半導体層の互いに離れた場所において前記コアの軸方向に沿った前記幅に亘って前記半導体層にそれぞれ接触する第1導電体および第2導電体とを備え、
前記スレッドの前記コアに加えられるエネルギーによって前記半導体層のキャリア濃度を変調することにより、前記半導体層の前記コアの軸方向に沿った前記幅に亘って前記半導体層に接触する前記第1導電体および前記第2導電体の間のインピーダンスを変化させる、電界効果トランジスタ。 - 前記スレッドが複数本のスレッドの第1スレッドであり、該第1スレッドが前記導電コアの外面に前記電気絶縁材料の層が配設されたスレッドであってゲートであり、前記複数本のスレッドの第2スレッドが前記第1導電体を含みソースであり、第3スレッドが第2導電体を含みドレインである、請求項29に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記複数本のスレッドが可撓性である、請求項30に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記複数本のスレッドが撚り合わされて可撓性のバンドルにされている、請求項30に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記半導体層が有機半導体材料を含む、請求項30に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記有機半導体材料が、半導体低分子、オリゴマーおよびポリマーからなる群から選択される材料である、請求項33に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記有機半導体材料が、ペンタセン、オリゴチオフェンおよびポリチオフェンからなる群から選択される材料である、請求項33に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記半導体層が有機−無機ハイブリッド半導体材料を含む、請求項29に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記有機−無機ハイブリッド半導体材料がヨウ化フェニチルアンモニウムスズである、請求項36に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記コアが1本または複数本の細長いフィラメントを含む、請求項29に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記1本または複数本のフィラメントが導電性である、請求項38に記載の電界効果トランジスタ。
- 電流が、前記第2スレッド、前記半導体層および前記第3スレッドを含む経路中を流れる、請求項30に記載の電界効果トランジスタ。
- 軸方向に延び且つエネルギーが加えられる細長いコア、該コアの上に配設され該コアの軸方向に延びて配設された電気絶縁材料の層、及び該電気絶縁材料の層の上に配設され前記導電コアの軸方向に沿って配設された半導体層を有する細長い第1スレッドと、
該第1スレッドの外面に接し且つ前記コアの軸方向に沿って互いに平行に設けられ、前記半導体層の互いに離れた場所において前記半導体層にそれぞれ接触する第1導電体の細長い第2スレッドおよび第2導電体の細長い第3スレッドとを備え、
前記第1スレッドの前記コアに加えられるエネルギーによって前記半導体層のキャリア濃度を変調することにより、前記半導体層に接触する前記第1導電体の第2スレッドおよび前記第2導電体の第3スレッド間のインピーダンスを変化させる、電気回路。 - 軸方向に延び且つエネルギーが加えられる細長いコア、該コアの上に配設され該コアの軸方向に延びて配設された電気絶縁材料の層、及び該電気絶縁材料の層の上に配設され前記導電コアの軸方向に沿って配設された半導体層を有する細長い第4スレッドを備え、
該第4スレッドの前記半導体層が前記第1スレッドの前記半導体層と対向するように前記第4スレッドが配設され、
前記第4スレッドの前記半導体層の互いに離間した2つの位置で該半導体層に前記第1導電体の第2スレッドおよび前記第2導電体の第3スレッドとが接触する、請求項41に記載の電気回路。 - 前記第1スレッド、前記第2スレッドおよび前記第3スレッドが可撓性であり、前記第1スレッド、前記第2スレッドおよび前記第3スレッドが撚り合わされて可撓性のバンドルにされている、請求項41に記載の電気回路。
- 前記第1スレッド、前記第2スレッド、前記第3スレッドおよび前記第4スレッドが可撓性であり、前記第1スレッド、前記第2スレッド、前記第3スレッドおよび前記第4スレッドが撚り合わされて可撓性のバンドルにされている、請求項42に記載の電気回路。
- 軸方向に延び且つエネルギーが加えられる細長いコアと、該コアの上に配設され該コアの軸方向に沿った幅を有する半導体層とを有する細長いスレッドと、
該スレッドの外面に接し且つ前記コアの軸方向に沿って互いに平行に設けられ、前記半導体層の互いに離れた場所において前記コアの軸方向に沿った前記幅に亘って前記半導体層にそれぞれ接触する第1導電体および第2導電体とを備え、
前記スレッドの前記コアに加えられるエネルギーによって前記半導体層のキャリア濃度を変調することにより、前記半導体層の前記コアの軸方向に沿った前記幅に亘って前記半導体層に接触する前記第1導電体および前記第2導電体の間のインピーダンスを変化させる、能動デバイスが織り込まれた布地。 - 軸方向に延び且つエネルギーが加えられる細長いコア、該コアの上に配設され該コアの軸方向に延びて配設された電気絶縁材料の層、及び該電気絶縁材料の層の上に配設され前記導電コアの軸方向に沿って配設された半導体層を有する細長い第1スレッドと、
該第1スレッドの外面に接し且つ前記コアの軸方向に沿って互いに平行に設けられ、前記半導体層の互いに離れた場所において前記半導体層にそれぞれ接触する第1導電体の細長い第2スレッドおよび第2導電体の細長い第3スレッドとを備え、
前記第1スレッドの前記コアに加えられるエネルギーによって前記半導体層のキャリア濃度を変調することにより、前記半導体層に接触する前記第1導電体の第2スレッドおよび前記第2導電体の第3スレッド間のインピーダンスを変化させる、電気回路が織り込まれた布地。 - 前記半導体層が前記コアを取り囲む層である、請求項45又は46に記載の布地。
- 前記コアが光ファイバである、請求項45又は46に記載の布地。
- 前記コアが圧電材料である、請求項45又は46に記載の布地。
- 前記コアと前記半導体層の間に配設された電気絶縁材料の層をさらに備え、前記コアおよび前記第1および第2導電体が、電界効果トランジスタのゲート、ソースおよびドレインである、請求項45又は46に記載の布地。
- 前記スレッドが複数本の可撓性のスレッドの第1スレッドであり、前記第1および第2導電体が前記複数本のスレッドの第2および第3スレッドであり、該第2および第3スレッドが前記第1スレッドの軸方向に延びる、請求項45又は46に記載の布地。
- 前記第1スレッドの前記コアが光ファイバである、請求項51に記載の布地。
- 前記第1スレッドが導電コアを含み、電気絶縁材料の層が前記コア上に配設される、請求項51に記載の布地。
- 前記半導体層が前記電気絶縁材料の層上に配設された層である、請求項53に記載の布地。
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