JP4352621B2 - 透光性導電性線状材料、繊維状蛍光体及び織物型表示装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は織物型表示装置と織物型表示装置を実現するために必要な透光性導電性線状材料、繊維状蛍光体、繊維状スイッチング素子と各々の製造方法、及び薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
本発明の第１の要件は、透光性導電性線状材料とその製造方法であり、透光性と導電性を併せ持つことを特徴としており、この様な線状材料を用いることで新たな応用分野、商品展開が可能となる。
【０００３】
本発明の第２の要件は、繊維状蛍光体とその製造方法であり、フレキシブルでどの様な形状にも適応でき、且つ任意の箇所を発光させることができることを特徴とし、これまで発光体を形成することが困難であった箇所にも発光表示をすることが可能となる。
【０００４】
本発明の第３の要件は繊維状スイッチング素子とその製造方法であり、繊維状の線状材料の表面に形成された電極に所定の信号を印加することで、他方の電極のスイッチングが可能であり、フレキシブルでどの様な形状にも適用できるという特徴を有する。
【０００５】
本発明の第４の要件は、薄膜形成装置であり、特に繊維状の線状材料の表面に絶縁性薄膜や蛍光体薄膜、半導体薄膜、金属薄膜などを均一性良く、且つ連続的に形成することが可能である。
【０００６】
本発明の第５の要件は、織物型表示装置に関するものであり、フレキシブルでどのような形状にも形成することが可能であり、且つ数メートルから数十メートル規模の自発光型表示装置を実現することができる。
【０００７】
【従来の技術】
大面積の画像表示を実現する方法としては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やＣＲＴ、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等の発光型表示装置を複数平面状に配置したり、投写型のディスプレイ装置を用いてスクリーンや壁面に画像を投射すると入った方法が用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
これまでの発光型表示装置を複数平面状に配置した大面積表示装置は、個々の表示装置をタイル状に並べるため、複雑な形状を有する面に形成することは困難である。また、個々の表示装置の形状の制約も受けるため、任意の形に形成することができないという課題がある。
【０００９】
また、投写型のディスプレイでは、表示面の形状の制約はさほど受けないものの、発光部と表示部を離す必要があるため、間に障害物等があった場合には画像が表示されないという問題がある。またこの種の表示装置では、表示部分の面積が広くなる程投射部の光源を強力なものにする必要があり、投射装置が重厚なものになってしまうという問題もある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の様な課題に対して、繊維状の発光体と、この繊維状の発光体における任意の位置に発光のための信号を印加するスイッチング素子とを相互に織物状にして形成することで、フレキシブルで任意の形状に加工、適応できる表示装置を実現した。以下にそのための具体的な手段を示す。
【００１１】
請求項１、２、及び３記載の透光性導電性の線状材料は、透光性と導電性を併せ持つことを特徴とする。この様な特徴を有することで、例えば表示装置の信号用配線として用いた場合でも発光体からの光を遮ることがなく、明るい表示装置を実現することが可能となった。
【００１２】
請求項４から８記載の繊維状蛍光体は、導電性の線状材料の表面に蛍光体が形成されていることを特徴とする。繊維状蛍光体の任意の箇所に電界を加えることで、電界を加えた領域の蛍光体を発光させることができる。繊維状蛍光体は任意の形状に折り曲げることができるため、任意形状の発光表示体を実現することが可能となった。
【００１３】
請求項９、１０、１１、１２、及び１３記載の繊維状蛍光体は、導電性の線状材料の表面に蛍光体が形成されており、蛍光体の外側には透光性の導電性薄膜が孤立的に配置されていることを特徴とする。孤立的に配置された透光性の導電性薄膜に任意に電界を加えることで、電界を加えられた導電性薄膜の下部領域の蛍光体を発光させることができる。導電性薄膜の形状や面積を任意に形成することで、蛍光体の発光する面積や領域を任意に変えることができる。また繊維状蛍光体は任意の形状に折り曲げることができるため、任意形状の発光表示体を実現することが可能となった。
【００１４】
請求項１４記載の繊維状スイッチング素子は、導電性の線状材料の表面に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）が形成されていることを特徴とする。この様な形状を有することで、繊維状の蛍光体や任意の形状の素子に対しても制御性良く所望の信号を印加する事が可能となった。
【００１５】
請求項１５、１６、１７、及び１８記載の薄膜形成装置は、線状材料を一定の速度で進行させる機構と、この線状材料の表面に薄膜を堆積する手段を備えた薄膜形成装置である。本装置を用いることで、線状材料の表面に均一性良く、半導体プロセスで用いるような良質の薄膜を連続的に形成することが可能となった。薄膜形成の原理としては、一般的に用いられているスパッタリング法、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を用いることが可能である。
【００１６】
請求項１９記載の薄膜形成装置は、溶液中を一定速度で線状材料を通過させることで線状材料表面に溶液を塗布し、塗布された溶液を乾燥若しくは一定の熱処理を施す機構を有する薄膜形成装置である。本装置を用いることで、溶液を原料とするような薄膜材料でも線状材料の表面に均一性良く良質な薄膜を形成することが可能である。
【００１７】
請求項２０記載の織物型表示装置は、表面に導電性を有する複数の導電性の線状材料と少なくともその表面には絶縁性を有する複数の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に配置された導電性の線状材料及び絶縁性の線状材料と交差する位置に、導電性の線状材料の表面に少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜が順次形成された複数の繊維状蛍光体が配置されており、且つ前記導電性の線状材料及び絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られた構造を有している。この様な形態を有することで、導電性の線状材料と繊維状蛍光体とが交差した位置において、両線状材料間に所定の電位差が生じている状態の時に、両線状材料間に挟まれた領域の蛍光体薄膜が発光する。この様な織物型の形態を有することでフレキシブルで自由な形状に適応できる数メートルから数十メートル規模の大面積の表示装置を実現することができる。
【００１８】
請求項２１記載の織物型表示装置は、表面に導電性を有する複数の導電性の線状材料と少なくともその表面には絶縁性を有する複数の第１の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に配置された導電性の線状材料及び第１の絶縁性の線状材料と交差するように、導電性の線状材料の表面に少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜、及び線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤立的に配置された透光性導電性薄膜が順次形成された複数の繊維状蛍光体と少なくともその表面には絶縁性を有する複数の第２の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、且つ前記導電性の線状材料及び第１の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体及び第２の絶縁性の線状材料とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られた構造を有しており、前記導電性の線状材料と前記繊維状蛍光体の交差部では導電性の線状材料と繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透光性導電性薄膜が電気的に接触していることを特徴とする。この様な形態を有することで、繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透光性導電性薄膜と導電性の線状材料とが交差した位置において両線状材料間に所定の電位差が生じている状態の時に、孤立的に形成された透光性導電性薄膜の下部領域の蛍光体薄膜が発光するフレキシブルで自由な形状に適応できる数メートルから数十メートル規模の表示装置を実現することができる。
【００１９】
請求項２２記載の織物型表示装置は、線状材料の表面に一定の間隔でスイッチング素子が形成されている複数の繊維状スイッチング素子と少なくともその表面には絶縁性を有する複数の第１の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に配置された繊維状スイッチング素子及び第１の絶縁性の線状材料と交差するように、導電性の線状材料の表面に少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜、及び線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤立的に配置された透光性導電性薄膜が順次形成された複数の繊維状蛍光体と表面に導電性を有する複数の導電性の線状材料、及び前記繊維状蛍光体と前記導電性の線状材料との間隙に少なくともその表面には絶縁性を有する複数の第２の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、且つ前記繊維状スイッチング素子及び第１の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体、導電性の線状材料及び第２の絶縁性の線状材料とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られた構造を有しており、前記繊維状スイッチング素子と前記繊維状蛍光体の交差部では繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成されている一方の電極と繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透光性導電性薄膜が電気的に接触しており、且つ繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成されている他方の電極と導電性の線状材料が電気的に接触していることを特徴とする。この様な形態を有することで、スイッチング素子である薄膜トランジスタにより精度よく制御された電圧が繊維状蛍光体に印加されることで、表示品位に優れ、且つフレキシブルで自由な形状に適応できる数メートルから数十メートル規模の表示装置を実現することができる。
【００２０】
請求項２３、２４、２５、２６、２７、及び２８記載の織物型表示装置は、前述の請求項２０、２１、及び２２記載の織物型表示装置において、明るさやコントラスト、解像度等の表示品位をより優れたものとすることが可能となる。
【００２１】
請求項２９及び３０記載の織物型表示装置は、織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体に用いられる蛍光体薄膜がエレクトロルミネセンス（以降ＥＬと略す）材料であることを特徴とする。この様なＥＬ材料を用いることで、単色、或いはマルチカラー、或いはフルカラーといった任意の色表示を再現性良く実現することが可能となった。
【００２２】
請求項３１記載の織物型表示装置は、織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体を形成する導電性の線状材料が金属からなる線状材料、若しくはガラス繊維或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成された線状材料よりなることを特徴とする。この様な形態を有することで、蛍光体薄膜から発せられる光が下部の金属からなる線状材料、或いは金属薄膜により効果的に反射されるため、より明るい表示装置が実現できる。
【００２３】
請求項３２記載の織物型表示装置は、織物型表示装置を構成する繊維状スイッチング素子を形成する線状材料が導電性の線状材料であり、前記導電性の線状材料が金属材料、若しくはガラス繊維或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成された線状材料よりなることを特徴とする。この様な形態を有することで、繊維状蛍光体から発せられる光が下部の金属からなる線状材料、或いは金属薄膜により効果的に反射されるため、より明るい表示装置が実現できる。
【００２４】
請求項３３記載の透光性導電性の線状材料の製造方法は、ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よりなる線状材料を一定の速度で移動させながら、線状材料の表面に透明導電性薄膜を連続的に堆積することを特徴とする。この様な製造方法を用いることで、透光性と導電性を併せ持ち、例えば表示装置に用いた場合でも発光体からの光を遮ることのない、非常に長いフレキシブルな信号用配線を再現性良く安定に製造することが可能となった。
【００２５】
請求項３４記載の繊維状蛍光体の製造方法は、金属からなる線状材料を一定の速度で移動させながら、金属からなる線状材料の表面に第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜を連続的に堆積することを特徴とする。この様な製造方法を用いることで、非常に長いフレキシブルな繊維状蛍光体を連続的に再現性良く製造することが可能となった。
【００２６】
請求項３５記載の繊維状蛍光体の製造方法は、ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よりなる線状材料を一定の速度で移動させながら、前記ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よりなる線状材料の表面に金属薄膜若しくは透明導電性薄膜を堆積後、続けて第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜を連続的に堆積することを特徴とする。この様な製造方法を用いることで、非常に長いフレキシブルな繊維状蛍光体を連続的に再現性良く製造することが可能となった。
【００２７】
請求項３６記載の繊維状スイッチング素子の製造方法は、導電性の線状材料を一定の速度で移動させながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記ゲート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜のパターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域に順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続的に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に順次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後導電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ドレイン電極を形成する行程を少なくとも経て、前記導電性の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜トランジスタを連続的に形成したことを特徴とする。この様な製造方法を用いることで、非常に長いフレキシブルな繊維状スイッチング素子を再現性良く製造することが可能となった。
【００２８】
請求項３７記載の繊維状スイッチング素子の製造方法は、導電性の線状材料を一定の速度で移動させながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記ゲート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜のパターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域に順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続的に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に順次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後導電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ドレイン電極を形成する行程と、導電性の線状材料の表面に絶縁性の保護膜を連続的に堆積した後ソース・ドレイン電極上に順次開口部を形成する行程とを少なくとも経て、前記導電性の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜トランジスタを連続的に形成したことを特徴とする。この様な製造方法を用いることで、非常に長いフレキシブルな繊維状スイッチング素子を再現性良く製造することが可能となった。
【００２９】
【発明の実施の形態】
（第1の実施例）
本発明の実施の形態による薄膜形成装置を、（図１）を参照して説明する。
【００３０】
排気系１０２、及びガス導入口１０３を備えた真空室１０１中に被スパッタリング材となる円筒型ターゲット１０４が備えられている。円筒型ターゲット１０４は、印加電極１０５にボンディングされており、電源１０６より高周波電圧若しくはＤＣ電圧を印加する事ができる。図示はしていないが、印加電極１０５には、成膜中の熱による損傷を防ぐための冷却機構を具備している。ターゲット１０４の周囲を囲むように円筒型のアースシールド１０７が配置されている。真空室１０１の側部には、真空室外部より内部の真空を保持したまま線状材料１０を真空室内に導入するための線状材料導入口１０８、及び、線状材料１０を内部の真空を保持したまま導出するための線状材料導出口１１１が設けられている。線状材料導入口１０８及び線状材料導出口１１１は、線状材料１０がターゲット１０４の内部を通るように配置されている。線状材料導入口１０８の外側には、軌道位置補正用のローラ１０９を介して真空室内に導入する線状材料１０を巻いておく巻き取りロール１１０が配置されている。また線状材料導出口１１０の外側には、軌道位置補正用のローラ１１２を介して真空室内より導出された線状材料１０を巻き取る巻き取りロール１１３が配置されている。巻き取りロール１１０と巻き取りロール１１３は同期しており、真空室内を線状材料１０が一定速度で移動するよう調整されている。
【００３１】
本装置において、真空室内に所定の圧力に調整された所定のガスを導入し、ターゲットに所定の電圧を印加することでターゲット材料をスパッタリングすることにより、ターゲット内部を一定速度で移動する線状材料の表面にターゲット材料、若しくはターゲット材料と導入ガスとの化合物である金属膜、半導体膜、絶縁膜等の薄膜を連続的に堆積することができる。
【００３２】
スパッタリングターゲットの形状は必ずしも円筒形である必要はなく、(図１（ｂ）)に示した如く多角形の形状であってもよい。またターゲット全体を一体で構成する必要もなく、複数の平板上のターゲットが線状材料の周囲を囲むように配置された構造であってもよい。
【００３３】
（第２の実施例）
本発明の実施の形態による薄膜形成装置を、（図２）を参照して説明する。
【００３４】
排気系２０２、及びガス導入口２０３を備えた真空室２０１中に、均一にガスを導入するシャワープレート２０４を備えた印加電極２０５が備えられている。印加電極２０５と対向する位置には接地電極２０６が備えられており、接地された真空室２０１と電気的に接続されている。印加電極２０５には、電源２０７により高周波電圧が印加される。また接地電極２０６はヒータを内蔵している。真空室２０１の側部には、真空室外部より内部の真空を保持したまま線状材料を真空室２０１内に導入するための線状材料導入口２０８、及び線状材料２１０を内部の真空を保持したまま導出するための線状材料導出口２１１が設けられている。線状材料導入口２０８及び線状材料導出口２１１は、線状材料が印加電極２０５と接地電極２０６の間を通るように配置されている。線状材料導入口２０８の外側には、軌道位置補正用のローラ２０９を介して真空室２０１内に導入する線状材料を巻いておく巻き取りロール２１０が配置されている。また線状材料導入口２１１の外側には、軌道位置補正用のローラ２１２を介して真空室内より導出された線状材料を巻き取る巻き取りロール２１３が配置されている。巻き取りロール２０９と巻き取りロール２１３は同期しており、真空室内を線状材料が一定速度で移動するよう調整されている。
【００３５】
本装置において、真空室内に所定の圧力に調整された所定のガスを導入し、電源電極板に所定の高周波電圧を印加することで電源電極板と接地電極板間にプラズマが発生し、該プラズマ中で線状材料を一定速度で動かすことにより、線状材料の表面にプラズマ中に生成する導入されたガスの反応生成物を均一性良く堆積することができる。
【００３６】
本装置では両電極間に発生させたプラズマ中で反応性生物が形成されるため、プラズマ内を線状材料が移動するように配慮すれば、複数の線状材料に同時に薄膜を堆積することが可能である。
【００３７】
（第３の実施例）
本発明の実施の形態による薄膜形成装置を、（図３）を参照して説明する。
【００３８】
排気系３０２、及びガス導入口３０３を備えた真空室３０１中に、電源３０６に接続された加熱源３０５が備えられている。加熱源中には形成される薄膜の母材となる蒸発源３０４が具備されており、加熱源３０５により熱を加えられ、所定の速度で真空中に飛翔させることができる。蒸発源３０４上方の真空室３０３の側部には、真空室外部より内部の真空を保持したまま線状材料を真空室内に導入するための線状材料導入口３０７、及び、線状材料を内部の真空を保持したまま導出するための線状材料導出口３１０が設けられている。線状材料導入口３０７及び線状材料導入口３１０は、線状材料がターゲット３０４の上方を通るように配置されている。線状材料導入口３０７の外側には、真空室内に導入する線状材料を巻いておく巻き取りロール３０８が配置されている。また線状材料導入口３１０の外側には、真空室内より導出された線状材料を巻き取る巻き取りロール３１１が配置されている。巻き取りロール３０８と巻き取りロール３１１は同期しており、真空室内を線状材料が一定速度で移動するよう調整されている。また、巻き取りロール３０８及び巻き取りロール３１１には、線状材料の進行方向を中心軸として回転するように、ローラ回転機構３０９及び３１２が取り付けられており、各々同じ速度で回転するよう同期されている。本機構により、線状材料の表面に均一な厚さの膜を堆積することができる。
【００３９】
本装置により、真空中、或いは真空室内に所定の圧力に調整された所定のガスを導入しつつ蒸発源を真空中に飛翔させながら、蒸発源上方を進行方向を中心軸として回転しながら一定速度で移動する線状材料の表面に母材、若しくは母材と導入ガスとの化合物である薄膜を連続的に堆積することができる。
【００４０】
蒸発源を加熱する方法としては、電子ビーム法や抵抗加熱法を用いることができる。
【００４１】
（第４の実施例）
本発明の実施の形態による薄膜形成装置を、（図４）を参照して説明する。
【００４２】
排気系４０２、及びガス導入口４０３を備えた真空室４０１の上方及び下方には、真空室外部より内部の真空を保持したまま線状材料を真空室内に導入するための線状材料導入口４０７、及び、線状材料を内部の真空を保持したまま導出するための線状材料導出口４１０が設けられている。線状材料導入口４０７の外側には、軌道位置補正用のローラ４０８を介して真空室内に導入する線状材料を巻いておく巻き取りロール４０９が配置されている。また線状材料導入口４１０の外側には、軌道位置補正用のローラ４１１を介して真空室内より導出された線状材料を巻き取る巻き取りロール４１２が配置されている。巻き取りロール４０９と巻き取りロール４１２は同期しており、真空室内を線状材料が一定速度で移動するよう調整されている。
【００４３】
真空室４０１中には坩堝型の加熱セル４０４が円周状に複数台備えられており、坩堝内には母材となる材料が納められている。各坩堝には各々温度制御装置４０５が備えられており、坩堝内を所定の温度に制御することができる。各々の坩堝は、真空室外部より導入された線状材料が円周状に配置された各々の坩堝の中心を通るように配置されている。
【００４４】
本装置において、真空中、或いは真空室内に所定の圧力に調整された所定のガスを導入し、坩堝を所定の温度に制御することで坩堝内の材料が蒸発し、一定速度で移動する線状材料の表面にターゲット材料、若しくはターゲット材料と導入ガスとの化合物である薄膜を連続的に堆積することができる。
【００４５】
本装置においては、２台のみ坩堝を配置して薄膜を堆積することも可能である。その場合、坩堝は線状材料と等間隔の位置にあることが望ましい。
【００４６】
（第５の実施例）
本発明の実施の形態による薄膜形成装置を、（図５）を参照して説明する。
【００４７】
溶液槽５０１は周囲に温度調節器５０２を有し、薄膜形成の母材となる溶液を所定温度に保持しつつ、一定量貯蔵、或いは循環、排出することができる構造となっている。溶液槽５０１の外部には、軌道補正ローラ５０４を介して溶液中に線状材料を導入するための巻き取りロール５０３が配置されている。溶液槽５０１内部には、折り返しローラ５０５が設置されている。折り返しローラ５０５は、線状材料が必ず溶液中を通過するように溶液面より下部に位置するよう配置されており、線状材料の表面に所定量の溶液が塗布される構造となっている。溶液槽５０１上には、軌道補正ローラ５０７を介して線状材料を巻き取るための巻き取りロール５０８が設置されている。溶液面と軌道補正ローラ５０７の間には、熱処理装置５０６が配置されており、線状材料の表面に塗布された溶液を乾燥、或いは焼成することができる構造となっている。巻き取りロール５０３と巻き取りロール５０８は同期して線状材料が溶液中を一定速度で移動するよう調節されている。
【００４８】
図５中には記載していないが、必要によって溶液槽５０１には、溶液の蒸発や水分等の溶け込みによる溶液の変質を防止するため、略密閉構造とするとともに、窒素等の不活性ガスで満たす構造とすることが可能である。また、熱処理装置５０６も同様の理由により密閉構造とするとともに、窒素等の不活性ガスで満たす構造とすることが可能である。更に熱処理装置５０６内に塗布膜との反応性の高いガスを導入し、塗布された溶液との化合物である薄膜を形成することも可能である。
【００４９】
線状材料の表面に薄膜の厚さは、溶液の温度や粘度、線状材料の移動速度、乾燥或いは焼成時の温度等で任意に調整することが可能である。また本装置で形成する薄膜の母材としては、フォトレジスト等の樹脂膜、有機系絶縁膜材料等、溶融可能な状態の物質であれば使用することができる。
【００５０】
（第６の実施例）
本発明の実施の形態による透光性導電性の線状材料とその製造方法を（図１）及び（図６）を参照して説明する。
【００５１】
石英製ガラス繊維よりなる線状材料６１０を（第１の実施例）で説明したスパッタリング装置の巻き取りロール１０９に予め巻きつけておく。スパッタリング装置内にはターゲット１０４として、スズ添加酸化インジウム（以後ＩＴＯと略す）が備え付けられている。また真空室内は、排気系１０２により所定の圧力以下になるまで真空排気されている。
【００５２】
線状材料６１０を線状材料導入口１０７より真空室１０１内に引き入れ、ターゲット１０４内部を通した後線状材料導出口１１０より外に引き出し、巻き取りロール１１２に巻きつけておく。ガス導入口１０３よりアルゴンと酸素の混合ガスよりなるスパッタリングガスを真空室１０１内に導入し、所定の圧力になるよう調整する。後電源１０５を用いてターゲット１０４に所定のＤＣ電圧を印加すると、円筒型内部にプラズマ放電が発生しターゲット１０４の表面がスパッタリングされる。所定時間が経過した後、巻き取りロール１０９及び巻き取りロール１１２を同時に回転させ、線状材料６１０を一定の速度で進行させると、線状材料６１０の表面に透明導電膜であるＩＴＯ薄膜６１１連続的に堆積され、巻き取りロール１１２に巻き取られていく。ＩＴＯ薄膜の膜厚は、線状材料の進行速度、スパッタリング条件などで任意に変えることが可能である。
【００５３】
本実施例では、透光性の線状材料として石英製ガラス繊維を用いたが、透光性の線状材料の材料は石英に限るものではなく、パイレックスや光ファイバー用ガラス等のガラス、或いはアクリル、ＰＥＴ、ナイロン等のプラスチック材料など、更には今後開発される種々の透光性材料を用いても本発明の要件が失われないことは明らかである。また、本実施例では透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いたが、透明導電膜の材料はこれに限るものではなく、Ａｌ添加酸化亜鉛膜等の透明導電膜を用いることもできる。
【００５４】
また本実施例では、必要最小限の構成のみを示したが、例えば透光性の線状材料の表面に透光性の保護膜を形成しても本発明の要件から外れるものではない。
【００５５】
更に本実施例では、透光性の線状材料に透明導電膜を成膜する方法としてスパッタリング法を用いたが、成膜方法はこれに限るものではなく、（第２の実施例）に示したＣＶＤ法を用いた薄膜形成装置や、（第３の実施例）、及び（第４の実施例）に示した真空蒸着法を用いた薄膜形成装置、或いは（第５の実施例）に示した溶液塗布型の薄膜形成装置を用いることもできる。
【００５６】
（第７の実施例）
本発明の実施の形態による繊維状蛍光体とその製造方法を（図７）及び（図８）を参照して説明する。
【００５７】
透光性プラスチック繊維の表面にＩＴＯ膜を堆積してなる透明導電性の線状材料７１０を（第２の実施例）で説明したＣＶＤ装置の線状材料導入口２０８より真空室２０１内に引き入れ、線状材料導出口２１１より外に引き出し、巻き取りロール２１３に巻きつけておく。真空室２０１内は、排気系２０２により所定の圧力以下になるまで真空排気されている。また接地電極板２０６は所定の温度に加熱されている。ガス導入口２０３よりテトラエトキシシランガス（以下、ＴＥＯＳガスと略す）と酸素の混合ガスを真空室２０１内に導入し、所定の圧力になるよう調整する。電源２０７を用いて電源電極板２０５に所定のＲＦ電力を印加してプラズマ放電を発生させると同時に、巻き取りロール２１０及び２１３を同時に回転させ、透明導電性の線状材料７１０を一定の速度で進行させると、透明導電性の線状材料７１０の表面にＳｉＯ２膜よりなる第１の絶縁性薄膜７１１が連続的に堆積され（図７（ａ））、巻き取りロール２１３に巻き取られていく。ＳｉＯ２膜の膜厚は、線状材料の進行速度、成膜条件などで任意に変えることが可能である。
【００５８】
続いて、（第４の実施例）で説明した真空蒸着装置を用いて、第１の絶縁性薄膜７１１の表面に連続的に有機物を主成分とするＥＬ材料からなる蛍光体薄膜７１２を所定の厚さ堆積する（図７（ｂ））。更に前述と同じＣＶＤ装置を用いて、蛍光体薄膜７１２の表面に第２の絶縁性薄膜７１３を所定の厚さ堆積して、繊維状蛍光体が完成する（図７（ｃ））。
【００５９】
繊維状蛍光体は、必要な長さに切断し、端部の第２の絶縁性薄膜７１３、蛍光体薄膜７１２、及び第１の絶縁性薄膜７１１を除去して透明導電性の線状材料７１０の表面を露出させ、外部電源の一方と接続する。一方、繊維状蛍光体の任意の表面に外部電源の他方の電極を接触させ、外部電源の両電極間に所定の電圧を印加することで、繊維状蛍光体表面の電極に接触している領域の蛍光体が発光する（図８）。繊維状蛍光体表面に接触させる電極の数や位置を任意に選ぶことで、必要な箇所のみを発光させることが可能である。
【００６０】
本実施例では、繊維状蛍光体の芯材として透明導電性の線状材料を用いた。この様な透明導電性の線状材料を用いることで、蛍光体薄膜が発光した際にも遮るものがなく、効率よく光を取り出すことができる。また透明導電性の線状材料として透光性プラスチック繊維の表面に透明導電膜を堆積したものを用いたが、透光性ガラス繊維の表面に透明導電膜を堆積したものを用いても良い。透光性のプラスチック或いは透光性のガラス繊維としては、例えば光ファイバーに用いられている様なできるだけ光透過率が高いものが望ましい。
【００６１】
本実施例では、繊維状蛍光体の芯材として透明導電性の線状材料を用いたが、用途によっては金属からなる線状材料、或いはプラスチック繊維やガラス繊維の表面に金属膜を形成した導電性の線状材料を用いても良い。この場合、繊維状蛍光体の表面側に印加する電極に透明導電性の線状材料を用いることで、芯材の金属表面から反射した光が透明導電性の線状材料を通して取り出される。この様な用途の場合、芯材に用いる金属再選、或いは金属薄膜はできるだけ反射率が高いものが望ましい。
【００６２】
本実施例では、蛍光体薄膜として有機ＥＬ材料を用いたが、発光中心元素を添加したＩＩ−ＶＩ属系化合物のような無機ＥＬ材料を用いても良い。無機ＥＬ材料の蛍光体薄膜の形成方法としては、（第４の実施例）で示した真空蒸着装置や、（第６の実施例）で示したスパッタリング装置を用いると良い。
【００６３】
また本実施例では、蛍光体の構成として必要最小限の構成を例として示したが、本発明の要件は繊維状の線状材料表面に蛍光体が形成されている点にあり、蛍光体の構成が、例えば蛍光体の上層或いは下層に蛍光体の機能をより引き出すための薄膜が形成されているような場合でも、本発明の要件から外れるものではないことは明らかである。
【００６４】
（第８の実施例）
本発明の実施の形態による繊維状蛍光体とその製造方法を（図９）及び（図１０）を参照して説明する。
【００６５】
金属からなる線状材料９１０を（第２の実施例）で説明したＣＶＤ装置の線状材料導入口２０８より真空室２０１内に引き入れ、線状材料導出口２１１より外に引き出し、巻き取りロール２１３に巻きつけておく。真空室２０１内は、排気系２０２により所定の圧力以下になるまで真空排気されている。また接地電極板２０６は所定の温度に加熱されている。ガス導入口２０３よりシランと一酸化窒素の混合ガスを真空室２０１内に導入し、所定の圧力になるよう調整する。電源２０７を用いて電源電極板２０５に所定のＲＦ電力を印加してプラズマ放電を発生させると同時に、巻き取りロール２１０及び２１３を同時に回転させ、金属からなる線状材料９１０を一定の速度で進行させると、金属からなる線状材料９１０の表面にＳｉＯ２膜よりなる第１の絶縁性薄膜９１１が連続的に堆積され（図９（ａ））、巻き取りロール２１３に巻き取られていく。ＳｉＯ２膜の膜厚は、線状材料の進行速度、成膜条件などで任意に変えることが可能である。
【００６６】
続いて、（第１の実施例）で説明したスパッタリング装置を用いて、第１の絶縁性薄膜９１１の表面に連続的に無機ＥＬ材料からなる蛍光体薄膜９１２を所定の厚さ堆積する（図９（ｂ））。
【００６７】
次に、金属からなる線状材料９１０を（第５の実施例）で説明した溶液塗布型の薄膜形成装置に取り付ける。溶液槽５０１内には塗布型絶縁材料が貯蔵されており、温度調節器５０２により所定の温度に保持されている。金属からなる線状材料９１０を一定速度で溶液中を移動させた後、熱処理装置５０６中で所定の温度で熱処理を施すことにより、蛍光体薄膜９１２の表面に第２の絶縁性薄膜９１３を連続的に形成する（図９（ｃ））。例えば、塗布型絶縁材料としてアルコール溶媒中のシロキサンを主成分とする溶液を用い、２５０℃から４００℃程度で熱処理を施すことによりＳｉＯ２膜が形成される。
【００６８】
その後、（第１の実施例）で説明したスパッタリング装置を用い、第２の絶縁性薄膜９１３の表面に透明導電性薄膜９１４を連続的に形成した後、透明導電性薄膜９１４の表面に所定の厚さのフォトレジスト９１５を塗布し熱処理を行う。フォトレジストの塗布と熱処理は、（第５の実施例）で示したものと同じ構造の装置を用いて行った。フォトレジスト９１５を所定のマスクを用いて露光後、フォトレジスト９１５の現像と熱処理を行い、所定のパターンのフォトレジスト９１５ａを形成する（図９（ｄ））。フォトレジストの現像及び熱処理も同じく（第５の実施例）で示したものと同じ構造の装置を用いて行った。但しこの場合は、金属からなる線状材料に塗布するのではなく、線状材料の表面に塗布されたレジストの所定の部分を溶かす処理（現像処理）を連続的に行うために用いた。
【００６９】
続いて、透明導電性薄膜９１４のエッチング液を溶液槽に満たした（第５の実施例）で示したものと同じ構造の装置を用い、フォトレジストパターン９１５ａをマスクとして透明導電性薄膜９１４のエッチングを連続的に行い、次いでレジスト剥離液を溶液槽に満たした同様の構造の装置を用いてフォトレジスト９１５ａの除去を行い、所定の形状の透明電極９１４ａを形成する（図９（ｅ））。
【００７０】
繊維状蛍光体は、必要な長さに切断し、端部の金属からなる線状材料９１０の表面を露出させ、外部電源と接続する。一方、繊維状蛍光体の任意の表面に孤立的に形成されている透明電極９１４ａも外部電源と接続し、金属からなる線状材料と表面の透明電極間に所定の電圧を印加することで、繊維状蛍光体表面の透明電極と中心部の金属からなる線状材料に挟まれた領域の蛍光体が発光する。
【００７１】
（図１０）に示した実施例では、繊維状蛍光体１０１０を縦糸に、透明導電性線状材料１０２０及び透明絶縁性線状材料１０３０を横糸に織り込んだ構造を有しており、透明導電性線状材料１０２０は繊維状蛍光体１０１０表面に形成されている透明電極１０１５の一部に必ず接触している。透明導電性線状材料１０２０と絶縁性の線状材料１０３０は交互に配置されているため、透明導電性線状材料同士が接触することはなく、また透明導電性線状材料１０２０及び絶縁性の線状材料１０３０の太さは、透明電極１０１５のピッチと透明電極間の距離を鑑み、透明導電性線状材料１０２０が透明電極１０１５間を短絡しないように、且つ各々の透明電極に必ず一本の透明導電性線状材料１０２０が接触するように決められている。（図１０）中では透明導電性線状材料１０２０と絶縁性の線状材料１０３０はほぼ同じ太さで表現されているが、透明導電性線状材料１０２０間のピッチと透明電極１０１５の長手方向ピッチが一致していること、及び透明導電性線状材料１０２０同士が接触しないことが本構成の目的とするところであるので、透明導電性線状材料１０２０と絶縁性の線状材料１０３０は太さが異なっていても問題ない。
【００７２】
また（図１０）に示した実施例では、繊維状蛍光体表面に形成された透明電極に囲われた部分の蛍光体が全て発光する構造であるたため発光する領域を実質的に広くとることができる上、透明電極と接触する導電性の線状材料や絶縁性の線状材料も透光性を有するため蛍光体からの発光が遮られることもないため、非常に高輝度の発光を得ることができる。また透明電極の形状を任意に形成することで、所望の発光面積、発光輝度を得ることも可能である。
【００７３】
（図１０）に示した実施例では、繊維状蛍光体１０１０中心部の導電性の線状材料１０１１と透明導電性線状材料１０２０とに各々信号を印加して、両配線間の電位差が所定の電圧になっている交差部の透明電極１０１５に囲われた蛍光体のみが発光する仕組みとなっている。それぞれ複数本の繊維状蛍光体１０１０と導電性の線状材料１０１１に対して、各々に印加する電圧を、同期をとりながら時間的に変化させることにより任意の交差部を発光させることができる。例えばある時間Ｔの間に、Ｃ（ｎ）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加するようにスイッチＳｗＣ（ｎ）をオンしておく。ＳＷＣ（ｎ）がオンしている間に、発光させたい交差部に接続する導電性の線状材料に順番に電圧を印加していくようにスイッチＳＷＬを順次オンしていく。（図１０）の例では、導電性の線状材料のＬ（ｍ）番目とＬ（ｍ＋２）番目が発光している。Ｔ時間経過後、今度はＣ（ｎ＋１）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加するようにスイッチＳｗＣ（ｎ＋１）をオンしておく。ＳＷＣ（ｎ＋１）がオンしている間に、発光させたい交差部に接続する導電性の線状材料に順番に電圧を印加していくようにスイッチＳＷＬを順次オンしていくことで、（図１０）の例では、導電性の線状材料のＬ（ｍ＋１）番目とＬ（ｍ＋４）番目が発光する。更にＴ時間経過後、今度はＣ（ｎ＋２）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加するようにスイッチＳｗＣ（ｎ＋２）をオンしておく。ＳＷＣ（ｎ＋２）がオンしている間に、発光させたい交差部に接続する導電性の線状材料に順番に電圧を印加していくようにスイッチＳＷＬを順次オンしていくことで、（図１０）の例では、導電性の線状材料のＬ（ｍ＋２）番目とＬ（ｍ＋３）番目が発光する。この様に、繊維状蛍光体と導電性の線状材料の各々に印加する電圧を同期をとりながら変化させることで、交差部の任意の蛍光体を発光させることができる。ある繊維状蛍光体Ｃｎに電圧を印加した後、次に印加するまでの時間を１／６０秒以下とし、その間に全ての導電性の線状材料のスイッチングを行うとすると、人間の目には蛍光体が常に発光しているように感じられるため、平面状に表示された画像として認識することができる。また導電性の線状材料に印加する電圧を走査ごとに変えることで、動画表示も可能となる。
【００７４】
本実施例では、繊維状蛍光体と導電性の線状材料を縦糸横糸の関係に織物状に組み合わせた形状とし、この様な形状に対して上記方法で電圧を印加することで、自発光型のディスプレイが実現できた。繊維状蛍光体、導電性の線状材料は、共に非常に自由に折り曲げ可能であり、また各々の線状材料は自由に切って使うことが可能であるため、各々を織物状に組み合わせることで、これまでにないフレキシブルで自由な形状の発光型表示装置を実現することができる。また本実施例の構成では、織物状に形成した表面からでも裏面からでも発光表示を見ることができる。更に強度、電気抵抗などを鑑みて各々の線状材料の太さを決めることにより、表示体の面積には殆ど制限を設ける必要がなく、非常に大面積のディスプレイが実現できる。
【００７５】
また本実施例では、蛍光体の構成として必要最小限の構成を例として示したが、本発明の要件は繊維状の線状材料表面に蛍光体が形成されている点にあり、蛍光体の構成が、例えば蛍光体の上層或いは下層に蛍光体の機能をより引き出すための薄膜が形成されているような場合でも、本発明の要件から外れるものではないことは明らかである。
【００７６】
（第９の実施例）
本発明の実施の形態による繊維状スイッチング素子とその製造方法を（図１１）を参照して説明する。
【００７７】
（第２の実施例）で説明したＣＶＤ装置型の薄膜形成装置を用いて、金属からなる線状材料１１１０の表面に、ＳｉＯ２膜よりなるゲート絶縁膜１１１１を連続的に堆積し、続けて同様の装置を用いて微結晶シリコンよりなる半導体薄膜１１１２を連続的に堆積し、更に続けて同様の方法を用いてＳｉＯ２膜とＳｉ３Ｎ４膜の積層よりなるチャネル保護膜１１１３を連続的に堆積する（図１１（ａ））。ＳｉＯ２の成膜にはＴＥＯＳと酸素の混合ガスを、微結晶シリコンの成膜にはシランと水素の混合ガスを、またＳｉ３Ｎ４膜の成膜にはシラン、アンモニア、窒素、及び水素の混合ガスを用いた。
【００７８】
続いて、（第８の実施例）で示したものと同様の装置及び方法を用いて、フォトレジストの塗布、露光、現像などの処理を行い、所定の形状のフォトレジストパターン１１１４を形成する（図１１（ｂ））。
【００７９】
次に（第２の実施例）で示したものと同じ構造の装置に、四弗化炭素と酸素の混合ガスのプラズマを発生させ、該プラズマを用いてフォトレジストパターン１１１４をマスクとしたチャネル保護膜１１１３のエッチングを連続的に行う。本工程では、（第２の実施例）で示した装置をドライエッチング装置として用いた。
【００８０】
前述と同様、（第８の実施例）で示したものと同様の装置及び方法を用いてフォトレジス１１１４の除去を行い、所定の形状のチャネル保護膜１１１３を形成した後、表面のチャネル保護膜１１１３が除去された微結晶半導体領域の表面をホスフィンと水素の混合ガス、或いはジボランと水素の混合ガスのプラズマ中に晒すことで、低抵抗半導体領域１１１２Ｓ、１１１２Ｄを形成する。低抵抗半導体領域１１１２Ｓ及び１１１２Ｄの形成も、（第２の実施例）で示したものと同じ構造の装置にホスフィンと水素、或いはジボランと水素の混合ガスを導入し、発生させたプラズマ中に該線状材料を通過させることで実現した。
【００８１】
前記線状材料の表面に、（第１の実施例）で示したスパッタリング装置を用いて、チタンとアルミニウムの積層膜を堆積し、所定の方法でフォトレジストパターンの形成、金属膜のエッチング、レジスト除去を行い、ソース電極１１１５Ｓ、及びドレイン電極１１１５Ｄを形成する（図１１（ｃ））。その後該線状材料表面にＳｉ３Ｎ４膜を成膜して、前述と同様の方法で所定の形状のパッシベーション膜１１１６を形成して、繊維状スイッチング素子が完成する（図１１（ｄ））。
【００８２】
本実施例での繊維状スイッチング素子は、金属からなる線状材料１１１０をゲート電極とするボトムゲート型（若しくは逆スタガ型）薄膜トランジスタの構成を有していることは自明である。この様に連続的に薄膜トランジスタが形成された繊維状スイッチング素子は、必要な長さに切断して端部の金属からなる線状材料１１１０の表面を露出させ、外部電源と接続する。一方、繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成されているソース電極１１１５Ｓも外部電源と接続し、金属からなる線状材料とソース電極に所定の電圧を印加することで、ドレイン電極１１１５Ｄに任意の電流・電圧を出力することが可能となる。
【００８３】
また本実施例では、スイッチング素子の構成として必要最小限の構成を例として示したが、本発明の要件は繊維状の線状材料表面にスイッチング素子が形成されている点にあり、スイッチング素子の構成が素子の機能をより引き出すための構成となっているような場合でも、本発明の要件から外れるものではないことは明らかである。
【００８４】
（第１０の実施例）
本発明の実施の形態による織物型表示装置を（図１２）を参照して説明する。
【００８５】
本実施例では、（第９の実施例）に示した繊維状スイッチング素子１２１０を縦糸に、（第８の実施例）で示した繊維状蛍光体１２２０と絶縁性の線状材料１２３０、及び導電性の線状材料１２４０を横糸に織り込んだ構造を有している。繊維状スイッチング素子１２１０の芯部は金属の線状材料よりなるゲート配線１２１１Ｇである。また繊維状スイッチング素子１２１０の表面には、ソース電極１２１２Ｓ及びドレイン電極１２１２Ｄが孤立的に形成されており、各々の電極形状の円周方向及びその延長上には、相互に重なり合う部分はない形状となっている。繊維状蛍光体１２２０の芯部は導電性の線状材料１２２２１よりなり、その表面には絶縁膜を介して蛍光体薄膜１２２２が全面に、また蛍光体薄膜１２２２と絶縁膜を介して透明電極１２２３が孤立的に形成されている。繊維状蛍光体１２１０と導電性の線状材料１２４０は、相互に接触しないように絶縁性の線状材料１２３０が交互に織り込まれた構造となっている。各電極部の繊維状スイッチング素子１２１０のソース電極１２１２Ｓと導電性の線状材料１２４０が相互に接触し、また繊維状スイッチング素子１２１０のドレイン電極１２１２Ｄと繊維状蛍光体１２２０の透明電極１２２３が相互に接触した構造となっている。この様な構造では各線状材料の太さや、ソース１２１２Ｓ、ドレイン電極１２１２Ｄ、透明電極１２２３の形状及びピッチにより接触位置が決まるため、それらの値を調節することで、自己整合的に且つ確実に各接触位置での電気的な接続を得ることができる。
【００８６】
（図１２）に示した実施例において、繊維状スイッチング素子を構成する導電性の線状材料１２１１Ｇをゲート配線、ソース電極１２１２Ｓと電気的に接続された導電性の線状材料１２４０をソース配線、また繊維状蛍光体１２２０を構成する導電性の線状材料１２２１をドレイン配線とし、例えばＴＦＴ−ＬＣＤのようなアクティブマトリックス型の表示装置と同様の駆動を外部より行うことにより、ドレイン電極１２１２Ｄと接触する透明電極１２２３を介して蛍光体薄膜１２２２に所望の電流電圧を印加することができる。その結果、自発光型のディスプレイが実現できた。更に、繊維状蛍光体に用いる蛍光体薄膜を１本置きに赤、青、緑の３原色の発光を示す蛍光体薄膜とすることにより、多色表示の表示装置が実現できた。
【００８７】
本実施例では、繊維状スイッチング素子、繊維状蛍光体、導電性の線状材料、及び絶縁性の線状材料を縦糸横糸の関係に織物状に組み合わせた形状とし、この様な形状に対して上記方法で駆動を行うことで、自発光型のアクティブマトリックス型表示装置が実現できた。繊維状スイッチング素子、繊維状蛍光体、導電性の線状材料、及び絶縁性の線状材料は、何れも自由に折り曲げ可能であり、また各々の線状材料は自由に切って使うことが可能であるため、各々を織物状に組み合わせることで、これまでにないフレキシブルで自由な形状の発光型表示装置を実現することができる。また強度、電気抵抗などを鑑みて各々の線状材料の太さを決めることにより、表示体の面積には殆ど制限を設ける必要がなく、非常に大面積のディスプレイが実現できる。
【００８８】
【発明の効果】
本発明の透光性導電性線状材料と透光性導電性線状材料の製造方法、及び繊維状蛍光体と繊維状蛍光体の製造方法、及び繊維状スイッチング素子と繊維状スイッチング素子の製造方法、及び薄膜形成装置、及び織物型表示装置によれば、従来にない非常にフレキシブルで且つ大面積の表示装置を安価に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による薄膜形成装置の概念を示す断面構造図
【図２】本発明の第２の実施例による薄膜形成装置の概念を示す断面構造図
【図３】本発明の第３の実施例による薄膜形成装置の概念を示す断面構造図
【図４】本発明の第４の実施例による薄膜形成装置の概念を示す断面構造図
【図５】本発明の第５の実施例による薄膜形成装置の概念を示す断面構造図
【図６】本発明の第６の実施例による透光性導電性線状材料の構造とその製造方法を示す構造図
【図７】本発明の第７の実施例による繊維状蛍光体の構造とその製造方法を示す構造図
【図８】本発明の第７の実施例による繊維状蛍光体の発光方法及び発光状態を示す構造図
【図９】本発明の第８の実施例による繊維状蛍光体の構造とその製造方法を示す構造図
【図１０】本発明の第８の実施例による繊維状蛍光体の発光方法及び発光状態を示す構造図
【図１１】本発明の第９の実施例による繊維状スイッチング素子の構造とその製造方法を示す構造図
【図１２】本発明の第１０の実施例による織物型表示装置の形態を示す構造図
【符号の説明】
１０１ 真空室
１０２ 排気系
１０３ ガス導入系
１０４ ターゲット
１０５ 印加電極
１０６ 電源
１０７ アースシールド
１０８ 線状材料導入口
１０９ ローラ
１１０ 巻き取りロール
１１１ 線状材料導出口
１１２ ローラ
１１３ 巻き取りロール
１２１０ 繊維状スイッチング素子
１２２０ 繊維状蛍光体
１２３０ 絶縁性の線状材料
１２４０ 導電性の線状材料

Claims (9)

1. 線状材料の表面に一定の間隔でスイッチング素子が形成されている複数の繊維状スイッチング素子と少なくともその表面には絶縁性を有する複数の第１の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に配置された繊維状スイッチング素子及び第１の絶縁性の線状材料と交差するように、導電性の線状材料の表面に少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜、及び線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤立的に配置された透光性導電性薄膜が順次形成された複数の繊維状蛍光体と表面に導電性を有する複数の導電性の線状材料、及び前記繊維状蛍光体と前記導電性の線状材料との間隙に少なくともその表面には絶縁性を有する複数の第２の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、且つ前記繊維状スイッチング素子及び第１の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体、導電性の線状材料及び第２の絶縁性の線状材料とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られた構造を有しており、前記繊維状スイッチング素子と前記繊維状蛍光体の交差部では繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成されている一方の電極と繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透光性導電性薄膜が電気的に接触しており、且つ繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成されている他方の電極と導電性の線状材料が電気的に接触していることを特徴とする織物型表示装置。
2. 織物型表示装置を構成する導電性の線状材料が透光性を有することを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。
3. 織物型表示装置を構成する絶縁性の線状材料が透光性を有するガラス繊維若しくはプラスチック繊維であることを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。
4. 織物型表示装置を構成する絶縁性の線状材料が金属からなる線状材料の表面を透光性の絶縁性材料で覆った構造を有し、前記絶縁性の線状材料の長手軸方向と垂直の断面における断面積に占める金属材料の断面積が５０％以下であることを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。
5. 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体を形成する導電性の線状材料が透光性を有することを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。
6. 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体を形成する蛍光体薄膜が有機物を主成分とするエレクトロルミネセンス材料であることを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。
7. 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体を形成する蛍光体薄膜が無機物を主成分とするエレクトロルミネセンス材料であることを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。
8. 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体を形成する導電性の線状材料が金属材料、若しくはガラス繊維或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成された線状材料よりなることを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。
9. 織物型表示装置を構成する繊維状スイッチング素子を形成する線状材料が導電性の線状材料であり、前記導電性の線状材料が金属材料、若しくはガラス繊維或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成された線状材料よりなることを特徴とする請求項１記載の織物型表示装置。

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