JP2002258775A - 透光性導電性線状材料、繊維状蛍光体及び織物型表示装置 - Google Patents
透光性導電性線状材料、繊維状蛍光体及び織物型表示装置Info
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 366
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 143
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 title description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 182
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 239000004753 textile Substances 0.000 claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 22
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 22
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 6
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 7
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100022210 COX assembly mitochondrial protein 2 homolog Human genes 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000900446 Homo sapiens COX assembly mitochondrial protein 2 homolog Proteins 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 1
- 101001062854 Rattus norvegicus Fatty acid-binding protein 5 Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積で、且つ任意の自由な形状に形成でき
る表示装置がこれまで実現できなかった。 【解決手段】 繊維状の発光体と、この繊維状の発光体
における任意の位置に発光のための信号を印加するスイ
ッチング素子とを相互に織物状にして形成することで、
フレキシブルで任意の形状に加工、適応できる表示装置
を実現した。
る表示装置がこれまで実現できなかった。 【解決手段】 繊維状の発光体と、この繊維状の発光体
における任意の位置に発光のための信号を印加するスイ
ッチング素子とを相互に織物状にして形成することで、
フレキシブルで任意の形状に加工、適応できる表示装置
を実現した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は織物型表示装置と織
物型表示装置を実現するために必要な透光性導電性線状
材料、繊維状蛍光体、繊維状スイッチング素子と各々の
製造方法、及び薄膜形成装置に関するものである。
物型表示装置を実現するために必要な透光性導電性線状
材料、繊維状蛍光体、繊維状スイッチング素子と各々の
製造方法、及び薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】本発明の第１の要件は、透光性導電性線状
材料とその製造方法であり、透光性と導電性を併せ持つ
ことを特徴としており、この様な線状材料を用いること
で新たな応用分野、商品展開が可能となる。
材料とその製造方法であり、透光性と導電性を併せ持つ
ことを特徴としており、この様な線状材料を用いること
で新たな応用分野、商品展開が可能となる。
【０００３】本発明の第２の要件は、繊維状蛍光体とそ
の製造方法であり、フレキシブルでどの様な形状にも適
応でき、且つ任意の箇所を発光させることができること
を特徴とし、これまで発光体を形成することが困難であ
った箇所にも発光表示をすることが可能となる。
の製造方法であり、フレキシブルでどの様な形状にも適
応でき、且つ任意の箇所を発光させることができること
を特徴とし、これまで発光体を形成することが困難であ
った箇所にも発光表示をすることが可能となる。
【０００４】本発明の第３の要件は繊維状スイッチング
素子とその製造方法であり、繊維状の線状材料の表面に
形成された電極に所定の信号を印加することで、他方の
電極のスイッチングが可能であり、フレキシブルでどの
様な形状にも適用できるという特徴を有する。
素子とその製造方法であり、繊維状の線状材料の表面に
形成された電極に所定の信号を印加することで、他方の
電極のスイッチングが可能であり、フレキシブルでどの
様な形状にも適用できるという特徴を有する。
【０００５】本発明の第４の要件は、薄膜形成装置であ
り、特に繊維状の線状材料の表面に絶縁性薄膜や蛍光体
薄膜、半導体薄膜、金属薄膜などを均一性良く、且つ連
続的に形成することが可能である。
り、特に繊維状の線状材料の表面に絶縁性薄膜や蛍光体
薄膜、半導体薄膜、金属薄膜などを均一性良く、且つ連
続的に形成することが可能である。
【０００６】本発明の第５の要件は、織物型表示装置に
関するものであり、フレキシブルでどのような形状にも
形成することが可能であり、且つ数メートルから数十メ
ートル規模の自発光型表示装置を実現することができ
る。
関するものであり、フレキシブルでどのような形状にも
形成することが可能であり、且つ数メートルから数十メ
ートル規模の自発光型表示装置を実現することができ
る。
【０００７】
【従来の技術】大面積の画像表示を実現する方法として
は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やＣＲＴ、プラズマデ
ィスプレイ（ＰＤＰ）等の発光型表示装置を複数平面状
に配置したり、投写型のディスプレイ装置を用いてスク
リーンや壁面に画像を投射すると入った方法が用いられ
ている。
は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やＣＲＴ、プラズマデ
ィスプレイ（ＰＤＰ）等の発光型表示装置を複数平面状
に配置したり、投写型のディスプレイ装置を用いてスク
リーンや壁面に画像を投射すると入った方法が用いられ
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】これまでの発光型表示
装置を複数平面状に配置した大面積表示装置は、個々の
表示装置をタイル状に並べるため、複雑な形状を有する
面に形成することは困難である。また、個々の表示装置
の形状の制約も受けるため、任意の形に形成することが
できないという課題がある。
装置を複数平面状に配置した大面積表示装置は、個々の
表示装置をタイル状に並べるため、複雑な形状を有する
面に形成することは困難である。また、個々の表示装置
の形状の制約も受けるため、任意の形に形成することが
できないという課題がある。
【０００９】また、投写型のディスプレイでは、表示面
の形状の制約はさほど受けないものの、発光部と表示部
を離す必要があるため、間に障害物等があった場合には
画像が表示されないという問題がある。またこの種の表
示装置では、表示部分の面積が広くなる程投射部の光源
を強力なものにする必要があり、投射装置が重厚なもの
になってしまうという問題もある。
の形状の制約はさほど受けないものの、発光部と表示部
を離す必要があるため、間に障害物等があった場合には
画像が表示されないという問題がある。またこの種の表
示装置では、表示部分の面積が広くなる程投射部の光源
を強力なものにする必要があり、投射装置が重厚なもの
になってしまうという問題もある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の様な課題に対し
て、繊維状の発光体と、この繊維状の発光体における任
意の位置に発光のための信号を印加するスイッチング素
子とを相互に織物状にして形成することで、フレキシブ
ルで任意の形状に加工、適応できる表示装置を実現し
た。以下にそのための具体的な手段を示す。
て、繊維状の発光体と、この繊維状の発光体における任
意の位置に発光のための信号を印加するスイッチング素
子とを相互に織物状にして形成することで、フレキシブ
ルで任意の形状に加工、適応できる表示装置を実現し
た。以下にそのための具体的な手段を示す。
【００１１】請求項１、２、及び３記載の透光性導電性
の線状材料は、透光性と導電性を併せ持つことを特徴と
する。この様な特徴を有することで、例えば表示装置の
信号用配線として用いた場合でも発光体からの光を遮る
ことがなく、明るい表示装置を実現することが可能とな
った。
の線状材料は、透光性と導電性を併せ持つことを特徴と
する。この様な特徴を有することで、例えば表示装置の
信号用配線として用いた場合でも発光体からの光を遮る
ことがなく、明るい表示装置を実現することが可能とな
った。
【００１２】請求項４から８記載の繊維状蛍光体は、導
電性の線状材料の表面に蛍光体が形成されていることを
特徴とする。繊維状蛍光体の任意の箇所に電界を加える
ことで、電界を加えた領域の蛍光体を発光させることが
できる。繊維状蛍光体は任意の形状に折り曲げることが
できるため、任意形状の発光表示体を実現することが可
能となった。
電性の線状材料の表面に蛍光体が形成されていることを
特徴とする。繊維状蛍光体の任意の箇所に電界を加える
ことで、電界を加えた領域の蛍光体を発光させることが
できる。繊維状蛍光体は任意の形状に折り曲げることが
できるため、任意形状の発光表示体を実現することが可
能となった。
【００１３】請求項９、１０、１１、１２、及び１３記
載の繊維状蛍光体は、導電性の線状材料の表面に蛍光体
が形成されており、蛍光体の外側には透光性の導電性薄
膜が孤立的に配置されていることを特徴とする。孤立的
に配置された透光性の導電性薄膜に任意に電界を加える
ことで、電界を加えられた導電性薄膜の下部領域の蛍光
体を発光させることができる。導電性薄膜の形状や面積
を任意に形成することで、蛍光体の発光する面積や領域
を任意に変えることができる。また繊維状蛍光体は任意
の形状に折り曲げることができるため、任意形状の発光
表示体を実現することが可能となった。
載の繊維状蛍光体は、導電性の線状材料の表面に蛍光体
が形成されており、蛍光体の外側には透光性の導電性薄
膜が孤立的に配置されていることを特徴とする。孤立的
に配置された透光性の導電性薄膜に任意に電界を加える
ことで、電界を加えられた導電性薄膜の下部領域の蛍光
体を発光させることができる。導電性薄膜の形状や面積
を任意に形成することで、蛍光体の発光する面積や領域
を任意に変えることができる。また繊維状蛍光体は任意
の形状に折り曲げることができるため、任意形状の発光
表示体を実現することが可能となった。
【００１４】請求項１４記載の繊維状スイッチング素子
は、導電性の線状材料の表面に薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと略す）が形成されていることを特徴とす
る。この様な形状を有することで、繊維状の蛍光体や任
意の形状の素子に対しても制御性良く所望の信号を印加
する事が可能となった。
は、導電性の線状材料の表面に薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと略す）が形成されていることを特徴とす
る。この様な形状を有することで、繊維状の蛍光体や任
意の形状の素子に対しても制御性良く所望の信号を印加
する事が可能となった。
【００１５】請求項１５、１６、１７、及び１８記載の
薄膜形成装置は、線状材料を一定の速度で進行させる機
構と、この線状材料の表面に薄膜を堆積する手段を備え
た薄膜形成装置である。本装置を用いることで、線状材
料の表面に均一性良く、半導体プロセスで用いるような
良質の薄膜を連続的に形成することが可能となった。薄
膜形成の原理としては、一般的に用いられているスパッ
タリング法、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ
法）や、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相
成長法（ＣＶＤ法）を用いることが可能である。
薄膜形成装置は、線状材料を一定の速度で進行させる機
構と、この線状材料の表面に薄膜を堆積する手段を備え
た薄膜形成装置である。本装置を用いることで、線状材
料の表面に均一性良く、半導体プロセスで用いるような
良質の薄膜を連続的に形成することが可能となった。薄
膜形成の原理としては、一般的に用いられているスパッ
タリング法、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ
法）や、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相
成長法（ＣＶＤ法）を用いることが可能である。
【００１６】請求項１９記載の薄膜形成装置は、溶液中
を一定速度で線状材料を通過させることで線状材料表面
に溶液を塗布し、塗布された溶液を乾燥若しくは一定の
熱処理を施す機構を有する薄膜形成装置である。本装置
を用いることで、溶液を原料とするような薄膜材料でも
線状材料の表面に均一性良く良質な薄膜を形成すること
が可能である。
を一定速度で線状材料を通過させることで線状材料表面
に溶液を塗布し、塗布された溶液を乾燥若しくは一定の
熱処理を施す機構を有する薄膜形成装置である。本装置
を用いることで、溶液を原料とするような薄膜材料でも
線状材料の表面に均一性良く良質な薄膜を形成すること
が可能である。
【００１７】請求項２０記載の織物型表示装置は、表面
に導電性を有する複数の導電性の線状材料と少なくとも
その表面には絶縁性を有する複数の絶縁性の線状材料が
平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に配
置された導電性の線状材料及び絶縁性の線状材料と交差
する位置に、導電性の線状材料の表面に少なくとも第１
の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜が順次形
成された複数の繊維状蛍光体が配置されており、且つ前
記導電性の線状材料及び絶縁性の線状材料と、繊維状蛍
光体とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られた構造
を有している。この様な形態を有することで、導電性の
線状材料と繊維状蛍光体とが交差した位置において、両
線状材料間に所定の電位差が生じている状態の時に、両
線状材料間に挟まれた領域の蛍光体薄膜が発光する。こ
の様な織物型の形態を有することでフレキシブルで自由
な形状に適応できる数メートルから数十メートル規模の
大面積の表示装置を実現することができる。
に導電性を有する複数の導電性の線状材料と少なくとも
その表面には絶縁性を有する複数の絶縁性の線状材料が
平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に配
置された導電性の線状材料及び絶縁性の線状材料と交差
する位置に、導電性の線状材料の表面に少なくとも第１
の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜が順次形
成された複数の繊維状蛍光体が配置されており、且つ前
記導電性の線状材料及び絶縁性の線状材料と、繊維状蛍
光体とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られた構造
を有している。この様な形態を有することで、導電性の
線状材料と繊維状蛍光体とが交差した位置において、両
線状材料間に所定の電位差が生じている状態の時に、両
線状材料間に挟まれた領域の蛍光体薄膜が発光する。こ
の様な織物型の形態を有することでフレキシブルで自由
な形状に適応できる数メートルから数十メートル規模の
大面積の表示装置を実現することができる。
【００１８】請求項２１記載の織物型表示装置は、表面
に導電性を有する複数の導電性の線状材料と少なくとも
その表面には絶縁性を有する複数の第１の絶縁性の線状
材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並
行に配置された導電性の線状材料及び第１の絶縁性の線
状材料と交差するように、導電性の線状材料の表面に少
なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性
薄膜、及び線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤立的
に配置された透光性導電性薄膜が順次形成された複数の
繊維状蛍光体と少なくともその表面には絶縁性を有する
複数の第２の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互
に配置されており、且つ前記導電性の線状材料及び第１
の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体及び第２の絶縁性
の線状材料とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られ
た構造を有しており、前記導電性の線状材料と前記繊維
状蛍光体の交差部では導電性の線状材料と繊維状蛍光体
表面に孤立的に形成された透光性導電性薄膜が電気的に
接触していることを特徴とする。この様な形態を有する
ことで、繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透光性
導電性薄膜と導電性の線状材料とが交差した位置におい
て両線状材料間に所定の電位差が生じている状態の時
に、孤立的に形成された透光性導電性薄膜の下部領域の
蛍光体薄膜が発光するフレキシブルで自由な形状に適応
できる数メートルから数十メートル規模の表示装置を実
現することができる。
に導電性を有する複数の導電性の線状材料と少なくとも
その表面には絶縁性を有する複数の第１の絶縁性の線状
材料が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並
行に配置された導電性の線状材料及び第１の絶縁性の線
状材料と交差するように、導電性の線状材料の表面に少
なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性
薄膜、及び線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤立的
に配置された透光性導電性薄膜が順次形成された複数の
繊維状蛍光体と少なくともその表面には絶縁性を有する
複数の第２の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互
に配置されており、且つ前記導電性の線状材料及び第１
の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体及び第２の絶縁性
の線状材料とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られ
た構造を有しており、前記導電性の線状材料と前記繊維
状蛍光体の交差部では導電性の線状材料と繊維状蛍光体
表面に孤立的に形成された透光性導電性薄膜が電気的に
接触していることを特徴とする。この様な形態を有する
ことで、繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透光性
導電性薄膜と導電性の線状材料とが交差した位置におい
て両線状材料間に所定の電位差が生じている状態の時
に、孤立的に形成された透光性導電性薄膜の下部領域の
蛍光体薄膜が発光するフレキシブルで自由な形状に適応
できる数メートルから数十メートル規模の表示装置を実
現することができる。
【００１９】請求項２２記載の織物型表示装置は、線状
材料の表面に一定の間隔でスイッチング素子が形成され
ている複数の繊維状スイッチング素子と少なくともその
表面には絶縁性を有する複数の第１の絶縁性の線状材料
が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に
配置された繊維状スイッチング素子及び第１の絶縁性の
線状材料と交差するように、導電性の線状材料の表面に
少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁
性薄膜、及び線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤立
的に配置された透光性導電性薄膜が順次形成された複数
の繊維状蛍光体と表面に導電性を有する複数の導電性の
線状材料、及び前記繊維状蛍光体と前記導電性の線状材
料との間隙に少なくともその表面には絶縁性を有する複
数の第２の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に
配置されており、且つ前記繊維状スイッチング素子及び
第１の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体、導電性の線
状材料及び第２の絶縁性の線状材料とが１本ずつ相互に
交差して平面状に織られた構造を有しており、前記繊維
状スイッチング素子と前記繊維状蛍光体の交差部では繊
維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成されている
一方の電極と繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透
光性導電性薄膜が電気的に接触しており、且つ繊維状ス
イッチング素子の表面に孤立的に形成されている他方の
電極と導電性の線状材料が電気的に接触していることを
特徴とする。この様な形態を有することで、スイッチン
グ素子である薄膜トランジスタにより精度よく制御され
た電圧が繊維状蛍光体に印加されることで、表示品位に
優れ、且つフレキシブルで自由な形状に適応できる数メ
ートルから数十メートル規模の表示装置を実現すること
ができる。
材料の表面に一定の間隔でスイッチング素子が形成され
ている複数の繊維状スイッチング素子と少なくともその
表面には絶縁性を有する複数の第１の絶縁性の線状材料
が平面状に並行且つ交互に配置されており、前記並行に
配置された繊維状スイッチング素子及び第１の絶縁性の
線状材料と交差するように、導電性の線状材料の表面に
少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁
性薄膜、及び線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤立
的に配置された透光性導電性薄膜が順次形成された複数
の繊維状蛍光体と表面に導電性を有する複数の導電性の
線状材料、及び前記繊維状蛍光体と前記導電性の線状材
料との間隙に少なくともその表面には絶縁性を有する複
数の第２の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に
配置されており、且つ前記繊維状スイッチング素子及び
第１の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍光体、導電性の線
状材料及び第２の絶縁性の線状材料とが１本ずつ相互に
交差して平面状に織られた構造を有しており、前記繊維
状スイッチング素子と前記繊維状蛍光体の交差部では繊
維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成されている
一方の電極と繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透
光性導電性薄膜が電気的に接触しており、且つ繊維状ス
イッチング素子の表面に孤立的に形成されている他方の
電極と導電性の線状材料が電気的に接触していることを
特徴とする。この様な形態を有することで、スイッチン
グ素子である薄膜トランジスタにより精度よく制御され
た電圧が繊維状蛍光体に印加されることで、表示品位に
優れ、且つフレキシブルで自由な形状に適応できる数メ
ートルから数十メートル規模の表示装置を実現すること
ができる。
【００２０】請求項２３、２４、２５、２６、２７、及
び２８記載の織物型表示装置は、前述の請求項２０、２
１、及び２２記載の織物型表示装置において、明るさや
コントラスト、解像度等の表示品位をより優れたものと
することが可能となる。
び２８記載の織物型表示装置は、前述の請求項２０、２
１、及び２２記載の織物型表示装置において、明るさや
コントラスト、解像度等の表示品位をより優れたものと
することが可能となる。
【００２１】請求項２９及び３０記載の織物型表示装置
は、織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体に用いられ
る蛍光体薄膜がエレクトロルミネセンス（以降ＥＬと略
す）材料であることを特徴とする。この様なＥＬ材料を
用いることで、単色、或いはマルチカラー、或いはフル
カラーといった任意の色表示を再現性良く実現すること
が可能となった。
は、織物型表示装置を構成する繊維状蛍光体に用いられ
る蛍光体薄膜がエレクトロルミネセンス（以降ＥＬと略
す）材料であることを特徴とする。この様なＥＬ材料を
用いることで、単色、或いはマルチカラー、或いはフル
カラーといった任意の色表示を再現性良く実現すること
が可能となった。
【００２２】請求項３１記載の織物型表示装置は、織物
型表示装置を構成する繊維状蛍光体を形成する導電性の
線状材料が金属からなる線状材料、若しくはガラス繊維
或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成された線
状材料よりなることを特徴とする。この様な形態を有す
ることで、蛍光体薄膜から発せられる光が下部の金属か
らなる線状材料、或いは金属薄膜により効果的に反射さ
れるため、より明るい表示装置が実現できる。
型表示装置を構成する繊維状蛍光体を形成する導電性の
線状材料が金属からなる線状材料、若しくはガラス繊維
或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成された線
状材料よりなることを特徴とする。この様な形態を有す
ることで、蛍光体薄膜から発せられる光が下部の金属か
らなる線状材料、或いは金属薄膜により効果的に反射さ
れるため、より明るい表示装置が実現できる。
【００２３】請求項３２記載の織物型表示装置は、織物
型表示装置を構成する繊維状スイッチング素子を形成す
る線状材料が導電性の線状材料であり、前記導電性の線
状材料が金属材料、若しくはガラス繊維或いはプラスチ
ック繊維の表面に金属膜が形成された線状材料よりなる
ことを特徴とする。この様な形態を有することで、繊維
状蛍光体から発せられる光が下部の金属からなる線状材
料、或いは金属薄膜により効果的に反射されるため、よ
り明るい表示装置が実現できる。
型表示装置を構成する繊維状スイッチング素子を形成す
る線状材料が導電性の線状材料であり、前記導電性の線
状材料が金属材料、若しくはガラス繊維或いはプラスチ
ック繊維の表面に金属膜が形成された線状材料よりなる
ことを特徴とする。この様な形態を有することで、繊維
状蛍光体から発せられる光が下部の金属からなる線状材
料、或いは金属薄膜により効果的に反射されるため、よ
り明るい表示装置が実現できる。
【００２４】請求項３３記載の透光性導電性の線状材料
の製造方法は、ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よ
りなる線状材料を一定の速度で移動させながら、線状材
料の表面に透明導電性薄膜を連続的に堆積することを特
徴とする。この様な製造方法を用いることで、透光性と
導電性を併せ持ち、例えば表示装置に用いた場合でも発
光体からの光を遮ることのない、非常に長いフレキシブ
ルな信号用配線を再現性良く安定に製造することが可能
となった。
の製造方法は、ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よ
りなる線状材料を一定の速度で移動させながら、線状材
料の表面に透明導電性薄膜を連続的に堆積することを特
徴とする。この様な製造方法を用いることで、透光性と
導電性を併せ持ち、例えば表示装置に用いた場合でも発
光体からの光を遮ることのない、非常に長いフレキシブ
ルな信号用配線を再現性良く安定に製造することが可能
となった。
【００２５】請求項３４記載の繊維状蛍光体の製造方法
は、金属からなる線状材料を一定の速度で移動させなが
ら、金属からなる線状材料の表面に第１の絶縁性薄膜、
蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜を連続的に堆積すること
を特徴とする。この様な製造方法を用いることで、非常
に長いフレキシブルな繊維状蛍光体を連続的に再現性良
く製造することが可能となった。
は、金属からなる線状材料を一定の速度で移動させなが
ら、金属からなる線状材料の表面に第１の絶縁性薄膜、
蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜を連続的に堆積すること
を特徴とする。この様な製造方法を用いることで、非常
に長いフレキシブルな繊維状蛍光体を連続的に再現性良
く製造することが可能となった。
【００２６】請求項３５記載の繊維状蛍光体の製造方法
は、ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よりなる線状
材料を一定の速度で移動させながら、前記ガラス繊維若
しくはプラスチック繊維よりなる線状材料の表面に金属
薄膜若しくは透明導電性薄膜を堆積後、続けて第１の絶
縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜を連続的に堆
積することを特徴とする。この様な製造方法を用いるこ
とで、非常に長いフレキシブルな繊維状蛍光体を連続的
に再現性良く製造することが可能となった。
は、ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よりなる線状
材料を一定の速度で移動させながら、前記ガラス繊維若
しくはプラスチック繊維よりなる線状材料の表面に金属
薄膜若しくは透明導電性薄膜を堆積後、続けて第１の絶
縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２の絶縁性薄膜を連続的に堆
積することを特徴とする。この様な製造方法を用いるこ
とで、非常に長いフレキシブルな繊維状蛍光体を連続的
に再現性良く製造することが可能となった。
【００２７】請求項３６記載の繊維状スイッチング素子
の製造方法は、導電性の線状材料を一定の速度で移動さ
せながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記ゲ
ート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜の
パターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域に
順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する
行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続的
に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に順
次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後導
電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ドレ
イン電極を形成する行程を少なくとも経て、前記導電性
の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜トランジスタを連
続的に形成したことを特徴とする。この様な製造方法を
用いることで、非常に長いフレキシブルな繊維状スイッ
チング素子を再現性良く製造することが可能となった。
の製造方法は、導電性の線状材料を一定の速度で移動さ
せながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記ゲ
ート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜の
パターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域に
順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する
行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続的
に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に順
次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後導
電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ドレ
イン電極を形成する行程を少なくとも経て、前記導電性
の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜トランジスタを連
続的に形成したことを特徴とする。この様な製造方法を
用いることで、非常に長いフレキシブルな繊維状スイッ
チング素子を再現性良く製造することが可能となった。
【００２８】請求項３７記載の繊維状スイッチング素子
の製造方法は、導電性の線状材料を一定の速度で移動さ
せながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記ゲ
ート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜の
パターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域に
順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する
行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続的
に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に順
次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後導
電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ドレ
イン電極を形成する行程と、導電性の線状材料の表面に
絶縁性の保護膜を連続的に堆積した後ソース・ドレイン
電極上に順次開口部を形成する行程とを少なくとも経
て、前記導電性の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜ト
ランジスタを連続的に形成したことを特徴とする。この
様な製造方法を用いることで、非常に長いフレキシブル
な繊維状スイッチング素子を再現性良く製造することが
可能となった。
の製造方法は、導電性の線状材料を一定の速度で移動さ
せながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記ゲ
ート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜の
パターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域に
順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する
行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続的
に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に順
次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後導
電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ドレ
イン電極を形成する行程と、導電性の線状材料の表面に
絶縁性の保護膜を連続的に堆積した後ソース・ドレイン
電極上に順次開口部を形成する行程とを少なくとも経
て、前記導電性の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜ト
ランジスタを連続的に形成したことを特徴とする。この
様な製造方法を用いることで、非常に長いフレキシブル
な繊維状スイッチング素子を再現性良く製造することが
可能となった。
【００２９】
【発明の実施の形態】（第1の実施例）本発明の実施の
形態による薄膜形成装置を、（図１）を参照して説明す
る。
形態による薄膜形成装置を、（図１）を参照して説明す
る。
【００３０】排気系１０２、及びガス導入口１０３を備
えた真空室１０１中に被スパッタリング材となる円筒型
ターゲット１０４が備えられている。円筒型ターゲット
１０４は、印加電極１０５にボンディングされており、
電源１０６より高周波電圧若しくはＤＣ電圧を印加する
事ができる。図示はしていないが、印加電極１０５に
は、成膜中の熱による損傷を防ぐための冷却機構を具備
している。ターゲット１０４の周囲を囲むように円筒型
のアースシールド１０７が配置されている。真空室１０
１の側部には、真空室外部より内部の真空を保持したま
ま線状材料１０を真空室内に導入するための線状材料導
入口１０８、及び、線状材料１０を内部の真空を保持し
たまま導出するための線状材料導出口１１１が設けられ
ている。線状材料導入口１０８及び線状材料導出口１１
１は、線状材料１０がターゲット１０４の内部を通るよ
うに配置されている。線状材料導入口１０８の外側に
は、軌道位置補正用のローラ１０９を介して真空室内に
導入する線状材料１０を巻いておく巻き取りロール１１
０が配置されている。また線状材料導出口１１０の外側
には、軌道位置補正用のローラ１１２を介して真空室内
より導出された線状材料１０を巻き取る巻き取りロール
１１３が配置されている。巻き取りロール１１０と巻き
取りロール１１３は同期しており、真空室内を線状材料
１０が一定速度で移動するよう調整されている。
えた真空室１０１中に被スパッタリング材となる円筒型
ターゲット１０４が備えられている。円筒型ターゲット
１０４は、印加電極１０５にボンディングされており、
電源１０６より高周波電圧若しくはＤＣ電圧を印加する
事ができる。図示はしていないが、印加電極１０５に
は、成膜中の熱による損傷を防ぐための冷却機構を具備
している。ターゲット１０４の周囲を囲むように円筒型
のアースシールド１０７が配置されている。真空室１０
１の側部には、真空室外部より内部の真空を保持したま
ま線状材料１０を真空室内に導入するための線状材料導
入口１０８、及び、線状材料１０を内部の真空を保持し
たまま導出するための線状材料導出口１１１が設けられ
ている。線状材料導入口１０８及び線状材料導出口１１
１は、線状材料１０がターゲット１０４の内部を通るよ
うに配置されている。線状材料導入口１０８の外側に
は、軌道位置補正用のローラ１０９を介して真空室内に
導入する線状材料１０を巻いておく巻き取りロール１１
０が配置されている。また線状材料導出口１１０の外側
には、軌道位置補正用のローラ１１２を介して真空室内
より導出された線状材料１０を巻き取る巻き取りロール
１１３が配置されている。巻き取りロール１１０と巻き
取りロール１１３は同期しており、真空室内を線状材料
１０が一定速度で移動するよう調整されている。
【００３１】本装置において、真空室内に所定の圧力に
調整された所定のガスを導入し、ターゲットに所定の電
圧を印加することでターゲット材料をスパッタリングす
ることにより、ターゲット内部を一定速度で移動する線
状材料の表面にターゲット材料、若しくはターゲット材
料と導入ガスとの化合物である金属膜、半導体膜、絶縁
膜等の薄膜を連続的に堆積することができる。
調整された所定のガスを導入し、ターゲットに所定の電
圧を印加することでターゲット材料をスパッタリングす
ることにより、ターゲット内部を一定速度で移動する線
状材料の表面にターゲット材料、若しくはターゲット材
料と導入ガスとの化合物である金属膜、半導体膜、絶縁
膜等の薄膜を連続的に堆積することができる。
【００３２】スパッタリングターゲットの形状は必ずし
も円筒形である必要はなく、(図１（ｂ）)に示した如く
多角形の形状であってもよい。またターゲット全体を一
体で構成する必要もなく、複数の平板上のターゲットが
線状材料の周囲を囲むように配置された構造であっても
よい。
も円筒形である必要はなく、(図１（ｂ）)に示した如く
多角形の形状であってもよい。またターゲット全体を一
体で構成する必要もなく、複数の平板上のターゲットが
線状材料の周囲を囲むように配置された構造であっても
よい。
【００３３】（第２の実施例）本発明の実施の形態によ
る薄膜形成装置を、（図２）を参照して説明する。
る薄膜形成装置を、（図２）を参照して説明する。
【００３４】排気系２０２、及びガス導入口２０３を備
えた真空室２０１中に、均一にガスを導入するシャワー
プレート２０４を備えた印加電極２０５が備えられてい
る。印加電極２０５と対向する位置には接地電極２０６
が備えられており、接地された真空室２０１と電気的に
接続されている。印加電極２０５には、電源２０７によ
り高周波電圧が印加される。また接地電極２０６はヒー
タを内蔵している。真空室２０１の側部には、真空室外
部より内部の真空を保持したまま線状材料を真空室２０
１内に導入するための線状材料導入口２０８、及び線状
材料２１０を内部の真空を保持したまま導出するための
線状材料導出口２１１が設けられている。線状材料導入
口２０８及び線状材料導出口２１１は、線状材料が印加
電極２０５と接地電極２０６の間を通るように配置され
ている。線状材料導入口２０８の外側には、軌道位置補
正用のローラ２０９を介して真空室２０１内に導入する
線状材料を巻いておく巻き取りロール２１０が配置され
ている。また線状材料導入口２１１の外側には、軌道位
置補正用のローラ２１２を介して真空室内より導出され
た線状材料を巻き取る巻き取りロール２１３が配置され
ている。巻き取りロール２０９と巻き取りロール２１３
は同期しており、真空室内を線状材料が一定速度で移動
するよう調整されている。
えた真空室２０１中に、均一にガスを導入するシャワー
プレート２０４を備えた印加電極２０５が備えられてい
る。印加電極２０５と対向する位置には接地電極２０６
が備えられており、接地された真空室２０１と電気的に
接続されている。印加電極２０５には、電源２０７によ
り高周波電圧が印加される。また接地電極２０６はヒー
タを内蔵している。真空室２０１の側部には、真空室外
部より内部の真空を保持したまま線状材料を真空室２０
１内に導入するための線状材料導入口２０８、及び線状
材料２１０を内部の真空を保持したまま導出するための
線状材料導出口２１１が設けられている。線状材料導入
口２０８及び線状材料導出口２１１は、線状材料が印加
電極２０５と接地電極２０６の間を通るように配置され
ている。線状材料導入口２０８の外側には、軌道位置補
正用のローラ２０９を介して真空室２０１内に導入する
線状材料を巻いておく巻き取りロール２１０が配置され
ている。また線状材料導入口２１１の外側には、軌道位
置補正用のローラ２１２を介して真空室内より導出され
た線状材料を巻き取る巻き取りロール２１３が配置され
ている。巻き取りロール２０９と巻き取りロール２１３
は同期しており、真空室内を線状材料が一定速度で移動
するよう調整されている。
【００３５】本装置において、真空室内に所定の圧力に
調整された所定のガスを導入し、電源電極板に所定の高
周波電圧を印加することで電源電極板と接地電極板間に
プラズマが発生し、該プラズマ中で線状材料を一定速度
で動かすことにより、線状材料の表面にプラズマ中に生
成する導入されたガスの反応生成物を均一性良く堆積す
ることができる。
調整された所定のガスを導入し、電源電極板に所定の高
周波電圧を印加することで電源電極板と接地電極板間に
プラズマが発生し、該プラズマ中で線状材料を一定速度
で動かすことにより、線状材料の表面にプラズマ中に生
成する導入されたガスの反応生成物を均一性良く堆積す
ることができる。
【００３６】本装置では両電極間に発生させたプラズマ
中で反応性生物が形成されるため、プラズマ内を線状材
料が移動するように配慮すれば、複数の線状材料に同時
に薄膜を堆積することが可能である。
中で反応性生物が形成されるため、プラズマ内を線状材
料が移動するように配慮すれば、複数の線状材料に同時
に薄膜を堆積することが可能である。
【００３７】（第３の実施例）本発明の実施の形態によ
る薄膜形成装置を、（図３）を参照して説明する。
る薄膜形成装置を、（図３）を参照して説明する。
【００３８】排気系３０２、及びガス導入口３０３を備
えた真空室３０１中に、電源３０６に接続された加熱源
３０５が備えられている。加熱源中には形成される薄膜
の母材となる蒸発源３０４が具備されており、加熱源３
０５により熱を加えられ、所定の速度で真空中に飛翔さ
せることができる。蒸発源３０４上方の真空室３０３の
側部には、真空室外部より内部の真空を保持したまま線
状材料を真空室内に導入するための線状材料導入口３０
７、及び、線状材料を内部の真空を保持したまま導出す
るための線状材料導出口３１０が設けられている。線状
材料導入口３０７及び線状材料導入口３１０は、線状材
料がターゲット３０４の上方を通るように配置されてい
る。線状材料導入口３０７の外側には、真空室内に導入
する線状材料を巻いておく巻き取りロール３０８が配置
されている。また線状材料導入口３１０の外側には、真
空室内より導出された線状材料を巻き取る巻き取りロー
ル３１１が配置されている。巻き取りロール３０８と巻
き取りロール３１１は同期しており、真空室内を線状材
料が一定速度で移動するよう調整されている。また、巻
き取りロール３０８及び巻き取りロール３１１には、線
状材料の進行方向を中心軸として回転するように、ロー
ラ回転機構３０９及び３１２が取り付けられており、各
々同じ速度で回転するよう同期されている。本機構によ
り、線状材料の表面に均一な厚さの膜を堆積することが
できる。
えた真空室３０１中に、電源３０６に接続された加熱源
３０５が備えられている。加熱源中には形成される薄膜
の母材となる蒸発源３０４が具備されており、加熱源３
０５により熱を加えられ、所定の速度で真空中に飛翔さ
せることができる。蒸発源３０４上方の真空室３０３の
側部には、真空室外部より内部の真空を保持したまま線
状材料を真空室内に導入するための線状材料導入口３０
７、及び、線状材料を内部の真空を保持したまま導出す
るための線状材料導出口３１０が設けられている。線状
材料導入口３０７及び線状材料導入口３１０は、線状材
料がターゲット３０４の上方を通るように配置されてい
る。線状材料導入口３０７の外側には、真空室内に導入
する線状材料を巻いておく巻き取りロール３０８が配置
されている。また線状材料導入口３１０の外側には、真
空室内より導出された線状材料を巻き取る巻き取りロー
ル３１１が配置されている。巻き取りロール３０８と巻
き取りロール３１１は同期しており、真空室内を線状材
料が一定速度で移動するよう調整されている。また、巻
き取りロール３０８及び巻き取りロール３１１には、線
状材料の進行方向を中心軸として回転するように、ロー
ラ回転機構３０９及び３１２が取り付けられており、各
々同じ速度で回転するよう同期されている。本機構によ
り、線状材料の表面に均一な厚さの膜を堆積することが
できる。
【００３９】本装置により、真空中、或いは真空室内に
所定の圧力に調整された所定のガスを導入しつつ蒸発源
を真空中に飛翔させながら、蒸発源上方を進行方向を中
心軸として回転しながら一定速度で移動する線状材料の
表面に母材、若しくは母材と導入ガスとの化合物である
薄膜を連続的に堆積することができる。
所定の圧力に調整された所定のガスを導入しつつ蒸発源
を真空中に飛翔させながら、蒸発源上方を進行方向を中
心軸として回転しながら一定速度で移動する線状材料の
表面に母材、若しくは母材と導入ガスとの化合物である
薄膜を連続的に堆積することができる。
【００４０】蒸発源を加熱する方法としては、電子ビー
ム法や抵抗加熱法を用いることができる。
ム法や抵抗加熱法を用いることができる。
【００４１】（第４の実施例）本発明の実施の形態によ
る薄膜形成装置を、（図４）を参照して説明する。
る薄膜形成装置を、（図４）を参照して説明する。
【００４２】排気系４０２、及びガス導入口４０３を備
えた真空室４０１の上方及び下方には、真空室外部より
内部の真空を保持したまま線状材料を真空室内に導入す
るための線状材料導入口４０７、及び、線状材料を内部
の真空を保持したまま導出するための線状材料導出口４
１０が設けられている。線状材料導入口４０７の外側に
は、軌道位置補正用のローラ４０８を介して真空室内に
導入する線状材料を巻いておく巻き取りロール４０９が
配置されている。また線状材料導入口４１０の外側に
は、軌道位置補正用のローラ４１１を介して真空室内よ
り導出された線状材料を巻き取る巻き取りロール４１２
が配置されている。巻き取りロール４０９と巻き取りロ
ール４１２は同期しており、真空室内を線状材料が一定
速度で移動するよう調整されている。
えた真空室４０１の上方及び下方には、真空室外部より
内部の真空を保持したまま線状材料を真空室内に導入す
るための線状材料導入口４０７、及び、線状材料を内部
の真空を保持したまま導出するための線状材料導出口４
１０が設けられている。線状材料導入口４０７の外側に
は、軌道位置補正用のローラ４０８を介して真空室内に
導入する線状材料を巻いておく巻き取りロール４０９が
配置されている。また線状材料導入口４１０の外側に
は、軌道位置補正用のローラ４１１を介して真空室内よ
り導出された線状材料を巻き取る巻き取りロール４１２
が配置されている。巻き取りロール４０９と巻き取りロ
ール４１２は同期しており、真空室内を線状材料が一定
速度で移動するよう調整されている。
【００４３】真空室４０１中には坩堝型の加熱セル４０
４が円周状に複数台備えられており、坩堝内には母材と
なる材料が納められている。各坩堝には各々温度制御装
置４０５が備えられており、坩堝内を所定の温度に制御
することができる。各々の坩堝は、真空室外部より導入
された線状材料が円周状に配置された各々の坩堝の中心
を通るように配置されている。
４が円周状に複数台備えられており、坩堝内には母材と
なる材料が納められている。各坩堝には各々温度制御装
置４０５が備えられており、坩堝内を所定の温度に制御
することができる。各々の坩堝は、真空室外部より導入
された線状材料が円周状に配置された各々の坩堝の中心
を通るように配置されている。
【００４４】本装置において、真空中、或いは真空室内
に所定の圧力に調整された所定のガスを導入し、坩堝を
所定の温度に制御することで坩堝内の材料が蒸発し、一
定速度で移動する線状材料の表面にターゲット材料、若
しくはターゲット材料と導入ガスとの化合物である薄膜
を連続的に堆積することができる。
に所定の圧力に調整された所定のガスを導入し、坩堝を
所定の温度に制御することで坩堝内の材料が蒸発し、一
定速度で移動する線状材料の表面にターゲット材料、若
しくはターゲット材料と導入ガスとの化合物である薄膜
を連続的に堆積することができる。
【００４５】本装置においては、２台のみ坩堝を配置し
て薄膜を堆積することも可能である。その場合、坩堝は
線状材料と等間隔の位置にあることが望ましい。
て薄膜を堆積することも可能である。その場合、坩堝は
線状材料と等間隔の位置にあることが望ましい。
【００４６】（第５の実施例）本発明の実施の形態によ
る薄膜形成装置を、（図５）を参照して説明する。
る薄膜形成装置を、（図５）を参照して説明する。
【００４７】溶液槽５０１は周囲に温度調節器５０２を
有し、薄膜形成の母材となる溶液を所定温度に保持しつ
つ、一定量貯蔵、或いは循環、排出することができる構
造となっている。溶液槽５０１の外部には、軌道補正ロ
ーラ５０４を介して溶液中に線状材料を導入するための
巻き取りロール５０３が配置されている。溶液槽５０１
内部には、折り返しローラ５０５が設置されている。折
り返しローラ５０５は、線状材料が必ず溶液中を通過す
るように溶液面より下部に位置するよう配置されてお
り、線状材料の表面に所定量の溶液が塗布される構造と
なっている。溶液槽５０１上には、軌道補正ローラ５０
７を介して線状材料を巻き取るための巻き取りロール５
０８が設置されている。溶液面と軌道補正ローラ５０７
の間には、熱処理装置５０６が配置されており、線状材
料の表面に塗布された溶液を乾燥、或いは焼成すること
ができる構造となっている。巻き取りロール５０３と巻
き取りロール５０８は同期して線状材料が溶液中を一定
速度で移動するよう調節されている。
有し、薄膜形成の母材となる溶液を所定温度に保持しつ
つ、一定量貯蔵、或いは循環、排出することができる構
造となっている。溶液槽５０１の外部には、軌道補正ロ
ーラ５０４を介して溶液中に線状材料を導入するための
巻き取りロール５０３が配置されている。溶液槽５０１
内部には、折り返しローラ５０５が設置されている。折
り返しローラ５０５は、線状材料が必ず溶液中を通過す
るように溶液面より下部に位置するよう配置されてお
り、線状材料の表面に所定量の溶液が塗布される構造と
なっている。溶液槽５０１上には、軌道補正ローラ５０
７を介して線状材料を巻き取るための巻き取りロール５
０８が設置されている。溶液面と軌道補正ローラ５０７
の間には、熱処理装置５０６が配置されており、線状材
料の表面に塗布された溶液を乾燥、或いは焼成すること
ができる構造となっている。巻き取りロール５０３と巻
き取りロール５０８は同期して線状材料が溶液中を一定
速度で移動するよう調節されている。
【００４８】図５中には記載していないが、必要によっ
て溶液槽５０１には、溶液の蒸発や水分等の溶け込みに
よる溶液の変質を防止するため、略密閉構造とするとと
もに、窒素等の不活性ガスで満たす構造とすることが可
能である。また、熱処理装置５０６も同様の理由により
密閉構造とするとともに、窒素等の不活性ガスで満たす
構造とすることが可能である。更に熱処理装置５０６内
に塗布膜との反応性の高いガスを導入し、塗布された溶
液との化合物である薄膜を形成することも可能である。
て溶液槽５０１には、溶液の蒸発や水分等の溶け込みに
よる溶液の変質を防止するため、略密閉構造とするとと
もに、窒素等の不活性ガスで満たす構造とすることが可
能である。また、熱処理装置５０６も同様の理由により
密閉構造とするとともに、窒素等の不活性ガスで満たす
構造とすることが可能である。更に熱処理装置５０６内
に塗布膜との反応性の高いガスを導入し、塗布された溶
液との化合物である薄膜を形成することも可能である。
【００４９】線状材料の表面に薄膜の厚さは、溶液の温
度や粘度、線状材料の移動速度、乾燥或いは焼成時の温
度等で任意に調整することが可能である。また本装置で
形成する薄膜の母材としては、フォトレジスト等の樹脂
膜、有機系絶縁膜材料等、溶融可能な状態の物質であれ
ば使用することができる。
度や粘度、線状材料の移動速度、乾燥或いは焼成時の温
度等で任意に調整することが可能である。また本装置で
形成する薄膜の母材としては、フォトレジスト等の樹脂
膜、有機系絶縁膜材料等、溶融可能な状態の物質であれ
ば使用することができる。
【００５０】（第６の実施例）本発明の実施の形態によ
る透光性導電性の線状材料とその製造方法を（図１）及
び（図６）を参照して説明する。
る透光性導電性の線状材料とその製造方法を（図１）及
び（図６）を参照して説明する。
【００５１】石英製ガラス繊維よりなる線状材料６１０
を（第１の実施例）で説明したスパッタリング装置の巻
き取りロール１０９に予め巻きつけておく。スパッタリ
ング装置内にはターゲット１０４として、スズ添加酸化
インジウム（以後ＩＴＯと略す）が備え付けられてい
る。また真空室内は、排気系１０２により所定の圧力以
下になるまで真空排気されている。
を（第１の実施例）で説明したスパッタリング装置の巻
き取りロール１０９に予め巻きつけておく。スパッタリ
ング装置内にはターゲット１０４として、スズ添加酸化
インジウム（以後ＩＴＯと略す）が備え付けられてい
る。また真空室内は、排気系１０２により所定の圧力以
下になるまで真空排気されている。
【００５２】線状材料６１０を線状材料導入口１０７よ
り真空室１０１内に引き入れ、ターゲット１０４内部を
通した後線状材料導出口１１０より外に引き出し、巻き
取りロール１１２に巻きつけておく。ガス導入口１０３
よりアルゴンと酸素の混合ガスよりなるスパッタリング
ガスを真空室１０１内に導入し、所定の圧力になるよう
調整する。後電源１０５を用いてターゲット１０４に所
定のＤＣ電圧を印加すると、円筒型内部にプラズマ放電
が発生しターゲット１０４の表面がスパッタリングされ
る。所定時間が経過した後、巻き取りロール１０９及び
巻き取りロール１１２を同時に回転させ、線状材料６１
０を一定の速度で進行させると、線状材料６１０の表面
に透明導電膜であるＩＴＯ薄膜６１１連続的に堆積さ
れ、巻き取りロール１１２に巻き取られていく。ＩＴＯ
薄膜の膜厚は、線状材料の進行速度、スパッタリング条
件などで任意に変えることが可能である。
り真空室１０１内に引き入れ、ターゲット１０４内部を
通した後線状材料導出口１１０より外に引き出し、巻き
取りロール１１２に巻きつけておく。ガス導入口１０３
よりアルゴンと酸素の混合ガスよりなるスパッタリング
ガスを真空室１０１内に導入し、所定の圧力になるよう
調整する。後電源１０５を用いてターゲット１０４に所
定のＤＣ電圧を印加すると、円筒型内部にプラズマ放電
が発生しターゲット１０４の表面がスパッタリングされ
る。所定時間が経過した後、巻き取りロール１０９及び
巻き取りロール１１２を同時に回転させ、線状材料６１
０を一定の速度で進行させると、線状材料６１０の表面
に透明導電膜であるＩＴＯ薄膜６１１連続的に堆積さ
れ、巻き取りロール１１２に巻き取られていく。ＩＴＯ
薄膜の膜厚は、線状材料の進行速度、スパッタリング条
件などで任意に変えることが可能である。
【００５３】本実施例では、透光性の線状材料として石
英製ガラス繊維を用いたが、透光性の線状材料の材料は
石英に限るものではなく、パイレックス（登録商標）や
光ファイバー用ガラス等のガラス、或いはアクリル、Ｐ
ＥＴ、ナイロン等のプラスチック材料など、更には今後
開発される種々の透光性材料を用いても本発明の要件が
失われないことは明らかである。また、本実施例では透
明導電膜としてＩＴＯ膜を用いたが、透明導電膜の材料
はこれに限るものではなく、Ａｌ添加酸化亜鉛膜等の透
明導電膜を用いることもできる。
英製ガラス繊維を用いたが、透光性の線状材料の材料は
石英に限るものではなく、パイレックス（登録商標）や
光ファイバー用ガラス等のガラス、或いはアクリル、Ｐ
ＥＴ、ナイロン等のプラスチック材料など、更には今後
開発される種々の透光性材料を用いても本発明の要件が
失われないことは明らかである。また、本実施例では透
明導電膜としてＩＴＯ膜を用いたが、透明導電膜の材料
はこれに限るものではなく、Ａｌ添加酸化亜鉛膜等の透
明導電膜を用いることもできる。
【００５４】また本実施例では、必要最小限の構成のみ
を示したが、例えば透光性の線状材料の表面に透光性の
保護膜を形成しても本発明の要件から外れるものではな
い。
を示したが、例えば透光性の線状材料の表面に透光性の
保護膜を形成しても本発明の要件から外れるものではな
い。
【００５５】更に本実施例では、透光性の線状材料に透
明導電膜を成膜する方法としてスパッタリング法を用い
たが、成膜方法はこれに限るものではなく、（第２の実
施例）に示したＣＶＤ法を用いた薄膜形成装置や、（第
３の実施例）、及び（第４の実施例）に示した真空蒸着
法を用いた薄膜形成装置、或いは（第５の実施例）に示
した溶液塗布型の薄膜形成装置を用いることもできる。
明導電膜を成膜する方法としてスパッタリング法を用い
たが、成膜方法はこれに限るものではなく、（第２の実
施例）に示したＣＶＤ法を用いた薄膜形成装置や、（第
３の実施例）、及び（第４の実施例）に示した真空蒸着
法を用いた薄膜形成装置、或いは（第５の実施例）に示
した溶液塗布型の薄膜形成装置を用いることもできる。
【００５６】（第７の実施例）本発明の実施の形態によ
る繊維状蛍光体とその製造方法を（図７）及び（図８）
を参照して説明する。
る繊維状蛍光体とその製造方法を（図７）及び（図８）
を参照して説明する。
【００５７】透光性プラスチック繊維の表面にＩＴＯ膜
を堆積してなる透明導電性の線状材料７１０を（第２の
実施例）で説明したＣＶＤ装置の線状材料導入口２０８
より真空室２０１内に引き入れ、線状材料導出口２１１
より外に引き出し、巻き取りロール２１３に巻きつけて
おく。真空室２０１内は、排気系２０２により所定の圧
力以下になるまで真空排気されている。また接地電極板
２０６は所定の温度に加熱されている。ガス導入口２０
３よりテトラエトキシシランガス（以下、ＴＥＯＳガス
と略す）と酸素の混合ガスを真空室２０１内に導入し、
所定の圧力になるよう調整する。電源２０７を用いて電
源電極板２０５に所定のＲＦ電力を印加してプラズマ放
電を発生させると同時に、巻き取りロール２１０及び２
１３を同時に回転させ、透明導電性の線状材料７１０を
一定の速度で進行させると、透明導電性の線状材料７１
０の表面にＳｉＯ２膜よりなる第１の絶縁性薄膜７１１
が連続的に堆積され（図７（ａ））、巻き取りロール２
１３に巻き取られていく。ＳｉＯ２膜の膜厚は、線状材
料の進行速度、成膜条件などで任意に変えることが可能
である。
を堆積してなる透明導電性の線状材料７１０を（第２の
実施例）で説明したＣＶＤ装置の線状材料導入口２０８
より真空室２０１内に引き入れ、線状材料導出口２１１
より外に引き出し、巻き取りロール２１３に巻きつけて
おく。真空室２０１内は、排気系２０２により所定の圧
力以下になるまで真空排気されている。また接地電極板
２０６は所定の温度に加熱されている。ガス導入口２０
３よりテトラエトキシシランガス（以下、ＴＥＯＳガス
と略す）と酸素の混合ガスを真空室２０１内に導入し、
所定の圧力になるよう調整する。電源２０７を用いて電
源電極板２０５に所定のＲＦ電力を印加してプラズマ放
電を発生させると同時に、巻き取りロール２１０及び２
１３を同時に回転させ、透明導電性の線状材料７１０を
一定の速度で進行させると、透明導電性の線状材料７１
０の表面にＳｉＯ２膜よりなる第１の絶縁性薄膜７１１
が連続的に堆積され（図７（ａ））、巻き取りロール２
１３に巻き取られていく。ＳｉＯ２膜の膜厚は、線状材
料の進行速度、成膜条件などで任意に変えることが可能
である。
【００５８】続いて、（第４の実施例）で説明した真空
蒸着装置を用いて、第１の絶縁性薄膜７１１の表面に連
続的に有機物を主成分とするＥＬ材料からなる蛍光体薄
膜７１２を所定の厚さ堆積する（図７（ｂ））。更に前
述と同じＣＶＤ装置を用いて、蛍光体薄膜７１２の表面
に第２の絶縁性薄膜７１３を所定の厚さ堆積して、繊維
状蛍光体が完成する（図７（ｃ））。
蒸着装置を用いて、第１の絶縁性薄膜７１１の表面に連
続的に有機物を主成分とするＥＬ材料からなる蛍光体薄
膜７１２を所定の厚さ堆積する（図７（ｂ））。更に前
述と同じＣＶＤ装置を用いて、蛍光体薄膜７１２の表面
に第２の絶縁性薄膜７１３を所定の厚さ堆積して、繊維
状蛍光体が完成する（図７（ｃ））。
【００５９】繊維状蛍光体は、必要な長さに切断し、端
部の第２の絶縁性薄膜７１３、蛍光体薄膜７１２、及び
第１の絶縁性薄膜７１１を除去して透明導電性の線状材
料７１０の表面を露出させ、外部電源の一方と接続す
る。一方、繊維状蛍光体の任意の表面に外部電源の他方
の電極を接触させ、外部電源の両電極間に所定の電圧を
印加することで、繊維状蛍光体表面の電極に接触してい
る領域の蛍光体が発光する（図８）。繊維状蛍光体表面
に接触させる電極の数や位置を任意に選ぶことで、必要
な箇所のみを発光させることが可能である。
部の第２の絶縁性薄膜７１３、蛍光体薄膜７１２、及び
第１の絶縁性薄膜７１１を除去して透明導電性の線状材
料７１０の表面を露出させ、外部電源の一方と接続す
る。一方、繊維状蛍光体の任意の表面に外部電源の他方
の電極を接触させ、外部電源の両電極間に所定の電圧を
印加することで、繊維状蛍光体表面の電極に接触してい
る領域の蛍光体が発光する（図８）。繊維状蛍光体表面
に接触させる電極の数や位置を任意に選ぶことで、必要
な箇所のみを発光させることが可能である。
【００６０】本実施例では、繊維状蛍光体の芯材として
透明導電性の線状材料を用いた。この様な透明導電性の
線状材料を用いることで、蛍光体薄膜が発光した際にも
遮るものがなく、効率よく光を取り出すことができる。
また透明導電性の線状材料として透光性プラスチック繊
維の表面に透明導電膜を堆積したものを用いたが、透光
性ガラス繊維の表面に透明導電膜を堆積したものを用い
ても良い。透光性のプラスチック或いは透光性のガラス
繊維としては、例えば光ファイバーに用いられている様
なできるだけ光透過率が高いものが望ましい。
透明導電性の線状材料を用いた。この様な透明導電性の
線状材料を用いることで、蛍光体薄膜が発光した際にも
遮るものがなく、効率よく光を取り出すことができる。
また透明導電性の線状材料として透光性プラスチック繊
維の表面に透明導電膜を堆積したものを用いたが、透光
性ガラス繊維の表面に透明導電膜を堆積したものを用い
ても良い。透光性のプラスチック或いは透光性のガラス
繊維としては、例えば光ファイバーに用いられている様
なできるだけ光透過率が高いものが望ましい。
【００６１】本実施例では、繊維状蛍光体の芯材として
透明導電性の線状材料を用いたが、用途によっては金属
からなる線状材料、或いはプラスチック繊維やガラス繊
維の表面に金属膜を形成した導電性の線状材料を用いて
も良い。この場合、繊維状蛍光体の表面側に印加する電
極に透明導電性の線状材料を用いることで、芯材の金属
表面から反射した光が透明導電性の線状材料を通して取
り出される。この様な用途の場合、芯材に用いる金属再
選、或いは金属薄膜はできるだけ反射率が高いものが望
ましい。
透明導電性の線状材料を用いたが、用途によっては金属
からなる線状材料、或いはプラスチック繊維やガラス繊
維の表面に金属膜を形成した導電性の線状材料を用いて
も良い。この場合、繊維状蛍光体の表面側に印加する電
極に透明導電性の線状材料を用いることで、芯材の金属
表面から反射した光が透明導電性の線状材料を通して取
り出される。この様な用途の場合、芯材に用いる金属再
選、或いは金属薄膜はできるだけ反射率が高いものが望
ましい。
【００６２】本実施例では、蛍光体薄膜として有機ＥＬ
材料を用いたが、発光中心元素を添加したＩＩ−ＶＩ属
系化合物のような無機ＥＬ材料を用いても良い。無機Ｅ
Ｌ材料の蛍光体薄膜の形成方法としては、（第４の実施
例）で示した真空蒸着装置や、（第６の実施例）で示し
たスパッタリング装置を用いると良い。
材料を用いたが、発光中心元素を添加したＩＩ−ＶＩ属
系化合物のような無機ＥＬ材料を用いても良い。無機Ｅ
Ｌ材料の蛍光体薄膜の形成方法としては、（第４の実施
例）で示した真空蒸着装置や、（第６の実施例）で示し
たスパッタリング装置を用いると良い。
【００６３】また本実施例では、蛍光体の構成として必
要最小限の構成を例として示したが、本発明の要件は繊
維状の線状材料表面に蛍光体が形成されている点にあ
り、蛍光体の構成が、例えば蛍光体の上層或いは下層に
蛍光体の機能をより引き出すための薄膜が形成されてい
るような場合でも、本発明の要件から外れるものではな
いことは明らかである。
要最小限の構成を例として示したが、本発明の要件は繊
維状の線状材料表面に蛍光体が形成されている点にあ
り、蛍光体の構成が、例えば蛍光体の上層或いは下層に
蛍光体の機能をより引き出すための薄膜が形成されてい
るような場合でも、本発明の要件から外れるものではな
いことは明らかである。
【００６４】（第８の実施例）本発明の実施の形態によ
る繊維状蛍光体とその製造方法を（図９）及び（図１
０）を参照して説明する。
る繊維状蛍光体とその製造方法を（図９）及び（図１
０）を参照して説明する。
【００６５】金属からなる線状材料９１０を（第２の実
施例）で説明したＣＶＤ装置の線状材料導入口２０８よ
り真空室２０１内に引き入れ、線状材料導出口２１１よ
り外に引き出し、巻き取りロール２１３に巻きつけてお
く。真空室２０１内は、排気系２０２により所定の圧力
以下になるまで真空排気されている。また接地電極板２
０６は所定の温度に加熱されている。ガス導入口２０３
よりシランと一酸化窒素の混合ガスを真空室２０１内に
導入し、所定の圧力になるよう調整する。電源２０７を
用いて電源電極板２０５に所定のＲＦ電力を印加してプ
ラズマ放電を発生させると同時に、巻き取りロール２１
０及び２１３を同時に回転させ、金属からなる線状材料
９１０を一定の速度で進行させると、金属からなる線状
材料９１０の表面にＳｉＯ２膜よりなる第１の絶縁性薄
膜９１１が連続的に堆積され（図９（ａ））、巻き取り
ロール２１３に巻き取られていく。ＳｉＯ２膜の膜厚
は、線状材料の進行速度、成膜条件などで任意に変える
ことが可能である。
施例）で説明したＣＶＤ装置の線状材料導入口２０８よ
り真空室２０１内に引き入れ、線状材料導出口２１１よ
り外に引き出し、巻き取りロール２１３に巻きつけてお
く。真空室２０１内は、排気系２０２により所定の圧力
以下になるまで真空排気されている。また接地電極板２
０６は所定の温度に加熱されている。ガス導入口２０３
よりシランと一酸化窒素の混合ガスを真空室２０１内に
導入し、所定の圧力になるよう調整する。電源２０７を
用いて電源電極板２０５に所定のＲＦ電力を印加してプ
ラズマ放電を発生させると同時に、巻き取りロール２１
０及び２１３を同時に回転させ、金属からなる線状材料
９１０を一定の速度で進行させると、金属からなる線状
材料９１０の表面にＳｉＯ２膜よりなる第１の絶縁性薄
膜９１１が連続的に堆積され（図９（ａ））、巻き取り
ロール２１３に巻き取られていく。ＳｉＯ２膜の膜厚
は、線状材料の進行速度、成膜条件などで任意に変える
ことが可能である。
【００６６】続いて、（第１の実施例）で説明したスパ
ッタリング装置を用いて、第１の絶縁性薄膜９１１の表
面に連続的に無機ＥＬ材料からなる蛍光体薄膜９１２を
所定の厚さ堆積する（図９（ｂ））。
ッタリング装置を用いて、第１の絶縁性薄膜９１１の表
面に連続的に無機ＥＬ材料からなる蛍光体薄膜９１２を
所定の厚さ堆積する（図９（ｂ））。
【００６７】次に、金属からなる線状材料９１０を（第
５の実施例）で説明した溶液塗布型の薄膜形成装置に取
り付ける。溶液槽５０１内には塗布型絶縁材料が貯蔵さ
れており、温度調節器５０２により所定の温度に保持さ
れている。金属からなる線状材料９１０を一定速度で溶
液中を移動させた後、熱処理装置５０６中で所定の温度
で熱処理を施すことにより、蛍光体薄膜９１２の表面に
第２の絶縁性薄膜９１３を連続的に形成する（図９
（ｃ））。例えば、塗布型絶縁材料としてアルコール溶
媒中のシロキサンを主成分とする溶液を用い、２５０℃
から４００℃程度で熱処理を施すことによりＳｉＯ２膜
が形成される。
５の実施例）で説明した溶液塗布型の薄膜形成装置に取
り付ける。溶液槽５０１内には塗布型絶縁材料が貯蔵さ
れており、温度調節器５０２により所定の温度に保持さ
れている。金属からなる線状材料９１０を一定速度で溶
液中を移動させた後、熱処理装置５０６中で所定の温度
で熱処理を施すことにより、蛍光体薄膜９１２の表面に
第２の絶縁性薄膜９１３を連続的に形成する（図９
（ｃ））。例えば、塗布型絶縁材料としてアルコール溶
媒中のシロキサンを主成分とする溶液を用い、２５０℃
から４００℃程度で熱処理を施すことによりＳｉＯ２膜
が形成される。
【００６８】その後、（第１の実施例）で説明したスパ
ッタリング装置を用い、第２の絶縁性薄膜９１３の表面
に透明導電性薄膜９１４を連続的に形成した後、透明導
電性薄膜９１４の表面に所定の厚さのフォトレジスト９
１５を塗布し熱処理を行う。フォトレジストの塗布と熱
処理は、（第５の実施例）で示したものと同じ構造の装
置を用いて行った。フォトレジスト９１５を所定のマス
クを用いて露光後、フォトレジスト９１５の現像と熱処
理を行い、所定のパターンのフォトレジスト９１５ａを
形成する（図９（ｄ））。フォトレジストの現像及び熱
処理も同じく（第５の実施例）で示したものと同じ構造
の装置を用いて行った。但しこの場合は、金属からなる
線状材料に塗布するのではなく、線状材料の表面に塗布
されたレジストの所定の部分を溶かす処理（現像処理）
を連続的に行うために用いた。
ッタリング装置を用い、第２の絶縁性薄膜９１３の表面
に透明導電性薄膜９１４を連続的に形成した後、透明導
電性薄膜９１４の表面に所定の厚さのフォトレジスト９
１５を塗布し熱処理を行う。フォトレジストの塗布と熱
処理は、（第５の実施例）で示したものと同じ構造の装
置を用いて行った。フォトレジスト９１５を所定のマス
クを用いて露光後、フォトレジスト９１５の現像と熱処
理を行い、所定のパターンのフォトレジスト９１５ａを
形成する（図９（ｄ））。フォトレジストの現像及び熱
処理も同じく（第５の実施例）で示したものと同じ構造
の装置を用いて行った。但しこの場合は、金属からなる
線状材料に塗布するのではなく、線状材料の表面に塗布
されたレジストの所定の部分を溶かす処理（現像処理）
を連続的に行うために用いた。
【００６９】続いて、透明導電性薄膜９１４のエッチン
グ液を溶液槽に満たした（第５の実施例）で示したもの
と同じ構造の装置を用い、フォトレジストパターン９１
５ａをマスクとして透明導電性薄膜９１４のエッチング
を連続的に行い、次いでレジスト剥離液を溶液槽に満た
した同様の構造の装置を用いてフォトレジスト９１５ａ
の除去を行い、所定の形状の透明電極９１４ａを形成す
る（図９（ｅ））。
グ液を溶液槽に満たした（第５の実施例）で示したもの
と同じ構造の装置を用い、フォトレジストパターン９１
５ａをマスクとして透明導電性薄膜９１４のエッチング
を連続的に行い、次いでレジスト剥離液を溶液槽に満た
した同様の構造の装置を用いてフォトレジスト９１５ａ
の除去を行い、所定の形状の透明電極９１４ａを形成す
る（図９（ｅ））。
【００７０】繊維状蛍光体は、必要な長さに切断し、端
部の金属からなる線状材料９１０の表面を露出させ、外
部電源と接続する。一方、繊維状蛍光体の任意の表面に
孤立的に形成されている透明電極９１４ａも外部電源と
接続し、金属からなる線状材料と表面の透明電極間に所
定の電圧を印加することで、繊維状蛍光体表面の透明電
極と中心部の金属からなる線状材料に挟まれた領域の蛍
光体が発光する。
部の金属からなる線状材料９１０の表面を露出させ、外
部電源と接続する。一方、繊維状蛍光体の任意の表面に
孤立的に形成されている透明電極９１４ａも外部電源と
接続し、金属からなる線状材料と表面の透明電極間に所
定の電圧を印加することで、繊維状蛍光体表面の透明電
極と中心部の金属からなる線状材料に挟まれた領域の蛍
光体が発光する。
【００７１】（図１０）に示した実施例では、繊維状蛍
光体１０１０を縦糸に、透明導電性線状材料１０２０及
び透明絶縁性線状材料１０３０を横糸に織り込んだ構造
を有しており、透明導電性線状材料１０２０は繊維状蛍
光体１０１０表面に形成されている透明電極１０１５の
一部に必ず接触している。透明導電性線状材料１０２０
と絶縁性の線状材料１０３０は交互に配置されているた
め、透明導電性線状材料同士が接触することはなく、ま
た透明導電性線状材料１０２０及び絶縁性の線状材料１
０３０の太さは、透明電極１０１５のピッチと透明電極
間の距離を鑑み、透明導電性線状材料１０２０が透明電
極１０１５間を短絡しないように、且つ各々の透明電極
に必ず一本の透明導電性線状材料１０２０が接触するよ
うに決められている。（図１０）中では透明導電性線状
材料１０２０と絶縁性の線状材料１０３０はほぼ同じ太
さで表現されているが、透明導電性線状材料１０２０間
のピッチと透明電極１０１５の長手方向ピッチが一致し
ていること、及び透明導電性線状材料１０２０同士が接
触しないことが本構成の目的とするところであるので、
透明導電性線状材料１０２０と絶縁性の線状材料１０３
０は太さが異なっていても問題ない。
光体１０１０を縦糸に、透明導電性線状材料１０２０及
び透明絶縁性線状材料１０３０を横糸に織り込んだ構造
を有しており、透明導電性線状材料１０２０は繊維状蛍
光体１０１０表面に形成されている透明電極１０１５の
一部に必ず接触している。透明導電性線状材料１０２０
と絶縁性の線状材料１０３０は交互に配置されているた
め、透明導電性線状材料同士が接触することはなく、ま
た透明導電性線状材料１０２０及び絶縁性の線状材料１
０３０の太さは、透明電極１０１５のピッチと透明電極
間の距離を鑑み、透明導電性線状材料１０２０が透明電
極１０１５間を短絡しないように、且つ各々の透明電極
に必ず一本の透明導電性線状材料１０２０が接触するよ
うに決められている。（図１０）中では透明導電性線状
材料１０２０と絶縁性の線状材料１０３０はほぼ同じ太
さで表現されているが、透明導電性線状材料１０２０間
のピッチと透明電極１０１５の長手方向ピッチが一致し
ていること、及び透明導電性線状材料１０２０同士が接
触しないことが本構成の目的とするところであるので、
透明導電性線状材料１０２０と絶縁性の線状材料１０３
０は太さが異なっていても問題ない。
【００７２】また（図１０）に示した実施例では、繊維
状蛍光体表面に形成された透明電極に囲われた部分の蛍
光体が全て発光する構造であるたため発光する領域を実
質的に広くとることができる上、透明電極と接触する導
電性の線状材料や絶縁性の線状材料も透光性を有するた
め蛍光体からの発光が遮られることもないため、非常に
高輝度の発光を得ることができる。また透明電極の形状
を任意に形成することで、所望の発光面積、発光輝度を
得ることも可能である。
状蛍光体表面に形成された透明電極に囲われた部分の蛍
光体が全て発光する構造であるたため発光する領域を実
質的に広くとることができる上、透明電極と接触する導
電性の線状材料や絶縁性の線状材料も透光性を有するた
め蛍光体からの発光が遮られることもないため、非常に
高輝度の発光を得ることができる。また透明電極の形状
を任意に形成することで、所望の発光面積、発光輝度を
得ることも可能である。
【００７３】（図１０）に示した実施例では、繊維状蛍
光体１０１０中心部の導電性の線状材料１０１１と透明
導電性線状材料１０２０とに各々信号を印加して、両配
線間の電位差が所定の電圧になっている交差部の透明電
極１０１５に囲われた蛍光体のみが発光する仕組みとな
っている。それぞれ複数本の繊維状蛍光体１０１０と導
電性の線状材料１０１１に対して、各々に印加する電圧
を、同期をとりながら時間的に変化させることにより任
意の交差部を発光させることができる。例えばある時間
Ｔの間に、Ｃ（ｎ）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加す
るようにスイッチＳｗＣ（ｎ）をオンしておく。ＳＷＣ
（ｎ）がオンしている間に、発光させたい交差部に接続
する導電性の線状材料に順番に電圧を印加していくよう
にスイッチＳＷＬを順次オンしていく。（図１０）の例
では、導電性の線状材料のＬ（ｍ）番目とＬ（ｍ＋２）
番目が発光している。Ｔ時間経過後、今度はＣ（ｎ＋
１）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加するようにスイッ
チＳｗＣ（ｎ＋１）をオンしておく。ＳＷＣ（ｎ＋１）
がオンしている間に、発光させたい交差部に接続する導
電性の線状材料に順番に電圧を印加していくようにスイ
ッチＳＷＬを順次オンしていくことで、（図１０）の例
では、導電性の線状材料のＬ（ｍ＋１）番目とＬ（ｍ＋
４）番目が発光する。更にＴ時間経過後、今度はＣ（ｎ
＋２）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加するようにスイ
ッチＳｗＣ（ｎ＋２）をオンしておく。ＳＷＣ（ｎ＋
２）がオンしている間に、発光させたい交差部に接続す
る導電性の線状材料に順番に電圧を印加していくように
スイッチＳＷＬを順次オンしていくことで、（図１０）
の例では、導電性の線状材料のＬ（ｍ＋２）番目とＬ
（ｍ＋３）番目が発光する。この様に、繊維状蛍光体と
導電性の線状材料の各々に印加する電圧を同期をとりな
がら変化させることで、交差部の任意の蛍光体を発光さ
せることができる。ある繊維状蛍光体Ｃｎに電圧を印加
した後、次に印加するまでの時間を１／６０秒以下と
し、その間に全ての導電性の線状材料のスイッチングを
行うとすると、人間の目には蛍光体が常に発光している
ように感じられるため、平面状に表示された画像として
認識することができる。また導電性の線状材料に印加す
る電圧を走査ごとに変えることで、動画表示も可能とな
る。
光体１０１０中心部の導電性の線状材料１０１１と透明
導電性線状材料１０２０とに各々信号を印加して、両配
線間の電位差が所定の電圧になっている交差部の透明電
極１０１５に囲われた蛍光体のみが発光する仕組みとな
っている。それぞれ複数本の繊維状蛍光体１０１０と導
電性の線状材料１０１１に対して、各々に印加する電圧
を、同期をとりながら時間的に変化させることにより任
意の交差部を発光させることができる。例えばある時間
Ｔの間に、Ｃ（ｎ）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加す
るようにスイッチＳｗＣ（ｎ）をオンしておく。ＳＷＣ
（ｎ）がオンしている間に、発光させたい交差部に接続
する導電性の線状材料に順番に電圧を印加していくよう
にスイッチＳＷＬを順次オンしていく。（図１０）の例
では、導電性の線状材料のＬ（ｍ）番目とＬ（ｍ＋２）
番目が発光している。Ｔ時間経過後、今度はＣ（ｎ＋
１）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加するようにスイッ
チＳｗＣ（ｎ＋１）をオンしておく。ＳＷＣ（ｎ＋１）
がオンしている間に、発光させたい交差部に接続する導
電性の線状材料に順番に電圧を印加していくようにスイ
ッチＳＷＬを順次オンしていくことで、（図１０）の例
では、導電性の線状材料のＬ（ｍ＋１）番目とＬ（ｍ＋
４）番目が発光する。更にＴ時間経過後、今度はＣ（ｎ
＋２）番目の繊維状蛍光体に電圧を印加するようにスイ
ッチＳｗＣ（ｎ＋２）をオンしておく。ＳＷＣ（ｎ＋
２）がオンしている間に、発光させたい交差部に接続す
る導電性の線状材料に順番に電圧を印加していくように
スイッチＳＷＬを順次オンしていくことで、（図１０）
の例では、導電性の線状材料のＬ（ｍ＋２）番目とＬ
（ｍ＋３）番目が発光する。この様に、繊維状蛍光体と
導電性の線状材料の各々に印加する電圧を同期をとりな
がら変化させることで、交差部の任意の蛍光体を発光さ
せることができる。ある繊維状蛍光体Ｃｎに電圧を印加
した後、次に印加するまでの時間を１／６０秒以下と
し、その間に全ての導電性の線状材料のスイッチングを
行うとすると、人間の目には蛍光体が常に発光している
ように感じられるため、平面状に表示された画像として
認識することができる。また導電性の線状材料に印加す
る電圧を走査ごとに変えることで、動画表示も可能とな
る。
【００７４】本実施例では、繊維状蛍光体と導電性の線
状材料を縦糸横糸の関係に織物状に組み合わせた形状と
し、この様な形状に対して上記方法で電圧を印加するこ
とで、自発光型のディスプレイが実現できた。繊維状蛍
光体、導電性の線状材料は、共に非常に自由に折り曲げ
可能であり、また各々の線状材料は自由に切って使うこ
とが可能であるため、各々を織物状に組み合わせること
で、これまでにないフレキシブルで自由な形状の発光型
表示装置を実現することができる。また本実施例の構成
では、織物状に形成した表面からでも裏面からでも発光
表示を見ることができる。更に強度、電気抵抗などを鑑
みて各々の線状材料の太さを決めることにより、表示体
の面積には殆ど制限を設ける必要がなく、非常に大面積
のディスプレイが実現できる。
状材料を縦糸横糸の関係に織物状に組み合わせた形状と
し、この様な形状に対して上記方法で電圧を印加するこ
とで、自発光型のディスプレイが実現できた。繊維状蛍
光体、導電性の線状材料は、共に非常に自由に折り曲げ
可能であり、また各々の線状材料は自由に切って使うこ
とが可能であるため、各々を織物状に組み合わせること
で、これまでにないフレキシブルで自由な形状の発光型
表示装置を実現することができる。また本実施例の構成
では、織物状に形成した表面からでも裏面からでも発光
表示を見ることができる。更に強度、電気抵抗などを鑑
みて各々の線状材料の太さを決めることにより、表示体
の面積には殆ど制限を設ける必要がなく、非常に大面積
のディスプレイが実現できる。
【００７５】また本実施例では、蛍光体の構成として必
要最小限の構成を例として示したが、本発明の要件は繊
維状の線状材料表面に蛍光体が形成されている点にあ
り、蛍光体の構成が、例えば蛍光体の上層或いは下層に
蛍光体の機能をより引き出すための薄膜が形成されてい
るような場合でも、本発明の要件から外れるものではな
いことは明らかである。
要最小限の構成を例として示したが、本発明の要件は繊
維状の線状材料表面に蛍光体が形成されている点にあ
り、蛍光体の構成が、例えば蛍光体の上層或いは下層に
蛍光体の機能をより引き出すための薄膜が形成されてい
るような場合でも、本発明の要件から外れるものではな
いことは明らかである。
【００７６】（第９の実施例）本発明の実施の形態によ
る繊維状スイッチング素子とその製造方法を（図１１）
を参照して説明する。
る繊維状スイッチング素子とその製造方法を（図１１）
を参照して説明する。
【００７７】（第２の実施例）で説明したＣＶＤ装置型
の薄膜形成装置を用いて、金属からなる線状材料１１１
０の表面に、ＳｉＯ２膜よりなるゲート絶縁膜１１１１
を連続的に堆積し、続けて同様の装置を用いて微結晶シ
リコンよりなる半導体薄膜１１１２を連続的に堆積し、
更に続けて同様の方法を用いてＳｉＯ２膜とＳｉ３Ｎ４
膜の積層よりなるチャネル保護膜１１１３を連続的に堆
積する（図１１（ａ））。ＳｉＯ２の成膜にはＴＥＯＳ
と酸素の混合ガスを、微結晶シリコンの成膜にはシラン
と水素の混合ガスを、またＳｉ３Ｎ４膜の成膜にはシラ
ン、アンモニア、窒素、及び水素の混合ガスを用いた。
の薄膜形成装置を用いて、金属からなる線状材料１１１
０の表面に、ＳｉＯ２膜よりなるゲート絶縁膜１１１１
を連続的に堆積し、続けて同様の装置を用いて微結晶シ
リコンよりなる半導体薄膜１１１２を連続的に堆積し、
更に続けて同様の方法を用いてＳｉＯ２膜とＳｉ３Ｎ４
膜の積層よりなるチャネル保護膜１１１３を連続的に堆
積する（図１１（ａ））。ＳｉＯ２の成膜にはＴＥＯＳ
と酸素の混合ガスを、微結晶シリコンの成膜にはシラン
と水素の混合ガスを、またＳｉ３Ｎ４膜の成膜にはシラ
ン、アンモニア、窒素、及び水素の混合ガスを用いた。
【００７８】続いて、（第８の実施例）で示したものと
同様の装置及び方法を用いて、フォトレジストの塗布、
露光、現像などの処理を行い、所定の形状のフォトレジ
ストパターン１１１４を形成する（図１１（ｂ））。
同様の装置及び方法を用いて、フォトレジストの塗布、
露光、現像などの処理を行い、所定の形状のフォトレジ
ストパターン１１１４を形成する（図１１（ｂ））。
【００７９】次に（第２の実施例）で示したものと同じ
構造の装置に、四弗化炭素と酸素の混合ガスのプラズマ
を発生させ、該プラズマを用いてフォトレジストパター
ン１１１４をマスクとしたチャネル保護膜１１１３のエ
ッチングを連続的に行う。本工程では、（第２の実施
例）で示した装置をドライエッチング装置として用い
た。
構造の装置に、四弗化炭素と酸素の混合ガスのプラズマ
を発生させ、該プラズマを用いてフォトレジストパター
ン１１１４をマスクとしたチャネル保護膜１１１３のエ
ッチングを連続的に行う。本工程では、（第２の実施
例）で示した装置をドライエッチング装置として用い
た。
【００８０】前述と同様、（第８の実施例）で示したも
のと同様の装置及び方法を用いてフォトレジス１１１４
の除去を行い、所定の形状のチャネル保護膜１１１３を
形成した後、表面のチャネル保護膜１１１３が除去され
た微結晶半導体領域の表面をホスフィンと水素の混合ガ
ス、或いはジボランと水素の混合ガスのプラズマ中に晒
すことで、低抵抗半導体領域１１１２Ｓ、１１１２Ｄを
形成する。低抵抗半導体領域１１１２Ｓ及び１１１２Ｄ
の形成も、（第２の実施例）で示したものと同じ構造の
装置にホスフィンと水素、或いはジボランと水素の混合
ガスを導入し、発生させたプラズマ中に該線状材料を通
過させることで実現した。
のと同様の装置及び方法を用いてフォトレジス１１１４
の除去を行い、所定の形状のチャネル保護膜１１１３を
形成した後、表面のチャネル保護膜１１１３が除去され
た微結晶半導体領域の表面をホスフィンと水素の混合ガ
ス、或いはジボランと水素の混合ガスのプラズマ中に晒
すことで、低抵抗半導体領域１１１２Ｓ、１１１２Ｄを
形成する。低抵抗半導体領域１１１２Ｓ及び１１１２Ｄ
の形成も、（第２の実施例）で示したものと同じ構造の
装置にホスフィンと水素、或いはジボランと水素の混合
ガスを導入し、発生させたプラズマ中に該線状材料を通
過させることで実現した。
【００８１】前記線状材料の表面に、（第１の実施例）
で示したスパッタリング装置を用いて、チタンとアルミ
ニウムの積層膜を堆積し、所定の方法でフォトレジスト
パターンの形成、金属膜のエッチング、レジスト除去を
行い、ソース電極１１１５Ｓ、及びドレイン電極１１１
５Ｄを形成する（図１１（ｃ））。その後該線状材料表
面にＳｉ３Ｎ４膜を成膜して、前述と同様の方法で所定
の形状のパッシベーション膜１１１６を形成して、繊維
状スイッチング素子が完成する（図１１（ｄ））。
で示したスパッタリング装置を用いて、チタンとアルミ
ニウムの積層膜を堆積し、所定の方法でフォトレジスト
パターンの形成、金属膜のエッチング、レジスト除去を
行い、ソース電極１１１５Ｓ、及びドレイン電極１１１
５Ｄを形成する（図１１（ｃ））。その後該線状材料表
面にＳｉ３Ｎ４膜を成膜して、前述と同様の方法で所定
の形状のパッシベーション膜１１１６を形成して、繊維
状スイッチング素子が完成する（図１１（ｄ））。
【００８２】本実施例での繊維状スイッチング素子は、
金属からなる線状材料１１１０をゲート電極とするボト
ムゲート型（若しくは逆スタガ型）薄膜トランジスタの
構成を有していることは自明である。この様に連続的に
薄膜トランジスタが形成された繊維状スイッチング素子
は、必要な長さに切断して端部の金属からなる線状材料
１１１０の表面を露出させ、外部電源と接続する。一
方、繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成され
ているソース電極１１１５Ｓも外部電源と接続し、金属
からなる線状材料とソース電極に所定の電圧を印加する
ことで、ドレイン電極１１１５Ｄに任意の電流・電圧を
出力することが可能となる。
金属からなる線状材料１１１０をゲート電極とするボト
ムゲート型（若しくは逆スタガ型）薄膜トランジスタの
構成を有していることは自明である。この様に連続的に
薄膜トランジスタが形成された繊維状スイッチング素子
は、必要な長さに切断して端部の金属からなる線状材料
１１１０の表面を露出させ、外部電源と接続する。一
方、繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に形成され
ているソース電極１１１５Ｓも外部電源と接続し、金属
からなる線状材料とソース電極に所定の電圧を印加する
ことで、ドレイン電極１１１５Ｄに任意の電流・電圧を
出力することが可能となる。
【００８３】また本実施例では、スイッチング素子の構
成として必要最小限の構成を例として示したが、本発明
の要件は繊維状の線状材料表面にスイッチング素子が形
成されている点にあり、スイッチング素子の構成が素子
の機能をより引き出すための構成となっているような場
合でも、本発明の要件から外れるものではないことは明
らかである。
成として必要最小限の構成を例として示したが、本発明
の要件は繊維状の線状材料表面にスイッチング素子が形
成されている点にあり、スイッチング素子の構成が素子
の機能をより引き出すための構成となっているような場
合でも、本発明の要件から外れるものではないことは明
らかである。
【００８４】（第１０の実施例）本発明の実施の形態に
よる織物型表示装置を（図１２）を参照して説明する。
よる織物型表示装置を（図１２）を参照して説明する。
【００８５】本実施例では、（第９の実施例）に示した
繊維状スイッチング素子１２１０を縦糸に、（第８の実
施例）で示した繊維状蛍光体１２２０と絶縁性の線状材
料１２３０、及び導電性の線状材料１２４０を横糸に織
り込んだ構造を有している。繊維状スイッチング素子１
２１０の芯部は金属の線状材料よりなるゲート配線１２
１１Ｇである。また繊維状スイッチング素子１２１０の
表面には、ソース電極１２１２Ｓ及びドレイン電極１２
１２Ｄが孤立的に形成されており、各々の電極形状の円
周方向及びその延長上には、相互に重なり合う部分はな
い形状となっている。繊維状蛍光体１２２０の芯部は導
電性の線状材料１２２２１よりなり、その表面には絶縁
膜を介して蛍光体薄膜１２２２が全面に、また蛍光体薄
膜１２２２と絶縁膜を介して透明電極１２２３が孤立的
に形成されている。繊維状蛍光体１２１０と導電性の線
状材料１２４０は、相互に接触しないように絶縁性の線
状材料１２３０が交互に織り込まれた構造となってい
る。各電極部の繊維状スイッチング素子１２１０のソー
ス電極１２１２Ｓと導電性の線状材料１２４０が相互に
接触し、また繊維状スイッチング素子１２１０のドレイ
ン電極１２１２Ｄと繊維状蛍光体１２２０の透明電極１
２２３が相互に接触した構造となっている。この様な構
造では各線状材料の太さや、ソース１２１２Ｓ、ドレイ
ン電極１２１２Ｄ、透明電極１２２３の形状及びピッチ
により接触位置が決まるため、それらの値を調節するこ
とで、自己整合的に且つ確実に各接触位置での電気的な
接続を得ることができる。
繊維状スイッチング素子１２１０を縦糸に、（第８の実
施例）で示した繊維状蛍光体１２２０と絶縁性の線状材
料１２３０、及び導電性の線状材料１２４０を横糸に織
り込んだ構造を有している。繊維状スイッチング素子１
２１０の芯部は金属の線状材料よりなるゲート配線１２
１１Ｇである。また繊維状スイッチング素子１２１０の
表面には、ソース電極１２１２Ｓ及びドレイン電極１２
１２Ｄが孤立的に形成されており、各々の電極形状の円
周方向及びその延長上には、相互に重なり合う部分はな
い形状となっている。繊維状蛍光体１２２０の芯部は導
電性の線状材料１２２２１よりなり、その表面には絶縁
膜を介して蛍光体薄膜１２２２が全面に、また蛍光体薄
膜１２２２と絶縁膜を介して透明電極１２２３が孤立的
に形成されている。繊維状蛍光体１２１０と導電性の線
状材料１２４０は、相互に接触しないように絶縁性の線
状材料１２３０が交互に織り込まれた構造となってい
る。各電極部の繊維状スイッチング素子１２１０のソー
ス電極１２１２Ｓと導電性の線状材料１２４０が相互に
接触し、また繊維状スイッチング素子１２１０のドレイ
ン電極１２１２Ｄと繊維状蛍光体１２２０の透明電極１
２２３が相互に接触した構造となっている。この様な構
造では各線状材料の太さや、ソース１２１２Ｓ、ドレイ
ン電極１２１２Ｄ、透明電極１２２３の形状及びピッチ
により接触位置が決まるため、それらの値を調節するこ
とで、自己整合的に且つ確実に各接触位置での電気的な
接続を得ることができる。
【００８６】（図１２）に示した実施例において、繊維
状スイッチング素子を構成する導電性の線状材料１２１
１Ｇをゲート配線、ソース電極１２１２Ｓと電気的に接
続された導電性の線状材料１２４０をソース配線、また
繊維状蛍光体１２２０を構成する導電性の線状材料１２
２１をドレイン配線とし、例えばＴＦＴ−ＬＣＤのよう
なアクティブマトリックス型の表示装置と同様の駆動を
外部より行うことにより、ドレイン電極１２１２Ｄと接
触する透明電極１２２３を介して蛍光体薄膜１２２２に
所望の電流電圧を印加することができる。その結果、自
発光型のディスプレイが実現できた。更に、繊維状蛍光
体に用いる蛍光体薄膜を１本置きに赤、青、緑の３原色
の発光を示す蛍光体薄膜とすることにより、多色表示の
表示装置が実現できた。
状スイッチング素子を構成する導電性の線状材料１２１
１Ｇをゲート配線、ソース電極１２１２Ｓと電気的に接
続された導電性の線状材料１２４０をソース配線、また
繊維状蛍光体１２２０を構成する導電性の線状材料１２
２１をドレイン配線とし、例えばＴＦＴ−ＬＣＤのよう
なアクティブマトリックス型の表示装置と同様の駆動を
外部より行うことにより、ドレイン電極１２１２Ｄと接
触する透明電極１２２３を介して蛍光体薄膜１２２２に
所望の電流電圧を印加することができる。その結果、自
発光型のディスプレイが実現できた。更に、繊維状蛍光
体に用いる蛍光体薄膜を１本置きに赤、青、緑の３原色
の発光を示す蛍光体薄膜とすることにより、多色表示の
表示装置が実現できた。
【００８７】本実施例では、繊維状スイッチング素子、
繊維状蛍光体、導電性の線状材料、及び絶縁性の線状材
料を縦糸横糸の関係に織物状に組み合わせた形状とし、
この様な形状に対して上記方法で駆動を行うことで、自
発光型のアクティブマトリックス型表示装置が実現でき
た。繊維状スイッチング素子、繊維状蛍光体、導電性の
線状材料、及び絶縁性の線状材料は、何れも自由に折り
曲げ可能であり、また各々の線状材料は自由に切って使
うことが可能であるため、各々を織物状に組み合わせる
ことで、これまでにないフレキシブルで自由な形状の発
光型表示装置を実現することができる。また強度、電気
抵抗などを鑑みて各々の線状材料の太さを決めることに
より、表示体の面積には殆ど制限を設ける必要がなく、
非常に大面積のディスプレイが実現できる。
繊維状蛍光体、導電性の線状材料、及び絶縁性の線状材
料を縦糸横糸の関係に織物状に組み合わせた形状とし、
この様な形状に対して上記方法で駆動を行うことで、自
発光型のアクティブマトリックス型表示装置が実現でき
た。繊維状スイッチング素子、繊維状蛍光体、導電性の
線状材料、及び絶縁性の線状材料は、何れも自由に折り
曲げ可能であり、また各々の線状材料は自由に切って使
うことが可能であるため、各々を織物状に組み合わせる
ことで、これまでにないフレキシブルで自由な形状の発
光型表示装置を実現することができる。また強度、電気
抵抗などを鑑みて各々の線状材料の太さを決めることに
より、表示体の面積には殆ど制限を設ける必要がなく、
非常に大面積のディスプレイが実現できる。
【００８８】
【発明の効果】本発明の透光性導電性線状材料と透光性
導電性線状材料の製造方法、及び繊維状蛍光体と繊維状
蛍光体の製造方法、及び繊維状スイッチング素子と繊維
状スイッチング素子の製造方法、及び薄膜形成装置、及
び織物型表示装置によれば、従来にない非常にフレキシ
ブルで且つ大面積の表示装置を安価に実現できる。
導電性線状材料の製造方法、及び繊維状蛍光体と繊維状
蛍光体の製造方法、及び繊維状スイッチング素子と繊維
状スイッチング素子の製造方法、及び薄膜形成装置、及
び織物型表示装置によれば、従来にない非常にフレキシ
ブルで且つ大面積の表示装置を安価に実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例による薄膜形成装置の概
念を示す断面構造図
念を示す断面構造図
【図２】本発明の第２の実施例による薄膜形成装置の概
念を示す断面構造図
念を示す断面構造図
【図３】本発明の第３の実施例による薄膜形成装置の概
念を示す断面構造図
念を示す断面構造図
【図４】本発明の第４の実施例による薄膜形成装置の概
念を示す断面構造図
念を示す断面構造図
【図５】本発明の第５の実施例による薄膜形成装置の概
念を示す断面構造図
念を示す断面構造図
【図６】本発明の第６の実施例による透光性導電性線状
材料の構造とその製造方法を示す構造図
材料の構造とその製造方法を示す構造図
【図７】本発明の第７の実施例による繊維状蛍光体の構
造とその製造方法を示す構造図
造とその製造方法を示す構造図
【図８】本発明の第７の実施例による繊維状蛍光体の発
光方法及び発光状態を示す構造図
光方法及び発光状態を示す構造図
【図９】本発明の第８の実施例による繊維状蛍光体の構
造とその製造方法を示す構造図
造とその製造方法を示す構造図
【図１０】本発明の第８の実施例による繊維状蛍光体の
発光方法及び発光状態を示す構造図
発光方法及び発光状態を示す構造図
【図１１】本発明の第９の実施例による繊維状スイッチ
ング素子の構造とその製造方法を示す構造図
ング素子の構造とその製造方法を示す構造図
【図１２】本発明の第１０の実施例による織物型表示装
置の形態を示す構造図
置の形態を示す構造図
１０１ 真空室 １０２ 排気系 １０３ ガス導入系 １０４ ターゲット １０５ 印加電極 １０６ 電源 １０７ アースシールド １０８ 線状材料導入口 １０９ ローラ １１０ 巻き取りロール １１１ 線状材料導出口 １１２ ローラ １１３ 巻き取りロール １２１０ 繊維状スイッチング素子 １２２０ 繊維状蛍光体 １２３０ 絶縁性の線状材料 １２４０ 導電性の線状材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０３Ｃ 25/42 Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｓ ４Ｋ０３０ 25/10 16/40 ４Ｌ０３１ Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｄ０３Ｄ 1/00 Ｚ ４Ｌ０４８ 16/40 15/00 Ｅ ５Ｃ０９４ Ｄ０３Ｄ 1/00 15/12 Ａ ５Ｇ４３５ 15/00 Ｄ０６Ｍ 10/06 15/12 Ｇ０２Ｂ 6/00 Ｄ Ｄ０６Ｍ 10/06 ３０１ 11/45 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ 11/79 ３５４ Ｇ０２Ｂ 6/00 Ｃ０３Ｃ 25/02 Ｔ ３０１ Ｓ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ 25/04 Ｚ ３５４ Ｄ０６Ｍ 11/12 Ｆターム(参考） 2H038 AA42 BA10 4D075 AB03 AB32 AB36 AB38 AE04 BB24Z BB26Z BB29Z CA22 CB06 CB09 DA01 DB01 DB13 DB43 DB48 DB53 DC21 DC24 EA07 EA45 EB43 EC11 4F040 AA27 AB05 AC02 AC09 BA50 CC07 DB12 4G060 BA01 BA05 BC06 BC12 BD07 BD12 BD15 BD22 BD24 CA15 CA17 CA21 CA22 CA26 CA27 CB27 4K029 AA02 AA09 AA11 AA23 BA45 BA49 BA50 BB02 BC07 BC09 BD00 CA01 CA05 CA06 DC13 GA03 4K030 AA06 AA09 AA14 BA44 CA02 CA06 CA07 CA08 DA02 LA11 LA18 4L031 AA17 AA18 AA20 AA25 AA26 AB01 BA09 BA20 BA23 CB05 CB12 CB13 CB14 DA15 4L048 AA03 AA04 AA16 AA21 AA24 AA47 AA52 AB06 AC01 AC13 CA05 5C094 AA07 AA08 AA14 AA43 AA48 AA52 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA05 DA06 DA08 DA11 DA13 DB02 DB04 DB10 EA04 EA05 EA10 EB10 ED01 ED11 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA17 BB05 CC09 CC12 EE11 FF03 FF08 FF11 GG23 GG26 GG27 HH02 HH12 KK05 KK07 KK10
Claims (37)
- 【請求項１】 線状材料が透光性及び導電性を有する線
状材料。 - 【請求項２】 線状材料が透光性ガラス繊維で、前記線
材の表面に透明導電性薄膜が形成されている線状材料。 - 【請求項３】 線状材料が透光性プラスチック繊維で、
前記線状材料の表面に透明導電性薄膜が形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の線状材料。 - 【請求項４】 導電性を有する線状材料の表面に、少な
くとも第１の絶縁性薄膜、第２の蛍光体薄膜、第３の絶
縁性薄膜が順次形成されていることを特徴とする繊維状
蛍光体。 - 【請求項５】 線状材料が金属材料であることを特徴と
する請求項４記載の繊維状蛍光体。 - 【請求項６】 線状材料がガラス繊維の表面に金属膜が
形成されてなることを特徴とする請求項４記載の繊維状
蛍光体。 - 【請求項７】 線状材料がプラスチック繊維の表面に金
属膜が形成されてなることを特徴とする請求項４記載の
繊維状蛍光体。 - 【請求項８】 線状材料が透光性を有していることを特
徴とする請求項１から７のいずれか1項に記載の繊維状
蛍光体。 - 【請求項９】 導電性の線状材料の表面に、少なくとも
第１の絶縁性薄膜、第２の蛍光体薄膜、第３の絶縁性薄
膜、透光性導電性薄膜が順次形成されており、前記透光
性導電性薄膜が線状材料の長手軸方向に所定の間隔で孤
立的に配置されている繊維状蛍光体。 - 【請求項１０】 線状材料が金属材料であることを特徴
とする請求項９記載の繊維状蛍光体。 - 【請求項１１】 線状材料がガラス繊維の表面に金属膜
が形成されてなることを特徴とする請求項９記載の繊維
状蛍光体。 - 【請求項１２】 線状材料がプラスチック繊維の表面に
金属膜が形成されてなることを特徴とする請求項９記載
の繊維状蛍光体。 - 【請求項１３】 線状材料が透光性を有していることを
特徴とする請求９記載の繊維状蛍光体。 - 【請求項１４】 導電性の線状材料の表面にゲート絶縁
膜、一部にソース・ドレイン領域が形成された所定の形
状の半導体薄膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の開口部を介
して半導体薄膜のソース・ドレイン領域と接続された所
定の形状の導電性薄膜が順次形成されてなる薄膜トラン
ジスタが一定の間隔で配置されている繊維状スイッチン
グ素子。 - 【請求項１５】 線状材料を一定の速度で進行させる機
構と、前記線状材料の表面に薄膜を堆積させる手段とを
少なくとも具備することを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項１６】 ターゲットが円筒状の形状を有するス
パッタリング装置であり、前記円筒状ターゲットの内部
を一定速度で線状材料を通過させる機構を有すると同時
に、ターゲット材料よりなる薄膜、若しくはターゲット
材料とスパッタリングに用いるガスとの化合物である薄
膜を前記線状材料の表面に堆積することを特徴とする請
求項１５記載の薄膜形成装置。 - 【請求項１７】 気相中での反応生成物を基材に堆積す
るＣＶＤ装置であり、前記反応生成物が形成される気相
中を一定速度で線状材料を通過させる機構を有すると同
時に、反応生成物よりなる薄膜を前記線状材料の表面に
堆積することを特徴とする請求項１５記載の薄膜形成装
置。 - 【請求項１８】 母材となる材料を真空中において蒸発
させて基材に薄膜を堆積する真空蒸着装置であり、前記
蒸発物の飛翔している領域を一定速度で線状材料を通過
させる機構を有すると同時に、蒸発物よりなる薄膜、若
しくは蒸発物と真空中に導入した反応性ガスとの化合物
である薄膜を前記線状材料の表面に堆積することを特徴
とする請求項１５記載の薄膜形成装置。 - 【請求項１９】 溶液中を一定速度で線状材料を通過さ
せて前記線状材料の表面に溶液を塗布する機構と、前記
線状材料の表面に塗布された溶液を乾燥若しくは一定の
熱処理を施す機構を少なくとも有する薄膜形成装置。 - 【請求項２０】 表面に導電性を有する複数の導電性の
線状材料と少なくともその表面には絶縁性を有する複数
の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置され
ており、前記並行に配置された導電性の線状材料及び絶
縁性の線状材料と交差する位置に、導電性の線状材料の
表面に少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光体薄膜、第２
の絶縁性薄膜が順次形成された複数の繊維状蛍光体が配
置されており、且つ前記導電性の線状材料及び絶縁性の
線状材料と、繊維状蛍光体とが１本ずつ相互に交差して
平面状に織られた構造を有していることを特徴とする織
物型表示装置。 - 【請求項２１】 表面に導電性を有する複数の導電性の
線状材料と少なくともその表面には絶縁性を有する複数
の第１の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配
置されており、前記並行に配置された導電性の線状材料
及び第１の絶縁性の線状材料と交差するように、導電性
の線状材料の表面に少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍光
体薄膜、第２の絶縁性薄膜、及び線状材料の長手軸方向
に所定の間隔で孤立的に配置された透光性導電性薄膜が
順次形成された複数の繊維状蛍光体と少なくともその表
面には絶縁性を有する複数の第２の絶縁性の線状材料が
平面状に並行且つ交互に配置されており、且つ前記導電
性の線状材料及び第１の絶縁性の線状材料と、繊維状蛍
光体及び第２の絶縁性の線状材料とが１本ずつ相互に交
差して平面状に織られた構造を有しており、前記導電性
の線状材料と前記繊維状蛍光体の交差部では導電性の線
状材料と繊維状蛍光体表面に孤立的に形成された透光性
導電性薄膜が電気的に接触していることを特徴とする織
物型表示装置。 - 【請求項２２】 線状材料の表面に一定の間隔でスイッ
チング素子が形成されている複数の繊維状スイッチング
素子と少なくともその表面には絶縁性を有する複数の第
１の絶縁性の線状材料が平面状に並行且つ交互に配置さ
れており、前記並行に配置された繊維状スイッチング素
子及び第１の絶縁性の線状材料と交差するように、導電
性の線状材料の表面に少なくとも第１の絶縁性薄膜、蛍
光体薄膜、第２の絶縁性薄膜、及び線状材料の長手軸方
向に所定の間隔で孤立的に配置された透光性導電性薄膜
が順次形成された複数の繊維状蛍光体と表面に導電性を
有する複数の導電性の線状材料、及び前記繊維状蛍光体
と前記導電性の線状材料との間隙に少なくともその表面
には絶縁性を有する複数の第２の絶縁性の線状材料が平
面状に並行且つ交互に配置されており、且つ前記繊維状
スイッチング素子及び第１の絶縁性の線状材料と、繊維
状蛍光体、導電性の線状材料及び第２の絶縁性の線状材
料とが１本ずつ相互に交差して平面状に織られた構造を
有しており、前記繊維状スイッチング素子と前記繊維状
蛍光体の交差部では繊維状スイッチング素子の表面に孤
立的に形成されている一方の電極と繊維状蛍光体表面に
孤立的に形成された透光性導電性薄膜が電気的に接触し
ており、且つ繊維状スイッチング素子の表面に孤立的に
形成されている他方の電極と導電性の線状材料が電気的
に接触していることを特徴とする織物型表示装置。 - 【請求項２３】 織物型表示装置を構成する導電性の線
状材料が透光性を有することを特徴とする請求項１、
２、３、２０、２１、及び２２記載の織物型表示装置。 - 【請求項２４】 織物型表示装置を構成する絶縁性の線
状材料が透光性を有するガラス繊維若しくはプラスチッ
ク繊維であることを特徴とする請求項２０、２１、及び
２２記載の織物型表示装置。 - 【請求項２５】 織物型表示装置を構成する絶縁性の線
状材料が金属からなる線状材料の表面を透光性の絶縁性
材料で覆った構造を有し、前記絶縁性の線状材料の長手
軸方向と垂直の断面における断面積に占める金属材料の
断面積が５０％以下であることを特徴とする請求項２
０、２１、及び２２記載の織物型表示装置。 - 【請求項２６】 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光
体を形成する導電性の線状材料が透光性を有することを
特徴とする請求項１、２、３、４、８、及び２０記載の
織物型表示装置。 - 【請求項２７】 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光
体を形成する導電性の線状材料が金属材料、若しくはガ
ラス繊維或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成
された線状材料よりなることを特徴とする請求項４、
５、６、７、及び２０記載の織物型表示装置。 - 【請求項２８】 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光
体を形成する導電性の線状材料が透光性を有することを
特徴とする請求項１、２、３、９、１３、２２、及び２
２記載の織物型表示装置。 - 【請求項２９】 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光
体を形成する蛍光体薄膜が有機物を主成分とするエレク
トロルミネセンス材料であることを特徴とする請求項
９、１３、２１、及び２２記載の織物型表示装置。 - 【請求項３０】 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光
体を形成する蛍光体薄膜が無機物を主成分とするエレク
トロルミネセンス材料であることを特徴とする請求項
９、１３、２１、及び２２記載の織物型表示装置。 - 【請求項３１】 織物型表示装置を構成する繊維状蛍光
体を形成する導電性の線状材料が金属材料、若しくはガ
ラス繊維或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成
された線状材料よりなることを特徴とする請求項９、１
０、１１、１２、２１、及び２２記載の織物型表示装
置。 - 【請求項３２】 織物型表示装置を構成する繊維状スイ
ッチング素子を形成する線状材料が導電性の線状材料で
あり、前記導電性の線状材料が金属材料、若しくはガラ
ス繊維或いはプラスチック繊維の表面に金属膜が形成さ
れた線状材料よりなることを特徴とする請求項１４、２
１、及び２２記載の織物型表示装置。 - 【請求項３３】 ガラス繊維若しくはプラスチック繊維
よりなる線状材料を一定の速度で移動させながら、前記
ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よりなる線状材料
の表面に透明導電性薄膜を連続的に堆積することを特徴
とする透光性導電性線状材料の製造方法。 - 【請求項３４】 金属からなる線状材料を一定の速度で
移動させながら、前記金属からなる線状材料の表面に第
１の絶縁性薄膜、第２の蛍光体薄膜、第３の絶縁性薄膜
を連続的に堆積することを特徴とする繊維状蛍光体の製
造方法。 - 【請求項３５】 ガラス繊維若しくはプラスチック繊維
よりなる線状材料を一定の速度で移動させながら、前記
ガラス繊維若しくはプラスチック繊維よりなる線状材料
の表面に金属薄膜若しくは透明導電性薄膜を堆積後、続
けて第１の絶縁性薄膜、第２の蛍光体薄膜、第３の絶縁
性薄膜を連続的に堆積することを特徴とする繊維状蛍光
体の製造方法。 - 【請求項３６】 導電性の線状材料を一定の速度で移動
させながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記
ゲート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜
のパターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域
に順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成す
る行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続
的に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に
順次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後
導電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ド
レイン電極を形成する行程を少なくとも経て、前記導電
性の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜トランジスタを
連続的に形成したことを特徴とする繊維状スイッチング
素子の製造方法。 - 【請求項３７】 導電性の線状材料を一定の速度で移動
させながら表面にゲート絶縁膜を堆積する行程と、前記
ゲート絶縁膜の表面に所定の間隔で連続的に半導体薄膜
のパターンを形成する行程と、半導体薄膜の所定の領域
に順次不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成す
る行程と、導電性の線状材料の表面に層間絶縁膜を連続
的に堆積した後半導体薄膜のソース・ドレイン領域上に
順次開口部を形成する行程と、導電性薄膜を堆積した後
導電性薄膜を順次所定のパターンに加工してソース・ド
レイン電極を形成する行程と、導電性の線状材料の表面
に絶縁性の保護膜を連続的に堆積した後ソース・ドレイ
ン電極上に順次開口部を形成する行程とを少なくとも経
て、前記導電性の線状材料の表面に所定の間隔で薄膜ト
ランジスタを連続的に形成したことを特徴とする繊維状
スイッチング素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001059601A JP4352621B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 透光性導電性線状材料、繊維状蛍光体及び織物型表示装置 |
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|---|---|
| JP2002258775A true JP2002258775A (ja) | 2002-09-11 |
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Cited By (13)
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|---|---|---|---|---|
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