KR101579101B1 - 유기 반도체 소자 및 이의 제조 방법, 이를 이용한 직물 구조체 및 부직물 구조체, 그리고 이를 이용한 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 반도체 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 반도체 소자는 소오스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴을 포함하는 선형 파이버; 상기 선형 파이버를 둘러싸는 유기 반도체 물질층; 상기 유기 반도체 물질층을 둘러싸는 커버층; 및 상기 커버층의 둘레를 따라 연장되어 상기 커버층의 외면에 감긴 선형 게이트 전극을 포함한다.

Description

유기 반도체 소자 및 이의 제조 방법, 이를 이용한 직물 구조체 및 부직물 구조체, 그리고 이를 이용한 반도체 장치 {ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, FABRIC STRUCTURE AND NONWOVEN STRUCTURE USING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, FABRIC STRUCTURE OR NONWOVEN STRUCTURE}
본 발명은 유기 반도체 소자, 그리고 이를 이용한 직물 구조체 및 부직물 구조체, 그리고 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 선형 소오스 전극, 선형 드레인 전극 및 선형 게이트 전극 중 적어도 어느 하나가 코일 형상인 유기 반도체 소자, 이를 이용한 직물 구조체 및 부직물 구조체, 그리고 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것이다.
최근 활성층(active layer)이 유기 반도체 물질로 제조되는 OFET(Organic Field Effect Transistor) 및 OECT(Organic Electrochemical Transistor)에 대한 관심이 증가하고 있다. 특히, 텍스타일 소자의 제조를 위해, OFET 또는 OECT를 이용한 단위 필라멘트 소자에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
공개번호 10-2010-0057449호
OFET 또는 OECT의 제조를 위해, 갭을 사이에 두고 하나의 파이버 상에 소오스 전극 패턴과 드레인 전극 패턴이 형성된 구조를 이용하기도 하는데, 이 때 필수적으로 코팅된 파이버를 패터닝하는 패터닝 공정이 뒤따르게 된다. 그러나, 패터닝 공정은 상대적으로 복잡하고 고비용의 공정이다.
OFET 또는 OECT를 이용한 단위 필라멘트 소자와 관련하여, 소오스 파이버(fiber), 드레인 파이버 및 게이트 파이버를 효과적인 배치가 필요하다.
위와 같은 문제점으로부터 안출된 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 패터닝 공정을 수행하지 않고 제조 가능한 유기 반도체 소자, 이를 이용한 텍스타일 구조체를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 소오스 파이버(fiber), 드레인 파이버 및 게이트 파이버가 효과적으로 배치되어 단위 필라멘트 소자로서 유용하게 이용될 수 있는 유기 반도체 소자, 이를 이용한 직물 구조체 및 부직물 구조체, 그리고 이를 이용한 반도체 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 언급된 기술적 과제들을 해결하기 위한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 반도체 소자는, 소오스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴을 포함하는 선형 파이버; 상기 선형 파이버를 둘러싸는 유기 반도체 물질층; 상기 유기 반도체 물질층을 둘러싸는 커버층; 및 상기 커버층의 둘레를 따라 연장되어 상기 커버층의 외면에 감긴 선형 게이트 전극을 포함한다.
상기 언급된 기술적 과제들을 해결하기 위한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 반도체 소자는, 선형 게이트 전극; 상기 선형 게이트 전극을 둘러싸는 커버층; 상기 커버층을 둘러싸는 유기 반도체 물질층; 및 상기 유기 반도체 물질층의 둘레를 따라 연장되어 상기 유기 반도체 물질층의 외면에 각각 감긴 선형 소오스 전극 및 선형 드레인 전극을 포함하고, 상기 선형 소오스 전극과 상기 선형 드레인 전극은 이격되어 상기 유기 반도체 물질층의 외면에 감긴다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 패터닝 공정을 수행하지 않고 선형 소오스 전극 및 선형 드레인 전극을 제조할 수 있기 때문에, 상대적으로 간단한 공정을 이용하여 유기 반도체 소자를 제조할 수 있으며, 제조 비용을 줄일 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 단순한 제조 과정을 통해 유기 반도체 소자를 제조할 수 있으며, 제조된 유기 반도체 소자의 구조 상 단위 필라멘트 소자로 이용하기 편리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자를 섬유로 이용하는 직물 구조체의 개념도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 소자, 직물 구조체 또는 부직물 구조체를 포함하는 웨어러블 장치의 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자에 대해 설명하기로 한다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 소자를 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도가 개시된다.
유기 반도체 소자는 소오스 전극 패턴(20) 및 드레인 전극 패턴(30)을 포함하는 선형 파이버(10), 유기 반도체 물질층(40), 커버층(50) 및 선형 게이트 전극(60)을 포함할 수 있다. 유기 반도체 소자는 예컨대 외부 환경 상태를 감지하는 센서로서 이용할 수 있으며, 구체적으로 이산화탄소와 같은 대기 오염 가스나, UV와 같은 유해 자외선 등이 감지 대상 물질일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 즉, 외부 환경에 감지 대상 물질이 존재하면, (1) 유기 반도체 소자가 OFET(Organic Field Effect Transistor)인 경우, 유기 반도체 물질층(40)이 감지 대상 물질의 영향을 받아 유기 반도체 물질층(40)의 채널 영역을 통해 소오스 전극 패턴(20)과 드레인 전극 패턴(30) 사이에 전류가 흐를 수 있도록 변화를 일으킬 수 있고, (2) 유기 반도체 소자가 OECT(Organic Electrochemical Transistor)인 경우, 전해질 물질을 포함하는 커버층(50)이 감지 대상 물질의 영향을 받아 유기 반도체 물질층(40)의 채널 영역을 통해 소오스 전극 패턴(20)과 드레인 전극 패턴(30) 사이에 전류가 흐를 수 있도록 변화를 일으킬 수 있다.
선형 파이버(10)는 소오스 전극 패턴(20) 및 드레인 전극 패턴(30)을 포함할 수 있으며, 제1 방향으로 연장될 수 있다. 예컨대, 소오스 전극 패턴(20) 및 드레인 전극 패턴(30)이 선형 파이버(10)의 연장 방향을 따라 이격되어 선형 파이버(10) 상에 각각 형성된 것일 수 있다. 따라서, 소오스 전극 패턴(20)과 드레인 전극 패턴(30) 사이에는 갭(15)이 형성될 수 있다. 갭(15)은 본 발명의 유기 반도체 소자에서 채널 영역으로 기능할 수 있으며, 갭(15)의 길이는 채널 거리(channel length)로서 예컨대 약 100um 일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
소오스 전극 패턴(20) 및 드레인 전극 패턴(30)은 도전성 패턴일 수 있으며, 각각 소오스 및 드레인으로 기능할 수 있다. 구체적으로, 소오스 전극 패턴(20) 및 드레인 전극 패턴(30)은 금(Au) 또는 PEDOT:PSS으로 형성된 도전성 패턴일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
선형 파이버(10)는 폴리머로 형성된 선형 폴리머 파이버(polymer fiber)일 수 있다. 따라서, 선형 파이버(10) 중 소오스 전극 패턴(20)과 드레인 전극 패턴(30) 사이에 위치한 부분인 갭(15)에는 폴리머가 노출될 수 있으며, 갭(15)의 폴리머는 예컨대 유기 반도체 물질층(40)에 접할 수 있다.
유기 반도체 물질층(40)은 유기 반도체 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대, 펜타센(pentacene)이나, P3HT(Poly-3-Hexylthiophene)과 PEDOT:PSS 등의 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
유기 반도체 물질층(40)은 선형 파이버(10)를 둘러쌀 수 있으며, 선형 파이버(10)는 유기 반도체 물질층(40) 내에 배치될 수 있다. 따라서, 유기 반도체 물질층(40) 역시 제1 방향으로 연장될 수 있다.
커버층(50)은 유기 반도체 물질층(40)을 둘러쌀 수 있으며, 커버층(50) 내에 소오스 전극 패턴(20) 및 드레인 전극 패턴(30)을 포함하는 선형 파이버(10)와, 유전 반도체 물질층(10)이 배치될 수 있다. 그리고, 커버층(50)은 제1 방향으로 연장될 수 있다.
커버층(50)은 전해질 물질 및 유전체 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 커버층(50)이 전해질 물질을 포함하는 경우, 유기 반도체 소자는 OECT일 수 있으며, 커버층(50)이 유전체 물질을 포함하는 경우, 유기 반도체 소자는 OFET일 수 있다.
커버층(50)이 전해질 물질을 포함하는 경우, 커버층(50)은 외부의 감지 대상 물질의 영향을 받을 수 있다. 예컨대, 전해질 물질은 이온성 액체(Ionic Liquid)인 전해질로 구성되거나, 고체인 전해질로 구성될 수 있으며, 이들이 혼합된 전해질로 구성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또한, 전해질 물질은 1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imde ([EMIM][Ntf2])와 poly(vinylidene fluoride)-hexafluoroprophlene (PVDF-HFP)가 블렌딩(blending)되어 형성되거나, 나피온(Nafion)과 폴리 비닐 알코올(poly(vinyl alcohol))이 블렌딩되어 형성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
커버층(50)이 유전체 물질을 포함하는 경우, 유기 반도체 물질층(40)이 외부의 감지 대상 물질의 영향을 받을 수 있다. 유기 반도체 물질층(40)은 커버층(50) 내에 배치되어 있지만, 외부의 감지 대상 물질이 커버층(50)을 통과하여 유기 반도체 물질층(40)에 도달할 수 있다.
선형 게이트 전극(60)은 커버층(50)의 둘레를 따라 연장되어 커버층(50)의 외면에 감길 수 있으며, 예컨대, 금, 은, 구리, 알루미늄 등의 금속 물질이나, 전도성 고분자 물질, 탄소계 물질 등으로 이루어질 수 있으며, 구체적으로, 알루미늄(Al) 또는 금(Au)을 포함하는 와이어일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 구체적으로, 선형 게이트 전극(60)은 커버층(50)의 둘레를 따라 나선형을 이루면서 연장될 수 있고, 전체적으로 커버층(50)의 연장 방향인 제1 방향을 따라 연장될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 반도체 소자는 코일형(coiled type) OECT 장치이거나 코일형 OFET 장치일 수 있으며, 단위 모노필라멘트(monofilament)로 이용될 수 있다. 본 발명에 따른 유기 반도체 소자는 구조적으로 한 방향으로 연장된 1 차원(dimensional) 소자이기 때문에, 단위 모노필라멘트로 이용되기 용이할 수 있다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 소자를 설명한다. 다만, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 소자와의 차이점을 위주로 설명한다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도가 개시된다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 소자에서 선형 게이트 전극(60)은 커버층(50)의 둘레를 따라 원형을 이루면서 연장될 수 있다. 예컨대, 선형 게이트 전극(60)은 갭(15)이 위치한 영역의 커버층(50)의 둘레를 따라 원형을 이루면서 연장될 수 있지만, 선형 게이트 전극(60)의 배치 위치는 이에 제한되지 않는다.
도 3을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 반도체 소자를 설명한다. 다만, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 소자와의 차이점을 위주로 설명하며, 구체적으로 선형 게이트 전극, 선형 소오스 전극 및 선형 드레인 전극의 위치에 있어서 차이가 있을 수 있다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도가 개시된다.
유기 반도체 소자는 선형 게이트 전극(60), 커버층(50), 유기 반도체 물질층(40), 선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)을 포함할 수 있다.
선형 게이트 전극(60)은 제1 방향으로 연장될 수 있으며, 코일형이 아닌 직선형일 수 있다.
커버층(50)은 선형 게이트 전극(60)을 둘러쌀 수 있으며, 선형 게이트 전극(60)은 커버층(50) 내에 배치될 수 있다. 따라서, 커버층(50) 역시 제1 방향으로 연장될 수 있다.
커버층(50)이 전해질 물질을 포함하는 경우, 커버층(50)이 외부의 감지 대상 물질의 영향을 받을 수 있다. 커버층(50)이 유기 반도체 물질층(40) 내에 배치되어 있지만, 외부의 감지 대상 물질이 유기 반도체 물질층(40)을 통과하여 커버층(50)에 도달할 수 있다.
유기 반도체 물질층(40)은 커버층(50)을 둘러쌀 수 있으며, 유기 반도체 물질층(40) 내에 선형 게이트 전극(60)과 커버층(50)이 배치될 수 있다. 그리고, 유기 반도체 물질층(40)은 제1 방향으로 연장될 수 있다.
선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)은 유기 반도체 물질층(40)의 둘레를 따라 연장되어 유기 반도체 물질층(40)의 외면에 각각 감길 수 있으며, 구체적으로 선형 소오스 전극(120)과 선형 드레인 전극(130)은 서로 이격되어 유기 반도체 물질층(40)의 외면에 감길 수 있다. 예컨대, 선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)은 유기 반도체 물질층(40)의 둘레를 따라 나선형을 이루면서 각각 연장될 수 있으며, 전체적으로 유기 반도체 물질층(40)의 연장 방향인 제1 방향을 따라 각각 연장될 수 있다. 다만, 선형 소오스 전극(120)과 선형 드레인 전극(130)은 서로 이격되어 평행하게 유기 반도체 물질층(40)의 둘레를 따라 나선형을 이루면서 각각 연장되기 때문에, 선형 소오스 전극(120)과 선형 드레인 전극(130)은 서로 겹치거나 만나지 않을 수 있다.
그리고, 선형 소오스 전극(120)과 선형 드레인 전극(130) 사이의 이격된 거리는 본 발명의 유기 반도체 소자에서 채널 거리(channel length)가 될 수 있으며, 예컨대 약 100um일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)은 선형의 도전체일 수 있으며, 각각 소오스 및 드레인으로 기능할 수 있다. 선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)은 예컨대, 금, 은, 구리, 알루미늄 등의 금속 물질이나, 전도성 고분자 물질, 탄소계 물질 등으로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 구체적으로, 선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)은 에컨대 금(Au)을 포함하는 와이어이거나, 폴리머 파이버(polymer fiber) 상에 금(Au) 또는 PEDOT:PSS가 증착된 것일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 즉, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자에 따르면, 선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)이 패터닝 공정을 거치지 않고 형성된 것이기 때문에, 제조 비용 및 시간을 절약할 수 있다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 반도체 소자를 설명한다. 다만, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 반도체 소자와의 차이점을 위주로 설명한다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 반도체 소자의 사시도가 개시된다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 반도체 소자에서 선형 소오스 전극(120) 및 선형 드레인 전극(130)은 유기 반도체 물질층(40)의 둘레를 따라 원형을 이루면서 각각 연장될 수 있으며, 서로 이격되어 평행할 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자를 섬유로 이용하는 직물 구조체을 설명한다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자를 섬유로 이용하는 직물 구조체의 개념도가 개시된다.
도 5를 참조하면, 직물 구조체는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자를 섬유로 이용할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자는 선형으로 연장될 수 있으며, 유연성을 가진 소재로 제조될 수 있기 때문에, 직물 구조체를 제조하기 위한 섬유로 이용가능할 수 있다.
한편, 몇몇 실시예에서 부직물 구조체는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자를 섬유로 이용할 수 있다. 그리고, 직물 구조체 또는 부직물 구조체는 예컨대, 망상, 그리드상, 부직 구조 등을 가지는 제직물 또는 니트(knit) 등일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 소자, 직물 구조체 또는 부직물 구조체를 포함하는 웨어러블 장치를 설명한다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 소자, 직물 구조체 또는 부직물 구조체를 포함하는 웨어러블 장치의 개념도가 개시된다.
본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자, 직물 구조체 또는 부직물 구조체를 포함할 수 있다. 반도체 장치는 예컨대, 센서, 태양 전지, 디스플레이, 웨어러블(wearable) 장치 등에 적용될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
일례로, 반도체 장치가 웨어러블 장치에 적용되는 경우를 설명한다. 본 발명의 실시예들에 따른 유기 반도체 소자는 감지 대상 물질을 감지할 수 있는 센서의 역할 수 있으며, 구조 및 재료적인 특성상 직물 구조체 또는 부직물 구조체를 제조하기 위해 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 직물 구조체 또는 부직물 구조체를 이용하여 웨어러블 장치를 제조함으로써, 웨어러블 장치가 이산화탄소와 같은 대기 오염 가스나, UV와 같은 유해 자외선 등의 감지 대상 물질이 외부 환경에 있는 것을 감지하여 사용자에게 알려줄 수 있다. 웨어러블 장치는 예컨대, 의복의 형태로 제조될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 선형 파이버 12: 도전성 코팅
15: 갭 20: 소오스 전극 패턴
30: 드레인 전극 패턴 40: 유기 반도체 물질층
50: 커버층 60: 선형 게이트 전극
120: 선형 소오스 전극 130: 선형 드레인 전극

Claims (14)

  1. 소오스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴을 포함하는 선형 파이버;
    상기 선형 파이버를 둘러싸는 유기 반도체 물질층;
    상기 유기 반도체 물질층을 둘러싸는 커버층; 및
    상기 커버층의 둘레를 따라 연장되어 상기 커버층의 외면에 감긴 선형 게이트 전극
    을 포함하고,
    상기 선형 게이트 전극은 상기 커버층의 둘레를 따라 나선형을 이루면서 연장되고, 전체적으로 상기 커버층의 연장 방향을 따라 연장되는 것인, 유기 반도체 소자.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소오스 전극 패턴 및 상기 드레인 전극 패턴은 상기 선형 파이버의 연장 방향을 따라 이격되어 상기 선형 파이버 상에 각각 형성된 것인, 유기 반도체 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 선형 파이버는 선형 폴리머 파이버이고,
    상기 선형 파이버 중 상기 소오스 전극 패턴과 상기 드레인 전극 패턴 사이에 위치한 부분은 폴리머가 노출된 것인, 유기 반도체 소자.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 커버층은 전해질 물질 및 유전체 물질 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유기 반도체 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 유기 반도체 물질층은 전도성 고분자 물질을 포함하는 것인, 유기 반도체 소자.
  10. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 하나의 항에 기재된 유기 반도체 소자를 섬유로 이용하는 직물 구조체.
  11. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 하나의 항에 기재된 유기 반도체 소자를 섬유로 이용하는 부직물 구조체.
  12. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 하나의 항에 기재된 유기 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치.
  13. 제10항에 기재된 직물 구조체를 포함하는 반도체 장치.
  14. 제11항에 기재된 부직물 구조체를 포함하는 반도체 장치.
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