JP4027384B2 - 可溶性ポリイミド樹脂を含有する絶縁膜およびそれを用いた全有機薄膜トランジスタ - Google Patents
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Description
・・・式(1)
・・・式(2)
前記式(1)または式(2)において、
は、
,
,
,
,
,
,
,
,
,
から選ばれた1種または2種以上の4価基であって、必ず構造式(a)、(b)、(c)、(d)および(e)から選ばれた1種または2種以上の脂環式系4価基を含み;および
は、それぞれ
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
(この際、nは1〜30範囲の自然数)から選ばれた1種以上の2価基であって、 必ず前記
l(小文字のエル)およびmはそれぞれ1〜300範囲の自然数を示す。
攪拌機および窒素注入装置付きの250mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら3,5−ジニトロアニリン9.2g(0.05mole)を反応溶媒である酢酸50mLに溶解した後、窒素ガスを通しながら2−オクタデセン−1−イルコハク酸無水物9.1g(0.05mole)を入れ、24時間還流させた。反応溶液を常温に冷却した後、析出された固体を得た。得られた固体をメタノールで再結晶して1−(3,5−ジニトロフェニル)−3−(1−オクタデセン)−スクシニックイミド(DN−IM−18)を製造した(収率63%)。
NMPとエタノール(1/3体積比)100mLに前記製造例1で得られたDN−IM−18 10.3g(0.02mole)を溶解した後、Pd/C(5%)触媒(炭素粒子の表面に金属パラジウムを5%の量で塗布した触媒)0.5gとともに水素反応器に入れた後、60℃で2時間還元反応を行った。反応混合物を濾過した後、反応溶媒を減圧蒸留した。ヘキサン/酢酸エチルの共溶媒中で再結晶して6.87gの1−(3,5−ジアミノフェニル)−3−オクタデシル−スクシニックイミド(DA−IM−18)を製造した(収率75%)。
攪拌機、窒素注入装置付きの500mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながらメチレンジアニリン19.8g(0.1mole)を反応溶媒のN−メチル−2−ピロリドンに溶解した後、窒素ガスを通しながら固体状の1,2,3,4,−シクロペンタンテトラカルボン酸無水物19.6g(0.1mole)を徐々に添加した。この際、固形分濃度(solid content)は15質量%に固定し、反応温度を0℃以下に保持しながら36時間攪拌してポリアミック酸溶液(CPAA)を得た。
攪拌機、温度調節装置、窒素注入装置および冷却器付きの250mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例2で得られた1−(3,5−ジアミノフェニル)−3−オクタデシル−スクシニックイミド(DA−IM−18)9.15g(0.02mole)を反応溶媒のN−メチル−2−ピロリドンに溶解した後、窒素ガスを通しながら固体状のジオキソテトラヒドロフリル−3−メチルシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸二無水物5.28g(0.02mole)を徐々に添加した。この際、固形分濃度(solid content)は20質量%に固定し、反応温度を0℃以下に保持しながら24時間攪拌してポリアミック酸溶液(SPI)を得た。このポリアミック酸溶液に酢酸無水物6.12g(0.06mole)とピリジン0.1g(0.1mole)を入れ、常温で24時間攪拌した後、120℃で3時間攪拌した後、メタノールに数回洗浄して可溶性ポリイミド(SPI)を得た。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸溶液50gと製造例4で得られた可溶性ポリイミド0.15gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン80g、γ−ブチロラクトン120gおよび2−n−ブトキシエタノール60gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸溶液50gと前記製造例4で得られた可溶性ポリイミド0.4gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン80g、γ−ブチロラクトン120g、2−n−ブトキシエタノール60gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸溶液50gと前記製造例4で得られた可溶性ポリイミド0.8gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン80g、γ−ブチロラクトン120g、2−n−ブトキシエタノール60gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸溶液50gと、前記製造例4で得られた可溶性ポリイミド3.2gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン75g、γ−ブチロラクトン120g、2−n−ブトキシエタノール60gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸溶液50gと前記製造例4で得られた可溶性ポリイミド7.5gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン75g、γ−ブチロラクトン120g、2−n−ブトキシエタノール60gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000vの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸溶液50gと前記製造例4で得られた可溶性ポリイミド1.75gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン75g、γ−ブチロラクトン120g、2−n−ブトキシエタノール60gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸溶液50gと前記製造例4で得られた可溶性ポリイミド6.75gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン75g、γ−ブチロラクトン120g、2−n−ブトキシエタノール60gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例4で得られた可溶性ポリイミド(SPI)樹脂32.5gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン52g、γ−ブチロラクトン52g、2−n−ブトキシエタノール26gに入れ、24時間攪拌して20mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
攪拌機、窒素注入装置付きの1000mLの反応器に、窒素ガスを徐々に通しながら前記製造例3で得られたポリアミック酸(CPAA)溶液20gを希釈溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン34g、γ−ブチロラクトン50g、2−n−ブトキシエタノール25gに入れ、24時間攪拌して25mPa・s(cps)の粘度を有する溶液を製造した。
前記実施例1〜7および比較例1〜2に従って製造された溶液を、ITOガラス板上に0.05〜0.2μmの厚さにスピンコートした後、230℃の温度で30分間熱硬化して薄膜を製造した。前記で製造された薄膜の物性を測定して下記表1に示す。
前記表1に示したように、可溶性ポリイミド樹脂単独成分が含まれた比較例1の固有粘度は0.11dL/gであり、ポリアミック酸単独成分が含まれた比較例2の固有粘度は1.0dL/gであり、これらは全て明るい琥珀色の透明な樹脂であることを確認した。また、前記比較例1と比較例2の樹脂は、溶媒鋳型によるフィルム性形成および機械的特性に非常に優れていた。
前記実施例1〜7と比較例1〜2で製造した可溶性溶液をスピンコートして3000〜5000Åの厚さに薄膜化した後、90℃の温度で2分間熱処理して溶媒を除去した後、150〜210℃の温度で1〜60分間乾燥した。
実施例1〜7と比較例1〜2で製造した薄膜の電気的絶縁特性を評価するために、金電極−ポリイミド薄膜−金電極(MIM)構造を有する簡単な素子をガラスとプラスチック基板上に素子の製作と同じ条件で真空蒸着とスピンコートを通じて製作した。
本発明の光硬化ポリイミドを用いて有機薄膜トランジスタを製作し、その特性を測定した。
しきい値電圧は
図1〜4は、それぞれ実施例1(BPAA−1)と実施例3(BPAA−3)をゲート誘電体に導入して製造した全有機薄膜トランジスタ素子のゲート電圧によるドレイン電圧−ドレイン電流およびドレイン電圧によるゲート電圧−ドレイン電流曲線を測定して示したものである。
以外にも、実施例1〜7および比較例1〜2から製造された有機薄膜トランジスタの特性をまとめ、その結果を下記表3に示す。
Claims (11)
- 下記式(1)で表される可溶性ポリイミド樹脂と下記式(2)で表されるポリアミック酸誘導体との混合組成物を含んでなることを特徴とする絶縁膜。
・・・式(1)
・・・式(2)
前記式(1)または式(2)において、
は、
から選ばれた1種または2種以上の4価基であって、必ず構造式(a)、(b)、(c)、(d)および(e)から選ばれた1種または2種以上の脂環式系4価基を含み;および
は、それぞれ
は 前記構造式(f)のアルキルスクシニックイミド側鎖を有する芳香族2価基を含み;
lおよびmはそれぞれ1〜300範囲の自然数を示す。 - 前記式(1)で表される可溶性ポリイミド樹脂と前記式(2)で表されるポリアミック酸誘導体が1〜99質量%:1〜99質量%の混合比で含有されていることを特徴とする請求項1記載の絶縁膜。
- 前記式(1)で表される可溶性ポリイミド樹脂の固有粘度が0.1〜1.5dL/gの範囲であり、質量平均分子量が5,000〜150,000g/molの範囲であることを特徴とする請求項1又は2に記載の絶縁膜。
- 前記式(1)で表される可溶性ポリイミド樹脂は、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、アセトン、酢酸エチルおよびγ−ブチロラクトンから選ばれた溶媒に対して溶解特性を有することを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項に記載の絶縁膜。
- 前記式(2)で表されるポリアミック酸誘導体の固有粘度が0.3〜2.00dL/g範囲であり、ポリアミック酸誘導体の質量平均分子量10,000〜200,000g/molの範囲であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の絶縁膜。
- 前記式(2)で表されるポリアミック酸誘導体のイミド化温度範囲が130〜300℃であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の絶縁膜。
- 前記1乃至6のいずれか1項に記載の絶縁膜を有する全有機薄膜トランジスタ。
- 前記絶縁膜をスピンコーティング、インクジェットプリンティング又はディッピングの方法でコーティングして製造することを特徴とする請求項7に記載の全有機薄膜トランジスタ。
- 前記絶縁膜が30〜500nm厚さの範囲でコーティングされることを特徴とする請求項7又は8に記載の全有機薄膜トランジスタ。
- 前記絶縁膜の上部表面に、ペンタセン、金属フェタロシアニン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびそれらの誘導体から選ばれた1種または2種以上の化合物を蒸着させて有機活性層をさらに形成することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の全有機薄膜トランジスタ。
- 前記全有機薄膜トランジスタは電界移動度が0.1〜10cm2/Vsの範囲を保持することを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の全有機薄膜トランジスタ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040087403A KR100622026B1 (ko) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 가용성 폴리이미드 수지를 함유한 절연막 및 이를 이용한전유기 박막 트랜지스터 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006124650A JP2006124650A (ja) | 2006-05-18 |
JP4027384B2 true JP4027384B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=36719682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005250338A Expired - Fee Related JP4027384B2 (ja) | 2004-10-29 | 2005-08-30 | 可溶性ポリイミド樹脂を含有する絶縁膜およびそれを用いた全有機薄膜トランジスタ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4027384B2 (ja) |
KR (1) | KR100622026B1 (ja) |
TW (1) | TWI270321B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101385856B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2014-04-17 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 게이트 절연막용 도포액, 게이트 절연막 및 유기 트랜지스터 |
KR100774616B1 (ko) * | 2006-06-15 | 2007-11-12 | 한국화학연구원 | 낮은 선경사각을 갖는 액정배향막용 폴리아믹산 조성물 및이로부터 제조된 가용성 폴리이미드 수지 |
KR100792037B1 (ko) * | 2006-06-17 | 2008-01-04 | 한국화학연구원 | 편광자외선을 이용한 신규 폴리아믹산 광배향막 및 그의 제조방법 |
KR100822679B1 (ko) | 2006-12-05 | 2008-04-17 | 전남대학교산학협력단 | 광염기 발생제를 함유한 포지티브형 감광성 폴리이미드조성물 |
JP5077558B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-11-21 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤および液晶表示素子 |
JP5071659B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2012-11-14 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤および液晶表示素子 |
JP5293927B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2013-09-18 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤および液晶表示素子 |
JP5105071B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-12-19 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤および液晶表示素子 |
KR100847464B1 (ko) * | 2007-03-02 | 2008-07-21 | 제일모직주식회사 | 액정배향제 및 이를 이용하여 제조된 액정배향막 |
JP5013105B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-08-29 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤および液晶表示素子 |
JP5013106B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2012-08-29 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤および液晶表示素子 |
JP4905701B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-03-28 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤と液晶表示素子 |
KR100882586B1 (ko) | 2007-10-10 | 2009-02-13 | 제일모직주식회사 | 액정 광배향제, 이를 포함하는 액정 광배향막, 및 이를포함하는 액정 표시 장치 |
KR101070190B1 (ko) * | 2007-11-14 | 2011-10-05 | 한국화학연구원 | 저온경화형 폴리아믹산 수지 조성물로부터 제조된폴리이미드 절연막 및 이를 이용한 전유기 박막 트랜지스터 |
US9024312B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-05-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Substrate for flexible device, thin film transistor substrate for flexible device, flexible device, substrate for thin film element, thin film element, thin film transistor, method for manufacturing substrate for thin film element, method for manufacturing thin film element, and method for manufacturing thin film transistor |
JP2011233858A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜素子、および薄膜トランジスタ |
KR101421913B1 (ko) * | 2010-11-01 | 2014-07-22 | 바스프 에스이 | 유전체로서의 폴리이미드 |
JPWO2018061820A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2019-04-11 | 富士フイルム株式会社 | ボトムゲート型有機半導体トランジスタ |
KR102079423B1 (ko) | 2016-10-31 | 2020-02-19 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드 필름 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 폴리이미드 필름 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06136120A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-17 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 可溶性ポリイミドの製造方法 |
KR100753745B1 (ko) * | 2002-04-29 | 2007-08-31 | 삼성전자주식회사 | 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 |
KR100491944B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-05-30 | 한국화학연구원 | 이미드 고리 함유 측쇄기를 갖는 액정배향막용 폴리아믹산유도체 |
KR100552135B1 (ko) * | 2004-06-14 | 2006-02-14 | 한국화학연구원 | 액정배향막 조성물 |
-
2004
- 2004-10-29 KR KR1020040087403A patent/KR100622026B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-08-26 TW TW094129302A patent/TWI270321B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-08-30 JP JP2005250338A patent/JP4027384B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200614870A (en) | 2006-05-01 |
KR20060038196A (ko) | 2006-05-03 |
TWI270321B (en) | 2007-01-01 |
JP2006124650A (ja) | 2006-05-18 |
KR100622026B1 (ko) | 2006-09-19 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070829 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070918 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071009 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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