JP3992645B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置に関するもので、特にBIP−ICの中に接合型電解効果トランジスタ(以下J−FETと呼ぶ)を形成した半導体集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
J−FETは、BIP型素子に比較して入力インピーダンスが高く、MOS型FET素子に比較して静電破壊耐量も高いことから、コンデンサマイクロホン用途などに用いられている。この他にも小信号増幅用として低周波雑音が少ない事、高周波特性が良い事等の特性を有している。そして、ディスクリート型だけでなくBIP−ICに集積化されたJ−FETが開発されている。
【0003】
例えば特開昭58−197885号公報がその一例であり、図5に示す。まずP型の半導体基板1には、N型のエピタキシャル層2が積層され、この間には、N+型の埋込層3が形成されている。この埋込層3を囲むようにP+型の分離領域4がエピタキシャル層2表面から半導体基板1に貫通して形成され、島領域5を形成している。
【0004】
また島領域5の表面には、N+型のトップゲート領域6が形成され、このトップゲート領域6の下層には、P型のチャネル領域7が形成されている。前記チャネル領域の両端には、P型のソース領域8、P型のドレイン領域9が形成され、外側には高濃度のゲートコンタクト領域10が形成されている。
【0005】
更に、絶縁膜を介して、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極がけいせいされて、Pチャネル型のJ−FETとして構成される。
【0006】
ゲート領域にPN接合が形成されているためここを逆バイアスし、空乏層の大小によりドレイン電流の制御を行っている(例えば特許文献1参照。)。
【0007】
【特許文献1】
特開昭53−149773号公報(第2−3頁、第2−3図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Pチャネル型J−FETは、キャリア(ホール)のモビリティの問題から、SN比が悪い問題があった。そのため、集積回路内に、SN比の良いNチャネル型のJ−FETを集積化することが望まれた。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は前述の課題に鑑みて成され、第1に、島領域に形成され、ボトムゲート領域となる一導電型のウェル領域内にNチャネル型J−FETを形成することで解決するものである。
【0010】
またウェル領域の形成で、Nチャネル型J−FETが形成でき、しかもBIP−ICの中に作り込むことができる。
【0011】
更には、ウェル領域と前記ウェル領域の下層に設けられた前記逆導電型の埋込層との間に一導電型の埋込層を設けることで、逆バイアスにより発生する空乏層の形成部分を、ウェル領域と島領域との間から、逆導電型の埋込層と一導電型の埋込層との間に下降させることができ、空乏層のパンチスルーを発生しにくくしている。
【0012】
更には、NPNトランジスタのベース拡散によってJ−FETのゲート導出領域を形成し、エミッタ拡散によってソース・ドレイン領域を形成するプロセスとすることにより、簡略化した製造プロセスを確立している。
【0013】
更には、チャネル領域とトップゲート領域の形成を、同一マスクを通して行うことによって、更なる工程の簡素化を図ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0015】
第1工程:図1(A)参照
P型の半導体基板20を用意する。表面を熱酸化して酸化膜を形成し、ホトエッチング手法によって酸化膜に開口部分を形成する。該開口部分に露出する半導体基板20表面に、アンチモン(Sb)を拡散してN+型の埋め込み層21、22を形成する。続いて、酸化膜を形成し直し、再度ホトエッチング手法によって酸化膜に開口部分を形成し、基板20表面にボロン(B)をイオン注入してP+型の埋込層23および分離領域24を形成する。
【0016】
第2工程:図1(B)参照
続いて、前記イオン注入用の酸化膜マスクを取り除いた後、N型のエピタキシャル層25を気相成長法によって形成する。膜厚は5〜12μmとし、比抵抗ρ=5〜20Ω・cmとする。
【0017】
エピタキシャル層を形成した後、エピタキシャル層25の表面にSi酸化膜を形成し、ホトエッチング手法によって該Si酸化膜に開口部を形成する。この開口部を通してボロン(B、BF2)をイオン注入してP型のウェル領域26を形成する。そして、全体に1100℃、1〜3時間程度の熱処理を与えることにより、下側の分離領域24をエピタキシャル層25の上方に拡散させる。
【0018】
第3工程:図2(A)参照
続いて、この熱処理によりエピタキシャル層25表面に成長したSi酸化膜の上にイオン注入用のレジストマスクを形成し、上側の分離領域27に対応する部分の開口部を介してP型の不純物、ここではボロンをイオン注入する。そして前記レジストマスクを除去した後、上側と下側の分離領域24、27が結合するまで、そしてP型埋め込み層23とP型ウェル領域26とが結合するまで、同じく1100℃、1〜3時間程度の熱拡散する。分離領域24、27によって、エピタキシャル層25が接合型FET(J−FET)を形成すべき第1の領域と、NPNトランジスタを形成すべき第2の領域とに接合分離される。
【0019】
第4工程:図2(B)参照
先の熱処理によってエピタキシャル層25表面に成長したSiO2膜を除去した後、再度500Å程度のSiO2膜を付け直す。SiO2膜上にホトレジスト膜によりイオン注入用マスクを付け、NPNトランジスタのベース領域28とゲートコンタクト領域29に対応する部分を開口し、ここにベースの不純物であるボロンをイオン注入する。そしてレジストマスク除去の後、1100℃、1〜2時間の熱処理によりベース拡散を行う。ベース領域28とゲートコンタクト領域29はP型ウェル領域26よりは浅い拡散領域とし、ゲートコンタクト領域29はP型ウェル領域26とN型エピタキシャル層25とのPN接合の上部を覆うようにして配置されている。即ち、ゲートコンタクト領域29はウェル領域26の周辺部分を環状に取り囲んでいる。そして、再度イオン注入用マスクを付け直し、形成予定のエミッタ領域30、ソース領域31、ドレイン領域32およびコンタクト領域35に対応する部分を開口し、ここにN型の不純物であるヒ素またはリンをイオン注入する。
【0020】
第5工程:図3(A)参照
更に、レジストマスクを付け直して、チャネル領域33に対応する部分のSi酸化膜上に開口部40を具備するマスク層41を形成する。開口部40の端は、ゲートコンタクト領域29の上部に位置して、ウェル領域26の表面及び環状に形成されたゲートコンタクト領域29の内周端近傍の表面を露出する。そして、マスク層41の開口部を通してチャネル領域33を形成するN型の不純物であるヒ素またはリンを1×1012〜1013atoms/cm3でイオン注入する。
【0021】
第6工程:図3(B)参照
マスク層41をそのままに、開口部40を通してトップゲート領域34を形成するP型の不純物であるB又はBF2を1×1013〜1014atoms/cm3でイオン注入する。
【0022】
その後前記イオン注入用マスクを取り除き、1000℃、30〜1時間のエミッタ拡散を行ってエミッタ領域30、ソース領域31、ドレイン領域32を熱拡散すると共に、N型の不純物およびP型の不純物を同時に熱拡散してチャネル領域33とトップゲート領域34を形成する。尚、エミッタ拡散の後に不純物のイオン注入と熱処理を行ってチャネル領域33とトップゲート領域34を同時に形成してもよい。
【0023】
第7工程:図4(A)参照
最後に、エピタキシャル層表面のSiO2膜にコンタクト孔を開口し、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極、VCC印加用電極、エミッタ電極、ベース電極およびコレクタ電極を形成する。
【0024】
これらの工程によって製造された半導体集積回路は、分離領域24、27で分離された第1と第2の領域に、各々NPNトランジスタとJ−FET素子が形成される。J−FET素子は、ウェル領域26をボトムゲートとして構成された素子であり、ゲートコンタクト領域29はウェル領域26まで達してボトムゲートとトップゲートにゲート電位を与え、ソース・ドレイン領域31、32はチャネル領域33を貫通する深さで形成されている。
【0025】
図4(B)にJ−FET素子の平面図を示した。ゲートコンタクト領域29は、環状の形状を有し、トップゲート領域34、チャネル領域33およびウェル領域26の周辺部分に重畳し且つウェル領域26、チャネル領域33及びトップゲート領域34よりは高不純物濃度に設計されている。これにより、各領域のPN接合がエピタキシャル層25表面に露出することを回避している。環状のゲートコンタクト領域29で囲まれた部分に、ソース領域31とドレイン領域32とが、帯状の形状で形成される。そして、ゲートコンタクト領域29を介して印加される電圧に応じて、ウェル領域26とチャネル領域33とのPN接合に形成される空乏層及びトップゲート領域34とチャネル領域33とのPN接合に形成される空乏層を制御し、もってソース領域31とドレイン領域32との間に流れるチャネル電流を制御する。また、ウェル領域26周囲のエピタキシャル層25には、N+型のコンタクト領域35により、ゲート電極に印加される電圧以上の電圧(例えば、電源電圧Vcc)を印加するか、ゲートコンタクト領域29と短絡してゲートと同電位を印加するか、接地電位(GND)を印加するか、もしくは何の電位も印加しないフローティング状態とする。ゲート電位はソース電位よりも低い電位が与えられるような回路設計がなされる。ゲート信号として例えば振幅が1V以上程度の大振幅信号が印加される場合は、VCC電位を与えて、ウェル領域26、エピタキシャル層25および分離領域24、27から成る寄生PNPトランジスタの動作を防止するのが良い。反対にゲート信号として例えば振幅がプラスマイナス0.01〜0.5V程度の微弱振幅信号が印加される場合は、エピタキシャル層25とウェル領域26との間に大電位差の逆バイアスを与えるとPN接合の暗電流によって前記微弱信号が認識できなくなる可能性がある。この場合には、エピタキシャル層25を何の電位も印加しないフローティング状態とする等の手法が好ましい。
【0026】
本発明の第1の特徴は、ウェル領域26にある。P型のウェル領域26の形成により、この領域にN型のチャネル領域33の形成が可能となり、BIP−ICの中にNチャネル型J−FETを形成できる。従って、従来ディスクリート型でしか製品化されていなかったSN比の高いNチャネル型J−FETを、1チップ集積化でき、これを使用したセット等の組立易さが向上し、コストメリットも増す。
【0027】
また第2の特徴は、P+型の埋込層23にある。例えばコンタクト領域35によってエピタキシャル層25をVCCバイアスし、ボトム/トップゲートにはVCCより低い電位を印加して逆バイアスを与えることになるが、該逆バイアスによる空乏層がエピタキシャル層25とウェル領域26との間に広がる。仮にP+型の埋込層23が省略されると、ウェル領域26の残り膜厚が少ないので、前記空乏層がチャネル領域33に到達してパンチスルーしやすくなる。本発明では、P+埋込層23を設けたことによって、空乏層がP+埋込層23とN+型の埋込層21とのPN接合に発生し、チャネル領域33からは遠くなり、パンチスルーしにくくなるので、チャネル領域33とボトムゲート(ウェル領域)26間の耐電圧特性を向上させることができる。
【0028】
加えて、NPNトランジスタのベース領域28の形成と同時的にゲートコンタクト領域29を形成することによって、製造工程の共用化を測ることが可能である。
【0029】
そして、ゲートコンタクト領域29を、ウェル領域26、チャネル領域33、およびトップゲート領域34が形成するPN接合の端部に重畳させることによって、エピタキシャル層25表面(Si酸化膜との界面)にこれらのPN接合を露出させることが無く、該Si酸化膜との接触に起因するリーク電流の発生を防止できる。また、トップゲート領域34によって、低不純物濃度のチャネル領域33を酸化膜界面から離間させることも、リーク低減(低雑音)の効果を生じている。
【0030】
更に、エミッタ領域30の形成と同時的にソース・ドレイン領域31、32をも形成する事によって、更なる製造工程の簡素化をも図ることができる。
【0031】
更に、共通のマスク層41でチャネル領域33とトップゲート領域34を形成することによって、更なる製造工程の簡素化をも図ることができる。
【0032】
【発明の効果】
本発明によれば、ボトムゲートとなる一導電型のウェル領域内にNチャネル型J−FETを形成することにより、SN比の優れたNチャネル型のJ−FETを、BIP−ICの中に作り込むことができる利点を有する。
【0033】
更には、ウェル領域の下層に一導電型の埋込層を設けることで、逆バイアスにより発生する空乏層の形成部分をチャネル領域33から遠方に遠ざけることができ、空乏層のパンチスルーが発生しにくく、チャネルとボトムゲート間の耐電圧特性を向上させることができる。
【0034】
更に、NPNトランジスタの各領域の形成によってゲートコンタクト領域29とソース・ドレイン領域31、32を形成することにより、製造工程の簡素化を図ることができる利点を有するものである。
【0035】
更に、共通のマスク層41を利用してチャネル領域33とトップゲート領域34を形成することにより、製造工程の簡素化を更に押し進めることができる利点を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を説明する為の断面図である。
【図2】本発明を説明する為の断面図である。
【図3】本発明を説明する為の断面図である。
【図4】本発明を説明する為の(A)断面図(B)平面図である。
【図5】従来の半導体集積回路装置を説明する断面図である。
Claims (2)
- 一導電型の半導体基板上に形成された逆導電型のエピタキシャル層と、
前記基板と前記エピタキシャル層に渡り形成された逆導電型の埋込拡散層と、
前記逆導電型の埋込拡散層と重畳し、前記逆導電型の埋込拡散層上面に形成された一導電型の埋込拡散層と、
前記一導電型の埋込拡散層と連結し、前記エピタキシャル層に形成された一導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域の周辺部分と重畳し、前記エピタキシャル層の前記ウェル周囲に環状に形成された一導電型のゲートコンタクト領域と、
前記ウェル領域に形成された逆導電型のソース領域及びドレイン領域と、
その端部が前記ゲートコンタクト領域と重畳し、前記ウェル領域に形成された逆導電型のチャネル領域及び一導電型のトップゲート領域とを有することを特徴とする半導体集積回路。 - 前記ゲートコンタクト領域は、前記ウェル領域、前記トップゲート領域及び前記チャネル領域よりも高不純物濃度であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
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