JP3969368B2 - Ｓａｗチップの製造方法およびｓａｗチップ並びにｓａｗデバイス - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：ＳＡＷ）を利用したＳＡＷチップの製造方法に係り、特にＳＡＷチップの周波数調整に好適なＳＡＷチップの製造方法、およびその製造方法により製造したＳＡＷチップ並びにＳＡＷデバイスに関する。

通信機器、コンピュータ、時計等の様々な電子機器において、共振子、フィルタなどの電子部品としてＳＡＷチップを用いたＳＡＷデバイスが使用されている。ＳＡＷチップは、水晶やタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）などの圧電材料から形成されている。特に、近年は、電子機器の高性能化に伴って高精度なＳＡＷデバイスが要求され、温度特性に優れ、エッチングや機械加工等の形状加工を容易に行なうことができる水晶が、ＳＡＷチップを形成する圧電材料として使用されている。

ＳＡＷチップは、周知のように水晶などの圧電基板の表面に金属からなる櫛型のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を有している。このＩＤＴ電極は、圧電基板の表面にスパッタリングやＣＶＤによってアルミニウムなどの金属薄膜を形成したのち、金属薄膜をフォトエッチングして形成する。また、ＳＡＷチップのＩＤＴ電極を構成している電極指のピッチと共振周波数との間に一定の関係があるが、電極の厚み、幅が変化すると、共振周波数も変化する。そして、圧電材料のウエハに形成したＳＡＷ素子は、形成した金属薄膜の膜厚のばらつき、ＩＤＴ電極の形成誤差などにより、共振周波数が目標とする共振周波数からずれるのが一般的である。このため、ＳＡＷチップを製造する場合、各ＳＡＷチップの共振周波数を調整する必要がある。そこで、従来は、特許文献１に記載されているように、圧電材料のウエハに形成したＳＡＷ素子のＩＤＴ電極をエッチングし、共振周波数の調整を行なっていた。

すなわち、特許文献１に記載の共振周波数の調整方法は、圧電基板（ウエハ）に目標膜厚よりも厚く金属膜を成膜し、これをエッチングして圧電基板に複数のＳＡＷ素子のＩＤＴ電極を形成する。その後、ＳＡＷ素子の共振周波数を測定し、測定共振周波数と目標とする共振周波数との差から電極のエッチング厚みを求め、ＩＤＴ電極をエッチングして求めた厚み分薄くし、ＳＡＷ素子の共振周波数を高くして目標共振周波数となるように調整する。
特開平１０−１３１７８号公報

ところが、特許文献１に記載のように、ＩＤＴ電極をエッチングして共振周波数を調整する場合、エッチング量にばらつきを生じ、ＳＡＷ素子の共振周波数を目標共振周波数に調整することが容易でない。すなわち、アルミニウムからなる電極を塩素（Ｃｌ_２）などのガスを用いてエッチングする場合、図９に示したように、エッチング処理の開始当初は、電極の表面が酸化されて酸化物が形成され、その後、エッチングされるようになる。この酸化物の形成は、電極の表面状態によって異なり、図９の曲線Ａ、Ｂ、Ｃに示したように、電極の表面状態によってエッチングの開始時点が異なってくる。このため、エッチング処理の開始から経過した時間が同じであったとしても、エッチング量がばらつき、周波数調整後の共振周波数のばらつきが大きくなってしまう。

本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、同一のウエハから製造されるＳＡＷチップ間の共振周波数のばらつきを小さくできるようにすることを目的としている。
また、本発明は、電極間の短絡を防止できるようにすることを目的としている。

上記の目的を達成するために、本発明に係るＳＡＷチップの製造方法は、圧電基板の表面にアルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる金属膜を成膜する金属膜形成工程と、前記金属膜の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜と前記金属膜とをエッチングしてＩＤＴ電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、形成した前記ＩＤＴ電極パターンによる共振周波数を測定して目標共振周波数との偏差を求める偏差演算工程と、前記ＩＤＴ電極パターンの側面を陽極酸化し、前記偏差演算工程において求めた前記偏差に応じた陽極酸化膜を形成する周波数調整工程と、を有することを特徴としている。

アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなるＩＤＴ電極は、側面を陽極酸化すると、酸素が取り込まれて電極が重くなるとともに、電極の幅が大きくなる。このため、ＳＡＷチップのＩＤＴ電極をアルミニウムまたはアルミニウム系合金によって形成し、ＩＤＴ電極の側面を陽極酸化すると、ＳＡＷチップの共振周波数が低下する。しかも、陽極酸化によって形成される酸化膜（陽極酸化膜）の膜厚は、陽極酸化をするときの電圧に依存し、酸化膜の膜厚を高い精度で制御することができる。

そこで、ＩＤＴ電極を形成する場合、予め電極側面に形成する陽極酸化膜の膜厚、すなわち陽極酸化処理をする電圧と共振周波数の変動量（シフト量）との関係を予め求めておき、ＳＡＷチップの共振周波数が目標共振周波数より高くなるように、金属膜と絶縁膜とからなるＩＤＴ電極パターンを形成する。その後、形成したＩＤＴ電極パターンによる共振周波数を測定して測定共振周波数と目標共振周波数との偏差を求め、この偏差に応じた厚みの陽極酸化膜をＩＤＴ電極パターンの側面に形成し、ＳＡＷチップの共振周波数を低下させる。これにより、ＳＡＷチップ間における共振周波数のばらつきを小さくすることができる。しかも、陽極酸化は、ＩＤＴ電極パターンの表面積に占める割合が１６〜３２％である側面だけを行なうため、電極表面全面を陽極酸化する場合に比べ、陽極酸化による陽極酸化膜の総量を少なくすることができ、ＳＡＷチップ間における共振周波数のばらつきをより小さくすることができる。また、ＩＤＴ電極は、表面が絶縁膜と絶縁体である陽極酸化膜とによって覆われるため、金属粒子などの異物がＩＤＴ電極に付着したとしても、電極間における短絡を防止することができる。

絶縁膜は、物理蒸着または化学蒸着により成膜したケイ素系絶縁膜であってよい。絶縁膜を例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのケイ素系絶縁膜によって形成すると、絶縁性が高いために薄い膜でよく、絶縁膜の膜厚のばらつきによる影響を小さくすることができ、共振周波数の調整を容易に行なうことができる。しかも、共振周波数を調整する陽極酸化の影響を受けることがない。

また、絶縁膜は、金属膜を陽極酸化して形成した第１陽極酸化膜であってもよい。陽極酸化膜は、膜厚が前記したように陽極酸化電圧によって定まるため、所定の厚みを有する絶縁膜を容易に形成でき、共振周波数の調整を容易に行なうことができる。絶縁層を第１陽極酸化膜として形成する場合、この第１陽極酸化膜を形成するための第１陽極酸化は、ＩＤＴ電極パターンの側面を陽極酸化（第２陽極酸化）する電圧以上の電圧で行なうことが望ましい。陽極酸化は、陽極酸化電圧が高いほど形成される陽極酸化膜の膜厚が厚くなる。したがって、第１陽極酸化の陽極酸化電圧を第２陽極酸化の電圧以上とすることにより、第１陽極酸化膜がさらに厚くなることを防ぐことができ、共振周波数を調整するためにＩＤＴ電極パターンの側面に形成する陽極酸化膜の膜厚を求めることが容易になるとともに、高精度の周波数調整を行なうことができる。

そして、周波数調整工程は、ウエハに形成した複数のＳＡＷ素子に対して行なうとよい。共振周波数の調整を行なう場合、ＳＡＷ素子をウエハから分割してＳＡＷチップにする前に行なえば、多数のＳＡＷ素子の周波数調整を１度に行なうことができる。しかも、同一ウエハ内のＳＡＷ素子は、ＩＤＴ電極の膜厚、電極幅が近似しているため、同一の陽極酸化の条件で共振周波数の調整を行なうことにより、高精度な周波数調整が可能で、個々のＳＡＷチップの周波数調整を行なう必要がない。また、高精度のＳＡＷデバイスを形成する場合であっても、ウエハに形成したＳＡＷ素子間における共振周波数のばらつきが小さいため、ＳＡＷデバイスにおける共振周波数の調整を容易に行なえるとともに、歩留まりを向上することができる。

そして、本発明に係るＳＡＷチップは、すだれ状ＩＤＴ電極を有するＳＡＷチップであって、前記ＩＤＴ電極の上面に設けた第１絶縁膜と、前記ＩＤＴ電極の側面に設けた第２絶縁膜とを有することを特徴としている。このようになっている本発明は、ＩＤＴ電極を形成するときに、金属膜の表面に第１絶縁膜を形成し、これをエッチングしてＩＤＴ電極パターンにし、その後、面積の小さなＩＤＴ電極の側面に第２絶縁膜を設けて共振周波数を調整することにより、周波数調整用の第２絶縁膜のばらつきを小さくすることができ、高精度な周波数調整を行なうことができる。

第１絶縁膜は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのケイ素系絶縁膜により形成できる。そして、第２絶縁膜は、アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる電極本体を陽極酸化して形成した陽極酸化膜とすることができる。ケイ素系絶縁膜は、絶縁性に優れているため、膜厚を１００オングストローム以下と薄くでき、膜厚のばらつきによる影響を小さくすることが可能である。このため、ＩＤＴ電極の側面に陽極酸化膜を形成して共振周波数の調整を行なう場合に、高精度の周波数調整が可能となる。

さらに、本発明に係るＳＡＷデバイスは、上記のＳＡＷチップを有することを特徴としている。これにより、上記の作用効果が得られる。

本発明に係るＳＡＷチップの製造方法およびＳＡＷチップ並びにＳＡＷデバイスの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るＳＡＷチップの一例を示す説明図であって、（１）は平面図であり、（２）は（１）のＡ−Ａ線に沿った一部断面図である。図１（１）に示したように、ＳＡＷチップ１０は、水晶などの圧電基板１２の上面中央部にＩＤＴ電極１４が形成してある。ＩＤＴ電極１４は、一対の櫛型電極１６（１６ａ、１６ｂ）から構成してあって、一方の櫛型電極１６ａの各電極指１８ａ間に、他方の櫛型電極１６ｂの電極指１８ｂが挿入され、すだれ状に形成してある。また、ＳＡＷチップ１０は、ＩＤＴ電極１４の長手方向両側にすだれ状に形成した反射器２０（２０ａ、２０ｂ）を備えている。そして、各櫛型電極１６は、配線パターン２２（２２ａ、２２ｂ）を介して各反射器２０の外側に設けた接続パッド部２４（２４ａ、２４ｂ）に接続してある。

また、実施形態のＳＡＷチップ１０は、図１（２）に示したように、ＩＤＴ電極１４がアルミニウムまたはアルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）などのアルミニウム系合金からなる電極本体２５と、電極本体２５の上面に形成した第１絶縁膜２６と、電極本体２５の側面に形成した第２絶縁膜２８とからなっている。第１絶縁膜２６は、ＩＤＴ電極１４に金属粒子などの異物が付着することによる電極間の短絡を防止するために設けたもので、シリコン酸化膜や窒化シリコンなどのケイ素系絶縁膜からなっている。そして、第２絶縁膜２８は、陽極酸化膜からなっている。この第２絶縁膜を構成している陽極酸化膜は、ＩＤＴ電極１４による共振周波数を調整するため、アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる電極本体２５を陽極酸化して形成してある。これは、次の理由による。

ＳＡＷチップ１０は、例えばＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスに使用され、櫛型電極１６ａ、１６ｂ間に所定周波数の電圧を印加することにより、ＩＤＴ電極１４の長手方向（電極指１８に直交した方向）に弾性表面波が伝播する。各反射器２０は、伝播してくる表面波を反射し、振動エネルギーを閉じ込めて共振させる。そして、ＳＡＷチップ１０の共振周波数は、基本的にＩＤＴ電極１４の電極指１８のピッチによって定まる。しかし、共振周波数は、周知のように、ＩＤＴ電極１４の電極指１８の厚み（高さ）、幅によって変動する。そして、圧電基板１２に対する電極本体２５を形成するための金属膜の成膜のばらつき、電極本体２５の形成誤差などによってＳＡＷチップ１０の共振周波数が目標共振周波数からずれることがある。そこで、実施形態においては、詳細を後述するように、ＩＤＴ電極１４の側面に第２絶縁膜２８である陽極酸化膜を形成して共振周波数の調整を行なっている。なお、第１絶縁膜２６は、電極本体２５の陽極酸化される面積を少なくする役割もなしている。また、接続パッド部２４は、上面の第１絶縁膜２６が除去してある。これは、ＳＡＷチップ１０の特性の測定、検査をするために、測定装置のプローブを接続パッド部２４に接触させるためである。

図２は本発明の実施の形態に係るＳＡＷチップの製造方法を示すフローチャートであり、図３はその概略工程図である。ＳＡＷチップ１０を製造する場合、まず、図２のステップ３０の金属膜形成工程を行ない、図３（１）に示すように、水晶などの圧電基板からなるウエハ５０の表面に電極用の金属膜５２を成膜する。この金属膜５２は、ＩＤＴ電極１４や反射器２０などを形成するためのもので、実施形態の場合、アルミニウムまたはアルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）などのアルミニウム系合金からなっている。そして、金属膜５２は、スパッタリングなどの物理蒸着、ＣＶＤなどの化学蒸着によって形成してある。

次に、図２のステップ３２に示したように、第１絶縁膜２６を形成する絶縁膜形成工程を行なう。すなわち、図３（１）に示してあるように、金属膜５２の表面に第１絶縁膜２６を形成する。この第１絶縁膜２６は、スパッタリングなどの物理蒸着、またはＣＶＤなどの化学蒸着によって形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などのケイ素系絶縁膜であってよい。また、第１絶縁膜２６は、アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる金属膜５２を、リン酸アンモニウムなどの電解液を用いて陽極酸化（第１陽極酸化）して形成した陽極酸化膜（第１陽極酸化膜）であってもよい。

第１絶縁膜２６は、後述する共振周波数を調整するための陽極酸化を行なう面積を小さくするとともに、ＩＤＴ電極１４に金属粒子などの異物が付着したときに、電極間における短絡を防止する目的で設けている。このため、第１絶縁膜をシリコン酸化膜や窒化シリコンなどのケイ素系絶縁膜によって形成した場合、陽極酸化されることがなく、絶縁性も大きいため、１００オングストローム程度以下の厚さがあればよい。したがって、第１絶縁膜２６をケイ素系絶縁膜によって形成した場合、膜厚を薄くできるために膜厚のばらつきの影響が小さく、後述の周波数調整を高精度に行なうことができる。しかも、陽極酸化による影響を受けることがない。

また、第１絶縁膜２６を第１陽極酸化膜によって形成する場合、第１陽極酸化の電圧は、後述の共振周波数を調整するために行なう陽極酸化（第２陽極酸化）の電圧以上の電圧で行なうことが望ましい。陽極酸化によって形成される陽極酸化膜の膜厚は、陽極酸化電圧に比例しており、電圧が高いほど膜厚が厚くなる。したがって、第１陽極酸化を形成する陽極酸化電圧を第２陽極酸化の電圧以上の電圧によって行なうことにより、共振周波数を調整するための第２陽極酸化をしたときに、第１陽極酸化膜がさらに厚くなるなどの影響をなくすことができ、周波数調整を高精度で行なうことができる。

次に、図２のステップ３４および図３（２）に示したように、第１絶縁膜２６の上にフォトレジストを塗布し、乾燥させてレジスト膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ法を用いてレジスト膜を露光、現像、ベーキングして所定の形状５４にパターニングする。その後、所定形状のレジスト膜５４をマスクにして、第１絶縁膜２６と金属膜５２とをエッチングしてＩＤＴ電極パターンを形成する電極パターン形成工程を行なう（図２ステップ３６、図３（３））。これにより、アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる電極本体２５が形成される。

第１絶縁膜２６のエッチングは、第１絶縁膜２６がケイ素系絶縁膜によって形成されている場合、四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガスなどを用いたドライエッチング、またはフッ酸溶液などを用いたウエットエッチングを行なうことができる。また、第１絶縁膜２６がアルミニウムまたはアルミニウム系合金の陽極酸化膜である場合、塩素ガス（Ｃｌ_２）や塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）などのエッチングガスを用いてドライエッチングすることができる。そして、実施形態の場合、金属膜５２は、アルミニウムまたはアルミニウム系合金であるため、塩素ガス（Ｃｌ_２）や塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）などのエッチングガスを用いてエッチングすることができる。このエッチングによる電極パターン形成工程を行なうことにより、反射器２０や配線パターン２２、接続パッド部２４などが同時に形成される。

さらに、ＩＤＴ電極パターンや反射器２０などの上に残存しているレジスト膜５４を除去する（図３（４）参照）。これにより、ウエハ５０に多数のＳＡＷ素子が形成される。次に、ウエハ５０の上に接続パッド部２４を露出させたマスク（レジスト膜）を形成する。そして、次の工程における周波数測定を可能にするため、図２のステップ３８に示したように、接続パッド部２４の上に形成されている第１絶縁膜２６をエッチングして除去する。その後、図２のステップ４０に示したように、偏差演算工程を行なう。この偏差演算工程は、ウエハ５０に形成したＳＡＷ素子のＩＤＴ電極パターンによる共振周波数を測定し、測定した共振周波数と目標共振周波数との偏差を求める。ＳＡＷ素子の共振周波数の測定は、ウエハ５０に形成した多数のＳＡＷ素子から複数位置のＳＡＷ素子を適宜に選択し、選択したＳＡＷ素子の接続パッド部２４に周波数測定器のプローブを接触させて行なう。そして、例えば複数の測定共振周波数の平均値と目標共振周波数との偏差を求めたら、この偏差を零にするための陽極酸化膜の膜厚を演算する（図２ステップ４２）。

陽極酸化膜の膜厚は、陽極酸化の条件によって定まっており、例えばリン酸アンモニウム系電解液を用い、ある一定の電圧でアルミニウムなどの金属に対して陽極酸化処理を行なった場合、図４に示したように、陽極酸化膜の膜厚が処理時間とともに増加し、最終的に陽極酸化電圧で定まる一定の限界膜厚になる。この陽極酸化膜の限界膜厚は、陽極酸化電圧との間に一定の関係があり、アルミニウムの場合、陽極酸化電圧をＶとすると、約１４オングストローム／Ｖである。したがって、図５に示したように、陽極酸化電圧が高くなるのにしたがって、形成される陽極酸化膜の膜厚が厚くなる。

一方、ＳＡＷ素子においては、共振周波数がＩＤＴ電極の電極指のピッチによって定まるため、高周波になるほど電極指の幅が狭くなる。このため、共振周波数の異なるＳＡＷ素子のＩＤＴ電極に同じ膜厚の陽極酸化膜を形成した場合であっても、共振周波数によって周波数の変動量（シフト量）が変化する。図６は、その一例を示したものである。この図６は、横軸が陽極酸化膜の膜厚をオングストロームによって示しており、縦軸が電極本体２５の表面全体を陽極酸化したときの共振周波数のシフト量をＭＨｚで示している。また、図６において実線は共振周波数が２００ＭＨｚのＳＡＷ素子の場合であり、破線が共振周波数３００ＭＨｚ、一点鎖線が共振周波数４００ＭＨｚのＳＡＷ素子の場合を示している。図６から明らかなように、陽極酸化膜の膜厚を大きくすると、共振周波数のシフト量が大きくなる。また、共振周波数が高いほど周波数のシフト量が大きくなることがわかる。

そこで、実施形態においては、電極本体２５の側面を陽極酸化したときの、ＳＡＷ素子の共振周波数に対する陽極酸化膜の膜厚と周波数シフト量との関係を実験などによって予め求めておく。そして、図２のステップ４０において求めた測定共振周波数と目標共振周波数との偏差に基づいて、共振周波数を考慮して偏差を零にするための陽極酸化膜の膜厚を演算する（ステップ４２）。さらに、この膜厚を得るための陽極酸化電圧を求め、図２のステップ４４に示したように、リン酸アンモニウムなどの電解液により、電極本体２５の側面を陽極酸化して周波数調整工程を行なう。これにより、ＩＤＴ電極１４は、図３（５）に示したように、電極本体２５の側面が所定の膜厚を有する第２絶縁膜２８である陽極酸化膜（第２陽極酸化膜）によって覆われる。なお、この共振周波数を調整する電極本体２５の側面の第２陽極酸化は、第１絶縁膜２６が第１陽極酸化膜によって形成されている場合、第１陽極酸化膜を形成したときの陽極酸化電圧以下の電圧で行なう。これにより、周波数調整の第２陽極酸化をしたときに、電極本体２５の上部がさらに陽極酸化されて第１陽極酸化膜が厚くなるのを防止することができる。

このようにして、電極本体２５の側面を陽極酸化して共振周波数の調整を行なうと、高精度の周波数調整が可能となる。すなわち、ＩＤＴ電極１４の電極指１８を形成している電極本体２５は、側面の占める面積の割合が一般に全表面積の約１６〜３２％である。したがって、実施形態のように電極本体２５の側面のみを陽極酸化する場合、電極本体２５の全表面のような広い面積を陽極酸化する場合に比較して、陽極酸化膜厚のばらつきを小さくすることができ、均一な厚さの陽極酸化膜を形成することができる。このため、測定共振周波数と目標共振周波数との偏差を零にする膜厚を有する陽極酸化膜を高精度に形成することができ、ウエハ５０に形成した各ＳＡＷ素子の共振周波数を目標共振周波数に調整することが容易となり、図７に示したように、共振周波数のばらつきも小さくなる。

図７は、実施形態により共振周波数の調整を行なった結果と、従来のＩＤＴ電極をエッチングして共振周波数の調整を行なった結果とを比較したものである。この図７は、同一のウエハ内に形成した多数のＳＡＷ素子間における、周波数調整後の共振周波数のばらつき状態を示しており、（１）が電極指１８の電極本体２５の側面を陽極酸化して周波数調整した実施形態の結果を示し、（２）が電極指をエッチングして周波数調整した従来の結果を示している。図７に示されているように、実施形態の陽極酸化による周波数調整は、共振周波数のばらつきを従来のエッチングによる周波数調整に比較して１／５程度にすることができる。これは、陽極酸化膜の膜厚が陽極酸化電圧に依存し、所望の厚さの陽極酸化膜を容易に形成できること、また周波数調整するための陽極酸化する面積が小さいことによる。そして、実施形態のＩＤＴ電極１４は、上面が第１絶縁膜２６によって覆われており、側面が第２絶縁膜２８である陽極酸化膜によって覆われているため、ＩＤＴ電極１４の表面に金属粒子などの異物が付着したとしても、電極指１８ａ、１８ｂ間における短絡を防止することができる。

なお、電極本体２５の側面を陽極酸化する場合、図１に示した接続パッド部２４の部分をフォトレジストによって覆い、接続パッド部２４の表面が陽極酸化されないようにする。これにより、ＳＡＷ素子の特性の測定、検査をするときに、測定器のプローブを接触させる接続パッド部２４の陽極酸化膜を除去する工程を省くことができる。

上記のようにしてＳＡＷ素子が形成されたウエハ５０は、図２のステップ４６に示したように、ダイシングされて各ＳＡＷ素子が図１に示したＳＡＷチップ１０にされる。そして、このようにして得た各ＳＡＷチップ１０は、上記したように共振周波数が目標共振周波数の近傍となっているため、個々に周波数調整をする必要がなく、歩留まりを大幅に向上することができる。

上記のようにして製造したＳＡＷチップ１０は、図８（１）に示したベース６０に収容してＳＡＷデバイスであるＳＡＷ共振子にされる。ベース６０は、例えばセラミックシートを複数積層して形成してあり、ＳＡＷチップ１０を収容するキャビティ６２を有する箱状をなしている。ＳＡＷチップ１０は、同図（２）に示したように、ＩＤＴ電極１４が形成されていない下面を接着剤６４によってベース６０の底面に接合される。その後、ＳＡＷチップ１０は、同図（３）に示したように、接続パッド部２４がアルミニウムや金からなるワイヤ６６を介して、ベース６０に設けた電極パターンに電気的に接続される。さらに、ＳＡＷチップ１０を収容したベース６０は、真空または窒素雰囲気中に搬入され、図８（４）に示したように、上端に例えば金属製の蓋体６８が配置される。この蓋体６８は、ベース６０の上面にシーム溶接などにより接合される。これにより、ＳＡＷチップ１０を収容したベース６０の内部が真空または窒素雰囲気に封止され、ＳＡＷ共振子７０が完成する。なお、図８（３）に示したワイヤボンディングをした段階において、必要に応じてＳＡＷチップ１０にプラズマを照射し、ＩＤＴ電極１４または、圧電基板１２をプラズマエッチングにして周波数調整をし、より高精度のＳＡＷ共振子とすることができる。

上記のＳＡＷ共振子７０は、携帯電話機や各種測定器、コンピュータ、通信機器などの電子機器に使用することができる。また、前記実施形態においては、共振型について説明したが、トランスバーサル型であってもよいし、共振子でなくフィルタであってもよい。

実施の形態に係るＳＡＷチップの説明図である。 実施の形態に係るＳＡＷチップの製造方法のフローチャートである。 実施の形態に係るＳＡＷチップの製造工程図の概略説明図である。 陽極酸化の処理時間と陽極酸化膜厚との関係を示す模式図である。 陽極酸化電圧と陽極酸化膜厚との関係を示す図である。 共振周波数に対する陽極酸化膜厚と周波数シフトとの関係を示す図である。 実施形態と従来との周波数調整後における周波数のばらつきの比較図である。 実施の形態に係るＳＡＷ共振子の製造工程の概略説明図である。 従来のエッチングによる周波数調整のばらつきを説明する図である。

符号の説明

１０………ＳＡＷチップ、１２………圧電基板、１４………ＩＤＴ電極、１８ａ、１８ｂ………電極指、２０ａ、２０ｂ………反射器、２４ａ、２４ｂ………接続パッド部、２５………電極本体、２６………第１絶縁膜、２８………第２絶縁膜、５０………圧電基板（ウエハ）、５２………金属膜、６０………ベース、６８………蓋体、７０………ＳＡＷデバイス（ＳＡＷ共振子）。

Claims (7)

1. 圧電基板の表面にアルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる金属膜を成膜する金属膜形成工程と、
   前記金属膜の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
   前記絶縁膜と前記金属膜とをエッチングしてＩＤＴ電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
   形成した前記ＩＤＴ電極パターンによる共振周波数を測定して目標共振周波数との偏差を求める偏差演算工程と、
   前記ＩＤＴ電極パターンの側面を陽極酸化し、前記偏差演算工程において求めた前記偏差に応じた陽極酸化膜を形成する周波数調整工程と、
   を有することを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
2. 請求項１に記載のＳＡＷチップの製造方法において、
   前記絶縁膜は、物理蒸着または化学蒸着により成膜したケイ素系絶縁膜からなることを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
3. 請求項１に記載のＳＡＷチップの製造方法において、
   前記絶縁膜は、前記金属膜を陽極酸化して形成した第１陽極酸化膜であることを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
4. 請求項３に記載のＳＡＷチップの製造方法において、
   前記第１陽極酸化膜を形成する第１陽極酸化は、前記ＩＤＴ電極パターンの側面を陽極酸化する電圧以上の電圧で行なうことを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＳＡＷチップの製造方法において、
   前記周波数調整工程は、ウエハに形成した複数のＳＡＷ素子に対して行なうことを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
6. すだれ状ＩＤＴ電極を有するＳＡＷチップであって、
   前記ＩＤＴ電極の上面に設けたケイ素系絶縁膜からなる第１絶縁膜と、
   前記ＩＤＴ電極の側面に設けたアルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる電極本体を陽極酸化して形成した陽極酸化膜からなる第２絶縁膜と、
   を有することを特徴とするＳＡＷチップ。
7. 請求項６に記載のＳＡＷチップを有することを特徴とするＳＡＷデバイス。

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