JPH10107569A - 表面弾性波装置の製造方法 - Google Patents
表面弾性波装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH10107569A JPH10107569A JP27745596A JP27745596A JPH10107569A JP H10107569 A JPH10107569 A JP H10107569A JP 27745596 A JP27745596 A JP 27745596A JP 27745596 A JP27745596 A JP 27745596A JP H10107569 A JPH10107569 A JP H10107569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave device
- acoustic wave
- surface acoustic
- film
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面弾性波装置の周波数調整を容易にすると
ともに、電極を覆う保護膜を形成する。 【解決手段】 インターデジタル電極の一方の電極や反
射器等を圧電基板上に導通するように形成しておき、こ
の部分を陽極に接続して陽極酸化の処理を行う。陽極酸
化の際に印加する電圧によってアルマイト（酸化膜）の
厚みを制御し、それによって表面弾性波装置の周波数を
調整する。
ともに、電極を覆う保護膜を形成する。 【解決手段】 インターデジタル電極の一方の電極や反
射器等を圧電基板上に導通するように形成しておき、こ
の部分を陽極に接続して陽極酸化の処理を行う。陽極酸
化の際に印加する電圧によってアルマイト（酸化膜）の
厚みを制御し、それによって表面弾性波装置の周波数を
調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振器やフィルタ
等として用いられる弾性波装置の製造方法に係るもの
で、特に、その周波数を調整する方法および電極の保護
膜を形成する方法に関するものである。
等として用いられる弾性波装置の製造方法に係るもの
で、特に、その周波数を調整する方法および電極の保護
膜を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波装置は、各種通信機器用のＩ
ＦフィルタやＲＦフィルタ等として用いられており、ま
たその用途も広がっている。圧電基板上に入出力のイン
ターデジタル電極を形成したもので、両側に反射器を形
成した共振器型のものもある。
ＦフィルタやＲＦフィルタ等として用いられており、ま
たその用途も広がっている。圧電基板上に入出力のイン
ターデジタル電極を形成したもので、両側に反射器を形
成した共振器型のものもある。
【０００３】このような表面弾性波装置の周波数は電極
の電極指の間隔によって決定するが、微調整を行う必要
が生じる場合がある。従来、微調整の手段としては電極
の質量を変えることによって行っている。例えば、燐酸
によって電極膜をエッチングして膜厚を減少させること
によって質量負荷を変化させて共振周波数を上昇させて
調整を行う方法等が採られている。
の電極指の間隔によって決定するが、微調整を行う必要
が生じる場合がある。従来、微調整の手段としては電極
の質量を変えることによって行っている。例えば、燐酸
によって電極膜をエッチングして膜厚を減少させること
によって質量負荷を変化させて共振周波数を上昇させて
調整を行う方法等が採られている。
【０００４】しかし、燐酸の温度や疲労度、電極の膜
質、また表面に自然にできるアルマイトの膜の影響があ
り、周波数の制御が非常に困難となる。また、上記のア
ルマイト膜は0.01μm 以下と非常に薄く、また多孔質で
あるために、充分な絶縁抵抗が得られずに電極への付着
物等によって絶縁不良 (ショート) 状態が発生し易く、
信頼性の面でも問題がある。
質、また表面に自然にできるアルマイトの膜の影響があ
り、周波数の制御が非常に困難となる。また、上記のア
ルマイト膜は0.01μm 以下と非常に薄く、また多孔質で
あるために、充分な絶縁抵抗が得られずに電極への付着
物等によって絶縁不良 (ショート) 状態が発生し易く、
信頼性の面でも問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、安定した条
件で表面弾性波装置の共振周波数の微調整を行うことの
できる表面弾性波装置の製造方法を提供するものであ
る。また、周波数調整とともに、電極の保護膜の形成を
同時に行うことのできる表面弾性波装置の製造方法を提
供するものである。
件で表面弾性波装置の共振周波数の微調整を行うことの
できる表面弾性波装置の製造方法を提供するものであ
る。また、周波数調整とともに、電極の保護膜の形成を
同時に行うことのできる表面弾性波装置の製造方法を提
供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、インターデジ
タル電極の一方の電極と反射器等の表面にアルマイトの
膜を形成し、その膜厚を制御することによって上記の課
題を解決するものである。
タル電極の一方の電極と反射器等の表面にアルマイトの
膜を形成し、その膜厚を制御することによって上記の課
題を解決するものである。
【０００７】すなわち、圧電基板上にインターデジタル
電極を形成する表面弾性波装置の製造方法において、圧
電基板上の金属膜をエッチングしてインターデジタル電
極を形成し、インターデジタル電極の一方の電極を陽極
酸化処理してその表面にアルマイト膜を形成し、このア
ルマイト膜の厚みを制御することによって表面弾性波装
置の周波数を調整することに特徴を有するものである。
電極を形成する表面弾性波装置の製造方法において、圧
電基板上の金属膜をエッチングしてインターデジタル電
極を形成し、インターデジタル電極の一方の電極を陽極
酸化処理してその表面にアルマイト膜を形成し、このア
ルマイト膜の厚みを制御することによって表面弾性波装
置の周波数を調整することに特徴を有するものである。
【０００８】この陽極酸化時に印加する電圧によってア
ルマイト膜の厚みを制御し、その厚みによって決定され
る共振周波数を得ようとするものである。
ルマイト膜の厚みを制御し、その厚みによって決定され
る共振周波数を得ようとするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のプロセスの概要は以下の
通りである。 圧電基板のウェハ上へのアルミニウムの電極膜の蒸着
（スパッタリング） エッチングによる導体パターンの接続（陽極酸化する
電極同士を接続しておく。） 電解液中での陽極酸化処理（電解液中に陰極を配置
し、印加する電圧によって陽極酸化によってできる酸化
膜の厚みを制御する。） 必要があれば処理の過程で特性を測定し、その結果に
よって印加電圧を変えて共振周波数を調整する。） 処理後、素子に分割する。
通りである。 圧電基板のウェハ上へのアルミニウムの電極膜の蒸着
（スパッタリング） エッチングによる導体パターンの接続（陽極酸化する
電極同士を接続しておく。） 電解液中での陽極酸化処理（電解液中に陰極を配置
し、印加する電圧によって陽極酸化によってできる酸化
膜の厚みを制御する。） 必要があれば処理の過程で特性を測定し、その結果に
よって印加電圧を変えて共振周波数を調整する。） 処理後、素子に分割する。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】図１は、本発明によって製造する表面弾性
波装置の電極の構造を示す平面図で、多重モードフィル
タの例である。水晶等の圧電基板の表面にアルミニウム
を材料とする二組のインターデジタル電極21とそれを挟
む反射器22が形成されたものである。一枚のウェハ上に
多数の電極が配置される。インターデジタル電極21の外
側の電極26は他の電極と接続されずに浮いた状態となっ
ている。中央側の電極27はバスバー28に接続されるとと
もに、反射器22とも同じバスバーで接続されている。
波装置の電極の構造を示す平面図で、多重モードフィル
タの例である。水晶等の圧電基板の表面にアルミニウム
を材料とする二組のインターデジタル電極21とそれを挟
む反射器22が形成されたものである。一枚のウェハ上に
多数の電極が配置される。インターデジタル電極21の外
側の電極26は他の電極と接続されずに浮いた状態となっ
ている。中央側の電極27はバスバー28に接続されるとと
もに、反射器22とも同じバスバーで接続されている。
【００１２】上記のようにインターデジタル電極の中央
の電極27と反射器22とは、組立後はアース電位に接続さ
れるものであるが、ウェハ上ではいずれもバスバー28に
接続され、さらには周囲の導体パターン29に接続されて
いる。すなわち、インターデジタル電極の一方の電極と
反射器が同じ電位となるように接続されている。
の電極27と反射器22とは、組立後はアース電位に接続さ
れるものであるが、ウェハ上ではいずれもバスバー28に
接続され、さらには周囲の導体パターン29に接続されて
いる。すなわち、インターデジタル電極の一方の電極と
反射器が同じ電位となるように接続されている。
【００１３】この多重モードフィルタの例では入出力部
分のインターデジタル電極のみが浮いた状態となってお
り、他のすべての導体膜は共通に接続されている。この
共通に接続された導体膜を陽極として、ほう酸アンモニ
ウム等の溶液中に浸して電圧を印加すると、共通に接続
された部分の表面が酸化されてアルマイト膜となる。な
お、陽極電極としてプラチナ等の板を同じ溶液中に浸し
ておく。
分のインターデジタル電極のみが浮いた状態となってお
り、他のすべての導体膜は共通に接続されている。この
共通に接続された導体膜を陽極として、ほう酸アンモニ
ウム等の溶液中に浸して電圧を印加すると、共通に接続
された部分の表面が酸化されてアルマイト膜となる。な
お、陽極電極としてプラチナ等の板を同じ溶液中に浸し
ておく。
【００１４】この陽極酸化によってできるアルマイトの
膜厚は印加電圧に比例する。図２はこれを示したもの
で、横軸に電圧（Ｖ）をとり、縦軸にアルマイトの膜厚
（Å）をとったものである。例えば80Ｖを印加した場合
に約1000Å（ 0.1μ) の厚さのアルマイトが得られるこ
とを示している。膜厚が変わることによって質量負荷が
変化し、水晶のような電気機械結合係数の小さい材料の
基板では質量負荷の共振周波数に対する影響が大きいた
め、共振周波数を制御できることになる。この場合、共
振周波数は低い方に変化する。
膜厚は印加電圧に比例する。図２はこれを示したもの
で、横軸に電圧（Ｖ）をとり、縦軸にアルマイトの膜厚
（Å）をとったものである。例えば80Ｖを印加した場合
に約1000Å（ 0.1μ) の厚さのアルマイトが得られるこ
とを示している。膜厚が変わることによって質量負荷が
変化し、水晶のような電気機械結合係数の小さい材料の
基板では質量負荷の共振周波数に対する影響が大きいた
め、共振周波数を制御できることになる。この場合、共
振周波数は低い方に変化する。
【００１５】図３は、アルマイトの膜厚の増加と共振周
波数の低下の関係を示す説明図である。図に示したよう
に膜厚の増加にしたがって直線的に周波数が低下してお
り、膜厚を決定することによって共振周波数がどれだけ
下がるかが決定する。上記の電圧と膜厚の関係から、印
加する電圧を制御することによって、所定の共振周波数
の低下量を得ることができる。
波数の低下の関係を示す説明図である。図に示したよう
に膜厚の増加にしたがって直線的に周波数が低下してお
り、膜厚を決定することによって共振周波数がどれだけ
下がるかが決定する。上記の電圧と膜厚の関係から、印
加する電圧を制御することによって、所定の共振周波数
の低下量を得ることができる。
【００１６】本発明によって共振周波数を調整する際に
は、ホット側のインターデジタル電極が浮いた状態で陽
極酸化処理をするので、この部分の表面はアルミニウム
の電極のままである。したがって、この部分にプローブ
針を当ててその特性を測定し、調整の度合いを確認する
ことができる。アース側るついては、陽極参加処理時の
電源接続部をそのまま利用すればよい。必要があれば、
アルマイトの厚みを更に厚くすることもできる。
は、ホット側のインターデジタル電極が浮いた状態で陽
極酸化処理をするので、この部分の表面はアルミニウム
の電極のままである。したがって、この部分にプローブ
針を当ててその特性を測定し、調整の度合いを確認する
ことができる。アース側るついては、陽極参加処理時の
電源接続部をそのまま利用すればよい。必要があれば、
アルマイトの厚みを更に厚くすることもできる。
【００１７】陽極酸化処理によってできるアルマイトは
電極の保護膜となる。印加電圧によっては、0.1 μｍ以
上も形成できるので、アルミニウム電極の絶縁抵抗を充
分に満足し、金属系の異物によるショート等から電極を
保護することが容易となる。
電極の保護膜となる。印加電圧によっては、0.1 μｍ以
上も形成できるので、アルミニウム電極の絶縁抵抗を充
分に満足し、金属系の異物によるショート等から電極を
保護することが容易となる。
【００１８】上記の例では、多重モードフィルタであっ
たが、トランスバーサル型フィルタや単体の共振器等表
面弾性波装置全般に利用できる。溶液（電解液）も、ほ
う砂・燐酸アンモニウム溶液などを用いてで緻密な陽極
酸化膜を形成することができ、この場合も電圧制御によ
って膜厚を制御することができる。なお、電流制御によ
って蓚酸溶液によって多孔質の陽極酸化膜を形成する場
合にも応用できる。
たが、トランスバーサル型フィルタや単体の共振器等表
面弾性波装置全般に利用できる。溶液（電解液）も、ほ
う砂・燐酸アンモニウム溶液などを用いてで緻密な陽極
酸化膜を形成することができ、この場合も電圧制御によ
って膜厚を制御することができる。なお、電流制御によ
って蓚酸溶液によって多孔質の陽極酸化膜を形成する場
合にも応用できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、陽極酸化の条件を変え
ることによって、共振周波数の変化量を所望の値とする
ことができる。また、他の条件によって結果が左右され
ることもなく、安定した共振周波数調整が可能となる。
ることによって、共振周波数の変化量を所望の値とする
ことができる。また、他の条件によって結果が左右され
ることもなく、安定した共振周波数調整が可能となる。
【００２０】また、共振周波数の調整と電極の保護膜の
形成を同時に行うことができるので、工数を低減するこ
とができるとともに、信頼性の高い表面弾性波装置が得
られる。
形成を同時に行うことができるので、工数を低減するこ
とができるとともに、信頼性の高い表面弾性波装置が得
られる。
【図１】 本発明を実施する表面弾性波装置の電極の一
例の平面図
例の平面図
【図２】 印加電圧と陽極酸化膜の厚みの関係の説明図
【図３】 陽極酸化膜の厚みと共振周波数の変化の説明
図
図
21：インターデジタル電極 22：反射器 26：（ホット側）電極 27：（アース側）電極 28：バスバー
Claims (7)
- 【請求項１】 圧電基板上にインターデジタル電極を形
成する表面弾性波装置の製造方法において、圧電基板上
の金属膜をエッチングしてインターデジタル電極を形成
し、インターデジタル電極の一方の電極を陽極酸化処理
してその表面にアルマイト膜を形成し、このアルマイト
膜の厚みを制御することによって表面弾性波装置の周波
数を調整することを特徴とする表面弾性波装置の製造方
法。 - 【請求項２】 圧電基板上にインターデジタル電極を形
成する表面弾性波装置の製造方法において、圧電基板上
の金属膜をエッチングしてインターデジタル電極を形成
し、インターデジタル電極の一方の電極を陽極酸化処理
してその表面にアルマイト膜による保護膜を形成すると
ともに、このアルマイト膜の厚みを制御することによっ
て表面弾性波装置の周波数を調整することを特徴とする
表面弾性波装置の製造方法。 - 【請求項３】 圧電基板上に複数のインターデジタル電
極を形成する表面弾性波装置の製造方法において、圧電
基板上の金属膜をエッチングして一方の電極同士が接続
されたインターデジタル電極を形成し、接続されたイン
ターデジタル電極の一方の電極を陽極酸化処理してそれ
ぞれの表面にアルマイト膜を形成し、このアルマイト膜
の厚みを制御することによって表面弾性波装置の周波数
を調整することを特徴とする表面弾性波装置の製造方
法。 - 【請求項４】 圧電基板上に複数のインターデジタル電
極を形成する表面弾性波装置の製造方法において、圧電
基板上の金属膜をエッチングして一方の電極同士が接続
されたインターデジタル電極を形成し、接続されたイン
ターデジタル電極の一方の電極を陽極酸化処理してそれ
ぞれの表面にアルマイト膜による保護膜を形成するとと
もに、このアルマイト膜の厚みを制御することによって
表面弾性波装置の周波数を調整することを特徴とする表
面弾性波装置の製造方法。 - 【請求項５】 圧電基板上にインターデジタル電極と反
射器を形成する表面弾性波装置の製造方法において、圧
電基板上の金属膜をエッチングしてインターデジタル電
極とそのインターデジタル電極の一方の電極と接続され
た反射器を形成し、インターデジタル電極の一方の電極
と反射器を陽極酸化処理してそれらの表面にアルマイト
膜を形成し、このアルマイト膜の厚みを制御することに
よって表面弾性波装置の周波数を調整することを特徴と
する表面弾性波装置の製造方法。 - 【請求項６】 圧電基板上にインターデジタル電極と反
射器を形成する表面弾性波装置の製造方法において、圧
電基板上の金属膜をエッチングしてインターデジタル電
極とそのインターデジタル電極の一方の電極と接続され
た反射器を形成し、インターデジタル電極の一方の電極
と反射器を陽極酸化処理してそれらの表面にアルマイト
膜による保護膜を形成するとともに、このアルマイト膜
の厚みを制御することによって表面弾性波装置の周波数
を調整することを特徴とする表面弾性波装置の製造方
法。 - 【請求項７】 印加する電圧によってアルマイト膜の厚
みを制御する請求項１ないし請求項６記載の表面弾性波
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27745596A JPH10107569A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 表面弾性波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27745596A JPH10107569A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 表面弾性波装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107569A true JPH10107569A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17583831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27745596A Pending JPH10107569A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 表面弾性波装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107569A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158668A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-11-28 | TDK Corporation | Surface acoustic wave device and its production-method |
| US7253706B2 (en) * | 2004-06-15 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave element, as well as surface acoustic wave element manufactured by the same method |
| CN111355459A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-30 | 中国科学院半导体研究所 | 基于电化学腐蚀的mems谐振器频率修调方法 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP27745596A patent/JPH10107569A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158668A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-11-28 | TDK Corporation | Surface acoustic wave device and its production-method |
| EP1158668A4 (en) * | 1999-11-30 | 2005-03-02 | Tdk Corp | SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD |
| US7253706B2 (en) * | 2004-06-15 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave element, as well as surface acoustic wave element manufactured by the same method |
| CN111355459A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-30 | 中国科学院半导体研究所 | 基于电化学腐蚀的mems谐振器频率修调方法 |
| CN111355459B (zh) * | 2020-03-26 | 2023-06-20 | 中国科学院半导体研究所 | 基于电化学腐蚀的mems谐振器频率修调方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6441539B1 (en) | Piezoelectric resonator | |
| US6566979B2 (en) | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method | |
| US6617249B2 (en) | Method for making thin film bulk acoustic resonators (FBARS) with different frequencies on a single substrate and apparatus embodying the method | |
| US6469597B2 (en) | Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method | |
| US3969641A (en) | Quartz crystal vibrator | |
| US8288925B2 (en) | Method of manufacturing quartz resonator element, quartz resonator element, quartz resonator, and quartz oscillator | |
| US4454444A (en) | LiTaO3 Piezoelectric resonator | |
| US7320164B2 (en) | Method of manufacturing an electronic component | |
| US7196452B2 (en) | Film acoustic wave device, manufacturing method and circuit device | |
| US6492759B1 (en) | Piezoelectric resonator and a filter | |
| JPH10107569A (ja) | 表面弾性波装置の製造方法 | |
| JPS6163107A (ja) | 水晶振動子 | |
| JP3832214B2 (ja) | Ｓａｗ素子及びその製造方法 | |
| JP4196641B2 (ja) | 超薄板圧電デバイスとその製造方法 | |
| JPS61136312A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP3467694B2 (ja) | Ｓａｗ共振片及びその製造方法 | |
| JP3969368B2 (ja) | Ｓａｗチップの製造方法およびｓａｗチップ並びにｓａｗデバイス | |
| JP3140767B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP4701504B2 (ja) | 三重モード圧電フィルタの製造方法 | |
| JPH05121985A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JP2002368573A (ja) | 超薄板圧電振動子及びその製造方法 | |
| JPH0637567A (ja) | 厚み系水晶振動子の電極形成方法 | |
| JP3760766B2 (ja) | セラミック発振子の製造方法 | |
| JP2002204140A (ja) | 圧電振動子 | |
| JPH07106893A (ja) | 圧電共振子の周波数調整方法 |