JP3907519B2 - レジストパターンの形成方法およびレジストパターン形成装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般に、レジストパターンの形成方法に関するものであり、より特定的には、基板上に塗布されたレジストをガラス転移温度以上に加熱した状態で、パターンが形成されたモールドを押しつけ、その後、基板をレジストのガラス転移温度以下に冷却して、モールドを基板から引き離すことで、レジストパターンの形成を行なう、ナノインプリントリソグラフィ技術におけるレジストパターンの形成方法に関する。この発明は、また、そのような方法を実現することができるレジストパターン形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図5は、J. Vac. Sci. Technol. B14 (6) p.4129 (1996) に開示されたナノインプリントリソグラフィ技術の基本原理を示す図である。
【0003】
図5を参照して、従来のパターンの形成方法について説明する。まず、パターンの形成されたモールド1と、レジスト膜20が形成された基板4を準備する。基板4を、レジスト2のガラス転移温度以上に加熱し、軟化したレジスト膜20にモールド1を押しつける。次いで、モールド1をレジスト膜20に押しつけた状態のまま、基板4の温度をレジスト膜20のガラス転移温度以下に下げる。モールド1を基板4より引き離すことにより、レジストパターン6が形成される。モールド1の凸部で圧縮された領域に残ったレジスト残渣7を、ドライエッチングで除去することで、所望のレジストパターンが得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のナノインプリント技術では、加熱されたレジストを直接モールドでプレスし、レジスト冷却後にモールドを引き離していたため、モールドとレジストの離型性が悪く、モールドの耐久性の劣化、形成されたパターンが折れるなどの問題点があった。
【0005】
また、モールドの表面改質処理などを行なって離型性を改善することが試みられているが、数十回のプレスで離型性が劣化してくるという問題点があった。
【0006】
さらに、高アスペクト比パターンの形成では、特にモールドとレジストの接触面積が大きく、離型性が十分ではないという問題点があった。
【0007】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、モールドとレジストの離型性を向上させることを目的としたナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法を提供することにある。
【0008】
この発明の他の目的は、そのような方法を実現できるパターン形成装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明の第1の局面に従うレジストパターンの形成方法においては、まず、基板の上に、上層膜と下層膜の2層膜からなるレジスト層を形成する。上記レジスト層に、パターンの形成されたモールドを押しつける。上記レジスト層に上記モールドを押しつけた状態で、上記基板を、上記上層膜を溶かす溶剤に浸漬し、上記上層膜を溶剤に溶解させる。上記モールドを上記基板から引き離す。
【0010】
この発明によれば、基板上のレジストを二層構造とし、モールドでプレスした状態で、モールドと基板を上層レジストのみを溶解させる溶媒に浸して、上層レジストのみを溶かすことにより下層レジストとモールドとの離型性を向上させる。
【0011】
この発明の好ましい実施態様によれば、上記レジスト層に上記モールドを押しつける工程は、上記レジスト層に上記モールドを押しつけた状態で、上記基板を冷却する工程を含む。
【0012】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記モールドを上記基板から引き離す工程は、上記上層膜を上記溶剤に溶解させながら行う。
【0013】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記上層膜として水溶性膜を選び、上記溶剤として純水を選んで行う。
【0014】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記上層膜として、レジスト現像液に可溶なネガ型レジストを選び、上記溶剤としてレジスト現像液を選んで行う。
【0015】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記上層膜としてポジ型レジストを選び、上記モールドとして、光が透過する透明モールドを選び、上記レジスト層に上記モールドを押しつけた状態で、上記透明モールドを通して、上記上層膜に光を照射し、上記上層膜をレジスト現像液に可溶に変質させる。その後、上記レジスト層に上記モールドを押しつけた状態で、上記基板を、上記上層膜を溶かす溶剤に浸漬する上記工程を行う。
【0016】
この発明の第2の局面に従う発明は、ウエハステージの上で、基板上に形成されたレジスト層に、パターンの形成されたモールドを押しつけ、レジストパターンを形成するレジストパターン形成装置に係る。上記ウエハステージ全体を溶剤に浸すことできるように、上記ウエハステージを収容する現像カップと、モールドをレジスト層に押しつけた状態で、基板を現像カップに入れられた溶剤に浸漬する機能とを備えたことを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図を用いて説明する。
【0018】
実施の形態1
図1は、実施の形態1に係るプロセスを説明するための図であり、より具体的には、インプリントのプロセスフローを示す図である。
【0019】
まず、微細パターンの形成されたモールド1を準備する。下層レジスト2と上層レジスト3の2層膜からなるレジストが形成された基板4を準備する。
【0020】
従来のナノインプリントと同様に、下層レジスト2のガラス転移温度以上に基板4を加熱し、モールド1をプレスする。次いで、モールド1をプレスした状態のまま、基板4の温度を下層レジスト2のガラス転移温度以下にまで冷却する。上層レジスト3を溶解する溶媒5中にモールド1と基板4を浸し、上層レジスト3を溶解させて、モールド1を基板から離型させる。このとき、モールド1は、上層レジスト3と密着しており、上層レジスト3を溶解させることで、下層レジスト2とモールド1の離型性が向上し、レジストパターン6が形成される。
【0021】
より具体的に説明すると、下層レジスト2としてポリメチルメタアクリレート(PMMA)を、上層レジスト3としてポリスチレン系の水溶性膜を適用することにより、溶媒5として純水が適用できる。純水により上層レジスト3のみが溶解し、モールド1の離型が容易になる。
【0022】
また、上層レジスト3として、ネガ型レジストを適用することで、溶媒5としてレジスト現像液(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)2.38wt%)を適用することができる。下層レジスト2は、レジスト現像液に溶けず、金属汚染等の問題もなく、通常の半導体製造工程と同様の取扱いが可能となる。
【0023】
実施の形態2
図2は、実施の形態2におけるパターン形成方法を示す図である。
【0024】
図2において、図1と同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。パターンのついたモールド1は、本実施の形態では、UV光などの光が透過可能な石英などで構成されている。上層レジスト3として、ポジ型レジストが用いられている。図中、矢印8は、上層レジスト3をレジスト現像液に対して可溶にさせるためのUV光である。
【0025】
本実施の形態では、2層構造レジストを、モールド1でプレスした状態で、モールド1を通してUV光8を照射させ、上層レジスト3をレジスト現像液(TMAH)に可溶に変質させる。この状態で、モールド1と基板4を一体として、溶媒5であるレジスト現像液に浸して、上層レジスト3を溶解させる。これによって、下層レジスト2とモールド1の離型性を良くすることができ、金属汚染等の問題もなく、通常の半導体製造工程と同様の取扱いが可能となる。
【0026】
実施の形態3
図3および図4は、この発明を実施するためのパターン形成装置の構成とその動作について説明するための図である。
【0027】
図3および図4において、図1に示した部材と同一または相当する部分には、同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。
【0028】
図3および図4を参照して、当該装置は、モールド1をプレスする油圧もしくは空圧で動作するプレス装置の稼働部10と、プレス稼働部10を支持する支持機構11と、支持機構11の上下動を支えるガイド12と、基板4を保持するウエハステージ部13と、プレス機構全体を支える架台部14と、加熱されたウエハステージ部13を冷却するための冷却水を流す冷却部15と、溶媒5を入れる現像カップ16と、溶媒5を現像カップ16に出し入れするためのバルブ17,18と、基板面4との平行性を調整できる機構を有したモールド吸着部19と、プレス稼働部10とモールド吸着部19とを結合するためのアタッチメント部20を備える。次に、本装置の動作について、図3および図4を用いて説明する。
【0029】
モールド1はモールド吸着部19に吸着される。レジストのガラス転移温度以上に加熱されたウエハステージ部13上で吸着されている基板4を、プレス稼働部10を動かして、モールド1でプレスする。基板4上にはレジスト2,3が2層で塗布されている。
【0030】
次いで、ウエハステージ冷却部15に冷却水を流し、レジストのガラス転移温度以下にまで、ウエハステージ部13の温度を下げる。ウエハステージ部13の温度が十分に下がり切った後、現像カップ16につながっているバルブ18を閉じる。バルブ17を開いて、溶媒5を現像カップ16中にいれて、モールド1が基板4をプレスした状態のまま、基板4を溶媒5に浸す。
【0031】
次いで、プレス圧力を緩め、上層レジスト3が溶媒5により溶解した後、プレス稼働部10を上方向に動かして、基板4からモールド1を引き離す。モールド1が基板4から十分に離型した後、バルブ18を開き、現像カップ16中に溜まっていた溶媒5を排出し、基板4をエアブローもしくはスピン乾燥法にて乾燥させる。
【0032】
以上の工程を実施することにより、モールド1と基板4の離型性を改善することができ、モールドの長寿命化、高アスペクト比パターン形成が容易に得られる。
【0033】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したとおり、この発明によれば、レジスト構造を2層構造とし、モールドをプレスした状態で、上層レジスト膜を溶媒中で溶かすことにより、モールドの離型性を向上させることができ、モールドの長寿命化が実現できるとともに、高アスペクト比パターン形成が容易に実施できるという効果を奏する。
【0035】
また、この発明によれば、上層レジスト膜に水溶性膜やレジスト樹脂を使用することで、通常の半導体プロセスで使用している溶液を使用することができ、金属汚染などの心配もなく、デバイス製造に適用できるという効果を奏する。
【0036】
さらに、この発明によれば、通常のナノインプリント装置に現像用カップを取付けることにより、容易に実現可能な装置構成とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1に係るナノインプリントプロセスフローを説明するための図である。
【図2】 実施の形態2に係るナノインプリントプロセスフローを説明するための図である。
【図3】 実施の形態3に係る装置の構成を説明するための図である。
【図4】 実施の形態3に係る装置の動作を説明するための図である。
【図5】 従来のナノインプリントのプロセスフローを説明するための図である。
【符号の説明】
1 モールド、2 下層レジスト、3 上層レジスト、4 基板、5 溶媒、6 レジストパターン、7 レジスト残渣、8 UV光、10 プレス装置の稼働部、11 支持機構、12 ガイド、13 ウエハステージ部、14 架台部、15 冷却部、16 現像カップ、17,18 バルブ、19 モールド吸着部、20 アタッチメント部。
Claims (7)
- 基板の上に、上層膜と下層膜の2層膜からなるレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に、パターンの形成されたモールドを押しつける工程と、
前記レジスト層に前記モールドを押しつけた状態で、前記基板を、前記上層膜を溶かす溶剤に浸漬し、前記上層膜を溶剤に溶解させる工程と、
前記モールドを前記基板から引き離す工程と、を備えたレジストパターンの形成方法。 - 前記レジスト層に前記モールドを押しつける工程は、前記レジスト層に前記モールドを押しつけた状態で、前記基板を冷却する工程を含む、請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記モールドを前記基板から引き離す工程は、前記上層膜を前記溶剤に溶解させながら行う、請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記上層膜として水溶性膜を選び、前記溶剤として純水を選んで行う、請求項1から3のいずれか1項に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記上層膜として、レジスト現像液に可溶なネガ型レジストを選び、前記溶剤としてレジスト現像液を選んで行う、請求項1から3のいずれか1項に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記上層膜としてポジ型レジストを選び、
前記モールドとして、光が透過する透明モールドを選び、
前記レジスト層に前記モールドを押しつけた状態で、前記透明モールドを通して、前記上層膜に光を照射し、前記上層膜をレジスト現像液に可溶に変質させ、
その後、前記レジスト層に前記モールドを押しつけた状態で、前記基板を、前記上層膜を溶かす溶剤に浸漬する前記工程を行う、請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。 - ウエハステージの上で、基板上に形成されたレジスト層に、パターンの形成されたモールドを押しつけ、レジストパターンを形成するレジストパターン形成装置において、
前記ウエハステージ全体を溶剤に浸すことできるように、前記ウエハステージを収容する現像カップと、
前記モールドを前記レジスト層に押しつけた状態で、前記基板を前記現像カップに入れられた溶剤に浸漬する機能と
を備えたことを特徴とする、レジストパターン形成装置。
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