KR100710851B1

KR100710851B1 - 나노 임프린트 리소그래피 방법 및 장치

Info

Publication number: KR100710851B1
Application number: KR1020060025945A
Authority: KR
Inventors: 성만영; 최우범; 최승우; 서상원; 신홍수; 도현정; 이상훈; 한재혁
Original assignee: (주) 비앤피 사이언스
Priority date: 2006-03-22
Filing date: 2006-03-22
Publication date: 2007-04-23

Abstract

나노 임프린트 리소그래피 방법 및 장치가 개시된다. 개시된 장치는, 스탬프에 형성된 패턴의 형상을 기판의 표면에 전사하기 위한 장치에 있어서, 상기 스탬프를 진공압으로 고정하기 위한 제 1척; 상기 제 1척과 마주보도록 설치되며, 상기 기판에 제어된 가스압을 인가하기 위한 제 2척; 상기 스탬프와 상기 기판을 둘러싸는 형상을 가지며, 인가되는 유체의 증감에 의해 상기 제 1척과 상기 제 2척 사이에서 상하로 이동하는 구조를 갖는 스토퍼; 및 상기 제 1척의 진공압과 상기 제 2척의 가스압 및 상기 스토퍼의 유체 증감을 제어하기 위한 제어부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이러한 장치는, 스탬프가 기판에 접촉하기 전에 스탬프와 기판 사이에 진공도를 형성하여 스탬프와 기판 사이에 공기가 포획되는 것을 방지하여 패턴의 전사가 양호하게 이루어지도록 할 수 있다.

나노, 임프린트, 리소그래피, 패턴

Description

나노 임프린트 리소그래피 방법 및 장치{NANO-IMPRINT LITHOGRAPHY METHOD AND APPARATUS}

도 1은 통상적인 나노 임프린트 리소그래피 공정의 개략도.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 임프린트 리소그래피 장치의 개략적인 단면도.

도 3 내지 도 8은 도 2에 도시한 나노 임프린트 리소그래피 장치의 작업 공정을 나타내는 개략적인 단면도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1: 제 1척 2: 제 2척

3: 스토퍼 4: 제 2포트

5: 제 1포트 6: 스탬프

7: 기판

본 발명은 나노 임프린트 리소그래피 방법 및 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 스탬프와 기판 사이에 진공을 형성하여 스탬프와 기판 사이에 공기나 미세 입자가 포획되는 것을 방지한 상태에서 스탬프가 기판에 접촉하도록 함으로써 패턴의 전사가 양호하게 이루어지도록 한 나노 임프린트 리소그래피 방법 및 장치에 관한 것이다.

리소그래피(Lithography) 기술은 반도체 웨이퍼 상에 집적회로를 정의하는 복잡한 패턴을 인쇄하여 형성하는 기술로서, 리소그래피 기술의 발전은 오늘날 집적회로의 고 집적도를 가능하게 하였다.

기존에 널리 사용되던 광학 리소그래피는, 감광막이 도포된 반도체 웨이퍼 상에 고정밀 광학계를 이용하여 축소된 마스크 상의 패턴을 이미지화한다. 이러한 광학 리소그래피는, g-line(435㎚), i-line(365㎚)을 거쳐서 현재 248㎚ DUV(Deep Ultraviolet)를 생성하는 KrF(Krypton Fluoride) 엑시머 레이저를 광원으로 사용하고, 해상도를 증가시키기 위한 각종 주변 기술을 접목하여, 현재 125㎚보다 작은 크기의 게이트 선폭을 가지는 트랜지스터의 양산이 가능하도록 하였다.

그러나, Moore의 법칙에 따라 IC의 생산성은 광학 리소그래피의 기술보다 더 빠른 속도로 발전하기 때문에 ArF(Argon Flouride) 193㎚ 레이저 또는 F2(Flourine) 157㎚ 레이저 등 KrF보다 더 짧은 파장의 광원을 사용한다고 하더라도 기존의 광학 리소그래피를 이용해서는 70㎚ 이하의 초극미세 패턴형성은 한계가 있다.

다시 말해, 광학 리소그래피로는 집적회로의 비약적 발전에 따라 곧 요구되어질 0.1um 이하의 선폭을 형성하는 것이 불가능하게 된다(실제로 256Mb DRAM을 만들기 위해서는 최소 0.25micron의 패턴을 만들 수 있어야 하며, 이보다 집적도가 16배 향상된 4Gb DRAM을 만들기 위해서는 최소 0.13micron의 패턴을 만들어야 한다).

이러한 광학 리소그래피의 한계를 극복하기 위해, 이른바 차세대 리소그래피(Next-Generation Lithographies, NGLs)라고 불리는 기술들이 개발되고 있으며, EUV 리소그래피(EUVL), X-ray 리소그래피, Ion-beam Projection 리소그래피, Electron-Beam 리소그래피, Dip pen 리소그래피, AFM(Atomic Force Microscope) 및 STM(Scanning Tunneling Microscope)을 이용한 Proximal Probe 리소그래피 등이 제안되어 있으며, 그 중에서 10~14㎚ 범위의 파장을 갖는 극자외선(EUV, Extreame Ultraviolet)을 사용하는 EUVL은 선두의 NGL 기술로 알려져 있다.

이러한 EUV 리소그래피(EUVL)는 광학 리소그래피와 많은 유사점을 가지나, EUV가 거의 모든 물질에서 강하게 흡수되기 때문에 EUV의 사용은 진공에서 이루어져야 하고 기존의 굴절형 광학계가 아닌 반사형 광학 시스템을 사용하여 이루어져야 한다. 그러나 정사 입사각에서는 EUV의 반사율이 매우 낮기 때문에 반사표면을 Distributed Bragg Reflect로 알려진 박막으로 다층 코팅해야 하며, 완벽한 거울이 필요하기 때문에 매우 발달된 연마와 계측기술이 필요하다.

또한, 일반적인 광 포토레지스트에서의 EUV 흡수율이 매우 높기 때문에 새로운 레지스트와 공정기술이 적용되어야 하므로, 많은 기술적 어려움과 복잡한 제작과정에 의해 이 기술이 상용화되기 위해서는 아직 많은 연구들이 선행되어야 한다.

X-ray 리소그래피의 경우, 25㎚의 초극미세 패턴의 형성이 가능하나 고출력의 소스(싱크로트론 소스 등) 제작이 필요함으로 인해 공정 비용이 많이 소모될 뿐 만 아니라, 광학시스템 및 마스크의 제조가 기술적으로 어렵고 고가이므로 상용화가 어려울 것으로 보인다.

Ion-beam 리소그래피는 이온빔을 집속하면서 마스크의 패턴을 레지스트에 축소하여 투영하는 방법으로서, 색수차와 공간전하에 의한 이온빔 단면의 변형문제를 기술적으로 극복하기 어려워 아직까지 1um 정도의 해상도 밖에 이루지 못하고 있으므로 이 기술이 나노 소자의 제조에 적용되기에는 많은 문제가 있다.

Electron-Beam(e-beam) 리소그래피는, X-ray 리소그래피에 비해 상대적으로 저렴한 비용으로 초극미세 패턴을 형성할 수는 있으나 시간당 처리량(throughput)이 작아 실제 생산 현장에서 대량 생산에 사용되기는 본질적으로 한계를 갖고 있다.

Dip pen 리소그래피 및 AFM 및 STM을 이용한 Proximal Probe 리소그래피는, 수 ㎚ 또는 원자 및 분자 크기의 패턴형성이 가능하기는 하나 생산성 및 기술적 완성도가 낮아 아직 생산 현장에 사용하기에는 무리가 있다.

이와 같이, 상기한 리소그래피 방법은, 최대 패터닝 면적이 작고, 패터닝 속도 및 처리량이 너무 낮을 뿐만 아니라 비용이 과도히 소모된다는 문제점을 갖고 있어 나노패턴의 경제적인 대량생산이라는 측면에 문제가 있다. 또한, 적용하기 위해서 다단계의 전처리 과정을 거치거나 복잡한 장치를 필요로 하거나, 패턴의 높이가 마스크로 사용될 수 없을 정도로 작다는 등의 이유로 실제 나노패턴 공정에서의 적용은 지극히 비현실적이다.

이러한 리소그래피 방법들에 반해, 프린스턴 대학의 Stephen Chou교수에 의 해 제안된 나노 임프린트 리소그래피 방법은, 나노 구조물 및 나노 소자의 경제적인 대량생산을 위한 기술로 각광받고 있다. 위에서 제안된 나노 임프린트 리소그래피 방법이란, PMMA(Polymethylmethacrylate) 등의 열가소성 폴리머 등으로 코팅한 기판표면을 나노 크기의 구조물(100㎚이하)을 갖는 스탬프(stamp)로 압착하여 기판 상의 폴리머 레지스트(resist) 표면 위에 스탬프의 패턴을 옮기는 방법이다. 이때, 레지스트에 각인된 나노구조는 스탬프의 형상과 동일하게 형성되며, 스탬프는 주로 나노 크기의 패턴을 가진 실리콘, 실리콘 산화물 등으로 제작된다.

이러한 나노 임프린트 리소그래피 공정을, 도 1을 참조하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.

실리콘 웨이퍼로 형성된 기판(10) 위에 PMMA 등의 열가소성 폴리머 등을 코팅하여 레지스트층(20)을 형성하고, 미리 제작된 나노 패턴을 갖는 스탬프(30)를 레지스트층(20)를 향해 가압하여 스탬프(30)의 나노 패턴을 레지스트(20)로 전사 또는 임프린트한다. 이렇게 임프린트 하는 동안 레지스트(20)에 자외선을 투사하여 레지스트를 응고시키는 방법(자외선 나노 임프린트 리소그래피법) 또는 레지스트(20)를 유리전이온도 이상으로 가열하는 방법(열 나노 임프린트 리소그래피법)을 이용하여 스탬프(30)의 패턴이 레지스트(20)에 잘 각인되도록 한 다음, 스탬프(30)를 레지스트(20)로부터 분리시키고, 잔류하는 레지스트가 있을 경우 이를 제거함으로써 고분자 마스크를 형성한다.

그런데 이와 같은 나노 임프린트 리소그래피 공정에서, 기판(10)과 스탬프(30)가 서로 접촉될 때 전체 면적이 동시에 접촉되므로 중심 영역에서는 공기나 미 세입자가 미처 빠져나가지 못하고 기판(10)(또는 기판(10) 상의 레지스트(20))과 스탬프(30) 사이에 갇히는 현상이 발생한다. 이와 같이 기판(10)과 스탬프(30) 사이에 공기나 미세입자가 포획되면 스탬프(10)에서 레지스트(20)로의 패턴의 전사가 불완전하게 이루어지게 되며, 이에 따라 공정의 수율이 저하되는 문제점이 발생한다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 스탬프와 기판 사이에 진공을 형성하여 스탬프와 기판 사이에 공기나 미세입자가 포획되는 것을 방지한 상태에서 스탬프가 기판에 접촉하도록 함으로써 패턴의 전사가 양호하게 이루어지도록 하기 위한 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 스탬프에 형성된 패턴의 형상을 기판의 표면에 전사하기 위한 장치에 있어서, 상기 스탬프를 진공압으로 고정하기 위한 제 1척; 상기 제 1척과 마주보도록 설치되며, 상기 기판에 제어된 가스압을 인가하기 위한 제 2척; 상기 스탬프와 상기 기판을 둘러싸는 형상을 가지며, 인가되는 유체의 증감에 의해 상기 제 1척과 상기 제 2척 사이에서 상하로 이동하는 구조를 갖는 스토퍼; 및 상기 제 1척의 진공압과 상기 제 2척의 가스압 및 상기 스토퍼의 유체 증감을 제어하기 위한 제어부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 또 하나의 본 발명은, 나노 임프린트 리 소그래피 공정에서 스탬프에 형성된 패턴의 형상을 기판의 표면에 전사하기 위한 방법에 있어서, 제 1척에 진공압으로 상기 스탬프를 고정하고, 상기 제 1척과 마주보는 제 2척에 상기 기판을 진공압으로 고정하는 단계; 상기 제 1척과 상기 제 2척 사이의 공간을 밀폐하여 밀폐된 내부 공간을 외부와 격리하는 단계; 상기 밀폐된 내부 공간에 진공을 형성하는 단계; 상기 제 1척과 상기 제 2척의 간격을 감소시켜 상기 스탬프의 패턴을 상기 기판 표면으로 전사하는 단계; 상기 밀폐된 내부 공간의 진공을 해제하고 상기 제 1척과 상기 제 2척을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예를 통해 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 임프린트 리소그래피 장치의 개략적인 단면도이고, 도 3 내지 도 8은 도 2에 도시한 나노 임프린트 리소그래피 장치의 작업 공정을 나타내는 개략적인 단면도이다.

도 2에서, 본 발명의 나노 임프린트 리소그래피 장치는 스탬프(6)에 형성된 패턴의 형상을 기판(7)의 표면에 형성된 레지스트층(미도시)으로 전사하기 위한 것으로서, 스탬프(6)를 진공압으로 고정하기 위한 제 1척(1); 제 1척(1)과 마주보도록 설치되며, 기판(7)을 진공압으로 고정하거나 제어된 가스압을 인가하여 기판(7)을 상기 스탬프(6) 측으로 밀기 위한 제 2척(2); 스탬프(6)와 기판(7)을 둘러싸는 형상을 가지며 내부에 주입되는 유체의 증감에 의해 제 1척(1)과 제 2척(2) 사이에 서 상하로 이동하는 구조를 갖는 스토퍼(3); 및 제 1척(1)의 진공압과 제 2척(2)의 가스압 및 스토퍼(3)의 유체량 증감을 제어하기 위한 제어부(미도시)로 이루어진다.

제 1척(1)에는 스탬프를 흡착하여 진공압으로 고정하기 위한 가스 홀들로 이루어진 포트(미도시)가 형성된다. 이 포트에는 가스를 인가 또는 흡입하기 위한 호스(미도시)가 연결되며, 호스의 타단은 제어부에 의해 제어되는 가스 펌핑장치 및 송풍팬(미도시)에 연결된다. 제 1척(1)의 포트 구조는 하기하는 제 2척(2)에 구비된 포트(5) 구조와 동일 또는 유사하게 형성된다.

제 2척(2)은 기판(7)이 장착될 수 있도록 충분한 넓이를 가지는 원형 또는 다각형으로 이루어지며, 중앙부에는 기판(7)에 가스압 또는 진공압을 인가하기 위한 상면으로 노출된 다수의 가스 홀들로 이루어진 제 1포트(5)가 형성되며, 가장자리부에는 스토퍼(3)가 구비된다.

스토퍼(3)는 링 형상 또는 원통 형상으로 이루어지며, 제 2척(2) 상에서 유체량의 증감에 따라 제 1척(1) 방향으로 승강되도록 설치된다. 스토퍼(3)의 상면에는 고무재질로 된 링을 고정하여 제 1척(1)의 저면에 접촉한 상태에서 기밀을 유지할 수 있도록 한다. 스토퍼(3)를 승강시키기 위한 유체로는 통상적인 유압 오일 또는 공기(air), 질소 등의 가스를 사용할 수 있다.

스토퍼(3)가 설치되는 부분과 기판(7)의 중앙부 사이에는 제 2척(2)의 상면으로 노출되는 다수의 가스 홀들로 이루어진 제 2포트(4)가 형성된다. 바람직하게는 제 2포트(4)는 한겹 또는 두겹의 동심원 형태로 배열된 가스 홀들로 구성된다. 제 1포트(5) 및 제 2포트(4)에는 가스를 인가하거나 흡입하기 위한 호스(미도시)가 각각 연결되며, 각각의 호스는 제어부에 의해 제어되는 가스 펌핑장치(미도시)에 연결된다. 한편, 경우에 따라 상기 제 2포트(4)가 제 2척(2)이 아닌 다른 장소 예컨대 제 1척(1)에 제공될 수도 있다.

제 1척(1)의 포트와 제 2척(2)의 제 1포트(5) 및 제 2포트(4)를 통해 인가 또는 흡입되는 가스는 전형적으로는 공기(air)이며, 그 외에 통상적으로 나노 임프린트 리소그래피 공정에 사용되는 질소 등의 다른 가스가 이용될 수도 있다.

이하에서는 본 실시예인 나노 임프린트 리소그래피 장치를 사용하여 스탬프의 패턴을 기판에 전사하는 공정을 설명한다.

도 2와 같이, 제 1척(1)의 저면에 스탬프(6)를 위치시키고 제어부가 가스 펌핑장치를 가동하여 제 1척(1)에 진공압을 발생시키면, 스탬프(6)가 제 1척(1)에 고정된다. 그리고 제 2척(2)의 제 1포트(5)의 상면에 기판(7)을 올려놓고 제어부가 가스 펌핑장치를 가동하여 제 2척(2)에 진공압을 발생시키면 기판(7)이 제 2척(2)에 고정된다. 도 2에서 제 1포트(5) 내에 도시된 무늬는 진공상태를 나타내는 것으로서, 이하의 도면에서 동일한 무늬는 진공상태를 도시한 것으로 한다.

이어서 도 3과 같이, 제어부가 제 2척(2)의 가장자리부에 설치된 스토퍼(3)에 유체를 인가하여 제 1척(1)의 저면에 접할때까지 스토퍼(3)의 높이를 증가시킨다. 이에 따라 스토퍼(3)로 둘러싸인 내부 공간은 외부로부터 격리된다.

그 다음 도 4와 같이, 제어부가 가스 펌핑장치(미도시)를 가동하여 제 2포트 (4)로 가스를 흡입하면, 스토퍼(3)로 둘러싸인 내부에 진공이 형성된다. 이때 제어부는 스토퍼(3)에 진공압을 이길 수 있도록 유체압을 가하여 스토퍼(3)가 하강하지 않도록 한다.

그 다음 도 5와 같이, 제어부가 스토퍼(3)에 인가된 유체압을 해제 또는 완화하면, 스토퍼(3)의 높이가 점차 낮아지면서 제 1척(1)과 제 2척(2)의 간격이 좁아져서 스탬프(6)와 기판(7)이 진공압착(vacuum contact)된다. 즉, 스탬프(6)와 기판(7) 사이의 내부 공간은 이미 진공상태에 놓여 있으므로 스탬프(6)와 기판(7)이 접촉하는 동안에도 내부 공간에서는 공기나 미세입자가 포획되지 않는다. 따라서 스탬프(6)와 기판(7)은 전체적으로 균일하고 양호하게 서로 접촉한다.

그 다음 도 6과 같이, 제어부가 제 1포트(5)에 진공압을 해제하고 송풍팬(미도시)을 가동하여 가스를 불어 넣으면, 기판(7)이 스탬프(6) 측으로 가압되면서 패턴의 전사가 이루어진다. 스탬프(6)와 기판(7)이 균일하고 양호하게 서로 접촉되어 공기나 미세입자가 포획되지 않은 상태에서 가압되는 것이므로 양호한 전사가 이루어질 수 있다.

전사가 이루어지기에 충분한 시간이 경과하면, 도 7과 같이, 제어부가 제 1포트(5)에 진공압을 인가하여 기판(7)을 제 2척(2)에 재고정한다. 이어서, 스토퍼(3)에 유체압을 가하여 스토퍼(3)를 상승시키고, 제 2포트(4)에 인가된 진공압을 해제하고 가스를 불어넣어 제 1척(1)과 제 2척(2)의 간격을 넓힘으로써, 스탬프(6)와 기판(7)을 분리시킨다.

그 다음 도 8과 같이, 제어부는 제 2포트(4)에 인가된 가스압을 해제하여 스 토퍼(3)로 둘러싸인 내부의 가스압을 낮추는 한편 스토퍼(3)의 높이를 낮추어 내부 공간을 개방함으로써 장치를 도 2의 상태로 초기화한다.

이상의 실시예에서 설명한 바와 같이 본 발명의 나노 임프린트 리소그래피 방법 및 장치는, 스탬프가 기판에 접촉하기 전에 스탬프와 기판 사이에 진공도를 형성하여 스탬프와 기판 사이에 공기나 미세입자가 포획되는 것을 방지하여 패턴의 전사가 양호하게 이루어지므로 정밀한 포토 공정을 수생할 수 있으며, 스토퍼에 인가되는 가스압을 정밀 제어하여 기판과 스탬프 사이의 유격을 효과적으로 제어할 수 있다.

한편, 본 발명의 장치와 방법은 나노 임프린트 리소그래피 시스템 외에도 포토 레지스트 리소그래피 시스템과 같이 본 발명의 원리가 적용될 수 있는 다른 장비에서도 동일한 방식으로 구현될 수 있다.

이상에서는 본 발명을 특정의 실시예를 이용하여 도시하고 설명하였으나, 당업자는 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명을 다양하게 변형하고 개량할 수 있을 것이다.

Claims

스탬프에 형성된 패턴의 형상을 기판의 표면에 전사하기 위한 장치에 있어서,

상기 스탬프를 진공압으로 고정하기 위한 제 1척;

상기 제 1척과 마주보도록 설치되며, 중앙부에 상기 기판을 배치할 수 있으며, 상기 기판에 제어된 가스압을 인가하기 위한 제 2척;

상기 제 2척의 주변부에 장착되며, 상기 스탬프와 상기 기판을 둘러싸는 형상을 가지며, 인가되는 유체의 증감에 의해 상기 제 1척과 상기 제 2척 사이에서 상하로 이동하는 구조를 갖는 스토퍼;

상기 중앙부와 상기 주변부 사이에 형성되며, 상기 제 1척, 제 2척 및 스토퍼로 둘러싸인 내부 공간으로 가스를 인가 또는 흡입하기 위한 포트; 및

상기 제 1척의 진공압과 상기 제 2척의 가스압과 상기 스토퍼의 유체 증감 및 상기 포트로의 가스 인가와 흡입을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제 2척의 중앙부와 주변부 사이에 형성되는 상기 포트는 동심원 형태로 배열되는 다수의 가스 홀들로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 장치.
제 2 항에 있어서,

상기 제 1척 및 상기 제 2척에는 가스를 인가 또는 흡입하기 위한 다수의 가스 홀들로 이루어진 포트가 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 패턴 형상 전사 장치는 나노 임프린트 리소그래피 시스템 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 패턴 형상 전사 장치는 포토 레지스트 리소그래피 시스템 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 장치.
제 1 항의 장치를 이용하여 스탬프에 형성된 패턴의 형상을 기판의 표면에 전사하기 위한 방법에 있어서,

제 1척에 진공압으로 상기 스탬프를 고정하고, 상기 제 1척과 마주보는 제 2척에 상기 기판을 진공압으로 고정하는 단계;

상기 스토퍼가 상기 제 1척과 상기 제 2척의 사이를 밀폐하여 상기 스토퍼로 둘러싸인 내부와 외부의 공기를 분리하는 단계;

상기 포트로의 가스 인가와 흡입을 제어하여 상기 제 1척, 제 2척 및 스토퍼로 둘러싸인 내부 공간에 진공을 형성하는 단계;

상기 진공이 유지되는 동안 상기 스탬프에 형성된 패턴을 상기 기판으로 전사하는 단계;

상기 포트로의 가스 인가와 흡입을 제어하여 상기 제 1척, 제 2척 및 스토퍼로 둘러싸인 내부 공간의 진공을 해제하는 단계; 및

상기 스탬프와 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 방법.
스탬프에 형성된 패턴의 형상을 기판의 표면에 전사하기 위한 방법에 있어서,

제 1척에 진공압으로 상기 스탬프를 고정하고, 상기 제 1척과 마주보는 제 2척에 상기 기판을 진공압으로 고정하는 단계;

상기 제 2척에 설치된 스토퍼의 높이를 상기 제 1척의 저면까지 증가시켜 상기 스토퍼로 둘러싸인 내부와 외부의 공기를 분리시키는 단계;

상기 스토퍼로 둘러싸인 내부 공간에 진공을 형성하는 단계;

상기 스토퍼의 높이를 감소시켜 상기 제 1척과 상기 제 2척의 간격을 좁힘으로써, 상기 스탬프와 상기 기판이 접촉되게 하는 단계;

상기 제 2척의 진공압을 해제하고 가스를 인가하여 상기 기판을 상기 스탬프 측으로 가압하여 상기 패턴의 전사가 이루어지도록 하는 단계;

상기 제 2척에 진공압을 인가하여 상기 기판을 상기 제 2척에 재고정하는 단계;

상기 스토퍼의 높이를 증가시키고 상기 스토퍼로 둘러싸인 내부 공간에 가스를 인가하여 상기 제 1척과 상기 제 2척의 간격을 넓힘으로써, 상기 스탬프와 상기 기판을 분리시키는 단계;

상기 스토퍼로 둘러싸인 내부 공간의 가스 압력을 낮추고, 상기 스토퍼의 높이를 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 패턴 형상 전사 방법은 나노 임프린트 리소그래피 공정에 적용되는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 방법.
나노 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프에 형성된 패턴의 형상을 기판의 표면에 전사하기 위한 방법에 있어서,

제 1척에 진공압으로 상기 스탬프를 고정하고, 상기 제 1척과 마주보는 제 2척에 상기 기판을 진공압으로 고정하는 단계;

상기 제 1척과 상기 제 2척 사이의 공간을 밀폐하여 밀폐된 내부 공간을 외부와 격리하는 단계;

상기 밀폐된 내부 공간에 진공을 형성하는 단계;

상기 제 1척과 상기 제 2척의 간격을 감소시켜 상기 스탬프의 패턴을 상기 기판 표면으로 전사하는 단계;

상기 밀폐된 내부 공간의 진공을 해제하고 상기 제 1척과 상기 제 2척을 분 리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 방법.
제 9 항에 있어서,

상기 제 1척과 상기 제 2척 사이의 공간 밀폐는 상기 제 1척과 상기 제 2척 사이에 제공되어 상하로 운동가능한 스토퍼에 의해 수행되며, 상기 밀폐의 공간의 진공 형성 및 해제는 상기 제 1척 또는 상기 제 2척에 구비되는 가스 인가 및 흡입 포트에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 전사 방법.