KR100633019B1 - 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의이격공정 및 그 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 5인치 이상의 대면적을 갖는 기판에 대하여 미세 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는데 있어서, 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 또는 스탬프로부터 임트린트된 기판을 원활히 이격시킬 수 있는 미세 임프린트 리소그래피 공정을 제공하는 것이다.

이를 위하여 본 발명은 미세 구조물을 임프린트할 기판과, 미세 구조물 패턴이 형성된 스탬프 그리고 상기 기판 또는 스탬프를 지지하는 스테이지를 준비하는 단계;와 상기 기판의 상부에 레지스트를 도포하고 레지스트에 상기 스탬프의 미세 구조물 패턴을 임프린트하는 단계; 그리고 상기 임프린트된 기판과 상기 스탬프를 공기압이나 진공을 이용하여 이격시키는 단계; 를 포함하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판을 이격하는 방법을 제공한다.

미세 임프린트 리소그래피, 기판, 스탬프, 이격공정, 공기노즐, 단차

Description

미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격공정 및 그 장치{METHOD FOR RELEASING PROCESS OF STAMP AND SUBSTRATE IN NANO/MICROIMPRINT LITHOGRAPHY PROCESS AND STRUCTURE THEREOF}

도 1a 내지 도1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 이격시키는 공정을 순서대로 도시한 순서도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 이격시키기 위하여 공기분사 노즐을 삽입하는 예를 나타낸 개념도이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 이격시키기 위하여 공기분사 노즐을 이동시키는 예를 나타낸 개념도이다.

본 발명은 미세 임프린트 리소그래피(nano/microimprint lithography)공정 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 UV-임프린트 리소그래피 공정기술이나, 가열방식 임프린트 리소그래피 공정기술에 의하여 미세 구조물을 제작하는 과정에서 대면적의 임프린트 기술을 구현하는 경우 스탬프와 기판을 원활하게 이격시킬 수 있는 방법 및 그 구조에 관한 것이다.

미세임프린트 리소그래피 기술은 경제적이고도 효과적으로 미세 구조물을 제작하는 기술로써, 수 내지 수십 마이크로 정도의 미세 구조물이 각인된 스탬프를 기판 위에 코팅된 레지스트 표면에 눌러 미세 구조물을 반복적으로 임프린트하는 기술이다.

종래 임프린트 리소그래피 기술은 Chou 교수가 제안한 것이 있으며, 이 기술은 전자빔 리소그래피 공정을 이용하여 제작한 미세 크기의 부조 구조물을 가진 스탬프를 먼저 제작하고 이러한 스탬프를 기판의 표면에 코팅되어 있는 polymethylmethacrylate (PMMA)재질의 레지스트 표면에 접촉한 다음 스탬프를 고온에서 누르고 냉각하여 스탬프를 기판으로부터 분리하는 방법이다.

이와 같은 방법에 의하면 기판의 레지스트에는 스탬프에 각인된 미세 구조물이 정반대 형태로 임프린트되고, 이방성 식각 작업을 통하여 레지스트 표면에서 눌려진 부분에 남아 있는 잔여 레지스트를 완전히 제거하여 완성하게 된다.

또 다른 임프린트 리소그라피 기술로는 Laser-Assisted Direct Imprint (LADI)공정이 있다. 이 공정은 308 nm 파장의 Single 20 ns excimer laser를 사용하여 실리콘 웨이퍼(기판) 표면에 코팅된 레지스트를 순간적으로 녹여 임프린트하는 방법이다.

또 다른 임프린트 리소그라피 기술로는 Nanosecond laser-assisted nanoimprint lithography (LA-NIL)공정이 있다. 이 공정은 레지스트로 고분자 소재를 사용한 것으로 기판 표면의 레지스트에 100 nm 선폭과 90 nm깊이의 미세 구조물을 임프린트 할 수 있는 공정이다.

이상 설명한 임프린트 기술들은 모두 레지스트를 경화시키기 위하여 열을 가하는 방법을 사용하고 있다.

그러나 이와 같이 가열 방식의 임프린트 기술은 다양한 적층 공정을 수행하기 위하여 다층화(multi-layer)공정이 필수적인 반도체 제조 공정에 적용할 경우 레지스트가 열변형을 일으켜서 다층 정렬(alignment)이 곤란하다는 문제점이 있다. 또한 점도가 큰 레지스트를 임프린트하기 위해서는 약 30 기압 정도의 고압으로 스탬프를 가압하여야 하기 때문에 이러한 과정에서 열 경화성 재질로 제작된 구조물이 파손을 일으켜 사용할 수 없는 문제점이 있다. 이 밖에도 스탬프용 기판으로 사용한 물질이 불투명하여 실제 미세 구조물 제작 공정에 적용할 경우 다층 정렬작업이 곤란하다는 문제점이 있다.

이러한 가열방식의 임프린트 기술의 문제점들을 해결할 수 있는 기술로는 Sreenivasan 교수 등이 제안한 Step & Flash Imprint Lithography (SFIL) 공정이 있다.

이 공정은 레지스트 물질로서 자외선 경화 소재를 사용한 것을 특징으로 하고 있으며 이러한 자외선 경화 소재를 이용할 경우 상온상태에서 저압으로 미세 구조물을 제작할 수 있다는 장점이 있다. 또한 스탬프 제작을 위한 기판으로서 자외선을 투과시킬 수 있는 물질 예를 들면 수정(quartz)이나 유리(Pyrex glass)등을 사용한다는 점에 그 특징이 있다.

이러한 SFIL 공정은 먼저 전달층(transfer layer)이 실리콘 기판위에 코팅 된다. 다음에 자외선 투과성 스탬프가 전달층과 일정간격이 유지된 상태에서 점성 (viscosity)이 낮은 자외선 경화수지를 표면장력에 의하여 미세 구조물 안으로 충전되도록 한다. 충전이 완료된 시점에서 스탬프를 전달층과 접촉시키고, 자외선을 조사하여 수지를 경화시킨 후, 스탬프를 분리하고 식각 과정과 lift-off 과정을 거쳐 미세 구조물이 기판 위에 각인되도록 하는 것이다.

최근의 SFIL 공정은 전달층과 스탬프 사이에 자외선 경화수지 액적을 떨어뜨린 후 스탬프로 가압하는 방식으로 연구가 진행되고 있다.

이와 같은 SFIL 공정의 또 다른 특징은 step & repeat 방식으로 전체 기판을 한번에 임프리트하는 것이 아니라 소단위 크기의 스탬프를 사용하고 여러 번 반복하여 임프린트하는 방식을 채택하고 있다는 점이다.

이 방식은 작은 면적을 가진 스탬프를 사용하기 때문에 미세 구조물에 수지를 충전시키는 데는 효율적이나, 대면적의 기저를 임프린트하는 경우에 매번 정렬 작업과 임프린트 공정을 수행하게 되므로 전체 공정 시간이 매우 길어지는 단점이 있다.

또한 종래의 임프린트 리소그래피 공정들은 1인치 이하의 작은 스탬프를 사용하여 step & repeat 방식으로 임프린트(UV-임프린트 리소그래피)하여 임프린트 이후 공정인 스탬프와 기판을 이격시키는 공정에서의 문제점을 확인할 수 있는 단계에 이르지 못하고 있다.

더욱이 5인치 이상의 면적을 갖는 미세 임프린트 리소그래피 공정에 대해서는 지금까지 스탬프와 기판을 원활히 이격시킬 수 있는 공정기술에 대하여 알려진 바가 없으나, 실용화를 위해서는 이러한 스탬프와 기판간의 이격을 위한 공정기술 이 요구되고 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 그 목적은 5인치 이상의 대면적을 갖는 기판에 대하여 미세 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는데 있어서 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 또는 스탬프로부터 임트린트된 기판을 원활히 이격시킬 수 있는 미세 임프린트 리소그래피 공정을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 5인치 이상의 대면적을 갖는 기판에 대하여 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는데 있어서 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 또는 스탬프로부터 임트린트된 기판을 원활히 이격시킬 수 있는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 스탬프 또는 기판을 제공하는 것이다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 미세구조물을 임프린트할 기판과, 미세구조물 패턴이 형성된 스탬프 그리고 상기 기판 또는 스탬프를 지지하는 스테이지를 준비하는 단계;와 상기 기판의 상부에 레지스트를 도포하고 레지스트에 상기 스탬프의 미세구조물 패턴을 임프린트하는 단계; 그리고 상기 임프린트된 기판과 상기 스탬프를 공기압이나 진공을 이용하여 이격시키는 단계; 를 포함하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판을 이격하는 방법을 제공한다.

이러한 본 발명은 기판 또는 스탬프 중 어느 하나의 모서리에 이격용 공간이 형성되어 있고, 이러한 이격용 공간을 이용하여 상기 스탬프와 상기 기판간의 전파 용 간격을 형성시키는 단계를 더욱 포함한다.

또한 본 발명은 스탬프와 기판의 측면부에 형성된 전파용 간격을 기점으로 하여 전파용 간격을 스탬프와 기판의 중심부로 전파시켜 일체로 부착되어 있는 스탬프와 기판의 부착면 전체를 이격시키는 단계를 더욱 포함한다.

이상과 같은 본 발명은 5인치 이상의 대면적 스탬프에 적용하는 것이 바람직하다.

그리고 본 발명에서 임프린트 단계는 자외선 임프린트 리소그래피(ultraviolet imprint lithography) 공정 또는 가열방식의 임프린트 리소그래피(hot embossing imprint lithography) 공정에 의하여 임프린트 공정을 수행할 수 있다.

또한 본 발명은 미세구조물을 임프린트할 레지스트가 도포된 기판;과 미세구조물 패턴이 형성되고 전체 면 중에서 미세 구조물 패턴이 형성되지 않은 영역부분의 모서리 중 적어도 어느 일부분에 공기 가압을 위한 이격용 공간이 형성된 스탬프; 그리고 상기 기판 또는 상기 스탬프 중 어느 하나를 지지하는 스테이지; 를 포함하는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 장치를 제공한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다.

본 발명에서 사용한 용어 중에서 미세 임프린트 리소그래피 또는 미세 구조물에서와 같이 "미세"라고 사용한 용어의 정의는 나노 또는 마이크로를 의미한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 이격시키는 공정을 순서대로 도시한 순서도이고, 도 2는 임프린트된 기판으로부터 스탬 프를 이격시키기 위하여 공기분사 노즐을 삽입하는 예를 나타낸 개념도이며, 도 3은 임프린트된 기판으로부터 스탬프를 이격시키기 위하여 공기분사 노즐을 이동시키는 예를 나타낸 개념도이다.

도1 내지 도3에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 따른 미세 임프린트 리소그래피 공정용 이격 구조는 크게 스탬프(10)와 기판(20) 그리고 이러한 스탬프와 기판을 올려놓는 스테이지(40)로 이루어진다.

본 실시예에 따른 미세 임프린트 리소그래피 공정용 스탬프(10)는 스탬프(10)의 모서리 부분에 단차(12, 14)가 형성된 것이 특징이다.

이러한 스탬프(10)의 모서리 부분에 형성된 단차(12,14)는 스탬프(10)전체 면 중에서 미세 구조물 패턴(16)이 형성되지 않은 영역부분에 형성되어 진다. 또한 이러한 스탬프에 형성된 단차(12, 14)는 기판(20)과 마주보는 면에서 형성되며, 스탬프(10)의 모서리 부분을 따라가면서 전체적으로 형성될 수도 있고, 필요에 따라 일부분 또는 대각선 방향 또는 2개의 모서리 부분을 따라서만 형성될 수도 있다.

또한 본 실시예에 따른 미세 임프린트 리소그래피 공정용 기판(20)은 스탬프(10)의 모서리와 맞닿는 부분에 홈(24)가 형성될 수도 있다. 이와 같이 기판(20)에 형성된 홈(24)은 기판(20)의 면적이 스탬프(10)의 면적보다 같거나 클 경우에는 이와 같이 스탬프(10)의 모서리와 맞닿는 부분에 형성되지만 그 면적이 작을 경우에는 스탬프의 단차(12,14)와 같이 기판(20)의 모서리에 단차(홈)가 형성될 수도 있다.

이상 설명한 스탬프의 단차(12,14) 또는 기판의 홈(24)은 후술하는 미세 임프린트 리소그래피 공정이 완료된 다음 스탬프(10)와 기판(20)을 이격시킬 때 이격공정을 원활하게 수행하기 위한 기점역할을 하는 것이므로 그 형상은 본 발명의 전 취지에 따라 여러 가지 형태로 변형, 예를 들면 단차, 모따기, 홈 등과 같이 변형될 수 있다. 이러한 의미에서 이하에서는 이러한 단차(12,24) 또는 홈을 이격용 공간이라 한다.

그리고 본 실시예에 따른 미세 임프린트 리소그래피 공정용 스테이지(40)는 이격공정시 스탬프(10)와 기판(20)을 올려놓고 그 중심부에 공기압이나 진공을 형성하기 위한 다수 개의 공기구멍(42)이 형성되어 있다.

이와 같이 스테이지(40)에 형성된 공기구멍(42)은 스탬프(10) 또는 기판(20)의 면적에 대응하는 면적 전체에 형성될 수도 있고, 필요에 따라 중심부와 같은 일 부분에만 형성될 수도 있다. 또한 이러한 스테이지(40)에 형성된 공기구멍(42)은 원형, 사각형, 세모형 또는 별표 형상등 공기를 원활히 흐를 수 있는 형태라면 어떠한 형태라도 가능하다.

이하에서는 이상 설명한 본 실시예에 따른 이격 구조를 이용하여 미세 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 과정을 상세히 설명한다.

먼저, 도1a에 나타나 있는 바와 같이 스테이지(40) 상부에 기판(20)을 올려놓고 미세 미세구조물 패턴이 형성된 스탬프(10)를 준비한다.

본 실시예에서 기판(20)은 용도와 필요에 따라 다양한 재료를 사용할 수 있지만 설명의 편의를 위해 실리콘 기판을 사용한 것을 예로 들어 설명한다. 또한 스 탬프(10)의 경우에도 다양한 재료를 사용할 수 있지만 설명의 편의를 위해 자외선이 투과 될 수 있는 재질(quartz, Pyrex glass)을 예로 들어 설명한다. 그리고 본 실시예에서 설명하는 미세 임프린트 리소그래피 공정은 자외선 임프린트 리소그래피(ultraviolet imprint lithography) 공정뿐만 아니라 가열방식의 임프린트 리소그래피(hot embossing imprint lithography) 공정 등 어떠한 임프린트 공정에 적용 가능하다.

도 1b에서와 같이 기판(20) 상부에 자외선 경화성이나 열경화성 고분자 수지와 같은 레지스트(30)을 spin-coating 방식 또는 dispensing 방식으로 도포한다.

그리고 기판(20) 상부에 레지스트(30)가 도포되면 그 상부에 스탬프(10)를 접촉시켜 소정의 압력으로 가압한 후 레지스트(30)가 자외선 경화성 고분자 수지일 경우에는 자외선으로 노광하고 레지스트(30)가 열경화성 고분자 수지일 경우에는 열을 가하여 레지스트(30)를 경화시킨다.

다음으로 도1c에서와 같이, 기판의 레지스트(30)에 스탬프(10)의 미세 미세구조물 패턴을 임프린트 시키게 되면 스탬프(10)와 기판(20)이 일체로 접착되고 이러한 상태에서, 스탬프(10)를 흡착하고 있는 스탬프 척(미도시)을 상부로 수 내지 수십 마이크로미터 정도 이동시켜 일체로된 스탬프(10)와 기판(20)이 스테이지(40)부터 일정간격 떨어지게 한다.

이와 같이 일체로된 스탬프(10)와 기판(20)을 스테이지(40)로부터 이격시키는 것은 스탬프(10)와 기판(20)을 스테이지(40) 상에서 원활히 이격시키기 위한 공간을 확보하기 위함이다.

이러한 상태에서 스탬프(10)의 측면에 형성된 단차(이격용 공간)를 이용하여 스탬프(10)와 기판(20) 사이에 분리전파용 간격을 형성시킨다. 이때 일체로 된 스탬프(10)와 기판(20)의 어느 한 부분에 분리 전파용 간격을 형성시키는 방법은 핀셋(미도시)을 스탬프의 단차(12,14) 부분에 삽입하여 간격을 형성시킬 수도 있고, 경우에 따라서는 도1d에서와 같이, 스탬프(10)의 단차(12,14)가 형성된 부분과기판(20)이 맞닿은 측면부에 공기를 B 방향으로 가압하여 전파용 간격을 형성시킬 수도 있다.

계속해서, 도1d에서와 같이, 스탬프(10)와 기판(20)의 측면부에 전파용 간격이 형성되면 형성된 전파용 간격을 기점으로 하여 일체로 부착되어 있는 스탬프(10)와 기판(20)의 부착면 전체를 이격시킨다. 측면부에 형성된 전파용 간격을 기점으로 하여 전파용 간격을 부착면 전체로 전파시키는 방법은, 도1d에서와 같이 기판(20) 하부의 모서리를 진공으로 잡아 당겨 주거나 또는 모서리로부터 중앙부로 점차적으로 스테이지(40)하부에서 진공으로 잡아 당겨 줌으로써 측면부에 형성된 전파용 간격을 중앙으로 전파시킬 수 있다. 이러한 전파용 간격을 중앙부로 전파방법은 기판(20)의 중앙부에 스테이지(40) 하부로부터 공기를 기판(20)방향으로 가압하여 공기압을 받은 기판(20)의 중앙부가가 미소하게 가압하는 쪽, 즉 도1d에서 상부 방향으로 휘어지게 하여 전파용 간격을 중앙부로 전파시킬 수도 있다. 이때 전파용 간격을 전파시킴과 동시에 또는 그 이후에 간격이 형성된 스탬프(10)와 기판(20)의 측면부에 공기를 B 방향으로 가압해 준다.

그리고 도1e에서와 같이, 전파용 간격이 형성된 스탬프(10)와 기판(20)의 측 면부에 형성된 전파용 간격에 공기 노즐(50)을 삽입하여 공기압을 가압하면서 전파용 간격을 기판의 중앙부로 전파한다.

이때 전파용 간격이 형성된 스탬프(10)와 기판(20)의 측면부에 공기 노즐(50)을 삽입하는 위치는 도2에서와 같이, 기판(20)의 각 대각선 모서리 부분에 공기 노즐(50)을 삽입하는 것이 이격공정을 보다 효율적으로 수행할 수 있다.

또한 도 3에서와 같이 스탬프(10)와 기판(20)의 전파용 간격에 삽입된 공기 노즐(50)은 기판(20)의 모서리 면을 따라 상하로 이동하면서 공기를 가압하여 스탬프(10)와 기판(20)의 이격을 원활하게 하는 것이 바람직하다.

이상 설명한 본 발명에 따른 미세 임프린트 리소그래피 공정시 스탬프(10)와 기판(20)을 이격시키는 공정은 대면적을 갖는 실리콘 웨이퍼 임프린트 공정에 적용될 수 있지만 이에 한정되지 않고 단위 영역을 갖는 임프린트 공정에도 적용될 수도 있으며 보다 바람직하게는 5 인치 이상의 대면적을 갖는 임프린트 공정에 적용된다.

또한 이상 설명한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 공정기술은 이에 한정되는 것은 아니고 본 발명의 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 미세 임프린트 리소그래피 공정용 임프린트된 기판과 스탬프간의 이격공정에 의하면 종래에는 구현할 수 없었던 원활한 이격공정을 정밀하게 이격시킬 수 있기 때문에 미세 임프린트 리소그래피 전체 공정을 단축시키는 기술적 효과와 이러한 공정을 최적화시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따른 임프린트된 기판과 스탬프간의 이격공정을 적용할 경우 5인치 이상의 임프린트 공정을 원활하게 수행할 수 있으므로 대면적화에도 유리하여 양산화 과정을 거쳐 대량생산을 가능하게 하는 기술적 효과가 있다.

또한, 기판 또는 스탬프의 모서리에 간단한 단차(이격용 공간) 구조를 형성시키고 공기노즐을 이용하여 임프린트 공정 후에 스탬프와 기판을 용이하게 이격시킴으로써 미세 임프린트 리소그래피 공정을 경제적으로 수행할 수 있다는 기술적 효과가 있다.

Claims (19)

1. 미세 미세구조물을 임프린트할 기판과, 미세 미세구조물 패턴이 형성된 스탬프 그리고 상기 기판 또는 스탬프를 지지하는 스테이지를 준비하는 단계;

   상기 기판의 상부에 레지스트를 도포하고 레지스트에 상기 스탬프의 미세 미세구조물 패턴을 임프린트하는 단계; 그리고

   상기 임프린트된 기판과 상기 스탬프를 공기압의 가압방법 또는 부분진공 방법을 이용하여 이격시키는 단계;

   를 포함하고,

   상기 기판 또는 스탬프 중 어느 하나의 모서리에 이격용 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
2. 삭제
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 스탬프 또는 상기 기판 중 어느 하나에 형성된 이격용 공간을 이용하여 상기 스탬프와 상기 기판간의 전파용 간격을 형성시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 스탬프와 상기 기판간의 전파용 간격을 형성시키는 단계는 상기 임프린트 단계 이후에 일체로 접착된 스탬프와 기판을 스테이지부터 떨어지게 하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 스탬프와 상기 기판간의 전파용 간격을 형성시키는 단계는 스탬프의 이격용 공간부분에 핀셋을 삽입하여 전파용 간격을 형성시키는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
6. 제 4 항에 있어서,

   상기 스탬프와 상기 기판간의 전파용 간격을 형성시키는 단계는 스탬프의 이격용 공간부분에 공기를 가압하여 전파용 간격을 형성시키는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,

   상기 스탬프와 기판의 측면부에 형성된 전파용 간격을 기점으로 하여 전파용 간격을 스탬프와 기판의 중심부로 전파시켜 일체로 부착되어 있는 스탬프와 기판의 부착면 전체를 이격시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 전파용 간격을 스탬프와 기판의 중심부로 전파시키는 단계는 상기 기판하부의 모서리를 스테이지 하부에서 진공으로 잡아 당겨 주거나 모서리로부터 중앙부로 점차적으로 스테이지하부에서 진공으로 잡아 당겨 주는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
9. 제 7 항에 있어서,

   상기 전파용 간격을 스탬프와 기판의 중심부로 전파시키는 단계는 상기 전파용 간격이 형성된 기판의 하부 중앙부에 상기 스테이지 하부로부터 공기를 가압하여 공기압을 받은 기판의 중앙부가 미소하게 가압하는 쪽으로 휘어지게 하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 전파용 간격에 공기 노즐을 삽입하여 공기압을 가압하면서 전파용 간격을 기판의 중앙부로 전파하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 전파용 간격에 삽입된 공기 노즐을 상기 기판의 모서리 면을 따라 이동 하면서 공기를 가압하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
12. 제 2 항에 있어서,

    상기 스탬프는 5인치 이상의 대면적 스탬프인 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
13. 제 2 항에 있어서,

    상기 임프린트 단계는 자외선 임프린트 리소그래피(ultraviolet imprint lithography) 공정 또는 가열방식의 임프린트 리소그래피(hot embossing imprint lithography) 공정에 의하여 임프린트 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프와 기판의 이격방법.
14. 미세 미세구조물을 임프린트할 레지스트가 도포된 기판;

    미세 미세구조물 패턴이 형성되고 전체 면 중에서 미세 구조물 패턴이 형성되지 않은 영역부분의 모서리 중 적어도 어느 일부분에 공기 가압을 위한 이격용 공간이 형성된 스탬프;

    상기 기판 또는 상기 스탬프 중 어느 하나를 지지하는 스테이지;

    를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 장치.
15. 제 14 항에 있어서,

    상기 스탬프에 형성된 이격용 공간은 기판과 마주보는 면에 형성된 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 장치.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 스탬프에 형성된 이격용 공간은 대각선 방향의 모서리 또는 2개의 모서리 부분을 따라서만 형성된 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 장치.
17. 제 14 항에 있어서,

    상기 기판은 상기 스탬프의 모서리와 맞닿는 부분에 공기 가압을 위한 이격용 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 장치.
18. 제 14 항에 있어서,

    상기 스테이지는 임프린트 공정후 상기 기판의 하부에 공기를 가압하기 위한 다수 개의 공기구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 장치.
19. 제 14 항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 상기 이격용 공간의 주위에 위치하고 이동 가능하게 설치되어 공기를 가압하는 공기노즐을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 임프린트 리소그래피 공정용 장치.

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