JP3895197B2 - マイクロ波/ミリ波伝送回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波/ミリ波帯信号用のマイクロ波/ミリ波伝送回路に関し、具体的には、コネクタや導波管を使用することなく不連続線路を結合することができるコネクタあるいは移相器に関する。
【0002】
【発明の背景】
2つの回路基板にそれぞれ形成されたマイクロストリップライン同士を接合したり、一度接合したマイクロストリップラインを分離したりすることで、マイクロ波/ミリ波帯の回路の変更を行うことがある。たとえば、図1(a),(b)に示すように、2つの回路基板1a,1bの伝送線路(マイクロストリップライン)2a,2bを接合する場合には、一方の回路基板1aの伝送線路2aの先端と、他方の回路基板1bの伝送線路2bの先端とを近接するとともに、当該各先端同士をAuリボン3やワイヤ4によりボンディングすることが行われる(図1ではハンダの図示はしていない)。
【0003】
また、図示はしないが、予めそれぞれの回路基板に同軸コネクタを設けておき、この同軸コネクタにより2つの回路基板の伝送線路同士を接続することも行われ、あるいは両回路基板の伝送線路同士を導波管により接続することも行われる。
【0004】
一方、2つの回路基板の伝送線路同士を接合する場合に、非接触コネクタにより伝送線路を接続する技術も知られている。この接続方法では、例えば図2に示すように、2つの回路基板1a,1bの伝送線路(マイクロストリップライン)2a,2bの各先端の上方に、誘電体基板を備えた寄生素子5を配置して構成される(特開2001−339208号等参照)。この構成によれば、上記した各種の問題が解決される。
【0005】
さらに、寄生素子5として、誘電体基板5の下面に導体層Mを成膜した構成のものを用いることによっても、伝送線路2a,2bと寄生素子5との間で電磁的に結合されるので、信号を伝搬することができる。
【0006】
しかし、係る構成にした場合、寄生素子5における電界は、導体層Mを中心に周囲に広がるため、伝送するために必要な電磁的な結合を図る回路基板1a,1b側(下側)はもちろんのこと、反対側(上側)にも発生する。この反対方向の電界は放射損失となるので、通過損失の悪化(−15dB以下)を招く(図3の特性S21参照)という問題がある。
【0007】
本発明は、上記した背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、コネクタや導波管を使用することなく不連続線路を低通過損失で結合することができるマイクロ波/ミリ波伝送回路を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第1態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に近い側の面、および前記伝送線路形成面に遠い側の面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。
【0009】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第2態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面に近い側の面、および前記1対の端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。
【0010】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第3態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路を伝播する波の進行方向に向いた端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面側に近い側の面、および前記端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。
【0011】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第4態様は、第2態様と第3態様との複合であり、第3態様における前記寄生素子は、さらに前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、当該各端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。
【0012】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第5態様は、第1態様と、第2〜第4態様との複合であり、第2〜第4態様における寄生素子の前記伝送線路形成面に遠い側の面に導体層が形成されるように構成した。
【0013】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第6態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面に遠い側の面、および前記1対の端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。
【0014】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第7態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に垂直でかつ前記伝送線路を伝送する波の進行方向に向いた端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面に遠い側の面、および前記端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。
【0015】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路の第9態様は、前記寄生素子が、さらに前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、前記各端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。
【0016】
第1〜第5態様のマイクロ波/ミリ波伝送回路は、コネクタとしても、移相器としても使用することもできる。また、第6〜第9態様は、移相器として使用される。たとえば、前記伝送線路が形成された基板が、第1基板と第2基板とからなり、第1基板と第2基板とが前記不連続部において、前記伝送線路に垂直な方向に分離されている場合には、コネクタとして使用することができる。また、たとえば、伝送線路が形成された基板と、寄生素子との間に誘電体基板を介在させた場合には、移相器として使用することができる。
【0017】
また、移相器として使用する場合の別の構成としては、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられ、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に遠い側の面に導体層が形成されるとともに、前記伝送線路形成面に近い側の面を除く他の所定の表面に導体層が形成された誘電体基板からなるようにしてもよい。
【0018】
上記した各面に形成する導体層のパターン形状は任意であり、各面の一部領域に形成してもよいし、全領域に形成してもよい。所定の導体ペーストをメタライズすることにより簡単に形成できる。但し、誘電体基板の伝送線路形成面に近い側の面に形成される導体層と、誘電体基板の端面(側面)に形成する導体層とは非導通状態にする。なお、端面に形成する導体層や、伝送線路形成面に遠い側の面に形成する導体層、つまり、寄生素子(誘電体基板)からの無駄な放射を抑制ために寄与する導体層同士は、導通していても良いし非導通でも良い。但し、導通させた方がより好ましい。
【0019】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路では、マイクロストリップラインに代表される伝送線路は、寄生素子に電磁的に強く結合する。これにより寄生素子の位置が多少変動しても伝送状態の変動は小さい。
【0020】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路では、たとえば第1形態における伝送線路形成面に遠い側の面に形成された導体層や、第2形態および第6形態における伝送線路形成面に垂直でかつ伝送線路に平行な1対の端面に形成された導体層や、第3形態および第7形態における伝送線路形成面に垂直でかつ伝送線路に垂直な1対の端面に形成された導体層が、寄生素子からの放射を抑制する。
【0021】
2つの回路基板のマイクロストリップライン同士を、Auリボン/ワイヤでボンディングする場合、加工公差や組付け公差が原因して、設計時に設定した間隔で接合することは容易ではなく、接合間隔にばらつきが生じる。この間隔のばらつきは、Auリボン/ワイヤの形状に影響を与える。すなわち、回路基板同士の間隔が広い場合と狭い場合とで、Auリボン/ワイヤの形状が不均一となり、これが伝送状態の変動を起こす。本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路では、マイクロストリップラインと寄生素子とは電磁的に強く接続されているので、上記のような不都合はなく、λg/10程度まで安定した伝送状態を確保することができる。
【0022】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路では、前記伝送線路の不連続部となる端部に、伝送線路幅より広い幅のパッチ部をそれぞれ形成することができる。また、前記寄生素子を、前記両パッチ部を合わせた領域に重なるように配置することができる。パッチ部の幅をλg/4とすることで、共振器が構成されるので、伝播効率は極めて高くなる。さらにこのパッチ部と、寄生素子との間に形成されるキャパシタンスは、線路に生じるサージを吸収する効果をも有する。
【0023】
本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路では、前記寄生素子を、前記伝送線路形成面に支持部材を介して取り付けることができる。この支持部材は合成樹脂発泡体等の柔軟材により構成することができる。寄生素子を、伝送線路に形成された基板にボルトにより取り付けたり、寄生素子にステーを設け、当該ステーを基板に形成したパターンにハンダ付けたりするような場合には、基板の熱収縮によりパターンの剥離が生じることがあるが、支持部材を合成樹脂発泡体等の柔軟材により構成することで、このような不都合は生じない。さらに、本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路では、前記寄生素子をセラミック基体により構成することができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
図4,図5は、本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第1の実施の形態の説明図である。図4(a)に基づいて基本構成を説明する。
【0025】
まず、アルミナ等の誘電体材料で構成された2つの回路基板10,11の表面(上面)に導体膜で構成される伝送線路、つまり、所定の回路パターンからなるマイクロストリップライン12,13が形成される。図では、接続部分のみを示している。この2本のストリップライン12,13は、その先端に接続部となるパッチ部12a,13aが形成されている。このパッチ部12a,13aは、矩形状からなり、その幅Wは、使用周波数(λg)の1/4とし、共振器を構成している。なお、λgは、回路基板10,11を構成する誘電体材料の誘電率を考慮した実効波長である。
【0026】
さらに、パッチ部12a,13aの先端は、所定の距離(ギャップ)をおいて離れており、DC的に遮断されている。そして、両パッチ部12a,13aは同一直線上に配置される。また、回路基板10,11の裏面側は、全面に導体膜が成膜されている。
【0027】
ここで、本発明では、上記した2つのパッチ部12a,13aを跨ぐようにして、その上方に寄生素子20を配置している。この寄生素子20は、誘電体基板20aから構成される。この寄生素子20の幅と、パッチ部12a,13aの幅は、ほぼ一致させている。そして、この寄生素子20と、パッチ部12a,13aの間には、合成樹脂発泡体からなる4本の支持部材S(破線で示す)が介在される。具体的には、支持部材Sが寄生素子20の4隅を支えるようになっている。
【0028】
なお、4つの支持部材Sに代えて、1枚の支持板を用いることもできる。また寄生素子20を構成する誘電体基板20aは、回路基板10,11に併せてアルミナ等の誘電体セラミックにより形成しているが、回路基板10,11と必ずしも同じ材料を用いる必要はない。
【0029】
さらに、この寄生素子20は、図4(a)に示すように、誘電体基板20aの表面のうち、回路基板10,11に近い側の面(下面)、及び回路基板10,11から遠い側の面(上面)の全域にそれぞれ導体層M0,M1を形成している。これにより、パッチ部12a,13a(共振器)と寄生素子20が、電磁的に結合した構造がとられる。この電磁的な結合は強いので、寄生素子20の位置が変動したり、回路基板10,11間のギャップが変動したりしても回路全体の伝送状態の変動は小さく抑えることができる。
【0030】
また、上記のように電磁的に結合されることから、伝送波(マイクロ波/ミリ波)が、たとえば回路基板10のマイクロストリップライン12を伝播する(伝播方向をTで示す)と、パッチ部12aから寄生素子20(導体層M0)を介して回路基板11のパッチ部13aに伝達され、マイクロストリップライン13を伝播することになる。
【0031】
このとき、寄生素子20(導体層M0)側に発生している電界は、主基板である回路基板10,11側はもちろんのこと、他の方向(反対側(上側)等)にも発生する。しかし、本実施の形態では、図4(a)に示したように寄生素子20の上面に導体層M1を設けているので、寄生素子20(誘電体基板)の上方外側に電磁波が放射されてしまうのが抑制され、通過損失が低減される。
【0032】
また、図4(a)では、寄生素子20(誘電体基板20a)の上面の全領域にわたり導体層M1を設けたが、本発明はこれに限ることはなく、上面の一部に導体層を形成するものでも良い。一例としては、図4(b)に示すように、寄生素子20の上面の縁を残したパターンで導体層M1を形成することもできる。また、図5(a)に示すように、寄生素子20の上面のうち、伝送波の伝播方向Tと平行な縁を残したパターンで導体層M1を形成することもできる。さらには、図5(b)に示すように、寄生素子20の上面のうち、伝送波の伝播方向Tと垂直な縁を残したパターンで導体層M1を形成することもできる。
【0033】
図4(a)に示す寄生素子20の上面の全面に導体層を形成した接続構造における通過損失特性は、図6に示すようになった。同様に、図4(b)に示したパターンを形成したときの通過損失特性は、図7に示すようになった。何れの場合も、誘電体基板の下面のみに導体層を形成した寄生素子を用いた構成の伝送線路特性(図3参照)と比較すれば明らかなように、通過損失(S21)が抑えられている。
【0034】
図8,図9は、本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第2の実施の形態の説明図である。2つの回路基板10,11は、第1の実施の形態と同様の構成を採るとともに、寄生素子21の基本構成も第1の実施の形態と同様である。すなわち、アルミナなどからなる誘電体基板21aの下面の全域に導体層M0を設けた構成を採り、係る寄生素子21を、パッチ部12a,13aの上部を覆うように位置合わせして設けられる(4つの支持部材Sで支持される)。
【0035】
ここで、本実施の形態では、図8(a)に示すように、寄生素子21(誘電体基板21a)の表面のうち、伝搬方向つまりマイクロストリップライン12,13と平行な1対の端面(側面)の全域に、導体層M2を形成している。
【0036】
これにより、伝送波(マイクロ波/ミリ波)が、たとえば回路基板10のマイクロストリップライン12を伝播(伝播方向をTで示す)すると、パッチ部12aから寄生素子21を介して回路基板11のパッチ部13aに伝達され、マイクロストリップライン13を伝播する。このとき、図8(a)に示したように寄生素子21は、誘電体基板21aのマイクロストリップライン12,13と平行な2つの端面に導体層M2を設けているので、係る端面から寄生素子21の外に出ようとする電磁波の放射が抑制され、通過損失が低減する。
【0037】
また、図8(a)では、寄生素子21(誘電体基板21a)の表面のうち、マイクロストリップライン12,13と平行な2つの端面の全領域にわたり導体層を設けたが、本発明はこれに限ることはなく、係る端面の一部に導体層を形成するものでも良い。一例としては、図8(b)に示すように、寄生素子(誘電体基板21a)の端面の両側を残したパターンで導体層M2を形成することもできる。また、図9(a)に示すように、寄生素子21の上記端面の両側を残したパターンで導体層M2を形成することもできる。さらに図9(b)に示すように、上記端面の上下側を残した細帯状のパターンで導体層M2を形成することもできる。
【0038】
本発明の効果を実証する一例として、寄生素子21の端面に図8(a)に示したパターンを形成したときの通過損失特性を図10に示し、図8(b)に示したパターンを形成したときの通過損失特性を図11に示し、図9(a)に示したパターンを形成したときの通過損失特性を図12に示す。何れの場合も、誘電体基板の下面のみに導体層を形成した寄生素子を用いた場合の伝送線路特性(図3参照)と比較すれば明らかなように、通過損失(S21)が抑えられている。なお、その他の構成並びに作用効果は、上記した第1の実施の形態と同様であるので、対応する部材に同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0039】
図13は、本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第3の実施の形態の説明図である。図8に示すように、2つの回路基板10,11は、第1,第2の実施の形態と同様の構成をしている。そして、パッチ部12a,13aの上部に支持部材Sを介して設置される寄生素子22は、誘電体基盤22aの回路基板10,11側の面(下面)の全域に、導体層M0を形成する点も上記した各実施の形態と同様である。
【0040】
ここで、本実施の形態では、寄生素子22を構成する誘電体基板22aの表面のうち、マイクロストリップライン12,13の伝送線路の進行方向に対して垂直な端面に、導体層M3が形成されている。ここで形成した導体層M3のパターンは、上記垂直な端面の両端側を残したパターン形状としている。また、図では、垂直な端面のうち、片側(伝播方向の前方側)のみ導体層M3を設けているが、反対側に設けてもよいし、両方の端面に設けてももちろんよい。
【0041】
係る構成をとると、たとえば回路基板10のマイクロストリップライン12を伝播する伝送波(伝播方向をTで示す)は、パッチ部12aから寄生素子22を介して回路基板11のパッチ部13aに伝達され、マイクロストリップライン13を伝播するが、このとき、寄生素子22(誘電体基板22a)のマイクロストリップライン12,13と垂直な端面に導体層M3を設けているので、係る面から電界が外部に漏れる(電磁波の放射)が抑制され、通過損失が低減する。
【0042】
この実施の形態における通過損失特性の一例を示すと、図14のようになる。この図14と図3を比較すると明らかなように、本実施の形態によれば、通過損失(S21)が抑えられるのが確認できる。なお、その他の構成並びに作用効果は、上記した第1の実施の形態と同様であるので、対応する部材に同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0043】
図15は、本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第4の実施の形態の説明図である。本実施の形態は、上記した各実施の形態の複合タイプである。すなわち、図15(a)は、寄生素子23(誘電体基板23a)の回路基板10,11側の面(下面)の全域に導体層M0が形成されるとともに、その反対側の面(上面)の全域に導体層M1が形成され、伝播方向(マイクロストリップライン12,13の伝送線路の進行方向)と平行な2つの端面(側面)の全域に導体層M2が形成され、さらに、その伝播方向と垂直な一端面の両端に導体層M3が形成されている。すなわち、これは第1の実施の形態(図4(a))と、第2の実施の形態(図8(a))と、第3の実施の形態を組み合わせたものである。
【0044】
係る構成にすると、回路基板10のマイクロストリップライン12を伝播する伝送波(伝播方向をTで示す)は、パッチ部12aから寄生素子23を介して回路基板11のパッチ部13aに伝達され、マイクロストリップライン13を伝播する。このとき、寄生素子23の下面に設けた導体層M0を中心に周囲に広がる電界が生じ、パッチ部12a,13aとの間では強固に電磁的に結合する。そして、誘電体基板23aの内部にも電界が発生し、その基板の外に出ようとするが、各導体層M1,M2,M3によってその放出が抑制される。その結果、通貨損失が可及的に抑制され、良好な特性が得られる(図16参照)。
【0045】
上記した図15(a)に示した構成は、最良の実施の形態の一態様であるが、各実施の形態の組み合わせは、係る構成に限るものではなく、たとえば図15(b)に示すように、寄生素子23(誘電体基板23a)の表面のうち、伝播方向に平行な2つの端面の中心部を残すとともに、伝播方向に垂直な一端面の両側に導体層M3を残したパターンで導体層M2,M3を形成することもできる。もちろん、寄生素子23の下面にも導体層M0はあるが、この例では、上面には導体層を設けていない。つまり、第2の実施の形態(図8(b))と第3の実施の形態を組み合わせたものである。
【0046】
もちろん、これ以外の任意の組み合わせができるのは言うまでもない。なお、その他の構成並びに作用効果は上記した各実施の形態と同様であるので、対応する部材に同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0047】
また、具体的な図示は省略するが、たとえば上記した各実施の形態等の構成を基準とし、寄生素子とパッチ部12a,13aの間に誘電体を介在させることにより、移相器を構成することができる。なお、この場合にマイクロストリップライン12,13やパッチ部12a,13aは、同一の基板上に形成される。また、このとき、寄生素子の下面に形成するパターンを適宜異ならせることにより、任意の位相量を得ることができる。
【0048】
さらにまた、具体的な図示は省略するが、たとえば上記した第1の実施の形態を含む第4の実施の形態、つまり、寄生素子(誘電体基板)の上面並びに下面と、さらにその他の所定の端面に導体層を形成した構成を前提とし、下面の導体層M0を除去した構成をとった場合でも移相器を形成することができる。
【0049】
【発明の効果】
本発明によれば、不連続の伝送線路を電磁界結合するマイクロ波/ミリ波伝送回路(コネクタや移相器)において、寄生素子(誘電体基板)からの無駄な放射を抑制でき、通過損失を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】2つの回路基板を接合する場合の従来技術の説明図であり、(a)はAuリボンによる接続を示す図、(b)はAuワイヤによる接続を示す図である。
【図2】非接触コネクタにより伝送線路を接続する従来技術の説明図である。
【図3】図2に示した導体層M付きの寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。
【図4】本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第1の実施の形態の説明図(その1)である。
【図5】本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第1の実施の形態の説明図(その2)である。
【図6】図4(a)に示した寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。
【図7】図4(b)に示した寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の過損失特性図である。
【図8】本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第2の実施の形態の説明図(その1)である。
【図9】本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第2の実施の形態の説明図(その2)である。
【図10】図8(a)に示した寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。
【図11】図8(b)に示した寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。
【図12】図8(c)に示した寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。
【図13】本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第3の実施の形態の説明図である。
【図14】図13に示した寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。
【図15】本発明のマイクロ波/ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第4の実施の形態の説明図である。
【図16】図15(a)に示した寄生素子を用いたマイクロ波/ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。
【符号の説明】
20,21,22,23 寄生素子
20a,21a,22a,23a 誘電体基板
10,11 回路基板
12,13 マイクロストリップライン
12a,13a パッチ部
M0,M1,M2,M3 導体層
S 支持部材
T 伝播方向
Claims (16)
- 伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、
前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に近い側の面、および前記伝送線路形成面に遠い側の面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波/ミリ波伝送回路。 - 伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、
前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面に近い側の面、および前記1対の端面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波/ミリ波伝送回路。 - 伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、
前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路を伝送する波の進行方向に向いた端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面側に近い側の面、および前記端面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波/ミリ波伝送回路。 - 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、当該各端面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とする請求項3に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 前記寄生素子の前記伝送線路形成面に遠い側の面に導体層が形成されてなることを特徴とする請求項2から4の何れか1項に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、
前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面に遠い側の面、および前記1対の端面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波/ミリ波伝送回路。 - 伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられてなるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、
前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に垂直でかつ前記伝送線路を伝送する波の進行方向に向いた端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面に遠い側の面、および前記端面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波/ミリ波伝送回路。 - 前記寄生素子は、さらに前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な1対の端面を持つ形状をなし、前記各端面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とする請求項7に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 前記伝送線路の不連続部となる端部に、伝送線路幅より広い幅のパッチ部がそれぞれ形成されてなることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 前記寄生素子が、前記両パッチ部を合わせた領域に重なるように配置されてなることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 前記寄生素子は、セラミックを基体とすることを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に支持部材を介して取り付けられてなることを特徴とする請求項1から11の何れか1項に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 前記支持部材が低誘電率材により構成されてなることを特徴とする請求項12に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- コネクタとして使用されるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、
前記伝送線路が形成された基板が第1基板と第2基板とからなり、当該第1基板と当該第2基板とは前記不連続部において、前記伝送線路に垂直な方向に分離されてなることを特徴とする請求項1から5および9から13の何れか1項に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。 - 移相器として使用されるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、前記伝送線路が形成された基板と、前記寄生素子との間に誘電体基板が介在してなることを特徴とする請求項1から5および9から13の何れか1項に記載のマイクロ波/ミリ波伝送回路。
- 伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられ、移相器として使用されるマイクロ波/ミリ波伝送回路であって、
前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に遠い側の面に導体層が形成されるとともに、前記伝送線路形成面に近い側の面を除く他の所定の表面に導体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波/ミリ波伝送回路。
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