JP3853234B2 - 赤外線検出器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は赤外線検出器、特に製造コストの軽減を図るゲッターの改良された配置、構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
図16は、従来の赤外線検出器を示した側断面図である。従来の赤外線検出器においては、2次元アレイ状に画素を配置した赤外線検出素子1、赤外線検出素子1の温度を所定の温度にするためのペルチェ効果を利用した電子冷却素子2、セラミックプレート4に気密接合され端面が非冷却型の赤外線検出素子1の近傍に位置する気密端子3、セラミックプレート4を気密接合した金属材料からなるベースプレート5、ベースプレート5に気密接合された金属材料からなるメタルリング6、赤外線を透過するウインドウ7、ウインドウ7を気密接合しメタルリング6に溶接接合された金属材料からなるメタルキャップ8、赤外線検出素子1と気密端子を配線するワイヤボンディング9、放出ガスを吸着するガス吸着材であるゲッター10、容器内部を真空に排気するために使用し容器内部を真空に排気した後圧着し封じる排気管11から構成される。
【0003】
赤外線検出器では、素子の感度を向上するため検出器内部を真空にする必要があり、真空状態を長期間維持するため、ガス吸着材(ゲッター)を内部に実装している。ゲッター10は、ガス吸着機能を発揮するため加熱による活性化が必要である。
【0004】
図17は、従来のゲッター10を示した概略構成図である。従来は、ゲッター10を活性化するため、コイルヒータ内蔵型のゲッター10を用いコイルヒータ12に通電し加熱していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来において用いられるコイルヒータ内蔵型のゲッターは、高価であり、検出器の原価が高くなるという課題があった。
【0006】
本発明は以上のような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、ゲッターを簡単な構造で保持でき、また組立てが容易にできるようにすることでコストの削減を図る赤外線検出器を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
以上のような目的を達成するために、本発明に係る赤外線検出器は、外周壁を有する基板と、赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、レーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、前記ウィンドウを介してレーザ光線が届く前記基板の外周壁上面に配設され、前記ゲッターを収納する凹部と、前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子とを有し、前記凹部と前記赤外線検出素子が配置される空間とは、前記ゲッターの寸法よりも小さい開口部により連結されているものである。
【0008】
また、前記基板は、セラミックパッケージであるものとする。
【0009】
また、前記凹部の内壁には、収納した前記ゲッターを対向する内壁に圧接する突部が形成されているものである。
【0010】
また、本発明に係る赤外線検出器は、外周壁を有する基板と、赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、前記ウィンドウを介してレーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子とを有し、前記ゲッターは、外面形状が前記外周壁上面の前記空間側を切り欠くことによって前記外周壁上面の全周に形成された段差部分の形状とほぼ同形状の環形状で形成され、その段差部分に挿着されるものである。
【0011】
また、本発明に係る赤外線検出器は、外周壁を有する基板と、赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、前記ウィンドウを介してレーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、前記基板上の略中央に載置され、前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子とを有し、前記ゲッターは、外面形状が前記外周壁の内壁の形状とほぼ同形状の環形状で形成され、その内壁と前記電子冷却素子とで形成される隙間に挿着されるものである。
【0012】
また、本発明に係る赤外線検出器は、外周壁を有する基板と、赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、前記ウィンドウを介してレーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子と、前記空間内において前記基板から立設した棒状突起部とを有し、前記ゲッターには、前記棒状突起部が挿入されることによって前記基板上に固定される孔が形成されているものである。
【0013】
また、前記ゲッターは、円筒形状で形成されるものとする。
【0014】
また、前記棒状突起部を、前記ウィンドウの下面近傍まで延出させるものである。
【0016】
また、本発明に係る赤外線検出器は、外周壁を有する基板と、赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、前記基板上に配設され、加熱されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子と、前記空間内において前記ゲッターが固着される前記基板上の固着部位と、前記基板を貫通して前記固着部位と前記基板の外部とを熱的に接続する熱伝導部を有し、前記基板の外部から前記固着部位を介して前記ゲッターを加熱する加熱手段とを有するものである。
【0017】
また、前記固着部位には、前記ゲッターをろう付け接合可能なメタライズ部が配設されるものである。
【0018】
また、前記ゲッターは、ガラスを用いて前記固着部位に接合されるものとする。
【0019】
前記ゲッターは、焼結により前記固着部位に接合されるものである。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、従来例と同じ構成要素には同じ符号を付ける。また、各実施の形態において共通する構成要素には同じ符号を付け、説明を適宜省略する。
【0023】
実施の形態1.
図1は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態1の構成を示した側断面図である。本実施の形態における赤外線検出器の外形は、基板20とウィンドウ21とで構成されている。図2は、基板20の要部のみを示しており、図1,2から明らかなように、赤外線検出器は、直方体形状で形成される。本実施の形態における基板20は、容器の内部と外部を電気的に接続する経路を設けるための積層セラミック、パターン、スルーホールで構成される、例えばアルミナ又は窒化アルミからなるセラミックパッケージである。基板20は、外周壁20aを有しており、その外周壁により形成される開口部内に赤外線を検出する赤外線検出素子1と、赤外線検出素子1の温度を安定化させる電子冷却素子2とが配設される。赤外線検出素子1は、例えばダイオード型又はボロメータ型赤外線検出素子を2次元アレイ状に配置した赤外線検出素子である。電子冷却素子2は、ペルチェ効果を利用して赤外線検出素子1の温度を所定の温度にする。赤外線検出素子1は、電子冷却素子2の上に接着もしくは半田で接合される。
【0024】
また、外周壁20aには、段差が設けられており、その段差部分にあるパターン(図示せず)と赤外線検出素子1とを接続するワイヤボンディング9が配設される。この配線は、例えば金やアルミニウムワイヤボンディングで行う。外部端子22は、スルーホール(図示せず)を通して赤外線検出素子1の出力信号及び赤外線検出素子1の駆動信号の外部とのインターフェイスとなる。平板形状のウィンドウ21は、赤外線を透過する、例えばゲルマニウムやシリコンにより形成され、例えば半田等のろう材を使用し基板20の外周壁20aに気密接合されることによって外周壁20aにより形成される基板20の開口部を封止する。容器内、すなわち、ウィンドウ21と基板20とにより形成される空間25は、ウインドウ21と基板20を真空雰囲気中で気密接合することにより内部が真空に保たれる。
【0025】
本実施の形態におけるゲッター23は、ジルコニウム、バナジウム、鉄を焼結させて成形したものであり、ウインドウ21を通してレーザ光線が照射されることにより加熱し、表面を活性化することにより容器内の材料から放出されるガスを吸着し、真空の劣化を防止するバルク型のゲッターである。図2に示したように、外周壁20aの上面には、ゲッター23を収納するくぼみ24が設けられている。くぼみ24は、ゲッター23にレーザ光線が照射可能な位置に配設される必要がある。くぼみ24と赤外線検出素子1が配置される空間25とは、外周壁20aの一部を切り欠くことによって形成された孔26により連結されている。孔26の大きさをゲッター23の寸法よりも小さくすることによって、ゲッター23が赤外線検出器に加わる振動、衝撃等に伴い空間側への進入することを防止する。
【0026】
本実施の形態における基板20は、セラミックパッケージであるが、セラミック成形用の型にくぼみ24の形状を予め形成しておけば、部品コストの影響無く、くぼみ24を有するセラミックパッケージを成形することができる。くぼみ24は、ゲッター23が装着できる大きさであればよい。このような形状とすることによってゲッター23をくぼみ24に挿入するだけで容易に組み立てることができる。つまり、組立時間を短縮できる。仮に、くぼみ24をゲッター23に対して非常に大きく形成しても、孔26を通じて空間側に移動することはない。なお、くぼみ24の上側は、ウィンドウ21により塞がれている。
【0027】
ゲッター23の上側は、ウィンドウ21が配置されているため、レーザ光線によりゲッター23を加熱し、活性化することができる。従来の検出器に用いられてきたコイルヒータ内蔵型ゲッターと比べ、バルク型ゲッターでは、ゲッター23の部品費用が低減でき、またコイルヒータ内蔵型ゲッターで実装及び通電のため必要であったパッケージ上のピン及び配線を省略することができ、コストの低減効果がある。
【0028】
実施の形態2.
図3は、本実施の形態における赤外線検出器のうち実施の形態1で示したくぼみ24の部分のみを示した図である。なお、図3に示した部分以外の構成は、実施の形態1と同じなので、図面及び説明を省略する。
【0029】
本実施の形態においては、くぼみ24の内壁に突起24aを形成しており、くぼみ24に収納したゲッター23を、対向する内壁に圧接する構造とした。このような構成としたことで、振動環境条件下においてもゲッター23の位置は変動することがない。これにより、くぼみ24の内壁と擦れあうことにより発生しうる摩耗粉の発生を抑止することができる。これにより、発生した摩耗粉除去に要するコストの削減を図るとともに耐環境性の向上を図ることができる。
【0030】
実施の形態3.
図4は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態3の構成を示した側断面図であり、図5は、図4に示した赤外線検出器の平面図である。本実施の形態における基板20の外周壁20aの上面には、全周にわたって段差20bが形成されている。また、本実施の形態におけるゲッター27は、バルク型で環形状のゲッターであり、段差部分に挿着されることで位置決めされる。段差20bとゲッター27の外面とをほぼ同形状とすることで、振動環境条件下においてもゲッター27は水平方向への移動が抑止される。なお、垂直方向には段差20bとウィンドウ21により、その動きが抑止される。換言すると、赤外線検出器の設計時に、ゲッター27の動きを抑制できるようにゲッター27の形状、外周壁20aに設ける段の高さ等を調節することになる。なお、上記以外の構成は、実施の形態1と同じなので説明を省略する。
【0031】
本実施の形態によれば、基板20の外周壁20aに段差を設けることでゲッター27の位置決めを容易にすることができる。また、これにより、赤外線検出器の組立を容易に行うことができる。
【0032】
なお、本実施の形態では、単に段差を設けるようにしたが、例えば、実施の形態1のくぼみを外周壁20aの上面の全周に延長させて環状溝とし、その環状溝に環形状のゲッター27が完全に埋設できるようにしてもよい。また、このときには実施の形態2で説明した突起を環状溝の内壁面に設けることができる。
【0033】
実施の形態4.
図6は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態4の構成を示した側断面図である。本実施の形態におけるゲッター28は、実施の形態3と同様にバルク型で環形状のゲッターであり、また、同じ空間25内に配置されるが、その配置場所は、基板20の外周壁20aと電子冷却素子2が配置される隙間に挿着されることで位置決めされる。外周壁20aの内壁面とゲッター27の外面とをほぼ同形状とすることで、振動環境条件下においてもゲッター28は水平方向への移動が抑止される。なお、上記以外の構成は、実施の形態1と同じなので説明を省略する。
【0034】
本実施の形態によれば、ゲッター28の外形を外周壁20aの内壁面とほぼ同等とし、その外壁面20aの内側に挿入するだけで位置決めを行うことができる。また、これにより、赤外線検出器の組立を容易に行うことができる。
【0035】
実施の形態5.
図7は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態5の構成を示した側断面図であり、図8は、図7に示したゲッター配設部分を拡大した概略構成図である。本実施の形態においては、空間25内において基板20の外周壁20aと電子冷却素子2が配置される隙間に基板20からピン29を立設させる。ピン29は、セラミックパッケージである基板20の製造工程中にロウ付けにより接合される。本実施の形態におけるゲッター30は、バルク型で中心に貫通孔を有する円筒形状のゲッターであり、その貫通孔にピン29を挿入することでゲッター30を基板20に取り付ける。ゲッター30は、貫通孔の内径とピン29の外径をほぼ同じにすることで、振動環境条件下においてもゲッター30は水平方向への移動が抑止される。また、ピン29をウィンドウ21の下面近傍まで延出させることによりゲッター30がピン29から外れることを防止することができる。なお、上記以外の構成は、実施の形態1と同じなので説明を省略する。
【0036】
本実施の形態によれば、このような構造をとることにより、ゲッター30をピン29にはめるだけで、赤外線検出素子1の上にゲッター30が移動することのないように配置され組立時間が短縮される。
【0037】
実施の形態6.
図9は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態6の構成を示した側断面図である。本実施の形態においては、空間25内において基板20の外周壁20aと電子冷却素子2が配置される隙間にバルク型のゲッター23を配設する。基板20には、ゲッター23をろう付可能なメタライズ部31を設け、ゲッター23をメタライズ部31にろう付接合する。
【0038】
このように構成することで、ゲッター23を基板20に固定する。ゲッター23の活性化は、上記各実施の形態と同様に行う。すなわち、ゲッター23の固着部位、すなわちメタライズ部31の配置は、ウィンドウ21を介して入射されるレーザ光線が届く位置である。
【0039】
また、基板20に施したメタライズ部31の下に外部と通ずる熱伝導部32を設け、基板20の外側から熱伝導によってゲッター23を加熱し活性化するようにしてもよい。この場合は、レーザ光線が届く位置にメタライズ部31を必ずしも配置する必要はない。なお、上記以外の構成は、実施の形態1と同じなので説明を省略する。
【0040】
本実施の形態によれば、ゲッター23を簡単に固着することができ、これにより、赤外線検出器の組立を容易に行うことができる。
【0041】
実施の形態7.
図10は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態7の構成を示した側断面図である。本実施の形態においては、実施の形態6と比較すると、ゲッター23の接合を、ガラスを用いて接合部33に接合する、あるいは焼結により接合する点が異なる。このガラスまたは焼結による接合工程は、基板20の製造プロセス中又は最終工程で行う。なお、その他は実施の形態6と同じなので説明を省略する。
【0042】
実施の形態8.
図11は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態8の構成を示した側断面図であり、図12は、図11に示した赤外線検出器の平面図である。前述した各実施の形態においては、ゲッターの取付に着目したものであったが、以降の実施の形態においては、その他の部位の構造、特に赤外線検出器内の赤外線検出素子1と外部との接続部位に関するものである。
【0043】
図11から明らかなように、本実施の形態は、赤外線検出素子1との電気的接続にワイヤボンディング9を用いるのではなく導体34及びメタライズ部35を用いる。本実施の形態における基板36はプリント基板である。なお、シリコン基板でもよい。導体34は、基板製造工程中に基板36に埋設され、空間25側においては赤外線検出素子1と予め基板20に設けられた配線パターンにより電気的に接続される。一方、基板36の底面側では、外部との電気的インターフェース用のメタライズ部35が接合されている。
【0044】
なお、ウィンドウ21と基板36との接合、及びゲッター23の基板36への接合は、例えば、特開2000−337959号公報に開示される方法によって実現される。
【0045】
本実施の形態によれば、上記のように簡単な構造とすることで低コストな赤外線検出器を得ることができる。
【0046】
実施の形態9.
図13は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態9の構成を示した側断面図である。本実施の形態においては、基板36の外周壁部分をガラス枠37とした。また、外部との電気的インターフェース用のメタライズ部38を基板36の赤外線検出素子1が形成された面と同一面に配設した。それ以外の構成は、上記実施の形態8と同じである。導体34は、基板36にプリントされた配線パターンによっていずれかのメタライズ部35,38に電気的に接続されている。ガラス枠37は、ウィンドウ21と基板36にそれぞれ陽極接合により接合されている。
【0047】
本実施の形態によれば、上記のように簡単な構造とすることで低コストな赤外線検出器を得ることができる。
【0048】
実施の形態10.
図14は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態10の構成を示した側断面図であり、この図においては、回路基板39に実装した状態を示している。図14においては、導体34を赤外線検出素子1の両側に配設しているが、基本的には実施の形態9に示した赤外線検出器と同じである。この赤外線検出器は、各導体34に接合したメタライズ部(図示せず)と、赤外線検出素子1を駆動するための回路基板39上のインターフェース用メタライズ部(図示せず)との間を、半田バンプ40により接合し、補強のために樹脂から成るアンダーフィル41を充填する構造を有する。
【0049】
本実施の形態によれば、上記の方法によって安価な赤外線検出器を得られるとともに簡易な構造で赤外線検出器を実装することができる。
【0050】
実施の形態11.
図15は、本発明に係る赤外線検出器の実施の形態11の構成を示した側断面図であり、この図においては、回路基板39に実装した状態を示している。本実施の形態においては、赤外線検出素子1の電気的インターフェース用のメタライズ部42の位置を、基板36の赤外線検出素子1の配設面であって空間25の内側から外側にかけて配設する。そして、メタライズ部42の空間25の外側部分は、導体34に接合される。このようにして、赤外線検出素子1は、メタライズ部42、導体34、半田バンプ40を介して回路基板39上の配線に電気的に接続される。また、基板36は、熱伝導性の良い接着剤43によって回路基板39に固着される。
【0051】
本実施の形態によれば、上記の方法によって安価な赤外線検出器を得られるとともに簡易な構造で赤外線検出器を放熱性良く実装することができる。
【0052】
なお、接着剤43でなくてもヒートシンクを接合するか、あるいは半田を充填することにより、基板36と回路基板39とを接合する構造としてもよい。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、ウィンドウを介してレーザ光線によりゲッターを加熱し、活性化することができるような構造としたので、従来のようにコイルヒータ内蔵型ゲッターを用いる必要がない。このため、ゲッターの部品費用が低減でき、またコイルヒータ内蔵型ゲッターで実装及び通電のため必要であったパッケージ上のピン及び配線を省略することができ、コストの低減を図ることができる。
【0054】
また、基板をセラミックパッケージで形成することにより凹部を容易に形成することができる。
【0055】
また、凹部の内壁に突部を形成し、凹部に収納したゲッターを対向する内壁に圧接する構造としたので、振動環境条件下においてもゲッターを移動させない。これにより、くぼみの内壁と擦れあうことにより発生しうる摩耗粉の発生を抑止することができる。
【0056】
また、基板の外周壁の上面全周に段差を設けることで環形状のゲッターの位置決めを容易にすることができる。また、これにより、赤外線検出器の組立を容易に行うことができる。
【0057】
また、ゲッターの外形を基板の外周壁の内壁面とほぼ同形状としたので、外壁面の内側に挿入するだけで容易に位置決めを行うことができる。また、これにより、赤外線検出器の組立を容易に行うことができる。
【0058】
また、空間内において基板に棒状突起部を立設させ、その棒状突起部に孔を有するゲッターを挿着するような構成としたので、ゲッターの位置決めを容易にすることができる。また、これにより、赤外線検出器の組立を容易に行うことができる。
【0059】
また、棒状突起部をウィンドウの下面近傍まで延出させることにより挿着したゲッターの脱去を防止することができる。
【0060】
また、ゲッターをろう付け、ガラスを用いて、あるいは焼結により基板上に取り付けるようにしたので、ゲッターを簡単な構造で固着することができる。
【0061】
また、赤外線検出素子を外部へ電気的に接続するための導体部材を埋設する簡単な構成としたので、低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態1の構成を示した側断面図である。
【図2】 実施の形態1における基板の要部のみを示した図である。
【図3】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態2の要部のみを示した構成図である。
【図4】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態3の構成を示した側断面図である。
【図5】 図4に示した赤外線検出器の平面図である。
【図6】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態4の構成を示した側断面図である。
【図7】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態5の構成を示した側断面図である。
【図8】 図7に示した赤外線検出器のゲッター配設部分のみを示した概略構成図である。
【図9】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態6の構成を示した側断面図である。
【図10】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態7の構成を示した側断面図である。
【図11】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態8の構成を示した側断面図である。
【図12】 図11に示した赤外線検出器の平面図である。
【図13】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態9の構成を示した側断面図である。
【図14】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態10の構成を示した側断面図である。
【図15】 本発明に係る赤外線検出器の実施の形態11の構成を示した側断面図である。
【図16】 従来の赤外線検出器を示した側断面図である。
【図17】 図16に示した赤外線検出器に実装されるコイルヒータ内蔵型ゲッターを示した概略構成図である。
【符号の説明】
1 赤外線検出素子、2 電子冷却素子、9 ワイヤボンディング、20,36 基板、20a 外周壁、21 ウィンドウ、22 外部端子、23,27,28,30 ゲッター、24 くぼみ、24a 突起、25 空間、26 孔、29 ピン、31,35,38,42 メタライズ部、32 熱伝導部、33 接合部、34 導体、37 ガラス枠、39 回路基板、40 半田バンプ、41 アンダーフィル、43 接着剤。
Claims (12)
- 外周壁を有する基板と、
赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、
前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、
レーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、
前記ウィンドウを介してレーザ光線が届く前記基板の外周壁上面に配設され、前記ゲッターを収納する凹部と、
前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子と、
を有し、
前記凹部と前記赤外線検出素子が配置される空間とは、前記ゲッターの寸法よりも小さい開口部により連結されていることを特徴とする赤外線検出器。 - 前記基板は、セラミックパッケージであることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出器。
- 前記凹部の内壁には、収納した前記ゲッターを対向する内壁に圧接する突部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出器。
- 外周壁を有する基板と、
赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、
前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、
前記ウィンドウを介してレーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、
前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子と、
を有し、
前記ゲッターは、外面形状が前記外周壁上面の前記空間側を切り欠くことによって前記外周壁上面の全周に形成された段差部分の形状とほぼ同形状の環形状で形成され、その段差部分に挿着されることを特徴とする赤外線検出器。 - 外周壁を有する基板と、
赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、
前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、
前記ウィンドウを介してレーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、
前記基板上の略中央に載置され、前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子と、
を有し、
前記ゲッターは、外面形状が前記外周壁の内壁の形状とほぼ同形状の環形状で形成され、その内壁と前記電子冷却素子とで形成される隙間に挿着されることを特徴とする赤外線検出器。 - 外周壁を有する基板と、
赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、
前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、
前記ウィンドウを介してレーザ光線が照射されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、
前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子と、
前記空間内において前記基板から立設した棒状突起部と、
を有し、
前記ゲッターには、前記棒状突起部が挿入されることによって前記基板上に固定される孔が形成されていることを特徴とする赤外線検出器。 - 前記ゲッターは、円筒形状で形成されることを特徴とする請求項6記載の赤外線検出器。
- 前記棒状突起部を、前記ウィンドウの下面近傍まで延出させることを特徴とする請求項6記載の赤外線検出器。
- 外周壁を有する基板と、
赤外線を透過し、前記外周壁に接合されることによって前記外周壁により形成される前記基板の開口部を封止するウィンドウと、
前記ウィンドウと前記基板とにより形成される空間内であって前記基板の上に配置される赤外線検出素子と、
前記基板上に配設され、加熱されることにより前記空間内の気体を吸着するバルク型のゲッターと、
前記赤外線検出素子の温度を安定化させる電子冷却素子と、
前記空間内において前記ゲッターが固着される前記基板上の固着部位と、
前記基板を貫通して前記固着部位と前記基板の外部とを熱的に接続する熱伝導部を有し、前記基板の外部から前記固着部位を介して前記ゲッターを加熱する加熱手段と、
を有することを特徴とする赤外線検出器。 - 前記固着部位には、前記ゲッターをろう付け接合可能なメタライズ部が配設されることを特徴とする請求項9記載の赤外線検出器。
- 前記ゲッターは、ガラスを用いて前記固着部位に接合されることを特徴とする請求項9記載の赤外線検出器。
- 前記ゲッターは、焼結により前記固着部位に接合されることを特徴とする請求項9記載の赤外線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002058543A JP3853234B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002058543A JP3853234B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 赤外線検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003254820A JP2003254820A (ja) | 2003-09-10 |
JP3853234B2 true JP3853234B2 (ja) | 2006-12-06 |
Family
ID=28668486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002058543A Expired - Fee Related JP3853234B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 赤外線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3853234B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102318060A (zh) * | 2009-02-19 | 2012-01-11 | 日本电气株式会社 | 真空密封封装、具有真空密封封装的印刷电路基板、电子仪器以及真空密封封装的制造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7407421B2 (en) | 2003-11-20 | 2008-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source, optical pickup, and electronic apparatus |
JP4865998B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | 光源、光ピックアップ装置、および電子機器 |
FR2874691B1 (fr) * | 2004-08-24 | 2006-11-17 | Ulis Soc Par Actions Simplifie | Composant de detection de rayonnements electromagnetiques, et notamment infrarouge, bloc optique d'imagerie infrarouge integrant un tel composant et procede pour sa realisation |
JP2007010445A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Shimadzu Corp | 焦電センサ |
FR2903678B1 (fr) * | 2006-07-13 | 2008-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Microcomposant encapsule equipe d'au moins un getter |
JP5448392B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2014-03-19 | 京セラ株式会社 | センサー用窓部材およびそれを用いたセンサー用パッケージならびにセンサー装置 |
JP4840451B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2011-12-21 | 住友電気工業株式会社 | 近赤外イメージセンサ |
JP5123223B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-01-23 | パナソニック株式会社 | 赤外線センサ素子のパッケージ |
FR2976436B1 (fr) * | 2011-06-09 | 2013-07-05 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'imagerie infrarouge a blindage integre contre des rayonnements infrarouges parasites et procede de fabrication du dispositif. |
FR2981198B1 (fr) * | 2011-10-11 | 2014-04-04 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation de dispositif electronique et procede de realisation d'une telle structure |
KR101305543B1 (ko) | 2011-12-20 | 2013-09-06 | 주식회사 포스코엘이디 | 광반도체 기반 조명장치 및 그것의 제조방법 |
JP2014090118A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Kyocera Corp | イメージセンサ用パッケージおよびイメージセンサ |
JP6154458B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-06-28 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
JP6185269B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-08-23 | 京セラ株式会社 | 電子装置および電子装置の製造方法 |
JP6175313B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2017-08-02 | 京セラ株式会社 | パッケージおよび電子装置 |
JP2015106597A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社日立エルジーデータストレージ | 映像出力装置の封止構造 |
KR101674114B1 (ko) * | 2015-12-10 | 2016-11-09 | 한화시스템 주식회사 | 열 영상 처리 방법 및 이를 이용한 적외선 검출기 |
-
2002
- 2002-03-05 JP JP2002058543A patent/JP3853234B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102318060A (zh) * | 2009-02-19 | 2012-01-11 | 日本电气株式会社 | 真空密封封装、具有真空密封封装的印刷电路基板、电子仪器以及真空密封封装的制造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003254820A (ja) | 2003-09-10 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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