JP3852564B2 - 電界放射型電子源およびその製造方法 - Google Patents
電界放射型電子源およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3852564B2 JP3852564B2 JP2001159624A JP2001159624A JP3852564B2 JP 3852564 B2 JP3852564 B2 JP 3852564B2 JP 2001159624 A JP2001159624 A JP 2001159624A JP 2001159624 A JP2001159624 A JP 2001159624A JP 3852564 B2 JP3852564 B2 JP 3852564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electron source
- field emission
- emission electron
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界放射により電子線を放射するようにした電界放射型電子源およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、導電性基板の一表面側に酸化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層を形成し、強電界ドリフト層上に表面電極を形成した電界放射型電子源が提案されている。なお、導電性基板としては、例えば、抵抗率が導体の導電率に比較的近い半導体基板、金属基板、ガラス基板(絶縁性基板)の一表面に導電性層を形成したものなどが用いられている。
【0003】
この種の電界放射型電子源は、例えば、図7に示すように導電性基板としてのn形シリコン基板1の主表面側に強電界ドリフト層6”が形成され、強電界ドリフト層6”上に表面電極7が形成されている。また、n形シリコン基板1の裏面にはオーミック電極2が形成されている。なお、図7に示す例では、n形シリコン基板1と強電界ドリフト層6”との間に例えばノンドープの多結晶シリコンからなる半導体層3を介在させてあるが、半導体層3を介在させずにn形シリコン基板1の主表面上に強電界ドリフト層6”を形成した構成も提案されている。
【0004】
図7に示す構成の電界放射型電子源10’から電子を放出させるには、表面電極7に対向配置されたコレクタ電極21を設け、表面電極7とコレクタ電極21との間を真空とした状態で、表面電極7がn形シリコン基板1(オーミック電極2)に対して高電位側(正極)となるように表面電極7とn形シリコン基板1との間に直流電圧Vpsを印加するとともに、コレクタ電極21が表面電極7に対して高電位側となるようにコレクタ電極21と表面電極7との間に直流電圧Vcを印加する。各直流電圧Vps,Vcを適宜に設定すれば、n形シリコン基板1から注入された電子が強電界ドリフト層6”をドリフトし表面電極7を通して放出される(なお、図7中の一点鎖線は表面電極7を通して放出された電子e-の流れを示す)。表面電極7には仕事関数の小さな材料(例えば、金)が採用され、表面電極7の膜厚は10〜15nm程度に設定されている。
【0005】
上述の構成を有する電界放射型電子源10’では、表面電極7とオーミック電極2との間に流れる電流をダイオード電流Ipsと呼び、コレクタ電極21と表面電極7との間に流れる電流をエミッション電流(放出電子電流)Ieと呼ぶことにすれば(図7参照)、ダイオード電流Ipsに対するエミッション電流Ieの比率(=Ie/Ips)が大きいほど電子放出効率が高くなる。なお、この電界放射型電子源10’では、表面電極7とオーミック電極2との間に印加する直流電圧Vpsを10〜20V程度の低電圧としても電子を放出させることができる。
【0006】
この電界放射型電子源10’では、電子放出特性の真空度依存性が小さく且つ電子放出時にポッピング現象が発生せず安定して電子を高い電子放出効率で放出することができる。
【0007】
上述の電界放射型電子源10’では、強電界ドリフト層6”が、導電性基板たるn形シリコン基板1上にノンドープの多結晶シリコン層を堆積させた後に、該多結晶シリコン層を陽極酸化処理にて多孔質化し、多孔質化された多結晶シリコン層(多孔質多結晶シリコン層)を急速熱酸化(Rapid Thermal Oxidation:RTO)によって例えば900℃の温度で酸化することにより形成されている。
【0008】
上述のようにして形成された強電界ドリフト層6”は、図8に示すように、少なくとも、柱状の多結晶シリコンのグレイン51と、グレイン51の表面に形成された薄いシリコン酸化膜52と、グレイン51間に介在するナノメータオーダのシリコン微結晶63と、シリコン微結晶63の表面に形成され当該シリコン微結晶63の結晶粒径よりも小さな膜厚の酸化膜であるシリコン酸化膜64とから構成されると考えられる。すなわち、強電界ドリフト層6”は、陽極酸化処理を行う前の多結晶シリコン層に含まれていた各グレインの表面が多孔質化し各グレインの中心部分では結晶状態が維持されているものと考えられる。したがって、強電界ドリフト層6”に印加された電界の大部分はシリコン酸化膜64を集中的に通り、注入された電子はシリコン酸化膜64を通る強電界により加速されグレイン51間を表面に向かって図8中の矢印Aの向きへ(図8中の上方向へ向かって)ドリフトするので、電子放出効率を向上させることができる。ここにおいて、電界放射型電子源10’は、シリコン微結晶63のサイズ(結晶粒径)およびシリコン酸化膜64の膜厚それぞれを電子の平均自由行程以下にすることで起こる電子の弾道化(いわゆる弾道型電子放出現象)を利用している。なお、強電界ドリフト層6”の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、表面電極7を容易にトンネルし真空中に放出される。
【0009】
上述の電界放射型電子源10’では、導電性基板としてn形シリコン基板を用いているが、図9に示すように、ガラス基板からなる絶縁性基板11の一表面に導電性層12を形成したものを用いた電界放射型電子源10”も提案されている。ここに、上述の電界放射型電子源10’と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【0010】
図9に示す構成の電界放射型電子源10”から電子を放出させるには、表面電極7に対向配置されたコレクタ電極21を設け、表面電極7とコレクタ電極21との間を真空とした状態で、表面電極7が導電性層12に対して高電位側(正極)となるように表面電極7と導電性層12との間に直流電圧Vpsを印加するとともに、コレクタ電極21が表面電極7に対して高電位側となるようにコレクタ電極21と表面電極7との間に直流電圧Vcを印加する。各直流電圧Vps,Vcを適宜に設定すれば、導電性層12から注入された電子が強電界ドリフト層6”をドリフトし表面電極7を通して放出される(なお、図9中の一点鎖線は表面電極7を通して放出された電子e-の流れを示す。)
上述の構成を有する電界放射型電子源10”では、表面電極7と導電性層12との間に流れる電流をダイオード電流Ipsと呼び、コレクタ電極21と表面電極7との間に流れる電流をエミッション電流(放出電子電流)Ieと呼ぶことにすれば(図9参照)、ダイオード電流Ipsに対するエミッション電流Ieの比率(=Ie/Ips)が大きいほど電子放出効率が高くなる。なお、この電界放射型電子源10”では、表面電極7と導電性層12との間に印加する直流電圧Vpsを10〜20V程度の低電圧としても電子を放出させることができる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、陽極酸化処理を利用して強電界ドリフト層6”を形成した電界放射型電子源10’,10”は、シリコン微結晶63の形状が球状であって、強電界ドリフト層6”中のシリコン微結晶63のサイズや配列、シリコン微結晶63の充填率などの制御が難しく、表面にシリコン酸化膜62が形成されたシリコン微結晶63が連なった部分でのみ電子の弾道化が起こると考えられ、表面にシリコン酸化膜62が形成されたシリコン微結晶63が連なっていない部分での電子の散乱や散乱確率の増大によって強電界ドリフト層6”内でのエネルギ損失が増えて電子のエネルギが低減され、十分なエミッション電流および十分な電子放出効率が得られないという不具合があった。
【0012】
また、陽極酸化処理がウェットプロセスであって多孔質化された領域の厚みの制御が難しく、多孔質化された領域の厚みが面内で不均一になってしまい、結果的に強電界ドリフト層6”の厚みが面内で不均一になってしまうので、エミッション特性に面内分布が生じたり、局所的に欠陥が生じたりして絶縁破壊が起こり寿命が短くなってしまうという不具合や面内均一性の点で大面積化が難しいという不具合があった。
【0013】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに、絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源およびその製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、上記目的を達成するために、下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在する強電界ドリフト部とを備え、下部電極と表面電極との間に表面電極を高電位側として電圧を印加したときに強電界ドリフト部に作用する電界により下部電極から注入された電子がドリフトして表面電極を通して放出されるようにし、強電界ドリフト部を導電性膜と絶縁性膜とが交互に積層された構造とし、各導電性膜および各絶縁性膜それぞれの膜厚を電子の平均自由行程を超えないように設定してあることを特徴とするものであり、強電界ドリフト部を導電性膜と絶縁性膜とが交互に積層された構造とし、各導電性膜および各絶縁性膜それぞれの膜厚を電子の平均自由行程を超えないように設定してあることにより、強電界ドリフト部の面内全域において電子の弾道化が起こるので、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易になる。
【0015】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記絶縁性膜が、酸化膜よりなるので、例えば前記絶縁性膜としてシリコン酸化膜を採用することで前記絶縁性膜の絶縁耐圧を高めることができるとともに、前記絶縁性膜を一般的な半導体製造プロセスにより形成することができる。
【0016】
請求項3の発明は、請求項2の発明において、前記酸化膜が、前記導電性膜の構成元素を含んでいるので、前記酸化膜の安定性を高めることが可能になるとともに、絶縁性膜と導電性膜との界面の欠陥を少なくすることが可能になる。
【0017】
請求項4の発明は、請求項1の発明において、前記絶縁性膜が、窒化膜よりなるので、例えば前記絶縁性膜としてシリコン窒化膜を採用することで前記絶縁性膜の絶縁耐圧を高めることができるとともに、前記絶縁性膜を一般的な半導体製造プロセスにより形成することができ、しかもシリコン酸化膜に比べて絶縁耐圧を高めることができる。
【0018】
請求項5の発明は、請求項1の発明において、前記絶縁性膜が、酸窒化膜よりなるので、例えば前記絶縁性膜としてシリコン酸窒化膜を採用することで前記絶縁性膜の絶縁耐圧を高めることができるとともに、前記絶縁性膜を一般的な半導体製造プロセスにより形成することができ、しかもシリコン酸化膜に比べて絶縁耐圧を高めることができる。
【0019】
請求項6の発明は、請求項1の発明において、前記導電性膜が、シリコン膜よりなり、前記絶縁性膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択されるので、一般的な半導体製造プロセスを利用して強電界ドリフト部を形成することができる。
【0020】
請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記導電性膜を熱CVD法若しくはプラズマCVD法により形成することを特徴とし、前記導電性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができる。
【0021】
請求項8の発明は、請求項3記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記強電界ドリフト部の形成にあたっては、下部電極の一表面側に酸化膜を形成する工程と、酸化膜の一部を還元することにより前記絶縁性膜および前記導電性膜を形成する工程とを交互に繰り返すことを特徴とし、前記絶縁性膜および前記導電性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができる。
【0022】
請求項9の発明は、請求項2または請求項3記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記酸化膜を、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ酸化法、電気化学的酸化法、オゾン酸化法から選択される方法により形成することを特徴とし、前記絶縁性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができる。
【0023】
請求項10の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記絶縁性膜を、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ処理法から選択される方法により形成することを特徴とし、前記絶縁性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができる。なお、プラズマ処理法としては、プラズマ酸化、プラズマ窒化、プラズマ酸窒化などがある。
【0024】
請求項11の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記強電界ドリフト部を形成するにあたっては、導電性膜を形成する工程と、当該導電性膜の表面側に急速加熱法により前記絶縁性膜を形成する工程とを交互に繰り返すことを特徴とし、前記導電性膜および前記絶縁性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができる。また、急速加熱法により前記絶縁性膜を形成しているので、前記絶縁性膜の膜質を向上できるとともに前記絶縁性膜の膜厚の制御性が向上する。
【0025】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
本実施形態では、導電性基板として抵抗率が導体の抵抗率に比較的近い単結晶のn形シリコン基板(例えば、抵抗率が略0.01Ωcm〜0.02Ωcmの(100)基板)を用いている。
【0026】
本実施形態の電界放射型電子源10は、図1に示すように、導電性基板たるn形シリコン基板1の主表面側に電子のドリフトする強電界ドリフト部6が形成され、強電界ドリフト部6上に表面電極7が形成され、n形シリコン基板1の裏面にオーミック電極2が形成されている。なお、本実施形態では、n形シリコン基板1が下部電極を構成している。したがって、表面電極7は下部電極に対向しており、下部電極と表面電極7との間に強電界ドリフト部6が介在している。
【0027】
図1に示す構成の電界放射型電子源10では、図2に示すように、表面電極7を真空中に配置するとともに表面電極7に対向してコレクタ電極21を配置し、表面電極7をn形シリコン基板1(オーミック電極2)に対して正極として直流電圧Vpsを印加するとともに、コレクタ電極21を表面電極7に対して正極として直流電圧Vcを印加することにより、n形シリコン基板1から注入された電子が強電界ドリフト部6をドリフトし表面電極7を通して放出される(なお、図2中の一点鎖線は表面電極7を通して放出された電子e-の流れを示す)。したがって、表面電極7としては、仕事関数の小さな材料を用いることが望ましい。ここにおいて、表面電極7とn形シリコン基板1(オーミック電極2)との間に流れる電流をダイオード電流Ipsと称し、コレクタ電極21と表面電極7との間に流れる電流を放出電子電流Ieと称し、ダイオード電流Ipsに対する放出電子電流Ieが大きい(Ie/Ipsが大きい)ほど電子放出効率が高くなる。
【0028】
強電界ドリフト部6は、半導体膜(例えば、シリコン膜)よりなる導電性膜6bと絶縁膜(例えば、シリコン酸化膜)よりなる絶縁性膜6aとが交互に積層されている。ところで、強電界ドリフト部6では、規定数(例えば60)の導電性膜6bおよび絶縁性膜6aが1層ごとに交互に積層され、各導電性膜6bおよび各絶縁性膜6aの膜厚はそれぞれ同じ値に設定されている。ここにおいて、各導電性膜6bおよび各絶縁性膜6aそれぞれの各膜厚は電子の弾道化が起こる程度の膜厚に設定してある。言い換えれば、各導電性膜6bおよび各絶縁性膜6aの各膜厚は電子の平均自由行程と同等または電子の平均自由行程以下に設定すればよい。なお、本実施形態では、導電性膜6bの材料としてSiを採用し導電性膜6bの膜厚を5nmに設定してあり、絶縁性膜6aの材料としてSiO2を採用し絶縁性膜6aの膜厚を2nmに設定してある。上記規定数は、強電界ドリフト部6の所望の厚さに応じて適宜設定すればよい。
【0029】
表面電極7には仕事関数の小さな材料が採用され、表面電極7の厚さは10nmに設定されているが、この膜厚は特に限定するものではなく、強電界ドリフト部6を通ってきた電子がトンネルできる膜厚であればよく、表面電極7の厚さは10〜15nm程度に設定すればよい。
【0030】
表面電極7は、強電界ドリフト部6上に形成された金属膜(例えば、Cr膜)よりなる第1薄膜層7aと第1薄膜層7a上に積層された金属膜(例えば、Au膜)よりなる第2薄膜層7bとにより構成されている。ここにおいて、強電界ドリフト部6上の第1薄膜層7aの材料としては、例えば、クロム、ニッケル、白金、チタン、イリジウムなどの強電界ドリフト部6との密着性が高く第2薄膜層7bと強電界ドリフト部6との間での拡散を防止することができる材料を採用すればよく、第2薄膜層7bの材料としては、抵抗が低く経時安定性の高い金などを採用すればよい。なお、本実施形態では、第1薄膜層7aの材料としてCrを採用し第1薄膜層7aの膜厚を2nmに設定してあり、第2薄膜層7bの材料としてAuを採用し第2薄膜層7bの膜厚を8nmに設定してある。また、本実施形態では、表面電極7を2層の金属膜により構成してあるが、2層の金属膜で構成する代わりに、1層または3層以上の金属膜により構成してもよい。
【0031】
以下、本実施形態の電界放射型電子源10の製造方法について図3を参照しながら説明する。
【0032】
まず、n形シリコン基板1の裏面にオーミック電極2を形成した後、n形シリコン基板1の主表面側にプラズマCVD法によって所定膜厚(本実施形態では、5nm)の半導体膜(本実施形態では、Si膜)からなる導電性膜6bを形成することにより、図3(a)に示すような構造が得られる。なお、プラズマCVD法によってSi膜からなる導電性膜6bを形成する際の原料ガスとしてはモノシラン(SiH4)を用いているが、水素ガスにより希釈されたガスを用いてもよい。
【0033】
n形シリコン基板1の主表面側に導電性膜6bを形成した後、導電性膜6b上にプラズマCVD法によって所定膜厚(本実施形態では、2nm)の絶縁膜(本実施形態では、SiO2膜)からなる絶縁性膜6aを積層することにより、図3(b)に示すような構造が得られる。なお、プラズマCVD法によってSiO2膜からなる絶縁性膜6aを形成する際の原料ガスとしてはモノシラン(SiH4)と酸素(O2)との混合ガスを用いている。
【0034】
上述のような導電性膜6bの成膜と絶縁性膜6aの成膜とを交互に繰り返して規定数(本実施形態では、60)の導電性膜6bと規定数(本実施形態では、60)の絶縁性膜6aとが1層ごとに交互に積層された構造の強電界ドリフト部6(図1参照)を形成することにより、図3(c)に示す構造が得られる。
【0035】
強電界ドリフト部6を形成した後は、強電界ドリフト部6上に金属膜(本実施形態では、Cr膜)からなる第1薄膜層7aを電子ビーム蒸着法によって積層し、さらに第1薄膜層7a上に金属膜(本実施形態では、Au膜)からなる第2薄膜層7bを電子ビーム蒸着法によって積層することで第1薄膜層7aと第2薄膜層7bとからなる表面電極7が形成され、図3(d)に示す構造の電界放射型電子源10が得られる。なお、本実施形態では、表面電極7となる第1薄膜層7aおよび第2薄膜層7bを電子ビーム蒸着法により形成しているが、表面電極7の形成方法は電子ビーム蒸着法に限定されるものではなく、例えばスパッタ法を用いてもよい。
【0036】
しかして、本実施形態の電界放射型電子源10では、強電界ドリフト部6を導電性膜6bと絶縁性膜6aとが交互に積層された構造とし、各導電性膜6bおよび各絶縁性膜6aそれぞれの膜厚を電子の弾道化が起こる程度の膜厚にしてあることにより、強電界ドリフト部6の面内全域において電子の弾道化が起こるので、従来のように多結晶シリコン層に陽極酸化処理を施して多孔質多結晶シリコン層を形成した後に酸化することで強電界ドリフト層6”を形成している場合に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図ることができるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧の向上、長寿命化および面内均一性を高めたうえでの大面積化が容易になる。したがって、大面積のディスプレイや平面発光装置への応用が可能となる。また、絶縁性膜6aとしてシリコン酸化膜を採用しているので、絶縁性膜6aの絶縁耐圧を高めることができるとともに、絶縁性膜6aを一般的な半導体製造プロセスにより形成することができる。しかも、導電性膜6bとしてシリコン膜を採用しているので、絶縁性膜6aが導電性膜6bの構成元素を含んでおり、絶縁性膜6aを構成するシリコン酸化膜の安定性を高めることができるとともに、絶縁性膜6aと導電性膜6bとの界面の欠陥を低減することができる。
【0037】
(実施形態2)
本実施形態では、導電性基板としてガラス基板からなる絶縁性基板11の一表面上に金属膜(例えば、タングステン膜)よりなる導電性層を設けたものを用いている。このように絶縁性基板の一表面側に導電性層を形成した基板を用いる場合には、実施形態1のように導電性基板として半導体基板を用いる場合に比べて、電子源の大面積化および低コスト化が可能になる。
【0038】
本実施形態の電界放射型電子源10は、図4に示すように、絶縁性基板11上の導電性層12上に強電界ドリフト部6が形成され、強電界ドリフト部6上に表面電極7が形成されている。なお、本実施形態では、導電性層12が下部電極を構成している。したがって、本実施形態においても、表面電極7は下部電極に対向しており、下部電極と表面電極7との間に強電界ドリフト部6が介在している。表面電極7の構成は実施形態1と同じなので実施形態1と同一の符号を付して説明を省略する。
【0039】
図4に示す構成の電界放射型電子源10から電子を放出させるには、図5に示すように、表面電極7に対向配置されたコレクタ電極21を設け、表面電極7とコレクタ電極21との間を真空とした状態で、表面電極7が導電性層12に対して高電位側(正極)となるように表面電極7と導電性層12との間に直流電圧Vpsを印加するとともに、コレクタ電極21が表面電極7に対して高電位側となるようにコレクタ電極21と表面電極7との間に直流電圧Vcを印加する。各直流電圧Vps,Vcを適宜に設定すれば、導電性層12から注入された電子が強電界ドリフト部6をドリフトし表面電極7を通して放出される(図5中の一点鎖線は表面電極7を通して放出された電子e-の流れを示す)。なお、強電界ドリフト部6の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、表面電極7を容易にトンネルし真空中に放出される。
【0040】
本実施形態の電界放射型電子源10では、表面電極7と導電性層12との間に流れる電流をダイオード電流Ipsと呼び、コレクタ電極21と表面電極7との間に流れる電流をエミッション電流(放出電子電流)Ieと呼ぶことにすれば(図5参照)、ダイオード電流Ipsに対するエミッション電流Ieの比率(=Ie/Ips)が大きいほど電子放出効率が高くなる。
【0041】
強電界ドリフト部6は、絶縁膜(例えば、SiO2膜)よりなる絶縁性膜6aと半導体膜(例えば、シリコン膜)よりなる導電性膜6bとが交互に積層されている。ところで、強電界ドリフト部6では、規定数(例えば60)の絶縁性膜6aおよび導電性膜6bが1層ごとに交互に積層され、各絶縁性膜6aおよび各導電性膜6bの膜厚はそれぞれ同じ値に設定されている。ここにおいて、各絶縁性膜6aおよび各導電性膜6bそれぞれの各膜厚は電子の弾道化が起こる程度の膜厚に設定してある。言い換えれば、各絶縁性膜6aおよび各導電性膜6bの各膜厚は電子の平均自由行程と同等または電子の平均自由行程以下に設定すればよい。なお、本実施形態では、絶縁性膜6aの材料としてSiO2を採用し絶縁性膜6aの膜厚を2nmに設定してあり、導電性膜6bの材料としてSiを採用し導電性膜6bの膜厚を5nmに設定してある。上記規定数は、強電界ドリフト部6の所望の厚さに応じて適宜設定すればよい。
【0042】
以下、本実施形態の電界放射型電子源10の製造方法について図6を参照しながら説明する。
【0043】
まず、絶縁性基板11の一表面側にスパッタ法などによって金属膜(例えば、タングステン膜)からなる導電性層12を形成して導電性基板を構成した後、導電性基板の主表面側(ここでは、導電性層12上)にプラズマCVD法によって所定膜厚(本実施形態では、2nm)の絶縁膜(本実施形態では、SiO2膜)からなる絶縁性膜6aを形成することにより、図6(a)に示すような構造が得られる。なお、プラズマCVD法によってSiO2膜からなる絶縁性膜6aを形成する際の原料ガスとしてはモノシラン(SiH4)と亜酸化窒素(N2O)との混合ガスを用いており、基板温度は400℃としている。
【0044】
導電性基板の主表面側に絶縁性膜6aを形成した後、絶縁性膜6a上にプラズマCVD法によって所定膜厚(本実施形態では、5nm)の半導体膜(本実施形態では、Si膜)からなる導電性膜6bを積層することにより、図6(b)に示すような構造が得られる。なお、プラズマCVD法によってSi膜からなる導電性膜6bを形成する際の原料ガスとしてはモノシランを用いているが、水素ガスにより希釈されたガスを用いてもよい。
【0045】
上述のような絶縁性膜6aの成膜と導電性膜6bの成膜とを交互に繰り返して規定数(本実施形態では、60)の絶縁性膜6aと規定数(本実施形態では、60)の導電性膜6bとが1層ごとに交互に積層された構造の強電界ドリフト部6(図4参照)を形成することにより、図6(c)に示す構造が得られる。
【0046】
強電界ドリフト部6を形成した後は、強電界ドリフト部6上に金属膜(本実施形態では、Cr膜)からなる第1薄膜層7aを電子ビーム蒸着法によって積層し、さらに第1薄膜層7a上に金属膜(本実施形態ではAu膜)からなる第2薄膜層7bを電子ビーム蒸着法によって積層することで第1薄膜層7aと第2薄膜層7bとからなる表面電極7が形成され、図6(d)に示す構造の電界放射型電子源10が得られる。なお、本実施形態では、表面電極7となる第1薄膜層7aおよび第2薄膜層7bを電子ビーム蒸着法により形成しているが、表面電極7の形成方法は電子ビーム蒸着法に限定されるものではなく、例えばスパッタ法を用いてもよい。
【0047】
しかして、本実施形態の電界放射型電子源10では、強電界ドリフト部6を導電性膜6bと絶縁性膜6aとが交互に積層された構造とし、各導電性膜6bおよび各絶縁性膜6aそれぞれの膜厚を電子の弾道化が起こる程度の膜厚にしてあることにより、強電界ドリフト部6の面内全域において電子の弾道化が起こるので、従来のように多結晶シリコン層に陽極酸化処理を施して多孔質多結晶シリコン層を形成した後に酸化することで強電界ドリフト層6”を形成している場合に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図ることができるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧の向上、長寿命化および面内均一性を高めたうえでの大面積化が容易になる。したがって、大面積のディスプレイや平面発光装置への応用が可能となる。また、絶縁性膜6aとしてシリコン酸化膜を採用しているので、絶縁性膜6aの絶縁耐圧を高めることができるとともに、絶縁性膜6aを一般的な半導体製造プロセスにより形成することができる。しかも、導電性膜6bとしてシリコン膜を採用しているので、絶縁性膜6aが導電性膜6bの構成元素を含んでおり、絶縁性膜6aを構成するシリコン酸化膜の安定性を高めることができるとともに、絶縁性膜6aと導電性膜6bとの界面の欠陥を低減することができる。
【0048】
ところで、上記各実施形態では、絶縁性膜6aとしてシリコン酸化膜を採用しているが、絶縁性膜6aをシリコン酸化膜以外の酸化膜、シリコン窒化膜やシリコン窒化膜以外の窒化膜、シリコン酸窒化膜やシリコン酸窒化膜以外の酸窒化膜などにより構成してもよく、シリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜を採用することでシリコン酸化膜の場合に比べて絶縁耐圧を高めることが可能になる。絶縁性膜6aとしてシリコン窒化膜を採用した場合には、例えば原料ガスとしてモノシランとアンモニア(NH3)を用いたプラズマCVD法により形成することができ、絶縁性膜6aとしてシリコン酸窒化膜を採用した場合には、例えば原料ガスとしてSiH4とN2O(またはO2)とNH3とを用いたプラズマCVD法により形成することができる。絶縁性膜6aの形成方法は、プラズマCVD法に限らず、例えば、熱CVD法、プラズマ処理法(プラズマ酸化、プラズマ窒化、プラズマ酸窒化)などにより形成してもよい。ここに、絶縁性膜6aとして酸化膜を採用する場合の絶縁性膜6aの形成方法としては、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ酸化法、電気化学的酸化法、オゾン酸化法などを利用すればよい。
【0049】
また、上記各実施形態では、導電性膜6bをプラズマCVD法により形成しているが、プラズマCVD法に限らず、例えば熱CVD法により形成してもよい。なお、熱CVD法によりSi膜からなる導電性膜6bを形成するには、例えばSiH4ガス雰囲気中で基板温度を900℃に加熱すればよい。
【0050】
また、強電界ドリフト部6の形成にあたっては、下部電極の一表面側にシリコン酸化膜を形成する工程と、当該シリコン酸化膜の一部を還元することにより残りのシリコン酸化膜からなる絶縁性膜6aおよびシリコン膜からなる導電性膜6bを形成する工程とを交互に繰り返すことにより形成してもよい。
【0051】
さらに強電界ドリフト部6の別の形成方法として、半導体膜(例えばSi膜)よりなる導電性膜6bを形成する工程と、急速加熱法(例えば、RTO、RTNなど)により導電性膜6bの表面側に絶縁膜(例えば、SiO2膜、Si3N4膜)からなる絶縁性膜6aを形成する工程とを交互に繰り返すようにしてもよく、この場合には、急速加熱法により絶縁性膜6aを形成しているので、絶縁性膜6aの膜質を向上できるとともに絶縁性膜6aの膜厚の制御性が向上する。
【0052】
【発明の効果】
請求項1の発明は、下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在する強電界ドリフト部とを備え、下部電極と表面電極との間に表面電極を高電位側として電圧を印加したときに強電界ドリフト部に作用する電界により下部電極から注入された電子がドリフトして表面電極を通して放出されるようにし、強電界ドリフト部を導電性膜と絶縁性膜とが交互に積層された構造とし、各導電性膜および各絶縁性膜それぞれの膜厚を電子の弾道化が起こる程度の膜厚にしてあるものであり、強電界ドリフト部を導電性膜と絶縁性膜とが交互に積層された構造とし、各導電性膜および各絶縁性膜それぞれの膜厚を電子の平均自由行程を超えないように設定してあることにより、強電界ドリフト部の面内全域において電子の弾道化が起こるので、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易になるという効果がある。
【0053】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記絶縁性膜が、酸化膜よりなるので、例えば前記絶縁性膜としてシリコン酸化膜を採用することで前記絶縁性膜の絶縁耐圧を高めることができるとともに、前記絶縁性膜を一般的な半導体製造プロセスにより形成することができるという効果がある。
【0054】
請求項3の発明は、請求項2の発明において、前記酸化膜が、前記導電性膜の構成元素を含んでいるので、前記酸化膜の安定性を高めることが可能になるとともに、絶縁性膜と導電性膜との界面の欠陥を少なくすることが可能になるという効果がある。
【0055】
請求項4の発明は、請求項1の発明において、前記絶縁性膜が、窒化膜よりなるので、例えば前記絶縁性膜としてシリコン窒化膜を採用することで前記絶縁性膜の絶縁耐圧を高めることができるとともに、前記絶縁性膜を一般的な半導体製造プロセスにより形成することができ、しかもシリコン酸化膜に比べて絶縁耐圧を高めることができるという効果がある。
【0056】
請求項5の発明は、請求項1の発明において、前記絶縁性膜が、酸窒化膜よりなるので、例えば前記絶縁性膜としてシリコン酸窒化膜を採用することで前記絶縁性膜の絶縁耐圧を高めることができるとともに、前記絶縁性膜を一般的な半導体製造プロセスにより形成することができ、しかもシリコン酸化膜に比べて絶縁耐圧を高めることができるといいう効果がある。
【0057】
請求項6の発明は、請求項1の発明において、前記導電性膜が、シリコン膜よりなり、前記絶縁性膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択されるので、一般的な半導体製造プロセスを利用して強電界ドリフト部を形成することができるという効果がある。
【0058】
請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記導電性膜を熱CVD法若しくはプラズマCVD法により形成するので、前記導電性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができるという効果がある。
【0059】
請求項8の発明は、請求項3記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記強電界ドリフト部の形成にあたっては、下部電極の一表面側に酸化膜を形成する工程と、酸化膜の一部を還元することにより前記絶縁性膜および前記導電性膜を形成する工程とを交互に繰り返すので、前記絶縁性膜および前記導電性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができるという効果がある。
【0060】
請求項9の発明は、請求項2または請求項3記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記酸化膜を、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ酸化法、電気化学的酸化法、オゾン酸化法から選択される方法により形成するので、前記絶縁性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができるという効果がある。
【0061】
請求項10の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記絶縁性膜を、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ処理法から選択される方法により形成するので、前記絶縁性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができるという効果がある。なお、プラズマ処理法としては、プラズマ酸化、プラズマ窒化、プラズマ酸窒化などがある。
【0062】
請求項11の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記強電界ドリフト部を形成するにあたっては、導電性膜を形成する工程と、当該導電性膜の表面側に急速加熱法により前記絶縁性膜を形成する工程とを交互に繰り返すので、前記導電性膜および前記絶縁性膜の面内均一性を高めることができて、従来のように陽極酸化処理を利用して形成された強電界ドリフト層を備えた電界放射型電子源に比べて、エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに面内の均一性を高めることができ、しかも絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供することができるという効果がある。また、急速加熱法により前記絶縁性膜を形成しているので、前記絶縁性膜の膜質を向上できるとともに前記絶縁性膜の膜厚の制御性が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1を示す概略断面図である。
【図2】同上の動作説明図である。
【図3】同上の製造工程を説明するための主要工程断面図である。
【図4】実施形態2を示す概略断面図である。
【図5】同上の動作説明図である。
【図6】同上の製造工程を説明するための主要工程断面図である。
【図7】従来例を示す電界放射型電子源の動作説明図である。
【図8】同上の動作説明図である。
【図9】他の従来例を示す電界放射型電子源の動作説明図である。
【符号の説明】
1 n形シリコン基板
2 オーミック電極
6 強電界ドリフト部
6a 絶縁性膜
6b 導電性膜
7 表面電極
10 電界放射型電子源
Claims (11)
- 下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在する強電界ドリフト部とを備え、下部電極と表面電極との間に表面電極を高電位側として電圧を印加したときに強電界ドリフト部に作用する電界により下部電極から注入された電子がドリフトして表面電極を通して放出されるようにし、強電界ドリフト部を導電性膜と絶縁性膜とが交互に積層された構造とし、各導電性膜および各絶縁性膜それぞれの膜厚を電子の平均自由行程を超えないように設定してあることを特徴とする電界放射型電子源。
- 前記絶縁性膜は、酸化膜よりなることを特徴とする請求項1記載の電界放射型電子源。
- 前記酸化膜は、前記導電性膜の構成元素を含んでいることを特徴とする請求項2記載の電界放射型電子源。
- 前記絶縁性膜は、窒化膜よりなることを特徴とする請求項1記載の電界放射型電子源。
- 前記絶縁性膜は、酸窒化膜よりなることを特徴とする請求項1記載の電界放射型電子源。
- 前記導電性膜は、シリコン膜よりなり、前記絶縁性膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択されることを特徴とする請求項1記載の電界放射型電子源。
- 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記導電性膜を熱CVD法若しくはプラズマCVD法により形成することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
- 請求項3記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記強電界ドリフト部の形成にあたっては、下部電極の一表面側に酸化膜を形成する工程と、酸化膜の一部を還元することにより前記絶縁性膜および前記導電性膜を形成する工程とを交互に繰り返すことを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
- 請求項2または請求項3記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記酸化膜を、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ酸化法、電気化学的酸化法、オゾン酸化法から選択される方法により形成することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
- 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記絶縁性膜を、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ処理法から選択される方法により形成することを特徴とする電界放射型電子源。
- 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電界放射型電子源の製造方法であって、前記強電界ドリフト部を形成するにあたっては、導電性膜を形成する工程と、当該導電性膜の表面側に急速加熱法により前記絶縁性膜を形成する工程とを交互に繰り返すことを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001159624A JP3852564B2 (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001159624A JP3852564B2 (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002352698A JP2002352698A (ja) | 2002-12-06 |
JP3852564B2 true JP3852564B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=19003165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001159624A Expired - Fee Related JP3852564B2 (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3852564B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006126383A1 (ja) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 電界放出型電子源及びその製造方法 |
JP5491326B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-05-14 | シャープ株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法並びに電子放出装置 |
-
2001
- 2001-05-28 JP JP2001159624A patent/JP3852564B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002352698A (ja) | 2002-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6249080B1 (en) | Field emission electron source, method of producing the same, and use of the same | |
KR100491305B1 (ko) | 전계방사형 전자원 | |
KR100625836B1 (ko) | 양자장치 | |
KR100486951B1 (ko) | 전계방사형 전자원 | |
JP3852564B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
JP3508652B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
JP4415922B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
JP3465657B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
JP3788228B2 (ja) | 電界放射型電子源 | |
JP3582499B2 (ja) | 電界放射型電子源 | |
JP3755474B2 (ja) | 電子源およびその製造方法 | |
JP3589172B2 (ja) | 電界放射型電子源 | |
JP3669291B2 (ja) | 電界放射型電子源の製造方法 | |
JP3480464B2 (ja) | 電界放射型電子源の製造方法 | |
JP2002134001A (ja) | 電界放射型電子源 | |
JP2003187688A (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
JP3478279B2 (ja) | 電界放射型電子源の製造方法 | |
JP3687527B2 (ja) | 電界放射型電子源の製造方法、電界放射型電子源 | |
JP3508651B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
JP3648599B2 (ja) | 電界放射型電子源の製造方法 | |
JP4433857B2 (ja) | 電界放射型電子源 | |
JP2003045352A (ja) | ブラウン管用電子銃 | |
JP2001210219A (ja) | 電界放射型電子源 | |
JP2003016930A (ja) | 電界放射型電子源の製造方法 | |
JP2002134002A (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060816 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060829 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090915 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090915 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090915 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100915 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110915 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110915 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120915 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130915 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |