JP3843647B2 - 静電アクチュエータの製造方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェットヘッド等のインク吐出機構として用いられる静電アクチュエータの製造方法に関するものである。更に詳しくは、静電アクチュエータの振動板に対向している電極薄膜を備えた電極基板を精度良く簡単な工程により製造することのできる方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
インクジェットプリンタのインクジェットヘッドとしては、静電アクチュエータをインク吐出機構として採用した構成のものが知られており、例えば、本願人による特開平5−50601号公報、同6−70882号公報等に開示されている。
【0003】
この形式のインクジェットヘッドは、各インクノズルに連通しているインク室の底壁が振動板として機能する半導体基板と、各インク室に対応する位置に凹部が形成されている電極基板と、この電極基板の各凹部の底面に形成されている個別電極としてのITO薄膜とを有している。半導体基板の側の各振動板と、電極基板側の各ITO薄膜とが、一定の間隔で対峙した状態で、これら半導体基板および電極基板が相互に接合されている。
【0004】
各振動板と各ITO電極の間に作用する静電気力は、これらの間隔によってその強さが左右されるので、当該間隔を精度良く形成することが必要である。また、これらの間に塵等が詰まると、振動板の振動が阻害されるので、これら振動板とITO電極の隙間は封止材を用いて封鎖する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、振動板とITO電極の間隔が目標とする寸法となるように精度良くインクジェットヘッドを製造するためには、ITO電極が形成されている電極基板の凹部を精度良く形成する必要がある。また、当該凹部の底面に形成されるITO電極の形成位置、形成領域および厚さ寸法の精度を高める必要がある。
【0006】
一方、従来においては、振動板とITO電極の隙間に樹脂製の封止材を取り付けるという追加工程によって、これらの間を封鎖している。このような封鎖工程を省略できれば、その分、インクジェットヘッドの生産効率が改善され、また、封止材を用いずに封鎖することができれば、それを取り付けるための封止代が不要となるので、その分インクジェットヘッドを小型化できるので好ましい。
【0007】
本発明の課題は、このような点に鑑みて、一定の間隔で対峙している振動板および電極薄膜を備えた静電アクチュエータを簡単な工程で精度良く製造することのできる製造方法を提案することにある。
【0008】
また、本発明の課題は、振動板と電極薄膜の隙間を封止材を用いることなく封鎖状態にできる静電アクチュエータの製造方法を提案することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、一方の対向電極としての振動板が形成されている半導体基板と、表面に凹部が形成されている電極基板と、この電極基板の前記凹部の底面に形成されている他方の対向電極としての電極薄膜とを有し、前記振動板および電極薄膜が一定の間隔で対向する状態で前記半導体基板および電極基板が相互に接合されている静電アクチュエータの製造方法において、次の工程により、電極薄膜を備えた電極基板を形成するようにしている。
【0010】
まず、前記電極基板を形成するための基板素材の表面に、前記電極薄膜を形成するための電極材料の薄膜をスパッタリングする。次に、この電極材料の薄膜の表面にレジスト膜を形成する。次に、このレジスト膜をパターニングして、前記電極薄膜の形成領域に対応する領域以外の部分を除去する。次に、パターニングにより露出した前記基板素材および残存レジスト膜の表面に、前記電極材料の薄膜と同一厚さの第1のガラス薄膜をスパッタリングする。この後に、第1回目のレジストリフトオフを行うことにより前記電極薄膜を露出させる。
【0011】
しかる後に、前記電極薄膜および前記第1のガラス薄膜の表面にレジスト膜を形成する。このレジスト膜をパターニングして、前記電極薄膜の形成領域に対応する領域以外の部分を除去する。パターニングにより露出した前記第1のガラス薄膜および残存レジスト膜の表面に、第2のガラス薄膜をスパッタリングする。しかる後に、第2回目のレジストリフトオフを行うことにより前記電極薄膜を露出させる。
【0012】
このように、本発明の製造方法においては、第1回目のレジストリフトオフにより電極薄膜を精度良く形成し、第2回目のレジストリフトオフにより凹部を精度良く形成している。従って、従来のように電極基板の表面にエッチングにより凹部を形成し、この凹部の底面に電極薄膜を形成する方法に比べて、精度良く、しかも簡単な工程により、凹部底面に電極薄膜が形成された電極基板を製造できる。よって、静電アクチュエータを精度良く、しかも簡単な工程により製造できる。
【0013】
ここで、電極基板には、電極薄膜と同一素材からなる外部接続用のリード部が形成されているので、このリード部が引き出されている電極基板の凹部と、当該電極基板に接合される半導体基板の隙間を封鎖して、振動板と電極薄膜の間に塵等が侵入しないようにする必要がある。
【0014】
かかる封鎖を、従来のような封止材を用いることなく行うためには次のようにすればよい。すなわち、前記の第1回目のレジスト膜のパターニング時には当該リード部に対応する領域にはレジスト膜を残し、前記第2目のレジスト膜のパターニング時には前記リード部に対応する領域のレジスト膜を除去する。
【0015】
このようにすれば、当該リード部の表面を第2のガラス薄膜で覆うことができる。この結果、当該電極基板と半導体基板を接合すると、自動的に、電極薄膜と振動板の隙間が封鎖された状態が形成される。
【0016】
よって、従来のような封止材を用いる必要が無くなるので、静電アクチュエータの生産効率がその分改善され、また、封止材を取り付けるための封止代が不要となる分、小型化できる。
【0017】
ここで、静電アクチュエータはインクジェットヘッドのインク吐出機構として採用することができ、この場合には、前記振動板の振動により容積が変動するインク室と、このインク室に連通しているインクノズルとを有する構成とすればよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して、本発明を適用した静電型インクジェットヘッドの製造方法の一例を説明する。
【0019】
(インクジェットヘッドの構造)
まず、本例の製造方法によって製造されたインクジェットヘッドの全体構造を説明する。図1は本発明を適用したインクジェットヘッドの分解斜視図である。図2は組み立てられたインクジェットヘッドの断面構成図であり、図3はその平面構成図である。
【0020】
これらの図に示すように、インクジェットヘッド1は、インク液滴を基板の上面に設けたインクノズルから吐出させるフェイスインクジェットタイプである。このインクジェットヘッド1は、キャビティープレート3を挟み、上側にノズルプレート2、下側に電極ガラス基板4がそれぞれ積層された3層構造となっている。
【0021】
キャビティープレート3は、例えばシリコン基板であり、プレートの表面には底壁が振動板5として機能するインク室6を構成することになる凹部7と、凹部7の後部に設けられたインク供給口8を形成することになる細溝9と、各々のインク室6にインクを供給するためのインクリザーバ10を構成することになる凹部11とがエッチングによって形成されている。このキャビティープレート3の下面は鏡面研磨によって平滑化されている。
【0022】
このキャビティープレート3の上側に接合されるノズルプレート2は、キャビティープレート3と同様に、例えばシリコン基板である。ノズルプレート2において、インク室6の上面を規定している部分には各インク室6に連通する複数のインクノズル21が形成されている。また、インクリザーバ10の上面を規定する部分にはインクリザーバ10にインクを供給するインク供給孔12が形成されている。
【0023】
このノズルプレート2をキャビティープレート3に接合することにより、上記の凹部7、11、および細溝9が塞がれて、インク室6、インク供給口8、インクリザーバ10のそれぞれが区画形成される。
【0024】
なお、インク供給孔12は、接続パイプ13およびチューブ14を介して不図示のインクタンクに接続される。インク供給孔12から供給されたインクは、各インク供給口8を経由して独立した各インク室6に供給される。
【0025】
キャビティープレート3の下側に接合されるガラス基板4は、シリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラス基板である。このガラス基板4において、各々の振動板5に対向する部分には振動室15を構成することになる長方形の凹部16が形成されている。この凹部16の底面には、振動板5に対向する個別電極17のセグメント電極部18が形成されている。セグメント電極部18にはリード部19が連続形成されており、このリード部19は後述するように、ガラス基板4の表面にスパッタリングされた第2のホウ珪酸ガラス薄膜20によって覆われている。この個別電極17はITO薄膜から形成されている。
【0026】
ガラス基板4をキャビティープレート3に接合することにより、各インク室6の底面を規定している振動板5と個別電極17のセグメント電極部18は、非常に狭い隙間Gを隔てて対向する。また、ガラス基板4の形成されている凹部16は、これらガラス基板4およびキャピティプレート3を接合することにより、密閉された振動室15とされる。
【0027】
振動板5は薄肉とされており、面外方向、すなわち、図2において上下方向に弾性変形可能となっている。この振動板5は、各インク室側の共通電極として機能する。隙間Gを挟み、振動板5と、対応する各セグメント電極部18とによって対向電極が形成されている。
【0028】
振動板5と個別電極17との間には電圧印加装置25が接続されている。電圧印加装置25の一方の出力は各個別電極17のリード部19に接続され、他方の出力はキャビティープレート3に形成された共通電極端子26に接続されている。キャビティープレート3自体は導電性をもつため、この共通電極端子26から振動板(共通電極)5に電圧を供給することができる。
【0029】
また、より低い電気抵抗で振動板5に電圧を供給する必要がある場合には、例えば、キャビティープレート3の一方の面に金等の導電性材料の薄膜を蒸着やスパッタリングで形成すれば良い。
【0030】
ここで、本例では、キャビティープレート3とガラス基板4との接続に陽極接合を用いているので、キャビティープレート3の流路形成面側に導電膜を形成してある。
【0031】
このように構成したインクジェットヘッド1においては、電圧印加装置25からの駆動電圧が対向電極間に印加されると、対向電極間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、振動板5はセグメント電極部18の側へ撓み、インク室5の容積が拡大する。次に、電圧印加装置25からの駆動電圧を解除して対向電極間の電荷を放電すると、振動板5はその弾性復帰力によって復帰し、インク室6の容積が急激に収縮する。この時発生する内圧変動により、インク室6に貯留されたインクの一部が、インク室6に連通しているインクノズル21から記録紙(図示せず)に向かって吐出する。
【0032】
なお、インクジェットヘッド1で使用されるインクとしては、水、アルコール、トルエン等の主溶媒にエチレングリコール等の界面活性剤と、染料または顔料とを溶解または分散させることにより調製される。さらに、インクジェットヘッド1にビータを設けておけば、ホットメルトインクも使用できる。
【0033】
(インクジェットヘッドの製造方法)
インクジェットヘッド1は、キャビティープレート3、ノズルプレート2、電極ガラス基板4をそれぞれウエハから加工して製造し、次に、それらの3部材を相互に接合(AB接合)することにより製造される。キャビティープレート3およびノズルプレート2は、本願人による特開平5−50601号公報に記載されているような公知の方法によって製造できる。よって、本明細書においては、電極ガラス基板4の製造方法を説明する。
【0034】
図5は、本例の電極ガラス基板4の製造工程を示す概略フローチャートである。この図に示すように、まず、ステップST1において、ホウ珪酸ガラス基板4Aにブラシ擦り洗浄および硫酸洗浄を施す。次に、ステップST2において、個別電極17を形成するためのITO薄膜17Aをガラス基板4Aの表面にスパッタリングにより形成する。例えば、1000Åの厚さのITO薄膜を形成する。次に、ステップST3においてレジスト膜31を塗布し、引き続き、ステップST4において、当該レジスト膜31に対して、個別電極17に対応する領域をパターニングする。すなわち、フォトマスクを介してレジスト膜31を露光して、個別電極17の形成領域に対応するレジスト膜部分31Aのみを残す。
【0035】
この後は、ステップST5において、ITO薄膜17Aのエッチングを行う。この結果、レジスト膜分31Aによって覆われているITO薄膜部分17Bが残る。
【0036】
次に、ステップST6において、レジスト膜部分31Aおよび露出しているガラス基板4Aの表面に、ITO薄膜と同一厚さ(本例では1000Å)のホウ珪酸ガラス薄膜をスパッタにより形成する。これにより、レジスト膜部分31Aの表面およびガラス基板4Aの表面にそれぞれ、同一厚さの第1のホウ珪酸ガラス薄膜41A、41Bが形成される。この後は、ステップST7において、第1回目のレジストリフトオフを行い、表面に第1のホウ珪酸ガラス薄膜41Aが形成されているレジスト膜部分31Aを除去する。
【0037】
この第1回目のレジストリフトオフを行うことによって、ガラス基板4Aの表面には、同一厚さの第1のホウ珪酸ガラス薄膜41Bおよび個別電極17に対応するパターンのITO薄膜部分17Bが残る。
【0038】
次に、ステップST8において、再度、レジスト膜32を形成する。次に、ステップST9において当該レジスト膜32をパターニングする。このパターニングにおいては、前回のステップST4における場合とは異なり、ITO薄膜部分17Bのうちのセグメント電極18に対応する部分を覆っているレジスト膜部分を除去する。
【0039】
次に、ステップST10において、ホウ珪酸ガラスの2回目のスパッタリングを行い、残存しているレジスト膜部分32Aの表面および、ITO薄膜部分17Bにおけるセグメント電極18に対応する部分の表面に、同一厚さ、例えば1750Åの第2のホウ珪酸ガラス薄膜42A、42Bを形成する。
【0040】
この後は、ステップST11において、第2回目のレジストリフトオフを行い、表面に第2のホウ珪酸ガラス薄膜42Aが形成されているレジスト膜部分32Aを除去する。
【0041】
この第2回目のレジストリフトオフを行うことによって、ガラス基板4Aの表面において、第1のホウ珪酸ガラス薄膜41Bの上に第2のホウ珪酸ガラス薄膜42Bが形成される。また、ITO薄膜部分17Cにおけるリード部19に対応する部分の表面に第2のホウ珪酸ガラス薄膜42Bが形成される。
【0042】
この結果、図1、図2から分かるように、ガラス基板4の表面には、ガラス基板素材4Aの表面に2層の形成したホウ珪酸ガラス薄膜41B、42Bによって、各振動板5に対峙している部分に、長方形の凹部16が形成される。また、この凹部16の底面にはITO薄膜部分17Bにおけるセグメント電極18を形成する部分が露出した状態になる。さらに、ITO薄膜部分17Bにおけるリード部19を形成している部分は、第2のホウ珪酸ガラス薄膜42Bによって覆われ、その端面がガラス基板4の端面から露出した状態になる。
【0043】
このようにして電極ガラス基板4を形成した後は、当該電極ガラス基板4を、キャビティプレート3の裏面に位置合わせして、陽極接合する。さらに、キャビティプレート3の上面にノズルプレート2を接合する。しかる後は、ダイシングにより、個別の静電型イクジェットヘッドが得られる。
【0044】
(その他の実施の形態)
なお、上記の説明は本発明をイクジェットヘッドに適用した例であるが、本発明は、インクジェットヘッド以外の静電アクチュエータを駆動機構としている装置にも適用できることは勿論である。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の静電アクチュエータの製造方法においては、第1回目のレジストリフトオフにより、電極ガラス基板上において凹部が形成される位置に精度良く個別電極を形成し、第2回目のレジストリフトオフにより、個別電極のセグメント電極を取り囲む状態にガラス薄膜を形成して、精度良く凹部を形成している。
【0046】
従って、本発明の方法によれば、ガラス基板の表面をエッチングして凹部を形成し、その凹部底面に個別電極を形成する従来の方法に比べて、深さ寸法が正確な凹部、および厚さ寸法が正確な個別電極を形成できる。また、凹部の底面に対して正確な位置に個別電極を形成できる。さらに、個別電極形成用のパターンと凹部形成用のパターンの位置合わせ精度が、これらのパターン形成の解像度に影響しないので、高密度に個別電極を形成できる。
【0047】
これに加えて、ガラス基板をエッチングするためのフッ酸系のエッチャントを使用する必要がないので、金等のマスクが不要となり、製造工程が簡便になるという利点もある。
【0048】
更に、本発明の方法では、第2回目のスパッタリングにより個別電極のリード部19の表面に形成したガラス薄膜部分をそのまま残すことにより、リード部19がガラス薄膜部分により覆われたガラス基板を形成している。従って、このガラス基板をキャビティープレートの裏面に陽極接合すれば、自動的に気密状態の振動室が形成される。よって、従来のように、個別電極が形成された凹部を、樹脂製の封止材を用いて封鎖する必要が無い。従って、その分、製造工程を簡素化でき、また、封止材を取り付けるための封止代が不要となるので、その分、装置寸法を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法により製造したインクジェットヘッドの分解斜視図である。
【図2】図1のインクジェットヘッドの概略縦断面図である。
【図3】図1のインクジェットヘッドの平面構成図である。
【図4】図1のインクジェットヘッドの電極ガラス基板の製造方法を示す概略フローチャートである。
【符号の説明】
1 インクジェットヘッド
2 ノズルプレート
3 キャビティープレート
4 電極ガラス基板
4A ガラス基板
5 振動板(共通電極)
6 インク室
15 振動室
G 間隔
16 凹部
17 個別電極
17B 電極薄膜
18 セグメント電極部
19 リード部
31、32 レジスト膜
41A、41B 第1のガラス薄膜
42A、42B 第2のガラス薄膜
Claims (4)
- 一方の対向電極としての振動板が形成されている半導体基板と、表面に凹部が形成されている電極基板と、この電極基板の前記凹部の底面に形成されている他方の対向電極としての電極薄膜とを有し、前記振動板および電極薄膜が一定の間隔で対向する状態で前記半導体基板および電極基板が相互に接合されている静電アクチュエータの製造方法において、
前記電極基板を形成するための基板素材の表面に、前記電極薄膜を形成するための電極材料の薄膜をスパッタリングし、
この電極材料の薄膜の表面にレジスト膜を形成し、
このレジスト膜をパターニングして、前記電極薄膜の形成領域に対応する領域以外の部分を除去し、
パターニングにより露出した前記基板素材および残存レジスト膜の表面に、前記電極材料の薄膜と同一厚さの第1のガラス薄膜をスパッタリングし、
第1回目のレジストリフトオフを行うことにより前記電極薄膜を露出させ、
前記電極薄膜および前記第1のガラス薄膜の表面にレジスト膜を形成し、
このレジスト膜をパターニングして、前記電極薄膜の形成領域に対応する領域以外の部分を除去し、
パターニングにより露出した前記第1のガラス薄膜および残存レジスト膜の表面に、第2のガラス薄膜をスパッタリングし、
第2回目のレジストリフトオフを行うことにより前記電極薄膜を露出させることにより、前記電極基板を形成することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。 - 請求項1において、前記電極基板は、前記電極薄膜と同一素材からなる外部接続用のリード部を備えており、
前記第1回目のレジスト膜のパターニング時には当該リード部に対応する領域にはレジスト膜を残し、
前記第2目のレジスト膜のパターニング時には前記リード部に対応する領域を除去し、
当該リード部の表面を第2のガラス薄膜で覆うことを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。 - 請求項2において、
前記電極基板と前記半導体基板を陽極接合することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。 - 請求項1ないし4のうちの何れかの項において、前記静電アクチュエータは、前記振動板の振動により容積が変動するインク室と、このインク室に連通しているインクノズルとを有するインクジェットヘッドであることを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
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