JP3833887B2 - 強誘電体メモリ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、強誘電体メモリに係わり、特に微細,高集積のラダー構造を有する強誘電体メモリ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、強誘電体薄膜を利用した不揮発性メモリである強誘電体メモリの開発が進んでいる。強誘電体メモリの基本的な構造は、DRAMのキャパシタ部分の絶縁膜を強誘電体で置き換えたもので、以下のような特徴を持ち次世代メモリとして期待されている。
【0003】
(1) 書き込み,消去が高速であり、セルを小型化することでDRAMなみの100ns以下の書き込み時間が可能である。
(2) 書き換え可能回数が大きく、強誘電体材料(PZT,SBTなど)、電極材料(Pt,IrOx ,RuOx ,SrRuO3 など)を工夫することで1012回以上が可能である。
【0004】
(3) 高密度・高集積化ができ、DRAMと同等の集積度を得ることも原理的に可能である。
(4) 内部の書き込み電圧を2V程度とすることができ、低消費電力が可能である。
(5) ビット書き換え、ランダムアクセスが可能である。
【0005】
これらの利点を利用して、多分野,多方面に渡っての応用が実用化或いは検討されている。さらに、高集積,大容量化することにより、DRAM,SRAM或いはEEPROM置き換えなども将来的なターゲットとなっている。
【0006】
強誘電体は自発分極を持ち、その自発分極が電界により向きを反転することが可能である特徴を持つ。自発分極は電界を印加しない状態でも分極値を持ち(残留分極)、その値(分極の向き)が電界を0とする前の状態に依存する。印加する電界の向きで+,−の電荷を結晶表面に誘起することができ、この状態をメモリ素子の“0”,“1”に対応させる。DRAMと同じ1T/1C(1トランジスタ/1キャパシタ)の構造を取ることができるが、現状では信頼性を向上させるために2T/2C構造のものが採用されている。
【0007】
ところで、この種の強誘電体メモリの一つとして、一対のトランジスタとキャパシタを並列に配置し、これらを数個直列に配置するはしご型(ラダー構造)とするものが提案されている。この場合のメリットの一つとしては、個々のセルからビット線プラグを取る必要が無いためセル占有面積が小さくなることがあげられる。
【0008】
しかしながら、このようなラダー構造を有する強誘電体メモリセルにおいても、加工の難しさや特性のばらつきなどの問題のため、微細化,高集積化は容易ではなかった。大容量化を進めるための方法として考えられるキャパシタの立体化配置に関しても、上記の理由に加え加工の難しさから更に難しいと考えられてきた。
【0009】
即ち、電極,強誘電体材料共にRIEによる加工の際、加工プロセス自体の難しさに加えてPtなどに代表される電極材料を加工する際に生じる残さ物によりリーク電流が増大することを防ぐためにも、キャパシタ加工に大きな変換差を余儀なくされることが一因としてあげられる。さらに、立体化によっても十分なキャパシタ面積が確保できず、結果として十分な分極電荷量が確保できないといった問題があった。
【0010】
このような点を改善するためには従来方法では、プロセス自体が非常に複雑になるといった問題があった。また、同様の理由により、キャパシタ立体化によるセル自体の微細化が必ずしも十分に進まず、高集積化に対するメリットが十分得られないという点も問題であった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来の強誘電体メモリにおいては、微細化に伴うキャパシタ構造の立体化とそれによる高集積化に対し、プロセスが複雑になり、また十分なキャパシタ面積を確保できず、このため十分な利点を引き出すことが出来なかった。
【0012】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、リソグラフィー或いは微細加工に伴うパターンの変換差やばらつきの問題を低減することができ、微細化と共に高集積化をはかり、且つ信頼性の向上をはかり得る強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
(構成)
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【0014】
即ち本発明は、強誘電体メモリにおいて、半導体ウェーハ上に形成されたトランジスタのソース・ドレイン領域の一方に接続され、トランジスタ領域の上方に引き出された第1のプラグと、前記トランジスタのソース・ドレイン領域の他方に接続され、トランジスタ領域の上方に引き出された第2のプラグと、第1のプラグに接続されてトランジスタ領域の上方に形成され、前記ウェーハの表面と垂直な少なくとも2つのキャパシタ面を有する第1のキャパシタ電極と、第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に形成された強誘電体膜と、第2のプラグに接続されてトランジスタ領域の上方に形成され、且つ前記強誘電体膜を挟んで第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に形成された第2のキャパシタ電極とを具備してなることを特徴とする。
【0015】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものが挙げられる。
【0016】
(1) トランジスタは複数個が直列に接続され、キャパシタは各々のトランジスタにそれぞれ並列に接続され、第1のキャパシタ電極は隣接するトランジスタ間の1つおきに設けられ、第2のキャパシタ電極は隣接する第1のキャパシタ電極間の領域にそれぞれ形成されていること。
【0017】
(2) 第1のキャパシタ電極はブロック状に形成され、この電極におけるキャパシタ面は、トランジスタのチャネル長方向と垂直な2つの面であること。
【0018】
(3) 第2のキャパシタ電極は、断面コ字型に形成されていること。
【0019】
(4) 第1或いは第2のキャパシタ電極を構成する金属は、Pt,Ir,IrOx ,Ru,RuOx ,SrRuO3 の少なくとも一つを主成分とする材料から構成されること。
【0020】
(5) 強誘電体膜は、鉛を主原料とするペロブスカイトからなること。
【0021】
(6) 強誘電体膜は、ビスマスを主原料とする酸化物材料からなること。
【0022】
また本発明は、強誘電体メモリの製造方法において、半導体ウェーハ上に形成されたトランジスタのソース・ドレイン領域の一方に接続した第1のプラグを形成する工程と、第1のプラグに接続し前記トランジスタのチャネル長方向と垂直な2つのキャパシタ面を有する第1のキャパシタ電極を該チャネル長方向と垂直な方向に延在して形成する工程と、少なくとも第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に強誘電体膜を形成する工程と、少なくとも第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に前記強誘電体膜を挟んで第2のキャパシタ電極を形成する工程と、第1,第2のキャパシタ電極及び強誘電体膜を選択的にエッチング加工し各セルに分離する工程と、第2のキャパシタ電極と前記トランジスタのソース・ドレイン領域の他方を接続する第2のプラグを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0023】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものが挙げられる。
【0024】
(1) トランジスタは複数個が直列に接続され、キャパシタは各々のトランジスタにそれぞれ並列に接続され、第1のキャパシタ電極は隣接するトランジスタ間の1つおきに設けられ、第2のキャパシタ電極は隣接する第1のキャパシタ電極間の領域にそれぞれ形成されること。
【0025】
(2) 第1のキャパシタ電極の加工は、該電極を形成すべき領域に溝を有する薄膜上に電極材料を形成した後に、化学研磨により表面平滑化して溝内のみに電極材料を埋め込むダマシーン法によって行うこと。
【0026】
(3) 第1のキャパシタ電極の加工は、RIEによる側壁残しの手法によって行うこと。
【0027】
(作用)
本発明によれば、トランジスタとキャパシタを並列に配置したセル構造を有するラダー構造型の強誘電体メモリにおいて、ソース・ドレイン領域の一方から引き出された第1のプラグ上にブロック状の第1のキャパシタ電極を配置し、ソース・ドレイン領域の他方に接続された第2のプラグ上に第2のキャパシタ電極を配置し、且つ第1のキャパシタ電極の側面(キャパシタ面)に強誘電体膜を介して第1及び第2のキャパシタ電極を対向配置するようにしているので、第1のキャパシタ電極のそれぞれの側面を隣接する別個のキャパシタとして用いることができる。このようなキャパシタの立体配置により、メモリセルの微細化,高集積化が可能となる。
【0028】
また本発明では、第1のキャパシタ電極の形成に際して、該電極を一旦トランジスタのチャネル長方向と垂直方向に延在するストライプ状に加工することによって、キャパシタ部となる側壁面を平坦に加工することができる。そして、第2のキャパシタ電極形成後にこのストライプ状のキャパシタを各セル毎に分離加工を行うことにより、予め電極を各セル毎にブロック上に加工した場合比べてリソグラフィーや加工に伴う形状の変換差を極小にすることができる。
【0029】
本発明における第1のキャパシタ電極の形成加工は、ダマシーン法,RIE法いずれを用いても可能である。ダマシーン法の場合には電極金属の成膜にはCVD法やめっき法などを用いることが可能である。この際のパターンは溝形状であるため電極の埋め込みは比較的容易である。一方、RIE法の場合には、スパッタ法,CVD法,めっき法など多様な成膜方法を選択できる。
【0030】
また、第2のキャパシタ電極の加工には自己整合的にCMP又はRIEによる側壁残しの手法を用いることができ、いずれもリソグラフィー工程を経ずして加工が可能となるため、工程の簡素化においても有効であると同時に、リソグラフィー工程に伴って生じる合せずれの問題がないので、微細化,高集積化に極めて有利である。さらに、第2のキャパシタ電極とトランジスタのソース・ドレイン領域とをつなぐプラグの形成においても、RIEプロセスを工夫し電極材料に対して高選択にエッチングすることによって自己整合的にプラグ加工をすることが可能になる。
【0031】
以上のように本発明により、リソグラフィー或いは微細加工に伴うパターンの変換差やばらつきの問題を低減し、さらにそれがキャパシタの分極量に与える影響を最小にすることができ、微細化と共に高集積化をはかり、且つ信頼性の向上をはかることが可能となる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【0033】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる強誘電体メモリの回路構成を示す図である。複数個のスイッチングトランジスタ1が直列に接続され、各々のトランジスタ1に強誘電体キャパシタ2がそれぞれ並列接続され、いわゆるラダー構造となっている。
【0034】
次に、本実施形態の強誘電体メモリの素子構造及び製造プロセスを、図2及び図3の工程断面図を基に説明する。
【0035】
まず、p型Si基板100の表面上にトランジスタ活性領域以外の領域に、素子分離のための溝を形成し、該溝内にSiO2 を埋め込んで素子分離領域を形成する(Sallow Trench Isolation)(図の断面には示されない)。
【0036】
次いで、図2(a)に示すように、スイッチ動作を行うためのトランジスタを形成する。具体的には、まず全面に熱酸化により厚さ6nm程度の酸化膜101を形成し、続いて全面に砒素をドープしたn+ 型ポリSi膜102を形成し、さらに該ポリSi膜102上にWSix 膜103及び窒化膜104を形成する。その後、ポリSi膜102,WSix 膜103,窒化膜104を通常の光リソグラフィー法及びRIE法により加工しゲート電極を形成する。しかる後、窒化膜105を堆積しRIEによる側壁残しの手法によって該ゲート電極側壁にスペーサ部を設ける。また、プロセス詳細は省くが、イオン注入法及び熱処理によってソース・ドレイン領域106を形成する。
【0037】
次いで、図2(b)に示すように、全面にCVD酸化膜107を堆積した後、CMP法により平坦化を行い、トランジスタのソース・ドレイン領域106に連通するコンタクトホール108,109を自己整合的に形成する。この後、スパッタ法或いはCVD法により薄いチタン膜を堆積しフォーミングガス中で熱処理を行うことによってTiN膜110を形成する。
【0038】
続いて、CVD法によりタングステン111を全面に堆積した後、CMP法によりコンタクトホール108,109外の領域からタングステン111を除去することにより、コンタクトホール内108,109にタングステン111を埋め込む。その後、全面にCVD窒化膜112を堆積する。ここで、コンタクトホール108内に埋め込まれたタングステン111が第1のプラグとなり、コンタクトホール109内に埋め込まれたタングステン111が第2のプラグとなる。
【0039】
次いで、図2(c)に示すように、厚いCVD酸化膜113を全面に堆積したのち、コンタクトホール108に接続するストライプ状の開口部114を光リソグラフィーとRIE法を用いて形成する。続いて、全面に第1のキャパシタ電極となる第1の白金(Pt)膜115を堆積し、CMP法を用いて開口部114内を残し白金膜115を除去する。この際、白金膜115の堆積は、例えばCVD法によって形成しても良いし、めっき法を用いても良い。ここで、開口部114内に埋め込まれた白金膜115は第1のキャパシタ電極となる。そして、白金膜115は隣接するトランジスタ間の1つおきに設けられる。
【0040】
次いで、図3(d)に示すように、CVD酸化膜113をエッチング除去した後、強誘電体膜としてのPZT膜116、第2のキャパシタ電極となる白金膜117をこの順にCVD法により全面に堆積し、必要に応じて600℃程度の熱処理を行いPZT膜116の結晶化を促進する。この後、全面にCVD酸化膜118を堆積し、CMP法を用いて第1の白金電極115間の溝部内を残し該CVD酸化膜118、第2の白金膜117を除去する。
【0041】
次いで、図3(e)に示すように、光リソグラフィーとRIE法を用いて隣接するセル間に溝119を形成することにより、キャパシタ部を分離する。続いて、溝119内を酸化膜120で埋め込んだ後、隣接する第1の白金電極115間の領域にコンタクトホール109に連通するコンタクトホール121を開口し、該コンタクトホール121内に例えばタングステン122を埋め込む。これにより、第2の白金膜117とトランジスタのソース・ドレイン領域106とを電気的に接続する。
【0042】
これ以降は図示しないが、Al或いはCu配線工程を経て、強誘電体メモリを完成することになる。
【0043】
このように本実施形態では、トランジスタとキャパシタを並列に配置したセル構造を有するラダー構造型の強誘電体メモリにおいて、ソース・ドレイン領域108の一方に連通するコンタクトホール108内に形成された第1のプラグ111上にブロック状の第1のキャパシタ電極115を配置し、ソース・ドレイン領域106の他方に連通するコンタクトホール109内に形成された第2のプラグ111上に第2のキャパシタ電極117を配置し、且つ第1のキャパシタ電極115の側面(キャパシタ面)に強誘電体膜116を介して第2のキャパシタ電極117を対向配置するようにしているので、第1のキャパシタ電極115のそれぞれの側面に立体型のキャパシタを形成することができ、更にこれらを隣接する別個のキャパシタとして用いることができる。
【0044】
そして、このようなキャパシタの立体配置をラダー構造型の強誘電体メモリに適用することによって大きな効果が得られる。図4に示すように、高密度に集積されたセル配置においては、スイッチングトランジスタはフィーチャーサイズFの2倍の間隔で配置される。この各トランジスタに並列して強誘電体キャパシタが配置されるが、図から分かるように一方のソース・ドレイン領域から引き出されたプラグ上に、ブロック状の第1のキャパシタ電極をこのトランジスタの活性領域と垂直方向に配置することによって、この電極のそれぞれの側面を隣接する別個のキャパシタとして用いることができる。
【0045】
即ち、トランジスタのチャネル方向に対しては、キャパシタを含めてセルを最小ピッチ2Fで配置することができる。チャネル方向と直交する方向に対しては原理的には1Fの配置でも可能であるが、実用上は2F〜3Fで配置するのが望ましい。従って、2F×2F=4F2でセルをレイアウトすることができ、セルの占有面積の縮小化をはかることができる。
【0046】
図5には、本実施形態のようにして形成したキャパシタが電極の高さHをパラメータにしてどの程度の分極量Qを有するかを、F=0.15ミクロンルールの場合を例にとって示している。ここでは、分極密度が30μC/cm2 のPZT膜を用いた場合について示してあり、さらに図4におけるキャパシタの奥行き距離を2F或いは3Fとした場合についてそれぞれプロットしてある。図から明らかなように、現実的なキャパシタ高さでも2F×2F(4F2 )或いは2F×3F(6F2 )の強誘電体キャパシタセルが実現できることが確認された。
【0047】
具体的には、例えばHが0.3μmでは奥行き量2Fの場合に30fC近い分極量が得られ、奥行き量3Fの場合には40fC程度の分極量が得られる。これは、同じデザインルールにおける平面キャパシタの数倍の分極量である。つまり、本実施形態では4F2 や6F2 の強誘電体メモリにおいて、現実的なキャパシタ高さでも十分大きな分極量が得られることになる。
【0048】
また本実施形態では、第1のキャパシタ電極115の形成に際して、一旦トランジスタのチャネル長方向と垂直方向に延在するストライプ状に加工することによって、キャパシタ部となる側壁面を平坦に加工することができる。そして、第2のキャパシタ電極117の形成後にストライプ状のキャパシタを各セル毎に分離加工しているので、予め電極を各セル毎にブロック上に加工した場合比べてリソグラフィーや加工に伴う形状の変換差を極小にすることができる。
【0049】
また、第2のキャパシタ電極117の加工はCMPの手法を用いて自己整合的に行うことができ、リソグラフィー工程を経ずして加工が可能となるため、工程の簡素化においても有効であると同時にリソグラフィー工程に伴って生じる合せずれの問題がないので、微細化,高集積化に極めて有利である。さらに、第2のキャパシタ電極117とトランジスタのソース・ドレイン領域106とをつなぐプラグの形成においても、RIEプロセスを工夫し電極材料に対して高選択にエッチングすることによって自己整合的にプラグ加工をすることが可能になる。
【0050】
このように本実施形態では、リソグラフィー或いは微細加工に伴うパターンの変換差やばらつきの問題を低減し、さらにそれがキャパシタの分極量に与える影響を最小にすることができ、微細化と共に高集積化をはかり且つ信頼性の向上をはかることができる。
【0051】
従って、多分野,多方面に渡っての応用(エアコンの温湿度センサ、各種電子機器の製造プロセスのモニター用TAG,TVゲームのリジューム機能、アーケードゲームの記憶装置、TVやビデオの設定記憶、コピー、FAX、プリンタの感光ドラムの使用状況モニタ、衛星放送、ケーブルTVのセットトップボックス、自動車のエンジンコントロール、ラジオの周波数プリセット、RF−IDを用いた電子キー、ノイズの多い工業用製品のラインの製造プロセスモニタ、電力積算計、工業用液体、気体流量計センサ、大型タンクの液面計、AVパソコン、PCカード、ファイルメモリ、携帯端末機器など)が可能となる。また、DRAM,SRAM,或いはEEPROMの置き換えも可能となる。
【0052】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
【0053】
図6及び図7は、本発明の第2の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程を示す断面図である。本実施形態は、基本的に第1の実施形態と同様であるが、第1のキャパシタ電極の加工をCMP法ではなくRIE法によって行っている。
【0054】
まず、第1の実施形態の場合と同様にして、トランジスタ等の形成を行う。図6(a)は図2(a)と同じプロセスによって作成された状態であり、200はSi基板、201はゲート絶縁膜となる酸化膜、202はn+ 型ポリSi膜、203はWSix 膜、204はゲートのカバー層となる窒化膜、205は側壁絶縁膜となる窒化膜、206はソース・ドレイン領域を示している。
【0055】
次いで、図6(b)に示すように、全面にCVD酸化膜207を堆積した後、CMP法により平坦化を行い、トランジスタのソース・ドレイン領域206に連通するコンタクトホール209を自己整合的に形成する。この後、スパッタ法或いはCVD法により薄いチタン膜を堆積しフォーミングガス中で熱処理を行うことによってTiN膜210を形成し、続いてCVDタングステン211を全面に堆積しCMP法によりコンタクトホール209外の領域からタングステン211を除去し、コンタクトホール内にTiN膜210及びタングステン膜211を埋め込む。
【0056】
その後、全面にCVD窒化膜212を堆積する。続いて、もう一方のソース・ドレイン領域206に連通するコンタクトホール208を同様に自己整合的に形成し、上記と同様にTiN膜210’とCVDタングステン211’をコンタクトホール208内に埋め込む。
【0057】
次いで、図6(c)に示すように、全面に第1のキャパシタ電極となるイリジウム(Ir)膜215を堆積し、ハードマスクとなるCVD−SiO2 膜を堆積し、光リソグラフィー法及びRIE法により一旦該SiO2 膜を加工後、これをマスクにイリジウム膜215をRIE法により加工し、該SiO2 膜をエッチング除去することによってイリジウムパターンを形成する。なお、イリジウム膜215は、例えばCVD法或いはめっき法など適当な方法を用いて成膜する。
【0058】
次いで、図7(d)に示すように、PZT膜216、第2の電極となるイリジウム膜217をこの順にCVD法により全面に堆積し、必要に応じて600℃程度の熱処理を行いPZT膜216の結晶化を促進する。この後、一旦全面にCVD酸化膜218を堆積し、CMP法を用いて第1のイリジウム電極215間の溝部内を残し該CVD酸化膜218、第2のイリジウム膜217を除去する。
【0059】
これ以降は第1の実施形態と同様であり、図7(e)に示すように、光リソグラフィーとRIE法を用いて溝219を形成することによりキャパシタ部を分離し、続いて溝219を酸化膜220で埋めた後、コンタクトホール209に連通するコンタクトホール221を開口し、該コンタクトホール221内に例えばタングステン222を埋め込むことにより、第2のイリジウム膜217とトランジスタのソース・ドレイン領域206とを電気的に接続する。そして、後工程においてAl或いはCu配線工程を経て、強誘電体メモリを完成することになる。
【0060】
このようにして製造された強誘電体メモリにおいても、第1のキャパシタ電極215の形成方法が異なるだけで、実質的に第1の実施形態と同様の構成が実現される。従って、第1の実施形態と同様の効果が得られる。また、第1のキャパシタ電極215をRIE法で形成しているので、CMP法で形成する第1の実施形態よりも工程が簡略化される利点がある。
【0061】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
【0062】
図8及び図9は、本発明の第3の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程を示す断面図である。本実施形態は、基本的に第1の実施形態と同様であるが、第2のキャパシタ電極の加工をCMPではなくRIEを用いた側壁残しの手法によって行っている。
【0063】
まず、図8(a)〜(c)に示す工程までは第1の実施形態と同様であり、基板300上にトランジスタの形成を行い、さらにプラグ311の形成、第1のキャパシタ電極315の形成を行う。ここで、図8中の300〜315は図2中の100〜115に対応している。
【0064】
次いで、図9(d)に示すように、CVD酸化膜313をエッチング除去した後、強誘電体膜としてのPZT膜316、第2のキャパシタ電極となる白金膜317をこの順にCVD法により全面に堆積し、必要に応じて600℃程度の熱処理を行いPZT膜316の結晶化を促進する。この後、RIEによる側壁残しの手法を用いて白金膜317を加工する。即ち、白金膜317をその厚さ分だけRIEで全面エッチングすることにより、白金膜317を第1のキャパシタ電極315の側壁部分のみに残す。
【0065】
次いで、図9(e)に示すように、全面にCVD酸化膜318を堆積し、CMP法を用いてCVD酸化膜318を溝部のみに埋め込む。この後、光リソグラフィーとRIE法を用いて隣接するセル間に溝319を形成することにより、キャパシタ部を分離する。
【0066】
続いて、溝319を酸化膜320で埋めた後、隣接する第1の白金電極315間の領域にコンタクトホール309に連通するコンタクトホール321を開口する。この際、白金膜,PZT膜に対して選択率の高いRIE加工法を用いて、自己整合的にコンタクトホール321を形成することが可能となる。そして、コンタクトホール321内に例えばタングステン322を埋め込むことにより、第2の白金膜317とトランジスタのソース・ドレイン領域306とを電気的に接続する。さらに、後工程においてAl或いはCu配線工程を経て、強誘電体メモリを完成することになる。
【0067】
このようにして製造された強誘電体メモリにおいても、第2のキャパシタ電極317の形成方法が異なるだけで、実質的に第1の実施形態と同様の構成が実現される。従って、第1の実施形態と同様の効果が得られる。また、タングステン322が第2の白金膜317と広い面積で接触しているので、これらの間のコンタクト抵抗を小さくできる利点がある。
【0068】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では強誘電体としてPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)を用いたが、鉛を主原料とするペロブスカイトとしてPbTiO3 などを用いることも可能である。更には、ビスマスを主原料とする酸化物材料(SrBi2 Ta2 O9 :SBT)やチタン酸バリウム(BaTiO3 :BTO)等を用いることも可能である。また、第1或いは第2のキャパシタ電極を構成する金属は、白金やイリジウムに限るものではなく、IrOx ,Ru,RuOx ,若しくはSrRuO3 、又はこれらの混合物であってもよい。
【0069】
また、基板材料は必ずしもシリコンに限るものではなく、各種の半導体材料を用いることができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【0070】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、トランジスタのソース・ドレイン領域の一方に接続された第1のプラグに接続してトランジスタ領域の上方に、ウェーハの表面と垂直な方向に少なくとも2つのキャパシタ面を有する第1のキャパシタ電極を設け、この第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に強誘電体膜を介して第2のキャパシタ電極を設け、この第2のキャパシタ電極を第2のプラグを通してソース・ドレイン領域の他方に接続するようにしているので、リソグラフィー或いは微細加工に伴うパターンの変換差やばらつきの問題を低減し、さらにそれがキャパシタの分極量に与える影響を最小にすることができる。従って、微細化と共に高集積化をはかり、且つ信頼性の向上をはかることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係わる強誘電体メモリの回路構成を示す図。
【図2】第1の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程の前半を示す断面図。
【図3】第1の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程の後半を示す断面図。
【図4】本発明の効果を説明するためのもので、強誘電体メモリの設計ルールを示す図。
【図5】本発明の効果を説明するためのもので、強誘電体メモリのキャパシタにおける電極の高さと分極量との関係を示す図。
【図6】第2の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程の前半を示す断面図。
【図7】第2の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程の後半を示す断面図。
【図8】第3の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程の前半を示す断面図。
【図9】第3の実施形態に係わる強誘電体メモリの製造工程の後半を示す断面図。
【符号の説明】
101,107,113,118,120,201,207,218,220,301,307,313,318,320…酸化膜
102,202,302…ポリSi膜
103,203,303…WSix 膜
104,105,112,204,205,212,304,305,312…窒化膜
106,206,306…ソース・ドレイン領域
108,109,121,208,209,221,308,309,321…コンタクトホール
110,210,310…TiN膜
111,122,211,222,311,322…タングステン
114,314…開口部
115,117,315,317…白金膜
116,216,316…PZT膜
119,219,319…溝
215,217…イリジウム膜
Claims (9)
- 複数個のトランジスタが形成された半導体ウェーハ上を覆うように形成された層間絶縁膜と、前記トランジスタのソース・ドレイン領域の一方に接続され、前記層間絶縁膜を貫通してトランジスタ領域の上方に引き出された第1のプラグと、前記トランジスタのソース・ドレイン領域の他方に接続され、前記層間絶縁膜を貫通してトランジスタ領域の上方に引き出された第2のプラグと、第1のプラグに接続されて前記層間絶縁膜上に形成され、前記ウェーハの表面と垂直な少なくとも2つのキャパシタ面を有する第1のキャパシタ電極と、第1のキャパシタ電極の上面,キャパシタ面,及び前記層間絶縁膜上に連続して形成された強誘電体膜と、第2のプラグに接続されて前記強誘電体膜上に形成され、且つ側面が前記強誘電体膜を挟んで第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に対向配置された第2のキャパシタ電極とを具備してなることを特徴とする強誘電体メモリ。
- 前記トランジスタは複数個が直列に接続され、前記キャパシタは各々のトランジスタにそれぞれ並列に接続され、第1のキャパシタ電極は隣接するトランジスタ間の1つおきに設けられ、第2のキャパシタ電極は隣接する第1のキャパシタ電極間の領域にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1記載の強誘電体メモリ。
- 第1或いは第2のキャパシタ電極を構成する金属は、Pt,Ir,IrOx ,Ru,RuOx ,SrRuO3 のを少なくとも一つを主成分とする材料から構成されることを特徴とする請求項1記載の強誘電体メモリ。
- 前記強誘電体膜は、鉛を主原料とするペロブスカイトからなることを特徴とする請求項1記載の強誘電体メモリ。
- 前記強誘電体膜は、ビスマスを主原料とする酸化物材料からなることを特徴とする請求項1記載の強誘電体メモリ。
- 複数個のトランジスタが形成された半導体ウェーハ上を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、前記トランジスタのソース・ドレイン領域の一方に接続され、前記層間絶縁膜を貫通してトランジスタ領域の上方に引き出すように第1のプラグを形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、第1のプラグに接続し前記トランジスタのチャネル長方向と垂直な2つのキャパシタ面を有する第1のキャパシタ電極を該チャネル長方向と垂直な方向に延在してストライプ状に形成する工程と、第1のキャパシタ電極の上面,キャパシタ面,及び前記層間絶縁膜上に連続して強誘電体膜を形成する工程と、前記強誘電体膜上に側面が該強誘電体膜を挟んで第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に対向するように第2のキャパシタ電極を形成する工程と、第1,第2のキャパシタ電極及び強誘電体膜を選択的にエッチング加工し各セルに分離する工程と、第2のキャパシタ電極と前記トランジスタのソース・ドレイン領域の他方を接続する第2のプラグを形成する工程とを含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。
- 前記トランジスタは複数個が直列に接続され、前記キャパシタは各々のトランジスタにそれぞれ並列に接続され、第1のキャパシタ電極は隣接するトランジスタ間の1つおきに設けられ、第2のキャパシタ電極は隣接する第1のキャパシタ電極間の領域にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項6記載の強誘電体メモリの製造方法。
- 半導体ウェーハ上に形成されたトランジスタのソース・ドレイン領域の一方に接続した第1のプラグを形成する工程と、第1のプラグに接続し前記トランジスタのチャネル長方向と垂直な2つのキャパシタ面を有する第1のキャパシタ電極を該チャネル長方向と垂直な方向に延在して形成する工程と、少なくとも第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に強 誘電体膜を形成する工程と、少なくとも第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に前記強誘電体膜を挟んで第2のキャパシタ電極を形成する工程と、第1,第2のキャパシタ電極及び強誘電体膜を選択的にエッチング加工し各セルに分離する工程と、第2のキャパシタ電極と前記トランジスタのソース・ドレイン領域の他方を接続する第2のプラグを形成する工程とを含む強誘電体メモリの製造方法であって、
第1のキャパシタ電極の加工は、該電極を形成すべき領域に溝を有する薄膜上に電極材料を形成した後に、化学研磨により表面平滑化して溝内のみに電極材料を埋め込むダマシーン法によって行うことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 半導体ウェーハ上に形成されたトランジスタのソース・ドレイン領域の一方に接続した第1のプラグを形成する工程と、第1のプラグに接続し前記トランジスタのチャネル長方向と垂直な2つのキャパシタ面を有する第1のキャパシタ電極を該チャネル長方向と垂直な方向に延在して形成する工程と、少なくとも第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に強誘電体膜を形成する工程と、少なくとも第1のキャパシタ電極のキャパシタ面に前記強誘電体膜を挟んで第2のキャパシタ電極を形成する工程と、第1,第2のキャパシタ電極及び強誘電体膜を選択的にエッチング加工し各セルに分離する工程と、第2のキャパシタ電極と前記トランジスタのソース・ドレイン領域の他方を接続する第2のプラグを形成する工程とを含む強誘電体メモリの製造方法であって、
第2のキャパシタ電極の加工は、RIEによる側壁残しの手法によって行うことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。
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