JP3821811B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3821811B2 JP3821811B2 JP2003370102A JP2003370102A JP3821811B2 JP 3821811 B2 JP3821811 B2 JP 3821811B2 JP 2003370102 A JP2003370102 A JP 2003370102A JP 2003370102 A JP2003370102 A JP 2003370102A JP 3821811 B2 JP3821811 B2 JP 3821811B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- region
- type
- wiring
- power source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は複数電源を備える半導体装置に関し、特にIO領域や内部領域等の素子領域を複数の領域に電源分離するための半導体装置の製造方法に関するものである。
本発明の主な目的は、IO領域および内部領域の電源分離構造の位置変更を伴うリワー
クを容易に行うことを可能にした電源分離構造を備える半導
体装置の製造方法を提供するものである
本発明の電源分離構造によれば、異なる電源で駆動する素子領域にはダイオード構造の電源分離部が複数位置にそれぞれ存在し、かつ選択された電源分離部に対して異なる電源の電源配線がそれぞれ逆極性に接続されているので、従来のように素子領域の形成と同時にカットバッファを形成する必要がなく、配線工程時に電源分離部を選択して電源配線を接続することで形成でき、次のような効果を得ることができる。第1に、電源分離位置の変更に伴うリワークでも、上層工程の変更のみで対応可能であり開発費、工期を共に大幅に削減することが可能である。第2に、設計プロセス、ファミリ展開毎に設計しなくてはならなかった電源分離バッファが、ファミリ展開、設計プロセスを意識する必要が無くなり、開発工数および開発費が大幅に削減可能である。第3に、電源分離バッファ挿入によるパッド情報変更の手作業に伴う、不具合の混入リスクを回避することができる。
領域14は内部領域3の素子に対応した深さや幅に形成されているので変更する必要はなく、単に複数の電源分離部7の選択を変更するとともに、当該電源分離部7に接続するコンタクト16位置及び電源枝配線8B,8Cのパターンを変更するのみでよく、前記実施例1のIO領域の場合と同様に従来の問題が解消できるようになる。すなわち、同一電源となるか、異電源となるかに係わらずあらかじめ内部回路を複数のウェルに分離して配置し、それらのウェルの間に電源分離部を配置しておくことにより、隣りあうウェルが異電源の場合は、電源分離部にそれぞれ隣りあうウェルに供給する電源を配線することにより、隣りあうウェル間で電源を分離することができ、また、電源ノイズによる影響を防ぐことができる。
2 IO領域
2A IO領域(5V)
2B IO領域(3.3V)
2C IO領域(2.5V)
3 内部領域
3A 内部領域(5V)
3B 内部領域(3.3V)
3C 内部領域(2.5V)
4 電源配線
4A 電源配線(5V)
4B 電源配線(3.3V)
4C 電源配線(2.5V)
5 カットバッファ
6 電極パッド
7 電源分離部
8B 電源枝配線(3.3V)
8C 電源枝配線(2.5V)
11 P型シリコン基板
12 Nウェル
13 Nウェル
14 P+ 領域
20 MOSトランジスタ
Claims (1)
- P型又はN型の一導電型の半導体基板の表面にこれとは逆導電型の複数のトランジスタ形成用ウェルと、隣りあう前記トランジスタ形成用ウェルの間に配置され、表面の一部に一導電型の不純物領域を含む逆導電型の分離用ウェルとをそれぞれ形成する工程と、前記半導体基板の表面に配線を施して任意の回路機能を実現する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、隣りあうトランジスタ形成用ウェルに各トランジスタを駆動させるための異なる電源を配線接続する場合にはその隣りあうトランジスタ形成用ウェル間に配置された電源分離部としての前記分離用ウェルがN型の場合には前記異なる電源はすべて正電位であって、分離部としての前記分離用ウェルがP型の場合には前記異なる電源はすべて負電位であって、前記分離用ウェルがN型の場合には前記異なる電源のうち高い方の電源を、P型の場合には低い方の電源を配線接続し、前記不純物領域がP型の場合には低い方の電源を、N型の場合には高い方の電源を配線接続することにより、異なる電源が供給される隣りあって配置されたトラジスタ形成用ウェル間の電源分離を行い、前記隣りあうトランジスタ形成用ウェルに同じ電源を配線接続する場合には、その間に配置された前記電源分離部の分離用ウェルおよび不純物領域には電源の配線接続を行わないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003370102A JP3821811B2 (ja) | 2002-10-30 | 2003-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002315459 | 2002-10-30 | ||
JP2003370102A JP3821811B2 (ja) | 2002-10-30 | 2003-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005378643A Division JP4504916B2 (ja) | 2002-10-30 | 2005-12-28 | 半導体装置の電源分離構造およびその電源分離構造を備えた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004172601A JP2004172601A (ja) | 2004-06-17 |
JP3821811B2 true JP3821811B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=32715789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003370102A Expired - Fee Related JP3821811B2 (ja) | 2002-10-30 | 2003-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3821811B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006319267A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
US10394299B2 (en) | 2016-05-23 | 2019-08-27 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods to separate power domains in a processing device |
US9958918B2 (en) * | 2016-05-23 | 2018-05-01 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods to separate power domains in a processing device |
-
2003
- 2003-10-30 JP JP2003370102A patent/JP3821811B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004172601A (ja) | 2004-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6469354B1 (en) | Semiconductor device having a protective circuit | |
TWI387095B (zh) | 積體電路之輸出驅動器的共享靜電放電保護 | |
US20100181621A1 (en) | Signal and power supply integrated esd protection device | |
JP2010529686A (ja) | 垂直型電流制御型シリコン・オン・インシュレータ(soi)デバイス及びそれを形成する方法 | |
JP2835116B2 (ja) | 電力用icおよびその製造方法 | |
JP2006245390A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
US20090072314A1 (en) | Depletion Mode Field Effect Transistor for ESD Protection | |
US7868423B2 (en) | Optimized device isolation | |
KR100223352B1 (ko) | 반도체 집적 회로 장치 | |
JP5547934B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置のレイアウト方法 | |
JP2003031669A (ja) | 半導体装置 | |
JP4504916B2 (ja) | 半導体装置の電源分離構造およびその電源分離構造を備えた半導体装置 | |
JP3821811B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100449874B1 (ko) | 반도체집적회로장치 | |
KR100867572B1 (ko) | 고전압 섬 영역 내에 바이폴라 트랜지스터가 내장된고전압 집적 회로 | |
JP4890838B2 (ja) | 半導体集積回路のレイアウト設計方法、及びレイアウト設計ツール | |
JP2004207702A (ja) | パワートランジスタおよびそれを用いた半導体集積回路 | |
JP5994457B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6320233B1 (en) | CMOS semiconductor device | |
JP3868774B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3211871B2 (ja) | 入出力保護回路 | |
JP2530033B2 (ja) | 絶縁ゲ―ト型集積回路 | |
JPS60223157A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03101162A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2649938B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050405 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050603 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051108 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051208 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140630 Year of fee payment: 8 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |