JP2006319267A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電源分離セルX´において、第1のダイオード15のカソードを電源配線6Aに接続し、第2のダイオード16のカソードを電源配線6Bに接続し、第1及び第2のダイオード15,16の各アノードを共通接続する。そして、第1及び第2のダイオードのアノードに、バイバス配線20の一端を接続し、他端を内部回路3に必要な電源を供給する電源リング7に接続している。例えば電源配線6Bにおいてノイズなどにより生じた異常電位は、第2のダイオード16、バイパス配線20を通り道として電源リング7に逃げるため、IO回路2Bにおける静電破壊が回避できる。
【選択図】図3
Description
3 内部回路 4 アナログ回路ブロック
5 デジタル回路ブロック
6A 電源配線(VDDH1) 6B 電源配線(VDDH2)
6C 電源配線(VDDH3) 6D 電源配線(VDDH4)
7 電源リング 8 接地配線(GND)
9 電極 15 第1のダイオード 16 第2のダイオード
20 バイパス配線 30 双方向のダイオード素子
Q1,Q2 MOSトランジスタ INV インバータ
X 従来例に係る電源分離セル
X´ 本発明に係る電源分離セル
VDD 電源リング7の電源配線の電源電圧
Claims (7)
- 半導体基板上に配置された内部回路と、
前記内部回路の周囲の半導体基板上に設けられ、第1の電源電圧で動作する第1のIO回路と、
前記内部回路の周囲の半導体基板上に設けられ、前記第1の電源電圧と異なる第2の電源電圧で動作する第2のIO回路と、
前記第1及び第2のIO回路の間に配置され、前記第1のIO回路と前記第2のIO回路とを電気的に分離する電源分離セルとを備え、
前記電源分離セルは、前記第1の電源電圧が供給された第1の電源配線にそのカソードが接続された第1の整流素子と、
前記第1の整流素子のアノードとアノードが共通接続され、前記第2の電源電圧が供給された第2の電源配線にそのカソードが接続された第2の整流素子を備えることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第1の整流素子と前記第2の整流素子のアノードにバイパス配線が接続され、さらに第3の電源電圧が供給された第3の電源配線に前記バイパス配線が接続されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記第3の電源電圧は、前記第1及び第2の電源電圧に比して小さいことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
- 前記第3の電源配線は、前記内部回路の周囲の半導体基板上に設けられ、前記内部回路に前記第3の電源電圧を供給する電源リングであることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体集積回路。
- 前記電源リングは前記内部回路と前記第1及び第2のIO回路との間に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。
- 前記電源分離セル内で、前記第1のIO回路の接地配線と前記第2のIO回路の接地配線とが共通接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記電源分離セル内で、前記第1のIO回路の接地配線と前記第2のIO回路の接地配線との間に双方向の整流素子が配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体集積回路。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064843A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Kanji Otsuka | 半導体集積回路パッケージ、プリント配線板、半導体装置および電源供給配線構造 |
US7679109B2 (en) | 2006-12-08 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, layout design method thereof, and layout design device using the same |
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JP2004172601A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-06-17 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の電源分離構造および半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-05-16 JP JP2005142890A patent/JP2006319267A/ja active Pending
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