JP3821350B2 - アミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸類の製造方法に関する。さらに詳しくは、高性能耐熱性高分子ABポリベンゾオキサゾール(AB−PBO)のモノマー(ABモノマー)や種々の医薬品中間体として有用である、アミノ基とヒドロキシル基が互いに対しオルト位にあるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を簡便安価に製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ABポリベンゾオキサゾールのモノマーや種々の医薬品中間体として有用であるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸類の製造方法としては、アミノヒドロキシ芳香族カルボン酸類が3−アミノ、4−ヒドロキシ安息香酸の場合、原料である4−ヒドロキシ安息香酸やそのエステルを硝酸でニトロ化して3−ニトロ、4−ヒドロキシ安息香酸やその誘導体とし、その後、該中間体のニトロ基をスズなどの還元剤で還元し、塩酸塩として単離する方法(米国特許4959492)や、パラジウムカーボンなどの還元剤で還元し、リン酸塩として単離する方法(米国特許5068384)、電極還元する方法(米国特許4764263)などが知られている。また原料として4−ハロ安息香酸やそのエステルをもちいた場合、硝酸でニトロ化して3−ニトロ、4−クロロ安息香酸を得た後、ハロ基をアルカリ金属水酸化物で処理して3−ニトロ、4−ヒドロキシ安息香酸としこれを還元する方法(特公平8−11745)が知られている。
【0003】
3−アミノ、4−ヒドロキシ安息香酸の異性体であり同じくABポリベンゾオキサゾール(PBO)のモノマーとして有用である4−アミノ、3−ヒドロキシ安息香酸も、3−ヒドロキシ安息香酸やそのエステルをもちいて同様に製造することができる。例えば原料である3−ヒドロキシ安息香酸やそのエステルを硝酸でニトロ化して3−ニトロ、4−ヒドロキシ安息香酸やその誘導体とし、その後、該中間体のニトロ基をハイドロサルファイトナトリウムなどの還元剤で還元し、塩酸塩として単離する方法(今井ら、マクロモレキュラーケミー83巻、179頁、1965年)が知られている。
【0004】
しかしながらこれらの方法では、いずれもニトロ化の際に生成するポリニトロ化物の危険性を回避するため、また生成物が重合に適するようにするために単離、精製などの反応操作が数段階におよびコスト高になる。また異性体生成による収率の大幅な低下といった問題点がある。アミノヒドロキシ芳香族カルボン酸類中の不純物の存在は、高分子量かつ曵糸性のあるABポリベンゾオキサゾールのポリリン酸ドープの製造を妨げることが知られている。
なお、本発明でいうABモノマ−とは、酸基(Acid)と塩基(Base)を有するモノマ−化合物をいい、それを重合することにより得られたポリマ−をABポリマ−という。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述のような問題点を解決し、高品質のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸類を簡便安価に製造する方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこれらの課題を解決するために、工業的に有利なアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸類の製造方法を鋭意検討した結果、工業的に安価に供給できるニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を新規原料とし、還元反応と転位反応による2段階反応で直接、アミノ基とヒドロキシル基が互いに対しオルト位にあるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法を見い出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
すなわち本発明は、式(1)で表されるニトロ基に対して少なくともひとつのオルト位が無置換であるニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を、反応媒体中で還元剤により還元することにより式(2)で表される反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を得た後、さらに熱及び/又は酸触媒による転位反応をおこなうことにより、式(3)で表されるアミノ基とヒドロキシル基が互いに対しオルト位にあるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法である。
【0008】
【数4】
【0009】
【数5】
【0010】
【数6】
【0011】
上式中、Arは芳香族基であり、Xはヒドロキシル基または炭素数1〜12のアルコキシ基またはハロゲンであり、Rは炭素数1〜12のアルキルであり、Zはヒドロキシル基または炭素数1〜12のアルコキシ基またはハロゲンであり、nは0、1または2の整数である。
【0012】
そして具体的には、還元することで得られた反応中間体を単離することなく転位反応をおこなう上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、
反応媒体が、ニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を溶解し反応条件下すべての試薬に対して不活性な有機溶媒と、無機電解質水溶液との混合物である上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、
還元剤が亜鉛、鉄、スズからなる群から選ばれた少なくともひとつの金属である上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、
還元する際の反応温度が25℃を超えない上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、
還元剤の量がニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の2〜5倍モルである上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、
転位反応の酸触媒が硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸からなる群から選ばれた少なくともひとつである上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、
式(1)、(2)および(3)においてArがベンゼン環であり、Xがヒドロキシル基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、Zがヒドロキシル基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、nが0である上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、
式(1)においてニトロ基がCOX基のパラ位またはメタ位にあり、式(3)においてアミノ基およびヒドロキシル基のいずれか一方が、COZ基のパラ位にある上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法、及び
式(1)においてニトロ基がCOX基のパラ位にあり、式(3)においてアミノ基がCOZ基のパラ位にあり、Zがヒドロキシル基である上記記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法である。
【0013】
このようなニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の還元と引き続く転位の2段階反応で直接、アミノ基とヒドロキシル基が互いに対しオルト位にあるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法は、これまでまったく見い出されていなかった。
以下本発明を順次、具体的に説明する。
【0014】
本発明の第1段階であるニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の還元は、反応媒体中、還元剤を用いて実施される。
適当な原料としては、無置換または1もしくは2個のアルキル基で置換された、ただしニトロ基に対して少なくともひとつのオルト位が無置換であるニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体であり、式(1)
【0015】
【数7】
【0016】
上式中、
Arは芳香族基であり、
Xはヒドロキシル基または炭素数1〜12のアルコキシ基またはハロゲンであり、
Rは炭素数1〜12のアルキルであり、
nは0、1または2の整数である、
で表されるものに相当する。
【0017】
Arはあらゆる芳香族環および芳香族複環系であり、各芳香族基は独立に複素環であってもよい。具体的にはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、ピリジンなどであり、工業的有用性や反応性の点から好ましくはベンゼンである。
【0018】
芳香族カルボン酸誘導体としてはXがアルコキシ基の場合、エステルであり、Xが塩素、臭素、ヨウ素のようなハロゲンの場合、ハロゲン化物である。反応性や取り扱いの点から好ましくはエステルである。
【0019】
ニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体は、具体的には4−ニトロ安息香酸、4−ニトロ−2−メチル安息香酸、4−ニトロ−2−エチル安息香酸、4−ニトロ−2−プロピル安息香酸、4−ニトロ−3−メチル安息香酸、4−ニトロ−3−エチル安息香酸、4−ニトロ−3−プロピル安息香酸、3−ニトロ安息香酸、3−ニトロ−2−メチル安息香酸、3−ニトロ−2−エチル安息香酸、3−ニトロ−2−プロピル安息香酸、3−ニトロ−4−メチル安息香酸、3−ニトロ−4−エチル安息香酸、3−ニトロ−4−プロピル安息香酸、4−ニトロナフタレン−1−カルボン酸、3−ニトロナフタレン−1−カルボン酸、6−ニトロナフタレン−2−カルボン酸などや、これらのアルキルエステルおよび塩化物である。アルキルエステルはメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、ブチルエステルが挙げられる。好ましくは4−ニトロ安息香酸及び/又はそのアルキルエステル、3−ニトロ安息香酸及び/又はそのアルキルエステルであり、より好ましくは4−ニトロ安息香酸メチルである。
【0020】
使用する反応媒体としては、有機溶媒単独または塩化アンモニウム、塩化カリウムなどを添加した無機電解質水溶液とニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を溶解する有機溶媒との混合物が用いられる。混合物は2層以上からなる不均一系であっても、均一系であっても構わない。有機溶媒としてはエーテル系、アルコール系、エステル系、ケトン系、カルボン酸系およびハロゲン化炭化水素系有機溶媒からなる群から選ばれた少なくともひとつを含むものが用いられる。具体的にはジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロルエタン、トリクレンなどが挙げられる。好ましくはテトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、ジクロロメタンである。
【0021】
反応媒体の量は、当該実施者により適宜決定されるが、おおむねニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体1重量部に対して1〜50重量部、好ましくは10〜40重量部である。無機電解質は塩化アンモニウム、塩化カルシウムなどがもちいられ、その添加量はニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の1〜10倍モルであり、好ましくは2〜6倍モルの範囲である。1倍より少ないと還元が充分に進行せず、6倍より多くとも反応は進行するが、経済的損失が大きくなる。
【0022】
本発明における還元反応では、生成する反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸類がさらに還元されてアミノ化芳香族カルボン酸やアゾ芳香族ジカルボン酸といった過還元体が生成するため、還元の進行度を十分に制御する必要がある。本発明者らはこの点を鋭意検討し、還元剤の種類、反応温度、還元剤の当量比を制御することが重要であることを見い出した。
【0023】
還元剤としては亜鉛、鉄、スズのような金属粉末、ラネーニッケル、塩化第1スズ、パラジウム/炭素、白金/炭素、ルテニウム/炭素、水素、ヒドラジン、次亜リン酸などから選ばれる少なくともひとつが挙げられる。反応性、経済性や取り扱いの容易さから、好ましくは亜鉛粉末である。亜鉛粉末の場合、量としては、過還元を抑制しながら還元を完全に進行させるために、原料であるニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はそのエステルの2〜5倍モルであり、好ましくは2.5〜3.5倍モルの範囲である。2倍より少ないと還元が充分に進行せず、5倍より多いと生成する反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸類がさらに還元され、アミノ化芳香族カルボン酸などの過還元体が多く生成する傾向にある。
【0024】
亜鉛のような金属粉末やヒドラジンは徐々に添加しながら、撹拌強度を高めて還元反応を促進させる。反応初期に所定量の全量を一度に加えると、過熱がおこり、副反応により生成物の収率が低下する。
【0025】
一般に反応温度は副反応による着色物の生成を抑制するために、可能な限り低く保持し、好ましくは25℃以下に維持しながら強撹拌によって短時間で反応を終了させることが望ましい。さらに好ましくは5℃以下に維持する。
【0026】
反応の進行は高速液体クロマトグラフィーや薄層クロマトグラフィーなどの手段で確認することができる。また反応は生成物の酸化を避けるために窒素雰囲気下でおこなうことが好ましい。
【0027】
還元反応が終了後、生成した反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を含む反応媒体と、固体の還元剤およびその酸化物をろ過などの手法で固液分離する。生成物は不安定であることが多いので、窒素雰囲気下で迅速におこなうことが望ましい。
【0028】
還元反応後に得られるヒドロキシアミノ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体は式(2)
【0029】
【数8】
【0030】
上式中、
Arは芳香族基であり、
Xはヒドロキシル基または炭素数1〜12のアルコキシ基またはハロゲンであり、
Rは炭素数1〜12のアルキルであり、
nは0、1または2の整数である、
で表されるものに相当する。
【0031】
本発明の第2段階である反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の転位は、反応媒体中で加熱及び/又は酸触媒を用いて実施される。好ましくは先の還元反応で生成した反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を単離、精製することなく、固液分離した溶液中で引き続き転位反応を実施する。この際、反応媒体が2層以上からなる混合系である場合、有機層を分液し、反応中間体を含む水層で引き続き転位反応を実施する。有機層はそのまま還元反応にリサイクルすることもできる。
【0032】
酸触媒としては一般にもちいられているものであれば特に限定されないが、そのなかでも硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸などが好ましい。なおこれらを併用しても構わない。この中でも硫酸がより好ましい。量としてはニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の5〜150倍モルであり、好ましくは10〜120倍モルの範囲である。5倍モル以下では転位が充分に進行せず、150倍以上では副反応が進行し、目的とするアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の収率が低下する。反応温度は特に限定されないが、好ましくは加熱還流条件下で反応が進行するように当該実施者により設定される。反応時間は通常0.5〜2時間程度である。
【0033】
反応の進行は高速液体クロマトグラフィーや薄層クロマトグラフィーなどの手段で確認することができる。また反応は生成物の酸化を避けるために窒素雰囲気下でおこなうことが好ましい。
【0034】
転位反応終了後に得られる、アミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体は式(3)
【0035】
【数9】
【0036】
上式中、
アミノ基とヒドロキシル基は互いに対しオルト位にあり、
Arは芳香族基であり、
Rは炭素数1〜12のアルキルであり、
Zはヒドロキシル基または炭素数1〜12のアルコキシ基またはハロゲンであり、
nは0、1または2の整数である、
で表されるものに相当する。
【0037】
具体的には、4−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシ−2−メチル安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシ−2−エチル安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシ−2−プロピル安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシ−5−メチル安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシ−5−プロピル安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシ−6−メチル安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシ−6−プロピル安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ−2−メチル安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ−2−エチル安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ−2−プロピル安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−メチル安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−プロピル安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−メチル安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−プロピル安息香酸、4−アミノ−3−ヒドロキシナフタレン−1−カルボン酸、3−アミノ−4−ヒドロキシナフタレン−1−カルボン酸、6−アミノ−5−ヒドロキシナフタレン−2−カルボン酸、6−アミノ−7−ヒドロキシナフタレン−2−カルボン酸などや、これらのアルキルエステルおよびハロゲン化物が挙げられる。好ましくは4−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロキシ安息香酸であり、より好ましくは4−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸である。
【0038】
目的化合物であるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体は、中性の状態で単離すると光で分解し、また空気酸化されるなど比較的不安定であるため、強酸のアミン塩のかたちで単離するのが好ましい。強酸としては塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、リン酸、硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸などが挙げられる。この中でも重合時の取り扱いの点から塩酸およびリン酸が好ましい。一般に充分量の強酸を反応媒体にそのまま、または溶液で加えることで、沈澱するアミン塩を回収できる。また塩酸の場合、塩化水素を直接吹き込んでも構わない。単離の際に塩化第1スズなどの酸化防止剤を併用するのが好ましい。また必要に応じ、活性炭をもちいることができる。
【0039】
以下に本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【0040】
【実施例】
(実施例1)
撹拌機、窒素導入管、温度計を備えた4ツ口フラスコに、4−ニトロ安息香酸メチル(4−NBAME)18重量部をとりテトラヒドロフラン130重量部に溶解させた。これに塩化アンモニウム25重量部を水150重量部に溶解させた溶液を加えると、両者は2層に分離した。氷浴下に激しく撹拌しながら、亜鉛粉末23重量部を液温が5℃を超えないように注意深く、少量ずつ添加した。15分かけて添加をおこない、さらに30分撹拌を続けた。反応終了後、液はわずかに黄色味を帯び均一となったので、直ちに固形分を減圧ろ過して固形物を少量の水とテトラヒドロフランで洗浄した。ろ液と洗浄液を合わせ、これからTHFを減圧留去した。得られた溶液の高速液体クロマトグラフィー分析(逆相モード)では4−ニトロ安息香酸メチルは完全に反応し消失しており、4−ヒドロキシルアミノ安息香酸メチルが生成していることがわかった。溶液をエルレンマイヤーフラスコに移し、濃硫酸80重量部を加え、窒素置換した後、窒素気流下で撹拌しながら1時間加熱還流させた。溶液は薄褐色となった。これを室温で放冷し、さらに氷冷下で水酸化ナトリウム水溶液で中和した。さらに塩化第1スズ1重量部と濃塩酸100重量部および粉末活性炭5重量部を撹拌しながら加え、析出する沈澱物が溶解するまで50℃で加熱した。活性炭をひだ付きろ紙でろ過した後、室温まで放冷して析出した白色粉末結晶をろ過した。希塩酸で洗浄し、無水リン酸上で乾燥して得られた白色粉末は、重ジメチルスルホキシド中の核磁気共鳴吸収スペクトル、KBr錠剤法での赤外吸収スペクトルより、4−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸塩酸塩(4−AHBA)であり、4−ニトロ安息香酸メチルからの理論収率は73%であった。高速液体クロマトグラフィー分析(逆相モード)による純度は98.5%であった。
【0041】
(実施例2、3、4)
反応において、表1に示す還元反応温度、還元剤モル比、酸触媒種の変更をおこなった以外は実施例1と同様の操作をおこなった。結果を同じく表1に示した。
【0042】
(実施例5)
還元反応を、温度制御せずに25℃〜53℃の範囲でおこなった以外は実施例1と同様に反応をおこなったところ、得られた反応媒体は濃赤色に着色しており、反応媒体に不溶の油状成分がみられた。引き続き実施例1と同様に転位反応をおこない、反応媒体を高速液体クロマトグラフィーで分析すると目的とする4−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸の収率は約25%であった。結果を表1に示した。
【0043】
(実施例6)
還元剤量を表1に示すモル比でおこなった以外は実施例1と同様に反応をおこなった。結果を表1に示した。
【0044】
(実施例7)
撹拌機、窒素導入管、温度計を備えた4ツ口フラスコに、4−ニトロ安息香酸17重量部をとりテトラヒドロフラン130重量部に溶解させた。これに塩化アンモニウム25重量部を水150重量部に溶解させた溶液を加えると、両者は2層に分離した。氷浴下に激しく撹拌しながら、亜鉛粉末23重量部を液温が5℃を超えないように注意深く、少量ずつ添加した。15分かけて添加をおこない、さらに30分撹拌を続けた。反応終了後、液はわずかに黄色味を帯び均一となったので、直ちに固形分を減圧ろ過して固形物を少量の水とテトラヒドロフランで洗浄した。ろ液と洗浄液を合わせ、エルレンマイヤーフラスコに移し、濃硫酸80重量部を加え、窒素置換した後、窒素気流下で撹拌しながら1時間加熱還流させた。溶液は薄褐色となった。これを室温で放冷し、さらに氷冷下で水酸化ナトリウム水溶液で中和した。さらに塩化第1スズ1重量部と濃塩酸100重量部および粉末活性炭5重量部を撹拌しながら加え、析出する沈澱物が溶解するまで50℃で加熱した。活性炭をひだ付きろ紙でろ過した後、室温まで放冷して析出した白色粉末結晶をろ過した。希塩酸で洗浄し、無水リン酸上で乾燥して得られた白色粉末は、核磁気共鳴吸収スペクトル、赤外吸収スペクトル、質量分析より4−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸塩酸塩であり、ニトロ安息香酸からの理論収率は55%であった。高速液体クロマトグラフィー分析(逆相モード)による純度は98.0%であった。
【0045】
【表1】
【0046】
収率は高速液体クロマトグラフィー(カラム:ゾルバックスBP−C8、溶離液アセトニトリル/水/リン酸=40/60/0.23(EDTA4Na:45ppm)、UV(280nm)、流速1ml/min)で内部標準法により定量した。
【0047】
(実施例8)
撹拌機、窒素導入管、温度計を備えた4ツ口フラスコに、3−ニトロ安息香酸メチル(3−NBAME)18重量部をとりエタノール/テトラヒドロフラン(1+1)130重量部に溶解させた。これにラネーニッケル0.2重量部を加え、氷浴下に激しく撹拌しながら、ヒドラジン一水和物12重量部を液温が10℃を超えないように注意深く、少量ずつ添加した。15分かけて添加をおこない、さらに30分撹拌を続けた。反応終了後、直ちに固形分を減圧ろ過して固形物を少量のテトラヒドロフランで洗浄した。ろ液と洗浄液を合わせ、これから溶媒を減圧留去した。生成物をエルレンマイヤーフラスコに移し、水と濃硫酸80重量部を加え、窒素置換した後、窒素気流下で撹拌しながら1時間加熱還流させた。反応媒体を高速液体クロマトグラフィーで分析すると目的とする3−アミノ−4−ヒドロキシ安息香酸の収率は約28%であった。
【0048】
(実施例9)
撹拌機、窒素導入管、温度計を備えた4ツ口フラスコに、4−ニトロナフタレンカルボン酸メチル23重量部をとりテトラヒドロフラン200重量部に溶解させた。これに塩化アンモニウム25重量部を水200重量部に溶解させた溶液を加えると、両者は2層に分離した。氷浴下に激しく撹拌しながら、亜鉛粉末23重量部を液温が5℃を超えないように注意深く、少量ずつ添加した。15分かけて添加をおこない、さらに30分撹拌を続けた。反応終了後、液はわずかに黄色味を帯び均一となったので、直ちに固形分を減圧ろ過して固形物を少量の水とテトラヒドロフランで洗浄した。ろ液と洗浄液を合わせ、これからTHFを減圧留去した。溶液をエルレンマイヤーフラスコに移し、濃硫酸80重量部を加え、窒素置換した後、窒素気流下で撹拌しながら1時間加熱還流させた。反応媒体を高速液体クロマトグラフィーで分析すると目的とする4−アミノ−3−ヒドロキシナフタレンジカルボン酸の収率は25%であった。
【0049】
(実施例10)
実施例1で転位反応後、中和して得られた生成物を無水アセトニトリルに溶解し、BSA(N,O−ビストリメチルシリルアセトアミド)でトリメチルシリル化した。得られたサンプルをキャピラリーガスクロマトグラフィー(カラム:HR−1)/質量分析で分析した。得られたトータルイオンクロマトグラムならびにマススペクトルを図1、図2及び図3に示す。生成物中には目的とする4−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸のほかに4−アミノ安息香酸などの副生物がみられた。
【0050】
【発明の効果】
ニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を反応媒体中で還元し、得られる反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を単離することなく、そのまま転位反応に供することで、一工程で耐熱性高分子ABポリベンゾオキサゾール(AB−PBO)のモノマー(ABモノマー)や医薬品中間体として有用なアミノ基とヒドロキシル基が互いに対しオルト位にあるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を簡便安価に製造できる。よって、例えばこれを重合し得られたPBOから高強度、高弾性率を有するPBO繊維や、高耐熱性のPBOフィルムなどを安価に提供することが可能となり、産業上の発展に益すること大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明により得られた目的生成物のトータルイオンクロマトグラム。
【図2】4−AHBA(ジTMS体)のマススペクトル。
【図3】4−AHBA(トリTMS体)のマススペクトル。
Claims (10)
- 式(1)で表されるニトロ基に対して少なくともひとつのオルト位が無置換であるニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を、反応媒体中で還元剤により還元することにより式(2)で表される反応中間体ヒドロキシルアミノ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を得た後、さらに熱及び/又は酸触媒による転位反応をおこなうことにより、式(3)で表されるアミノ基とヒドロキシル基が互いに対しオルト位にあるアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
Arは芳香族基であり、
Xはヒドロキシル基または炭素数1〜12のアルコキシ基またはハロゲンであり、Rは炭素数1〜12のアルキルであり、Zはヒドロキシル基または炭素数1〜12のアルコキシ基またはハロゲンであり、nは0、1または2の整数である。 - 還元することで得られた反応中間体を単離することなく転位反応をおこなう請求項1記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 反応媒体が、ニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を溶解し反応条件下すべての試薬に対して不活性な有機溶媒と、無機電解質水溶液との混合物である請求項1又は2記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 還元剤が亜鉛、鉄、スズからなる群から選ばれた少なくともひとつの金属である請求項3記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 還元する際の反応温度が25℃を超えない請求項4記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 還元剤の量がニトロ化芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体の2〜5倍モルである請求項4又は5記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 転位反応の酸触媒が硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸からなる群から選ばれた少なくともひとつである請求項1〜3のいずれかに記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 式(1)、(2)および(3)においてArがベンゼン環であり、Xがヒドロキシル基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、Zがヒドロキシル基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、nが0である請求項1〜7のいずれかに記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 式(1)においてニトロ基がCOX基のパラ位またはメタ位にあり、式(3)においてアミノ基およびヒドロキシル基のいずれか一方が、COZ基のパラ位にある請求項1〜8のいずれかに記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
- 式(1)においてニトロ基がCOX基のパラ位にあり、式(3)においてアミノ基がCOZ基のパラ位にあり、Zがヒドロキシル基である請求項1〜9のいずれかに記載のアミノヒドロキシ芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体を製造する方法。
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