JP3795451B2 - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は表面実装型の半導体装置の実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
IC,LSI等半導体装置の封止(パッケージ)形態として、気密封止,非気密封止等がある。また、半導体装置の実装形態の違いにより、リード挿入型,表面実装型がある。
【0003】
たとえば、SIP(Single Inline Package),ZIP (Zigzag Inline Package),PGA(Pin Grid Array) 等は基板の挿入孔にリードを挿入するリード挿入型パッケージであり、SOP (Small Outline L-Leaded Package) ,SOJ(Small Outline J-Leaded Package) ,QFP(Quad Flat Package),QFJ(Quad Flat J-Leaded Package) ,BGA(Ball Grid Array),HGA(Hall Grid Array)は表面実装型パッケージである。
【0004】
前記SOP,SOJは、ICチップを封止したパッケージの2方向にリードピン(リード)を出す構造であり、前記QFP,QFJはパッケージの4方向にリードピンを出す構造である。
【0005】
また、PGA,BGAはパッケージの下面に複数列のピングリッドやボールグリッドを出す構造であり、HGAは基板を貫通するスルーホール状のグリッドを有する構造である。
【0006】
前記HGAについては、日経BP社発行「日経エレクトロニクス」1995年4月24日号(No.634)、P20に記載されている。また、前記他のパッケージ技術については、同社発行「VLSIパッケージング技術(上)」1993年5月15日発行、P76〜P84に記載されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のSOP,SOJ,QFP,QFJ等QFPで代表される表面実装型半導体装置では、パッケージの周辺にリード(外部端子)が突出することから、実装基板に半導体装置を実装した際、半田による実装部(半田実装部)が容易に目視でき、実装の良否を容易に目視判断できる利点がある。
【0008】
しかし、昨今では半導体装置の高密度・高集積・高機能化が図られる結果、信号ピン(リード)が増大し、ピンピッチ(リードピッチ)が狭くなる傾向にある。このため、配線基板のランドとリードとを接続する半田が隣同士で接続するいわゆる半田ブリッジが発生し、ショート不良を起こし易くなり、半田実装が難しくなる。
【0009】
このような半田ブリッジ等の不良発生を防止するためには、リードピッチを大きくすればよいが、リードピッチを大きくするとパッケージが大型化する。
【0010】
一方、BGA型半導体装置は、配線基板の下面に信号ピン(リード)の変わりに外部端子としてバンプ電極(ボール電極)を複数列に配設した構造(ボールグリッド)となるため、外部端子ピッチを前記QFP等の表面実装型半導体装置に比較して広くとれ、半田ブリッジが起き難くできるとともに、パッケージの小型化が図れる。
【0011】
特に、半導体チップの真下の配線基板部分にボール電極を配置するものは、パッケージを略半導体チップと同程度に小型化できるため、半導体装置の小型化が図れ、実装面積を大幅に縮小できる(日経BP社発行「日経エレクトロニクス」1995年1月16日号、No.626、P76〜P86)。
【0012】
しかし、この構造は配線基板が邪魔をし、半田付け状態を目視検査することができないため、ボール電極の接続信頼性の面で不安があった。
【0013】
そこで、配線基板を透明な材質で形成し、ボール電極の半田付け状態を基板を通して確認できるもの(日経BP社発行「日経マイクロデバイス」1994年10月号、P17) や基板を貫通するスルーホールを信号ピンの替わりに使用することで半田の吸い上がり状態を目視検査できるHGAが開発されている。
【0014】
しかし、この2つの構造の半導体装置は、実装時の半田付け状態を目視する目的で開発された構造であるため、半導体チップの真下部分にはボール電極やスルーホールを設けることができず、パッケージが半導体チップよりも遥に大型となる。
【0015】
本発明の目的は、実装時の実装状態が目視できる小型の半導体装置の実装方法を提供することにある。
【0016】
本発明の他の目的は、実装時の実装状態が目視できかつ集積度の高い小型の半導体装置の実装方法を提供することにある。
【0017】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0019】
(半導体装置)
(1)一面に外部端子を設けた配線板からなる少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップを含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳部と、前記実装本体部と前記重畳部を連結する可撓性の配線板からなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部は前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部上に積み重ねられる構成となっている。一例では、前記実装本体部および折返部3ならびに重畳部5はそれぞれ一つとなっている。また、前記実装本体部および折返部ならびに重畳部の配線板は一体となりかつ透明となる可撓性体(樹脂フィルム)で構成されている。前記重畳部の電子部品搭載領域が重なる実装本体部領域内にも外部端子が設けられている。前記重畳部は前記実装本体部に接着剤や接着テープによる固定手段によって固定されている。前記半導体チップの搭載領域は封止体で被われている。
【0020】
(2)前記手段(1)の構成において、実装本体部の上に複数の重畳部が前記実装本体部に連なる折返部の折り返しによって積み重ねられている。
【0021】
(3)前記手段(2)の構成において、前記実装本体部および重畳部の配線板は非可撓性体で形成されている。
【0022】
(4)前記手段(1)の構成において、前記外部端子は前記配線板を貫通するスルーホールの内壁とその縁に設けた導体層によって形成されている。
【0023】
(5)前記手段(1)の構成において、前記折返部の折り返し時の曲率半径を規定する折り返し形状規定手段が設けられている。
【0024】
(半導体装置の製造方法)
(6)一面に外部端子を設ける台座を有する配線板からなる少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップを含む電子部品を搭載する領域を有する配線板からなる一つの重畳部と、前記実装本体部と前記重畳部を連結する可撓性の配線板からなる少なくとも一つの折返部とを少なくとも有し、前記重畳部は前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部上に積み重ねられる構成の配線基板を用意する工程と、前記重畳部に半導体チップを含む電子部品の搭載と電極と配線の電気的接続を行う工程と、前記電子部品搭載領域を封止体で被う工程と、前記実装本体部の台座に半田バンプ電極を形成する工程と、前記配線板の不要部分を切断除去する工程と、所定の折返部を折り返して所定の実装本体部上に重畳部を積み重ねる工程とを有する。一例では、前記実装本体部および折返部ならびに重畳部を形成する配線板は一枚の透明な樹脂フィルム(配線フレーム)からなり、前記実装本体部および折返部ならびに重畳部はそれぞれ一つとなっている。また、前記実装本体部上に重畳部を積み重ねる際、前記重畳部を接着剤や接着テープで仮固定する。
【0025】
(7)前記手段(6)の構成において、実装本体部に設けられる外部端子は実装本体部を形成する配線板に設けられたスルーホールの内壁とその縁に設けた導体層(HGA構造)とによって形成されている。
【0026】
(半導体装置の実装方法)
(8)一面に外部端子を設けた透明な配線板からなる少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップを含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳部と、前記実装本体部と前記重畳部を連結する可撓性の配線板からなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部は前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部上に積み重ねられる半導体装置を実装基板に実装する方法であって、前記実装基板のランド上に前記実装本体部の外部端子を重ねて加熱して外部端子を前記ランドに固定した後、前記実装本体部の透明な配線板を通して外部端子の接続状態を検査(目視検査)し、その後前記実装基板に固定した実装本体部上に前記重畳部を重ねる。前記実装本体部上に重畳部を積み重ねる際、前記重畳部を接着剤や接着テープで固定する。一例では、前記実装本体部および折返部ならびに重畳部を形成する配線板は一枚の透明な可撓性樹脂フィルムからなり、前記実装本体部および折返部ならびに重畳部はそれぞれ一つとなっている。
【0027】
(9)配線板からなりかつ外部端子はスルーホールの内壁とその縁に設けた導体層で形成される少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップを含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳部と、前記実装本体部と前記重畳部を連結する可撓性の配線板からなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部は前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部上に積み重ねられる半導体装置を実装基板に実装する方法であって、前記実装基板のランド上に前記実装本体部の外部端子を重ねた後、前記ランドまたは外部端子にあらかじめ設けられた接合材を溶かして前記外部端子を前記ランドに接続し、その後前記実装本体部のスルーホール内に吸い上げられた接合材の有無によって外部端子の接続状態を検査(目視検査)し、ついで前記実装基板に固定した実装本体部上に前記重畳部を重ねる。前記接合材を溶かして前記外部端子を前記ランドに接続した後、前記実装本体部のスルーホール内に吸い上げられた接合材にプローブ・ピンを当てて電気特性検査を行う。前記実装本体部上に重畳部を積み重ねる際、前記重畳部を接着剤や接着テープで固定する。一例では、前記実装本体部および折返部ならびに重畳部を形成する配線板は一枚の透明な可撓性樹脂フィルムからなり、前記実装本体部および折返部ならびに重畳部はそれぞれ一つとなっている。
【0028】
(半導体装置)
前記(1)の手段によれば、(a)半導体装置は、折返部で自由に折り返しができ、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積み重ねる構造となっていることと、配線板(可撓性配線基板)が透明体であることから、重畳部を実装本体部に重ねない状態では配線板の裏面の外部端子を目視できる。
【0029】
(b)半導体装置は重畳部を開くことによっていつでも配線板を通して配線板の裏面の外部端子を目視できるため、半導体装置を実装基板に実装した後でも外部端子の半田実装状態を目視検査できるため、実装本体部の配線板には、半導体チップ等が重なる部分にも外部端子を配置できることになり、半導体装置の小型化および多ピン化が図れる。
【0030】
(c)半導体装置は、折返部で自由に折り返しができ、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積み重ねる構造となっているが、必要に応じて重畳部を実装本体部に接着剤や接着テープによって仮固定を含めて固定できるため、半導体装置の取扱性が向上する。
【0031】
(d)半導体装置は、実装本体部4下面に半田によってバンプ電極を形成する際、バンプ電極形成後、実装本体部のみを薬品に浸け、半導体チップが搭載された重畳部を薬品に浸けないようにできるため、コストが高く付く無洗浄タイプの半田を用いることなく半田フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成することができるため、半導体装置の製造コストの低減が達成できる。
【0032】
前記(2)の手段によれば、実装本体部に複数の重畳部を積み重ねることができるため、前記手段(1)の構成による効果に加えて更なる高集積化が達成できる。
【0033】
前記(3)の手段によれば、実装本体部および重畳部の配線板は非可撓性体となっているが、実装本体部と重畳部を連結する折返部は可撓性の配線板で形成されていることから、前記手段(1)の構成による効果を得ることができる。
【0034】
前記(4)の手段によれば、実装本体部に設けられる外部端子は、配線板を貫通するスルーホールの内壁とその縁に設けた導体層によって形成されていることから、実装時、スルーホール内に吸い上がる半田(接合材)の有無を観察できるため、外部端子を半導体チップ等が重ねられる実装本体部の領域にも配置でき、半導体装置の小型化,多ピン化が達成できる。
【0035】
前記(5)の手段によれば、半導体装置の折返部には折り返し形状規定手段が設けられていて、折返部を折り返す際、折返部に大きなストレスが掛かるような小さな曲率半径で曲がることがないようにされていることから、折返部で繰り返して折り返し動作しても折返部が劣化しない。
【0036】
(半導体装置の製造方法)
前記(6)の手段によれば、透明な樹脂フィルムを主体として形成された配線板(配線フレーム)を用い、従来確立されたリードフレームによる半導体装置製造技術と同様に製造が行えるため、高品質の折り返し重畳構造のBGA型の半導体装置を生産性良く製造することができる。
【0037】
前記(7)の手段によれば、透明な樹脂フィルムを主体として形成された配線板(配線フレーム)を用い、従来確立されたリードフレームによる半導体装置製造技術と同様に製造が行えるため、高品質の折り返し重畳構造のHGA型の半導体装置を生産性良く製造することができる。
【0038】
(半導体装置の実装方法)
前記(8)の手段によれば、(a)外部端子が設けられる実装本体部の配線板(可撓性配線板)が透明体となっていることから、外部端子を実装基板のランドに重ね合わせる際、ランドと外部端子の重なり具合を目視観察できるため、位置合わせが正確かつ容易となる。
【0039】
(b)外部端子が設けられる実装本体部の配線板(可撓性配線基板)が透明体となっていることから、外部端子とランドとの半田付け状態を目視検査できるため、実装の良否検査が容易となるとともに、実装の信頼性を高めることができる。
【0040】
(c)半導体装置の半導体チップを搭載した重畳部は、実装後外部端子が配置された実装本体部上に重ねれば良いことから、実装本体部には中央部分をも含めて全域に外部端子を配置できるため半導体装置は小型となり、実装面積の縮小化が達成できる。
【0041】
前記(9)の手段によれば、(a)実装は実装本体部のスルーホール内に外部端子とランドを接続する接合材が吸い上げられているか否かを目視等で確認することによって行えるため、実装の良否検査が正確かつ容易となる。
【0042】
(b)実装後スルーホール内に吸い上げられた接合材にプローブ・ピンを当ててインサーキット・テスト等の電気特性検査を行うことができる。
【0043】
(c)半導体装置の半導体チップを搭載した重畳部は、実装後外部端子が配置された実装本体部上に重ねれば良いことから、実装本体部には中央部分をも含めて全域に外部端子を配置できるため半導体装置は小型となり、実装面積の縮小化が達成できる。
【0044】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0045】
(実施形態1)
図1乃至図6は本発明の一実施形態(実施形態1)の半導体装置を示す図であり、図1は半導体装置の外観を示す斜視図、図2は重畳部を半開き状態とした半導体装置の模式的斜視図、図3は半導体装置の正面図、図4は展開状態の半導体装置を示す模式的底面図、図5は展開状態の半導体装置において封止体の一部を除いた状態を示す模式的底面図、図6は展開状態の半導体装置の一部を示す拡大断面図である。
【0046】
本実施形態1の半導体装置は、表面実装型の半導体装置となり、下面にバンプ状の外部端子を複数列格子状に配置したグリッドアレイ構造となり、従来のBGA型半導体装置と同様な構造となっている。
【0047】
本実施形態1の半導体装置1は、外観的には図1および図2に示すように、可撓性(フレキシブル)の配線板(配線基板)2を中間の折返部3で折り返した構造となっている。積層されたもののうち、下部は実装本体部4を形成し、その下面には半田で形成された複数の外部端子6がグリッドアレイ状に設けられている。また、上部は重畳部5を形成し、上面には半導体チップ等を封止した封止体7が設けられている。
【0048】
可撓性の配線板(可撓性配線基板)2は、図4〜図6に示すように絶縁性の透明(光透過性)の樹脂フィルム8と、この樹脂フィルム8の裏面に形成された所望パターンの配線10と、前記配線10を部分的に被う絶縁性の保護膜13とからなっている。前記樹脂フィルム8は、たとえばポリイミドフィルムで形成されている。また、配線10は酸化錫と酸化アンチモンの化合物からなる透明な膜で形成されている。この配線10はポリイミドフィルムの表面に酸化錫と酸化アンチモンの化合物を蒸着した後所望のパターンにエッチングすることによって形成される。また、前記保護膜13はポリイミド樹脂によって形成されている。
【0049】
配線10は前記実装本体部4から折返部3を通って重畳部5に亘って延在している。重畳部5では、配線10の先端は可撓性配線基板2に接着剤11を介して固定される半導体チップ12の近傍に延在している。また、実装本体部4では、配線10の先端部分には半田バンプ電極からなる外部端子6が固定されている。なお、図4および図5では、一部の外部端子6から配線10を延在させ、他部の外部端子6からは配線10を延在させてないが、実際は全ての外部端子6から配線10が重畳部5に向かって延在している(以下、同様の図でも同じ)。
【0050】
半導体チップ12は、前述のように接着剤11を介して可撓性配線基板2に固定されている。また、半導体チップ12の電極と、この半導体チップ12に近接する配線10の先端部分は、導電性のワイヤ14によって電気的に接続されている。
【0051】
また、前記半導体チップ12を取り囲むように絶縁性のプラスチックからなる矩形体の樹脂流れ止め枠15が絶縁性の接着剤16を介して可撓性配線基板2に固定されている。この樹脂流れ止め枠15内には所定の厚さに絶縁性の樹脂17が充填されて封止体7が形成されている。前記封止体7は前記半導体チップ12やワイヤ14を封止している。
【0052】
本実施形態1において、前記実装本体部4に積み重ねられる重畳部5は、実装本体部4に重ねただけの状態でも良いが、その取扱時、重畳部5が動かないようにするため、接着テープや接着剤によって実装本体部4に仮固定させておく(固定手段)と良い。
【0053】
また、本実施形態1の半導体装置1は、図3に示すように、重畳部5を開いて実装本体部4,折返部3,重畳部5を同一平面上に展開した状態で保管することもできる。
【0054】
本実施形態1の半導体装置1においては、前記可撓性配線基板2は透明体で形成されている。このため、図2および図3に示すように、折返部3を中心に重畳部5を開いて重畳部5を実装本体部4上から外した状態では、可撓性配線基板2を通して可撓性配線基板2の裏面に設けられた外部端子6を目視することができる。図2では、可撓性配線基板2を通して目視できる外部端子6の状態をハッチングを施して示す(以下、平面図および底面図でハッチングを施した配線10部分は外部端子6を指す)。
【0055】
つぎに、本実施形態1の半導体装置1の製造方法について説明する。
【0056】
図7乃至図12は本実施形態1の半導体装置の製造方法に係わる図であって、図7は製造に使用する配線フレームの模式的平面図、図8は樹脂流れ止め枠を固定した配線フレームを示す模式的平面図、図9は配線フレームに半導体チップを固定した状態を示す模式的平面図、図10はワイヤボンディングがなされた配線フレームを示す模式的平面図、図11は封止体が形成された配線フレームを示す模式的平面図、図12は外部端子が形成された配線フレームを示す模式的平面図である。
【0057】
最初に配線フレーム20を用意する。この配線フレーム20は、可撓性の透明なポリイミドフィルムに配線を形成した配線板となり、単位パターンは図7に示すように、細長矩形状の可撓性配線基板部21と、この可撓性配線基板部21の外側に延在する矩形枠状のフレーム部22と、前記フレーム部22と配線フレーム20とを接続する吊り部23とからなっている。吊り部23は、可撓性配線基板部21の4隅と可撓性配線基板部21の一対の長辺の中央にそれぞれ設けられている。配線フレーム20のパターンは、ポリイミドフィルムをプレスによって打ち抜くことによって形成される。また、必要ならば、前記フレーム部22の縁に沿って、ガイド孔や位置決め孔を設けておいても良い。また、製造においては、前記配線フレーム20は多連フレーム状あるいはテープ状であっても良い。
【0058】
前記可撓性配線基板部21は、中央部分が折返部3、その左側の矩形部分が実装本体部4、その右側の矩形部分が重畳部5となる。折返部3部分は前記吊り部23で吊られている。
【0059】
前記可撓性配線基板部21には、図7に示すように、配線10が設けられている。この配線10は、絶縁性の樹脂フィルム8、たとえば、ポリイミドフィルム8の表面に、酸化錫と酸化アンチモンの化合物を蒸着した後所望のパターンにエッチングすることによって形成される。配線10は実装本体部4から折返部3を通って重畳部5にまで到達している。
【0060】
重畳部5の中央の矩形部分は半導体チップ搭載領域となるが、前記配線10の先端は、この半導体チップ搭載領域に向かって先端を臨ませるパターンとなっている。また、実装本体部4においては、配線10の先端は、円形のバンプ電極用の台座24を形成するようになっている。これら台座24はグリッドアレイ状に配置されている。
【0061】
また、前記配線10においては、半導体チップ搭載領域に臨む先端部分および台座24を除く部分は、ポリイミド樹脂からなる絶縁性の保護膜13で被われている(図6参照、図6および図27以外では保護膜13は省略)。
【0062】
つぎに、図8に示すように、配線フレーム20の可撓性配線基板部21の重畳部5に樹脂流れ止め枠15を接着剤16を介して固定する(図6参照)。すなわち、半導体チップ搭載領域を囲むように樹脂フィルム8に絶縁性のプラスチックからなる樹脂流れ止め枠15を固定する。前記樹脂流れ止め枠15の内側には、配線10の先端部分が延在する。前記樹脂流れ止め枠15は、後に行う樹脂封止の際、溶けた樹脂の流出を防止する働きをする。
【0063】
つぎに、図9に示すように、重畳部5の中央の半導体チップ搭載領域に半導体チップ12を接着剤11を介して固定する(図6参照)。この場合、半導体チップ12を接着テープを用いて樹脂フィルム8に固定しても良い。
【0064】
つぎに、図10に示すように、ワイヤボンディングを行い、前記半導体チップ12の図示しない電極と、半導体チップ12に近接する配線10の先端部分を導電性のワイヤ14で接続する(図6参照)。
【0065】
つぎに、図11に示すように、前記樹脂流れ止め枠15内の樹脂フィルム8上に樹脂17を充填して硬化させて封止体7を形成する。これによって、半導体チップ12,ワイヤ14および樹脂流れ止め枠15内の配線10等は、封止体7で封止される(図6参照)。
【0066】
つぎに、図12に示すように、配線10の実装本体部4側の先端の台座24上に半田ボールを載せて溶融させ、バンプ電極となる外部端子6を形成する(図6参照)。
【0067】
つぎに、前記配線フレーム20において、吊り部23を矩形状の可撓性配線基板部21の縁に沿って切断し、図4に示すように可撓性配線基板2からなり、実装本体部4,折返部3,重畳部5とからなる半導体装置1を製造する。
【0068】
本実施形態1の半導体装置1は、図3に示すように、重畳部5を開いて実装本体部4,折返部3,重畳部5を同一平面上に展開した状態で保管しても良く、また、図1に示すように、重畳部5を折返部3の部分で折り返して実装本体部4に重ねた状態で保管しても良い。なお、積み重ねた状態で半導体装置1を保管する場合、重畳部5が実装本体部4からずれるのを嫌う場合は、重畳部5を実装本体部4に対して接着テープ(弱粘着性テープ)や接着剤(弱粘着性接着剤)で仮固定させておくと良い。
【0069】
つぎに、本実施形態1の半導体装置1の実装について説明する。図13乃至図15は本実施形態1の半導体装置の実装状態を示す図であり、図13は半導体装置の実装開始状態を示す模式図、図14は半田付け後重畳部を途中まで反転させた状態の半導体装置を示す正面図、図15は半田付け後重畳部を実装本体部に重ね合わせた状態を示す半導体装置の正面図である。
【0070】
本実施形態1の半導体装置1を実装基板30に実装する際、図13に示すように、半導体装置1を展開状態にして実装基板30のランド(配線)31上に実装本体部4の外部端子6を重ね、外部端子6を一時的に加熱して溶解(半田リフロー処理)することによって外部端子6をランド31に固定できる。
【0071】
外部端子6をランド31上に正確に重ねる位置決め作業は、可撓性配線基板2が透明体となっていることから、可撓性配線基板2を通してランド31および外部端子6を目視できるため、容易かつ正確に行える。また、半田リフロー処理後のランド31と外部端子6との接続の良否検査も可撓性配線基板2を通して目視できるので、実装の良否の検査が容易かつ確実となる。
【0072】
半田付け状態が悪い場合、あるいは半田ブリッジ等の不良現象が発生している場合は、実装した半導体装置1を取り外し、再度新たな半導体装置1の実装を行う。
【0073】
透明な可撓性配線基板2を通して可撓性配線基板2の裏面の外部端子6を目視できる状態を図2に示す。同図には、透視像として外部端子6のみをハッチングを施して表示してある。
【0074】
つぎに、図14および図15に示すように、重畳部5を矢印のように反転させ、重畳部5を実装本体部4上に重ねる。この際、接着剤や接着テープを使用して重畳部5を実装本体部4に固定する。この固定は必要に応じて重畳部5を実装本体部4から剥離できる固定でも良い。この場合、重畳部5が実装本体部4から剥離できるため、必要に応じてランド31と外部端子6の半田付け状態を確認できることになる。
【0075】
本実施形態1の半導体装置1は、下面に外部端子6を有する実装本体部4の上に重畳部5を折返部3で折り返して重ねる構造となっていることと、実装本体部4,折返部3,重畳部5と連なる部分は透明の可撓性配線基板2で形成されていることから、重畳部5を実装本体部4に重ねない状態では可撓性配線基板2の裏面の外部端子6を目視できる。
【0076】
したがって、半導体装置1を実装基板に実装した状態でも、実装本体部4に重畳部5を重ねない状態で可撓性配線基板2を通して可撓性配線基板2の裏面の外部端子6の半田付け状態を目視で観察できるため、半田付けの良否を容易かつ正確に検査することができる。
【0077】
また、半導体チップを搭載した重畳部5は、実装後外部端子6が配置された実装本体部4上に重ねれば良いことから、実装本体部4には中央部分をも含めて全域に外部端子6を配置でき、半導体装置1の小型化および実装面積の縮小化を図ることができる。
【0078】
すなわち、従来の表面実装型導体装置で、外部端子の半田付け状態(実装状態)を目視できるようにするため基板を透明体としたものや、実装部分をスルーホールとして半田の吸い上がり状態から半田付け(実装)の良否を検査するものであっても、半導体チップを取り付ける基板部分には外部端子を設けることができないが、本実施形態1の半導体装置では、半導体チップの搭載部分に対応する実装本体部4にも外部端子6を設けることができるため、半導体装置1の小型化および多ピン化が達成できることになる。
【0079】
本実施形態1の半導体装置1は、実装本体部4の下面に半田によってバンプ電極を形成する際、バンプ電極形成後、実装本体部4のみを薬品に浸け、半導体チップが搭載された重畳部5を薬品に浸けないようにできる構造となっていることから、半田フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成することができるため、半導体装置1の製造コストの低減が達成できる。
【0080】
すなわち、配線基板の下面に外部端子を設けた従来のBGA型半導体装置の場合、配線基板の下面の外部端子(バンプ電極)を薬品で洗浄して半田フラックスを除去しようとすると、配線基板の上面のパッケージ部分にも薬品が付き易く薬品洗浄ができないため、バンプ電極形成コストが高くなる半田フラックスを使用しない無洗浄タイプの半田を使用せざるを得ない。しかし、本実施形態1の半導体装置1では、重畳部5をクランプし、外部端子6(バンプ電極)が形成された実装本体部4のみを薬品中に浸けて半田フラックスの洗浄除去処理を行うことができる。
【0081】
本実施形態1による半導体装置の製造方法では、透明なポリイミドフィルム(樹脂フィルム)8を主体として形成された配線板(配線フレーム20)を用い、従来確立されたリードフレームによる半導体装置製造技術と同様に製造が行えるため、高品質の折り返し重畳構造のBGA型半導体装置を生産性良く製造することができる。
【0082】
また、製造された半導体装置1は、重畳部5が外部端子6に接着剤や接着テープで仮固定されるため、取扱性が優れた半導体装置となる。
【0083】
本実施形態1の半導体装置1の実装方法においては、外部端子6が設けられる実装本体部4の配線板(可撓性配線基板)2が透明体となっていることから、外部端子6を実装基板30のランド31に重ね合わせる際、ランド31と外部端子6の重なり具合を目視観察できるため、位置合わせが正確かつ容易となる。
【0084】
本実施形態1の半導体装置1の実装方法においては、外部端子6が設けられる実装本体部4の配線板(可撓性配線基板)2が透明体となっていることから、外部端子6とランド31との半田付け状態を目視検査できるため、実装の良否検査が容易となるとともに、実装の信頼性を高めることができる。
【0085】
本実施形態1の半導体装置1の実装においては、半導体装置1の半導体チップを搭載した重畳部5は、実装後外部端子6が配置された実装本体部4上に重ねれば良いことから、実装本体部4には中央部分をも含めて全域に外部端子6を配置できるため半導体装置1は小型となり、実装面積の縮小化が達成できる。
【0086】
なお、本実施形態1の半導体装置1は、実装時、必ずしも実装本体部4上に重畳部5を積み重ねる構造としなくとも良い。すなわち、図14に示すように、重畳部5を上方に直立させるようにした状態としても良い。この場合、重畳部5は支持体(保持具)等によって支持する必要がある。このような実装構造では、可撓性配線基板2を通して常時外部端子6の半田付け状態を目視確認することができるとともに、重畳部5の表裏面が大気と接していることから、放熱効果が高くなる。
【0087】
(実施形態2)
図16および図17は本発明の他の実施形態(実施形態2)である半導体装置に係わる図であり、図16は半導体装置の斜視図、図17は展開状態の半導体装置の模式的底面図である。
【0088】
本実施形態2の半導体装置1は、重畳部5を実装本体部4に着脱自在に固定できる固定手段を有するものである。すなわち、図17に示すように、実装本体部4の両側に嵌合孔35を有する嵌合雌部36を張り出し形成しておくとともに、これら嵌合雌部36に対応して重畳部5の両側に前記嵌合孔35に挿入嵌合する突子37を形成しておく。
【0089】
そして、図16に示すように、重畳部5を折返部3で折り返して実装本体部4上に重畳部5を重ね合わせた後、前記嵌合雌部36を引っ張って曲げ、突子37を嵌合孔35に挿入嵌合させる。これによって、重畳部5は実装本体部4に固定されることになり、移動しても重畳部5が実装本体部4から外れることがなく取扱性が向上する。
【0090】
(実施形態3)
図18および図19は本発明の他の実施形態(実施形態3)である半導体装置に係わる図であり、図18は半導体装置の模式的正面図、図19は展開状態の半導体装置の模式的正面図である。
【0091】
本実施形態3の半導体装置1は、折返部3に加わるストレスの緩和のため、折り返し形状規定手段を設けて折返部3の曲率半径を大きくした構造となっている。
【0092】
すなわち、前記実施形態1では、配線10および外部端子6ならびに半導体チップ12等を、可撓性配線基板2の同一面に形成したものであり、重畳部5を実装本体部4に折り返して積み重ねた場合、実装重畳部5の可撓性配線基板2の部分が実装本体部4の可撓性配線基板2の部分に直接接触する構造となり、折返部3の曲率半径が小さくなり、折返部3に大きな力が作用する。
【0093】
そこで、本実施形態3の半導体装置1では、図19に示すように、可撓性配線基板2の一面側に外部端子6を形成するとともに、可撓性配線基板2の他面側に半導体チップ12や半導体チップ12を被う封止体7や樹脂流れ止め枠15を形成する構造となっている。そして、図示はしないが、配線10は可撓性配線基板2の両面に設けられている。この表裏の配線10は、可撓性配線基板2に設けられたスルーホールに充填される導体を介して電気的に接続されている。
【0094】
本実施形態3の半導体装置1は、図18に示すように、重畳部5を折返部3で折り返して実装本体部4に重ねた状態では、実装本体部4の可撓性配線基板2部分に封止体7(樹脂流れ止め枠15)が載り、その上に重畳部5の可撓性配線基板2部分が位置するため、可撓性配線基板2で形成される折返部3の曲率半径は大きくなり、折返部3に大きな力が作用しなくなり、重畳部5は部分的に浮き上がることもなく実装本体部4に密着する。また、重畳部5を繰り返して折り返しても折返部3が劣化することがない。
【0095】
本実施形態3の半導体装置1は、実施形態1の半導体装置1と同様に可撓性配線基板2を通して外部端子6を目視できるとともに、多ピン化,小型化が図れる。また、製造においては半田フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成することができるため製造コストの低減が達成できる。
【0096】
(実施形態4)
図20および図21は本発明の他の実施形態(実施形態4)である半導体装置に係わる図であり、図20は半導体装置の模式的正面図、図21は展開状態の半導体装置の模式的正面図である。
【0097】
本実施形態4の半導体装置1は、折り返し形状規定手段を設けて折返部3の折り返しによる曲率半径が常に一定にできる構造、換言するならば、折返部3の曲率半径を必要以上小さくせずに折返部3が繰り返しの折り返しで破損し難くするものである。
【0098】
本実施形態4の半導体装置1は、図21に示すように、折返部3に円柱状の曲げ保持心棒40が接着剤を介して固定されている。
【0099】
したがって、図20に示すように、重畳部5を折返部3で折り返して実装本体部4に重ねた場合、折返部3は曲げ保持心棒40の太さよりも小さい曲率半径で折り返えされることはなく、小さ過ぎる曲率半径となることによる折返部3部分への過大のストレスの発生はなくなる。したがって、繰り返して折返部3部分で重畳部5を折り返しても、折返部3部分が劣化することは防止できる。
【0100】
また、重畳部5の折り返し時、曲げ保持心棒40に沿うように折返部3を曲げることによって、半導体装置1の外観形状は常に一定となり、外観も安定し、商品性が高くなる。
【0101】
なお、前記実施形態3の半導体装置の場合をも含み、樹脂流れ止め枠15の折返部3側の端を円弧状の形状とすれば、折返部3を樹脂流れ止め枠15の折返部3側の端の形状に沿わせて折り返すことができる。
【0102】
本実施形態4の半導体装置1は、実施形態1の半導体装置1と同様に可撓性配線基板2を通して外部端子6を目視できるとともに、多ピン化,小型化が図れる。また、製造においては半田フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成することができるため製造コストの低減が達成できる。
【0103】
(実施形態5)
図22乃至図24に図示された実施形態は特許請求の範囲に記載された発明を説明するものではないが、本発明に係る実施形態と同様集積度の高い半導体装置の実装方法を実現する実施形態(実施形態5)を説明する図であり、図22は半導体装置の外観を示す斜視図、図23は半導体装置の模式的正面図、図24は展開状態の半導体装置の模式的正面図である。
【0104】
本実施形態5の半導体装置1は、小型化・高集積化を図る構造であり、可撓性配線基板2の重畳部5に半導体チップを組み込んだ封止体7(樹脂流れ止め枠15)を有するとともに、可撓性配線基板2の実装本体部4の外部端子6が設けられた面の反対面にも半導体チップを組み込んだ封止体7(樹脂流れ止め枠15)を配置したものである。これによって、半導体装置1の高集積化,多ピン化,小型化が図れることになる。
【0105】
図24に示す展開状態の半導体装置1において、重畳部5を折返部3で折り返して実装本体部4に積み重ねることによって、図23および図22に示すような半導体装置1を得る。本実施形態では実装本体部4および重畳部5において、可撓性配線基板2の同一面に封止体7を設け、重畳部5を折り返した際、実装本体部4の封止体7上に重畳部5の封止体7が重なる構成(折り返し形状規定手段)となっていることから、折返部3の曲率半径が大きくなる。
【0106】
本実施形態4の半導体装置1は、実施形態1の半導体装置1と同様に多ピン化,小型化が図れる。また、製造においては半田フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成することができるため製造コストの低減が達成できる。
【0107】
(実施形態6)
図25乃至図28は本発明の他の実施形態(実施形態6)である半導体装置に係わる図であり、図25は重畳部を半開き状態とした半導体装置を示す斜視図、図26は半導体装置の模式的正面図、図27は展開状態の半導体装置の一部を示す拡大断面図、図28は半導体装置の実装状態における半田付け状態を示す一部の拡大断面図である。
【0108】
本実施形態6の半導体装置1は、本実施形態1の半導体装置1において、半田付け実装部分(外部端子6)がHGA構造となるものである。
【0109】
すなわち、図25および図27に示すように、透明な可撓性配線基板2の実装本体部4には、グリッドアレイ状にスルーホール50が設けられているとともに、これらのスルーホール50の内周面およびその縁には導体層51が設けられている。この導体層51が外部端子6となる。したがって、各導体層51は配線10と電気的に接続されている。実施形態では導体層51と配線10は別々に形成されているが、同時に形成し一体構造としても良い。
【0110】
本実施形態6の半導体装置1を実装基板30に実装する場合は、半導体装置1の実装本体部4の下面の外部端子6を、実装基板30のランド31に位置決めして重ねた後、前記ランド31にあらかじめ設けられた半田バンプをリフローする。溶けた半田は導体層51に濡れるとともに、表面張力によってスルーホール50内に入り上昇し、スルーホール50の上面側にまで到達する。なお、半田バンプは、前記導体層51に設けずに実装基板30のランド31に設けておいても良い。
【0111】
この結果、前記実装基板30のランド31と、実装本体部4の外部端子6が半田53で接続されたか否かは、スルーホール50内に半田53が吸い上げられているか否かを目視確認することによって正確に分かる。また、本実施形態6の半導体装置1の可撓性配線基板2は、透明体となっていることから、半田付け状態を可撓性配線基板2を通して目視検査することもできる。
【0112】
なお、半田バンプは導体層51側に形成しておいても良い。
【0113】
本実施形態6の半導体装置1は、実装基板30に実装された状態では、半田付け部分は可撓性配線基板2を突き抜けて露出している。すなわち、半田付け部分はスルーホール50内に充填された半田53として露出するため、この露出した半田53にプローブ・ピンを当てることができる。したがって、従来のBGA型半導体装置では行えなかったインサーキット・テスト等の電気特性検査が行える。
【0114】
前記スルーホール50は、実装本体部4に半導体チップが組み込まれた重畳部5を、実装後に積み重ねる構造となっていることから、実装本体部4には半導体チップの位置に関係なくスルーホール50、すなわち、外部端子6を配置できるため、実装本体部4の中央部分にも外部端子6を配置できる。この結果、半導体装置1の小型化が達成できるとともに、実装面積の縮小化が達成できる。
【0115】
本実施形態6の半導体装置1は、実施形態1の半導体装置1と同様に可撓性配線基板2を通して外部端子6を目視できるとともに、多ピン化,小型化が図れる。
【0116】
本実施形態6の半導体装置1において、可撓性配線基板2は透明体でなくとも良い。すなわち、半導体装置1の外部端子6と、実装基板30のランド31との半田付け状態は、半導体装置1の実装本体部4に設けられたスルーホール50内に半田53が吸い上げられたか否かを目視で検査できることから、実装本体部4の可撓性配線基板2部分が不透明体であっても特に支障はない。すなわち、実装本体部4の全域にスルーホール50を設けて外部端子6を形成できることから、半導体装置1の小型化が図れる。また、外部端子6をグリッドアレイ状に配置することから、多ピン化が達成できる。また、前記スルーホール50内に吸い上げられた半田53にプローブ・ピンを当てることによってインサーキット・テスト等の電気特性検査が可能となる。さらに、実装本体部4の導体層51部分に半田バンプを形成する場合、前記実施形態1の場合と同様に、封止体7等を薬品に浸けることなく外部端子6(半田バンプ)の洗浄が行えることから、半田フラックスを使用する半田によって半田バンプを形成することができ、半導体装置1の製造コストの低減が図れる。
【0117】
(実施形態7)
図29乃至図31は本発明の他の実施形態(実施形態7)である半導体装置に係わる図であり、図29は半導体装置の外観を示す斜視図、図30は半導体装置の模式的正面図、図31は展開状態の半導体装置の模式的平面図である。
【0118】
本実施形態7の半導体装置1は、外部端子6部分がスルーホール50と導体層51で形成されるHGA構造の例であり、実装本体部4において周辺部分にスルーホール50を配置した構造である。本実施形態7の半導体装置1は、実装本体部4の上面中央部分に封止体7(樹脂流れ止め枠15)を配置した構造となっている。図示はしないが、前記封止体7の内部には半導体チップが配置され、かつ半導体チップの電極と配線とはワイヤを介して電気的に接続されている。半導体チップは、実装本体部4と重畳部5にそれぞれ搭載され、高集積化が図られている。
【0119】
樹脂流れ止め枠15および封止体7が配置される領域には、スルーホール50を設けることはできないため、スルーホール50は樹脂流れ止め枠15の外側の実装本体部4の領域に設けられている。したがって、本実施形態7の半導体装置1においては、図29乃至図31に示すように、実装本体部4は重畳部5よりも大きなものとなる。
【0120】
本実施形態7において、可撓性配線基板2は透明体であっても不透明体であっても良い。透明体の場合は、可撓性配線基板2を通して外部端子6を目視できるので、実装において半田付け状態を目視できる利点がある。
【0121】
本実施形態7の半導体装置1は、実施形態1の半導体装置1や実施形態6の半導体装置1と同様に小型化,多ピン化が図れる。さらに、スルーホール50内の吸い上げられた半田53にプローブ・ピンを当てることによってインサーキット・テスト等の電気特性検査を行うこともできる。
【0122】
(実施形態8)
図32および図33は本発明の他の実施形態(実施形態8)である半導体装置に係わる図であり、図32は半導体装置の外観を示す斜視図、図33は展開状態の半導体装置において各重畳部の封止体を部分的に取り除いた状態を示す底面図である。
【0123】
本実施形態8の半導体装置1は、実装本体部4に積み重ねる重畳部5を複数とした例を示すものであり、さらに多数の半導体チップを組み込んで高集積化,メモリ容量の増大や多機能化を図ったものである。
【0124】
本実施形態8の半導体装置1では、透明体からなる可撓性配線基板2(ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム8)は十文字状のパターンとなっている。そして、十文字状の左側矩形部55を実装本体部4とし、右側矩形部56,上側矩形部57,下側矩形部58および十文字の中心部分の中央矩形部59の4つを重畳部5としている。中央矩形部59とその周囲の左側矩形部55,右側矩形部56,上側矩形部57,下側矩形部58とは配線10によって所定パターンに接続されている。
【0125】
中央矩形部59と左側矩形部55,右側矩形部56,上側矩形部57,下側矩形部58との間には折返部3が設けられ、折返部3で順次折り返すことによって、実装本体部4上に中央矩形部59,右側矩形部56,上側矩形部57,下側矩形部58を積み重ねることができるようになっている。
【0126】
左側矩形部55には半田バンプ電極からなる外部端子6がグリッドアレイ状に配設されている。
【0127】
前記右側矩形部56,上側矩形部57,下側矩形部58,中央矩形部59の各重畳部5の可撓性配線基板2には、半導体チップ12が固定されるとともに、これら半導体チップ12の電極と配線10とは導電性のワイヤ14で電気的に接続されている。また、右側矩形部56,上側矩形部57,下側矩形部58,中央矩形部59の可撓性配線基板2には樹脂流れ止め枠15が半導体チップ12やワイヤ14等を囲むように固定されている。各樹脂流れ止め枠15内には半導体チップ12やワイヤ14等を被うように樹脂17が充填され、封止体7が形成されている。
【0128】
図33は本実施形態8の展開状態の半導体装置1を示すものである。このような展開状態の半導体装置1は、実装本体部4上に順次重畳部5を積み重ね、図32に示すような外観の半導体装置1として使用される。
【0129】
本実施形態8の半導体装置1は、図33に示すような展開状態でも保管できるし、図32に示すように、組み立てられた状態でも保管できる。図32のように組立状態の場合は、実装本体部4に積み重ねられる重畳部5が動かないようにしておくことが、破損等を考えた場合望ましい。すなわち、図32の状態では、たとえば、実装本体部4上に直接積み重ねられる実装本体部4を接着剤や接着テープによって仮止めし、その後実装本体部4に仮固定された重畳部5上に積み重ねられる重畳部5を接着剤や接着テープによって順次仮固定するようにする。
【0130】
これによって半導体装置1の取扱時、重畳部5がずれたりして半導体装置1の組立状態の形状が崩れなくなる。
【0131】
本実施形態8の半導体装置1は、重畳部5が複数となるが、実施形態1の半導体装置1の場合と同様に、実装本体部4の可撓性配線基板2が透明体となることから、実装後可撓性配線基板2を通して外部端子6の半田付け状態を目視検査することができる。
【0132】
本実施形態8の半導体装置1は、実施形態1の半導体装置1と同様に小型化,多ピン化が図れるとともに、さらに高集積化が達成できる。
【0133】
本実施形態8の半導体装置1は、実施形態1の半導体装置1と同様に、製造においては半田フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成することができるため製造コストの低減が達成できる。
【0134】
本実施形態8では、配線10は可撓性配線基板2の一面側にのみ設けた例としたが、可撓性配線基板2の両面に配線10を設け、表裏面の配線10をスルーホールに充填した導体で電気的に接続する構造としても良い。また、外部端子はスルーホールを利用したHGA構造としても良い。
【0135】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、前記実施形態では、配線10は透明な導電体よって形成したが、透明でない金属膜で形成しても良い。たとえば、配線はポリイミドフィルムに貼り付けた銅箔を所望のパターンにエッチングすることによって形成しても良い。この場合でも、透明な可撓性配線基板2を通して、かつ配線10と配線10との間から実装状態の外部端子6の半田付け性の良否を検査できる。
【0136】
また、半導体装置1は全体を可撓性の配線基板で形成したが、少なくとも折返部3だけが折り返し自在であれば良く、実装本体部4や重畳部5の部分は可撓体(非可撓体)でなくとも良い。たとえば、重畳部5を通常の可撓性でない配線基板で形成し、実装本体部4をガラスに導電性の透明な膜(酸化錫と酸化アンチモンの化合物からなる透明な膜)で配線を形成したものとしても良い。
【0137】
前記実施形態では、樹脂の流出を防止するための枠はプラスチックによる樹脂流れ止め枠を固定する手法を採用しているが、可撓性配線基板に直接絶縁性インキを印刷することによって形成しても良い。また、枠を使用せずに、トランスファモールドによって樹脂フィルム8に直接封止体7を形成しても良い。
【0138】
前記実施形態では半導体チップと配線との接続はワイヤによって接続していたが、半導体チップをフェイスダウンとしてフリップチップで接続したり、ビームリードを使用して接続するようにしても良い。
【0139】
前記実施形態では、重畳部は単一の半導体チップを搭載したものとしたが、複数の半導体チップの搭載やチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動部品を搭載したもの、すなわち混成集積回路(ハイブリッドIC)構成としても良い。
【0140】
前記実施形態では、外部端子は突出したバンプ電極としたが、リードを植え付けた構造としても良い。
【0141】
前記実施形態では、樹脂フィルムの裏面に所望パターンの配線を形成したが、配線は樹脂フィルムの両面に形成してもよく、また絶縁体で配線をカバーすることで多層の配線構造としてもよい。これらの場合、上下の各配線層はスルーホールで接続する。スルーホールの内周面およびその縁には導体層が設けられている。
【0142】
前記実施形態では、パッケージのみを取り上げているが、放熱フィンを上部に取り付けたり、放熱板を挟み込んで熱対策することもできる。
【0143】
本発明は少なくとも実装本体部の下面に外部端子を有し、前記実装本体部の上に順次重畳部を積み重ねる構造の半導体装置の製造技術および実装技術には適用できる。
【0144】
前記各実施形態では、外部端子を有する実装本体部4を1つとしたが、実装本体部4を複数としても良い。すなわち、可撓性配線基板2を多方向に延在して実装本体部4や重畳部5を複数有する半導体装置1において、実装本体部4や重畳部5の先に折返部3を設けて繰り返し実装本体部4や重畳部5を延在させる構造としても良い。この場合、複数の実装本体部4を平坦な実装基板に実装しても良く、また複数の異なる面を有する実装基板の各面に前記実装本体部4を実装し、それらの実装本体部4から延在する重畳部5を折返部3で折り返して各実装本体部4に積み重ねたり、または展開状態にさせ、もしくは直立状態として実装を行うようにしても良い。この場合、半導体装置1の小型化・多機能化が図れるばかりでなく、実装においては実装面積の狭小化,実装空間の有効利用化が図れる。また、半導体装置1は実装基板に搭載された部品上に実装することも可能である。また、重畳部は各々個別に製作し、折り返し部で接続して実施形態のような形態にしてもよい。その場合、各重畳部ごとにテスト後良品のみを使ってモジュール化できるため歩留りが向上する。
【0145】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0146】
(1)半導体装置は、折返部で自由に折り返しができ、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積み重ねる構造となっていることと、配線板(可撓性配線基板)が透明体であることから、重畳部を実装本体部に重ねない状態では配線板の裏面の外部端子を目視できる。したがって、半導体装置の外部端子を実装基板のランドに重ね合わせる際、ランドと外部端子の重なり具合を目視観察できるため、位置合わせが正確かつ容易となる。また、実装後、外部端子とランドとの半田付け状態を目視検査できるため、実装の良否検査が容易となるとともに、実装の信頼性を高めることができる。
【0147】
(2)半導体装置は重畳部を開くことによっていつでも配線板を通して配線板の裏面の外部端子を目視できるため、半導体装置を実装基板に実装した後でも外部端子の半田実装状態を目視検査できるため、実装本体部の配線板には、半導体チップ等が重なる部分にも外部端子を配置できることになり、半導体装置の小型化および多ピン化が図れる。したがって、半導体装置の小型化によって実装面積の縮小化を図ることができる。
【0148】
(3)実装本体部に複数の重畳部を順次積み重ねる構造では高集積化が達成できる。
【0149】
(4)半導体装置は、折返部で自由に折り返しができ、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積み重ねる構造となっているが、必要に応じて重畳部を実装本体部に接着剤や接着テープによって仮固定を含めて固定できるため、半導体装置の取扱性が向上する。
【0150】
(5)半導体装置は、実装本体部下面に半田によってバンプ電極を形成する際、バンプ電極形成後、実装本体部のみを薬品に浸け、半導体チップが搭載された重畳部を薬品に浸けないようにできるため、コストが高く付く無洗浄タイプの半田を用いることなく半田フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成することができるため、半導体装置の製造コストの低減が達成できる。
【0151】
(6)透明な樹脂フィルムを主体として形成された配線板を用い、従来確立されたリードフレームによる半導体装置製造技術と同様に製造が行えるため、高品質の折り返し重畳構造の半導体装置を生産性良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)である半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図2】本実施形態1の半導体装置において重畳部を半開き状態とした模式的斜視図である。
【図3】本実施形態1の展開状態の半導体装置を示す正面図である。
【図4】本実施形態1の半導体装置の展開状態を示す模式的底面図である。
【図5】本実施形態1の展開状態の半導体装置において封止体の一部を除いた状態を示す模式的底面図である。
【図6】本実施形態1の展開状態の半導体装置の一部の拡大断面図である。
【図7】本実施形態1の半導体装置の製造に使用する配線フレームの模式的平面図である。
【図8】本実施形態1の半導体装置の製造において配線フレームに樹脂流れ止め枠を固定した状態を示す模式的平面図である。
【図9】本実施形態1の半導体装置の製造において配線フレームに半導体チップを固定した状態を示す模式的平面図である。
【図10】本実施形態1の半導体装置の製造においてワイヤボンディングがなされた配線フレームを示す模式的平面図である。
【図11】本実施形態1の半導体装置の製造において封止体が形成された配線フレームを示す模式的平面図である。
【図12】本実施形態1の半導体装置の製造において外部端子が形成された配線フレームを示す模式的平面図である。
【図13】本実施形態1の半導体装置の実装開始状態を示す模式図である。
【図14】本実施形態1の半導体装置の実装において、半田付け後重畳部を途中まで反転させた状態を示す正面図である。
【図15】本実施形態1の半導体装置の実装において、半田付け後重畳部を実装本体部に重ね合わせた状態を示す正面図である。
【図16】本発明の他の実施形態(実施形態2)である半導体装置の斜視図である。
【図17】本実施形態2の展開状態の半導体装置の模式的底面図である。
【図18】本発明の他の実施形態(実施形態3)である半導体装置の正面図である。
【図19】本実施形態3の展開状態の半導体装置の正面図である。
【図20】本発明の他の実施形態(実施形態4)である半導体装置の正面図である。
【図21】本実施形態4の展開状態の半導体装置の正面図である。
【図22】本発明の他の実施形態(実施形態5)である半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図23】本実施形態5の半導体装置を示す正面図である。
【図24】本実施形態5の展開状態の半導体装置の正面図である。
【図25】本発明の他の実施形態(実施形態6)である半導体装置において重畳部を半開き状態とした斜視図である。
【図26】本実施形態6の半導体装置を示す正面図である。
【図27】本実施形態6の展開状態の半導体装置の一部を示す拡大断面図である。
【図28】本実施形態6の半導体装置の実装状態における半田付け状態を示す一部の拡大断面図である。
【図29】本発明の他の実施形態(実施形態7)である半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図30】本実施形態7の半導体装置を示す正面図である。
【図31】本実施形態7の展開状態の半導体装置を示す模式的平面図である。
【図32】本発明の他の実施形態(実施形態8)である半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図33】本実施形態8の展開状態の半導体装置において各重畳部の封止体を部分的に取り除いた状態を示す模式的底面図である。
【符号の説明】
1…半導体装置、2…可撓性配線基板、3…折返部、4…実装本体部、5…重畳部、6…外部端子、7…封止体、8…樹脂フィルム(ポリイミドフィルム)、10…配線、11…接着剤、12…半導体チップ、13…保護膜、14…ワイヤ、15…樹脂流れ止め枠、16…接着剤、17…樹脂、20…配線フレーム、21…可撓性配線基板部、22…フレーム部、23…吊り部、24…台座、30…実装基板、31…ランド、35…嵌合孔、36…嵌合雌部、37…突子、40…曲げ保持心棒、50…スルーホール、51…導体層、53…半田、55…左側矩形部、56…右側矩形部、57…上側矩形部、58…下側矩形部、59…中央矩形部。
Claims (6)
- 透明で可撓性の配線板であって、前記配線板は、第1の領域に設けられた外部端子群を含む外部端子部と、第2の領域に設けられた電子部品搭載領域と、前記電子部品搭載領域と前記外部端子部を電気的に接続する少なくとも一つの折返部と、前記電子部品搭載領域に搭載された少なくとも半導体チップを含む電子部品とを備え、前記折返部で折り返えされたとき前記電子部品搭載領域が前記第1の領域上に重畳され前記外部端子群が前記第1の領域の下方に露出するように構成された配線板を用意する工程と、
前記外部端子群に対応するランド群が形成された実装基板を用意する工程と、
前記外部端子群を前記ランド群に重ねて加熱して前記外部端子群を前記ランド群に固定する工程と、
前記透明な配線板を通して前記外部端子群の接続状態を検査する工程と、
前記実装基板に固定された前記配線板を前記折返部で折り返し前記第1の領域上に前記電子部品が搭載された前記電子部品搭載領域を重ねる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 可撓性の配線板であって、該配線板は、第1の領域に設けられたスルーホールと該スルーホールの内壁とその縁に設けた導体層で形成された外部端子群を含む外部端子部と、第2の領域に設けられた電子部品搭載領域と、該電子部品搭載領域に搭載された少なくとも半導体チップを含む電子部品と、前記外部端子部と前記電子部品搭載領域を電気的に連結する少なくとも一つの折返部とを備え、前記折返部で折り返えされたとき前記電子部品搭載領域が前記第1の領域上に重畳され前記外部端子群が前記第1の領域の下方に露出するように構成された配線板を用意する工程と、
前記外部端子群に対応するランド群を有する実装基板を用意する工程と、
前記ランド群と対応する前記外部端子群が整合するように前記実装基板上に前記外部端子部を重ねる工程と、
前記ランド群または前記外部端子群にあらかじめ設けられた接合材を溶かして前記外部端子群を前記ランド群に接続する工程と、
前記外部端子部のスルーホール内に吸い上げられた接合材の有無によって前記外部端子群の接続状態を検査する工程と、
前記実装基板に固定された前記配線板を前記折返部で折り返し前記第1の領域上に前記電子部品が搭載された前記電子部品搭載領域を重ねる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 前記接合材を溶かして前記スルーホール部分の前記外部端子群を前記ランド群に接続した後、前記スルーホール内に吸い上げられた前記接合材にプローブ・ピンを当てて電気特性検査を行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の実装方法。
- 前記第1の領域上に前記第2の領域を積み重ね重畳部を形成する際、前記重畳部を接着剤や接着テープで固定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
- 前記配線板は、前記折返部で折り返されたとき前記外部端子群が前記電子部品の下方に配置されるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の実装方法。
- 前記配線板は、さらに前記第1の領域に設けられた電子部品搭載領域と該電子部品搭載領域に搭載された電子部品とを備え、前記外部端子群は前記第1の領域に設けられた電子部品搭載領域の周囲に配置されており、前記実装基板に固定された前記配線板を前記折返部で折り返したとき、前記第2の領域上に搭載された前記電子部品が前記第1の領域に搭載された前記電子部品上に重畳されるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の実装方法。
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