JP2003179186A - 半導体装置およびその製造方法ならびにその実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装検査が容易・確実で小型かつ高集積度の
半導体装置の提供。 【解決手段】 一面に外部端子を設けた配線板からなる
少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チッ
プを含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳
部と、前記実装本体部と前記重畳部のうち同種または異
種のものを電気的かつ機械的に連結する可撓性の配線板
からなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部
は前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳
部上に積み重ねられる構成となっている。前記実装本体
部および折返部ならびに重畳部の配線板は一体となりか
つ透明となる可撓性体（樹脂フィルム）で構成されてい
る。前記重畳部の電子部品搭載領域が重なる実装本体部
領域内にも外部端子が設けられている。前記重畳部は前
記実装本体部に固定手段（接着剤）によって固定されて
いる。前記半導体チップ（電子部品）の搭載領域は封止
体で被われている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は表面実装型の半導体
装置およびその製造方法ならびにその実装方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ等半導体装置の封止（パッ
ケージ）形態として、気密封止，非気密封止等がある。
また、半導体装置の実装形態の違いにより、リード挿入
型，表面実装型がある。

【０００３】たとえば、ＳＩＰ（Single Inline Packag
e)，ＺＩＰ (Zigzag Inline Package)，ＰＧＡ（Pin Gr
id Array) 等は基板の挿入孔にリードを挿入するリード
挿入型パッケージであり、ＳＯＰ (Small Outline L-Le
aded Package) ，ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Pac
kage) ，ＱＦＰ（Quad Flat Package)，ＱＦＪ（QuadFl
at J-Leaded Package) ，ＢＧＡ（Ball Grid Array)，
ＨＧＡ（Hall Grid Array)は表面実装型パッケージであ
る。

【０００４】前記ＳＯＰ，ＳＯＪは、ＩＣチップを封止
したパッケージの２方向にリードピン（リード）を出す
構造であり、前記ＱＦＰ，ＱＦＪはパッケージの４方向
にリードピンを出す構造である。

【０００５】また、ＰＧＡ，ＢＧＡはパッケージの下面
に複数列のピングリッドやボールグリッドを出す構造で
あり、ＨＧＡは基板を貫通するスルーホール状のグリッ
ドを有する構造である。

【０００６】前記ＨＧＡについては、日経ＢＰ社発行
「日経エレクトロニクス」1995年４月24日号(No.634)、
Ｐ20に記載されている。また、前記他のパッケージ技術
については、同社発行「ＶＬＳＩパッケージング技術
（上）」1993年５月15日発行、Ｐ76〜Ｐ84に記載されて
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のＳＯＰ，ＳＯ
Ｊ，ＱＦＰ，ＱＦＪ等ＱＦＰで代表される表面実装型半
導体装置では、パッケージの周辺にリード（外部端子）
が突出することから、実装基板に半導体装置を実装した
際、半田による実装部（半田実装部）が容易に目視で
き、実装の良否を容易に目視判断できる利点がある。

【０００８】しかし、昨今では半導体装置の高密度・高
集積・高機能化が図られる結果、信号ピン（リード）が
増大し、ピンピッチ（リードピッチ）が狭くなる傾向に
ある。このため、配線基板のランドとリードとを接続す
る半田が隣同士で接続するいわゆる半田ブリッジが発生
し、ショート不良を起こし易くなり、半田実装が難しく
なる。

【０００９】このような半田ブリッジ等の不良発生を防
止するためには、リードピッチを大きくすればよいが、
リードピッチを大きくするとパッケージが大型化する。

【００１０】一方、ＢＧＡ型半導体装置は、配線基板の
下面に信号ピン（リード）の変わりに外部端子としてバ
ンプ電極（ボール電極）を複数列に配設した構造（ボー
ルグリッド）となるため、外部端子ピッチを前記ＱＦＰ
等の表面実装型半導体装置に比較して広くとれ、半田ブ
リッジが起き難くできるとともに、パッケージの小型化
が図れる。

【００１１】特に、半導体チップの真下の配線基板部分
にボール電極を配置するものは、パッケージを略半導体
チップと同程度に小型化できるため、半導体装置の小型
化が図れ、実装面積を大幅に縮小できる（日経ＢＰ社発
行「日経エレクトロニクス」1995年１月16日号、No.62
6、Ｐ76〜Ｐ86)。

【００１２】しかし、この構造は配線基板が邪魔をし、
半田付け状態を目視検査することができないため、ボー
ル電極の接続信頼性の面で不安があった。

【００１３】そこで、配線基板を透明な材質で形成し、
ボール電極の半田付け状態を基板を通して確認できるも
の（日経ＢＰ社発行「日経マイクロデバイス」1994年10
月号、Ｐ17) や基板を貫通するスルーホールを信号ピン
の替わりに使用することで半田の吸い上がり状態を目視
検査できるＨＧＡが開発されている。

【００１４】しかし、この２つの構造の半導体装置は、
実装時の半田付け状態を目視する目的で開発された構造
であるため、半導体チップの真下部分にはボール電極や
スルーホールを設けることができず、パッケージが半導
体チップよりも遥に大型となる。

【００１５】本発明の目的は、実装時の実装状態が目視
できる小型の半導体装置およびその製造方法ならびにそ
の実装方法を提供することにある。

【００１６】本発明の他の目的は、実装時の実装状態が
目視できかつ集積度の高い小型の半導体装置およびその
製造方法ならびにその実装方法を提供することにある。

【００１７】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１９】（半導体装置） （１）一面に外部端子を設けた配線板からなる少なくと
も一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップを含む
電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳部と、前
記実装本体部と前記重畳部のうち同種または異種のもの
を電気的かつ機械的に連結する可撓性の配線板からなる
少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部は前記折
返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部上に積
み重ねられる構成となっている。一例では、前記実装本
体部および折返部３ならびに重畳部５はそれぞれ一つと
なっている。また、前記実装本体部および折返部ならび
に重畳部の配線板は一体となりかつ透明となる可撓性体
（樹脂フィルム）で構成されている。前記重畳部の電子
部品搭載領域が重なる実装本体部領域内にも外部端子が
設けられている。前記重畳部は前記実装本体部に接着剤
や接着テープによる固定手段によって固定されている。
前記半導体チップの搭載領域は封止体で被われている。

【００２０】（２）前記手段（１）の構成において、実
装本体部の上に複数の重畳部が前記実装本体部に連なる
折返部の折り返しによって積み重ねられている。

【００２１】（３）前記手段（２）の構成において、前
記実装本体部および重畳部の配線板は非可撓性体で形成
されている。

【００２２】（４）前記手段（１）の構成において、前
記外部端子は前記配線板を貫通するスルーホールの内壁
とその縁に設けた導体層によって形成されている。

【００２３】（５）前記手段（１）の構成において、前
記折返部の折り返し時の曲率半径を規定する折り返し形
状規定手段が設けられている。

【００２４】（半導体装置の製造方法） （６）一面に外部端子を設ける台座を有する配線板から
なる少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体
チップを含む電子部品を搭載する領域を有する配線板か
らなる一つの重畳部と、前記実装本体部と前記重畳部の
うち同種または異種のものを電気的かつ機械的に連結す
る可撓性の配線板からなる少なくとも一つの折返部とを
少なくとも有し、前記重畳部は前記折返部で折り返えさ
れて所定の実装本体部や重畳部上に積み重ねられる構成
の配線基板を用意する工程と、前記重畳部に半導体チッ
プを含む電子部品の搭載と電極と配線の電気的接続を行
う工程と、前記電子部品搭載領域を封止体で被う工程
と、前記実装本体部の台座に半田バンプ電極を形成する
工程と、前記配線板の不要部分を切断除去する工程と、
所定の折返部を折り返して所定の実装本体部上に重畳部
を積み重ねる工程とを有する。一例では、前記実装本体
部および折返部ならびに重畳部を形成する配線板は一枚
の透明な樹脂フィルム（配線フレーム）からなり、前記
実装本体部および折返部ならびに重畳部はそれぞれ一つ
となっている。また、前記実装本体部上に重畳部を積み
重ねる際、前記重畳部を接着剤や接着テープで仮固定す
る。

【００２５】（７）前記手段（６）の構成において、実
装本体部に設けられる外部端子は実装本体部を形成する
配線板に設けられたスルーホールの内壁とその縁に設け
た導体層（ＨＧＡ構造）とによって形成されている。

【００２６】（半導体装置の実装方法） （８）一面に外部端子を設けた透明な配線板からなる少
なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップ
を含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳部
と、前記実装本体部と前記重畳部のうち同種または異種
のものを電気的かつ機械的に連結する可撓性の配線板か
らなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部は
前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部
上に積み重ねられる半導体装置を実装基板に実装する方
法であって、前記実装基板のランド上に前記実装本体部
の外部端子を重ねて加熱して外部端子を前記ランドに固
定した後、前記実装本体部の透明な配線板を通して外部
端子の接続状態を検査（目視検査）し、その後前記実装
基板に固定した実装本体部上に前記重畳部を重ねる。前
記実装本体部上に重畳部を積み重ねる際、前記重畳部を
接着剤や接着テープで固定する。一例では、前記実装本
体部および折返部ならびに重畳部を形成する配線板は一
枚の透明な可撓性樹脂フィルムからなり、前記実装本体
部および折返部ならびに重畳部はそれぞれ一つとなって
いる。

【００２７】（９）配線板からなりかつ外部端子はスル
ーホールの内壁とその縁に設けた導体層で形成される少
なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップ
を含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳部
と、前記実装本体部と前記重畳部のうち同種または異種
のものを電気的かつ機械的に連結する可撓性の配線板か
らなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部は
前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部
上に積み重ねられる半導体装置を実装基板に実装する方
法であって、前記実装基板のランド上に前記実装本体部
の外部端子を重ねた後、前記ランドまたは外部端子にあ
らかじめ設けられた接合材を溶かして前記外部端子を前
記ランドに接続し、その後前記実装本体部のスルーホー
ル内に吸い上げられた接合材の有無によって外部端子の
接続状態を検査（目視検査）し、ついで前記実装基板に
固定した実装本体部上に前記重畳部を重ねる。前記接合
材を溶かして前記外部端子を前記ランドに接続した後、
前記実装本体部のスルーホール内に吸い上げられた接合
材にプローブ・ピンを当てて電気特性検査を行う。前記
実装本体部上に重畳部を積み重ねる際、前記重畳部を接
着剤や接着テープで固定する。一例では、前記実装本体
部および折返部ならびに重畳部を形成する配線板は一枚
の透明な可撓性樹脂フィルムからなり、前記実装本体部
および折返部ならびに重畳部はそれぞれ一つとなってい
る。

【００２８】（半導体装置）前記（１）の手段によれ
ば、（ａ）半導体装置は、折返部で自由に折り返しがで
き、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積み重ねる
構造となっていることと、配線板（可撓性配線基板）が
透明体であることから、重畳部を実装本体部に重ねない
状態では配線板の裏面の外部端子を目視できる。

【００２９】（ｂ）半導体装置は重畳部を開くことによ
っていつでも配線板を通して配線板の裏面の外部端子を
目視できるため、半導体装置を実装基板に実装した後で
も外部端子の半田実装状態を目視検査できるため、実装
本体部の配線板には、半導体チップ等が重なる部分にも
外部端子を配置できることになり、半導体装置の小型化
および多ピン化が図れる。

【００３０】（ｃ）半導体装置は、折返部で自由に折り
返しができ、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積
み重ねる構造となっているが、必要に応じて重畳部を実
装本体部に接着剤や接着テープによって仮固定を含めて
固定できるため、半導体装置の取扱性が向上する。

【００３１】（ｄ）半導体装置は、実装本体部４下面に
半田によってバンプ電極を形成する際、バンプ電極形成
後、実装本体部のみを薬品に浸け、半導体チップが搭載
された重畳部を薬品に浸けないようにできるため、コス
トが高く付く無洗浄タイプの半田を用いることなく半田
フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成す
ることができるため、半導体装置の製造コストの低減が
達成できる。

【００３２】前記（２）の手段によれば、実装本体部に
複数の重畳部を積み重ねることができるため、前記手段
（１）の構成による効果に加えて更なる高集積化が達成
できる。

【００３３】前記（３）の手段によれば、実装本体部お
よび重畳部の配線板は非可撓性体となっているが、実装
本体部と重畳部を電気的かつ機械的に連結する折返部は
可撓性の配線板で形成されていることから、前記手段
（１）の構成による効果を得ることができる。

【００３４】前記（４）の手段によれば、実装本体部に
設けられる外部端子は、配線板を貫通するスルーホール
の内壁とその縁に設けた導体層によって形成されている
ことから、実装時、スルーホール内に吸い上がる半田
（接合材）の有無を観察できるため、外部端子を半導体
チップ等が重ねられる実装本体部の領域にも配置でき、
半導体装置の小型化，多ピン化が達成できる。

【００３５】前記（５）の手段によれば、半導体装置の
折返部には折り返し形状規定手段が設けられていて、折
返部を折り返す際、折返部に大きなストレスが掛かるよ
うな小さな曲率半径で曲がることがないようにされてい
ることから、折返部で繰り返して折り返し動作しても折
返部が劣化しない。

【００３６】（半導体装置の製造方法）前記（６）の手
段によれば、透明な樹脂フィルムを主体として形成され
た配線板（配線フレーム）を用い、従来確立されたリー
ドフレームによる半導体装置製造技術と同様に製造が行
えるため、高品質の折り返し重畳構造のＢＧＡ型の半導
体装置を生産性良く製造することができる。

【００３７】前記（７）の手段によれば、透明な樹脂フ
ィルムを主体として形成された配線板（配線フレーム）
を用い、従来確立されたリードフレームによる半導体装
置製造技術と同様に製造が行えるため、高品質の折り返
し重畳構造のＨＧＡ型の半導体装置を生産性良く製造す
ることができる。

【００３８】（半導体装置の実装方法）前記（８）の手
段によれば、（ａ）外部端子が設けられる実装本体部の
配線板（可撓性配線板）が透明体となっていることか
ら、外部端子を実装基板のランドに重ね合わせる際、ラ
ンドと外部端子の重なり具合を目視観察できるため、位
置合わせが正確かつ容易となる。

【００３９】（ｂ）外部端子が設けられる実装本体部の
配線板（可撓性配線基板）が透明体となっていることか
ら、外部端子とランドとの半田付け状態を目視検査でき
るため、実装の良否検査が容易となるとともに、実装の
信頼性を高めることができる。

【００４０】（ｃ）半導体装置の半導体チップを搭載し
た重畳部は、実装後外部端子が配置された実装本体部上
に重ねれば良いことから、実装本体部には中央部分をも
含めて全域に外部端子を配置できるため半導体装置は小
型となり、実装面積の縮小化が達成できる。

【００４１】前記（９）の手段によれば、（ａ）実装は
実装本体部のスルーホール内に外部端子とランドを接続
する接合材が吸い上げられているか否かを目視等で確認
することによって行えるため、実装の良否検査が正確か
つ容易となる。

【００４２】（ｂ）実装後スルーホール内に吸い上げら
れた接合材にプローブ・ピンを当ててインサーキット・
テスト等の電気特性検査を行うことができる。

【００４３】（ｃ）半導体装置の半導体チップを搭載し
た重畳部は、実装後外部端子が配置された実装本体部上
に重ねれば良いことから、実装本体部には中央部分をも
含めて全域に外部端子を配置できるため半導体装置は小
型となり、実装面積の縮小化が達成できる。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００４５】（実施形態１）図１乃至図６は本発明の一
実施形態（実施形態１）の半導体装置を示す図であり、
図１は半導体装置の外観を示す斜視図、図２は重畳部を
半開き状態とした半導体装置の模式的斜視図、図３は半
導体装置の正面図、図４は展開状態の半導体装置を示す
模式的底面図、図５は展開状態の半導体装置において封
止体の一部を除いた状態を示す模式的底面図、図６は展
開状態の半導体装置の一部を示す拡大断面図である。

【００４６】本実施形態１の半導体装置は、表面実装型
の半導体装置となり、下面にバンプ状の外部端子を複数
列格子状に配置したグリッドアレイ構造となり、従来の
ＢＧＡ型半導体装置と同様な構造となっている。

【００４７】本実施形態１の半導体装置１は、外観的に
は図１および図２に示すように、可撓性（フレキシブ
ル）の配線板（配線基板）２を中間の折返部３で折り返
した構造となっている。積層されたもののうち、下部は
実装本体部４を形成し、その下面には半田で形成された
複数の外部端子６がグリッドアレイ状に設けられてい
る。また、上部は重畳部５を形成し、上面には半導体チ
ップ等を封止した封止体７が設けられている。

【００４８】可撓性の配線板（可撓性配線基板）２は、
図４〜図６に示すように絶縁性の透明（光透過性）の樹
脂フィルム８と、この樹脂フィルム８の裏面に形成され
た所望パターンの配線１０と、前記配線１０を部分的に
被う絶縁性の保護膜１３とからなっている。前記樹脂フ
ィルム８は、たとえばポリイミドフィルムで形成されて
いる。また、配線１０は酸化錫と酸化アンチモンの化合
物からなる透明な膜で形成されている。この配線１０は
ポリイミドフィルムの表面に酸化錫と酸化アンチモンの
化合物を蒸着した後所望のパターンにエッチングするこ
とによって形成される。また、前記保護膜１３はポリイ
ミド樹脂によって形成されている。

【００４９】配線１０は前記実装本体部４から折返部３
を通って重畳部５に亘って延在している。重畳部５で
は、配線１０の先端は可撓性配線基板２に接着剤１１を
介して固定される半導体チップ１２の近傍に延在してい
る。また、実装本体部４では、配線１０の先端部分には
半田バンプ電極からなる外部端子６が固定されている。
なお、図４および図５では、一部の外部端子６から配線
１０を延在させ、他部の外部端子６からは配線１０を延
在させてないが、実際は全ての外部端子６から配線１０
が重畳部５に向かって延在している（以下、同様の図で
も同じ）。

【００５０】半導体チップ１２は、前述のように接着剤
１１を介して可撓性配線基板２に固定されている。ま
た、半導体チップ１２の電極と、この半導体チップ１２
に近接する配線１０の先端部分は、導電性のワイヤ１４
によって電気的に接続されている。

【００５１】また、前記半導体チップ１２を取り囲むよ
うに絶縁性のプラスチックからなる矩形体の樹脂流れ止
め枠１５が絶縁性の接着剤１６を介して可撓性配線基板
２に固定されている。この樹脂流れ止め枠１５内には所
定の厚さに絶縁性の樹脂１７が充填されて封止体７が形
成されている。前記封止体７は前記半導体チップ１２や
ワイヤ１４を封止している。

【００５２】本実施形態１において、前記実装本体部４
に積み重ねられる重畳部５は、実装本体部４に重ねただ
けの状態でも良いが、その取扱時、重畳部５が動かない
ようにするため、接着テープや接着剤によって実装本体
部４に仮固定させておく（固定手段）と良い。

【００５３】また、本実施形態１の半導体装置１は、図
３に示すように、重畳部５を開いて実装本体部４，折返
部３，重畳部５を同一平面上に展開した状態で保管する
こともできる。

【００５４】本実施形態１の半導体装置１においては、
前記可撓性配線基板２は透明体で形成されている。この
ため、図２および図３に示すように、折返部３を中心に
重畳部５を開いて重畳部５を実装本体部４上から外した
状態では、可撓性配線基板２を通して可撓性配線基板２
の裏面に設けられた外部端子６を目視することができ
る。図２では、可撓性配線基板２を通して目視できる外
部端子６の状態をハッチングを施して示す（以下、平面
図および底面図でハッチングを施した配線１０部分は外
部端子６を指す）。

【００５５】つぎに、本実施形態１の半導体装置１の製
造方法について説明する。

【００５６】図７乃至図１２は本実施形態１の半導体装
置の製造方法に係わる図であって、図７は製造に使用す
る配線フレームの模式的平面図、図８は樹脂流れ止め枠
を固定した配線フレームを示す模式的平面図、図９は配
線フレームに半導体チップを固定した状態を示す模式的
平面図、図１０はワイヤボンディングがなされた配線フ
レームを示す模式的平面図、図１１は封止体が形成され
た配線フレームを示す模式的平面図、図１２は外部端子
が形成された配線フレームを示す模式的平面図である。

【００５７】最初に配線フレーム２０を用意する。この
配線フレーム２０は、可撓性の透明なポリイミドフィル
ムに配線を形成した配線板となり、単位パターンは図７
に示すように、細長矩形状の可撓性配線基板部２１と、
この可撓性配線基板部２１の外側に延在する矩形枠状の
フレーム部２２と、前記フレーム部２２と配線フレーム
２０とを接続する吊り部２３とからなっている。吊り部
２３は、可撓性配線基板部２１の４隅と可撓性配線基板
部２１の一対の長辺の中央にそれぞれ設けられている。
配線フレーム２０のパターンは、ポリイミドフィルムを
プレスによって打ち抜くことによって形成される。ま
た、必要ならば、前記フレーム部２２の縁に沿って、ガ
イド孔や位置決め孔を設けておいても良い。また、製造
においては、前記配線フレーム２０は多連フレーム状あ
るいはテープ状であっても良い。

【００５８】前記可撓性配線基板部２１は、中央部分が
折返部３、その左側の矩形部分が実装本体部４、その右
側の矩形部分が重畳部５となる。折返部３部分は前記吊
り部２３で吊られている。

【００５９】前記可撓性配線基板部２１には、図７に示
すように、配線１０が設けられている。この配線１０
は、絶縁性の樹脂フィルム８、たとえば、ポリイミドフ
ィルム８の表面に、酸化錫と酸化アンチモンの化合物を
蒸着した後所望のパターンにエッチングすることによっ
て形成される。配線１０は実装本体部４から折返部３を
通って重畳部５にまで到達している。

【００６０】重畳部５の中央の矩形部分は半導体チップ
搭載領域となるが、前記配線１０の先端は、この半導体
チップ搭載領域に向かって先端を臨ませるパターンとな
っている。また、実装本体部４においては、配線１０の
先端は、円形のバンプ電極用の台座２４を形成するよう
になっている。これら台座２４はグリッドアレイ状に配
置されている。

【００６１】また、前記配線１０においては、半導体チ
ップ搭載領域に臨む先端部分および台座２４を除く部分
は、ポリイミド樹脂からなる絶縁性の保護膜１３で被わ
れている（図６参照、図６および図２７以外では保護膜
１３は省略）。

【００６２】つぎに、図８に示すように、配線フレーム
２０の可撓性配線基板部２１の重畳部５に樹脂流れ止め
枠１５を接着剤１６を介して固定する（図６参照）。す
なわち、半導体チップ搭載領域を囲むように樹脂フィル
ム８に絶縁性のプラスチックからなる樹脂流れ止め枠１
５を固定する。前記樹脂流れ止め枠１５の内側には、配
線１０の先端部分が延在する。前記樹脂流れ止め枠１５
は、後に行う樹脂封止の際、溶けた樹脂の流出を防止す
る働きをする。

【００６３】つぎに、図９に示すように、重畳部５の中
央の半導体チップ搭載領域に半導体チップ１２を接着剤
１１を介して固定する（図６参照）。この場合、半導体
チップ１２を接着テープを用いて樹脂フィルム８に固定
しても良い。

【００６４】つぎに、図１０に示すように、ワイヤボン
ディングを行い、前記半導体チップ１２の図示しない電
極と、半導体チップ１２に近接する配線１０の先端部分
を導電性のワイヤ１４で接続する（図６参照）。

【００６５】つぎに、図１１に示すように、前記樹脂流
れ止め枠１５内の樹脂フィルム８上に樹脂１７を充填し
て硬化させて封止体７を形成する。これによって、半導
体チップ１２，ワイヤ１４および樹脂流れ止め枠１５内
の配線１０等は、封止体７で封止される（図６参照）。

【００６６】つぎに、図１２に示すように、配線１０の
実装本体部４側の先端の台座２４上に半田ボールを載せ
て溶融させ、バンプ電極となる外部端子６を形成する
（図６参照）。

【００６７】つぎに、前記配線フレーム２０において、
吊り部２３を矩形状の可撓性配線基板部２１の縁に沿っ
て切断し、図４に示すように可撓性配線基板２からな
り、実装本体部４，折返部３，重畳部５とからなる半導
体装置１を製造する。

【００６８】本実施形態１の半導体装置１は、図３に示
すように、重畳部５を開いて実装本体部４，折返部３，
重畳部５を同一平面上に展開した状態で保管しても良
く、また、図１に示すように、重畳部５を折返部３の部
分で折り返して実装本体部４に重ねた状態で保管しても
良い。なお、積み重ねた状態で半導体装置１を保管する
場合、重畳部５が実装本体部４からずれるのを嫌う場合
は、重畳部５を実装本体部４に対して接着テープ（弱粘
着性テープ）や接着剤（弱粘着性接着剤）で仮固定させ
ておくと良い。

【００６９】つぎに、本実施形態１の半導体装置１の実
装について説明する。図１３乃至図１５は本実施形態１
の半導体装置の実装状態を示す図であり、図１３は半導
体装置の実装開始状態を示す模式図、図１４は半田付け
後重畳部を途中まで反転させた状態の半導体装置を示す
正面図、図１５は半田付け後重畳部を実装本体部に重ね
合わせた状態を示す半導体装置の正面図である。

【００７０】本実施形態１の半導体装置１を実装基板３
０に実装する際、図１３に示すように、半導体装置１を
展開状態にして実装基板３０のランド（配線）３１上に
実装本体部４の外部端子６を重ね、外部端子６を一時的
に加熱して溶解（半田リフロー処理）することによって
外部端子６をランド３１に固定できる。

【００７１】外部端子６をランド３１上に正確に重ねる
位置決め作業は、可撓性配線基板２が透明体となってい
ることから、可撓性配線基板２を通してランド３１およ
び外部端子６を目視できるため、容易かつ正確に行え
る。また、半田リフロー処理後のランド３１と外部端子
６との接続の良否検査も可撓性配線基板２を通して目視
できるので、実装の良否の検査が容易かつ確実となる。

【００７２】半田付け状態が悪い場合、あるいは半田ブ
リッジ等の不良現象が発生している場合は、実装した半
導体装置１を取り外し、再度新たな半導体装置１の実装
を行う。

【００７３】透明な可撓性配線基板２を通して可撓性配
線基板２の裏面の外部端子６を目視できる状態を図２に
示す。同図には、透視像として外部端子６のみをハッチ
ングを施して表示してある。

【００７４】つぎに、図１４および図１５に示すよう
に、重畳部５を矢印のように反転させ、重畳部５を実装
本体部４上に重ねる。この際、接着剤や接着テープを使
用して重畳部５を実装本体部４に固定する。この固定は
必要に応じて重畳部５を実装本体部４から剥離できる固
定でも良い。この場合、重畳部５が実装本体部４から剥
離できるため、必要に応じてランド３１と外部端子６の
半田付け状態を確認できることになる。

【００７５】本実施形態１の半導体装置１は、下面に外
部端子６を有する実装本体部４の上に重畳部５を折返部
３で折り返して重ねる構造となっていることと、実装本
体部４，折返部３，重畳部５と連なる部分は透明の可撓
性配線基板２で形成されていることから、重畳部５を実
装本体部４に重ねない状態では可撓性配線基板２の裏面
の外部端子６を目視できる。

【００７６】したがって、半導体装置１を実装基板に実
装した状態でも、実装本体部４に重畳部５を重ねない状
態で可撓性配線基板２を通して可撓性配線基板２の裏面
の外部端子６の半田付け状態を目視で観察できるため、
半田付けの良否を容易かつ正確に検査することができ
る。

【００７７】また、半導体チップを搭載した重畳部５
は、実装後外部端子６が配置された実装本体部４上に重
ねれば良いことから、実装本体部４には中央部分をも含
めて全域に外部端子６を配置でき、半導体装置１の小型
化および実装面積の縮小化を図ることができる。

【００７８】すなわち、従来の表面実装型導体装置で、
外部端子の半田付け状態（実装状態）を目視できるよう
にするため基板を透明体としたものや、実装部分をスル
ーホールとして半田の吸い上がり状態から半田付け（実
装）の良否を検査するものであっても、半導体チップを
取り付ける基板部分には外部端子を設けることができな
いが、本実施形態１の半導体装置では、半導体チップの
搭載部分に対応する実装本体部４にも外部端子６を設け
ることができるため、半導体装置１の小型化および多ピ
ン化が達成できることになる。

【００７９】本実施形態１の半導体装置１は、実装本体
部４の下面に半田によってバンプ電極を形成する際、バ
ンプ電極形成後、実装本体部４のみを薬品に浸け、半導
体チップが搭載された重畳部５を薬品に浸けないように
できる構造となっていることから、半田フラックスを使
用する半田を用いてバンプ電極を形成することができる
ため、半導体装置１の製造コストの低減が達成できる。

【００８０】すなわち、配線基板の下面に外部端子を設
けた従来のＢＧＡ型半導体装置の場合、配線基板の下面
の外部端子（バンプ電極）を薬品で洗浄して半田フラッ
クスを除去しようとすると、配線基板の上面のパッケー
ジ部分にも薬品が付き易く薬品洗浄ができないため、バ
ンプ電極形成コストが高くなる半田フラックスを使用し
ない無洗浄タイプの半田を使用せざるを得ない。しか
し、本実施形態１の半導体装置１では、重畳部５をクラ
ンプし、外部端子６（バンプ電極）が形成された実装本
体部４のみを薬品中に浸けて半田フラックスの洗浄除去
処理を行うことができる。

【００８１】本実施形態１による半導体装置の製造方法
では、透明なポリイミドフィルム（樹脂フィルム）８を
主体として形成された配線板（配線フレーム２０）を用
い、従来確立されたリードフレームによる半導体装置製
造技術と同様に製造が行えるため、高品質の折り返し重
畳構造のＢＧＡ型半導体装置を生産性良く製造すること
ができる。

【００８２】また、製造された半導体装置１は、重畳部
５が外部端子６に接着剤や接着テープで仮固定されるた
め、取扱性が優れた半導体装置となる。

【００８３】本実施形態１の半導体装置１の実装方法に
おいては、外部端子６が設けられる実装本体部４の配線
板（可撓性配線基板）２が透明体となっていることか
ら、外部端子６を実装基板３０のランド３１に重ね合わ
せる際、ランド３１と外部端子６の重なり具合を目視観
察できるため、位置合わせが正確かつ容易となる。

【００８４】本実施形態１の半導体装置１の実装方法に
おいては、外部端子６が設けられる実装本体部４の配線
板（可撓性配線基板）２が透明体となっていることか
ら、外部端子６とランド３１との半田付け状態を目視検
査できるため、実装の良否検査が容易となるとともに、
実装の信頼性を高めることができる。

【００８５】本実施形態１の半導体装置１の実装におい
ては、半導体装置１の半導体チップを搭載した重畳部５
は、実装後外部端子６が配置された実装本体部４上に重
ねれば良いことから、実装本体部４には中央部分をも含
めて全域に外部端子６を配置できるため半導体装置１は
小型となり、実装面積の縮小化が達成できる。

【００８６】なお、本実施形態１の半導体装置１は、実
装時、必ずしも実装本体部４上に重畳部５を積み重ねる
構造としなくとも良い。すなわち、図１４に示すよう
に、重畳部５を上方に直立させるようにした状態として
も良い。この場合、重畳部５は支持体（保持具）等によ
って支持する必要がある。このような実装構造では、可
撓性配線基板２を通して常時外部端子６の半田付け状態
を目視確認することができるとともに、重畳部５の表裏
面が大気と接していることから、放熱効果が高くなる。

【００８７】（実施形態２）図１６および図１７は本発
明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置に係
わる図であり、図１６は半導体装置の斜視図、図１７は
展開状態の半導体装置の模式的底面図である。

【００８８】本実施形態２の半導体装置１は、重畳部５
を実装本体部４に着脱自在に固定できる固定手段を有す
るものである。すなわち、図１７に示すように、実装本
体部４の両側に嵌合孔３５を有する嵌合雌部３６を張り
出し形成しておくとともに、これら嵌合雌部３６に対応
して重畳部５の両側に前記嵌合孔３５に挿入嵌合する突
子３７を形成しておく。

【００８９】そして、図１６に示すように、重畳部５を
折返部３で折り返して実装本体部４上に重畳部５を重ね
合わせた後、前記嵌合雌部３６を引っ張って曲げ、突子
３７を嵌合孔３５に挿入嵌合させる。これによって、重
畳部５は実装本体部４に固定されることになり、移動し
ても重畳部５が実装本体部４から外れることがなく取扱
性が向上する。

【００９０】（実施形態３）図１８および図１９は本発
明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置に係
わる図であり、図１８は半導体装置の模式的正面図、図
１９は展開状態の半導体装置の模式的正面図である。

【００９１】本実施形態３の半導体装置１は、折返部３
に加わるストレスの緩和のため、折り返し形状規定手段
を設けて折返部３の曲率半径を大きくした構造となって
いる。

【００９２】すなわち、前記実施形態１では、配線１０
および外部端子６ならびに半導体チップ１２等を、可撓
性配線基板２の同一面に形成したものであり、重畳部５
を実装本体部４に折り返して積み重ねた場合、実装重畳
部５の可撓性配線基板２の部分が実装本体部４の可撓性
配線基板２の部分に直接接触する構造となり、折返部３
の曲率半径が小さくなり、折返部３に大きな力が作用す
る。

【００９３】そこで、本実施形態３の半導体装置１で
は、図１９に示すように、可撓性配線基板２の一面側に
外部端子６を形成するとともに、可撓性配線基板２の他
面側に半導体チップ１２や半導体チップ１２を被う封止
体７や樹脂流れ止め枠１５を形成する構造となってい
る。そして、図示はしないが、配線１０は可撓性配線基
板２の両面に設けられている。この表裏の配線１０は、
可撓性配線基板２に設けられたスルーホールに充填され
る導体を介して電気的に接続されている。

【００９４】本実施形態３の半導体装置１は、図１８に
示すように、重畳部５を折返部３で折り返して実装本体
部４に重ねた状態では、実装本体部４の可撓性配線基板
２部分に封止体７（樹脂流れ止め枠１５）が載り、その
上に重畳部５の可撓性配線基板２部分が位置するため、
可撓性配線基板２で形成される折返部３の曲率半径は大
きくなり、折返部３に大きな力が作用しなくなり、重畳
部５は部分的に浮き上がることもなく実装本体部４に密
着する。また、重畳部５を繰り返して折り返しても折返
部３が劣化することがない。

【００９５】本実施形態３の半導体装置１は、実施形態
１の半導体装置１と同様に可撓性配線基板２を通して外
部端子６を目視できるとともに、多ピン化，小型化が図
れる。また、製造においては半田フラックスを使用する
半田を用いてバンプ電極を形成することができるため製
造コストの低減が達成できる。

【００９６】（実施形態４）図２０および図２１は本発
明の他の実施形態（実施形態４）である半導体装置に係
わる図であり、図２０は半導体装置の模式的正面図、図
２１は展開状態の半導体装置の模式的正面図である。

【００９７】本実施形態４の半導体装置１は、折り返し
形状規定手段を設けて折返部３の折り返しによる曲率半
径が常に一定にできる構造、換言するならば、折返部３
の曲率半径を必要以上小さくせずに折返部３が繰り返し
の折り返しで破損し難くするものである。

【００９８】本実施形態４の半導体装置１は、図２１に
示すように、折返部３に円柱状の曲げ保持心棒４０が接
着剤を介して固定されている。

【００９９】したがって、図２０に示すように、重畳部
５を折返部３で折り返して実装本体部４に重ねた場合、
折返部３は曲げ保持心棒４０の太さよりも小さい曲率半
径で折り返えされることはなく、小さ過ぎる曲率半径と
なることによる折返部３部分への過大のストレスの発生
はなくなる。したがって、繰り返して折返部３部分で重
畳部５を折り返しても、折返部３部分が劣化することは
防止できる。

【０１００】また、重畳部５の折り返し時、曲げ保持心
棒４０に沿うように折返部３を曲げることによって、半
導体装置１の外観形状は常に一定となり、外観も安定
し、商品性が高くなる。

【０１０１】なお、前記実施形態３の半導体装置の場合
をも含み、樹脂流れ止め枠１５の折返部３側の端を円弧
状の形状とすれば、折返部３を樹脂流れ止め枠１５の折
返部３側の端の形状に沿わせて折り返すことができる。

【０１０２】本実施形態４の半導体装置１は、実施形態
１の半導体装置１と同様に可撓性配線基板２を通して外
部端子６を目視できるとともに、多ピン化，小型化が図
れる。また、製造においては半田フラックスを使用する
半田を用いてバンプ電極を形成することができるため製
造コストの低減が達成できる。

【０１０３】（実施形態５）図２２乃至図２４は本発明
の他の実施形態（実施形態５）である半導体装置に係わ
る図であり、図２２は半導体装置の外観を示す斜視図、
図２３は半導体装置の模式的正面図、図２４は展開状態
の半導体装置の模式的正面図である。

【０１０４】本実施形態５の半導体装置１は、小型化・
高集積化を図る構造であり、可撓性配線基板２の重畳部
５に半導体チップを組み込んだ封止体７（樹脂流れ止め
枠１５）を有するとともに、可撓性配線基板２の実装本
体部４の外部端子６が設けられた面の反対面にも半導体
チップを組み込んだ封止体７（樹脂流れ止め枠１５）を
配置したものである。これによって、半導体装置１の高
集積化，多ピン化，小型化が図れることになる。

【０１０５】図２４に示す展開状態の半導体装置１にお
いて、重畳部５を折返部３で折り返して実装本体部４に
積み重ねることによって、図２３および図２２に示すよ
うな半導体装置１を得る。本実施形態では実装本体部４
および重畳部５において、可撓性配線基板２の同一面に
封止体７を設け、重畳部５を折り返した際、実装本体部
４の封止体７上に重畳部５の封止体７が重なる構成（折
り返し形状規定手段）となっていることから、折返部３
の曲率半径が大きくなる。

【０１０６】本実施形態４の半導体装置１は、実施形態
１の半導体装置１と同様に多ピン化，小型化が図れる。
また、製造においては半田フラックスを使用する半田を
用いてバンプ電極を形成することができるため製造コス
トの低減が達成できる。

【０１０７】（実施形態６）図２５乃至図２８は本発明
の他の実施形態（実施形態６）である半導体装置に係わ
る図であり、図２５は重畳部を半開き状態とした半導体
装置を示す斜視図、図２６は半導体装置の模式的正面
図、図２７は展開状態の半導体装置の一部を示す拡大断
面図、図２８は半導体装置の実装状態における半田付け
状態を示す一部の拡大断面図である。

【０１０８】本実施形態６の半導体装置１は、本実施形
態１の半導体装置１において、半田付け実装部分（外部
端子６）がＨＧＡ構造となるものである。

【０１０９】すなわち、図２５および図２７に示すよう
に、透明な可撓性配線基板２の実装本体部４には、グリ
ッドアレイ状にスルーホール５０が設けられているとと
もに、これらのスルーホール５０の内周面およびその縁
には導体層５１が設けられている。この導体層５１が外
部端子６となる。したがって、各導体層５１は配線１０
と電気的に接続されている。実施形態では導体層５１と
配線１０は別々に形成されているが、同時に形成し一体
構造としても良い。

【０１１０】本実施形態６の半導体装置１を実装基板３
０に実装する場合は、半導体装置１の実装本体部４の下
面の外部端子６を、実装基板３０のランド３１に位置決
めして重ねた後、前記ランド３１にあらかじめ設けられ
た半田バンプをリフローする。溶けた半田は導体層５１
に濡れるとともに、表面張力によってスルーホール５０
内に入り上昇し、スルーホール５０の上面側にまで到達
する。なお、半田バンプは、前記導体層５１に設けずに
実装基板３０のランド３１に設けておいても良い。

【０１１１】この結果、前記実装基板３０のランド３１
と、実装本体部４の外部端子６が半田５３で接続された
か否かは、スルーホール５０内に半田５３が吸い上げら
れているか否かを目視確認することによって正確に分か
る。また、本実施形態６の半導体装置１の可撓性配線基
板２は、透明体となっていることから、半田付け状態を
可撓性配線基板２を通して目視検査することもできる。

【０１１２】なお、半田バンプは導体層５１側に形成し
ておいても良い。

【０１１３】本実施形態６の半導体装置１は、実装基板
３０に実装された状態では、半田付け部分は可撓性配線
基板２を突き抜けて露出している。すなわち、半田付け
部分はスルーホール５０内に充填された半田５３として
露出するため、この露出した半田５３にプローブ・ピン
を当てることができる。したがって、従来のＢＧＡ型半
導体装置では行えなかったインサーキット・テスト等の
電気特性検査が行える。

【０１１４】前記スルーホール５０は、実装本体部４に
半導体チップが組み込まれた重畳部５を、実装後に積み
重ねる構造となっていることから、実装本体部４には半
導体チップの位置に関係なくスルーホール５０、すなわ
ち、外部端子６を配置できるため、実装本体部４の中央
部分にも外部端子６を配置できる。この結果、半導体装
置１の小型化が達成できるとともに、実装面積の縮小化
が達成できる。

【０１１５】本実施形態６の半導体装置１は、実施形態
１の半導体装置１と同様に可撓性配線基板２を通して外
部端子６を目視できるとともに、多ピン化，小型化が図
れる。

【０１１６】本実施形態６の半導体装置１において、可
撓性配線基板２は透明体でなくとも良い。すなわち、半
導体装置１の外部端子６と、実装基板３０のランド３１
との半田付け状態は、半導体装置１の実装本体部４に設
けられたスルーホール５０内に半田５３が吸い上げられ
たか否かを目視で検査できることから、実装本体部４の
可撓性配線基板２部分が不透明体であっても特に支障は
ない。すなわち、実装本体部４の全域にスルーホール５
０を設けて外部端子６を形成できることから、半導体装
置１の小型化が図れる。また、外部端子６をグリッドア
レイ状に配置することから、多ピン化が達成できる。ま
た、前記スルーホール５０内に吸い上げられた半田５３
にプローブ・ピンを当てることによってインサーキット
・テスト等の電気特性検査が可能となる。さらに、実装
本体部４の導体層５１部分に半田バンプを形成する場
合、前記実施形態１の場合と同様に、封止体７等を薬品
に浸けることなく外部端子６（半田バンプ）の洗浄が行
えることから、半田フラックスを使用する半田によって
半田バンプを形成することができ、半導体装置１の製造
コストの低減が図れる。

【０１１７】（実施形態７）図２９乃至図３１は本発明
の他の実施形態（実施形態７）である半導体装置に係わ
る図であり、図２９は半導体装置の外観を示す斜視図、
図３０は半導体装置の模式的正面図、図３１は展開状態
の半導体装置の模式的平面図である。

【０１１８】本実施形態７の半導体装置１は、外部端子
６部分がスルーホール５０と導体層５１で形成されるＨ
ＧＡ構造の例であり、実装本体部４において周辺部分に
スルーホール５０を配置した構造である。本実施形態７
の半導体装置１は、実装本体部４の上面中央部分に封止
体７（樹脂流れ止め枠１５）を配置した構造となってい
る。図示はしないが、前記封止体７の内部には半導体チ
ップが配置され、かつ半導体チップの電極と配線とはワ
イヤを介して電気的に接続されている。半導体チップ
は、実装本体部４と重畳部５にそれぞれ搭載され、高集
積化が図られている。

【０１１９】樹脂流れ止め枠１５および封止体７が配置
される領域には、スルーホール５０を設けることはでき
ないため、スルーホール５０は樹脂流れ止め枠１５の外
側の実装本体部４の領域に設けられている。したがっ
て、本実施形態７の半導体装置１においては、図２９乃
至図３１に示すように、実装本体部４は重畳部５よりも
大きなものとなる。

【０１２０】本実施形態７において、可撓性配線基板２
は透明体であっても不透明体であっても良い。透明体の
場合は、可撓性配線基板２を通して外部端子６を目視で
きるので、実装において半田付け状態を目視できる利点
がある。

【０１２１】本実施形態７の半導体装置１は、実施形態
１の半導体装置１や実施形態６の半導体装置１と同様に
小型化，多ピン化が図れる。さらに、スルーホール５０
内の吸い上げられた半田５３にプローブ・ピンを当てる
ことによってインサーキット・テスト等の電気特性検査
を行うこともできる。

【０１２２】（実施形態８）図３２および図３３は本発
明の他の実施形態（実施形態８）である半導体装置に係
わる図であり、図３２は半導体装置の外観を示す斜視
図、図３３は展開状態の半導体装置において各重畳部の
封止体を部分的に取り除いた状態を示す底面図である。

【０１２３】本実施形態８の半導体装置１は、実装本体
部４に積み重ねる重畳部５を複数とした例を示すもので
あり、さらに多数の半導体チップを組み込んで高集積
化，メモリ容量の増大や多機能化を図ったものである。

【０１２４】本実施形態８の半導体装置１では、透明体
からなる可撓性配線基板２（ポリイミドフィルム等の樹
脂フィルム８）は十文字状のパターンとなっている。そ
して、十文字状の左側矩形部５５を実装本体部４とし、
右側矩形部５６，上側矩形部５７，下側矩形部５８およ
び十文字の中心部分の中央矩形部５９の４つを重畳部５
としている。中央矩形部５９とその周囲の左側矩形部５
５，右側矩形部５６，上側矩形部５７，下側矩形部５８
とは配線１０によって所定パターンに接続されている。

【０１２５】中央矩形部５９と左側矩形部５５，右側矩
形部５６，上側矩形部５７，下側矩形部５８との間には
折返部３が設けられ、折返部３で順次折り返すことによ
って、実装本体部４上に中央矩形部５９，右側矩形部５
６，上側矩形部５７，下側矩形部５８を積み重ねること
ができるようになっている。

【０１２６】左側矩形部５５には半田バンプ電極からな
る外部端子６がグリッドアレイ状に配設されている。

【０１２７】前記右側矩形部５６，上側矩形部５７，下
側矩形部５８，中央矩形部５９の各重畳部５の可撓性配
線基板２には、半導体チップ１２が固定されるととも
に、これら半導体チップ１２の電極と配線１０とは導電
性のワイヤ１４で電気的に接続されている。また、右側
矩形部５６，上側矩形部５７，下側矩形部５８，中央矩
形部５９の可撓性配線基板２には樹脂流れ止め枠１５が
半導体チップ１２やワイヤ１４等を囲むように固定され
ている。各樹脂流れ止め枠１５内には半導体チップ１２
やワイヤ１４等を被うように樹脂１７が充填され、封止
体７が形成されている。

【０１２８】図３３は本実施形態８の展開状態の半導体
装置１を示すものである。このような展開状態の半導体
装置１は、実装本体部４上に順次重畳部５を積み重ね、
図３２に示すような外観の半導体装置１として使用され
る。

【０１２９】本実施形態８の半導体装置１は、図３３に
示すような展開状態でも保管できるし、図３２に示すよ
うに、組み立てられた状態でも保管できる。図３２のよ
うに組立状態の場合は、実装本体部４に積み重ねられる
重畳部５が動かないようにしておくことが、破損等を考
えた場合望ましい。すなわち、図３２の状態では、たと
えば、実装本体部４上に直接積み重ねられる実装本体部
４を接着剤や接着テープによって仮止めし、その後実装
本体部４に仮固定された重畳部５上に積み重ねられる重
畳部５を接着剤や接着テープによって順次仮固定するよ
うにする。

【０１３０】これによって半導体装置１の取扱時、重畳
部５がずれたりして半導体装置１の組立状態の形状が崩
れなくなる。

【０１３１】本実施形態８の半導体装置１は、重畳部５
が複数となるが、実施形態１の半導体装置１の場合と同
様に、実装本体部４の可撓性配線基板２が透明体となる
ことから、実装後可撓性配線基板２を通して外部端子６
の半田付け状態を目視検査することができる。

【０１３２】本実施形態８の半導体装置１は、実施形態
１の半導体装置１と同様に小型化，多ピン化が図れると
ともに、さらに高集積化が達成できる。

【０１３３】本実施形態８の半導体装置１は、実施形態
１の半導体装置１と同様に、製造においては半田フラッ
クスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成すること
ができるため製造コストの低減が達成できる。

【０１３４】本実施形態８では、配線１０は可撓性配線
基板２の一面側にのみ設けた例としたが、可撓性配線基
板２の両面に配線１０を設け、表裏面の配線１０をスル
ーホールに充填した導体で電気的に接続する構造として
も良い。また、外部端子はスルーホールを利用したＨＧ
Ａ構造としても良い。

【０１３５】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、前記実施形態では、配線１０は透明な導電体よって
形成したが、透明でない金属膜で形成しても良い。たと
えば、配線はポリイミドフィルムに貼り付けた銅箔を所
望のパターンにエッチングすることによって形成しても
良い。この場合でも、透明な可撓性配線基板２を通し
て、かつ配線１０と配線１０との間から実装状態の外部
端子６の半田付け性の良否を検査できる。

【０１３６】また、半導体装置１は全体を可撓性の配線
基板で形成したが、少なくとも折返部３だけが折り返し
自在であれば良く、実装本体部４や重畳部５の部分は可
撓体（非可撓体）でなくとも良い。たとえば、重畳部５
を通常の可撓性でない配線基板で形成し、実装本体部４
をガラスに導電性の透明な膜（酸化錫と酸化アンチモン
の化合物からなる透明な膜）で配線を形成したものとし
ても良い。

【０１３７】前記実施形態では、樹脂の流出を防止する
ための枠はプラスチックによる樹脂流れ止め枠を固定す
る手法を採用しているが、可撓性配線基板に直接絶縁性
インキを印刷することによって形成しても良い。また、
枠を使用せずに、トランスファモールドによって樹脂フ
ィルム８に直接封止体７を形成形成しても良い。

【０１３８】前記実施形態では半導体チップと配線との
接続はワイヤによって接続していたが、半導体チップを
フェイスダウンとしてフリップチップで接続したり、ビ
ームリードを使用して接続するようにしても良い。

【０１３９】前記実施形態では、重畳部は単一の半導体
チップを搭載したものとしたが、複数の半導体チップの
搭載やチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動部品を搭
載したもの、すなわち混成集積回路（ハイブリッドＩ
Ｃ）構成としても良い。

【０１４０】前記実施形態では、外部端子は突出したバ
ンプ電極としたが、リードを植え付けた構造としても良
い。

【０１４１】前記実施形態では、樹脂フィルムの裏面に
所望パターンの配線を形成したが、配線は樹脂フィルム
の両面に形成してもよく、また絶縁体で配線をカバーす
ることで多層の配線構造としてもよい。これらの場合、
上下の各配線層はスルーホールで接続する。スルーホー
ルの内周面およびその縁には導体層が設けられている。

【０１４２】前記実施形態では、パッケージのみを取り
上げているが、放熱フィンを上部に取り付けたり、放熱
板を挟み込んで熱対策することもできる。

【０１４３】本発明は少なくとも実装本体部の下面に外
部端子を有し、前記実装本体部の上に順次重畳部を積み
重ねる構造の半導体装置の製造技術および実装技術には
適用できる。

【０１４４】前記各実施形態では、外部端子を有する実
装本体部４を１つとしたが、実装本体部４を複数として
も良い。すなわち、可撓性配線基板２を多方向に延在し
て実装本体部４や重畳部５を複数有する半導体装置１に
おいて、実装本体部４や重畳部５の先に折返部３を設け
て繰り返し実装本体部４や重畳部５を延在させる構造と
しても良い。この場合、複数の実装本体部４を平坦な実
装基板に実装しても良く、また複数の異なる面を有する
実装基板の各面に前記実装本体部４を実装し、それらの
実装本体部４から延在する重畳部５を折返部３で折り返
して各実装本体部４に積み重ねたり、または展開状態に
させ、もしくは直立状態として実装を行うようにしても
良い。この場合、半導体装置１の小型化・多機能化が図
れるばかりでなく、実装においては実装面積の狭小化，
実装空間の有効利用化が図れる。また、半導体装置１は
実装基板に搭載された部品上に実装することも可能であ
る。また、重畳部は各々個別に製作し、折り返し部で接
続して実施形態のような形態にしてもよい。その場合、
各重畳部ごとにテスト後良品のみを使ってモジュール化
できるため歩留りが向上する。

【０１４５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【０１４６】（１）半導体装置は、折返部で自由に折り
返しができ、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積
み重ねる構造となっていることと、配線板（可撓性配線
基板）が透明体であることから、重畳部を実装本体部に
重ねない状態では配線板の裏面の外部端子を目視でき
る。したがって、半導体装置の外部端子を実装基板のラ
ンドに重ね合わせる際、ランドと外部端子の重なり具合
を目視観察できるため、位置合わせが正確かつ容易とな
る。また、実装後、外部端子とランドとの半田付け状態
を目視検査できるため、実装の良否検査が容易となると
ともに、実装の信頼性を高めることができる。

【０１４７】（２）半導体装置は重畳部を開くことによ
っていつでも配線板を通して配線板の裏面の外部端子を
目視できるため、半導体装置を実装基板に実装した後で
も外部端子の半田実装状態を目視検査できるため、実装
本体部の配線板には、半導体チップ等が重なる部分にも
外部端子を配置できることになり、半導体装置の小型化
および多ピン化が図れる。したがって、半導体装置の小
型化によって実装面積の縮小化を図ることができる。

【０１４８】（３）実装本体部に複数の重畳部を順次積
み重ねる構造では高集積化が達成できる。

【０１４９】（４）半導体装置は、折返部で自由に折り
返しができ、必要に応じて実装本体部の上に重畳部を積
み重ねる構造となっているが、必要に応じて重畳部を実
装本体部に接着剤や接着テープによって仮固定を含めて
固定できるため、半導体装置の取扱性が向上する。

【０１５０】（５）半導体装置は、実装本体部下面に半
田によってバンプ電極を形成する際、バンプ電極形成
後、実装本体部のみを薬品に浸け、半導体チップが搭載
された重畳部を薬品に浸けないようにできるため、コス
トが高く付く無洗浄タイプの半田を用いることなく半田
フラックスを使用する半田を用いてバンプ電極を形成す
ることができるため、半導体装置の製造コストの低減が
達成できる。

【０１５１】（６）透明な樹脂フィルムを主体として形
成された配線板を用い、従来確立されたリードフレーム
による半導体装置製造技術と同様に製造が行えるため、
高品質の折り返し重畳構造の半導体装置を生産性良く製
造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置の外観を示す斜視図である。

【図２】本実施形態１の半導体装置において重畳部を半
開き状態とした模式的斜視図である。

【図３】本実施形態１の展開状態の半導体装置を示す正
面図である。

【図４】本実施形態１の半導体装置の展開状態を示す模
式的底面図である。

【図５】本実施形態１の展開状態の半導体装置において
封止体の一部を除いた状態を示す模式的底面図である。

【図６】本実施形態１の展開状態の半導体装置の一部の
拡大断面図である。

【図７】本実施形態１の半導体装置の製造に使用する配
線フレームの模式的平面図である。

【図８】本実施形態１の半導体装置の製造において配線
フレームに樹脂流れ止め枠を固定した状態を示す模式的
平面図である。

【図９】本実施形態１の半導体装置の製造において配線
フレームに半導体チップを固定した状態を示す模式的平
面図である。

【図１０】本実施形態１の半導体装置の製造においてワ
イヤボンディングがなされた配線フレームを示す模式的
平面図である。

【図１１】本実施形態１の半導体装置の製造において封
止体が形成された配線フレームを示す模式的平面図であ
る。

【図１２】本実施形態１の半導体装置の製造において外
部端子が形成された配線フレームを示す模式的平面図で
ある。

【図１３】本実施形態１の半導体装置の実装開始状態を
示す模式図である。

【図１４】本実施形態１の半導体装置の実装において、
半田付け後重畳部を途中まで反転させた状態を示す正面
図である。

【図１５】本実施形態１の半導体装置の実装において、
半田付け後重畳部を実装本体部に重ね合わせた状態を示
す正面図である。

【図１６】本発明の他の実施形態（実施形態２）である
半導体装置の斜視図である。

【図１７】本実施形態２の展開状態の半導体装置の模式
的底面図である。

【図１８】本発明の他の実施形態（実施形態３）である
半導体装置の正面図である。

【図１９】本実施形態３の展開状態の半導体装置の正面
図である。

【図２０】本発明の他の実施形態（実施形態４）である
半導体装置の正面図である。

【図２１】本実施形態４の展開状態の半導体装置の正面
図である。

【図２２】本発明の他の実施形態（実施形態５）である
半導体装置の外観を示す斜視図である。

【図２３】本実施形態５の半導体装置を示す正面図であ
る。

【図２４】本実施形態５の展開状態の半導体装置の正面
図である。

【図２５】本発明の他の実施形態（実施形態６）である
半導体装置において重畳部を半開き状態とした斜視図で
ある。

【図２６】本実施形態６の半導体装置を示す正面図であ
る。

【図２７】本実施形態６の展開状態の半導体装置の一部
を示す拡大断面図である。

【図２８】本実施形態６の半導体装置の実装状態におけ
る半田付け状態を示す一部の拡大断面図である。

【図２９】本発明の他の実施形態（実施形態７）である
半導体装置の外観を示す斜視図である。

【図３０】本実施形態７の半導体装置を示す正面図であ
る。

【図３１】本実施形態７の展開状態の半導体装置を示す
模式的平面図である。

【図３２】本発明の他の実施形態（実施形態８）である
半導体装置の外観を示す斜視図である。

【図３３】本実施形態８の展開状態の半導体装置におい
て各重畳部の封止体を部分的に取り除いた状態を示す模
式的底面図である。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…可撓性配線基板、３…折返部、４
…実装本体部、５…重畳部、６…外部端子、７…封止
体、８…樹脂フィルム（ポリイミドフィルム）、１０…
配線、１１…接着剤、１２…半導体チップ、１３…保護
膜、１４…ワイヤ、１５…樹脂流れ止め枠、１６…接着
剤、１７…樹脂、２０…配線フレーム、２１…可撓性配
線基板部、２２…フレーム部、２３…吊り部、２４…台
座、３０…実装基板、３１…ランド、３５…嵌合孔、３
６…嵌合雌部、３７…突子、４０…曲げ保持心棒、５０
…スルーホール、５１…導体層、５３…半田、５５…左
側矩形部、５６…右側矩形部、５７…上側矩形部、５８
…下側矩形部、５９…中央矩形部。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年１１月２８日（２００２．１１．
２８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一面に外部端子を設けた配線板からなる
   少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チッ
   プを含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳
   部と、前記実装本体部と前記重畳部のうち同種または異
   種のものを電気的かつ機械的に連結する可撓性の配線板
   からなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部
   は前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳
   部上に積み重ねられる構成となっていることを特徴とす
   る半導体装置。
2. 【請求項２】 前記実装本体部および折返部ならびに重
   畳部の配線板は一体となった可撓性体で構成されている
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記実装本体部および重畳部の配線板は
   非可撓性体で形成されていることを特徴とする請求項１
   記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記重畳部の電子部品搭載領域が重なる
   実装本体部領域内にも外部端子が設けられていることを
   特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の
   半導体装置。
5. 【請求項５】 前記実装本体部の配線板は配線板下面の
   外部端子を目視できる透明体となっていることを特徴と
   する請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体
   装置。
6. 【請求項６】 前記外部端子は前記配線板を貫通するス
   ルーホールの内壁とその縁に設けた導体層によって形成
   されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
   ずれか１項記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記折返部の折り返し時の曲率半径を規
   定する折り返し形状規定手段が設けられていることを特
   徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の半
   導体装置。
8. 【請求項８】 前記重畳部は前記実装本体部に固定手段
   によって固定されていることを特徴とする請求項１乃至
   請求項７のいずれか１項記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記電子部品の搭載領域は封止体で被わ
   れていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいず
   れか１項記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 一面に外部端子を設ける台座を有する
    配線板からなる少なくとも一つの実装本体部と、少なく
    とも半導体チップを含む電子部品を搭載する領域を有す
    る配線板からなる一つの重畳部と、前記実装本体部と前
    記重畳部のうち同種または異種のものを電気的かつ機械
    的に連結する可撓性の配線板からなる少なくとも一つの
    折返部とを少なくとも有し、前記重畳部は前記折返部で
    折り返えされて所定の実装本体部や重畳部上に積み重ね
    られる構成の配線基板を用意する工程と、前記重畳部に
    半導体チップを含む電子部品の搭載と電極と配線の電気
    的接続を行う工程と、前記電子部品搭載領域を封止体で
    被う工程と、前記実装本体部の台座に半田バンプ電極を
    形成する工程と、前記配線板の不要部分を切断除去する
    工程と、所定の折返部を折り返して所定の実装本体部上
    に重畳部を積み重ねる工程とを有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記実装本体部および折返部ならびに
    重畳部を形成する配線板は一枚の透明な樹脂フィルムか
    らなっていることを特徴とする請求項１０記載の半導体
    装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記実装本体部上に重畳部を積み重ね
    る際、前記重畳部を接着剤や接着テープで仮固定するこ
    とを特徴とする請求項１０または請求項１１記載の半導
    体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 一面に外部端子を設けた透明な配線板
    からなる少なくとも一つの実装本体部と、少なくとも半
    導体チップを含む電子部品を搭載した配線板からなる一
    つの重畳部と、前記実装本体部と前記重畳部のうち同種
    または異種のものを電気的かつ機械的に連結する可撓性
    の配線板からなる少なくとも一つの折返部とを有し、前
    記重畳部は前記折返部で折り返えされて所定の実装本体
    部や重畳部上に積み重ねられる半導体装置を実装基板に
    実装する方法であって、前記実装基板のランド上に前記
    実装本体部の外部端子を重ねて加熱して外部端子を前記
    ランドに固定した後、前記実装本体部の透明な配線板を
    通して外部端子の接続状態を検査し、その後前記実装基
    板に固定した実装本体部上に前記重畳部を重ねることを
    特徴とする半導体装置の実装方法。
14. 【請求項１４】 前記実装本体部上に重畳部を積み重ね
    る際、前記重畳部を接着剤や接着テープで固定すること
    を特徴とする請求項１３記載の半導体装置の実装方法。
15. 【請求項１５】 配線板からなりかつ外部端子はスルー
    ホールの内壁とその縁に設けた導体層で形成される少な
    くとも一つの実装本体部と、少なくとも半導体チップを
    含む電子部品を搭載した配線板からなる一つの重畳部
    と、前記実装本体部と前記重畳部のうち同種または異種
    のものを電気的かつ機械的に連結する可撓性の配線板か
    らなる少なくとも一つの折返部とを有し、前記重畳部は
    前記折返部で折り返えされて所定の実装本体部や重畳部
    上に積み重ねられる半導体装置を実装基板に実装する方
    法であって、前記実装基板のランド上に前記実装本体部
    の外部端子を重ねた後、前記ランドまたは外部端子にあ
    らかじめ設けられた接合材を溶かして前記外部端子を前
    記ランドに接続し、その後前記実装本体部のスルーホー
    ル内に吸い上げられた接合材の有無によって外部端子の
    接続状態を検査し、ついで前記実装基板に固定した実装
    本体部上に前記重畳部を重ねることを特徴とする半導体
    装置の実装方法。
16. 【請求項１６】 前記接合材を溶かして前記スルーホー
    ル部分の外部端子を前記ランドに接続した後、前記スル
    ーホール内に吸い上げられた接合材にプローブ・ピンを
    当てて電気特性検査を行うことを特徴とする請求項１５
    記載の半導体装置の実装方法。
17. 【請求項１７】 前記実装本体部上に重畳部を積み重ね
    る際、前記重畳部を接着剤や接着テープで固定すること
    を特徴とする請求項１５または請求項１６記載の半導体
    装置の実装方法。