JP3774897B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、自発光型の薄型平面ディスプレイ等に用いて好適な有機電界発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、マルチメディア指向の商品を初めとして、マン−マシンインターフェースの重要性が高まっている。人間がより快適に効率良く機械操作するためには、操作される機械から、充分な量の情報を、正確、簡潔且つ瞬時に取り出す必要が有る。このため、ディスプレイ用の様々な表示素子について研究が行われている。
【0003】
また、機械の小型化、薄型化に伴い、表示素子の小型化、薄型化に対する要求も日々高まっている。
【0004】
例えば、液晶ディスプレイは、様々な製品の表示用インターフェースとして用いられており、ラップトップ型情報処理機器は勿論のこと、小型テレビや時計、電卓等、我々の日常使用する製品に多く用いられている。
【0005】
これらの液晶ディスプレイは、液晶の低電圧駆動、低消費電力という特徴を活かし、小型から大容量表示デバイスに至るまで、表示素子の中心として研究されてきた。
【0006】
しかし、液晶ディスプレイは、自発光性でないために、バックライトを必要とし、このバックライトの駆動に、液晶を駆動するよりも大きな電力を必要とするため、結果的に、内蔵電池等では使用時間が短くなって、使用上の制限が出るという欠点が有った。
【0007】
また、液晶ディスプレイは、視野角が狭いため、大型ディスプレイ等の表示素子には適していないことも問題であった。
【0008】
更に、液晶ディスプレイは、液晶分子の配向状態による表示方法なので、視野角の範囲でも、角度によりコントラストが変化してしまうという問題も有った。
【0009】
また、駆動方式から考えると、液晶ディスプレイの駆動方式の一つであるアクティブマトリクス方式は、動画を扱うに充分な応答速度を示すが、TFT(薄膜トランジスタ)駆動回路を用いる必要が有るため、画素欠陥の発生により画面サイズの大型化が困難であった。また、TFT駆動回路を用いることは、コストの点から考えても、あまり好ましいものではなかった。
【0010】
一方、液晶ディスプレイの別の駆動方式である単純マトリクス方式は、低コストである上に画面サイズの大型化が比較的容易であるという特長を持つ反面、動画を扱うに充分な応答速度を有していないという欠点が有った。
【0011】
これに対し、自発光性表示素子は、プラズマ表示素子、無機電界発光素子、有機電界発光素子等が研究されている。
【0012】
プラズマ表示素子は、低圧ガス中でのプラズマ発光を表示に用いたもので、大型化、大容量化に適しているものの、薄型化やコストの面での問題を抱えている。また、駆動に高電圧の交流バイアスを必要とするため、携帯用デバイス等には適していない。
【0013】
無機電界発光素子は、当初、緑色発光ディスプレイ等が商品化されたが、プラズマ表示素子と同様、交流バイアス駆動であり、駆動に数百V必要だったため、殆ど受け入れられなかった。技術的な発展により、今日では、カラーディスプレイ表示に必要なR(赤)、G(緑)、B(青)の三原色の発光に成功はしているが、無機材料であるために、例えば、分子設計による発光波長等の制御は困難であり、フルカラー化は困難であると思われる。
【0014】
一方、有機化合物による電界発光現象は、1960年代前半に、強く蛍光を発するアントラセン単結晶へのキャリア注入による発光現象が発見されて以来、長い期間、研究されてきたが、低輝度、単色で、しかも単結晶であったため、有機材料へのキャリア注入という基礎的研究の段階でしかなかった。
【0015】
しかし、1987年に Eastman Kodak社の Tang らが、低電圧駆動、高輝度発光が可能なアモルファス発光層を有する積層構造の有機薄膜電界発光素子を発表して以来、各方面で、RGB三原色の発光、安定性、輝度上昇、積層構造、作製法等の研究開発が盛んに行われるようになった。
【0016】
更に、有機材料の特長である分子設計等により様々な新規材料が発明され、直流低電圧駆動、薄型、自発光性等の優れた特徴を有する有機電界発光素子のカラーディスプレイへの応用研究も盛んに行われている。
【0017】
図5に、従来の有機電界発光素子の一例を示す。
【0018】
この有機電界発光素子10は、透明ガラス基板6上に、ITO(Indium Tin Oxide) 透明電極5、ホール輸送層4、発光層3、電子輸送層2及び陰極1を、例えば、真空蒸着法で順次成膜したものである。
【0019】
この有機電界発光素子10において、陽極であるITO透明電極5と陰極1との間に直流電圧7を印加すると、ITO透明電極5から注入されたキャリアとしてのホール(正孔)がホール輸送層4を経て、一方、陰極1から注入された電子が電子輸送層2を経て夫々移動し、発光層3において、それら電子−正孔対の再結合が生じ、そこから所定波長の発光8が生じて、それを透明ガラス基板6の側から観察できる。
【0020】
発光層3には、例えば、アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン等の発光物質を用いることができる。
【0021】
図6に、従来の別の有機電界発光素子を示すが、この有機電界発光素子20では、電子輸送層2が発光層を兼ねている。
【0022】
図7に、図6の有機電界発光素子20を用いた平面ディスプレイの構成例を示す。
【0023】
図示の如く、電子輸送層2とホール輸送層4とからなる有機積層構造が、陰極1と陽極5の間に配される。陰極1及び陽極5は、互いに交差するストライプ状に設けられ、夫々、輝度信号回路34及びシフトレジスタ内蔵の制御回路35により選択されて信号電圧が印加される。これにより、選択された陰極1及び陽極5が交差する位置(画素)の有機積層構造が発光する。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような有機電界発光素子のカラーディスプレイへの応用を行う上で、RGB三原色の安定した発光は必要不可欠な条件である。
【0025】
ところが、有機電界発光素子を長時間駆動すると、ダークスポットと呼ばれる非発光点が発生し、このダークスポットの成長が、有機電界発光素子の寿命を短くしている原因の一つであった。
【0026】
ダークスポットは、一般に、駆動直後は肉眼では見えない程度の大きさで発生し、これを核として、連続駆動により成長していくことが知られている。
【0027】
また、ダークスポットは、駆動を行わない保存状態でも発生し、経時的に成長することが知られている。
【0028】
そこで、本発明の目的は、駆動状態及び長期保存状態におけるダークスポットの発生を極力抑え、長期保存可能で且つ長時間の安定した発光が得られる有機電界発光素子を提供することである。
【0029】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決すべく、本発明は、発光領域を含む有機積層構造が陽極と陰極との間に設けられた有機電界発光素子において、
少なくとも前記陰極が、アルミニウムと、アルミニウムの仕事関数よりも大きい仕事 関数を有する少なくとも1種の材料とを含有した陰極封止層により外部から保護され、
前記陰極封止層が、ゲルマニウム酸化物又は金−ゲルマニウムからなる保護層によっ て覆われていること、
を特徴とする。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好ましい実施の形態に従い説明する。
【0031】
〔第1の実施の形態〕
図1に、本発明の第1の実施の形態による有機電界発光素子の構成を模式的に示す。
【0032】
この第1の実施の形態による有機電界発光素子30では、透明ガラス基板6上に、ITO透明電極5をスパッタ法により形成し、その上に、順次、ホール輸送層4、発光層3及び電子輸送層2を真空蒸着法により積層して有機積層構造Aを形成し、更に、その上に、陰極1を真空蒸着法により形成する。そして、それらの上に、陰極1の外部からの保護及び外部への電極取り出しを兼ねた陰極封止層9を、やはり、真空蒸着法により形成する。
【0033】
この時、陰極1及び陰極封止層9には、アルミニウム(Al)系の材料を用いるのが好ましい。その理由は、有機電界発光素子の整流性には陰極材料が関与し、Alは、逆バイアスにおいて殆ど電流を通すことなく、整流性が良いからである。
【0034】
有機電界発光素子の整流性は、表示デバイスを作製する際には重要で、特に、単純マトリクス駆動型表示素子を作製するには、良い整流性を得ることが必要不可欠な条件となる。
【0035】
ところが、陰極1又は陰極封止層9に、Alの単体を用いると、ダークスポットの発生、成長が顕著に現れる。
【0036】
これは、ダークスポットの発生要因が、有機層と接している陰極の剥離や酸化、有機層を形成している分子のコンフォメーションの変化、更に、発光に伴う熱緩和過程での有機層の劣化等によるものだけではなく、特に、陰極材料によるヒロック(陰極材料がスパイク状に結晶成長して、有機層中に侵入すること)によるところが大きいからだと考えられる。
【0037】
陰極1をAl単体で構成すると、陰極1と電子輸送層2との界面にヒロックが発生する。また、これを防止するために、陰極1を、Alよりも仕事関数が小さい材料で構成すると、今度は、外部からの酸素や水分等の侵入により、陰極1と電子輸送層2との界面にヒロックが発生する。この時、陰極1を保護する陰極封止層9をAl単体で構成していると、この外部からの酸素や水分等の侵入を殆ど防げない。
【0038】
そこで、本実施の形態では、陰極1を、Alよりも仕事関数が小さい材料で構成すると同時に、陰極封止層9を、Alを主成分とし、且つ、Alの仕事関数よりも大きな仕事関数を有する少なくとも1種の材料を含有した材料で構成する。
【0039】
この時、陰極1を構成する、Alよりも仕事関数が小さい材料としては、例えば、リチウム(Li)、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、ナトリウム(Na)、バリウム(Ba)等を単独、若しくは、他の金属(特に、Al)との合金として用いることができる。
【0040】
また、陰極封止層9に用いる、Alの仕事関数よりも大きな仕事関数を有する材料としては、Alの仕事関数φ≒4.19〔eV〕よりも0.02eV以上大きい仕事関数を有する材料で、且つ、Alと合金化し得る材料を用いるのが好ましく、例えば、シリコン(Si:φ≒4.40〔eV〕)、銅(Cu:φ≒4.51〔eV〕)、クロム(Cr:φ≒4.44〔eV〕)、ニッケル(Ni:φ≒5.25〔eV〕)、ガリウム(Ga:φ≒4.45〔eV〕)、モリブデン(Mo:φ≒4.21〔eV〕)、白金(Pt:φ≒5.63〔eV〕)、金(Au:φ≒5.32〔eV〕)、銀(Ag:φ≒4.34〔eV〕)、炭素(C:φ≒4.81〔eV〕)、鉄(Fe:φ≒4.24〔eV〕)、アンチモン(Sb:φ≒4.56〔eV〕)、錫(Sn:φ≒4.42〔eV〕)、タングステン(W:φ≒4.55〔eV〕)、亜鉛(Zn:φ≒4.33〔eV〕)、ルテニウム(Ru:φ≒4.86〔eV〕)、カドミウム(Cd:φ≒4.22〔eV〕)、タンタル(Ta:φ≒4.22〔eV〕)、コバルト(Co:φ≒4.97〔eV〕)、ヒ素(As:φ≒4.79〔eV〕)、ニオブ(Nb:φ≒4.66〔eV〕)、パラジウム(Pd:φ≒4.95〔eV〕)、ビスマス(Bi:φ≒4.26〔eV〕)等を用いることができる。
【0041】
これらの材料は、陰極封止層9中に少なくとも1種類存在すれば良く、複数種類存在しても良い。
【0042】
この時、陰極封止層9におけるこれらの材料の含有量は、1種類につき0.05重量%(以下、wt%と記す。)以上、5wt%未満であるのが好ましい。従って、例えば、2種類又はそれ以上の材料を用いる場合には、合計で、10wt%未満まで含有させることができる。但し、これらの材料の含有量が多過ぎると、Alの整流性が低下し過ぎる虞が有り、また、ダークスポットの発生量も却って増加する虞が有るので、これらの材料全体の含有量は、0.05wt%以上、5wt%未満であるのがより好ましい。
【0043】
本実施の形態では、陰極1及び陰極封止層9を、夫々、上述の材料で構成することにより、駆動時及び長期保存後の駆動時、有機電界発光素子のダークスポットの発生及び成長を大幅に抑制することができる。
【0044】
なお、安定性を更に高めるために、ゲルマニウム(Ge)酸化物、AuGe等で陰極封止層9を更に覆って保護し、これにより、大気中の酸素等の影響を更に排除するのが好ましい。また、真空に引いた状態で素子を駆動するようにしても良い。
【0045】
また、陽極の透明電極5には、上述したITO(In2 O3 +5〜10wt%SnO2 )の他に、NESA(商品名:SnO2 +Sb2 O3 )やZAO(商品名:ZnO+1〜2wt%Al2 O3 )等を用いることができる。或いは、これらの積層膜で構成しても良い。更に、陽極には、真空準位からの仕事関数が大きいAu等を用いることもできる。
【0046】
更に、上記有機電界発光層を有する素子において、アノード電極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の材料に特に限定要件は無い(以下の実施の形態でも同様)。例えば、ホール輸送性発光層であるならば、ベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体等のホール輸送性発光材料を用いてもよい。同様に、電子輸送層には、ペリレン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体等の電子輸送性有機物質を用いてもよい。
【0047】
また、アノード電極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層は、それぞれが複数層からなる積層構造であってももちろんよい。
【0048】
また、本実施の形態における各有機層は、蒸着以外にも、昇華又は気化を伴う他の成膜方法でも形成可能である。
【0049】
なお、モノカラー用の有機EL素子は勿論、発光材料を選択することによって、R、G、Bの三色を発光するフルカラー用、又はマルチカラー用の有機EL素子を作製することができる。その他、ディスプレイ用としてだけでなく、光源用としても使用可能な有機EL素子に適用できるとともに、他の光学的用途にも適用することができる。
【0050】
〔第2の実施の形態〕
図2に、本発明の第2の実施の形態による有機電界発光素子の構成を模式的に示す。
【0051】
この第2の実施の形態による有機電界発光素子40では、電子輸送層2を、発光層を兼ねた電子輸送性発光材料で構成し、上述した第1の実施の形態における発光層3を省略している。これ以外の構成は、上述した第1の実施の形態と実質的に同じである。
【0052】
このような電子輸送性発光材料としては、例えば、下記〔化1〕に構造式を示すアルミキノリン錯体Alq3 (8-hydroxy quinorine aluminum) を用いることができる。
【0053】
【化1】
【0054】
〔第3の実施の形態〕
図3に、本発明の第3の実施の形態による有機電界発光素子の構成を模式的に示す。
【0055】
この第3の実施の形態による有機電界発光素子50では、陽極であるITO透明電極5とホール輸送層4との間に、ホール注入効率を高めるためのホール注入層12を設けている。これ以外の構成は、上述した第2の実施の形態と実質的に同じである。
【0056】
このようなホール注入層12は、例えば、下記〔化2〕に構造式を示すm−MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)で構成することができる。
【0057】
【化2】
【0058】
〔第4の実施の形態〕
図4に、本発明の第4の実施の形態による有機電界発光素子の構成を模式的に示す。
【0059】
この第4の実施の形態による有機電界発光素子60では、ホール輸送層4を、発光層を兼ねたホール輸送性発光材料で構成し、上述した第1の実施の形態における発光層3を省略している。また、ITO透明電極5とホール輸送層4との間に、上述した第3の実施の形態と同様のホール注入層12を設け、更に、ホール輸送層4と電子輸送層2との間に、電子−正孔の再結合によるエキシトン(exciton : 励起子)の生成を促進するためのエキシトン生成促進層13を設けている。これ以外の構成は、上述した第1の実施の形態と実質的に同じである。
【0060】
ホール輸送性発光材料としては、例えば、ベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体等を用いることができる。具体的には、例えば、下記〔化3〕に構造式を示すTPD(N,N’−diphenyl−N,N’−bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine) や、
【0061】
【化3】
【0062】
下記〔化4〕に構造式を示すα−NPD(α-naphtyl phenyl diamine)等を用いることができる。
【0063】
【化4】
【0064】
また、エキシトン生成促進層13は、例えば、下記〔化5〕に構造式を示すバソクプロイン(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-penanthroline) で構成することができる。
【0065】
【化5】
【0066】
なお、以上に説明した各実施の形態において、陰極1、電子輸送層2、発光層3、ホール輸送層4、陽極5、陰極封止層9等は、各々が複数の層からなる積層構造であっても良い。
【0067】
また、陰極封止層9は、陰極1を外部から保護するように覆っていれば充分であり、他の部分は必ずしも覆っていなくても良い。
【0068】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【0069】
実施例1
30mm×30mmの透明ガラス基板上に膜厚約100nmのITO膜が設けられたITO基板を用い、その上に、SiO2 膜を蒸着して、2mm×2mmの発光領域以外をSiO2 膜によりマスクした有機電界発光素子用基板を作製した。
【0070】
次に、その有機電界発光素子用基板上に、ホール輸送層としてTPDを、真空蒸着法により、真空下で約50nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )し、更に、そのTPDの上に、電子輸送性を持った発光材料であるAlq3 を電子輸送性発光層として約50nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )した。
【0071】
しかる後、その上に、陰極としてLiを約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlSiCu(Si:約1wt%、Cu:約0.5wt%)を約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0072】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.54)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度100mA/cm2 での輝度は約6400cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0073】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約200cd/m2 )、駆動後1時間では、発光面に、肉眼で観察できるダークスポットは無く、倍率10倍のファインダーを通して観察しても、ダークスポットは認められなかった。
【0074】
実施例2
実施例1と同様の有機電界発光素子用基板を用い、その上に、ホール注入層としてm−MTDATAを、真空蒸着法により、真空下で約30nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )し、その上に、ホール輸送層としてα−NPDを、真空蒸着法により、真空下で約30nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )し、更に、その上に、電子輸送性発光層としてAlq3 を約50nmの膜厚に蒸着した。
【0075】
しかる後、その上に、陰極としてLiを約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlCu(Cu:約1wt%)を約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0076】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.55)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度400mA/cm2 での輝度は約26000cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0077】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約230cd/m2 )、駆動後1時間では、発光面に、肉眼で観察できるダークスポットは無く、倍率10倍のファインダーを通して観察しても、ダークスポットは認められなかった。
【0078】
実施例3
実施例2と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール注入層であるm−MTDATA、ホール輸送層であるα−NPD、及び、電子輸送性発光層であるAlq3 を夫々形成した後、その上に、陰極としてLiを約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlSiCu(Si:約1wt%、Cu:約0.5wt%)を約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0079】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.55)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度400mA/cm2 での輝度は約27000cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0080】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約230cd/m2 )、駆動後1時間では、発光面に、肉眼で観察できるダークスポットは無く、倍率10倍のファインダーを通して観察しても、ダークスポットは認められなかった。
【0081】
実施例4
実施例1と同様の有機電界発光素子用基板を用い、その上に、ホール注入層としてm−MTDATAを、真空蒸着法により、真空下で約30nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )し、その上に、ホール輸送性発光層としてα−NPDを、真空蒸着法により、真空下で約50nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )し、更に、その上に、エキシトン生成促進層としてバソクプロインを約20nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )し、更に、その上に、電子輸送層としてAlq3 を約20nmの膜厚に蒸着した。
【0082】
しかる後、その上に、陰極としてLiを約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlSiCu(Si:約1wt%、Cu:約1wt%)を約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0083】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約460nm、CIE色度座標上での座標は(0.160,0.140)であり、良好な青色発光を呈した。また、電流密度200mA/cm2 での輝度は約1500cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、α−NPDからの発光であることは明らかであった。
【0084】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、12mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約140cd/m2 )、駆動後1時間では、発光面に、肉眼で観察できるダークスポットは無く、倍率10倍のファインダーを通して観察しても、ダークスポットは認められなかった。
【0085】
実施例5
実施例2と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール注入層であるm−MTDATA、ホール輸送層であるα−NPD、電子輸送性発光層であるAlq3 、陰極であるLi、陰極封止層であるAlCu、及び、AuGe電極を夫々形成し、有機電界発光素子を作製した。但し、陰極封止層のAlCu中のCuの含有量を約0.5wt%とした。
【0086】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.55)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度400mA/cm2 での輝度は約27000cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0087】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度0%以下(露点約−47℃以下)の乾燥窒素雰囲気中で30日間保管した後、未発光面を、大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約230cd/m2 )、駆動直後のダークスポットは観察されず、また、駆動後1時間でも、発光面に、肉眼で観察できるダークスポットは無かった。更に、倍率10倍のファインダーを通して観察しても、ダークスポットは認められなかった。
【0088】
実施例6
実施例1と同様の有機電界発光素子用基板を用い、その上に、ホール輸送層としてTPDを、真空蒸着法により、真空下で約50nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )し、更に、その上に、電子輸送性発光層としてAlq3 を約50nmの膜厚に蒸着(蒸着速度約0.2〜0.4nm/sec )した。
【0089】
しかる後、その上に、陰極としてAlLi(Li:約1wt%)を約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlSiCu(Si:約1.5wt%、Cu:約0.5wt%)を約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0090】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.33,0.54)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度100mA/cm2 での輝度は約6600cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0091】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約200cd/m2 )、駆動後1時間では、発光面に、肉眼で観察できるダークスポットは無く、倍率10倍のファインダーを通して観察しても、ダークスポットは認められなかった。
【0092】
実施例7
実施例6と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール輸送層であるTPD、及び、電子輸送性発光層であるAlq3 を夫々形成した後、その上に、陰極としてAlLiCuMg(Li:約1wt%、Cu:約0.5wt%、Mg:約2.0wt%)を約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlSiCu(Si:約1wt%、Cu:約0.5wt%)を約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0093】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.54)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度100mA/cm2 での輝度は約6400cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0094】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約200cd/m2 )、駆動後1時間では、発光面に、肉眼で観察できるダークスポットは無く、倍率10倍のファインダーを通して観察しても、ダークスポットは認められなかった。
【0095】
実施例8
実施例6と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール輸送層であるTPD、及び、電子輸送性発光層であるAlq3 を夫々形成した後、その上に、陰極としてLiを約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlCuを約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0096】
この実施例では、陰極封止層のAlCu中のCu含有量を、0.05wt%、0.5wt%、1.0wt%、5.0wt%、及び、10.0wt%として、夫々の試料におけるダークスポットの発生数を調べた。
【0097】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、いずれの試料においても、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.31,0.54)であり、良好な緑色発光を呈した。また、発光スペクトルの形状から、いずれの試料においても、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0098】
これらの有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約200cd/m2 )、駆動後1時間での発光面におけるダークスポットの数は、倍率10倍のファインダーを通して観察すると、以下の〔表1〕のようになった。
【0099】
【表1】
【0100】
この〔表1〕の結果から、陰極封止層にCuを含有させることにより、Al単体の場合に比較して、ダークスポットの発生を大幅に抑制できることが分かる。但し、Cuの含有量が5.0wt%以上になると、再び、ダークスポットの発生数が増え始めるので、Cuの含有量は、0.05wt%以上、5.0wt%未満であるのが好ましい。
【0101】
比較例1
実施例2と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール注入層であるm−MTDATA、ホール輸送層であるα−NPD、電子輸送性発光層であるAlq3 、及び、陰極であるLiを夫々形成した後、陰極封止層としてAlを約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0102】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.55)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度400mA/cm2 での輝度は約25500cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0103】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約220cd/m2 )、駆動後10分程度で、発光面には、肉眼で観察できる細かなダークスポットが発生し、駆動後1時間では、全発光面積に占めるダークスポットの割合は約3%になった。
【0104】
比較例2
実施例2と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール注入層であるm−MTDATA、ホール輸送層であるα−NPD、及び、電子輸送性発光層であるAlq3 を夫々形成した後、その上に、陰極としてAlLi(Li:約1wt%)を約2nmの膜厚に蒸着(蒸着速度〜0.3nm/sec )し、更に、その上に、陰極封止層としてAlを約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0105】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.55)であり、良好な緑色発光を呈した。また、発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0106】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約230cd/m2 )、駆動後10分程度で、発光面には、肉眼で観察できる細かなダークスポットが発生し、駆動後1時間では、全発光面積に占めるダークスポットの割合は約4.5%になった。
【0107】
比較例3
比較例1と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール注入層であるm−MTDATA、ホール輸送層であるα−NPD、電子輸送性発光層であるAlq3 、陰極であるLi、陰極封止層であるAl、及び、AuGe電極を夫々形成し、有機電界発光素子を作製した。
【0108】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.55)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度400mA/cm2 での輝度は約25000cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0109】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度0%以下(露点約−47℃以下)の乾燥窒素雰囲気中で30日間保管した後、未発光面を、大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約230cd/m2 )、駆動直後からダークスポットが観察され、また、駆動後1時間では、発光面全体に、肉眼で観察できるダークスポットが存在した。更に、駆動後1時間では、全発光面積に占めるダークスポットの割合は約10%になった。
【0110】
比較例4
実施例2と同様の条件で、有機電界発光素子用基板上に、ホール注入層であるm−MTDATA、ホール輸送層であるα−NPD、電子輸送性発光層であるAlq3 、及び、陰極であるLiを夫々形成した後、陰極封止層としてAlTi(Ti:約2.0wt%、Tiの仕事関数φ≒3.57〔eV〕)を約200nmの膜厚に蒸着した。更に、封止を完全に行うために、AuGe電極を約200nmの膜厚に蒸着し、有機電界発光素子を作製した。
【0111】
こうして作製した有機電界発光素子の特性を測定したところ、最大発光波長は約520nm、CIE色度座標上での座標は(0.32,0.55)であり、良好な緑色発光を呈した。また、電流密度400mA/cm2 での輝度は約23000cd/m2 であった。発光スペクトルの形状から、Alq3 からの発光であることは明らかであった。
【0112】
この有機電界発光素子を、気温約20℃、相対湿度約30%の大気中で、5mA/cm2 の電流密度で定電流駆動したところ(初期輝度約250cd/m2 )、駆動後10分程度で、発光面には、肉眼で観察できる細かなダークスポットが発生し、駆動後1時間では、全発光面積に占めるダークスポットの割合は約20%になった。
【0113】
この結果から、陰極封止層のAlに含有させる材料は、Alの仕事関数φ≒4.19〔eV〕よりも大きな仕事関数を有する材料でなければならないことが分かる。
【0114】
【発明の効果】
本発明では、発光領域を含む有機積層構造が陽極と陰極との間に設けられた有機電界発光素子において、少なくとも陰極を、アルミニウム及びアルミニウムの仕事関数よりも大きい仕事関数を有する少なくとも1種の材料を含有した陰極封止層により外部から保護している。
【0115】
従って、駆動時及び長期保存後の駆動時、有機電界発光素子におけるダークスポットの発生及び成長を大幅に抑制することができ、有機電界発光素子の特性の安定化及び長寿命化を達成することができる。
しかも、陰極封止層が、ゲルマニウム酸化物又は金−ゲルマニウムからなる保護層によって覆われているので、陰極封止層を保護して、大気中の酸素等の影響を更に排除することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による有機電界発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態による有機電界発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態による有機電界発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態による有機電界発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図5】従来の有機電界発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図6】従来の別の有機電界発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図7】有機電界発光素子を用いた平面ディスプレイの構成を示す概略図である。
【符号の説明】
1…陰極、2…電子輸送層、3…発光層、4…ホール輸送層、5…ITO透明電極、6…透明ガラス基板、9…陰極封止層、10、20、30、40、50、60…有機電界発光素子、11…電気絶縁体、12…ホール注入層、13…エキシトン生成促進層、A…有機積層構造[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic electroluminescent element suitable for use in, for example, a self-luminous thin flat display.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the importance of man-machine interfaces has been increasing, starting with multimedia-oriented products. In order for humans to operate a machine more comfortably and efficiently, it is necessary to extract a sufficient amount of information accurately, simply and instantaneously from the machine being operated. For this reason, research has been conducted on various display elements for displays.
[0003]
In addition, with the miniaturization and thinning of machines, demands for miniaturization and thinning of display elements are increasing day by day.
[0004]
For example, liquid crystal displays are used as display interfaces for various products, and are often used in products for everyday use such as small televisions, watches, and calculators as well as laptop information processing equipment. .
[0005]
These liquid crystal displays have been studied as the center of display elements from small to large capacity display devices, taking advantage of the low voltage driving and low power consumption of liquid crystals.
[0006]
However, since a liquid crystal display is not self-luminous, it requires a backlight, and driving this backlight requires more power than driving a liquid crystal. However, there is a drawback that the use of the device becomes limited.
[0007]
In addition, since the liquid crystal display has a narrow viewing angle, it is not suitable for a display element such as a large display.
[0008]
Furthermore, since the liquid crystal display is a display method based on the alignment state of the liquid crystal molecules, there is a problem that the contrast changes depending on the angle even in the range of the viewing angle.
[0009]
Considering the driving method, the active matrix method, which is one of the driving methods of the liquid crystal display, shows a response speed sufficient for handling moving images, but it is necessary to use a TFT (thin film transistor) driving circuit, so that there is a pixel defect. As a result, it was difficult to increase the screen size. Also, the use of a TFT drive circuit is not very preferable from the viewpoint of cost.
[0010]
On the other hand, the simple matrix method, which is another driving method for liquid crystal displays, is low in cost and relatively easy to increase the screen size, but has a response speed sufficient to handle moving images. There was a drawback of not.
[0011]
On the other hand, plasma display elements, inorganic electroluminescent elements, organic electroluminescent elements and the like have been studied as self-luminous display elements.
[0012]
The plasma display element uses plasma light emission in a low-pressure gas for display and is suitable for increasing the size and capacity, but has problems in terms of thickness reduction and cost. Moreover, since a high voltage AC bias is required for driving, it is not suitable for portable devices.
[0013]
As for the inorganic electroluminescent element, a green light emitting display or the like was commercialized at first. However, like the plasma display element, it was an AC bias drive, and several hundred volts were required for the drive. Due to technological development, the R (red), G (green), and B (blue) colors required for color display display have been successfully emitted today, but because it is an inorganic material, for example, It is difficult to control the emission wavelength or the like by molecular design, and it is difficult to achieve full color.
[0014]
On the other hand, the electroluminescence phenomenon due to organic compounds has been studied for a long time since the discovery of the light emission phenomenon by carrier injection into the anthracene single crystal that emits strong fluorescence in the early 1960s. Moreover, since it was a single crystal, it was only at the basic research stage of carrier injection into organic materials.
[0015]
However, since Tang et al. Of Eastman Kodak in 1987 announced an organic thin-film electroluminescent device with an amorphous light-emitting layer capable of low-voltage drive and high-intensity light emission, light emission in three primary colors in various directions. Research and development such as stability, brightness increase, laminated structure, and fabrication method have been actively conducted.
[0016]
In addition, various new materials have been invented by molecular design, which is a characteristic of organic materials, and application research to color displays of organic electroluminescent elements having excellent features such as direct current low voltage drive, thinness, and self-luminous property is also active. Has been done.
[0017]
FIG. 5 shows an example of a conventional organic electroluminescent element.
[0018]
This organic
[0019]
In this organic
[0020]
For the light emitting layer 3, for example, a light emitting material such as anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, or the like can be used.
[0021]
FIG. 6 shows another conventional organic electroluminescent device. In this organic
[0022]
FIG. 7 shows a configuration example of a flat display using the organic
[0023]
As shown in the figure, an organic laminated structure composed of an
[0024]
[Problems to be solved by the invention]
In applying the organic electroluminescence device as described above to a color display, stable light emission of the three primary colors of RGB is an indispensable condition.
[0025]
However, when the organic electroluminescent element is driven for a long time, a non-emission point called a dark spot is generated, and the growth of the dark spot is one of the causes for shortening the lifetime of the organic electroluminescent element.
[0026]
It is known that a dark spot is generally generated in a size that is invisible to the naked eye immediately after driving, and grows by continuous driving using this as a core.
[0027]
Further, it is known that dark spots are generated even in a storage state in which driving is not performed and grow with time.
[0028]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device capable of suppressing generation of dark spots in a driving state and a long-term storage state as much as possible, and capable of long-term storage and stable light emission for a long time.
[0029]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, the present invention provides an organic electroluminescent device in which an organic laminated structure including a light emitting region is provided between an anode and a cathode.
At least the cathode is protected from the outside by a cathode sealing layer containing aluminum and at least one material having a work function larger than that of aluminum.,
The cathode sealing layer is formed of a protective layer made of germanium oxide or gold-germanium. Coveredingthing,
Characterized by.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described according to preferred embodiments.
[0031]
[First Embodiment]
FIG. 1 schematically shows a configuration of an organic electroluminescent element according to the first embodiment of the present invention.
[0032]
In the
[0033]
At this time, it is preferable to use an aluminum (Al) -based material for the
[0034]
The rectifying property of the organic electroluminescent element is important when manufacturing a display device. In particular, in order to manufacture a simple matrix driving type display element, obtaining a good rectifying property is an indispensable condition.
[0035]
However, when a single substance of Al is used for the
[0036]
This is because dark spots are caused by peeling and oxidation of the cathode in contact with the organic layer, changes in the conformation of the molecules forming the organic layer, and deterioration of the organic layer during the thermal relaxation process associated with light emission. It is thought that this is not only due to the above, but particularly due to hillocks caused by the cathode material (the cathode material crystal grows in a spike shape and penetrates into the organic layer).
[0037]
When the
[0038]
Therefore, in the present embodiment, the
[0039]
At this time, as the material constituting the
[0040]
Further, the material having a work function larger than the work function of Al used for the
[0041]
These materials may be present in at least one kind in the
[0042]
At this time, the content of these materials in the
[0043]
In the present embodiment, the
[0044]
In order to further improve the stability, it is preferable to further cover and protect the
[0045]
Further, the
[0046]
Furthermore, in the element having the organic electroluminescent layer, there are no particular requirements for the materials of the anode electrode, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer (the same applies to the following embodiments). For example, in the case of a hole transporting light emitting layer, a hole transporting light emitting material such as a benzidine derivative, a styrylamine derivative, a triphenylmethane derivative, or a hydrazone derivative may be used. Similarly, an electron transporting organic material such as a perylene derivative, a bisstyryl derivative, or a pyrazine derivative may be used for the electron transport layer.
[0047]
Of course, the anode electrode, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer may each have a laminated structure composed of a plurality of layers.
[0048]
In addition, each organic layer in this embodiment can be formed by other film formation methods involving sublimation or vaporization besides vapor deposition.
[0049]
Note that a full-color or multi-color organic EL element that emits three colors of R, G, and B can be manufactured by selecting a light-emitting material as well as a mono-color organic EL element. In addition, the present invention can be applied not only to a display but also to an organic EL element that can be used not only for a light source but also for other optical uses.
[0050]
[Second Embodiment]
In FIG. 2, the structure of the organic electroluminescent element by the 2nd Embodiment of this invention is shown typically.
[0051]
In the
[0052]
As such an electron transporting light emitting material, for example, an aluminum quinoline complex Alq having the structural formula shown in the following [Chemical Formula 1]Three(8-hydroxy quinorine aluminum) can be used.
[0053]
[Chemical 1]
[0054]
[Third Embodiment]
FIG. 3 schematically shows a configuration of an organic electroluminescent element according to the third embodiment of the present invention.
[0055]
In the
[0056]
Such a
[0057]
[Chemical formula 2]
[0058]
[Fourth Embodiment]
FIG. 4 schematically shows the configuration of an organic electroluminescent element according to the fourth embodiment of the present invention.
[0059]
In the organic electroluminescent device 60 according to the fourth embodiment, the
[0060]
As the hole transporting light-emitting material, for example, a benzidine derivative, a styrylamine derivative, a triphenylmethane derivative, a hydrazone derivative, or the like can be used. Specifically, for example, TPD (N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′- diamine) and
[0061]
[Chemical Formula 3]
[0062]
Α-NPD (α-naphtyl phenyl diamine) having the structural formula shown in [Chemical Formula 4] below can be used.
[0063]
[Formula 4]
[0064]
The exciton
[0065]
[Chemical formula 5]
[0066]
In each of the embodiments described above, the
[0067]
Moreover, the
[0068]
【Example】
Examples of the present invention will be described below.
[0069]
Example 1
An ITO substrate in which an ITO film having a film thickness of about 100 nm is provided on a 30 mm × 30 mm transparent glass substrate is used.2A film is deposited and
[0070]
Next, TPD as a hole transport layer is deposited on the organic electroluminescent device substrate to a film thickness of about 50 nm under vacuum by vacuum deposition (deposition rate of about 0.2 to 0.4 nm / sec). Furthermore, on the TPD, Alq which is a light-emitting material having electron transport propertiesThreeWas deposited as an electron transporting light emitting layer to a film thickness of about 50 nm (deposition rate of about 0.2 to 0.4 nm / sec).
[0071]
Thereafter, Li is deposited as a cathode to a film thickness of about 2 nm (deposition rate˜0.3 nm / sec) thereon, and further, AlSiCu (Si: about 1 wt%, Cu as a cathode sealing layer) is formed thereon. : About 0.5 wt%) was deposited to a film thickness of about 200 nm. Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0072]
When the characteristics of the organic electroluminescence device thus fabricated were measured, the maximum emission wavelength was about 520 nm and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.54), and good green emission was exhibited. Also, the current density is 100 mA / cm2The brightness at about 6400 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0073]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current with a current density of about 200 cd /
[0074]
Example 2
A substrate for an organic electroluminescence device similar to that in Example 1 was used, and m-MTDATA was deposited thereon as a hole injection layer to a film thickness of about 30 nm under vacuum by a vacuum deposition method (deposition rate of about 0.2). ˜0.4 nm / sec), and α-NPD as a hole transport layer is deposited on the film to a thickness of about 30 nm under vacuum by a vacuum deposition method (deposition rate of about 0.2 to 0.4 nm / sec). In addition, as an electron transporting light emitting layer, Alq is further formed thereon.ThreeWas deposited to a film thickness of about 50 nm.
[0075]
After that, Li was deposited as a cathode to a film thickness of about 2 nm (deposition rate˜0.3 nm / sec) thereon, and AlCu (Cu: about 1 wt%) was further formed thereon as a cathode sealing layer. Vapor deposition was performed to a thickness of about 200 nm. Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0076]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus produced were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.55), and good green emission was exhibited. The current density is 400 mA / cm.2The brightness at about 26000 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0077]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current at an initial current density (initial luminance of about 230 cd /
[0078]
Example 3
Under the same conditions as in Example 2, on the organic electroluminescence device substrate, m-MTDATA as a hole injection layer, α-NPD as a hole transport layer, and Alq as an electron transport light-emitting layer.ThreeAfter that, Li was deposited as a cathode to a film thickness of about 2 nm (deposition rate˜0.3 nm / sec) thereon, and further, AlSiCu (Si: about 1 wt. %, Cu: about 0.5 wt%) was deposited to a film thickness of about 200 nm. Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0079]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus produced were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.55), and good green emission was exhibited. The current density is 400 mA / cm.2The brightness at about 27000 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0080]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current at an initial current density (initial luminance of about 230 cd /
[0081]
Example 4
A substrate for an organic electroluminescence device similar to that in Example 1 was used, and m-MTDATA was deposited thereon as a hole injection layer to a film thickness of about 30 nm under vacuum by a vacuum deposition method (deposition rate of about 0.2). ˜0.4 nm / sec), and α-NPD as a hole transporting light emitting layer is deposited on the film to a film thickness of about 50 nm under vacuum by a vacuum deposition method (deposition rate of about 0.2 to 0.4 nm). Further, bathocuproine is vapor-deposited as an exciton production promoting layer to a film thickness of about 20 nm (deposition rate of about 0.2 to 0.4 nm / sec), and further, an electron transport layer is formed thereon. As AlqThreeWas deposited to a film thickness of about 20 nm.
[0082]
Thereafter, Li is deposited thereon as a cathode to a film thickness of about 2 nm (deposition rate˜0.3 nm / sec), and further, AlSiCu (Si: about 1 wt%, Cu as a cathode sealing layer) is formed thereon. : About 1 wt%) was deposited to a film thickness of about 200 nm. Furthermore, in order to completely seal, an AuGe electrode was deposited to a thickness of about 200 nm to produce an organic electroluminescent element.
[0083]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus fabricated were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 460 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.160, 0.140), and good blue emission was exhibited. The current density is 200 mA / cm.2The brightness at about 1500 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, it was clear that the light was emitted from α-NPD.
[0084]
This organic electroluminescent device is 12 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current with a current density of about 140 cd /
[0085]
Example 5
Under the same conditions as in Example 2, on the organic electroluminescence device substrate, m-MTDATA as a hole injection layer, α-NPD as a hole transport layer, Alq as an electron transport light-emitting layer.ThreeThen, Li as a cathode, AlCu as a cathode sealing layer, and AuGe electrode were formed, respectively, to produce an organic electroluminescent device. However, the content of Cu in the AlCu of the cathode sealing layer was about 0.5 wt%.
[0086]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus produced were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.55), and good green emission was exhibited. The current density is 400 mA / cm.2The brightness at about 27000 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0087]
After storing this organic electroluminescent element in a dry nitrogen atmosphere at a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of 0% or less (dew point of about −47 ° C. or less) for 30 days, the non-light emitting surface was 5 mA / cm in the atmosphere.2When driven at a constant current at an initial current density (initial luminance of about 230 cd / m2) No dark spots were observed immediately after driving, and there were no dark spots that could be observed with the naked eye on the light emitting surface even after 1 hour of driving. Furthermore, no dark spots were observed even when observed through a finder having a magnification of 10 times.
[0088]
Example 6
A substrate for organic electroluminescence device similar to that in Example 1 was used, and TPD was deposited thereon as a hole transport layer by vacuum deposition to a film thickness of about 50 nm under vacuum (deposition rate of about 0.2 to 0). 4 nm / sec), and further, Alq as an electron transporting light emitting layer is formed thereon.ThreeWas deposited to a film thickness of about 50 nm (deposition rate of about 0.2 to 0.4 nm / sec).
[0089]
Thereafter, AlLi (Li: about 1 wt%) is deposited as a cathode to a film thickness of about 2 nm (deposition rate˜0.3 nm / sec) thereon, and further, AlSiCu (as a cathode sealing layer) is formed thereon. Si: about 1.5 wt%, Cu: about 0.5 wt%) was deposited to a film thickness of about 200 nm. Furthermore, in order to completely seal, an AuGe electrode was deposited to a thickness of about 200 nm to produce an organic electroluminescent element.
[0090]
When the characteristics of the organic electroluminescence device thus prepared were measured, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.33, 0.54), and good green emission was exhibited. Also, the current density is 100 mA / cm2The brightness at about 6600 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0091]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current with a current density of about 200 cd /
[0092]
Example 7
Under the same conditions as in Example 6, TPD as the hole transport layer and Alq as the electron transport light-emitting layer were formed on the organic electroluminescent element substrate.ThreeThen, AlLiCuMg (Li: about 1 wt%, Cu: about 0.5 wt%, Mg: about 2.0 wt%) is deposited as a cathode to a thickness of about 2 nm (deposition rate˜0. Further, AlSiCu (Si: about 1 wt%, Cu: about 0.5 wt%) was deposited thereon as a cathode sealing layer to a film thickness of about 200 nm. Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0093]
When the characteristics of the organic electroluminescence device thus fabricated were measured, the maximum emission wavelength was about 520 nm and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.54), and good green emission was exhibited. Also, the current density is 100 mA / cm2The brightness at about 6400 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0094]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current with a current density of about 200 cd /
[0095]
Example 8
Under the same conditions as in Example 6, TPD as the hole transport layer and Alq as the electron transport light-emitting layer were formed on the organic electroluminescent element substrate.ThreeAfter that, Li was deposited as a cathode to a film thickness of about 2 nm (deposition rate˜0.3 nm / sec) thereon, and further, AlCu was deposited thereon as a cathode sealing layer with a film thickness of about 200 nm. Vapor deposited thick. Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0096]
In this example, the Cu content in AlCu of the cathode sealing layer was set to 0.05 wt%, 0.5 wt%, 1.0 wt%, 5.0 wt%, and 10.0 wt% in each sample. The number of occurrences of dark spots was examined.
[0097]
When the characteristics of the organic electroluminescence device thus prepared were measured, in any sample, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.31, 0.54). Exhibited green light emission. In addition, from the shape of the emission spectrum, in any sample, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0098]
These organic electroluminescent devices are placed in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30% at 5 mA / cm.2When driven at a constant current with a current density of about 200 cd / m2) The number of dark spots on the light-emitting surface at 1 hour after driving was as shown in Table 1 below when observed through a finder with a magnification of 10 times.
[0099]
[Table 1]
[0100]
From the results of [Table 1], it can be seen that the inclusion of Cu in the cathode sealing layer can greatly suppress the occurrence of dark spots as compared with the case of Al alone. However, when the Cu content is 5.0 wt% or more, the number of dark spots starts to increase again. Therefore, the Cu content is preferably 0.05 wt% or more and less than 5.0 wt%.
[0101]
Comparative Example 1
Under the same conditions as in Example 2, on the organic electroluminescence device substrate, m-MTDATA as a hole injection layer, α-NPD as a hole transport layer, Alq as an electron transport light-emitting layer.ThreeAnd after forming Li which is a cathode, Al was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm as a cathode sealing layer. Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0102]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus produced were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.55), and good green emission was exhibited. The current density is 400 mA / cm.2The brightness at about 25500 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0103]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current at a current density of about 220 cd / m2) In about 10 minutes after driving, a fine dark spot that can be observed with the naked eye was generated on the light emitting surface, and in 1 hour after driving, the ratio of the dark spot in the total light emitting area was about 3%.
[0104]
Comparative Example 2
Under the same conditions as in Example 2, on the organic electroluminescence device substrate, m-MTDATA as a hole injection layer, α-NPD as a hole transport layer, and Alq as an electron transport light-emitting layer.ThreeThen, AlLi (Li: about 1 wt%) is deposited as a cathode to a film thickness of about 2 nm (deposition rate˜0.3 nm / sec) thereon, and further, a cathode sealing layer is formed thereon. As described above, Al was deposited to a thickness of about 200 nm. Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0105]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus produced were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.55), and good green emission was exhibited. Also, from the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0106]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current at an initial current density (initial luminance of about 230 cd / m2) In about 10 minutes after driving, fine dark spots that can be observed with the naked eye were generated on the light emitting surface, and in one hour after driving, the ratio of dark spots in the total light emitting area was about 4.5%. .
[0107]
Comparative Example 3
Under the same conditions as in Comparative Example 1, m-MTDATA, which is a hole injection layer, α-NPD, which is a hole transport layer, and Alq, which is an electron transport light-emitting layer, on an organic electroluminescent element substrate.ThreeThen, Li as the cathode, Al as the cathode sealing layer, and AuGe electrode were formed, respectively, to produce an organic electroluminescent device.
[0108]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus produced were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.55), and good green emission was exhibited. The current density is 400 mA / cm.2The brightness at about 25000 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0109]
After storing this organic electroluminescent element in a dry nitrogen atmosphere at a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of 0% or less (dew point of about −47 ° C. or less) for 30 days, the non-light emitting surface was 5 mA / cm in the atmosphere.2When driven at a constant current at an initial current density (initial luminance of about 230 cd / m2), A dark spot was observed immediately after driving, and in the 1 hour after driving, a dark spot that could be observed with the naked eye was present on the entire light emitting surface. Furthermore, in the 1 hour after driving, the ratio of dark spots in the total light emitting area was about 10%.
[0110]
Comparative Example 4
Under the same conditions as in Example 2, on the organic electroluminescence device substrate, m-MTDATA as a hole injection layer, α-NPD as a hole transport layer, Alq as an electron transport light-emitting layer.ThreeAfter forming Li as a cathode, AlTi (Ti: about 2.0 wt%, work function φ of Ti = 3.57 [eV]) was deposited as a cathode sealing layer to a film thickness of about 200 nm. . Furthermore, in order to perform sealing completely, an AuGe electrode was vapor-deposited to a film thickness of about 200 nm, and an organic electroluminescent element was produced.
[0111]
The characteristics of the organic electroluminescence device thus produced were measured. As a result, the maximum emission wavelength was about 520 nm, and the coordinates on the CIE chromaticity coordinates were (0.32, 0.55), and good green emission was exhibited. The current density is 400 mA / cm.2The brightness at about 23000 cd / m2Met. From the shape of the emission spectrum, AlqThreeIt was clear that the light was emitted from.
[0112]
This organic electroluminescent device is 5 mA / cm in an atmosphere having a temperature of about 20 ° C. and a relative humidity of about 30%.2When driven at a constant current at a current density of about 250 cd / m2) In about 10 minutes after driving, a fine dark spot that can be observed with the naked eye was generated on the light emitting surface, and in one hour after driving, the ratio of the dark spot to the total light emitting area was about 20%.
[0113]
From this result, it is understood that the material to be included in Al of the cathode sealing layer must be a material having a work function larger than the work function φ≈4.19 [eV] of Al.
[0114]
【The invention's effect】
In the present invention, in an organic electroluminescent device in which an organic laminated structure including a light emitting region is provided between an anode and a cathode, at least the cathode has at least one material having a work function larger than that of aluminum and aluminum. It is protected from the outside by a cathode sealing layer containing.
[0115]
Accordingly, the generation and growth of dark spots in the organic electroluminescent device can be significantly suppressed during driving and after driving for a long period of time, and the characteristics of the organic electroluminescent device can be stabilized and the lifetime can be increased. it can.
Moreover, since the cathode sealing layer is covered with a protective layer made of germanium oxide or gold-germanium, the cathode sealing layer can be protected to further eliminate the influence of oxygen in the atmosphere.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an organic electroluminescent element according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an organic electroluminescent element according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an organic electroluminescent element according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an organic electroluminescent element according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional organic electroluminescent element.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of another conventional organic electroluminescent element.
FIG. 7 is a schematic view showing a configuration of a flat display using an organic electroluminescent element.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (18)
少なくとも前記陰極が、アルミニウムと、アルミニウムの仕事関数よりも大きい仕事 関数を有する少なくとも1種の材料とを含有した陰極封止層により外部から保護され、
前記陰極封止層が、ゲルマニウム酸化物又は金−ゲルマニウムからなる保護層によっ て覆われていること、
を特徴とする、有機電界発光素子。In an organic electroluminescent device in which an organic laminated structure including a light emitting region is provided between an anode and a cathode,
At least the cathode is protected from the outside by a cathode sealing layer containing aluminum and at least one material having a work function larger than that of aluminum ;
Be covered by a protective layer made of germanium, - the cathode sealing layer is germanium oxide or gold
An organic electroluminescent element characterized by the above.
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