JP4736544B2 - Electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

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満 栗林
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Description

本発明は、電気光学装置とこの電気光学装置を備えた電子機器に関する。 The present invention includes the electro-optical device and an electronic apparatus including the electro-optical device.

従来、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する)表示装置などの電気光学装置においては、基板上に陽極、正孔注入層、EL物質などの電気光学物質からなる発光層、及び陰極等が積層された構造のものが知られている。 Conventionally, organic electroluminescence in the electro-optical device such as a (hereinafter, abbreviated as organic EL) display device, an anode on a substrate, a hole injection layer, light emitting layer made of electro-optical material such as an EL material, and a cathode and the like It has been known of the laminated structure. このような有機EL表示装置を構成する有機EL素子では、発光層を形成する電気光学物質の酸素や水分等による劣化や、陰極の酸素や水分等による導電性低下などにより、発光素子として寿命が短くなるといった課題があった。 The organic EL element constituting such an organic EL display device, deterioration due to oxygen or moisture in the electro-optical material forming the light-emitting layer by a conductive reduced due to oxygen or moisture in the cathode, life as a light-emitting element there is a problem such as shorter.
このような課題を解決する技術として、従来では、例えば発光層や陰極を覆って保護膜を形成する有機EL素子の製法が知られている(例えば、特許文献1参照)。 As a technique to solve such a problem, conventionally, for example, preparation of organic EL elements forming a protective film covering the light-emitting layer and the cathode are known (e.g., see Patent Document 1).
特開平8−111286号公報(図1) JP-8-111286 discloses (Fig. 1)

しかしながら、前記の有機EL素子の製法では、発光層が多数ある場合についての開示がなく、したがってこの技術を、多数の有機EL素子からなる表示部を備えた電気光学装置に適用するのが困難である。 However, in the production method of the organic EL device, no disclosure for the case where the light-emitting layer have a large number, thus this technique is difficult to apply to the electro-optical device including a display portion comprising a plurality of organic EL elements is there. よって、電気光学装置における発光素子(有機EL素子)の長寿命化が難しいのが現状である。 Therefore, the lifetime of the light-emitting element in the electro-optical device (organic EL device) is difficult at present.

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に発光層が多数あるような電気光学装置においても、発光層や電極への酸素や水分の浸入を容易にかつ確実に防止し、これによって発光素子の長寿命化を可能にした電気光学装置と、これを備えた電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object, in particular also in the light emitting layer is an electro-optical device such as a number, easily and reliably the penetration of oxygen and moisture into the light-emitting layer and the electrode preventing the thereby is to provide an electro-optical apparatus capable of long-lifetime light-emitting element which, the electronic device having the same.

前記目的を達成するため本発明の電気光学装置は、基体上に、複数の画素領域ごとに形成された複数の第1の電極と、前記基体上に形成され、前記複数の第1の電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク層と、前記複数の開口部のそれぞれに配置された、流れる電流量に応じて発光する機能層と、前記機能層を挟んで前記第1の電極の反対側に対向して配置され、前記複数の第1の電極にわたって連続して設けられた第2の電極と、前記複数の第1の電極の各々に接続された、前記第1の電極に駆動電流を供給する駆動用TFT、及び前記駆動用TFTの動作を制御するためのスイッチング用TFTと、前記スイッチング用TFTを駆動する走査線駆動回路と、前記第2の電極を覆うガスバリア層と、を備え、前記走査線駆動回 The electro-optical device of the present invention for achieving the object, on a substrate, and a plurality formed in each of a plurality of pixel areas a first electrode, formed on the substrate, the plurality of first electrode a bank layer having a plurality of openings corresponding to formation positions, the arranged plurality of the respective openings, and a functional layer that emits light according to the amount of current flowing, said first electrode across said functional layer is disposed facing the other side of, and a second electrode provided continuously over the plurality of first electrodes, which are connected to each of the plurality of first electrodes, the first electrode driving TFT for supplying a driving current, and a switching TFT for controlling the operation of the driving TFT, the scanning line drive circuit for driving the switching TFT, and the gas barrier layer covering the second electrode, wherein the scanning line driving times は、平面視で、 前記バンク層の最外周の内側に設けられた実表示領域の領域外であり且つ前記バンク層の最外周の内側の領域内に形成されるとともに、前記第2の電極は、前記バンク層の全面を覆い、且つ前記バンク層の前記最外周の外側まで延在され前記バンク層の外側において前記基体と接し、前記ガスバリア層は、前記第2の電極の外側まで延設され、前記第2の電極の外側において前記基体と接することにより、前記第2の電極の全面を覆っていること、を特徴とする。 Is a plan view, the bank layer is formed on the outermost periphery of the inner region of the region outside the are and the bank layer of the actual display area provided on the inner side of the outermost Rutotomoni, the second electrode the cover the entire surface of the bank layer, and wherein said bank layer extends to the outside of the outermost said substrate and in contact with the outside of the bank layer, the gas barrier layer is extended to the outside of the second electrode by contact with the substrate outside of the second electrode, that covers the entire surface of the second electrode, characterized by.
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記ガスバリア層の、前記基体及び前記第2の電極と接する部分は、珪素化合物からなることを特徴とする。 Further, the electro-optical device of the present invention is the above-described electro-optical device, the gas barrier layer, the substrate and a portion in contact with the second electrode is characterized by comprising a silicon compound.
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記ガスバリア層の、前記基体及び前記第2の電極と接する部分は、珪素酸窒化物からなることを特徴とする。 Further, the electro-optical device of the present invention is the above-described electro-optical device, the gas barrier layer, the substrate and a portion in contact with the second electrode is characterized in that it consists of silicon oxynitride.
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記ガスバリア層は、前記第2の電極側に設けられ珪素酸窒化物からなる層と、該層上に設けられた珪素酸化物からなる層とを少なくとも有することを特徴とする。 Further, silicon electro-optical device of the present invention is the above-described electro-optical device, the gas barrier layer, a layer comprising the provided silicon oxynitride on the second electrode side, which is provided on said layer and having at least a layer comprising an oxide.
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記ガスバリア層は、珪素酸窒化物からなり、第2の電極側の酸素濃度が外側の酸素濃度より低いことを特徴とする。 Further, the electro-optical device of the present invention is the above-described electro-optical device, the gas barrier layer is made of silicon oxynitride, and wherein the oxygen concentration of the second electrode side is lower than the oxygen concentration in the outer to.
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第1の電極は陽極であり、前記第2の電極は陰極であり、前記陰極の少なくともガスバリア層と接する面側が、無機酸化物からなることを特徴とする。 Further, the electro-optical device of the present invention is the above-described electro-optical device, the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, the surface side in contact with at least a gas barrier layer of the cathode, characterized by comprising the inorganic oxide.
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、 前記バンク層の最外周の外側部を形成する面の、基体表面との間でなす角度が、110度以上であることを特徴とする。 It electro-optical device of the present invention is the above-described electro-optical device, a surface forming the outer portion of the outermost periphery of the bank layer, the angle formed between the substrate surface, is at least 110 degrees the features.
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記走査線駆動回路は、矩形状に形成された前記バンク層の最外周の4つの辺のうち、互いに対向する一対の辺である第1の辺及び第2の辺に沿って設けられ、前記第1の辺及び第2の辺以外の辺に沿って検査回路が設けられていることを特徴とする。 Further, the electro-optical device of the present invention is the above-described electro-optical device, the scanning line driving circuit, among the four sides of the outermost periphery of the bank layer is formed in a rectangular shape, a pair of opposed It provided along a first side and a second side which is the side, wherein the first side and the test circuit along the sides other than the second side is provided.

この電気光学装置によれば、素子領域に含まれる素子層の外周側の側部を覆った状態で囲み部材囲み部材が設けられ、この囲み部材の外周側の側部が第2の電極で覆われ、さらにこの第2の電極がガスバリア層で覆われているので、特に素子領域に含まれる素子層の外周側の側部が囲み部材、第2の電極、ガスバリア層によって三重に封止されることにより、酸素や水分の浸入が確実に防止され、これにより酸素や水分による素子層や電極の劣化等が抑えられ、素子の長寿命化を可能になる。 According to the electro-optical device, member enclosing member is provided enclosed in a state of covering the outer periphery of the side of the element layer included in the element region, the outer periphery of the side portion of the enclosing member covering the second electrode We are sealed further sealed since the second electrode is covered with the gas barrier layer, in particular the outer peripheral side of the side portion enclosing members of the device layer included in the element region, a second electrode, in triplicate by the gas barrier layer it allows penetration of oxygen or moisture can be reliably prevented, thereby deterioration of the oxygen and moisture element layer due and electrodes can be suppressed, enabling the life of the device.
また、第2の電極やガスバリア層を素子層(例えば発光素子層)毎に形成する必要がないことから、微細なパターン形成が不要となり、したがって単純な成膜法で形成することができ、生産性の向上を図ることができる。 Further, since there is no need to form a second electrode and a gas barrier layer for each element layer (for example, a light emitting element layer), it is possible to form a fine pattern becomes unnecessary, thus forming a simple film forming method, production it is possible to improve the resistance.

また、前記電気光学装置においては、前記素子層は、前記第1の電極または前記第2の電極から供給されるキャリアが前記素子層を通過することにより機能を発現するものとしてもよい。 Further, in the electro-optical device, the device layer may be as the first electrode or the carrier supplied from the second electrode to express functional by passing through the element layer.
キャリアが素子層を通過する場合、少なくとも一部に電子と正孔の存在確率が異なる部分が生成し、その部分の電荷バランスが崩れることがある。 When the carrier passes through the element layer, the existence probability is different parts of the electrons and holes generated at least in part, may be charge balance of that portion is lost. このような部分は概して反応性が高く、例えば、酸素や水などと反応して構造欠陥となってしまう。 Such moieties generally more reactive, for example, becomes structural defects reacts like with oxygen and water. 構造欠陥はキャリアの捕捉サイトとなり、素子層の機能の低下の原因となる。 Structural defects become trapped sites carrier, cause a reduction in functionality of the device layer. このため、酸素や水などの劣化因子から素子層を十分保護する必要があるが、前記囲み部材やガスバリア層等により、酸素や水から素子層を保護することが可能になる。 Therefore, it is necessary to sufficiently protect the device layer from degradation factors such as oxygen and water, by the enclosing member and the gas barrier layer or the like, consisting of oxygen and water can be protected element layer.
また、キャリアの注入効率は電極の状態に大きな影響を受けるので、適切な注入効率を維持するためには、電極の劣化因子となる酸素や水などから十分に保護する必要があるが、前述したように前記囲み部材やガスバリア層等により、酸素や水から電極を保護することも可能になる。 Further, since the carrier injection efficiency is greatly affected by the state of the electrode, in order to maintain the proper injection efficiency, it is necessary to adequately protected from oxygen and water as a degradation factor of the electrode, the above-mentioned by the enclosing member and the gas barrier layer or the like, it becomes possible to protect the electrodes from oxygen and water.

また、前記電気光学装置においては、前記ガスバリア層は無機化合物あるいは珪素化合物であるのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, the gas barrier layer is preferably an inorganic compound or a silicon compound.
このようにすれば、例えば第2の電極がITO(インジウム錫酸化物)等の無機酸化物や金属、合金などからなる場合に、ガスバリア層が無機化合物あるいは珪素化合物であることから第2の電極との密着性がよくなり、したがってガスバリア層が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。 Thus, for example, an inorganic oxide or metal is the second electrode such as ITO (Indium Tin Oxide), when made of an alloy, the second electrode because the gas barrier layer is an inorganic compound or a silicon compound adhesion better with, thus barrier properties against oxygen and water becomes better becomes the gas barrier layer is defect free dense layer.

また、前記電気光学装置においては、前記第2の電極の少なくともガスバリア層と接する面側が、無機酸化物からなるのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, the surface side in contact with at least a gas barrier layer of the second electrode, consist inorganic oxide.
このようにすれば、第2の電極のガスバリア層と接する面側が無機酸化物からなっているので、無機化合物あるいは珪素化合物からなるガスバリア層との密着性がよくなり、したがってガスバリア層が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。 In this way, the surface side in contact with the gas barrier layer of the second electrode is so formed of a inorganic oxide, the better the adhesion between the gas barrier layer comprising an inorganic compound or a silicon compound, thus the gas barrier layer free from defects barrier property against oxygen and water becomes better it becomes dense layer.

また、前記電気光学装置においては、前記囲み部材の外側部を形成する面の、基体表面との間でなす角度が、110度以上であるのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, a surface forming the outer portion of the enclosing member, the angle formed between the substrate surface is preferably not less than 110 degrees.
このようにすれば、囲み部材の外側部を覆う第2の電極及びガスバリア層のカバレッジ性が良好となり、この外側部上での第2の電極とガスバリア層の連続性が確保される。 In this way, the coverage of the second electrode and the gas barrier layer covering the outer portion of the enclosing member is improved, the continuity of the second electrode and the gas barrier layer on the outer portion is secured.

また、前記電気光学装置においては、アクティブマトリクス型であるのが好ましい。 Further, in the electro-optical device is preferably an active matrix type.
このようにすれば、第2の電極を発光素子毎に形成する必要がないことから、微細なパターン形成が不要となり、したがって単純な成膜法で第2の電極を形成することができ、生産性の向上を図ることができる。 Thus, since it is not necessary to form the second electrode for each light emitting element, a fine pattern formation is not required, thus it is possible to form the second electrode in a simple film forming method, production it is possible to improve the resistance.

また、前記電気光学装置においては、前記ガスバリア層が、第2の電極側の酸素濃度が外側の酸素濃度より低く構成されているのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, the gas barrier layer is preferably an oxygen concentration of the second electrode side is made lower than the oxygen concentration of the outside.
このように構成されていれば、ガスバリア層の酸素が第2の電極を通って発光層に到り、発光層を劣化させてしまうといったことが防止され、これにより発光層の長寿命化が図られる。 If configured in this manner, the oxygen gas barrier layer is led to the light-emitting layer through the second electrode, it is prevented such deteriorates the light-emitting layer, thereby extend the life of the light-emitting layer in FIG. It is.

また、前記電気光学装置においては、前記ガスバリア層の上にこれを覆って保護層が設けられてなるのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, it becomes a protective layer is provided to cover this on the gas barrier layer.
このようにすれば、保護層によって発光層や電極が保護されることにより、酸素や水分による発光層や電極の劣化等が抑えられ、したがって発光素子の長寿命化が可能になる。 Thus, by the light-emitting layer and the electrode is protected by the protective layer, deterioration of the light-emitting layer and the electrode due to oxygen and moisture can be suppressed, thus enabling the life of the light emitting element.

なお、この電気光学装置においては、前記保護層はその表面側に表面保護層を有してなるのが好ましい。 Incidentally, in the electro-optical device, the protective layer preferably comprises a surface protective layer on the surface side.
このようにすれば、例えば表面保護層として耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有する層が備えられることにより、発光層や電極、さらにはガスバリア層もこの表面保護層によって保護され、したがって発光素子の長寿命化が図られる。 Thus, for example, pressure resistance and abrasion resistance as a surface protective layer, an antireflection property, gas barrier property, by a layer having functions such as ultraviolet blocking property is provided, the light-emitting layer and the electrode, and further gas barrier layer also protected by the surface protection layer, thus the life of the light emitting element is improved.

また、この電気光学装置においては、前記保護層が前記ガスバリア層側に、該ガスバリア層に密着し、かつ機械的衝撃に対して緩衝機能を有する緩衝層を有しているのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, the protective layer is the gas barrier layer side, in close contact with the gas barrier layer, and preferably has a buffer layer having a buffering function with respect to mechanical shock.
このようにすれば、緩衝層が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮することにより、ガスバリア層やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による機能劣化を防止することができる。 In this way, the buffer layer by exhibiting a pH buffer function against mechanical shock, relieve mechanical impact to the gas barrier layer and the inner of the light-emitting element, which prevents the function deterioration due to mechanical impact be able to.

なお、このような緩衝層は、シランカップリング剤またはアルコキシシランを含有しているのが好ましい。 Such a buffer layer preferably contains a silane coupling agent or alkoxysilane.
このようにすれば、ガスバリア層との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。 Thus, it becomes better adhesion between the gas barrier layer, thus buffering function is higher to mechanical shocks.

本発明の電子機器は、前記の電気光学装置を備えたことを特徴としている。 Electronic device of the present invention is characterized by comprising the electro-optical device.
この電子機器によれば、酸素や水分による発光層や電極の劣化等が抑えられたことによって発光素子が長寿命化された電気光学装置を備えているので、電子機器自体の製品寿命も良好になる。 According to the electronic apparatus, since the light-emitting element by deterioration of the light-emitting layer and the electrode due to oxygen and moisture is suppressed is provided with a long life electro-optic device, also well product life of electronic equipment itself Become.

本発明の電気光学装置の一実施形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いたEL表示装置について説明する。 As an embodiment of an electro-optical device of the present invention, electroluminescence type substance which is an example of electro-optical material, for an EL display device using an inter alia organic electroluminescence (EL) materials are described.
まず、本実施形態のEL表示装置の配線構造を、図1を参照して説明する。 First, a wiring structure of an EL display device of the present embodiment will be described with reference to FIG.
図1に示すEL表示装置(電気光学装置)1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下ではTFTと略記する)を用いたアクティブマトリクス型のEL表示装置である。 EL display (electro-optical apparatus) 1 shown in FIG. 1 is an active matrix type EL display device using thin film transistors as switching elements (Thin Film Transistor, hereinafter abbreviated as TFT).

このEL表示装置1は、図1に示すように、複数の走査線101…と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102…と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101…と信号線102…の各交点付近に、画素領域X…が設けられている。 The EL display device 1, as shown in FIG. 1, a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 ... extending in a direction intersecting at right angles to the scanning lines 101, parallel to the signal line 102 a plurality of power supply lines 103 ... and has a structure that is wired respectively extending, in the vicinity of each intersection of the scanning lines 101 ... and the signal lines 102 ..., the pixel region X ... is provided.
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続されている。 The signal line 102, a shift register, a level shifter, a data line driving circuit 100 comprises a video line and an analog switch is connected. また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続されている。 The scanning lines 101, the scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected.

さらに、画素領域X各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量113と、該保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(電極)23と、この画素電極23と陰極(電極)50との間に挟み込まれた機能層110とが設けられている。 Further, each pixel region X, the holding capacitor scanning signal via the scanning line 101 and the switching TFT TFT112 supplied to the gate electrode holds a pixel signal supplied from the signal line 102 through the switching TFT TFT112 and 113, a driving TFT123 the pixel signal held is supplied to the gate electrode by the storage capacitor 113, a driving current from the power line 103 when electrically connected to the power supply line 103 via the driving TFT TFT123 a pixel electrode (electrode) 23 flows, and the functional layer 110 sandwiched is provided between the pixel electrode 23 and the cathode (electrode) 50. 画素電極23と陰極50と機能層110により、発光素子(有機EL素子)が構成されている。 The pixel electrode 23 and the cathode 50 and the functional layer 110, the light emitting element (organic EL element) is configured.

このEL表示装置1によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容量113の状態に応じて、駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。 According to the EL display device 1, the switching TFT TFT112 turns on the scanning line 101 is driven, the potential of the signal line 102 at that time is stored in the storage capacitor 113, in accordance with the state of the storage capacitor 113 , on-off state of the driving TFT123 is determined. そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から画素電極23に電流が流れ、さらに機能層110を介して陰極50に電流が流れる。 Then, through the channel of the driving TFT 123, a current flows into the pixel electrode 23 from the power supply line 103, a current flows to the cathode 50 further through the functional layer 110. 機能層110は、これを流れる電流量に応じて発光する。 Functional layer 110 emits light in accordance with the amount of current flowing therethrough.

次に、本実施形態のEL表示装置1の具体的な構成を図2〜図5を参照して説明する。 Next, a specific configuration of the EL display device 1 of the present embodiment with reference to FIGS.
本実施形態のEL表示装置1は、図2に示すように電気絶縁性を備えた基板20と、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画素電極が基板20上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域(図示せず)と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線(図示せず)と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部3(図2中一点鎖線枠内)とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。 EL display device 1 of the present embodiment includes a substrate 20 having an electrical insulating property as shown in FIG. 2, a pixel electrode connected are arranged in a matrix form on the substrate 20 in the switching TFT (not shown) pixel electrode regions comprising Te (not shown), a power supply line connected to each pixel electrode while being disposed around the pixel electrode regions (not shown), in plan view approximately a rectangular, located on at least the pixel electrode region those of the pixel unit 3 (FIG. 2 in the dashed line frame) and an active matrix type, which is configured by including the. なお、本発明においては、基板20と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用TFTや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体と称している。 In the present invention, a switching TFT, various circuits are formed on top of this, as will be described later with the substrate 20, and including an interlayer insulating film, is called a base. (図3、4中では符号200で示している。) (In FIGS. 3 and 4 are indicated by reference numeral 200.)

画素部3は、中央部分の実表示領域4(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とに区画されている。 Pixel unit 3, the actual display area of ​​the central portion 4 (FIG. 2 in the two-dot chain line frame), and a dummy area 5 disposed around the actual display area 4 (the region between the one-dot chain line and two-dot chain line) It is partitioned into.
実表示領域4には、それぞれ画素電極を有する表示領域R、G、BがA−B方向およびC−D方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置されている。 The actual display area 4, display areas R, each having a pixel electrode, G, B are arranged in a matrix spaced respectively A-B direction and C-D direction.
また、実表示領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80、80が配置されている。 Further, in the figure 2 on both sides of the actual display area 4, the scanning line driving circuit 80 and 80 are arranged. これら走査線駆動回路80、80は、ダミー領域5の下側に配置されたものである。 These scanning line driving circuit 80 and 80 are those which are disposed below the dummy region 5.

さらに、実表示領域4の図2中上側には、検査回路90が配置されている。 Further, in the figure 2 the upper of the actual display area 4, the inspection circuit 90 are arranged. この検査回路90は、EL表示装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段(図示せず)を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。 The test circuit 90 is a circuit for checking the operation status of the EL display device 1, for example, inspection results with the inspection information output means for outputting to an external (not shown) to display the time during manufacturing and shipping quality of the apparatus, but configured to be able to inspect the defect. なお、この検査回路90も、ダミー領域5の下側に配置されたものである。 Incidentally, the test circuit 90 is also one which is located below the dummy region 5.

走査線駆動回路80および検査回路90は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部310(図3参照)および駆動電圧導通部340(図4参照)を介して、印加されるよう構成されている。 Scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90, the driving voltage, via a drive from a predetermined power supply unit voltage conducting section 310 (see FIG. 3) and the driving voltage conducting section 340 (see FIG. 4), as the applied It is configured. また、これら走査線駆動回路80および検査回路90への駆動制御信号および駆動電圧は、このEL表示装置1の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部320(図3参照)および駆動電圧導通部350(図4参照)を介して、送信および印加されるようになっている。 These driving control signal and the drive voltage to the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90, predetermined like from the drive control main driver signal conducting unit 320 for controlling the operation of the EL display device 1 (see FIG. 3) and via a drive voltage conducting section 350 (see FIG. 4), and is transmitted and applied. なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路80および検査回路90が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。 Note that the drive control signal in this case, a command signal from such main driver associated with the control when the scanning line driving circuit 80 and test circuit 90 outputs a signal.

また、このEL表示装置1は、図3、図4に示すように基体200上に第1の電極(画素電極23)と本発明における機能層としての発光層60と第2の電極(陰極50)とを備えた発光素子(有機EL素子)を多数形成し、さらにこれらを覆ってガスバリア層30を形成したものである。 Further, the EL display device 1, FIG. 3, the light emitting layer 60 and the second electrode (cathode 50 of the functional layer in the present invention a first electrode (pixel electrode 23) on the substrate 200 as shown in FIG. 4 ) and form a large number of light emitting elements (organic EL device) having a, in which further the formation of the gas barrier layer 30 covering them.
なお、本例では機能層を発光層60とし、この機能層を含む素子層を含んだ領域を素子領域(図示せず)としているが、本発明における機能層とは、代表的には発光層(エレクトロルミネッセンス層)であるものの、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層としてもよい。 Incidentally, the functional layer in this example a light-emitting layer 60, although the region including the element layer including the functional layer and the element region (not shown), the functional layer in the present invention, the light emitting layer is typically although a (electroluminescence layer), a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, or as a carrier injection layer or carrier transporting layer and an electron transport layer. さらには、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、電子阻止層(エレクトロン阻止層)であってもよい。 Furthermore, a hole blocking layer (hole blocking layer), may be an electronic blocking layer (electron blocking layer).

基体200を構成する基板20としては、いわゆるトップエミッション型のEL表示装置の場合、この基板20の対向側であるガスバリア層30側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。 The substrate 20 constituting the substrate 200, in the case of so-called top emission type EL display device, since the configuration of the emitted light from the gas barrier layer 30 side which is the opposite side of the substrate 20, either a transparent substrate and an opaque substrate it can be also used. 不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。 Opaque substrates, for example ceramics such as alumina, those subjected to insulation treatment such as surface oxidation on the metal sheet such as stainless steel, also a thermosetting resin and a thermoplastic resin, more like the film (plastic film) It is.

また、いわゆるバックエミッション型のEL表示装置の場合には、基板20側から発光光を取り出す構成であるので、基板20としては、透明あるいは半透明のものが採用される。 In the case of a so-called back emission type EL display device, since the configuration of the emitted light from the substrate 20 side, the substrate 20, those of the transparent or semi-transparent is adopted. 例えば、ガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。 For example, glass, quartz, resin (plastic, plastic film) and the like, is especially preferred glass substrate. なお、本実施形態では、ガスバリア層30側から発光光を取り出すトップエミッション型とし、よって基板20としては前記した不透明のもの、例えば不透明のプラスチックフィルムなどが用いられる。 In the present embodiment, a top emission type in which emitted light from the gas barrier layer 30 side, thus those opaque described above as substrate 20, for example, opaque plastic film is used.

また、基板20上には、画素電極23を駆動するための駆動用TFT123などを含む回路部11が形成されており、その上に発光素子(有機EL素子)が多数設けられている。 Further, on the substrate 20 is formed the circuit portion 11 including the driving TFT123 for driving the pixel electrodes 23, the light emitting element (organic EL element) is provided a number thereon. 発光素子は、図5に示すように、陽極として機能する画素電極(第1の電極)23と、この画素電極23からの正孔を注入/輸送する正孔輸送層70と、電気光学物質の一つである有機EL物質を備える発光層60と、陰極(第2の電極)50とが順に形成されたことによって構成されたものである。 Emitting device, as shown in FIG. 5, a pixel electrode (first electrode) 23 functioning as an anode, a hole transport layer 70 for injecting / transporting holes from the pixel electrode 23, the electro-optical material a light-emitting layer 60 having the organic EL material is one, in which cathode (second electrode) 50 is constructed by being formed in this order.
このような構成のもとに、発光素子はその発光層60において、正孔輸送層70から注入された正孔と陰極50からの電子とが結合することにより、発光光を生じるようになっている。 Under this arrangement, the light-emitting element in the light emitting layer 60, by the electrons from the holes and the cathode 50, which is injected from the hole transport layer 70 are attached, so as to generate luminescence light there.

画素電極23は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要がなく、したがって適宜な導電材料によって形成されている。 Pixel electrodes 23, in the present embodiment is formed by a transparent and need not be, therefore suitable conductive material because it is a top emission type.
正孔輸送層70の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。 As the material for forming the hole transport layer 70, for example polythiophene derivatives, polypyrrole derivatives, or the like thereof doping body used. 具体的には、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)[商品名;バイトロン−p(Bytron-p):バイエル社製]の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。 Specifically, 3,4-polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) [trade name: Baytron -p (Bytron-p): Bayer] dispersions, i.e., polystyrene as a dispersion medium dispersing the 3,4-polyethylene dioxythiophene to sulfonic acid, and the like are used further dispersion it dispersed in water.

発光層60を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。 As a material for forming the light-emitting layer 60, it may be a known luminescent material capable of emitting fluorescence or phosphorescence. 具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる。 Specifically, (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivatives, polymethyl polysilanes such as phenylsilane (PMPS) is preferably used.
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。 Moreover, these polymer materials, perylene dyes, coumarin dyes, and polymeric materials such as rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenyl anthracene, tetraphenyl butadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone low molecular material such as may be used in the dope.
なお、前記の高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。 Instead of the polymeric material may be a conventionally known low molecular material.
また、必要に応じて、このような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。 If necessary, it may be formed electron injection layer on top of such a light-emitting layer 60.

また、本実施形態において正孔輸送層70と発光層60とは、図3〜図5に示すように基体200上にて格子状に形成された親液性制御層25と有機バンク層221とによって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層70および発光層60は単一の発光素子(有機EL素子)を構成する素子層となっている。 Further, in this embodiment the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 includes a lyophilic control layer 25 and the organic bank layer 221 formed in a lattice shape by substrates 200 above, as shown in FIGS. 3 to 5 is arranged is surrounded by the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 surrounded by this has a device layer constituting a single light emitting element (organic EL element). なお、格子状に形成された親液性制御層25および有機バンク層221にあって、特に最外周を形成する部分、すなわち発光層60の最外周位置のものの外側部を覆った状態でこれを囲む部分が、本発明における囲み部材201となっている。 Incidentally, in the lyophilic control layer 25 and the organic bank layer 221 is formed in a lattice shape, in particular the portion forming the outermost periphery, i.e. it while covering the outer portions of those of the outermost peripheral position of the light-emitting layer 60 portion surrounding has a surrounding member 201 in the present invention.
ここで、囲み部材201については、特にその上部を形成する有機バンク層221における、外側部を形成する面201aの基体200表面に対する角度θが、110度以上となっている。 Here, the enclosure 201 is particularly in the organic bank layer 221 which forms the top, the angle θ to the substrate 200 surface of the faces 201a forming the outer portion, a 110 degree or more. このような角度としたのは、後述するようにこの上に形成する陰極50、さらにはガスバリア層30のステップカバレージ性を良好にし、外側部上での陰極やガスバリア層30の連続性を確保するためである。 To that with such an angle, the cathode 50 is formed on this, as will be described later, further to improving the step coverage of the barrier layer 30, to ensure the continuity of the cathode and the gas barrier layer 30 on the outer portion This is because.

陰極50は、図3〜図5に示すように、実表示領域4およびダミー領域5の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、前記発光層60と有機バンク層221及び囲み部材201の上面、さらには囲み部材201の外側部を形成する面201aを覆った状態で基体200上に形成されたものである。 Cathode 50, as shown in FIGS. 3 to 5, a wide area than the total area of ​​the actual display area 4 and the dummy region 5, which has been formed so as to cover each of the light emitting layer 60 and the organic bank layer 221 and the upper surface of the enclosing member 201, and further, one formed on the substrate 200 while covering the surface 201a forming the outer portion of the enclosing member 201. なお、この陰極50は、図4に示すように前記囲み部材201の面201aの外側で基体200の外周部に形成された陰極用配線202に接続されている。 Incidentally, the cathode 50 is connected to the cathode line 202 formed in the outer peripheral portion of the base 200 at the outer surface 201a of the enclosing member 201 as shown in FIG. この陰極用配線202にはフレキシブル基板203が接続されており、これによって陰極50は、陰極用配線202を介してフレキシブル基板203上の図示しない駆動IC(駆動回路)に接続されたものとなっている。 This cathode line 202 is connected to the flexible substrate 203, whereby the cathode 50 are taken to have been connected to a driving IC (not shown) on the flexible substrate 203 (driving circuit) via the cathode wiring 202 there.

陰極50を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。 As a material for forming the cathode 50, the present embodiment should be optically transparent since it is a top emission type, and thus a transparent conductive material is used. 透明導電材料としてはITOが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide :IZO/アイ・ゼット・オー)(登録商標))(出光興産社製)等を用いることができる。 Although ITO as the transparent conductive material is to be preferred, other than this, for example, indium oxide-zinc oxide-based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / Eye NZ-O) (R)) (Idemitsu Kosan it is possible to use the company Ltd.), and the like. なお、本実施形態ではITOを用いるものとする。 In the present embodiment, it is assumed to use ITO.

このような陰極50の上には、この陰極50の基体200上で露出する部位を覆った状態でガスバリア層30が設けられている。 On such a cathode 50, the gas barrier layer 30 is provided in a state of covering the exposed portion on the substrate 200 of the cathode 50. このガスバリア層30は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極50や発光層60への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極50や発光層60の劣化等を抑えるようにしたものである。 The gas barrier layer 30 serves to prevent oxygen and moisture from entering the inside, thereby preventing the entry of oxygen and moisture into the cathode 50 and the light emitting layer 60, Ya cathode 50 due to oxygen and moisture it is obtained so as to suppress deterioration of the light emitting layer 60.

このガスバリア層30は、例えば無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などによって形成されている。 The gas barrier layer 30, for example made of inorganic compounds, preferably silicon compounds, i.e. silicon nitride or silicon oxynitride, is formed by a silicon oxide. ただし、珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。 However, other than the silicon compound, such as alumina and tantalum oxide, titanium oxide, and further may comprise a like other ceramics. このようにガスバリア層30が無機化合物で形成されていれば、特に陰極50がITOからなっていることにより、ガスバリア層30とこの陰極50との密着性がよくなり、したがってガスバリア層30が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。 Thus if the gas barrier layer 30 is formed of an inorganic compound, especially by the cathode 50 is made of ITO, the better the adhesion between the cathode 50 and the gas barrier layer 30, thus the gas barrier layer 30 is defective barrier property against oxygen and water becomes no dense layer becomes better.

また、このガスバリア層30としては、例えば前記の珪素化合物のうちの異なる層を積層した構造としてもよく、具体的には、陰極50側から珪素窒化物、珪素酸窒化物の順に形成し、あるいは陰極50側から珪素酸窒化物、珪素酸化物の順に形成してガスバリア層30を構成するのが好ましい。 Further, as the gas barrier layer 30, for example, it may be a structure formed by stacking layers of different ones of said silicon compound, specifically, formed from the cathode 50 side silicon nitride, in order of silicon oxynitride, or silicon oxinitride from the cathode 50 side, it is preferable to constitute the gas barrier layer 30 are sequentially formed a silicon oxide. また、このような組み合わせ以外にも、組成比の異なる珪素酸窒化物を2層以上積層した場合に、陰極50側の層の酸素濃度がこれより外側の層の酸素濃度より低くなるように構成するのが好ましい。 The configuration other than such a combination, the case of stacking the different silicon oxynitride composition ratios of two or more layers, so that the oxygen concentration of the layer of the cathode 50 side is than this lower than the oxygen concentration in the outer layer it is preferable to.
このようにすれば、陰極50側がその反対側より酸素濃度が低くなることから、ガスバリア層30中の酸素が陰極50を通ってその内側の発光層60に到り、発光層60を劣化させてしまうといったことを防止することができ、これにより発光層60の長寿命化を図ることができる。 Thus, since the cathode 50 side oxygen concentration than its opposite side becomes lower, it led to the light emitting layer 60 of the inner oxygen in the gas barrier layer 30 through the cathode 50, thereby degrading the light emitting layer 60 it can be prevented such put away, thereby making it possible to extend the life of the light-emitting layer 60.

また、ガスバリア層30としては、積層構造とすることなく、その組成を不均一にして特にその酸素濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構成としてもよく、その場合にも、陰極50側の酸素濃度が外側の酸素濃度より低くなるように構成するのが、前述した理由により好ましい。 As the gas barrier layer 30, without the laminated structure, in the continuously especially its oxygen concentration and the composition non-uniform, or may be discontinuously changes such as to constitute, in this case, the oxygen concentration of the cathode 50 side is configured so as to be lower than the oxygen concentration of the outside, preferably by the above-mentioned reasons.
また、このようなガスバリア層30の厚さとしては、10nm以上、500nm以下であるのが好ましい。 The thickness of such a gas barrier layer 30, 10 nm or more, and preferably 500nm or less. 10nm未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、500nmを越えると、応力による割れが生じてしまうおそれがあるからである。 If it is less than 10 nm, will be formed partially through hole, such as by variations in the defect and the film thickness of the film, because there is a fear that the gas barrier property is impaired, it exceeds 500 nm, cracking due to stress occur would fear it is because there is.
また、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、ガスバリア層30は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば80%以上にしている。 Further, since the present embodiment is a top emission type, the gas barrier layer 30 needs to have a light-transmitting property, thus by adjusting the material and thickness as appropriate, light in the visible light region in the present embodiment It has a transmittance example 80% or more.

前記の発光素子の下方には、図5に示したように回路部11が設けられている。 Below the light emitting element, the circuit portion 11 is provided as shown in FIG. この回路部11は、基板20上に形成されて基体200を構成するものである。 The circuit unit 11 is formed on the substrate 20 constituting the substrate 200. すなわち、基板20の表面にはSiO を主体とする下地保護層281が下地として形成され、その上にはシリコン層241が形成されている。 That is, the surface of the substrate 20 underlying protective layer 281 mainly composed of SiO 2 is formed as a base, a silicon layer 241 is formed thereon. このシリコン層241の表面には、SiO および/またはSiNを主体とするゲート絶縁層282が形成されている。 The surface of the silicon layer 241, the gate insulating layer 282 mainly composed of SiO 2 and / or SiN is formed.

また、前記シリコン層241のうち、ゲート絶縁層282を挟んでゲート電極242と重なる領域がチャネル領域241aとされている。 Of the above silicon layer 241, a region overlapping with the gate electrode 242 through the gate insulating layer 282 is a channel region 241a. なお、このゲート電極242は、図示しない走査線101の一部である。 Incidentally, the gate electrode 242 is a part of the scanning line 101 (not shown). 一方、シリコン層241を覆い、ゲート電極242を形成したゲート絶縁層282の表面には、SiO を主体とする第1層間絶縁層283が形成されている。 On the other hand, cover the silicon layer 241, the surface of the gate insulating layer 282 forming the gate electrode 242, first interlayer insulating layer 283 mainly composed of SiO 2 is formed.

また、シリコン層241のうち、チャネル領域241aのソース側には、低濃度ソース領域241bおよび高濃度ソース領域241Sが設けられる一方、チャネル領域241aのドレイン側には低濃度ドレイン領域241cおよび高濃度ドレイン領域241Dが設けられて、いわゆるLDD(Light Doped Drain )構造となっている。 Further, in the silicon layer 241, the source side of the channel region 241a is low while the concentration source region 241b and a heavily doped source region 241S are provided, on the drain side of the channel region 241a is lightly doped drain region 241c and a high concentration drain and region 241D is provided, a so-called LDD (Light Doped Drain) structure. これらのうち、高濃度ソース領域241Sは、ゲート絶縁層282と第1層間絶縁層283とにわたって開孔するコンタクトホール243aを介して、ソース電極243に接続されている。 Of these, the high concentration source region 241S is connected via a contact hole 243a for opening over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283 is connected to the source electrode 243. このソース電極243は、前述した電源線103(図1参照、図5においてはソース電極243の位置に紙面垂直方向に延在する)の一部として構成されている。 The source electrode 243 is configured as part of the power line 103 as described above (see FIG. 1, extending in the direction perpendicular to the paper surface at the position of the source electrode 243 in FIG. 5). 一方、高濃度ドレイン領域241Dは、ゲート絶縁層282と第1層間絶縁層283とにわたって開孔するコンタクトホール244aを介して、ソース電極243と同一層からなるドレイン電極244に接続されている。 On the other hand, the high concentration drain region 241D through the contact hole 244a to opening over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283 is connected to the drain electrode 244 made of the same layer as the source electrode 243.

ソース電極243およびドレイン電極244が形成された第1層間絶縁層283の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第2層間絶縁層284によって覆われている。 Upper layer of the first interlayer insulating layer 283 where the source electrode 243 and drain electrode 244 are formed, for example, is covered with a second interlayer insulating layer 284 mainly made of resin component of the acrylic. この第2層間絶縁層284は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、SiN、SiO などを用いることもできる。 The second interlayer insulating layer 284, a material other than the insulating film of the acrylic, for example, can be used SiN, etc. SiO 2. そして、ITOからなる画素電極23が、この第2層間絶縁層284の表面上に形成されるとともに、該第2層間絶縁層284に設けられたコンタクトホール23aを介してドレイン電極244に接続されている。 The pixel electrode 23 made of ITO is formed in a surface of the second interlayer insulating layer 284, it is connected to the drain electrode 244 through the contact holes 23a provided in the second interlayer insulating layer 284 there. すなわち、画素電極23は、ドレイン電極244を介して、シリコン層241の高濃度ドレイン領域241Dに接続されている。 That is, the pixel electrode 23 through the drain electrode 244 is connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241.

なお、走査線駆動回路80および検査回路90に含まれるTFT(駆動回路用TFT)、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するNチャネル型又はPチャネル型のTFTは、画素電極23と接続されていない点を除いて前記駆動用TFT123と同様の構造とされている。 Incidentally, TFT included in the scan line driver circuit 80 and the inspection circuit 90 (driving circuit TFT), that is, for example, of these drive circuits, N-channel or P-channel type TFT constituting the inverter included in the shift register is the same structure as the driving TFT123 except that is not connected to the pixel electrode 23.

画素電極23が形成された第2層間絶縁層284の表面には、画素電極23と、前記した親液性制御層25及び有機バンク層221とが設けられている。 On the surface of the second interlayer insulating layer 284 in which the pixel electrode 23 is formed is the pixel electrode 23, a lyophilic control layer 25 and the organic bank layer 221 is provided with the above. 親液性制御層25は、例えばSiO などの親液性材料を主体とするものであり、有機バンク層221は、アクリルやポリイミドなどからなるものである。 Lyophilic control layer 25 is, for example, mainly formed of a lyophilic material such as SiO 2, the organic bank layer 221 is made of acrylic or polyimide. そして、画素電極23の上には、親液性制御層25に設けられた開口部25a、および有機バンク221に囲まれてなる開口部221aの内部に、正孔輸送層70と発光層60とがこの順に積層されている。 Then, on the pixel electrode 23 has an opening 25a provided in the lyophilic control layer 25, and the interior of the opening 221a made surrounded by organic bank 221, a hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 They are laminated in this order. なお、本実施形態における親液性制御層25の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層221を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。 Note that the "lyophilic" of the lyophilic control layer 25 in this embodiment, is intended to mean that there is a high lyophilic than acrylic, and materials such as polyimide which constitutes at least an organic bank layer 221 .
以上に説明した基板20上の第2層間絶縁層284までの層が、回路部11を構成するものとなっている。 Layer up to the second interlayer insulating layer 284 on the substrate 20 described above has been to constitute a circuit portion 11.

ここで、本実施形態のEL表示装置1は、カラー表示を行うべく、各発光層60が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。 Here, EL display devices 1 of the present embodiment, in order to perform color display, each of the light emitting layer 60, the emission wavelength band is formed in correspondence to the three primary colors of light. 例えば、発光層60として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層60R、緑色に対応した緑色用発光層60G、青色に対応した青色用有機EL層60Bとをそれぞれに対応する表示領域R、G、Bに設け、これら表示領域R、G、Bをもってカラー表示を行う1画素が構成されている。 For example, as the light emitting layer 60, display light emission wavelength band corresponding red light emitting layer 60R corresponding to red, green green-emitting layer corresponding to 60G, corresponding to blue and the blue organic EL layer 60B, each region R , G, provided B, these display areas R, G, is 1 pixel to perform color display with a B is constituted. また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のBM(ブラックマトリクス)が、例えば有機バンク層221と親液性化制御層25との間に形成されている。 Further, at the boundary of each color display area of ​​the not shown depositing the chromium metal sputtering at such BM (black matrix) is, for example, is formed between the organic bank layer 221 and the lyophilic reduction control layer 25 there.

次に、本実施形態に係るEL表示装置1の製造方法の一例を、図6〜図10を参照して説明する。 Next, an example of a manufacturing method of an EL display device 1 according to the present embodiment will be described with reference to Figures 6-10. なお、本実施形態においては、電気光学装置としてのEL表示装置1が、トップエミッション型である場合について説明する。 In the present embodiment, EL display devices 1 as an electro-optical device, will be described a top emission type. また、図6〜図10に示す各断面図は、図2中のA−B線の断面図に対応した図である。 Each sectional view shown in FIG. 6 to FIG. 10 is a view corresponding to a cross-sectional view of line A-B in FIG.

まず、図6(a)に示すように、基板20の表面に、下地保護層281を形成する。 First, as shown in FIG. 6 (a), the surface of the substrate 20, a base protective layer 281. 次に、下地保護層281上に、ICVD法、プラズマCVD法などを用いてアモルファスシリコン層501を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。 Then, on the base protective layer 281, ICVD method, after forming the amorphous silicon layer 501 by using a plasma CVD method, and the polysilicon layer by growing a crystal grain by a laser annealing method or a rapid heating method.

次いで、図6(b)に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層241、251および261を形成する。 Then, as shown in FIG. 6 (b), the polysilicon layer is patterned by photolithography to form an island-shaped silicon layer 241, 251 and 261. これらのうちシリコン層241は、表示領域内に形成され、画素電極23に接続される駆動用TFT123を構成するものであり、シリコン層251、261は、走査線駆動回路80に含まれるPチャネル型およびNチャネル型のTFT(駆動回路用TFT)をそれぞれ構成するものである。 Silicon layer 241 among these are formed in the display region, constitutes a driving TFT123 is connected to the pixel electrode 23, the silicon layer 251, 261 is P-channel type included in the scan line driver circuit 80 and N-channel type TFT thin film transistor (TFT for a driver circuit) which constitutes respectively.

次に、プラズマCVD法、熱酸化法などにより、シリコン層241、251および261、下地保護層281の全面に厚さが約30nm〜200nmのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層282を形成する。 Then, a plasma CVD method, a thermal oxidation method, the silicon layers 241, 251, and 261, a silicon oxide film of about 30nm~200nm entirely on the thickness of the base protective layer 281, a gate insulating layer 282. ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層282を形成する際には、シリコン層241、251および261の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。 Here, when using a thermal oxidation method to form a gate insulating layer 282, crystallization of the silicon layer 241, 251 and 261 also perform, these silicon layers may be a polysilicon layer.

また、シリコン層241、251および261にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約1×10 12 /cm のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。 Further, when the channel doping in the silicon layer 241, 251 and 261, for example, implanted boron ions at a dose of about 1 × 10 12 / cm 2 at this timing. その結果、シリコン層241、251および261は、不純物濃度(活性化アニール後の不純物にて算出)が約1×10 17 /cm の低濃度P型のシリコン層となる。 As a result, the silicon layer 241, 251 and 261, (calculated by impurity after activation annealing) impurity concentration of the low concentration P-type silicon layer of about 1 × 10 17 / cm 3.

次に、Pチャネル型TFT、Nチャネル型TFTのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約1×10 15 /cm のドーズ量でイオン注入する。 Then, P-channel TFT, and to form an ion implantation selection mask on a part of the channel layer of the N-channel TFT, and ions are implanted at a dose of about 1 × 10 15 / cm 2 of phosphorus ions in this state. その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図6(c)に示すように、シリコン層241及び261中に高濃度ソース領域241Sおよび261S並びに高濃度ドレイン領域241Dおよび261Dが形成される。 As a result, the introduction of the self-alignment manner high concentration impurity respect patterning mask, as shown in FIG. 6 (c), the high concentration source region 241S and 261S and the high concentration drain region in the silicon layer 241 and 261 241D and 261D are formed.

次に、図6(c)に示すように、ゲート絶縁層282の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、あるいはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層502を形成する。 Next, as shown in FIG. 6 (c), the entire surface of the gate insulating layer 282, doped silicon or silicide film, or an aluminum film or chromium film, a metal film of tantalum film gate electrode formation conductive layer 502 to form. この導電層502の厚さは概ね500nm程度である。 The thickness of the conductive layer 502 is approximately 500nm approximately. その後、パターニング法により、図6(d)に示すように、Pチャネル型の駆動回路用TFTを形成するゲート電極252、画素用TFTを形成するゲート電極242、Nチャネル型の駆動回路用TFTを形成するゲート電極262を形成する。 Thereafter, the patterning method, as shown in FIG. 6 (d), a gate electrode 252 to form the P-channel drive circuit TFT, the gate electrode 242 to form the pixel TFT, and N channel type driving circuit TFT forming the gate electrode 262 to be formed. また、駆動制御信号導通部320(350)、陰極電源配線の第1層121も同時に形成する。 The drive control signal conducting portion 320 (350), is formed at the same time the first layer 121 of the cathode power line. なお、この場合、駆動制御信号導通部320(350)はダミー領域5に配設するものとされている。 In this case, the drive control signal conducting portion 320 (350) are supposed to be disposed in the dummy region 5.

続いて、図6(d)に示すように、ゲート電極242,252および262をマスクとして用い、シリコン層241,251および261に対してリンイオンを約4×10 13 /cm のドーズ量でイオン注入する。 Subsequently, as shown in FIG. 6 (d), using the gate electrode 242, 252 and 262 as masks, ion dose of about 4 × 10 13 / cm 2 phosphorus ions to the silicon layer 241, 251 and 261 inject. その結果、ゲート電極242,252および262に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図6(d)に示すように、シリコン層241および261中に低濃度ソース領域241bおよび261b、並びに低濃度ドレイン領域241cおよび261cが形成される。 As a result, the introduction of a self-aligned manner lightly doped relative to the gate electrode 242, 252 and 262, as shown in FIG. 6 (d), the low concentration source region 241b and 261b in the silicon layer 241 and 261, as well as lightly doped drain regions 241c and 261c are formed. また、シリコン層251中に低濃度不純物領域251Sおよび251Dが形成される。 Further, the low concentration impurity regions 251S and 251D are formed in the silicon layer 251.

次に、図7(e)に示すように、Pチャネル型の駆動回路用TFT252以外の部分を覆うイオン注入選択マスク503を形成する。 Next, as shown in FIG. 7 (e), to form an ion implantation selection mask 503 covering a portion other than the TFT252 drive circuit of P-channel type. このイオン注入選択マスク503を用いて、シリコン層251に対してボロンイオンを約1.5×10 15 /cm のドーズ量でイオン注入する。 With this ion implantation selection mask 503 is ion implanted at a dose of about 1.5 × 10 15 / cm 2 boron ions into the silicon layer 251. 結果として、Pチャネル型駆動回路用TFTを構成するゲート電極252もマスクとして機能するため、シリコン層252中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。 As a result, to function as a gate electrode 252 masks constituting the P-channel type driving circuit TFT, and a self-alignment manner a high concentration impurity is doped in the silicon layer 252. したがって、低濃度不純物領域251Sおよび251Dはカウンタードープされ、P型チャネル型の駆動回路用TFTのソース領域およびドレイン領域となる。 Thus, low concentration impurity regions 251S and 251D are counter-doped, the source and drain regions of the P-type channel type driving circuit TFT.

次いで、図7(f)に示すように、基板20の全面にわたって第1層間絶縁層283を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて該第1層間絶縁層283をパターニングすることにより、各TFTのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールCを形成する。 Then, as shown in FIG. 7 (f), to form a first interlayer insulating layer 283 over the entire surface of the substrate 20, by patterning the first interlayer insulating layer 283 using a photolithography method, each TFT in a position corresponding to the source electrode and the drain electrode to form a contact hole C.

次に、図7(g)に示すように、第1層間絶縁層283を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層504を形成する。 Next, as shown in FIG. 7 (g), so as to cover the first interlayer insulating layer 283 is formed of aluminum, chromium, a conductive layer 504 made of metal such as tantalum. この導電層504の厚さは概ね200nmないし800nm程度である。 The thickness of the conductive layer 504 is approximately 200nm to approximately 800 nm. この後、導電層504のうち、各TFTのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域240a、駆動電圧導通部310(340)が形成されるべき領域310a、陰極電源配線の第2層が形成されるべき領域122aを覆うようにパターニング用マスク505を形成するとともに、該導電層504をパターニングして、図8(h)に示すソース電極243、253、263、ドレイン電極244、254、264を形成する。 Thereafter, among the conductive layers 504, region 240a to the source electrode and the drain electrode of each TFT is formed, the driving voltage conducting section 310 (340) is to be formed region 310a, a second layer of the cathode power line is formed to form a patterning mask 505 so as to cover the region 122a to be, by patterning the conductive layer 504, the source electrode 243,253,263 shown in FIG. 8 (h), the drain electrode 244,254,264 Form.

次いで、図8(i)に示すように、これらが形成された第1層間絶縁層283を覆う第2層間絶縁層284を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。 Then, as shown in FIG. 8 (i), a second interlayer insulating layer 284 covering the first interlayer insulating layer 283 to which they are formed, for example, is formed by a polymeric material such as an acrylic resin. この第2層間絶縁層284は、約1〜2μm程度の厚さに形成されることが望ましい。 The second interlayer insulating layer 284 is preferably formed to a thickness of about 1 to 2 [mu] m. なお、SiN、SiO により第2層間絶縁膜を形成することも可能であり、SiNの膜厚としては200nm、SiO の膜厚としては800nmに形成することが望ましい。 Incidentally, SiN, it is also possible to form the second interlayer insulating film by SiO 2, thickness of the SiN is 200 nm, the film thickness of SiO 2 is preferably formed to 800 nm.

次いで、図8(j)に示すように、第2層間絶縁層284のうち、駆動用TFTのドレイン電極244に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール23aを形成する。 Then, as shown in FIG. 8 (j), in the second interlayer insulating layer 284, a portion corresponding to the drain electrode 244 of the driving TFT is removed by etching to form a contact hole 23a.
その後、基板20の全面を覆うように画素電極23となる導電膜を形成する。 Thereafter, a conductive film to be the pixel electrode 23 so as to cover the entire surface of the substrate 20. そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図9(k)に示すように、第2層間絶縁層284のコンタクトホール23aを介してドレイン電極244と導通する画素電極23を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン26も形成する、なお、図3、4では、これら画素電極23、ダミーパターン26を総称して画素電極23としている。 Then, by patterning the transparent conductive film, as shown in FIG. 9 (k), when forming the pixel electrode 23 to conduct with the drain electrode 244 through the contact hole 23a of the second interlayer insulating layer 284 at the same time, a dummy dummy pattern 26 region is also formed, Note that the pixel electrode 23 collectively in FIGS. 3 and 4, the pixel electrodes 23, the dummy patterns 26.

ダミーパターン26は、第2層間絶縁層284を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。 The dummy pattern 26 is configured not to connect to the underlying metal wiring through the second interlayer insulating layer 284. すなわち、ダミーパターン26は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極23の形状とほぼ同一の形状を有している。 That is, the dummy pattern 26 is disposed in an island shape, and has substantially the same shape as the shape of the pixel electrode 23 formed on the effective display area. もちろん、表示領域に形成されている画素電極23の形状と異なる構造であってもよい。 Of course, it may be a shape different from the structure of the pixel electrode 23 formed in the display region. なお、この場合、ダミーパターン26は少なくとも前記駆動電圧導通部310(340)の上方に位置するものも含むものとする。 In this case, the dummy pattern 26 is also intended to include those located above at least the drive voltage conducting section 310 (340).

次いで、図9(l)に示すように、画素電極23、ダミーパターン26上、および第2層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層25を形成する。 Then, as shown in FIG. 9 (l), the pixel electrode 23, on the dummy pattern 26, and on the second interlayer insulating film to form a lyophilic control layer 25 is an insulating layer. なお、画素電極23においては一部が開口する態様にて親液性制御層25を形成し、開口部25a(図3も参照)において画素電極23からの正孔移動が可能とされている。 Note that it is effective to form the lyophilic control layer 25 in a manner partly to openings in the pixel electrode 23, and is capable holes move from the pixel electrode 23 in the opening 25a (see also FIG. 3). 逆に、開口部25aを設けないダミーパターン26においては、絶縁層(親液性制御層)25が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。 Conversely, in the dummy pattern 26 without the opening 25a is assumed to insulating layer (lyophilic control layer) 25 is not generated holes move as a hole transport blocking layer. 続いて、親液性制御層25において、異なる2つの画素電極23の間に位置して形成された凹状部にBM(図示せず)を形成する。 Subsequently, in the lyophilic control layer 25, the concave portion formed in a position between the two different pixel electrodes 23 to form a BM (not shown). 具体的には、親液性制御層25の前記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。 Specifically, with respect to the concave portion of the lyophilic control layer 25 is deposited by a sputtering method using a metal chromium.

次いで、図9(m)に示すように、親液性制御層25の所定位置、詳しくは前記BMを覆うように有機バンク層221を形成する。 Then, as shown in FIG. 9 (m), a predetermined position of the lyophilic control layer 25, more specifically to form the organic bank layer 221 so as to cover the BM. 具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。 As a method for forming the specific organic bank layer include acrylic resins, those resist such as polyimide resin is dissolved in a solvent, spin coating, is applied by various application methods such as a dip coating method to form an organic layer . なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。 Incidentally, the constituent material of the organic layer is not dissolved in a solvent of the ink to be described later, moreover may be any as long as easily patterned by etching.

続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層にバンク開口部221aを形成することにより、開口部221aに壁面を有した有機バンク層221を形成する。 Subsequently, the photo of the organic layer lithography technique, and patterned by etching, by forming a bank opening 221a in organic layer, an organic bank layer 221 having a wall surface in the opening 221a. ここで、この有機バンク層221にあたっては、特にその最外周を形成する部分、すなわち前述した本発明における囲み部材201の外側部を形成する面201aについて、その基体200表面に対する角度θを110度以上となるように形成するのが好ましい。 Here, when the organic bank layer 221, in particular the portion forming the outermost periphery, namely the surface 201a forming the outer portion of the enclosing member 201 in the present invention described above, the angle theta 110 degrees or more with respect to the substrate 200 surface preferably formed so as to. このような角度に形成することにより、この上に形成する陰極50、さらにはガスバリア層30のステップカバレージ性を良好にすることができる。 By forming such an angle, the cathode 50 is formed on this, further it is possible to improve the step coverage of the barrier layer 30.
なお、この場合、有機バンク層221は、少なくとも前記駆動制御信号導通部320の上方に位置するものを含むものとする。 In this case, the organic bank layer 221 is intended to include one located above at least said drive control signal conducting portion 320.

次いで、有機バンク層221の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。 Then formed on the surface of the organic bank layer 221, a region showing a lyophilic property and a region having a lyophobic property. 本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成するものとする。 In the present embodiment, it is assumed that forming each region by a plasma treatment. 具体的には、該プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機バンク層221の上面および開口部221aの壁面ならびに画素電極23の電極面23c、親液性制御層25の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。 Specifically, the plasma treatment, the pre-heating step, the electrode surface 23c of the wall as well as the pixel electrode 23 of the upper surface and the opening 221a of the organic bank layer 221, the upper surface of the lyophilic control layer 25 to the respective lyophilic and ink-philic step for the ink repellent step of the wall surface of the upper surface and the opening of the organic bank layer liquid-repellent, is composed of a cooling step.

すなわち、基材(バンクなどを含む基板20)を所定温度、例えば70〜80℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理(O2 プラズマ処理)を行う。 That is, a predetermined temperature (substrate 20 including the bank) substrate, for example, heated to about 70 to 80 ° C., and then plasma treatment using oxygen as a reaction gas in the atmosphere as ink-philic step a (O2 plasma treatment) do. 次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で4フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理(CF プラズマ処理)を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。 Next, by plasma treatment as a reaction gas tetrafluoromethane in the atmosphere as ink repellent step of (CF 4 plasma treatment), then, cooling the substrate, which is heated for the plasma treatment to room temperature , so that the lyophilic and liquid repellency is imparted to the predetermined position.

なお、このCF プラズマ処理においては、画素電極23の電極面23cおよび親液性制御層25についても多少の影響を受けるが、画素電極23の材料であるITOおよび親液性制御層25の構成材料であるSiO 、TiO などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。 Incidentally, in this CF 4 plasma treatment, undergo some influence on the electrode surface 23c and the lyophilic control layer 25 of the pixel electrode 23, the configuration of the ITO and the lyophilic control layer 25 is a material of the pixel electrode 23 since such SiO 2, TiO 2 is a material poor affinity to fluorine, without hydroxyl granted by ink-philic step is replaced by a fluorine group, lyophilic property is maintained.

次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層70の形成を行う。 Then, perform the formation of the hole transport layer 70 by a hole transport layer formation step. この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔輸送層材料を電極面23c上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極23上に正孔輸送層70を形成する。 This hole transport layer formation process, and for example, an ink jet method, the droplet discharging method, a spin coating method, coating a hole transport layer material on the electrode surface 23c, thereafter, subjected to a drying and heat treatment, the electrode forming a hole transport layer 70 on 23. 正孔輸送層材料を例えばインクジェット法で選択的に塗布する場合には、まず、インクジェットヘッド(図示略)に正孔輸送層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層25に形成された前記開口部25a内に位置する電極面23cに対向させ、インクジェットヘッドと基材(基板20)とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御された液滴を電極面23cに吐出する。 When selectively applying the hole transport layer material for example an ink jet method, first, filling the hole transport layer material to the ink jet head (not shown), discharge nozzles of the inkjet head in the lyophilic control layer 25 to face the electrode surface 23c located in the formed the opening 25a, while relatively moving the ink jet head and the substrate (substrate 20), the liquid amount per one droplet from the discharge nozzle is controlled droplet discharging the electrode surface 23c. 次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層70を形成する。 Next, the droplet after ejection and drying, by evaporating the dispersion medium or solvent contained in the hole transport layer material to form a hole transport layer 70.

ここで、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面23c上にて広がり、親液性制御層25の開口部25a内に満たされる。 Here, the liquid droplets ejected from the ejection nozzle is larger at the lyophilic process is performed electrode surface 23c on is filled into the opening 25a of the lyophilic control layer 25. その一方で、撥インク処理された有機バンク層221の上面では、液滴がはじかれて付着しない。 On the other hand, the ink-repellent treated upper surface of the organic bank layer 221, not attached droplets repelled by. したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層221の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層25の開口部25a内に転がり込む。 Therefore, even if the liquid droplets are ejected on the upper surface of the organic bank layer 221 deviates from the predetermined ejection position, without the upper surface is wetted with liquid droplets, it repelled the droplets opening of the lyophilic control layer 25 It rolls into in the part 25a.
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層70および発光層60の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。 Incidentally, the hole transport layer formation step and later, to prevent oxidation of the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60, a nitrogen atmosphere, is carried out in an inert gas atmosphere such as argon preferred.

次いで、発光層形成工程によって発光層60の形成を行う。 Then, perform the formation of the light-emitting layer 60 by the light-emitting layer forming step. この発光層形成工程では、例えば前記のインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層70上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層221に形成された開口部221a内に発光層60を形成する。 In the light-emitting layer forming step, for example by the ink jet method ejects emitting layer forming material on the hole transport layer 70, then, by drying and heat treatment, the opening formed in the organic bank layer 221 forming a light emitting layer 60 in 221a. この発光層形成工程では、正孔輸送層70の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層70に対して不溶な無極性溶媒を用いる。 In the light-emitting layer forming step, in order to prevent re-dissolution of the hole transport layer 70, as a solvent used for the light-emitting layer forming material, using a nonpolar solvent insoluble to the hole transport layer 70.
なお、この発光層形成工程では、前記のインクジェット法によって例えば青色(B)の発光層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色(G)、赤色(R)についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。 In this light-emitting layer forming step, the light-emitting layer forming material of the ink-jet method, for example, by a blue (B) is selectively applied to the blue display area, and after the drying process, the green in the same manner as (G), red also selectively applied to the display area, respectively the (R), a drying treatment.
また、必要に応じて、前述したようにこのような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。 If necessary, it may be formed electron injection layer to the top of such a light-emitting layer 60 as described above.

次いで、図10(n)に示すように、陰極層形成工程によって陰極50の形成を行う。 Then, as shown in FIG. 10 (n), it performs the formation of the cathode 50 by the cathode layer forming step. この陰極層形成工程では、例えば蒸着法等の物理的気相蒸着法によりITOを成膜し、陰極50とする。 In the cathode layer forming step, for example, an ITO film is formed by physical vapor deposition of vapor deposition or the like, a cathode 50. このとき、この陰極50については、前記発光層60と有機バンク層221及び囲み部材201の上面を覆うのはもちろん、囲み部材201の外側部を形成する面201aについてもこれを覆った状態となるように形成する。 At this time, the cathode 50 is of course cover the upper surface of the light-emitting layer 60 and the organic bank layer 221 and the enclosing member 201 is in a state of even covering this for surface 201a forming the outer portion of the enclosing member 201 It is formed so as to.

その後、図10(n)に示すように陰極50を覆って、すなわち基体200上にて露出する陰極50の全ての部位を覆った状態にガスバリア層30を形成し、本発明のEL表示装置(電気光学装置)を得る。 Then, over the cathode 50 as shown in FIG. 10 (n), i.e., to form a gas barrier layer 30 in the state of covering all parts of the cathode 50 which is exposed at the base 200 above, EL display devices of the present invention ( obtaining an electro-optical device). ここで、このガスバリア層30の形成方法としては、先にスパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相蒸着法で成膜を行い、次いで、プラズマCVD法等の化学的気相蒸着法で成膜を行うのが好ましい。 Here, as the method of forming the gas barrier layer 30 performs film formation by physical vapor deposition method of a sputtering method or an ion plating method above, then, a chemical vapor deposition method such as plasma CVD method It is preferable to carry out the deposition. スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相蒸着法は、一般に異質な基板表面に対しても比較的密着性の良い膜が得られるものの、得られる膜に関しては粒塊状で欠陥が発生しやすく、また応力の大きい被膜になりやすいなどの欠点がある。 Sputtering or physical vapor deposition method such as ion plating method, although generally relatively good adhesion film even for heterogeneous substrate surface is obtained, defects are generated at the grain mass with respect to the film obtained easy, also there is a drawback such as prone to large coating of stress. 一方、化学的気相蒸着法では、応力が少なくステップカバーレッジ性に優れた欠陥が少なく緻密で良好な膜質のものが得られるものの、一般に異質な基板表面に対する密着性や造膜性が得られにくいといった欠点がある。 On the other hand, in the chemical vapor deposition method, although those stresses excellent defect less step coverage of less dense and excellent film quality can be obtained, generally adhesion and film formability for heterogeneous substrate surface is obtained there is a drawback such as hard to. そこで、初期の成膜については物理的気相蒸着法を採用して例えば必要な膜厚の半分あるいはそれ以上を形成し、後期の成膜において化学的気相蒸着法を用いることにより、先に形成した膜の欠陥を補うようにすれば、全体としてガスバリア性(酸素や水分に対するバリア性)に優れたガスバリア層30を比較的短時間で形成することができる。 Therefore, the initial deposition to form a physical vapor deposition half adopted by example necessary film thickness or more, by using a chemical vapor deposition method in the later stages of film formation, the previously if to compensate for defects of the formed film, it is possible to form the gas barrier layer 30 having excellent gas barrier properties (barrier properties against oxygen and moisture) as a whole a relatively short time.

ここで、このガスバリア層30の形成については、前述したように同一の材料によって単層で形成してもよく、また異なる材料で複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。 Here, the information on the gas barrier layer 30 formed may be formed by stacking a plurality of layers in a well, or different materials be formed of a single layer of the same material as described above, further, a single although formed in a layer, it may be formed so as to continuously or non-continuously changing the composition in the film thickness direction.
異なる材料で複数の層に積層して形成する場合、例えば、前述したように物理的気相蒸着法で形成する内側の層(陰極50側の層)を珪素窒化物あるいは珪素酸窒化物などとし、化学的気相蒸着法で形成する外側の層を珪素酸窒化物あるいは珪素酸化物などとするのが好ましい。 If it formed by laminating a plurality of layers of different materials, for example, and the like physical vapor inner layer (cathode 50 side of the layer) to be formed by vapor deposition of silicon nitride or silicon oxynitride as described above preferably, a chemical vapor layer silicon oxynitride outer forming by vapor deposition or silicon oxide.

また、物理的気相蒸着法で内側の層を形成する際、成膜装置内に供給する酸素量を最初は少なくし、以下、連続的あるいは非連続的に増やすことにより、形成するガスバリア層30中の酸素濃度を陰極50側(内側)で低くし、外側ではこれより高くなるように形成してもよい。 Further, when forming the inner layer by a physical vapor deposition method, the amount of oxygen supplied to the film forming apparatus initially small, less, by increasing continuously or discontinuously, forming to the gas barrier layer 30 the oxygen concentration in the low on the cathode 50 side (inside) may be formed so as to be higher than this outside.
なお、ガスバリア層30の形成については単一の成膜法で行ってもよいのはもちろんであり、その場合にも、前述したように酸素濃度を陰極50側(内側)で低くなるように形成するのが好ましい。 Incidentally, the formation of the gas barrier layer 30 is of course may be performed in a single film forming method, even in case, formed to be lower in oxygen concentration cathode 50 side (inside), as described above it is preferable to.

このようなEL表示装置1にあっては、発光層60の最外周位置のものの外側部を覆った状態で囲み部材201が形成され、この囲み部材201の外側部を覆った状態に陰極50が形成され、さらにこの陰極50の基体200上で露出する部位を覆った状態でガスバリア層30が形成されているので、特に発光層60の外側部側が囲み部材201、陰極50、ガスバリア層30によって三重に封止されることにより、酸素や水分の浸入が確実に防止される。 Is a such an EL display device 1, member 201 enclosing while covering the outer portions of those of the outermost peripheral position of the light-emitting layer 60 is formed, a cathode 50 in a state of covering the outer portion of the enclosing member 201 is formed, further since the gas barrier layer 30 while covering the exposed portion on the substrate 200 of the cathode 50 is formed, in particular enclosing an outer side of the light-emitting layer 60 members 201, cathode 50, triple the gas barrier layer 30 by being sealed, penetration of oxygen or moisture can be reliably prevented. したがって、酸素や水分による発光層60や陰極50の劣化等を抑えることができ、発光素子を長寿命化することができる。 Therefore, deterioration of the light emitting layer 60 and the cathode 50 due to oxygen and moisture can be suppressed, the light-emitting element can be longer life.

また、ガスバリア層30の基体200に接する部分を全て珪素化合物とすることにより、基体200を構成する基板20が樹脂などの水分透過性のものであっても、この基板20上に形成される層間絶縁膜などとともにガスバリア層30で発光素子部分の外側全てを封止することができ、したがって発光素子をより長寿命化することができる。 Further, by the partial all silicon compound in contact with the base 200 of the gas barrier layer 30, an interlayer substrate 20 constituting the substrate 200 be in a moisture permeability such as a resin, which is formed on the substrate 20 etc. together with the insulating film can be sealed all outside of the light emitting element part in the gas barrier layer 30, thus can be more longer life light-emitting element.
また、アクティブマトリクス型であることから陰極50やガスバリア層30を発光素子毎に形成する必要がなく、したがってこれら陰極50やガスバリア層30に関して微細なパターン形成が不要となる。 Further, there is no need to form the cathode 50 and the gas barrier layer 30 for each light emitting element since it is an active matrix type, thus forming fine patterns with respect to these cathode 50 and the gas barrier layer 30 is not required. よって、これらを単純な成膜法で形成することができることから、生産性の向上を図ることができる。 Therefore, since it is possible to form these simple film forming method, it is possible to improve the productivity.

なお、前記EL表示装置1ではトップエミッション型を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、バックエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。 Although it described with the top emission type in EL display device 1 as an example, the present invention is not limited thereto, to the back emission type, also in a type that emits emission light on both sides it is applicable. 特にバックエミッション型とした場合、陰極50には透明電極を用いる必要はないが、その場合にも、この陰極50の少なくともガスバリア層30と接する面側を、無機酸化物によって形成するのが好ましい。 Especially when the back emission type, it is not necessary to use a transparent electrode for the cathode 50, also in this case, the side in contact with at least a gas barrier layer 30 of the cathode 50, preferably formed by an inorganic oxide.
このようにすれば、陰極50のガスバリア層30と接する面側が無機酸化物からなっているので、無機化合物あるいは珪素化合物などからなるガスバリア層30との密着性がよくなり、したがってガスバリア層30が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。 Thus, since the surface side in contact with the gas barrier layer 30 of the cathode 50 is made of an inorganic oxide, the better the adhesion between the gas barrier layer 30 made of an inorganic compound or a silicon compound, thus the gas barrier layer 30 is defective It becomes free dense layer barrier property becomes better against oxygen and moisture.

また、バックエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合、基体200に形成するスイッチング用TFT112や駆動用TFT123については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層25および有機バンク層221の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。 In addition, when of a type that emits emission light back emission type, or both sides, for the switching TFT TFT112 and driving TFT123 forming the substrate 200, rather than directly under the light-emitting element, the lyophilic control layer 25 and so as to form directly under the organic bank layer 221, preferably increase the aperture ratio.
また、前記EL表示装置1では本発明における第1の電極を陽極として機能させ、第2の電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第1の電極を陰極、第2の電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。 Further, the made to function first electrode in the EL display device 1 in the present invention as the anode has been made to function second electrode as a cathode, the cathode of the first electrode by them conversely, the second electrode it may be configured to function respectively as an anode. ただし、その場合には、発光層60と正孔輸送層70との形成位置を入れ替えるようにする必要がある。 However, in that case, it is necessary to replace the forming position of the light-emitting layer 60 and the hole transport layer 70.

また、前記実施形態では本発明の電気光学装置にEL表示装置1を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に第2の電極が基体の外側に設けられるものであれば、どのような形態の電気光学装置にも適用可能である。 In the above embodiment has shown an example of applying the EL display device 1 to the electro-optical device of the present invention, but the present invention is not limited thereto, basically provided with a second electrode on the outside of the base as long as it is, it is also applicable to an electro-optical device of any form.
また、前記EL表示装置1では、ガスバリア層30を最外層としているが、従来一般的になされている封止基板や封止缶によってガスバリア層30の外側をさらに封止するようにしてもよい。 Further, in the EL display device 1, although the gas barrier layer 30 is the outermost layer, may be further seal the outer gas barrier layer 30 by a sealing substrate and a sealing can which is conventionally generally performed.
図11は、ガスバリア層30の外側を封止する例として、ガスバリア層30の上を覆って保護層204を設けた場合の実施形態を示している。 Figure 11 shows, as an example of sealing the outside of the gas barrier layer 30, it shows an embodiment in which a protective layer 204 is provided over the top of the gas barrier layer 30. この保護層204は、本実施形態ではガスバリア層30側に設けられた緩衝層205と、この上に設けられた表面保護層206とからなっている。 The protective layer 204 is, in this embodiment the buffer layer 205 provided on the gas barrier layer 30 side, which is the surface protective layer 206. provided on this.

緩衝層205は、前記ガスバリア層30に密着し、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有するもので、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、後述する表面保護層206より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。 Surface buffer layer 205, close contact with the gas barrier layer 30, and those having a cushioning function against mechanical impact from outside, for example, urethane-based, acrylic, epoxy, a resin such as polyolefin, which will be described later and it is formed by an adhesive comprising a flexible low glass transition point material than the protective layer 206. なお、このような接着剤には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される緩衝層205とガスバリア層30との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。 Note that such a glue is preferably before addition to the silane coupling agent or alkoxysilane, In this way, adhesion between the buffer layer 205 and the gas barrier layer 30 to be formed is better becomes, thus buffering function is higher to mechanical shocks. また、特にガスバリア層30が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層30との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層30のガスバリア性を高めることができる。 Moreover, especially in a case where the gas barrier layer 30 is formed of silicon compound, a silane coupling agent or alkoxysilane can improve the adhesion between the gas barrier layer 30, thus improving the gas barrier properties of the gas barrier layer 30 be able to.

表面保護層206は、緩衝層205上に設けられることにより、保護層204の表面側を構成するものであり、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。 Surface protective layer 206, by being provided on the buffer layer 205, which constitute the surface side of the protective layer 204, pressure resistance and abrasion resistance, the external light anti-reflection properties, gas barrier properties, such as ultraviolet blocking property a layer including at least one function. 具体的には、高分子層(プラスチックフィルム)やDLC(ダイアモンドライクカーボン)層、ガラスなどによって形成されるものである。 Specifically, the polymer layer (plastic film) or DLC (diamond like carbon) layer, and is formed by a glass.
なお、この例のEL表示装置においては、トップエミッション型にする場合に前記表面保護層206、緩衝層205を共に透光性のものにする必要があるが、バックエミッション型とする場合にはその必要はない。 Note that in the EL display device of this example, when the surface protective layer 206 in the case of the top emission type, it is necessary to that of both the light-transmitting the buffer layer 205, to back emission type that You need not be.

このようにガスバリア層30上に保護層204を設ければ、表面保護層206が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、発光層60や陰極50、さらにはガスバリア層もこの表面保護層206によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。 By providing the protective layer 204 thus on the gas barrier layer 30, the surface protective layer 206 is pressure resistance and abrasion resistance, antireflection properties, gas barrier properties, by having functions such as ultraviolet blocking properties, emitting layer 60 and the cathode 50, and further the gas barrier layer can also be protected by the surface protection layer 206, thus it is possible to extend the life of the light emitting element.
また、緩衝層205が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層30やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。 Further, since the buffer layer 205 exhibiting a pH buffer function against mechanical shock, if the mechanical shock is applied from outside, to alleviate the mechanical impact to the gas barrier layer 30 and the inside of the light emitting element, the machine it is possible to prevent the function deterioration of the light emitting device by impact.

次に、本発明の電子機器を説明する。 Next, the electronic apparatus of the present invention. 本発明の電子機器は、前記のEL表示装置(電気光学装置)を表示部として有したものであり、具体的には図12に示すものが挙げられる。 Electronic device of the present invention are those having the EL display device of the (electro-optical device) as a display unit, and specific examples thereof include those shown in FIG. 12.
図12(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。 Figure 12 (a) is a perspective view showing an example of a cellular phone. 図12(a)において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は前記のEL表示装置を用いた表示部を示している。 In FIG. 12 (a), reference numeral 1000 denotes a cellular phone body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using an EL display device of the.
図12(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。 12 (b) is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. 図12(b)において、符号1100は時計本体を示し、符号1101は前記のEL表示装置を用いた表示部を示している。 In FIG. 12 (b), reference numeral 1100 denotes a watch body, and reference numeral 1101 denotes a display unit using an EL display device of the.
図12(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。 FIG. 12 (c), a word processor, a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a personal computer. 図12(c)において、符号1200は情報処理装置、符号1201はキーボードなどの入力部、符号1202は前記のEL表示装置を用いた表示部、符号1203は情報処理装置本体を示している。 In FIG. 12 (c), the reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1201 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1202 denotes a display unit using an EL display device of the, reference numeral 1203 denotes an information processing apparatus main body.
図12(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、前記EL表示装置(電気光学装置)を有した表示部を備えているので、表示部を構成するEL表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。 Each of the electronic apparatus shown in FIG. 12 (a) ~ (c) is provided with the said EL display device display unit having an (electro-optical device), the length of the light emitting element EL display device which constitutes the display portion It becomes the life has been achieved.

「実験例1」 "Experimental Example 1"
本発明におけるガスバリア層のガスバリア性を確認するため、以下の実験を行った。 To confirm the gas barrier properties of the gas barrier layer in the present invention, the following experiments were performed.
・試料作製 基板としてPET(ポリエチレンテレフタレート;東レ製「T60」厚さ188μm)を用い、この上に電極材料、ガスバリア層形成材料を以下のようにして成膜し、試料を作製した。 · PET as a sample formation substrate; (polyethylene terephthalate made by Toray "T60" thickness 188 [mu] m) using, the electrode material thereon, a gas barrier layer-forming material is deposited as described below, to prepare a sample.
・無機酸化物電極(ITO)の作製(成膜条件) · Preparation of Inorganic oxide electrode (ITO) (film forming conditions)
成膜装置としてマグネトロンDCスパッタを用い、ターゲット原料としてInSnOを用いた。 Using a magnetron DC sputtering as a film-forming apparatus was used InSnO as a target material. 真空度を0.4Pa、導入ガスをAr、O として成膜を行い、厚さ100nmのITO膜を作製した。 The degree of vacuum 0.4 Pa, subjected to deposition of the introduction gas Ar, as O 2, to prepare an ITO film having a thickness of 100 nm.
・金属電極(Al)の作製(成膜条件) - Preparation of the metal electrode (Al) (film forming conditions)
成膜装置として抵抗加熱蒸着装置を用い、原料として高純度のAlを用いた。 A resistance heating deposition apparatus used as a film forming apparatus, using a high-purity Al as a raw material. 真空度を1.0×10 −5 Paとして成膜を行い、厚さ25nmのAl膜を作製した。 Performs deposition vacuum degree as 1.0 × 10 -5 Pa, to produce a thickness of 25nm of Al film.
・ガスバリア層としての珪素化合物(SiOx、SiNx、SiOxNy)の 作製(成膜条件) - silicon compounds as a gas barrier layer (SiOx, SiNx, SiOxNy) Preparation of (film forming conditions)
成膜装置としてECR(電子サイクロン共鳴)を用い、ターゲット原料としてSiを用いた。 ECR (electron cyclotron resonance) used as the film forming apparatus, using Si as a target material. 真空度を0.2Pa、導入ガスをAr、O 、N として成膜を行い、厚さ10〜150nmの珪素化合物膜を作製した。 The degree of vacuum 0.2 Pa, subjected to deposition of the introduction gas Ar, as O 2, N 2, to produce a silicon compound film having a thickness of 10 to 150 nm. なお、導入ガスについては使用ガスやその流量を試料毎に適宜に調整した。 Incidentally, for the introduction gas was used the gas and its flow rate was appropriately adjusted for each sample.
・測定 得られた試料に対し、「JIS−Z0208」に準拠して水蒸気透過率の測定を行った。 · The measurement obtained sample, in compliance with "JIS-Z0208" was measured of the water vapor transmission rate. 測定結果(測定値)を以下に示す(水蒸気透過率の単位は[g/m ・24時間]である)。 Shows the measurement result (measurement value) below (the unit of water vapor transmission rate is [g / m 2 · 24 hr]). なお、測定条件は60℃、90%RHとした。 The measurement conditions were 60 ℃, 90% RH. また、基板のみの水蒸気透過率や基板に電極材料のみを成膜したものについても、参考としてその水蒸気透過率を測定し、結果を以下に示す。 Further, the one formed only water vapor permeability and the electrode material to a substrate only the substrate is also measured the water vapor transmission rate as a reference, the results are shown in below. さらに、珪素化合物膜単独での水蒸気透過率を以下の式に基づいて計算(換算)し、得られた値を参考として前記測定結果に併記した。 Furthermore, the water vapor transmission rate of a silicon compound film alone on the basis of the following equation to calculate (converted), was also shown in the measurement results obtained value as a reference.
珪素化合物膜単独の換算方法 (1/A)=(1/B)+(1/C) Silicon compound film alone how Conversion (1 / A) = (1 / B) + (1 / C)
ただし、A;(PETまたはPRT+ITO膜)+珪素化合物膜の測定値 B;(PETまたはPRT+ITO膜)の測定値 C;珪素化合物膜単独の計算(換算)値 However, A; (PET or PRT + ITO film) + measured value of the silicon compound film B; (PET or PRT + ITO film) Found C of; silicon compound film alone calculation (conversion) value

水蒸気透過率 試料の構成 測定値 珪素化合物 Configuration measurements silicon compound vapor transmission rate Sample
膜単独PET/ITO/SiOx(膜厚70nm) :0.04 0.04 Film alone PET / ITO / SiOx (film thickness 70 nm): 0.04 0.04
PET/ITO/SiNx(膜厚40nm) ;0.21 0.23 PET / ITO / SiNx (thickness 40 nm); 0.21 0.23
PET/ITO/SiOxNy(膜厚40nm);0.12 0.12 PET / ITO / SiOxNy (thickness 40 nm); 0.12 0.12
PET/SiOx(膜厚70nm) :1.76 2.18 PET / SiOx (thickness of 70nm): 1.76 2.18
PET/SiNx(膜厚40nm) ;0.45 0.47 PET / SiNx (thickness 40 nm); 0.45 0.47
PET/SiOxNy(膜厚40nm) ;0.29 0.30 PET / SiOxNy (thickness 40 nm); 0.29 0.30
PET/Al/SiOx ;0.41 0.81 PET / Al / SiOx; 0.41 0.81
PET ;9.19 − PET; 9.19 -
PET/Al(膜厚25nm) ;0.81 − PET / Al (thickness 25 nm); 0.81 -
PET/ITO(膜厚100nm) ;3.13 − PET / ITO (thickness 100 nm); 3.13 -

なお、珪素化合物膜の屈折率を、自動エリプソメータ「NARY−102」(ファイブラボ株式会社製)によって測定波長領域を632nmとして測定したところ、SiOxは1.43、SiNxは1.99、SiOxNyは1.65であった。 Incidentally, the refractive index of the silicon compound film, automatic ellipsometer "NARY-102" was measured measurement wavelength region as 632nm by (Five Lab Co., Ltd.), SiOx is 1.43, SiNx is 1.99, SiOxNy 1 It was .65. (ただし、SiOxNyについてはその組成を変えることにより、屈折率も任意に変更可能である) (However, the SiOxNy by varying its composition, refractive index can be arbitrarily changed)

「実験例2」 "Experimental Example 2"
珪素化合物膜(SiOx)の膜厚を変え、その水蒸気透過率を「実施例1」と同様に測定し、珪素化合物膜(SiOx)の膜厚依存性を調べた。 Changing the film thickness of the silicon compound film (SiOx), the water vapor transmission rate was measured in the same manner as in "Example 1" was investigated film thickness dependency of the silicon compound film (SiOx). 得られた結果を以下に示す。 The results obtained are shown below. なお、珪素化合物膜(SiOx)を基板(PET)上に直接形成するのでなく、ITO膜を介して形成した先の例(SiOxの膜厚が70nm)も併記する。 Incidentally, a silicon compound film (SiOx) rather than directly formed on the substrate (PET), an example of a previously formed via an ITO film (film thickness of SiOx is 70 nm) is also shown together. また、得られた結果をグラフとして図13にも示す。 Also shown in Figure 13 the results obtained as a graph.
水蒸気透過率 試料の構成 測定値 珪素化合物 Configuration measurements silicon compound vapor transmission rate Sample
膜単独PET/ITO/SiOx(膜厚70nm) :0.04 0.04 Film alone PET / ITO / SiOx (film thickness 70 nm): 0.04 0.04
PET/SiOx(膜厚10nm) ;9.14 1582.46 PET / SiOx (thickness 10nm); 9.14 1582.46
PET/SiOx(膜厚30nm) ;8.55 121.63 PET / SiOx (thickness 30nm); 8.55 121.63
PET/SiOx(膜厚50nm) ;3.68 6.14 PET / SiOx (thickness 50nm); 3.68 6.14
PET/SiOx(膜厚70nm) ;1.76 2.18 PET / SiOx (thickness 70nm); 1.76 2.18
PET/SiOx(膜厚100nm) ;0.47 0.49 PET / SiOx (thickness 100nm); 0.47 0.49
PET/SiOx(膜厚150nm) ;0.45 0.47 PET / SiOx (thickness 150 nm); 0.45 0.47
得られた結果より、珪素化合物膜(SiOx)を基板上に単独で形成する場合に比べ、図13に示したようにITO膜を介して形成した場合の方が、同じ膜厚でも水蒸気透過率が格段に低くなることが分かった。 From the results obtained, compared silicon compound film (SiOx) in the case of forming by itself on a substrate, it is, water vapor permeability even with the same thickness in the case of forming via an ITO film as shown in FIG. 13 it has been found that is much lower. これから、珪素化合物膜(SiOx)は基板(PET)上に直接形成するより、ITO膜上に形成するほうが膜質が緻密になり、ガスバリア性が向上することが分かった。 Now, from the silicon compound film (SiOx) is formed directly on the substrate (PET), better formed on the ITO film quality becomes dense, it was found that improved gas barrier properties.

本発明のEL表示装置の配線構造を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing a wiring structure of an EL display device of the present invention. 本発明のEL表示装置の構成を模式的に示す平面図である。 The structure of the EL display device of the present invention is a plan view schematically showing. 図2のA−B線に沿う断面図である。 It is a sectional view taken along the line A-B in FIG. 図2のC−D線に沿う断面図である。 It is a sectional view taken along the line C-D in FIG. 図3の要部拡大断面図である。 It is an enlarged sectional view of FIG. EL表示装置の製造方法を工程順に説明する断面図である。 It is a sectional view for explaining a manufacturing method of an EL display device in the order of steps. 図6に続く工程を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a process subsequent to FIG. 図7に続く工程を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a process subsequent to FIG. 図8に続く工程を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a process subsequent to FIG. 図9に続く工程を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a process subsequent to FIG. 本発明の他のEL表示装置の要部拡大断面図である。 It is an enlarged sectional view of another EL display device of the present invention. (a)〜(c)は本発明の電子機器を示す斜視図である。 (A) ~ (c) is a perspective view showing the electronic device of the present invention. 珪素化合物膜の膜厚依存性を示すグラフである。 It is a graph showing the film thickness dependency of the silicon compound film.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 EL表示装置(電気光学装置)、23 画素電極(第1の電極)、 1 EL display device (electro-optical device), 23 pixel electrode (first electrode),
30 ガスバリア層、50 陰極(第2の電極)、60 発光層(機能層)、 30 gas barrier layer, 50 a cathode (second electrode), 60 light-emitting layer (functional layer),
200 基体、201 囲み部材、204 保護層、205 緩衝層、 200 substrate, 201 enclosing members, 204 protective layer, 205 a buffer layer,
206 表面保護層 206 surface protective layer

Claims (9)

  1. 基体上に、複数の画素領域ごとに形成された複数の第1の電極と、 On a substrate, a plurality of first electrodes formed on each of a plurality of pixel regions,
    前記基体上に形成され、前記複数の第1の電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク層と、 Formed on the substrate, and a bank layer having a plurality of openings corresponding to formation positions of the plurality of first electrodes,
    前記複数の開口部のそれぞれに配置された、流れる電流量に応じて発光する機能層と、 The arranged multiple to each opening, a functional layer that emits light according to the amount of current flowing,
    前記機能層を挟んで前記第1の電極の反対側に対向して配置され、前記複数の第1の電極にわたって連続して設けられた第2の電極と、 Disposed opposite to the opposite side of said first electrode across said functional layer, and a second electrode provided continuously over the plurality of first electrodes,
    前記複数の第1の電極の各々に接続された、前記第1の電極に駆動電流を供給する駆動用TFT、及び前記駆動用TFTの動作を制御するためのスイッチング用TFTと、 Connected to said each of the plurality of first electrodes, and a switching TFT for controlling the operation of the first drive TFT for supplying a drive current to the electrodes, and the driving TFT,
    前記スイッチング用TFTを駆動する走査線駆動回路と、 A scanning line driving circuit for driving the switching TFT, and
    前記第2の電極を覆うガスバリア層と、 And the gas barrier layer covering the second electrode,
    を備え、 Equipped with a,
    前記走査線駆動回路は、平面視で、 前記バンク層の最外周の内側に設けられた実表示領域の領域外であり且つ前記バンク層の最外周の内側の領域内に形成されるとともに、 The scanning line driving circuit is formed in plan view, in the a region outside the actual display area provided on the inner side of the outermost periphery of the bank layer and the bank layer outermost inner region of Rutotomoni,
    前記第2の電極は、前記バンク層の全面を覆い、且つ前記バンク層の前記最外周の外側まで延在され前記バンク層の外側において前記基体と接し、 The second electrode covers the entire surface of the bank layer, and wherein said bank layer extends to the outside of the outermost said substrate and in contact with the outside of the bank layer,
    前記ガスバリア層は、前記第2の電極の外側まで延設され、前記第2の電極の外側において前記基体と接することにより、前記第2の電極の全面を覆っていること、 The gas barrier layer is extended to the outside of the second electrode, by contacting the substrate on the outside of the second electrode, that covers the entire surface of the second electrode,
    を特徴とする電気光学装置。 Electro-optical device according to claim.
  2. 前記ガスバリア層の、前記基体及び前記第2の電極と接する部分は、珪素化合物からなることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 Wherein the gas barrier layer, the substrate and a portion in contact with the second electrode, the electro-optical device according to claim 1, characterized by comprising a silicon compound.
  3. 前記ガスバリア層の、前記基体及び前記第2の電極と接する部分は、珪素酸窒化物からなることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 Wherein the gas barrier layer, the substrate and a portion in contact with the second electrode, the electro-optical device according to claim 2, characterized in that it consists of silicon oxynitride.
  4. 前記ガスバリア層は、前記第2の電極側に設けられ珪素酸窒化物からなる層と、該層上に設けられた珪素酸化物からなる層とを少なくとも有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気光学装置。 The gas barrier layer according to claim 1, characterized in that has a layer comprising the provided silicon oxynitride on the second electrode side, and a layer consisting of silicon oxide provided on said layer at least the electro-optical device according to any one of.
  5. 前記ガスバリア層は、珪素酸窒化物からなり、第2の電極側の酸素濃度が外側の酸素濃度より低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気光学装置。 The gas barrier layer is made of silicon oxynitride, the electro-optical device according to any one of claims 1 to 3 oxygen concentration of the second electrode side is equal to or lower than the oxygen concentration of the outside.
  6. 前記第1の電極は陽極であり、 The first electrode is an anode,
    前記第2の電極は陰極であり、 The second electrode is a cathode,
    前記陰極の少なくともガスバリア層と接する面側が、無機酸化物からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電気光学装置。 At least the surface side in contact with the gas barrier layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 5, comprising the inorganic oxide of the cathode.
  7. 前記バンク層の最外周の外側部を形成する面の、基体表面との間でなす角度が、110度以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電気光学装置。 Said surface forming the outer portion of the outermost periphery of the bank layer, the angle formed between the substrate surface, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that at least 110 degrees.
  8. 前記走査線駆動回路は、矩形状に形成された前記バンク層の最外周の4つの辺のうち、互いに対向する一対の辺である第1の辺及び第2の辺に沿って設けられ、前記第1の辺及び第2の辺以外の辺に沿って検査回路が設けられていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電気光学装置。 The scanning line driving circuit, among the four sides of the outermost periphery of the bank layer is formed in a rectangular shape, is provided along a first side and a second side a pair of opposing sides, said electro-optical device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the test circuit along the sides other than the first side and a second side is provided.
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 8.
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