JP2002334792A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JP2002334792A
JP2002334792A JP2001138189A JP2001138189A JP2002334792A JP 2002334792 A JP2002334792 A JP 2002334792A JP 2001138189 A JP2001138189 A JP 2001138189A JP 2001138189 A JP2001138189 A JP 2001138189A JP 2002334792 A JP2002334792 A JP 2002334792A
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thin film
refractive index
transparent
high refractive
electrode
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JP2001138189A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Mori
竜雄 森
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Tatsuo Mori
竜雄 森
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2251/00Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
    • H01L2251/50Organic light emitting devices
    • H01L2251/53Structure
    • H01L2251/5307Structure specially adapted for controlling the direction of light emission
    • H01L2251/5323Two-side emission, i.e. TOLED

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element capable of making an organic electroluminescent display see-through and increasing the size thereof at low cost.
SOLUTION: This organic electroluminescent element has a transparent substrate 1, a transparent positive electrode 2, a luminescent layer (organic layer) 3 and a transparent negative electrode 4. The positive electrode 2 and the negative electrode 4 each comprise a thin metal film and a thin metal oxide film.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と略す)に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescent device (hereinafter, abbreviated as "organic EL device") relates.

【0002】 [0002]

【従来の技術】自発光,広視野角性,薄型・軽量,動画再現性の観点から将来有望な有機エレクトロルミネッセンスディスプレイは、窓等に貼り付けて使用するシースルーディスプレイや、壁等に貼り付けて使用する大面積のポスター型ディスプレイとしての応用が期待されている。 BACKGROUND OF THE INVENTION self-luminous, wide viewing angle properties, thin and lightweight, promising organic electroluminescent display from the point of view of the video reproducibility, and see-through display using pasted to the window, etc., and paste it into the wall or the like application as a poster display of large area to be used is expected.

【0003】ところで、このような有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに用いられる有機EL素子は、 Meanwhile, the organic EL element used in such an organic EL display,
一般に、透明基板上に陽極電極を成膜し、その表面に発光層を含む有機物層を成膜し、さらにその表面に陰極電極を成膜して構成されている。 In general, the anode electrode is formed on a transparent substrate, and depositing an organic layer including a light emitting layer on the surface thereof, is configured by further forming a cathode electrode on the surface thereof. そして、上記陽極電極としては、発光を取り出すため、通常、透明で導電性を有する酸化インジウム錫(ITO)膜が用いられている。 Then, as the anode electrode, for taking out light emission, usually indium tin oxide (ITO) film having a transparent conductive are used.
また、上記陰極電極としては、電子の注入のしやすさから、エネルギー準位の低い金属、例えば、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、銀等からなる金属合金電極が用いられている。 Further, as the cathode electrode, the ease of electron injection, a low energy level metal, e.g., magnesium, lithium, aluminum, metal alloy electrode made of silver or the like are used. さらに、特開平5−41286号公報には、陰極電極を透明にして陰極電極側からも発光を取り出せるよう、酸化亜鉛にアルミニウムを添加したものを陰極電極とした有機EL素子が提案されている。 Further, Japanese Patent Laid-Open No. 5-41286, to retrieve the emission from the cathode electrode side in the transparent cathode electrode, the organic EL element of the material obtained by adding aluminum to zinc oxide as the cathode electrode has been proposed.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの大面積化を実現するには、有機EL素子における陽極電極・陰極電極双方の低抵抗化(5Ω/□以下)を実現する必要があり、 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in order to realize a large-area organic electroluminescent display, it is necessary to achieve low resistance of the anode electrode and the cathode electrode both of the organic EL element (5 [Omega / □ or less) Yes,
陽極電極をITOのみで形成すると、低抵抗化のために膜厚を厚くしなければならないため、コストが非常に高くなるという難点がある。 When the anode electrode is formed only on the ITO, since it is necessary to increase the thickness for low resistance, there is a drawback that the cost is very high. すなわち、厚膜化によって、 That is, the thick film,
希少金属であるインジウムの使用量増大、成膜処理時間およびパターン形成(エッチング)時間の増大等が生じるためである。 Increasing the amount of indium which is rare metal, is because the increase in the film forming processing time and patterning (etching) time occurs. さらに、上記厚膜化によって、表面凹凸の増大や、エッジ部での電界集中による有機EL素子の発光機能の低下(ダークスポットの発生)が生じやすくなるという難点もある。 Furthermore, there is the aforementioned thickened, increase in the surface irregularities, even drawback that reduction of the light-emitting functional organic EL device due to electric field concentration at the edge portion (dark spots) is likely to occur. 一方、シースルー化を実現すべく、上述のように酸化亜鉛にアルミニウムを添加したもので透明陰極電極を形成すると、ITOのみで形成した陽極電極と同様に、低抵抗化のために膜厚を厚くしなければならないため、コストが高くなるという難点がある。 On the other hand, in order to realize see-through reduction, to form a transparent cathode electrode was prepared by adding aluminum to zinc oxide as described above, similarly to the anode electrode formed only by ITO, the film thickness for the low-resistance thick for unless should not, there is a drawback that the cost is high. したがって、低コストで有機エレクトロルミネッセンスディスプレイのシースルー化および大面積化を実現しうる有機EL素子は、未だ得られていないのが現状である。 Therefore, the organic EL device capable of realizing see-through reduction and large-area organic electroluminescent display at low cost, at present, not been obtained yet.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、低コストで有機エレクトロルミネッセンスディスプレイのシースルー化および大面積化を実現しうる有機EL素子の提供をその目的とする。 [0005] The present invention has been made in view of such circumstances, the provision of an organic EL device capable of realizing see-through reduction and large-area organic electroluminescent display at a low cost and its purpose.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明の有機EL素子は、透明基板と陽極電極と有機物層と陰極電極とを有する有機EL素子であって、上記陽極電極および陰極電極が、金属薄膜と高屈折率薄膜とを積層してなる透明電極であるという構成をとる。 To achieve the above object, according to an aspect of the organic EL device of the present invention is an organic EL element having a transparent substrate and the anode electrode and the organic layer and the cathode electrode, the anode electrode and cathode electrode, a configuration that is a transparent electrode formed by laminating a metal thin film and the high refractive index thin film.

【0007】すなわち、本発明者は、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた。 Namely, the present inventors have piled intensive studies to solve the above problems. その結果、陽極電極・陰極電極双方を、金属薄膜と高屈折率薄膜とを積層して構成すると、双方の電極の膜厚が薄くなるため透明性に優れ、両面から発光を取り出すことができ、しかも双方の電極の膜厚を薄くしても、電極の低抵抗化を実現でき、コストを抑制することができることを見出し、本発明に到達した。 As a result, both the anode electrode and the cathode electrode, when constructed by laminating a metal thin film and the high refractive index thin film excellent in transparency because the thickness of the both electrodes becomes thinner, it is possible to extract light emission from both sides, even if reducing the thickness of both electrodes Moreover, can achieve low resistance of the electrode, it found that it is possible to suppress the cost, thereby achieving the present invention.

【0008】 [0008]

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an embodiment of the present invention.

【0009】本発明の有機EL素子は、例えば、図1に示すように、透明基板1上に透明陽極電極2が形成され、その表面に発光層3が形成され、さらにその表面に透明陰極電極4が形成されて構成されている。 [0009] The organic EL device of the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a transparent anode electrode 2 on the transparent substrate 1 is formed, the light emitting layer 3 is formed on the surface, further transparent cathode electrode on the surface thereof 4 is constructed by forming.

【0010】上記透明基板1としては、透明性に優れたものであれば特に限定はなく、例えば、ガラス基板等があげられる。 [0010] As the transparent substrate 1 is not particularly limited as long as it has excellent transparency, for example, a glass substrate, and the like.

【0011】上記透明基板1の厚みは、通常、0.00 [0011] The thickness of the transparent substrate 1, usually, 0.00
3〜10mmであり、好ましくは0.025〜5mmである。 It is a 3~10mm, preferably 0.025~5mm.

【0012】上記透明基板1上に形成される透明陽極電極2は、金属薄膜と高屈折率薄膜とを積層してなる透明電極であり、可視光透過率が30%以上に設定されている。 [0012] The transparent substrate 1 transparent anode electrode 2 formed on the transparent electrode formed by laminating a metal thin film and the high refractive index film, a visible light transmittance is set at 30% or more. そして、上記金属薄膜と高屈折率薄膜との積層構造としては、例えば、金属薄膜と高屈折率薄膜との2層構造、金属薄膜を高屈折率薄膜でサンドイッチした3層構造のもの(高屈折率薄膜/金属薄膜/高屈折率薄膜)等があげられる。 Then, the layered structure of the above-mentioned thin metal film and a high refractive index film, for example, two-layer structure of a metal thin film and the high refractive index film, a three-layer structure is sandwiched a thin metal film with a high refractive index thin film (high-refractive rate thin film / a metal thin film / high refractive index film) and the like.

【0013】上記透明陽極電極2の総厚み(金属薄膜+ [0013] The total thickness of the transparent anode electrode 2 (thin metal film +
高屈折率薄膜)は、通常、5〜500nmであり、好ましくは10〜400nmである。 High refractive index thin film) is usually 5 to 500 nm, preferably from 10 to 400 nm.

【0014】上記高屈折率薄膜とは、金属薄膜表面での反射を低減させる目的で積層形成される薄膜であり、その屈折率は、光の波長633nmにおいて1.8以上であると、金属薄膜表面での反射低減効果が有効に作用するため、好ましい。 [0014] The above high refractive index film, a thin film to be laminated for the purpose of reducing the reflection at the metal thin film surface, a refractive index, if it is 1.8 or more at a wavelength of 633nm light, the metal thin film the reflection reducing effect at the surface acts effectively, preferred.

【0015】そして、上記高屈折率薄膜用材料としては、例えば、酸化チタン(TiO 2 ),酸化ジルコニウム(ZrO 2 ),酸化インジウム(In 23 ),酸化インジウム錫(ITO),酸化アルミニウム(Al 2 [0015] Then, as the high refractive index thin film material, for example, titanium oxide (TiO 2), zirconium oxide (ZrO 2), indium oxide (In 2 O 3), indium tin oxide (ITO), aluminum oxide ( Al 2 O
3 ),酸化タンタル(Ta 2 3), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ),酸化錫(Sn 5), tin oxide (Sn
2 ),酸化亜鉛(ZnO),酸化マグネシウム(Mg O 2), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide (Mg
O)等の金属酸化物、窒化シリコン(Si 34 ),窒化硼素(BN),窒化アルミニウム(AlN),窒化クロム(CrN),窒化タンタル(TaN),窒化チタン(TiN),窒化ジルコニウム(ZrN)等の金属窒化物、硫化亜鉛(ZnS),硫化カドミウム(CdS)等の金属硫化物、酸化窒化シリコン(SiO x O) metal oxide such as, silicon nitride (Si 3 N 4), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), chromium nitride (CrN), tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride ( ZrN) metal nitride such as zinc sulfide (ZnS), metal sulfides such as cadmium sulfide (CdS), silicon oxynitride (SiO x N y )等の金属酸化窒化物、炭化シリコン(SiC)等の金属炭化物があげられる。 y) metal oxynitride such as, metal carbides such as silicon carbide (SiC) and the like.

【0016】上記高屈折率薄膜の厚みは、屈折率に応じて適宜設定されるが、通常、5〜350nmであり、好ましくは10〜200nmである。 [0016] The thickness of the high refractive index thin film is appropriately set in accordance with the refractive index, usually the 5~350Nm, preferably 10 to 200 nm.

【0017】上記金属薄膜用材料としては、可視光領域の光吸収が小さく、かつ電気抵抗の小さい金属が好ましく、例えば、銀、金、銅、白金、パラジウム、アルミニウムもしくはこれらの合金等があげられる。 [0017] As the metal thin film material is less light absorption in the visible light region, and a metal having a low electric resistance is preferred, for example, silver, gold, copper, platinum, palladium, aluminum or the like of these alloys . これらのなかでも、低抵抗、高透明性、耐久性、エネルギー準位等を考慮して、銀系合金が好適に用いられる。 Among these, low resistance, high transparency, durability, taking into account the energy level, etc., a silver-based alloy is preferably used.

【0018】上記金属薄膜の厚みは、透明性および電気抵抗性を考慮すると、1〜50nmであり、好ましくは5〜30nmである。 [0018] The thickness of the metal thin film, in view of transparency and electrical resistivity is 1 to 50 nm, preferably 5 to 30 nm.

【0019】上記透明陽極電極2上に形成される発光層3用材料としては、特に限定はなく、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、12 [0019] As the transparent anode electrode 2 material for a light-emitting layer 3 formed on, not particularly limited, for example, benzothiazole, benzimidazole, optical brighteners benzoxazole, etc., styryl benzene compounds , 12
−フタロペリノン、1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開公報WO90/13148やAppl.Phys.Lett.,vol - phthaloperynone, 1,4-diphenyl-1,3-butadiene, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene, naphthalimide derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, Pirajirin derivatives, cyclopentadiene derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, styrylamine derivatives, coumarin compounds, International Publication WO90 / 13148 and Appl., vol
58,18,P1982(1991) に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン化合物、下記の一般式(1) 58,18, polymer compounds such as those described in P1982 (1991), an aromatic dimethylidyne compound represented by the following general formula (1)
で表される化合物等の有機発光材料があげられる。 The organic light emitting material such as a compound represented by the like. これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。 These may be used either alone or in combination.

【0020】 [0020]

【化1】(R−Q) 2 −Al−O−L …(1) 〔式中、Rはアルミニウム原子に置換8−キノリラート配位子が2個を上回って結合するのを立体的に妨害するように選ばれた8−キノリノラート環置換基、Qは置換キノリノラート配位子、Lはフェニル部分を含んでなる炭素数6〜24の炭化水素基、O−Lはフェノラート配位子をそれぞれ示す。 ## STR1 ## (R-Q) 2 -Al- O-L ... (1) [wherein, R is sterically hindered from binding substituted 8 Kinorirato ligands to the aluminum atom is above the two shows that as the chosen 8-quinolinolato ring substituent, Q is substituted quinolinolato ligand, L is a hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms comprising a phenyl moiety, O-L is a phenolate ligand, respectively . ]

【0021】上記発光層3の厚みは、通常、5〜200 The thickness of the light-emitting layer 3 is usually 5 to 200
nmであり、好ましくは10〜100nmである。 Is nm, preferably 10~100nm.

【0022】上記発光層3上に形成される透明陰極電極4は、上記透明陽極電極2と同様、金属薄膜と高屈折率薄膜とを積層してなる透明電極であり、可視光透過率が30%以上に設定されている。 The transparent cathode electrode 4 formed on the light emitting layer 3, similarly to the transparent anode electrode 2, a transparent electrode formed by laminating a metal thin film and the high refractive index film, a visible light transmittance of 30 It is set to be equal to or greater than%. そして、上記透明陰極電極4は、金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる多層構造であり、金属薄膜と高屈折率薄膜との2層構造、金属薄膜を高屈折率薄膜でサンドイッチした3層構造のもの(高屈折率薄膜/金属薄膜/高屈折率薄膜)が好ましい。 Then, the transparent cathode electrode 4 is a multilayer structure composed of a metal thin film and the high refractive index film, a two-layer structure, three-layer structure is sandwiched a thin metal film with a high refractive index thin film of the metal thin film and the high refractive index film ones (high refractive index film / thin metal film / high refractive index film) is preferable. なお、発光層3上に、金属薄膜と高屈折率薄膜とを成膜して2層構造の透明陰極電極4を形成する場合、透明性、 Incidentally, on the light emitting layer 3, the case of forming the transparent cathode electrode 4 having a two-layer structure by forming a metal thin film and the high refractive index film, transparency,
発光性の観点から、発光層3上に金属薄膜を成膜し、その表面に高屈折率薄膜を成膜することが好ましい。 From the viewpoint of luminescent, metallic thin film was formed on the light emitting layer 3, it is preferable to deposit the high-refractive index thin film on the surface thereof.

【0023】また、上記透明陰極電極4における金属薄膜用材料、高屈折率薄膜用材料およびこれら薄膜の厚み(透明陰極電極4の総厚みも含む)は、上記透明陽極電極2に準じる。 Further, the metal thin film material in the transparent cathode electrode 4, a high refractive index thin film material and thickness of these films (including the total thickness of the transparent cathode electrode 4) are according to the transparent anode electrode 2.

【0024】ここで、本発明の有機EL素子は、発光効率向上のために、透明陽極電極2の正孔注入性および透明陰極電極4の電子注入性を向上させる必要がある。 [0024] Here, the organic EL device of the present invention, for the luminous efficiency, it is necessary to improve the hole injection property and an electron injection property of the transparent cathode electrode 4 of the transparent anode electrode 2. そのためには、上記透明陽極電極2を構成している薄膜のうち、発光層3に隣接している薄膜(有機物層隣接層) For this purpose, among the thin films constituting the transparent anode electrode 2, a thin film adjacent to the light-emitting layer 3 (organic layer adjacent layer)
の仕事関数が4eV以上に設定され、かつ上記透明陰極電極4における有機物層隣接層の仕事関数が4eV未満に設定されていると好ましい。 Preferred work function is set above 4 eV, and the work function of the organic material layer adjacent layer in the transparent cathode electrode 4 is set to less than 4 eV.

【0025】上記透明陽極電極2における有機物層隣接層の形成材料としては、ITO,In 23 ,Sn Examples of the material for forming the organic layer adjacent layer in the transparent anode electrode 2, ITO, In 2 O 3 , Sn
2 ,ZnO,ZrO 2 ,TiO 2 ,酸化アンチモン, O 2, ZnO, ZrO 2, TiO 2, antimony oxide,
炭素,アルミニウム,銅,銀,金,白金およびこれらを含有する上記高屈折率薄膜用材料との混合材料があげられる。 Carbon, aluminum, copper, silver, gold, mixed material of the high refractive index thin film material and the like containing platinum and those.

【0026】上記透明陰極電極4における有機物層隣接層の形成材料としては、マグネシウム,カルシウム,マンガン,リチウム,セシウム等を含有する合金、およびこれらを含有する上記高屈折率薄膜用材料との混合材料薄膜があげられる。 The mixed material as the material for forming the organic layer adjacent layer in the transparent cathode electrode 4, magnesium, calcium, manganese, lithium, alloy containing cesium, and with the high refractive index thin film material containing them thin film, and the like.

【0027】そして、本発明の有機EL素子は、例えば、つぎのようにして作製することができる。 [0027] Then, the organic EL device of the present invention, for example, can be produced as follows. すなわち、まず、透明基板1の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて先に述べた高屈折率薄膜用材料を蒸着し高屈折率薄膜を成膜した後、この高屈折率薄膜の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて金属を蒸着し金属薄膜を成膜し、さらにこの金属薄膜の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて高屈折率薄膜用材料(透明陽極電極2における有機物層隣接層用材料)を蒸着し高屈折率薄膜を成膜して、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる3層構造の透明陽極電極2を形成する。 That is, first, after forming a high-refractive index thin film by depositing a high refractive index thin film material described above by using a magnetron sputter deposition device on the surface of the transparent substrate 1, a magnetron sputtering on the surface of the high refractive index thin film forming a metal thin film by depositing a metal using a vapor deposition apparatus, a high refractive index thin film material further using a magnetron sputter deposition device on the surfaces of the metal thin film (organic layer adjacent layer material of the transparent anode electrode 2) They deposited a film of high refractive index film to form a transparent anode electrode 2 of the three-layer structure comprising a high refractive index thin film and a metal thin film and a high refractive index thin film. つぎに、この透明陽極電極2の有機金属酸化物薄膜の表面に発光層3を真空蒸着等により成膜する。 Next, forming the light emitting layer 3 by vacuum vapor deposition or the like on the surface of the organic metal oxide thin film of the transparent anode electrode 2. 続いて、上記発光層3の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて高屈折率薄膜用材料(透明陰極電極4における有機物層隣接層用材料)を蒸着し高屈折率薄膜を成膜した後、この高屈折率薄膜の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて金属を蒸着し金属薄膜を成膜し、さらにこの金属薄膜の表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて高屈折率薄膜用材料を蒸着し高屈折率薄膜を成膜して、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる3層構造の透明陰極電極4を形成する。 Subsequently, after forming a high refractive index thin film by depositing a high refractive index thin film material (organic layer adjacent layer material of the transparent cathode electrode 4) using a magnetron sputter deposition device on a surface of the light-emitting layer 3, the the surface of the high refractive index thin film by depositing a metal using a magnetron sputter deposition device and a metal thin film, further the surface of the metal thin film by using a magnetron sputter deposition device and depositing a high refractive index thin film material for high refractive by forming a ratio thin, to form a transparent cathode electrode 4 having a three-layer structure comprising a high refractive index thin film and a metal thin film and a high refractive index thin film. このようにして、有機EL素子を得ることができる(図1参照)。 In this way, it is possible to obtain an organic EL element (see Fig. 1).

【0028】なお、本発明の有機EL素子において、高屈折率薄膜および金属薄膜の形成処理は、上述のようにマグネトロンスパッタ蒸着による以外にも、例えば、真空蒸着、イオンプレーディング、メッキ処理等によっても、なし得る。 It should be noted, in the organic EL device of the present invention, formation processing of a high refractive index thin film and the metal thin film, except by magnetron sputter deposition, as described above also, for example, vacuum deposition, ion plating loading, by plating, etc. also, it is done.

【0029】また、本発明の有機EL素子において、透明陽極電極2と透明陰極電極4との間に設けられる有機物層は、図1に示したような、発光層3のみの単層構造に限定されるものではなく、例えば、正孔注入層と発光層との2層構造、発光層と電子注入層との2層構造、正孔注入層と発光層と電子注入層の3層構造等があげられる。 [0029] In the organic EL device of the present invention, an organic layer provided between the transparent anode electrode 2 and the transparent cathode electrode 4, as shown in FIG. 1, limited to a single layer structure of only the light-emitting layer 3 not intended to be, for example, two-layer structure of a hole injection layer and the luminescent layer, two-layer structure of a light-emitting layer and the electron injection layer, three-layer structure of the hole injection layer and the light emitting layer and an electron injection layer can give.

【0030】上記正孔注入層用材料としては、特に限定はなく、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン、 [0030] Examples of the hole injection layer material is not particularly limited, for example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, polysilane,
アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー(好ましくはチオフェンオリゴマー)、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、有機発光材料としても用いることができる芳香族ジメチリディン系化合物、p型−Siやp型−SiC等の無機半導体等があげられる。 Aniline copolymers, conductive high-molecular oligomers (preferably thiophene oligomer), porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene base compounds can be used as an organic luminescent material, p-type inorganic semiconductor, and the like, such as -Si and p-type -SiC. これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。 These may be used either alone or in combination.

【0031】上記正孔注入層の厚みは、通常、1〜10 The thickness of the hole injection layer is usually 1 to 10
0nmであり、好ましくは10〜50nmである。 It is a 0nm, preferably 10~50nm.

【0032】また、上記電子注入層用材料としては、特に限定はなく、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、特開昭59−19439 Further, as a material for the electron injecting layer is not particularly limited, for example, nitro-substituted fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, diphenyl derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic such as naphthaleneperylene acid anhydride, carbodiimide, deflection distyrylpyrazine derivatives, anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, JP 59-19439
3号公報において発光層の材料として開示されている一連の電子伝達性化合物、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有したキノキサリン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニンまたはこれらの末端がアルキル基,スルホン基等で置換されているもの、ジスチリルピラジン誘導体、n型−Siやn型−SiC等の無機半導体等があげられる。 A series of electron transfer compounds disclosed as the material of the light-emitting layer in the 3 JP had thiazole derivatives oxygen atom is replaced with a sulfur atom in the oxadiazole ring, a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group quinoxaline 8-quinolinol derivative metal complexes, those metal-free or metal phthalocyanine, or those terminal is substituted with an alkyl group, a sulfonic group or the like, distyryl pyrazine derivatives, n-type -Si and n type -SiC like inorganic semiconductor, and the like. これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。 These may be used either alone or in combination.

【0033】上記電子注入層の厚みは、通常、1〜10 The thickness of the electron injection layer is usually 1 to 10
0nmであり、好ましくは10〜50nmである。 It is a 0nm, preferably 10~50nm.

【0034】なお、本発明の有機EL素子において、透明基板1上に積層形成する順序は、図1に示したものと逆であってもよい。 [0034] Incidentally, in the organic EL device of the present invention, the order of laminated on the transparent substrate 1 may be reversed to that shown in FIG. すなわち、透明基板1上に透明陰極電極4が形成され、その表面に発光層3が形成され、さらにその表面に透明陽極電極2が形成されて構成されていてもよい。 That is, the transparent substrate 1 transparent cathode electrode 4 on are formed, the light-emitting layer 3 is formed on the surface thereof, it may be configured by further transparent anode electrode 2 is formed on the surface thereof.

【0035】つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。 [0035] will hereinafter be described in conjunction with comparative examples.

【0036】 [0036]

【実施例1】透明ガラス(10mm×20mm、厚み0.5mm)を準備し、この表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnOを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.3(測定時の光の波長633n EXAMPLE 1 Transparent glass (10 mm × 20 mm, thickness 0.5 mm) was prepared, and on this surface, depositing ZnO using a magnetron sputter deposition device a high refractive index film [thickness 50 nm, refractive index 2.3 ( the wavelength of the measurement at the time of light 633n
m)〕を成膜した。 m)] it was formed. つぎに、この高屈折率薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し金属薄膜(厚み20nm)を成膜した。 Next, the surface of the high refractive index thin film and a metal thin film (thickness 20 nm) was deposited silver by magnetron sputter deposition apparatus. さらに、この金属薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnOを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み10nm、屈折率2.3(測定時の光の波長633nm)、仕事関数4. Further, the surface of the metal thin film, magnetron sputter deposition apparatus depositing a ZnO with a high refractive index film [thickness 10 nm, refractive index 2.3 (wavelength 633nm during measurement of light), the work function 4.
5eV〕を成膜した。 5eV] was formed. このようにして、透明ガラス表面に、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる3層構造の透明陽極電極を形成した。 In this manner, the transparent glass surface to form a transparent anode electrode of three-layer structure comprising a high refractive index thin film and a metal thin film and a high refractive index thin film. つぎに、この透明陽極電極の表面に、アルミキノリーム錯体(Alq 3 Next, the surface of the transparent anode electrode, aluminum quinolinol ream complex (Alq 3)
を真空蒸着機を用いて蒸着し、発光層(厚み50nm) It was deposited using a vacuum deposition machine, the light emitting layer (thickness 50 nm)
を成膜した。 The film was formed. そして、この発光層の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウム−銀系合金(マグネシウムの原子数の割合が90atm%)を蒸着し金属薄膜(厚み20nm、仕事関数3.2eV)を成膜した後、この表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnOを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.3(測定時の光の波長633nm)〕を成膜し、金属薄膜と高屈折率薄膜との2層構造からなる透明陰極電極を形成した。 Then, the surface of the light-emitting layer, magnesium using magnetron sputter deposition device - deposited silver alloy (ratio of the number of atoms of magnesium 90 atm%) depositing a metal thin film (thickness 20 nm, the work function 3.2 eV) and after the high refractive index thin film deposited ZnO using magnetron sputter deposition device in this surface [thickness 50 nm, (a wavelength of 633nm light at the time of measurement) refractive index 2.3] forming a metal thin film and the high refractive to form a transparent cathode electrode made of two-layer structure of a rate film. このようにして、透明ガラスと透明陽極電極と発光層と透明陰極電極とをこの順に積層してなる有機EL素子を作製した。 Thus, to produce an organic EL device formed by laminating a transparent glass and transparent anode electrode and the light emitting layer and the transparent cathode electrode in this order.

【0037】 [0037]

【実施例2】透明ガラス(10mm×20mm、厚み0.5mm)を準備し、この表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnOを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.3(測定時の光の波長633n Example 2 transparent glass (10 mm × 20 mm, thickness 0.5 mm) was prepared, and on this surface, depositing ZnO using a magnetron sputter deposition device a high refractive index film [thickness 50 nm, refractive index 2.3 ( the wavelength of the measurement at the time of light 633n
m)〕を成膜した。 m)] it was formed. つぎに、この高屈折率薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウム−銀系合金(マグネシウムの原子数の割合が90at Then, this surface of the high refractive index film, magnesium by magnetron sputter deposition device - the ratio of the number of atoms of silver-based alloys (magnesium 90at
m%)を蒸着し金属薄膜(厚み20nm、仕事関数3. A metal thin film (thickness 20nm by depositing m%), the work function 3.
2eV)を成膜した。 2eV) was formed. このようにして、透明ガラス表面に、高屈折率薄膜と金属薄膜との2層構造からなる透明陰極電極を形成した。 In this manner, the transparent glass surface to form a transparent cathode electrode made of two-layer structure of a high refractive index thin film and the metal thin film. つぎに、この透明陽極電極の表面に、アルミキノリーム錯体(Alq 3 )を真空蒸着機を用いて蒸着し、発光層(厚み50nm)を成膜した。 Next, the surface of the transparent anode electrode, aluminum quinolinol ream complex (Alq 3) was deposited using a vacuum deposition machine, thereby forming a light-emitting layer (thickness 50 nm). そして、この発光層の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnOを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み10n Then, the surface of the light-emitting layer, and depositing a ZnO using magnetron sputter deposition device a high refractive index film [thickness 10n
m、屈折率2.3(測定時の光の波長633nm)、仕事関数4.5eV〕を成膜した後、この表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し金属薄膜(厚み20nm)を成膜し、さらに、この金属薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnOを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.3(測定時の光の波長633nm)〕を成膜して、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる3層構造の透明陽極電極を形成した。 m, refractive index 2.3 (wavelength 633nm during measurement of light), after forming a work function 4.5eV], a metal thin film (thickness 20 nm) was deposited silver by magnetron sputter deposition device in this surface deposited, further deposition on the surface of the metal thin film, magnetron sputter deposition apparatus depositing a ZnO with a high refractive index film [thickness 50 nm, refractive index 2.3 (wavelength 633nm during measurement of light)] the to, to form a transparent anode electrode of three-layer structure comprising a high refractive index thin film and a metal thin film and a high refractive index thin film. このようにして、透明ガラスと透明陰極電極と発光層と透明陽極電極とをこの順に積層してなる有機EL素子を作製した。 Thus, to produce an organic EL device formed by laminating a transparent glass and transparent cathode electrode and the light emitting layer and the transparent anode electrode in this order.

【0038】 [0038]

【実施例3】透明ガラス(10mm×20mm、厚み0.5mm)を準備し、この表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてTiNを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.8(測定時の光の波長633n Example 3 transparent glass (10 mm × 20 mm, thickness 0.5 mm) was prepared, and on this surface, depositing a TiN using magnetron sputter deposition device a high refractive index film [thickness 50 nm, refractive index 2.8 ( the wavelength of the measurement at the time of light 633n
m)〕を成膜した。 m)] it was formed. つぎに、この高屈折率薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し金属薄膜(厚み20nm)を成膜した。 Next, the surface of the high refractive index thin film and a metal thin film (thickness 20 nm) was deposited silver by magnetron sputter deposition apparatus. さらに、この金属薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてTiNを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み10nm、屈折率2.8(測定時の光の波長633nm)、仕事関数4. Further, the surface of the metal thin film, magnetron sputter deposition device and vapor deposited TiN with a high refractive index film [thickness 10 nm, (a wavelength of 633nm light at the time of measurement) refractive index 2.8, the work function 4.
8eV〕を成膜した。 8eV] was formed. このようにして、透明ガラス表面に、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる3層構造の透明陽極電極を形成した。 In this manner, the transparent glass surface to form a transparent anode electrode of three-layer structure comprising a high refractive index thin film and a metal thin film and a high refractive index thin film. つぎに、この透明陽極電極の表面に、アルミキノリーム錯体(Alq 3 Next, the surface of the transparent anode electrode, aluminum quinolinol ream complex (Alq 3)
を真空蒸着機を用いて蒸着し、発光層(厚み50nm) It was deposited using a vacuum deposition machine, the light emitting layer (thickness 50 nm)
を成膜した。 The film was formed. そして、この発光層の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウム−銀系合金(マグネシウムの原子数の割合が90atm%)を蒸着し金属薄膜(厚み20nm、仕事関数3.2eV)を成膜した後、この表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてTiNを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.8(測定時の光の波長633nm)〕を成膜し、金属薄膜と高屈折率薄膜との2層構造からなる透明陰極電極を形成した。 Then, the surface of the light-emitting layer, magnesium using magnetron sputter deposition device - deposited silver alloy (ratio of the number of atoms of magnesium 90 atm%) depositing a metal thin film (thickness 20 nm, the work function 3.2 eV) and after the high refractive index thin film by depositing TiN by using a magnetron sputter deposition device in this surface [thickness 50 nm, (a wavelength of 633nm light at the time of measurement) refractive index 2.8] forming a metal thin film and the high refractive to form a transparent cathode electrode made of two-layer structure of a rate film. このようにして、透明ガラスと透明陽極電極と発光層と透明陰極電極とをこの順に積層してなる有機EL素子を作製した。 Thus, to produce an organic EL device formed by laminating a transparent glass and transparent anode electrode and the light emitting layer and the transparent cathode electrode in this order.

【0039】 [0039]

【実施例4】透明ガラス(10mm×20mm、厚み0.5mm)を準備し、この表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnSを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.3(測定時の光の波長633n Example 4 transparent glass (10 mm × 20 mm, thickness 0.5 mm) was prepared, and on this surface by vapor deposition of ZnS using magnetron sputter deposition device a high refractive index film [thickness 50 nm, refractive index 2.3 ( the wavelength of the measurement at the time of light 633n
m)〕を成膜した。 m)] it was formed. つぎに、この高屈折率薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてマグネシウム−銀系合金(マグネシウムの原子数の割合が90at Then, this surface of the high refractive index film, magnesium by magnetron sputter deposition device - the ratio of the number of atoms of silver-based alloys (magnesium 90at
m%)を蒸着し金属薄膜(厚み20nm、仕事関数3. A metal thin film (thickness 20nm by depositing m%), the work function 3.
2eV)を成膜した。 2eV) was formed. このようにして、透明ガラス表面に、高屈折率薄膜と金属薄膜との2層構造からなる透明陰極電極を形成した。 In this manner, the transparent glass surface to form a transparent cathode electrode made of two-layer structure of a high refractive index thin film and the metal thin film. つぎに、この透明陽極電極の表面に、アルミキノリーム錯体(Alq 3 )を真空蒸着機を用いて蒸着し、発光層(厚み50nm)を成膜した。 Next, the surface of the transparent anode electrode, aluminum quinolinol ream complex (Alq 3) was deposited using a vacuum deposition machine, thereby forming a light-emitting layer (thickness 50 nm). そして、この発光層の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnSを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み10n Then, the surface of the light-emitting layer, depositing a ZnS using a magnetron sputter deposition device a high refractive index film [thickness 10n
m、屈折率2.3(測定時の光の波長633nm)、仕事関数4.2eV〕を成膜した後、この表面にマグネトロンスパッタ蒸着装置を用いて銀を蒸着し金属薄膜(厚み20nm)を成膜し、さらに、この金属薄膜の表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてZnSを蒸着し高屈折率薄膜〔厚み50nm、屈折率2.3(測定時の光の波長633nm)〕を成膜して、高屈折率薄膜と金属薄膜と高屈折率薄膜とからなる3層構造の透明陽極電極を形成した。 m, refractive index 2.3 (wavelength 633nm during measurement of light), after forming a work function 4.2eV], a metal thin film (thickness 20 nm) was deposited silver by magnetron sputter deposition device in this surface deposited, further deposition on the surface of the metal thin film, magnetron sputter deposition device and vapor deposited ZnS using a high refractive index film [thickness 50 nm, refractive index 2.3 (wavelength 633nm during measurement of light)] the to, to form a transparent anode electrode of three-layer structure comprising a high refractive index thin film and a metal thin film and a high refractive index thin film. このようにして、透明ガラスと透明陰極電極と発光層と透明陽極電極とをこの順に積層してなる有機EL素子を作製した。 Thus, to produce an organic EL device formed by laminating a transparent glass and transparent cathode electrode and the light emitting layer and the transparent anode electrode in this order.

【0040】 [0040]

【比較例】透明ガラス(10mm×20mm、厚み0. [Comparative Example] transparent glass (10mm × 20mm, thickness 0.
5mm)を準備し、この表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてITOを蒸着しITO膜(厚み400 Prepare 5 mm), on the surface, depositing the ITO using magnetron sputter deposition device ITO film (thickness 400
nm)を成膜し、これを透明陽極電極とした。 nm) was deposited, which was used as a transparent anode electrode. つぎに、 Then,
このITO膜の表面にアルミキノリーム錯体(Al Aluminum quinolinol ream complex on the surface of the ITO film (Al
3 )を真空蒸着機を用いて蒸着して発光層(厚み50 q 3) emission layer was deposited using a vacuum deposition machine (thickness 50
nm)を成膜した。 nm) was formed. この発光層の表面にアルミニウム− Aluminum on the surface of the light-emitting layer -
リチウム系合金を真空蒸着機を用いて蒸着して陰極電極(厚み50nm)を成膜した。 The lithium alloy was deposited cathode electrode (thickness 50 nm) was deposited by using a vacuum deposition machine. このようにして、透明ガラスと透明陽極電極と発光層と陰極電極とをこの順に積層してなる有機EL素子を作製した。 Thus, to produce an organic EL device formed by laminating a transparent glass and transparent anode electrode and the light emitting layer and the cathode electrode in this order.

【0041】このようにして得られた実施例品および比較例品の有機EL素子を用いて、有機EL素子全体の可視光透過率、発光効率および電極コスト(陽極電極コスト+陰極電極コスト)について比較評価を行った。 [0041] Using the organic EL element of this embodiment obtained in the products and comparative examples, the visible light transmittance of the entire organic EL device, the luminous efficiency and electrode cost (anode cost + cathode cost) the comparative evaluation was carried out. これらの結果を、下記の表1に示した。 The results are shown in Table 1 below.

【0042】 [0042]

【表1】 [Table 1]

【0043】上記表1の結果から、実施例品はいずれも、有機EL素子全体の可視光透過率がきわめて高く(市販の熱線反射ガラスの可視光透過率でも20%程度)、シースルーであり、両面からの発光を確認することができ、しかも比較例品に比べて、電極コストも低く抑えることができることがわかる。 [0043] From the results shown in Table 1, none of the Example product, the visible light transmittance of the entire organic EL element is very high (about 20% at a visible light transmittance of commercially available heat-reflecting glass), a see-through, you can see the light emitted from both sides, yet in comparison with the comparative examples, it is understood that it is possible to suppress the electrode relatively low costs.

【0044】これに対して、比較例品は、アルミニウム−リチウム系合金を用いて陰極電極を形成しているため、電極として使用に耐え得る表面抵抗を得るためには厚膜とせざるを得ず、不透明であるため、可視光透過率が0%であることがわかる。 [0044] In contrast, comparative examples are aluminum - for forming the cathode electrode using a lithium-based alloy, in order to obtain a surface resistance that can withstand use as an electrode is not forced to a thick film , because it is opaque, it can be seen that the visible light transmittance is 0%.

【0045】 [0045]

【発明の効果】以上のように、本発明の有機EL素子は、透明基板と陽極電極と有機物層と陰極電極とを有する有機EL素子であって、上記陽極電極および陰極電極が、金属薄膜と高屈折率薄膜とからなるものである。 As is evident from the foregoing description, the organic EL device of the present invention is an organic EL element having a transparent substrate and the anode electrode and the organic layer and the cathode electrode, the anode electrode and the cathode electrode, and the metal thin film it is made of a high refractive index thin film. このように、上記金属薄膜と高屈折率薄膜とを用いて陽極電極および陰極電極を構成しているため、双方の電極の膜厚が薄く透明性に優れ、両面から発光を取り出すことができる。 Thus, since making up the anode and cathode electrodes using the thin metal film and the high refractive index film, the film thickness of the both electrodes is excellent in thin and transparent, light can be emitted from both sides. しかも、双方の電極の膜厚を薄くしても、電極の低抵抗化を実現できるため、低コストで有機エレクトロルミネッセンスディスプレイのシースルー化および大面積化を実現しうるようになる。 Moreover, even if reducing the thickness of both electrodes, it is possible to realize a reduction in the resistance of the electrodes, so that can realize a see-through reduction and large-area organic electroluminescent display at a low cost.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の有機EL素子の一例を示す断面図である。 1 is a cross-sectional view showing an example of an organic EL device of the present invention.

【符号の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE SYMBOLS

1 透明基板 2 透明陽極電極 3 発光層 4 透明陰極電極 1 transparent substrate 2 transparent anode electrode 3 emitting layer 4 transparent cathode electrode

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 透明基板と陽極電極と有機物層と陰極電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記陽極電極および陰極電極が、金属薄膜と高屈折率薄膜とを積層してなる透明電極であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 1. A organic electroluminescent device having a transparent substrate and the anode electrode and the organic layer and the cathode electrode, the transparent electrode the anode electrode and the cathode electrode, formed by laminating a metal thin film and the high refractive index thin film the organic electroluminescent device, characterized in that it.
  2. 【請求項2】 上記陽極電極および陰極電極における高屈折率薄膜の屈折率が、光の波長633nmにおいて1.8以上である請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Wherein the refractive index of the high refractive index thin film in the anode electrode and the cathode electrode, the organic electroluminescent device according to claim 1, wherein 1.8 or more at a wavelength of 633nm of light.
  3. 【請求項3】 上記陽極電極における有機物層隣接層の仕事関数が4eV以上であり、上記陰極電極における有機物層隣接層の仕事関数が4eV未満である請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Wherein is the work function of the organic material layer adjacent layers of the anode electrode is 4eV or more, the organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein the work function of the organic material layer adjacent layer in the cathode electrode is less than 4eV.
  4. 【請求項4】 上記陽極電極および陰極電極における金属薄膜が、銀、金、銅、白金、パラジウムおよびアルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも一つを含有している請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Wherein the metal thin film in the anode electrode and the cathode electrode, silver, gold, copper, platinum, any one of claims 1 to 3 containing at least one selected from the group consisting of palladium and aluminum the organic electroluminescence device according to one paragraph.
  5. 【請求項5】 上記陽極電極および陰極電極の可視光透過率が30%以上である請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Wherein the anode electrode and the organic electroluminescent device according to claim 1 visible light transmittance of the cathode is 30% or more.
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