JP3754374B2 - リチウム二次電池用電極の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、リチウム二次電池用電極の製造方法に関し、より特定的には、集電体上に活物質層を形成するリチウム二次電池用電極の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、盛んに研究開発が行われているリチウム二次電池は、用いる電極によって、充放電特性、充放電サイクル特性および保存特性などの電池特性が大きく左右される。このため、電極に用いる活物質を改善することにより、電池特性の改善および向上が図られている。
【0003】
負極活物質としてリチウム金属を用いて電池を作製する場合、重量当たりおよび体積当たりのエネルギー密度の高い電池が得られることが知られている。この場合、負極上では、充電によってリチウムが析出するとともに、放電によってリチウムが溶解する。この電池の充放電を繰り返すことによって、負極上ではリチウムの析出と溶解が繰り返し行われる。これにより、負極上にリチウムがデンドライト状(樹枝状)に析出するという不都合が生じる。その結果、内部短絡が発生するという問題点があった。
【0004】
そこで、従来、充電時に電気化学的にリチウムと合金化するアルミニウム、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)および錫などを負極活物質として用いることによって、上記のようなリチウムのデンドライト状の析出を抑制したリチウム二次電池が提案されている。これらは、たとえば、Solid State Ionics,113−115,p57(1998)などに報告されている。これらの物質のうち、特に、SiやGeは理論容量が大きいので、高い容量を示す電池の負極活物質として有望な材料である。
【0005】
本出願人は、国際公開WO01/31721号公報において、CVD法、スパッタリング法、蒸着法などの薄膜形成方法を用いて、集電体上に微結晶または非晶質のSiからなる活物質層を形成する方法を提案している。この本出願人が提案したリチウム二次電池用電極の形成方法では、金属箔からなる集電体上に、スパッタリング法などを用いて直接Siを堆積させることにより、Si薄膜からなる活物質層を形成している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スパッタリング法などを用いて活物質層を集電体上に直接形成した場合、活物質層と集電体との界面における反応・拡散を適切に制御することは困難である。特に、SiやGeのCu中での拡散係数は非常に大きいため、SiまたはGeのいずれかを含む活物質層をCuからなる集電体上に直接形成した場合、活物質層と集電体との界面における反応・拡散が過度に進行してしまうという不都合があった。その結果、活物質層の充放電特性が低下するという問題点があった。また、活物質層と集電体との界面の反応生成物によって電極が脆化しやすいため、充放電サイクル特性が低下するという問題点があった。
【0007】
その一方、界面における反応・拡散がほとんど起こらない場合には、界面での密着性が不足しやすいため、活物質層が剥離しやすいという問題が生じる。
【0008】
このように、良好な充放電サイクル特性を有する電極を得るためには、活物質と集電体材料との界面における反応・拡散を適切に制御することが重要である。
【0009】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の1つの目的は、充放電容量が大きく、かつ、良好な充放電サイクル特性を有するリチウム二次電池を得ることが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供することである。
【0010】
この発明のもう一つの目的は、上記のリチウム二次電池用電極の製造方法において、集電体成分の活物質層への拡散度合いを均一かつ適切に制御することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面によるリチウム二次電池用電極の製造方法は、Cuからなる集電体の表面を酸化処理することによって、自然酸化膜以外の酸化膜を形成する工程と、その後、原料を気相中に放出して供給する方法を用いて、集電体上に、SiおよびGeの少なくともいずれかを含む活物質層を形成する工程とを備えている。そして、酸化処理する工程と、活物質層を形成する工程とを、集電体の表面を大気に晒すことなく連続して行う。なお、本発明における「原料を気相中に放出して供給する方法」とは、たとえば、スパッタ法や蒸着法などのPVD(Physical Vapor Deposition)法、および、プラズマCVD法などのCVD(Chemical Vapor Deposition)法を含む広い概念である。
【0012】
この一の局面によるリチウム二次電池用電極の製造方法では、上記のように、集電体の表面を酸化処理した後、集電体上にSiおよびGeの少なくともいずれかを含む活物質層を形成することによって、集電体の成分が活物質層に過剰に拡散するのを抑制することができる。また、CuはSiまたはGeに対して、拡散係数が大きいので、SiまたはGeの少なくともいずれかを含む活物質層へ拡散しやすい。このような拡散係数の大きいCuの場合にも、本発明の酸化処理によりCuの活物質層への拡散を有効に抑制することができる。これにより、集電体の成分を活物質層に適度に拡散させることができるので、充放電容量を大きくすることができるとともに、良好な充放電サイクル特性を得ることができる。
【0014】
上記のリチウム二次電池用電極の製造方法において、好ましくは、酸化処理する工程に先立って、集電体の表面をスパッタエッチングすることによって、集電体の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程をさらに備え、スパッタエッチングする工程と、酸化処理する工程とを、集電体の表面を大気に晒すことなく連続して行う。このように構成すれば、集電体表面の酸化の度合いのばらつきが大きい自然酸化膜をスパッタエッチングにより除去した後、大気に晒すことなく酸化処理を行うことができるので、より均一で再現性の高い酸化処理を行うことができる。
【0015】
上記のリチウム二次電池用電極の製造方法において、好ましくは、集電体の表面は、凹凸形状を有する。このように構成すれば、集電体と活物質層との接触面積が増加するので、集電体と活物質層との密着性を向上させることができる。これにより、充放電特性をより向上させることができる。また、集電体の表面の凹凸形状によって、集電体上に形成される活物質層の表面も凹凸を有する形状になる。この凹凸形状の凹部により、充放電時に活物質層が膨張する際に発生する横方向の応力が緩和されるので、そのような応力に起因して活物質層が集電体から剥がれるのを防止することができる。これによっても、充放電特性を向上させることができる。
【0017】
【実施例】
まず、本発明のリチウム二次電池用電極の製造方法の実施例を説明する前に、実施例で用いる電極形成装置について説明する。図1は、本発明の実施例で用いた電極形成装置の全体の構成を示した概略図である。この電極形成装置1は、チャンバー2と、チャンバー2内に回転軸3aで回転可能に支持された基板ホルダ3と、スパッタ源4と、ガス供給ライン6を含むECRイオン源5とを備えている。基板ホルダ3には、集電体10(20)が固定されている。また、チャンバー2には、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とが接続されている。
【0018】
ここで、基板ホルダ3は、チャンバー2の外部からの操作によって、回転軸3aを軸として回転させることのできる構造となっている。これにより、基板ホルダ3に固定された集電体10(20)を、外部からの操作によって、ECRイオン源5またはスパッタ源4の任意の一方と対向させることができる。
【0019】
上記した電極形成装置1を用いて、以下の実施例1〜4および比較例1〜4によるリチウム二次電池用電極を作製した。なお、実施例1および2と比較例1および2とでは、圧延銅箔からなる集電体を用いて電極a1〜a4を作製した。また、実施例3および4と比較例3および4とでは、表面に凹凸形状を有する粗面化圧延銅箔からなる集電体を用いて電極b1〜b4を作製した。また、電極a1〜a4およびb1〜b4で使用した各集電体に行った表面処理を以下の表1に示す。
【0020】
【表1】
上記表1を参照して、以下、実施例1〜4および比較例1〜4について説明する。
【0021】
(実施例1)
まず、実施例1の電極a1の集電体10として、約18μmの厚みを有する圧延銅箔を準備した。この実施例1では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)を形成する前の集電体10の表面処理として、酸化処理のみを行った。
【0022】
具体的には、図1に示した電極形成装置1の基板ホルダ3に、上記した圧延銅箔からなる集電体10を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体10とECRイオン源5とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。この状態で、以下の表2に示すような条件下で集電体10の酸化処理を行った。すなわち、マイクロ波電力;330W、O2流量;60sccm、ガス圧力;1.5×10―1Pa、イオン加速電圧;200Vの条件下で、5分間の酸化処理を行うことによって、図2に示すように、集電体10の表面に酸化膜11を形成した。
【0023】
【表2】
その後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体10とスパッタ源4とを対向させた。そして、チャンバー2に流入するガスをO2ガスからArガスに切り替えた後、以下の表3に示すような条件下で酸化膜11上に、Si薄膜層からなる活物質層12を形成した。すなわち、RF電力;330W、Ar流量;50sccm、ガス圧力;1×10―1Paの条件下で、180分間のスパッタリングを行うことによって、約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層12を形成した。
【0024】
【表3】
最後に、上記のようにして形成した活物質層12と集電体10とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、実施例1の電極a1を得た。
【0025】
(実施例2)
まず、実施例2の電極a2の集電体10として、実施例1と同様の約18μmの厚みを有する圧延銅箔を準備した。この実施例2では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)12を形成する前の集電体10の表面処理として、スパッタエッチングによる自然酸化膜の除去と酸化処理とを行った。
【0026】
具体的には、電極形成装置1の基板ホルダ3に、上記した圧延銅箔からなる集電体10を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体10とECRイオン源5とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。次に、以下の表4に示すような条件下でスパッタエッチングを行った。すなわち、マイクロ波電力;330W、Ar流量;40sccm、ガス圧力;1×10―1Pa、イオン加速電圧;200Vの条件下で、2分間のスパッタエッチングを行うことによって、集電体10の表面の自然酸化膜を除去した。
【0027】
【表4】
次に、チャンバー2に流入するガスをArガスからO2ガスに切り替えた。そして、表2に示した実施例1と同様の条件で、5分間の酸化処理を行うことによって、自然酸化膜が除去された清浄な集電体10の表面上に酸化膜11を形成した。
【0028】
その後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体10とスパッタ源4とを対向させた。そして、チャンバー2に流入するガスをO2ガスからArガスに切り替えた後、スパッタ源4にRF電力を印加することによって、集電体10の表面上の酸化膜11上に約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層12を形成した。なお、活物質層12の具体的な形成条件は、表3に示した実施例1の形成条件と同様である。
【0029】
最後に、上記のように形成した活物質層12と集電体10とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、実施例2の電極a2を得た。
【0030】
(比較例1)
まず、比較例1の電極a3の集電体10として、実施例1と同様の約18μmの厚みを有する圧延銅箔を準備した。この比較例1では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)を形成する前の集電体10の表面処理を行わなかった。
【0031】
具体的には、電極形成装置1の基板ホルダ3に、上記圧延銅箔からなる集電体10を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体10とスパッタ源4とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。次に、表3に示した実施例1と同様の条件で、集電体10の表面に約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層12を形成した。
【0032】
最後に、上記のように形成した活物質層12と集電体10とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、比較例1の電極a3を得た。
【0033】
(比較例2)
まず、比較例2の電極a4の集電体10として、実施例1と同様の約18μmの厚みを有する圧延銅箔を準備した。この比較例2では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)を形成する前の集電体10の表面処理として、酸化処理は行わずに、スパッタエッチングによる自然酸化膜の除去のみを行った。
【0034】
具体的には、図1に示した電極形成装置1の基板ホルダ3に集電体10を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体10とECRイオン源5とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。次に、表4に示した実施例2と同様の条件で、2分間のスパッタエッチングを行うことによって、集電体10の表面の自然酸化膜を除去した。
【0035】
その後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体10とスパッタ源4とを対向させた。そして、スパッタ源4にRF電力を印加することによって、集電体10の表面上に約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層12を形成した。なお、活物質層12の具体的な形成条件は、表3に示した実施例1の形成条件と同様である。
【0036】
最後に、上記のように形成した活物質層12と集電体10とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、比較例2の電極a4を得た。
【0037】
(実施例3)
まず、実施例3の電極b1の集電体20として、表面に凹凸形状を有するとともに、約26μmの厚みを有する粗面化圧延銅箔を準備した。この粗面化圧延銅箔は、電解法を用いて表面に銅を析出させることによって作製した。なお、この実施例3では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)を形成する前の集電体20の表面処理として、酸化処理のみを行った。
【0038】
具体的には、図1に示した電極形成装置1の基板ホルダ3に、粗面化圧延銅箔からなる集電体20を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体20とECRイオン源5とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。次に、表2に示した実施例1と同様の条件で、5分間の酸化処理を行うことによって、図3に示すように、集電体20の表面に酸化膜21を形成した。
【0039】
その後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体20とスパッタ源4とを対向させた。そして、チャンバー2に流入するガスをO2ガスからArガスに切り替えた後、スパッタ源4にRF電力を印加することによって、集電体20の表面上の酸化膜21上に約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層22(図3参照)を形成した。この活物質層22の具体的な形成条件は、表3に示した実施例1の形成条件と同様である。
【0040】
最後に、上記のように形成した活物質層22と集電体20とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、実施例3の電極b1を得た。
【0041】
(実施例4)
まず、実施例4の電極b2の集電体20として、上記実施例3と同様、表面に凹凸形状を有するとともに、約26μmの厚みを有する粗面化圧延銅箔を準備した。なお、この実施例4では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)を形成する前の集電体20の表面処理として、スパッタエッチングによる自然酸化膜の除去と酸化処理とを行った。
【0042】
具体的には、図1に示した電極形成装置1の基板ホルダ3に集電体20を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体20とECRイオン源5とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。次に、表4に示した実施例2と同様の条件で、2分間のスパッタエッチングを行うことによって、集電体20の表面の自然酸化膜を除去した。
【0043】
次に、チャンバー2に流入するガスをArガスからO2ガスに切り替えた。そして、表2に示した実施例1と同様の条件で、5分間の酸化処理を行うことによって、自然酸化膜が除去された集電体20の表面上に酸化膜21を形成した。
【0044】
その後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体20とスパッタ源4とを対向させた。そして、チャンバー2に流入するガスをO2ガスからArガスに切り替えた後、スパッタ源4にRF電力を印加することによって、集電体20の表面上の酸化膜21上に、約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層22を形成した。この活物質層22の具体的な形成条件は、表3に示した実施例1の形成条件と同様である。
【0045】
最後に、上記のように形成した活物質層22と集電体20とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、実施例4の電極b2を得た。
【0046】
(比較例3)
まず、比較例3の電極b3の集電体20として、実施例3と同様、表面に凹凸形状を有するとともに、約26μmの厚みを有する粗面化圧延銅箔を準備した。なお、この比較例3では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)を形成する前の集電体20の表面処理を行わなかった。
【0047】
具体的には、図1に示した電極形成装置1の基板ホルダ3に集電体20を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体20とスパッタ源4とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。次に、表3に示した実施例1と同様の条件で、集電体20の表面上に、約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層22を形成した。
【0048】
最後に、上記のように形成した活物質層22と集電体20とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、比較例3の電極b3を得た。
【0049】
(比較例4)
まず、比較例4の電極b4の集電体20として、実施例3と同様、表面に凹凸形状を有するとともに、約26μmの厚みを有する粗面化圧延銅箔を準備した。なお、比較例4では、上記表1に示したように、活物質層(Si薄膜層)を形成する前の集電体20の表面処理として、酸化処理を行わずに、スパッタエッチングによる自然酸化膜の除去のみを行った。
【0050】
具体的には、図1に示した電極形成装置1の基板ホルダ3に集電体20を固定した後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体20とECRイオン源5とを対向させた。そして、ロータリーポンプ7とターボ分子ポンプ8とを用いて、チャンバー2を1×10―4Paまで真空排気した。次に、表4に示した実施例2と同様の条件で、2分間のスパッタエッチングを行うことによって、集電体20の表面の自然酸化膜を除去した。
【0051】
その後、基板ホルダ3を回転することによって、集電体20とスパッタ源4とを対向させた。そして、スパッタ源4にRF電力を印加することによって、集電体20の表面上に、約2μmの厚みを有するSi薄膜層からなる活物質層22を形成した。この活物質層22の具体的な形成条件は、表3に示した実施例1の形成条件と同様である。
【0052】
最後に、上記のように形成した活物質層22と集電体20とを2cm×2cmの大きさに切断することによって、比較例4の電極b4を得た。
【0053】
[単極の試験セルによる充放電特性の評価]
上記実施例1〜4および比較例1〜4で得られた電極a1〜a4、b1〜b4の充放電特性を評価するために、電極a1〜a4、b1〜b4を作用極として用い、対極および参照極に金属リチウムを用いた単極の試験セルを作製した。電解液としては、エチレンカーボネートとジエチルカーボネートとの等体積混合溶媒に、LiPF6を1モル/リットル溶解したものを用いた。なお、この単極の試験セルでは、作用極の還元を充電とし、酸化を放電としている。
【0054】
上記のようにして作製した電極a1〜a4、b1〜b4に対応するそれぞれの試験セルについて、充放電サイクル特性試験を行った。充放電の条件は、25℃の温度条件下で、2mAの定電流を用いて、参照極を基準電位とする対極の電位が0Vになるまで充電し、その後、対極の電位が2Vになるまで放電を行った。これを1サイクルの充放電として、10サイクル目までの充放電を行った。この実験においては、初期放電容量と初期充放電効率と10サイクル目における容量維持率とを測定した。この10サイクル目の容量維持率は、初期放電容量に対する10サイクル目の放電容量の比率であり、以下の式で定義される。
【0055】
10サイクル目容量維持率(%)=(10サイクル目の放電容量/初期放電容量)×100
このようにして測定された電極a1〜a4を用いた試験セルでの実験結果を以下の表5に、電極b1〜b4を用いた試験セルでの実験結果を以下の表6に示す。
【0056】
【表5】
【0057】
【表6】
上記表5および表6を参照して、活物質層の形成前に酸化処理を行った実施例1〜4による電極a1、a2、b1およびb2の方が、酸化処理を行わなかった比較例1〜4による電極a3、a4、b3およびb4よりも初期放電容量が増加していることがわかる。これは、以下の理由による。すなわち、酸化処理により集電体表面に形成される酸化膜によって、集電体とSiとの反応による化合物の生成が抑制される。これにより、集電体とSiとの反応による化合物に起因して充放電が行われなくなる現象を抑制することができる。このため、酸化処理により充放電容量が増加する。
【0058】
また、比較例2および4による電極a4およびb4のように、酸化処理を行わないでスパッタエッチングのみを行った場合には、それぞれの集電体において最も小さい初期放電容量となった。これは、スパッタエッチングにより自然酸化膜が除去されるので、集電体と活物質層との界面における反応が非常に激しく起こるからである。しかし、実施例2および4による電極a2およびb2のように、スパッタエッチング後に酸化処理を行った場合には、初期放電容量が大きく増加することがわかった。これは、酸化処理による酸化膜によって、集電体と活物質層との界面における反応が抑制されるからである。
【0059】
また、集電体として凹凸形状の表面を有する粗面化圧延銅箔を用いた実施例3および4による電極b1およびb2の方が、凹凸形状の表面を有しない圧延銅箔を用いた実施例1および2による電極a1およびa2よりも高い容量維持率が得られることが判明した。これは、以下の2つの理由によると考えられる。まず、第1の理由としては、図3に示すように、表面に凹凸形状を有する粗面化圧延銅箔からなる集電体20上に酸化膜21および活物質層(Si薄膜層)22を形成した場合、集電体20表面の凹凸形状によって、集電体20上に形成される活物質層22の表面も凹凸形状に形成される。これにより、界面での表面積が増加するので密着性が向上する。その結果、活物質層22が集電体20から剥離するのが防止されるので、高い容量維持率を得ることが可能となる。また、第2の理由としては、図3および図4に示すように、充放電の際に、活物質層22がリチウムを吸蔵・放出することにより膨張・収縮を繰り返す。これにより、活物質層22の凹凸形状の凹部23aに応力が集中し、その結果、溝部23が生じる。この溝部23によって、充放電時の活物質層22の膨張・収縮に起因して発生する応力が緩和される。その結果、活物質層22が集電体20から剥離するのが防止されることによって、高い容量維持率を得ることができる。なお、この点については、本出願人による国際公開WO01/29918号公報において詳細に開示されている。
【0060】
上記したように、本発明では、活物質層の形成前に酸化処理を行うことによって、初期放電容量を増加させることができた。また、集電体表面の酸化の度合いのばらつきの大きい自然酸化膜をスパッタエッチングにより除去した後、酸化処理により集電体表面に均一な酸化膜を形成することによって、均一な酸化膜を再現性よく形成することができるので、集電体成分の活物質層への拡散度合いを均一かつ適切に制御することができる。その結果、量産に適した製造方法を提供することができる。
【0061】
なお、今回開示された実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【0062】
たとえば、上記実施例では、集電体を酸素原子を含むガスの放電に晒すことにより酸化処理を行うことによって酸化膜を形成したが、本発明はこれに限らず、他の方法による酸化処理を用いて酸化膜を形成してもよい。たとえば、酸化剤としての働きを有する液体または気体に集電体を晒すなどの方法によって酸化膜を形成してもよい。
【0063】
また、上記実施例では、活物質層としてSiを用いたが、本発明はこれに限らず、他の材料であってもよい。たとえば、SiおよびGeの少なくともいずれかを含む活物質層であってもよい。特に、Cuからなる集電体上に、SiおよびGeの少なくともいずれかを含む活物質層を形成する場合に本発明は有効である。
【0064】
また、上記実施例では、原料を気相中に放出して供給する方法の一例として、スパッタ法を用いて活物質層を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、蒸着法やCVD法などの他の原料を気相中に放出して供給する方法を用いても同様の効果を得ることができる。
【0065】
また、上記実施例では、Cuからなる集電体を用いたが、本発明はこれに限らず、他の材料からなる集電体であってもよい。
【0066】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、充放電容量が大きく、かつ、良好な充放電サイクル特性を有するリチウム二次電池を形成することが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例で用いた電極形成装置の全体構成を示した概略図である。
【図2】本発明の実施例1および2によるリチウム二次電池用電極の製造方法の概略を説明するための断面図である。
【図3】本発明の実施例3および4によるリチウム二次電池用電極の製造方法の概略を説明するための断面図である。
【図4】図3に示した電極の充放電を複数回行った後の断面図である。
【符号の説明】
1 電極形成装置
10、20 集電体
11、21 酸化膜(自然酸化膜以外の酸化膜)
12、22 活物質層
Claims (3)
- Cuからなる集電体の表面を酸化処理することによって、自然酸化膜以外の酸化膜を形成する工程と、
その後、原料を気相中に放出して供給する方法を用いて、前記集電体上に、SiおよびGeの少なくともいずれかを含む活物質層を形成する工程とを備え、
前記酸化処理する工程と、前記活物質層を形成する工程とを、前記集電体の表面を大気に晒すことなく連続して行う、リチウム二次電池用電極の製造方法。 - 前記酸化処理する工程に先立って、前記集電体の表面をスパッタエッチングすることによって、前記集電体の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程をさらに備え、
前記スパッタエッチングする工程と、前記酸化処理する工程とを、前記集電体の表面を大気に晒すことなく連続して行う、請求項1に記載のリチウム二次電池用電極の製造方法。 - 前記集電体の表面は、凹凸形状を有する、請求項1または2に記載のリチウム二次電池用電極の製造方法。
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