JP3738937B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関するものであり、特に高周波で動作する半導体素子を搭載するパッケージに用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置のパッケージの小型化と接続端子数の増加とにより、接続端子の間隔が狭くなり、集積回路チップなどの半導体装置を配線基板の入出力端子電極上に直接実装することにより、実装面積を小さくして効率化を図ろうとする方法が実施されている。特に半導体チップを配線基板にフェイスダウン状態でフリップチップ実装する方法は、半導体チップと配線基板との電気的接続が一括して行えること及び接続後の機械的強度が強いことから有効な方法であるとされている。本方法は、フェイスダウン状態で半導体チップをフリップチップ実装する配線基板は半導体チップのパッドピッチと同じピッチの微細パターンを形成しなければならない。以下、この実装法について説明する。
【0003】
図8は従来の半導体装置の断面図である。図8を参照しながら、本半導体装置の実装法について説明する。半導体チップ103の電極パッド108の上にワイヤボンディング法又はめっき法によってバンプ電極105が形成する。次に、このバンプ電極105を、導電性接着剤109を介して配線基板104の入出力端子電極110に接続する。バンプ電極105に導電性接着剤109を転写した後、配線基板104の入出力端子電極110に導電性接着剤109が当接するように位置あわせを行い、導電性接着剤109を硬化させることにより、半導体チップ103と配線基板104との電気的接続が実現されている。さらに、接続を補強するために、半導体チップ103と配線基板104で形成される空間を封止樹脂107で封止し、封止樹脂107を硬化させる。以上により、図8に示す半導体装置が得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
現在のコンピュータの高速化により、半導体チップが高周波数で動作すると半導体チップのパッケージ内を高速で信号を伝送させる必要がある。このため、信号配線を伝送線路として捉えて設計しなければならない。セラミックや樹脂のような誘電体を材料とした配線基板の配線は伝送線路として扱い、等価的に特性インピーダンスを持つ伝送線路で表すことができる。伝送線路ではインピーダンスのミスマッチが存在する地点で信号の反射が生じ、インピーダンスのミスマッチによる信号の反射ノイズが発生する。そのため信号線の特性インピーダンスを制御する必要がある。配線基板の特性インピーダンスは構造寸法により決定し、単純には配線基板の配線幅、配線厚み、層間絶縁厚み、絶縁層の誘電率などに依存する。
【0005】
図9は導体線路幅w、層間絶縁厚さh、層間絶縁層の比誘電率εrを持つマイクロストリップ線路構造の特性インピーダンスを表す。従来のフリップチップ実装用配線基板において、半導体チップ実装面における配線の特性インピーダンスを一般的な特性インピーダンス50Ωに整合させるためには、比誘電率が4.4絶縁厚みが100μmの樹脂基板を用いた場合配線幅を約190μmにしなければならない。即ち系の特性インピーダンスが50Ωの場合、入出力パッドピッチが190μmの半導体チップを比誘電率が4.4、絶縁厚みが100μmの樹脂基板にインピーダンスを整合させて実装することは不可能である。
【0006】
一方、近年のコンピュータの高速化に加えて、入出力端子数の増加の一途をたどっている。端子数の増大はチップサイズの増大を招く。このような問題を回避するため半導体チップの入出力パッドのピッチが減少し、それに対応した配線基板が求められている。
【0007】
本発明は、従来の半導体装置においてインピーダンスを整合させて実装することが不可能であるという課題を考慮し、半導体装置内に設置される配線基板の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを制御することができる半導体装置を提供することを目的とするものである。さらに、インダクタンス成分のないデカップリングコンデンサを装置内に形成でき、高周波領域における装置の電気特性を向上することができる半導体装置を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、フリップチップ実装する半導体チップと配線基板との間に形成される空間に配線基板と対向して導体層を形成し、さらに導体層は半導体装置の電源又はグランドに電気的に接続することを特徴とする。前記導体層の形成により配線基板に形成される最表層のパターンとの容量が増加するため、配線基板の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを下げることができる。つまり前記導体層と前記配線基板との距離を制御することにより配線基板の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを制御することができ、ファインピッチに対応した配線基板を実現できる。さらに、それぞれが接地用及び電源用端子に接続された2つの導体層を絶縁層を介して対向して設置することにより電源端子や接地端子に発生するノイズを低減し電気特性を向上することができる。
【0009】
すなわち、請求項1の本発明は、少なくとも片面に配線層と複数の入出力パッドを有する配線基板と、前記各入出力パッド毎に対向して配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記入出力パッドとそれに対向する前記電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の突起状電極と、前記半導体素子と前記配線基板との互いに対向する面間に、少なくとも前記半導体素子の前記対向する面と片面が実質的に対向するように配置された導体層と、前記互いに対向する面によって形成される空間に充填された絶縁体とを備え、前記導体層および前記絶縁体は、前記突起状電極付近を除き、前記配線基板の少なくとも前記片面の配線層全てを覆うように配置されていることを特徴とする半導体装置である。
【0010】
請求項2の本発明は、前記絶縁体は、一体形成された絶縁性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置である。
【0011】
請求項3の本発明は、前記絶縁体は、前記電極パッドを除いた前記半導体素子の前記電極パッドが形成されている面に接して形成された誘電体層と、前記空間の他の部分に実質的に充填された絶縁性樹脂とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置である。
【0012】
請求項4の本発明は、前記導体層は、一層であり、接地用または電源用いずれか一方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置である。
【0013】
請求項5の本発明は、前記導体層は、二層であり、第一の導体層は、接地用または電源用いずれか一方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続され、前記第二の導体層は、他方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続されており、前記第一の導体層と前記第二の導体層とは、電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置である。
【0014】
請求項6の本発明は、前記第一の導体層と前記第二の導体層との間に形成された絶縁層の比誘電率は、前記配線基板の比誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置である。
【0015】
請求項7の本発明は、前記絶縁層は、強誘電体から成ることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置である。
【0016】
請求項8の本発明は、前記絶縁層は、前記絶縁性樹脂または前記誘電体層と一体形成されていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置である。
【0017】
請求項9の本発明は、前記一層の導体層、もしくは、前記第一の導体層および前記第二の導体層は、前記絶縁性樹脂内、前記誘電体層内、または、前記絶縁性樹脂と前記誘電体層との境界のいずれかに形成されており、前記絶縁性樹脂および/または前記誘電体層によって、前記半導体素子の表面および前記配線基板の表面と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項4〜8のいずれかに記載の半導体装置である。
【0018】
請求項10の本発明は、前記一層の導体層、もしくは、前記第一の導体層および前記第二の導体層と、前記入出力パッドおよび前記電極パッドとの前記電気的接続は、前記突起状電極を介して行われていることを特徴とする請求項4〜9のいずれかに記載の半導体装置である。
【0019】
請求項11の本発明は、前記導体層は、前記突起状電極付近を除き、前記半導体素子の前記電極パッドが形成されている面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置である。
【0021】
請求項12の本発明は、少なくとも片面に配線層と複数の入出力パッドを有する配線基板と、前記各入出力パッド毎に対向して配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記入出力パッドとそれに対向する前記電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の突起状電極と、前記半導体素子と前記配線基板との互いに対向する面間に、少なくとも前記半導体素子の前記対向する面と片面が実質的に対向するように配置された導体層と、前記互いに対向する面によって形成される空間に充填された絶縁体とを備え、前記配線基板1つに対し、前記半導体素子、前記導体層および前記絶縁体を複数組備えることを特徴とする半導体装置である。
【0022】
請求項13の本発明は、前記複数組のうちの少なくとも一つの、前記導体層と前記配線基板の前記片面との間の距離が、他の少なくとも一つの前記距離と異なることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置である。
請求項14の本発明は、少なくとも片面に配線層と複数の入出力パッドを有する配線基板と、前記各入出力パッド毎に対向して配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記入出力パッドとそれに対向する前記電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の突起状電極と、前記半導体素子と前記配線基板との互いに対向する面間に、少なくとも前記半導体素子の前記対向する面と片面が実質的に対向するように配置された導体層と、前記互いに対向する面によって形成される空間に充填された絶縁体とを備え、前記導体層は、二層であり、第一の導体層は、接地用または電源用いずれか一方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続され、前記第二の導体層は、他方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続されており、前記第一の導体層と前記第二の導体層とは、電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体装置である。
請求項15の本発明は、前記第一の導体層と前記第二の導体層との間に形成された絶縁層の比誘電率は、前記配線基板の比誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置である。
請求項16の本発明は、前記絶縁層は、強誘電体から成ることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置である。
請求項17の本発明は、前記絶縁層は、前記絶縁性樹脂または前記誘電体層と一体形成されていることを特徴とする請求項14または15に記載の半導体装置である。
請求項18の本発明は、前記第一の導体層および前記第二の導体層は、前記絶縁性樹脂内、前記誘電体層内、または、前記絶縁性樹脂と前記誘電体層との境界のいずれかに形成されており、前記絶縁性樹脂および/または前記誘電体層によって、前記半導体素子の表面および前記配線基板の表面と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項14〜17のいずれかに記載の半導体装置である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0024】
(第1の実施の形態)
まず、本発明の第1の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0025】
図1は、本発明の第1の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図である。図1において、電極パッド108が形成されている半導体チップ103が、フェイスダウン状態で、入出力パッド110を有する配線基板104と対向して配置され、電極パッド108は、バンプ電極105およびバンプ電極105と入出力パッド110との間の異方性導電材102を介して、入出力パッド110と電気的に接続されている。半導体チップ103および配線基板104の互いに対向する面間に、導体層101が配置されており、異方性導電材102は、導体層101を被い、前記互いに対向する面によって形成される空間に充填されている。また、導体層101は、電極パッド108および入出力パッド110の、接地用もしくは電源用の入出力端子と電気的に接続されている。
【0026】
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する。
【0027】
まず、電極パッド108が形成されている半導体チップ103を用意し、電極パッド108上にバンプ電極105を形成する。この半導体チップ103を、フェイスダウン状態で、バンプ電極105が配線基板104の入出力パッド110に対向するように位置あわせを行う。次に、半導体チップ103上の電極パッド108、および、配線基板104の入出力パッド110に対応した位置を除いて、導体層101が内層に形成された異方性導電材102を介して、半導体チップ103を配線基板104の上に積載する。ただし、このとき、導体層101を接地用もしくは電源用の入出力端子と電気的に接続する必要があるので、導体層101は、接続される入出力端子に対応する電極パッド108および入出力パッド110付近には形成されていてもよい。この状態で異方性導電材102を硬化させれば、半導体チップ103と配線基板104との電気的接続が実現される。
【0028】
ここで、半導体チップ103を配線基板104に積載する前においては、異方性導電材102は、実装された状態での半導体チップ103と配線基板104との間隔以上の厚みを有している。このため、上記製造方法の結果、異方性導電材102は、半導体チップ103と配線基板104との間に充填された状態となる。
【0029】
本実施の形態においては、導体層101の形成と接地用あるいは電源用入出力端子への接続により、導体層101は電源用あるいは接地用のベタパターンとして形成することができ、配線基板104に形成される最表層のパターンとの容量が増加するため、配線基板104の最表層に形成される配線の、特にファインピッチが要求されるところの、半導体チップ103と対向する領域において、特性インピーダンスを下げることができる。つまり、導体層101と配線基板104との距離を制御することにより、配線基板104の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを制御することができるものである。
【0030】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態が上述した第1の実施の形態と異なる点は、本発明の導電層および絶縁体に関する点である。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第1の実施の形態と同じとする。
【0031】
図2は、本発明の第2の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略部分断面図である。図2は半導体装置の一部分における複数の電気的接続点のうちの一つを示している。図2において、電極パッド108が形成されている半導体チップ103が、フェイスダウン状態で、入出力パッド110を有する配線基板104と対向して配置され、電極パッド108は、バンプ電極105およびバンプ電極105と入出力パッド110との間の導電性接着剤109を介して、入出力パッド110と電気的に接続されている。また、半導体チップ103上には、誘電体層106によって電極パッド108と電気的に絶縁され、かつ電極パッド108を除く半導体チップ103表面を覆うように導体層101が形成されている。ただし、導体層101は、電極パッド108および入出力パッド110のうちの、接地用もしくは電源用の入出力端子と電気的に接続されているので、接続される入出力端子に対応する電極パッド108のみには、電気的に絶縁されていない。半導体チップ103および配線基板104の互いに対向する面によって形成される空間には、封止樹脂107が充填されている。
【0032】
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する。
【0033】
まず、電極パッド108が形成されている半導体チップ103を用意し、二酸化珪素などの絶縁膜から成る誘電体層106を、スパッタリング法やCVD法等により、電極パッド108のバンプ電極105が接着される部分およびその周囲を除いて、半導体チップ103の片面全面に形成する。つぎに、誘電体層106上に電極パッド108を覆うようにレジストパターンを形成し、金属膜をスパッタ法などにより成膜後、リフトオフ法により、導体層101を電極パッド108を除いた領域に形成する。この導体層101の上面を覆うように、再び、スパッタリング法やCVD法等により、誘電体層106を形成する。つぎに、バンプ電極105をボールボンドなどやめっきなどにより形成し、半導体チップ上に形成されたバンプ電極105の先端部に接合層としての導電性接着剤109を転写法や印刷法によって塗布する。ついで、上記のようにして製造された半導体チップ103を、フェイスダウン状態で、バンプ電極105が配線基板104の入出力パッド110に対向するように、位置あわせを行い、半導体チップ103を配線基板104の上に載置する。この状態で、導電性接着剤109を硬化させれば、半導体チップ103と配線基板104との電気的接続が実現される。次に、接合層を囲むようにして封止樹脂107を封入し、封止樹脂107を硬化させる。これにより半導体チップ103と配線基板104との間隙とが封止樹脂107によって充填され、機械的に補強された半導体装置が得られる。
【0034】
この場合、導体層101は、半導体チップの電極パッド108のうち接地用または電源用電極パッドと電気的に接続され、電源用あるいは接地用のベタパターンを形成している。
【0035】
本実施の形態においては、導体層101を半導体チップ103の最表層に設けることにより、半導体装置の製造プロセスを簡略化し配線基板104の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを下げることができる。なお、半導体チップ103と配線基板104の間隙を制御することで配線基板104の最表層の配線の特性インピーダンスを制御することができるものである。
【0036】
なお、本実施の形態においては、導体層の劣化を防ぐ目的で、導体層101は、半導体チップ103の表面と反対側の面も、誘電体層106で覆われているとして説明したが、導体層の劣化を防ぐ必要性が低い場合は、前記反対側の面に形成された誘電体層106を省略して、導体層101が直接封止樹脂107と接する様な構成としてもよい。
【0037】
また、本実施の形態においては、半導体チップ103と配線基板104との接続に導電性接着剤109を用いた方法を示したが、バンプ電極105として半田を用いた接続法や異方性導電材を用いた接続法を用いた場合においても、同様の効果が得られる。
【0038】
(第3の実施の形態)
次に、本発明の第3の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態が上述した第1の実施の形態と異なる点は、本発明の導電層および絶縁体が形成されている範囲に関する点である。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第1の実施の形態と同じとする。
【0039】
図3は、本発明の第3の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図である。図3に示すように、本実施の形態における半導体装置が、第1の実施の形態における半導体装置と異なるのは、半導体チップ103より配線基板104のほうが広く、配線基板104上に形成されている配線113全てを覆うように、導体層101および異方性導電材102が形成されていることである。
【0040】
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、上記に関する点以外は、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法と同様である。
【0041】
本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、導体層101の形成と接地用あるいは電源用入出力端子への接続により、導体層101は接地用あるいは電源用のベタパターンとして形成することができ、配線基板104に形成される最表層のパターンとの容量が増加するため、配線基板104の最表層に形成される全ての配線113の特性インピーダンスを下げることができる。つまり、導体層101と配線基板104との距離を制御することにより配線基板104の最表層に形成される配線113の特性インピーダンスを制御することができるものである。
【0042】
(第4の実施の形態)
次に、本発明の第4の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態が上述した第1の実施の形態と異なる点は、本発明の半導体素子の数に関する点である。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第1の実施の形態と同じとする。
【0043】
図4は、本発明の第4の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図である。図4に示すように、本実施の形態における半導体装置が、第1の実施の形態における半導体装置と異なるのは、一つの配線基板104に対し、半導体チップ103、導体層101および異方性導電材102が、それぞれ2組備えられていることである。ただし、導体層101の上下方向の形成位置は、各組で異なっている。
【0044】
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、上記に関する点以外は、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法と同様である。
【0045】
以上のように、本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、導体層101の形成と接地用あるいは電源用入出力端子への接続により、導体層101は接地用あるいは電源用のベタパターンとして形成することができ、配線基板104に形成される最表層のパターンとの容量が増加するため、配線基板104の最表層に形成される配線の、特にファインピッチが要求されるところの、半導体チップ103と対向する領域において、特性インピーダンスを下げることができる。つまり、導体層101と配線基板104との距離を制御することにより配線基板104の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを制御することができるものである。
【0046】
さらに、各半導体チップ103と配線基板104との間隙に形成された導体層101と配線基板104との距離を制御することにより各半導体チップ103の入出力インピーダンスに整合した特性インピーダンスを持つ配線基板104の最表層の配線を形成することが可能となる。
【0047】
なお、本実施の形態においては、導体層101の上下方向の形成位置は、各組で異なっているとして説明したが、同じであるとしてもよい。
【0048】
また、本実施の形態においては、一つの配線基板104に対し、半導体チップ103、導体層101および異方性導電材102が、それぞれ2組備えられているとして説明したが、3組以上であってもよい。
【0049】
(第5の実施の形態)
次に、本発明の第5の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態が上述した第1の実施の形態と異なる点は、本発明の導電層および絶縁体に関する点である。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第1の実施の形態と同じとする。
【0050】
図5は、本発明の第5の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略部分断面図である。図5は半導体装置の一部分における複数の電気的接続点のうちの一つを示している。図5に示すように、本実施の形態における半導体装置が、第1の実施の形態における半導体装置と異なるのは、第1の実施の形態における半導体装置が備えている導体層と同じ導体層であるところの第2の導体層112に加えて、別の導体層であって、第2の実施の形態における半導体装置が備えている導体層と同じ導体層であるところの第1の導体層111と、同じく第2の実施の形態における半導体装置が備えている誘電体層と同じ誘電体層であるところの誘電体層106とが備えられていることである。ここで、第1の導体層111は接地用または電源用端子の一方に接続されており、第2の導体層112は他方にに接続されている。
【0051】
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、電極パッド108上にバンプ電極105を形成する前に、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法において説明したのと同じ方法で、第1の導体層111および誘電体層106を形成する点以外は、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法と同様である。ただし、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法において、導体層101は、第2の導体層112に読み替える必要がある。
【0052】
本実施の形態においては、第1の導体層111および第2の導体層112が、それぞれ電源用あるいは接地用端子のうちどちらか一方に接続されていることにより、それぞれ接地用あるいは電源用のベタパターンを形成することができる。これによって、配線基板104に形成される最表層のパターンとの容量が増加するため、配線基板104の最表層に形成される配線の、特にファインピッチが要求されるところの、半導体チップ103と対向する領域において特性インピーダンスを下げることができる。つまり、第2の導体層112と配線基板104との距離、もしくは、半導体チップ103と配線基板104との距離を制御することにより、配線基板104の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを制御することができるものである。
【0053】
さらに、接地用あるいは電源用端子に接続された第1の導体層111と、電源用あるいは接地用端子のうち第1の導体層が接続されていない接地用あるいは電源用端子に接続された第2の導体層112とが、絶縁用異方導電材を介し対向して設置されていることにより、第1の導体層111と第2の導体層112との間に電気的容量が発生するため、デカップリングコンデンサを形成することができる。これにより、装置全体の電気特性を向上できるとともに、前記デカップリングコンデンサが、半導体チップ103の直下に設置できるので、前記デカップリングコンデンサを、半導体チップ103と配線基板104を電気的に接続するバンプ電極105のインダクタンス成分のみが含まれたデカップリングコンデンサとして形成することができる。
【0054】
なお、本実施の形態においても、第2の実施の形態と同様に、導体層の劣化を防ぐ目的で、第1の導体層111は、半導体チップ103の表面と反対側の面も、誘電体層106で覆われているとして説明したが、導体層の劣化を防ぐ必要性が低い場合は、前記反対側の面に形成された誘電体層106を省略して、導体層101が直接異方性導電材102と接する様な構成としてもよい。
【0055】
(第6の実施の形態)
次に、本発明の第6の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態が上述した第1の実施の形態と異なる点は、本発明の導電層に関する点である。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第1の実施の形態と同じとする。
【0056】
図6は、本発明の第6の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図である。図6に示すように、本実施の形態における半導体装置が、第1の実施の形態における半導体装置と異なるのは、異方性導電材102中に形成されている導体層が、一層ではなく、第1の導体層111および第2の導体層112の二層であることである。また、第1の導体層111および第2の導体層112は、異方性導電材102を介して配置されることによって、互いに電気的に絶縁されている。ここで、第1の導体層111は接地用または電源用端子の一方に接続されており、第2の導体層112は他方にに接続されている。
【0057】
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、上記に関する点以外は、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法と同様である。ただし、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法において、導体層101は、第1の導体層111および第2の導体層112に読み替える必要がある。
【0058】
本実施の形態においては、第1の導体層111および第2の導体層112が、それぞれ電源用あるいは接地用端子のうちどちらか一方に接続されていることにより、それぞれ接地用あるいは電源用のベタパターンを形成することができる。これによって、配線基板104に形成される最表層のパターンとの容量が増加するため、配線基板104の最表層に形成される配線の、特にファインピッチが要求されるところの、半導体チップ103と対向する領域において特性インピーダンスを下げることができる。つまり、第1の導体層111および/または第2の導体層112と配線基板104との距離を制御することにより、配線基板104の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを制御することができるものである。
【0059】
さらに、接地用あるいは電源用端子に接続された第1の導体層111と、電源用あるいは接地用端子のうち第1の導体層が接続されていない接地用あるいは電源用端子に接続された第2の導体層112とが、絶縁用異方導電材を介し対向して設置されていることにより、第1の導体層111と第2の導体層112との間に電気的容量が発生するため、デカップリングコンデンサを形成することができる。これにより、装置全体の電気特性を向上できるとともに、前記デカップリングコンデンサが、半導体チップ103の直下に設置できるので、前記デカップリングコンデンサを、半導体チップ103と配線基板104を電気的に接続するバンプ電極105のインダクタンス成分のみが含まれたデカップリングコンデンサとして形成することができる。
【0060】
また、本実施の形態においては、半導体チップ103と配線基板104との接続に、異なる端子に接続する第1の導体層111と第2の導体層112とが形成された異方性導電材102を用いるため、半導体チップ103と配線基板104との電気的接続と、デカップリングコンデンサの形成とを、一括して行うことができる。
【0061】
(第7の実施の形態)
最後に、本発明の第7の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態が上述した第2の実施の形態と異なる点は、本発明の導電層に関する点である。したがって、本実施の形態において、第2の実施の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第2の実施の形態と同じとする。
【0062】
図7は、本発明の第7の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略部分断面図である。図7は半導体装置の一部分における複数の電気的接続点のうちの一つを示している。図7に示すように、本実施の形態における半導体装置が、第2の実施の形態における半導体装置と異なるのは、誘電体層106中に形成されている導体層が、一層ではなく、第1の導体層111および第2の導体層112の二層であることである。また、第1の導体層111および第2の導体層112は、誘電体層106を介して配置されることによって、互いに電気的に絶縁されている。ここで、第1の導体層111は接地用または電源用端子の一方に接続されており、第2の導体層112は他方にに接続されている。
【0063】
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、誘電体層106上に導体層101を形成し、その上に再び誘電体層106を形成する替わりに、誘電体層106上に、金属膜をスパッタ法などにより成膜後、リフトオフ法により、第1の導体層111を形成した後に、この第1の導体層111の上面を覆うように、スパッタリング法やCVD法等により、誘電体層106を形成し、その上に、金属膜をスパッタ法などにより成膜後、リフトオフ法により、第2の導体層112を形成し、その上に再び、スパッタリング法やCVD法等により、誘電体層106を形成する点以外は、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法と同様である。
【0064】
本実施の形態においては、第1の導体層111および第2の導体層112を半導体チップ103の最表層に設けることにより、半導体装置の製造プロセスを簡略化し配線基板104の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを下げることができる。なお、半導体チップ103と配線基板104の間隙を制御することで配線基板104の最表層の配線の特性インピーダンスを制御することができるものである。
【0065】
なお、本実施の形態においては、導体層の劣化を防ぐ目的で、第2の導体層112は、半導体チップ103の表面と反対側の面も、誘電体層106で覆われているとして説明したが、導体層の劣化を防ぐ必要性が低い場合は、前記反対側の面に形成された誘電体層106を省略して、第2の導体層112が直接封止樹脂107と接する様な構成としてもよい。
【0066】
また、本実施の形態においては、半導体チップ103と配線基板104との接続に導電性接着剤109を用いた方法を示したが、バンプ電極105として半田を用いた接続法や異方性導電材を用いた接続法を用いた場合においても、同様の効果が得られる。
【0067】
さらに、接地用あるいは電源用端子に接続された第1の導体層111と、電源用あるいは接地用端子のうち第1の導体層が接続されていない接地用あるいは電源用端子に接続された第2の導体層112とが、絶縁用異方導電材を介し対向して設置されていることにより、第1の導体層111と第2の導体層112との間に電気的容量が発生するため、デカップリングコンデンサを形成することができる。これにより、装置全体の電気特性を向上できるとともに、前記デカップリングコンデンサが、半導体チップ103の直下に設置できるので、前記デカップリングコンデンサを、実質的にインダクタンス成分のないデカップリングコンデンサとして形成することができる。
【0068】
また、第1の導体層111と第2の導体層112の間に形成される絶縁層はスパッタリング法やCVD法などで形成することができ、とくに配線基板104の比誘電率よりも大きな誘電率を持つ酸化珪素もしくは窒化珪素などを用いることにより容量の大きなデカップリングコンデンサが形成できる。さらに、第1の導体層111と第2の導体層112の間にチタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛等の強誘電体を形成するとさらに大容量のデカップリングコンデンサが形成でき、電気特性を向上することができる。
【0069】
上述のように本実施の形態では、半導体チップ103上に第1の導体層111と第2の導体層112が形成されているため、半導体チップ103と配線基板104の間隙に封止材を注入する全ての実装方法において実現できる。
【0070】
【発明の効果】
以上説明したところから明らかなように、請求項1の本発明は、半導体装置内に設置される配線基板の最表層に形成される配線の特性インピーダンスを制御することができる半導体装置を提供することことができる。さらに、請求項5の本発明は、請求項1の本発明の効果に加えて、インダクタンス成分のないデカップリングコンデンサを装置内に形成でき、高周波領域における装置の電気特性を向上することができる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図。
【図2】本発明の第2の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略部分断面図。
【図3】本発明の第3の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図。
【図4】本発明の第4の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図。
【図5】本発明の第5の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略部分断面図。
【図6】本発明の第6の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図。
【図7】本発明の第7の実施の形態における半導体装置の構成を示す概略断面図。
【図8】従来の半導体装置の断面図。
【図9】マイクロストリップ線路構成における誘電体層の厚さに対する線路幅の比と特性インピーダンスの関係をを示す特性図。
【符号の説明】
101 導体層
102 異方性導電材
103 半導体チップ
104 配線基板
105 バンプ電極
106 誘電体層
107 封止樹脂
108 電極パッド
109 導電性接着剤
110 入出力パッド
111 第一の導体層
112 第二の導体層
113 配線
Claims (18)
- 少なくとも片面に配線層と複数の入出力パッドを有する配線基板と、前記各入出力パッド毎に対向して配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記入出力パッドとそれに対向する前記電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の突起状電極と、前記半導体素子と前記配線基板との互いに対向する面間に、少なくとも前記半導体素子の前記対向する面と片面が実質的に対向するように配置された導体層と、前記互いに対向する面によって形成される空間に充填された絶縁体とを備え、前記導体層および前記絶縁体は、前記突起状電極付近を除き、前記配線基板の少なくとも前記片面の配線層全てを覆うように配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 前記絶縁体は、一体形成された絶縁性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記絶縁体は、前記電極パッドを除いた前記半導体素子の前記電極パッドが形成されている面に接して形成された誘電体層と、前記空間の他の部分に実質的に充填された絶縁性樹脂とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導体層は、一層であり、接地用または電源用いずれか一方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記導体層は、二層であり、第一の導体層は、接地用または電源用いずれか一方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続され、前記第二の導体層は、他方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続されており、前記第一の導体層と前記第二の導体層とは、電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第一の導体層と前記第二の導体層との間に形成された絶縁層の比誘電率は、前記配線基板の比誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層は、強誘電体から成ることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層は、前記絶縁性樹脂または前記誘電体層と一体形成されていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置。
- 前記一層の導体層、もしくは、前記第一の導体層および前記第二の導体層は、前記絶縁性樹脂内、前記誘電体層内、または、前記絶縁性樹脂と前記誘電体層との境界のいずれかに形成されており、前記絶縁性樹脂および/または前記誘電体層によって、前記半導体素子の表面および前記配線基板の表面と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項4〜8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記一層の導体層、もしくは、前記第一の導体層および前記第二の導体層と、前記入出力パッドおよび前記電極パッドとの前記電気的接続は、前記突起状電極を介して行われていることを特徴とする請求項4〜9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記導体層は、前記突起状電極付近を除き、前記半導体素子の前記電極パッドが形成されている面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置。
- 少なくとも片面に配線層と複数の入出力パッドを有する配線基板と、前記各入出力パッド毎に対向して配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記入出力パッドとそれに対向する前記電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の突起状電極と、前記半導体素子と前記配線基板との互いに対向する面間に、少なくとも前記半導体素子の前記対向する面と片面が実質的に対向するように配置された導体層と、前記互いに対向する面によって形成される空間に充填された絶縁体とを備え、前記配線基板1つに対し、前記半導体素子、前記導体層および前記絶縁体を複数組備えることを特徴とする半導体装置。
- 前記複数組のうちの少なくとも一つの、前記導体層と前記配線基板の前記片面との間の距離が、他の少なくとも一つの前記距離と異なることを特徴とする請求 項12に記載の半導体装置。
- 少なくとも片面に配線層と複数の入出力パッドを有する配線基板と、前記各入出力パッド毎に対向して配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記入出力パッドとそれに対向する前記電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の突起状電極と、前記半導体素子と前記配線基板との互いに対向する面間に、少なくとも前記半導体素子の前記対向する面と片面が実質的に対向するように配置された導体層と、前記互いに対向する面によって形成される空間に充填された絶縁体とを備え、前記導体層は、二層であり、第一の導体層は、接地用または電源用いずれか一方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続され、前記第二の導体層は、他方の前記入出力パッドおよび前記電極パッドと電気的に接続されており、前記第一の導体層と前記第二の導体層とは、電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体装置。
- 前記第一の導体層と前記第二の導体層との間に形成された絶縁層の比誘電率は、前記配線基板の比誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層は、強誘電体から成ることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層は、前記絶縁性樹脂または前記誘電体層と一体形成されていることを特徴とする請求項14または15に記載の半導体装置。
- 前記第一の導体層および前記第二の導体層は、前記絶縁性樹脂内、前記誘電体層内、または、前記絶縁性樹脂と前記誘電体層との境界のいずれかに形成されており、前記絶縁性樹脂および/または前記誘電体層によって、前記半導体素子の表面および前記配線基板の表面と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項14〜17のいずれかに記載の半導体装置。
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