JP2730408B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2730408B2 JP2730408B2 JP4161775A JP16177592A JP2730408B2 JP 2730408 B2 JP2730408 B2 JP 2730408B2 JP 4161775 A JP4161775 A JP 4161775A JP 16177592 A JP16177592 A JP 16177592A JP 2730408 B2 JP2730408 B2 JP 2730408B2
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- Japan
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- semiconductor device
- thin film
- lead
- tab
- resin film
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に半導体
素子の端子が薄膜リード、例えばＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）により外部に導出される構造を有する半導
体装置に関する。
素子の端子が薄膜リード、例えばＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）により外部に導出される構造を有する半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の端子を外部に導出す
る構造としてはリードフレーム上に半導体素子を載置
し、半導体素子上の端子とリードフレームの外部導出リ
ードとを金属細線によりボンディングするという方法が
一般的である。しかしながら、近年電子機器の小型化、
高密度実装化の要求に伴い、ＴＡＢと呼ばれる方式の半
導体装置が作られるようになっている。この構造の半導
体装置は図３に示すように、樹脂フィルム３４上に薄膜
リード３２を形成し、この薄膜リード３２と半導体素子
３１の電極がバンプ３３により直接ボンディングされて
いる。
る構造としてはリードフレーム上に半導体素子を載置
し、半導体素子上の端子とリードフレームの外部導出リ
ードとを金属細線によりボンディングするという方法が
一般的である。しかしながら、近年電子機器の小型化、
高密度実装化の要求に伴い、ＴＡＢと呼ばれる方式の半
導体装置が作られるようになっている。この構造の半導
体装置は図３に示すように、樹脂フィルム３４上に薄膜
リード３２を形成し、この薄膜リード３２と半導体素子
３１の電極がバンプ３３により直接ボンディングされて
いる。
【０００３】このような構造の半導体装置では、樹脂フ
ィルム３４上に形成する薄膜リード３２をエッチングに
より形成できるため、リード間ピッチ，配線幅などを極
めて小さくすることができるという利点がある。又、薄
膜リード３２と半導体素子３１の電極とをバンプ３３に
より直接ボンディングするため、従来のリードフレーム
構造の半導体装置を製造する際に必要であったワイヤボ
ンディングという工程が単純な熱圧着で可能になり、半
導体装置の製造コストを大幅に下げることができるとい
う利点もある。因みに、現在実用化されている半導体装
置で比較すると、リードフレーム構造の半導体装置では
リードピッチが最少0.65mmであるのに対し、ＴＡＢでは
0.1mmとなっている。
ィルム３４上に形成する薄膜リード３２をエッチングに
より形成できるため、リード間ピッチ，配線幅などを極
めて小さくすることができるという利点がある。又、薄
膜リード３２と半導体素子３１の電極とをバンプ３３に
より直接ボンディングするため、従来のリードフレーム
構造の半導体装置を製造する際に必要であったワイヤボ
ンディングという工程が単純な熱圧着で可能になり、半
導体装置の製造コストを大幅に下げることができるとい
う利点もある。因みに、現在実用化されている半導体装
置で比較すると、リードフレーム構造の半導体装置では
リードピッチが最少0.65mmであるのに対し、ＴＡＢでは
0.1mmとなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＴＡＢ構造を小型，高密度実装用の半導体装置に用
いた場合には、リードピッチが小さいためにリード間の
浮遊容量が大きくなり、高周波信号を伝達する際の損失
が大きいという問題がある。このため、ＴＡＢ構造の半
導体装置は時計，電卓等のように高周波信号の伝達特性
があまり問題にされない限られた分野に多く使用されて
いるのが現状である。一方、最近は小型液晶テレビなど
が普及してきているため、小型，高密度実装が可能であ
りながら高周波信号伝達特性の優れた半導体装置が要求
されているが、従来のＴＡＢ構造ではこの要求に応える
ことができないという問題がある。本発明の目的は、高
周波信号特性の優れたＴＡＢ構造の半導体装置を提供す
ることにある。
うなＴＡＢ構造を小型，高密度実装用の半導体装置に用
いた場合には、リードピッチが小さいためにリード間の
浮遊容量が大きくなり、高周波信号を伝達する際の損失
が大きいという問題がある。このため、ＴＡＢ構造の半
導体装置は時計，電卓等のように高周波信号の伝達特性
があまり問題にされない限られた分野に多く使用されて
いるのが現状である。一方、最近は小型液晶テレビなど
が普及してきているため、小型，高密度実装が可能であ
りながら高周波信号伝達特性の優れた半導体装置が要求
されているが、従来のＴＡＢ構造ではこの要求に応える
ことができないという問題がある。本発明の目的は、高
周波信号特性の優れたＴＡＢ構造の半導体装置を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子の
端子を外部に導出する薄膜リードが上下面共に樹脂フィ
ルムで覆われ、かつ該樹脂フィルムの薄膜リードと接し
ない表面は導電性薄膜で覆われ、さらに該導電性薄膜は
接地端子に接続されている構成とする。
端子を外部に導出する薄膜リードが上下面共に樹脂フィ
ルムで覆われ、かつ該樹脂フィルムの薄膜リードと接し
ない表面は導電性薄膜で覆われ、さらに該導電性薄膜は
接地端子に接続されている構成とする。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置の構造を
示す断面図である。同図に示すように、半導体素子１の
端子を外部に導出するためのリードが薄膜リード２で構
成されており、半導体素子とはバンプ３によりボンディ
ングされている。一方、薄膜リード２はその上下面が樹
脂フィルム４により覆われ、さらに樹脂フィルム４は薄
膜リード２と接しない面が導電薄膜５で覆われている。
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置の構造を
示す断面図である。同図に示すように、半導体素子１の
端子を外部に導出するためのリードが薄膜リード２で構
成されており、半導体素子とはバンプ３によりボンディ
ングされている。一方、薄膜リード２はその上下面が樹
脂フィルム４により覆われ、さらに樹脂フィルム４は薄
膜リード２と接しない面が導電薄膜５で覆われている。
【０００７】このような構造のＴＡＢにおいては、導電
性薄膜５を接地することにより高周波信号の伝達特性を
改善することが可能となる。高周波信号の損失を小さく
するためにはＴＡＢのインピーダンスを外部回路のイン
ピーダンスと整合させる必要がある。ＴＡＢのインピー
ダンスは薄膜リード２の配線幅Ｗと樹脂フィルム４の厚
さｈとの比、及び樹脂フィルム４の比誘電率εｒにより
決まる。ＴＡＢに多く使用される樹脂フィルム材質はポ
リイミドであるが、ポリイミドのεｒは概ね 2.5〜 3.5
程度であり、これを用いてインピーダンスを50Ωとする
ためには、ほぼＷ／ｈ＝１〜 1.3とすればよい。したが
って、ここでの半導体装置に用いるＴＡＢの薄膜リード
の配線幅は樹脂フィルムの厚さと同程度で良いことにな
り、従来のＴＡＢと全く同等の高密度対応が可能であ
る。因みに、現在ＴＡＢに用いられる樹脂フィルムの厚
さは75μｍ程度であることから従来のＴＡＢの配線幅
0.1mmと同等の配線幅でインピーダンスを合わせること
が可能である。
性薄膜５を接地することにより高周波信号の伝達特性を
改善することが可能となる。高周波信号の損失を小さく
するためにはＴＡＢのインピーダンスを外部回路のイン
ピーダンスと整合させる必要がある。ＴＡＢのインピー
ダンスは薄膜リード２の配線幅Ｗと樹脂フィルム４の厚
さｈとの比、及び樹脂フィルム４の比誘電率εｒにより
決まる。ＴＡＢに多く使用される樹脂フィルム材質はポ
リイミドであるが、ポリイミドのεｒは概ね 2.5〜 3.5
程度であり、これを用いてインピーダンスを50Ωとする
ためには、ほぼＷ／ｈ＝１〜 1.3とすればよい。したが
って、ここでの半導体装置に用いるＴＡＢの薄膜リード
の配線幅は樹脂フィルムの厚さと同程度で良いことにな
り、従来のＴＡＢと全く同等の高密度対応が可能であ
る。因みに、現在ＴＡＢに用いられる樹脂フィルムの厚
さは75μｍ程度であることから従来のＴＡＢの配線幅
0.1mmと同等の配線幅でインピーダンスを合わせること
が可能である。
【０００８】図２は本発明の第２の実施例の半導体装置
の上面図である。図１の半導体装置と同様に半導体素子
２１は薄膜リード２２と接続され、かつ薄膜リード２２
は、その上下面が樹脂フィルムで覆われ、さらに樹脂フ
ィルム表面は導電性薄膜２５により覆われている。そし
て、この半導体装置では薄膜リード２２のリード間にス
ルーホール２６が設けられ、このスルーホール２６によ
り表裏の導電薄膜が導通されている。このような構造と
することにより薄膜リード２２は隣接リードとのアイソ
レーションを改善することができる。
の上面図である。図１の半導体装置と同様に半導体素子
２１は薄膜リード２２と接続され、かつ薄膜リード２２
は、その上下面が樹脂フィルムで覆われ、さらに樹脂フ
ィルム表面は導電性薄膜２５により覆われている。そし
て、この半導体装置では薄膜リード２２のリード間にス
ルーホール２６が設けられ、このスルーホール２６によ
り表裏の導電薄膜が導通されている。このような構造と
することにより薄膜リード２２は隣接リードとのアイソ
レーションを改善することができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
はＴＡＢにおける薄膜リードの上下面を樹脂フィルムで
多い、さらに樹脂フィルムの薄膜リードと接しない面を
導電性薄膜で覆うことにより高周波信号の伝達特性を改
善することができる効果を有する。
はＴＡＢにおける薄膜リードの上下面を樹脂フィルムで
多い、さらに樹脂フィルムの薄膜リードと接しない面を
導電性薄膜で覆うことにより高周波信号の伝達特性を改
善することができる効果を有する。
【図１】本発明の半導体装置の第１実施例の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の半導体装置の第２実施例の上面図であ
る。
る。
【図３】従来の半導体装置の断面図である。
１ 半導体素子 ２ 薄膜リード ３ バンプ ４ 樹脂フィルム ５ 導電性薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子の端子が薄膜リードにより外
部に導出される構造を有する半導体装置において、前記
薄膜リードが上下面共に樹脂フィルムで覆われ、かつ該
樹脂フィルムの薄膜リードと接しない表面は導電性薄膜
で覆われ、さらに該導電性薄膜は接地端子に接続されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4161775A JP2730408B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4161775A JP2730408B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335380A JPH05335380A (ja) | 1993-12-17 |
| JP2730408B2 true JP2730408B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=15741674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4161775A Expired - Fee Related JP2730408B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730408B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4161775A patent/JP2730408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05335380A (ja) | 1993-12-17 |
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Legal Events
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