JPH05335380A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05335380A JPH05335380A JP4161775A JP16177592A JPH05335380A JP H05335380 A JPH05335380 A JP H05335380A JP 4161775 A JP4161775 A JP 4161775A JP 16177592 A JP16177592 A JP 16177592A JP H05335380 A JPH05335380 A JP H05335380A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor device
- tab
- lead
- covered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 半導体素子の端子を薄膜リードで外部に導出
するTAB構造の半導体装置における高周波信号特性を
改善する。 【構成】 半導体素子1の端子を外部に導出する薄膜リ
ード2が上下面共に樹脂フィルム4で覆われ、かつ該樹
脂フィルム4の薄膜リード2と接しない表面は導電性薄
膜5で覆われ、この該導電性薄膜5は接地端子に接続さ
れることで、TABのインピーダンスを外部回路のイン
ピーダンスと整合させ高周波信号の伝達特性を改善する
ことを可能とする。
するTAB構造の半導体装置における高周波信号特性を
改善する。 【構成】 半導体素子1の端子を外部に導出する薄膜リ
ード2が上下面共に樹脂フィルム4で覆われ、かつ該樹
脂フィルム4の薄膜リード2と接しない表面は導電性薄
膜5で覆われ、この該導電性薄膜5は接地端子に接続さ
れることで、TABのインピーダンスを外部回路のイン
ピーダンスと整合させ高周波信号の伝達特性を改善する
ことを可能とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に半導体
素子の端子が薄膜リード、例えばTAB(Tape Automat
ed Bonding)により外部に導出される構造を有する半導
体装置に関する。
素子の端子が薄膜リード、例えばTAB(Tape Automat
ed Bonding)により外部に導出される構造を有する半導
体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子の端子を外部に導出す
る構造としてはリードフレーム上に半導体素子を載置
し、半導体素子上の端子とリードフレームの外部導出リ
ードとを金属細線によりボンディングするという方法が
一般的である。しかしながら、近年電子機器の小型化、
高密度実装化の要求に伴い、TABと呼ばれる方式の半
導体装置が作られるようになっている。この構造の半導
体装置は図3に示すように、樹脂フィルム34上に薄膜
リード32を形成し、この薄膜リード32と半導体素子
31の電極がバンプ33により直接ボンディングされて
いる。
る構造としてはリードフレーム上に半導体素子を載置
し、半導体素子上の端子とリードフレームの外部導出リ
ードとを金属細線によりボンディングするという方法が
一般的である。しかしながら、近年電子機器の小型化、
高密度実装化の要求に伴い、TABと呼ばれる方式の半
導体装置が作られるようになっている。この構造の半導
体装置は図3に示すように、樹脂フィルム34上に薄膜
リード32を形成し、この薄膜リード32と半導体素子
31の電極がバンプ33により直接ボンディングされて
いる。
【0003】このような構造の半導体装置では、樹脂フ
ィルム34上に形成する薄膜リード32をエッチングに
より形成できるため、リード間ピッチ,配線幅などを極
めて小さくすることができるという利点がある。又、薄
膜リード32と半導体素子31の電極とをバンプ33に
より直接ボンディングするため、従来のリードフレーム
構造の半導体装置を製造する際に必要であったワイヤボ
ンディングという工程が単純な熱圧着で可能になり、半
導体装置の製造コストを大幅に下げることができるとい
う利点もある。因みに、現在実用化されている半導体装
置で比較すると、リードフレーム構造の半導体装置では
リードピッチが最少0.65mmであるのに対し、TABでは
0.1mmとなっている。
ィルム34上に形成する薄膜リード32をエッチングに
より形成できるため、リード間ピッチ,配線幅などを極
めて小さくすることができるという利点がある。又、薄
膜リード32と半導体素子31の電極とをバンプ33に
より直接ボンディングするため、従来のリードフレーム
構造の半導体装置を製造する際に必要であったワイヤボ
ンディングという工程が単純な熱圧着で可能になり、半
導体装置の製造コストを大幅に下げることができるとい
う利点もある。因みに、現在実用化されている半導体装
置で比較すると、リードフレーム構造の半導体装置では
リードピッチが最少0.65mmであるのに対し、TABでは
0.1mmとなっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなTAB構造を小型,高密度実装用の半導体装置に用
いた場合には、リードピッチが小さいためにリード間の
浮遊容量が大きくなり、高周波信号を伝達する際の損失
が大きいという問題がある。このため、TAB構造の半
導体装置は時計,電卓等のように高周波信号の伝達特性
があまり問題にされない限られた分野に多く使用されて
いるのが現状である。一方、最近は小型液晶テレビなど
が普及してきているため、小型,高密度実装が可能であ
りながら高周波信号伝達特性の優れた半導体装置が要求
されているが、従来のTAB構造ではこの要求に応える
ことができないという問題がある。本発明の目的は、高
周波信号特性の優れたTAB構造の半導体装置を提供す
ることにある。
うなTAB構造を小型,高密度実装用の半導体装置に用
いた場合には、リードピッチが小さいためにリード間の
浮遊容量が大きくなり、高周波信号を伝達する際の損失
が大きいという問題がある。このため、TAB構造の半
導体装置は時計,電卓等のように高周波信号の伝達特性
があまり問題にされない限られた分野に多く使用されて
いるのが現状である。一方、最近は小型液晶テレビなど
が普及してきているため、小型,高密度実装が可能であ
りながら高周波信号伝達特性の優れた半導体装置が要求
されているが、従来のTAB構造ではこの要求に応える
ことができないという問題がある。本発明の目的は、高
周波信号特性の優れたTAB構造の半導体装置を提供す
ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子の
端子を外部に導出する薄膜リードが上下面共に樹脂フィ
ルムで覆われ、かつ該樹脂フィルムの薄膜リードと接し
ない表面は導電性薄膜で覆われ、さらに該導電性薄膜は
接地端子に接続されている構成とする。
端子を外部に導出する薄膜リードが上下面共に樹脂フィ
ルムで覆われ、かつ該樹脂フィルムの薄膜リードと接し
ない表面は導電性薄膜で覆われ、さらに該導電性薄膜は
接地端子に接続されている構成とする。
【0006】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の半導体装置の構造を
示す断面図である。同図に示すように、半導体素子1の
端子を外部に導出するためのリードが薄膜リード2で構
成されており、半導体素子とはバンプ3によりボンディ
ングされている。一方、薄膜リード2はその上下面が樹
脂フィルム4により覆われ、さらに樹脂フィルム4は薄
膜リード2と接しない面が導電薄膜5で覆われている。
る。図1は本発明の第1の実施例の半導体装置の構造を
示す断面図である。同図に示すように、半導体素子1の
端子を外部に導出するためのリードが薄膜リード2で構
成されており、半導体素子とはバンプ3によりボンディ
ングされている。一方、薄膜リード2はその上下面が樹
脂フィルム4により覆われ、さらに樹脂フィルム4は薄
膜リード2と接しない面が導電薄膜5で覆われている。
【0007】このような構造のTABにおいては、導電
性薄膜5を接地することにより高周波信号の伝達特性を
改善することが可能となる。高周波信号の損失を小さく
するためにはTABのインピーダンスを外部回路のイン
ピーダンスと整合させる必要がある。TABのインピー
ダンスは薄膜リード2の配線幅Wと樹脂フィルム4の厚
さhとの比、及び樹脂フィルム4の比誘電率εrにより
決まる。TABに多く使用される樹脂フィルム材質はポ
リイミドであるが、ポリイミドのεrは概ね 2.5〜 3.5
程度であり、これを用いてインピーダンスを50Ωとする
ためには、ほぼW/h=1〜 1.3とすればよい。したが
って、ここでの半導体装置に用いるTABの薄膜リード
の配線幅は樹脂フィルムの厚さと同程度で良いことにな
り、従来のTABと全く同等の高密度対応が可能であ
る。因みに、現在TABに用いられる樹脂フィルムの厚
さは75μm程度であることから従来のTABの配線幅
0.1mmと同等の配線幅でインピーダンスを合わせること
が可能である。
性薄膜5を接地することにより高周波信号の伝達特性を
改善することが可能となる。高周波信号の損失を小さく
するためにはTABのインピーダンスを外部回路のイン
ピーダンスと整合させる必要がある。TABのインピー
ダンスは薄膜リード2の配線幅Wと樹脂フィルム4の厚
さhとの比、及び樹脂フィルム4の比誘電率εrにより
決まる。TABに多く使用される樹脂フィルム材質はポ
リイミドであるが、ポリイミドのεrは概ね 2.5〜 3.5
程度であり、これを用いてインピーダンスを50Ωとする
ためには、ほぼW/h=1〜 1.3とすればよい。したが
って、ここでの半導体装置に用いるTABの薄膜リード
の配線幅は樹脂フィルムの厚さと同程度で良いことにな
り、従来のTABと全く同等の高密度対応が可能であ
る。因みに、現在TABに用いられる樹脂フィルムの厚
さは75μm程度であることから従来のTABの配線幅
0.1mmと同等の配線幅でインピーダンスを合わせること
が可能である。
【0008】図2は本発明の第2の実施例の半導体装置
の上面図である。図1の半導体装置と同様に半導体素子
21は薄膜リード22と接続され、かつ薄膜リード22
は、その上下面が樹脂フィルムで覆われ、さらに樹脂フ
ィルム表面は導電性薄膜25により覆われている。そし
て、この半導体装置では薄膜リード22のリード間にス
ルーホール26が設けられ、このスルーホール26によ
り表裏の導電薄膜が導通されている。このような構造と
することにより薄膜リード22は隣接リードとのアイソ
レーションを改善することができる。
の上面図である。図1の半導体装置と同様に半導体素子
21は薄膜リード22と接続され、かつ薄膜リード22
は、その上下面が樹脂フィルムで覆われ、さらに樹脂フ
ィルム表面は導電性薄膜25により覆われている。そし
て、この半導体装置では薄膜リード22のリード間にス
ルーホール26が設けられ、このスルーホール26によ
り表裏の導電薄膜が導通されている。このような構造と
することにより薄膜リード22は隣接リードとのアイソ
レーションを改善することができる。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
はTABにおける薄膜リードの上下面を樹脂フィルムで
多い、さらに樹脂フィルムの薄膜リードと接しない面を
導電性薄膜で覆うことにより高周波信号の伝達特性を改
善することができる効果を有する。
はTABにおける薄膜リードの上下面を樹脂フィルムで
多い、さらに樹脂フィルムの薄膜リードと接しない面を
導電性薄膜で覆うことにより高周波信号の伝達特性を改
善することができる効果を有する。
【図1】本発明の半導体装置の第1実施例の断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の半導体装置の第2実施例の上面図であ
る。
る。
【図3】従来の半導体装置の断面図である。
1 半導体素子 2 薄膜リード 3 バンプ 4 樹脂フィルム 5 導電性薄膜
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子の端子が薄膜リードにより外
部に導出される構造を有する半導体装置において、前記
薄膜リードが上下面共に樹脂フィルムで覆われ、かつ該
樹脂フィルムの薄膜リードと接しない表面は導電性薄膜
で覆われ、さらに該導電性薄膜は接地端子に接続されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4161775A JP2730408B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4161775A JP2730408B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05335380A true JPH05335380A (ja) | 1993-12-17 |
JP2730408B2 JP2730408B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=15741674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4161775A Expired - Fee Related JP2730408B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2730408B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4161775A patent/JP2730408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2730408B2 (ja) | 1998-03-25 |
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