JP3735686B2 - 金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を製造する方法に係り、とりわけ、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、強誘電体の持つ自発分極は、その分極方向が反対になっている熱力学的に安定な二つの状態を有しており、外部から電場をかけることにより、その分極方向をスイッチングすることができる。
【０００３】
近年、強誘電体の上記のような特徴を利用して不揮発性メモリーの本格的な実用化が進んでいる。また、強誘電体を利用した新たな記録メディア（記録媒体）の開発も進んでいる。なお、このような不揮発性メモリや新たな記録メディアでは、原子間力顕微鏡等を利用して微小領域の強誘電体の分極を反転させたりさせなかったりすることにより、高密度の記録を実現している。また、このような不揮発性メモリや新たな記録メディアでは、これらに最も適した強誘電体として、ビスマス酸化物の層状構造（ペロブスカイト構造）を結晶構造として持つ金属酸化物強誘電体（代表的なものとしては、例えばＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（以下「ＳＢＴ」ともいう。））が用いられている。
【０００４】
ところで、このような不揮発性メモリや新たな記録メディアにおいては、近年、高集積化と微細化の要求が強まっており、具体的には例えば、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の高いメモリー容量を得るために、５０ｎｍ以下のサイズの高純度でかつ高い結晶度を有する金属酸化物強誘電体の微結晶が必要とされている。
【０００５】
従来においては、このような金属酸化物強誘電体の微結晶を製造するための方法として、シリコン基板上にゾル−ゲル法やＣＶＤ法によりアモルファス状の前駆体薄膜を塗布し、次いで、この塗布された前駆体薄膜に対して熱処理を施すことにより結晶化を行う方法が一般的に用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の方法では、薄膜状の金属酸化物強誘電体に対して熱処理を施すこととなるため、金属酸化物強誘電体の微結晶のサイズと結晶度とを同時に制御することが困難である。すなわち、金属酸化物強誘電体に対して低温で熱処理を施した場合には、ナノサイズの微結晶は得られるものの、熱処理の温度が低いため、大量の不純物が残留するとともに結晶度も低くなり、不揮発性メモリや新たな記録メディアのための強誘電体材料として適していないものとなってしまう。これに対して、金属酸化物強誘電体に対して高温で熱処理を施した場合には、高純度でかつ高い結晶度を有する金属酸化物強誘電体の微結晶は得られるものの、結晶が成長してしまうため、ナノサイズの微結晶を得ることが困難である。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる、金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を製造する方法において、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群をレーザアブレーション法により発生させ、当該粒子群を気相中に分散させる工程と、前記レーザアブレーション法により発生させた前記粒子群を気相中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施す工程とを含むことを特徴とする、金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を提供する。
【０００９】
なお、本発明において、前記金属酸化物強誘電体は、結晶構造としてペロブスカイト構造をとることが好ましい。また、前記気相は、酸素ガス、または酸素ガスと他のガスとの混合ガスからなることが好ましい。
【００１０】
本発明によれば、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群を発生させるとともに当該粒子群を気相中に分散させ、粒子群を気相中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、高温で熱処理を施した場合でも、熱処理中における粒子の成長を抑制することができ、このため、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる。
【００１１】
また、本発明によれば、粒子群の発生方法や発生条件等を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）を容易に制御することができ、また、熱処理条件を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）、結晶形および結晶度を容易に制御することができる。
【００１２】
さらに、本発明によれば、粒子群を気相中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、粒子ごとの結晶化のばらつきが少なく、また、粒子群を薄膜状態等に保持して熱処理を施す場合に比べて、格段に生産性を上げることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施の形態に係る金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を実現するための製造装置の一例を示す図である。
【００１５】
図１に示すように、製造装置１０は、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群を発生させるとともに当該粒子群を酸素雰囲気（気相）中に分散させる粒子発生装置１１と、粒子群を酸素雰囲気中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施す熱処理装置１４と、熱処理が施された粒子群を捕集する粒子捕集装置１７とを備えている。
【００１６】
このうち、粒子発生装置１１は、容器１２と、容器１２内に載置された金属酸化物強誘電体からなる粒子発生用原材３１に対してレーザ光３３を照射するレーザ出力装置１３とを有し、レーザアブレーション法により粒子発生用原材３１からナノサイズ（１〜１００ｎｍ）の粒子群を発生させることができるようになっている。なお、金属酸化物強誘電体としては、結晶構造としてペロブスカイト構造をとるものを用いることが好ましい。具体的には例えば、(1)ＰｂＴｉＯ３やＢａＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３）等の単純ペロブスカイト構造または複合ペロブスカイト構造をとる金属酸化物強誘電体や、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９やＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９等のビスマス酸化物の層状構造（疑似ペロブスカイト構造）をとる金属酸化物強誘電体を用いることができる。
【００１７】
ここで、粒子発生装置１１の容器１２には導入管２１ａを介してキャリアガス３２が導入されるようになっており、容器１２内にて発生した粒子群は、キャリアガス３２中に分散された状態で連絡管２１ｂを介して熱処理装置１４に導入される。なお、粒子発生装置１１の容器１２に導入されるキャリアガス３２としては、酸素ガス、または酸素ガスと他のガスとの混合ガスを用いることが好ましい。また、容器１２内の空間は、粒子同士の凝集を効果的に抑制するため、粒子の発生量等に応じて所望の減圧場に保つことが好ましい。
【００１８】
熱処理装置１４は、容器１５と、容器１５の外部に設けられた電気ヒータ１６とを有し、粒子発生装置１１の容器１２から連絡管２１ｂを介してキャリアガス３２とともに導入された粒子群を容器１５内にて酸素雰囲気（気相）中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して所定の温度で所定の時間だけ熱処理を施すことができるようになっている。なお、ここでいう「分散状態」とは、粒子が重力により落下することなく、常に酸素雰囲気（気相）中に浮遊した状態（いわゆるエアロゾル状態）を意味する。このような状態は、粒子の粒径および比重等を考慮してキャリアガス３２の流入量および流入速度を制御することにより形成することができる。
【００１９】
ここで、熱処理装置１４の容器１５内における熱処理の温度および時間は粒子の大きさや材質等に応じて適宜設定されるものであり、熱処理の温度に関しては電気ヒータ１６を制御することにより設定され、熱処理の時間に関しては容器１５内に導入されるキャリアガス３２の流入量や圧力、容器１５の長さ等を制御することにより設定される。なお、容器１５内の空間は、粒子同士の凝集を効果的に抑制するため、粒子の発生量等に応じて所望の減圧場に保つことが好ましい。
【００２０】
粒子捕集装置１７は、容器１８と、熱処理装置１４の容器１５から連絡管２１ｃを介してキャリアガス３２とともに導入された粒子群を捕集する捕集器１９とを有し、熱処理装置１４により熱処理が施された粒子群を容器１８内の捕集用基板２０上に捕集することができるようになっている。
【００２１】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００２２】
粒子発生装置１１において、容器１２内に載置された粒子発生用原材３１に対してレーザ出力装置１３によりレーザ光３３が照射され、レーザアブレーション法により粒子発生用原材３１からナノサイズの粒子群が発生する。
【００２３】
ここで、粒子発生装置１１の容器１２には導入管２１ａを介してキャリアガス３２が導入されており、容器１２内にて発生した粒子群は、キャリアガス３２中に分散された状態で連絡管２１ｂを介して熱処理装置１４の容器１５に導入される。
【００２４】
そして、このようにして熱処理装置１４の容器１５に導入された粒子群は、容器１５内にてキャリアガス３２とともに流れ、酸素雰囲気（気相）中で分散状態に保持されたまま電気ヒータ１６により所定の温度で所定の時間だけ熱処理が施される。
【００２５】
その後、熱処理装置１４の容器１５内にて熱処理が施された粒子群は、キャリアガス３２とともに連絡管２１ｃを介して粒子捕集装置１７の容器１８に導入され、捕集器１９を介して捕集用基板２０上に捕集される。
【００２６】
これにより、捕集用基板２０上には、所定の結晶形および結晶度を有する、ナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶が製造される。
【００２７】
このように本実施の形態によれば、粒子発生装置１１により、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群を発生させるとともに当該粒子群をキャリアガス３２中に分散させ、熱処理装置１４により、粒子群を酸素雰囲気（気相）中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、高温で熱処理を施した場合でも、熱処理中における粒子の成長を抑制することができ（粒子の大きさを粒子の発生段階での大きさと変わらず保つことができ）、このため、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる。
【００２８】
また、本実施の形態によれば、粒子発生装置１１における粒子群の発生方法や発生条件等を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）を容易に制御することができ、また、熱処理装置１４における熱処理条件を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）、結晶形および結晶度を容易に制御することができる。
【００２９】
さらに、本実施の形態によれば、粒子群をキャリアガス３２中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、粒子ごとの結晶化のばらつきが少なく、また、粒子群を薄膜状態等に保持して熱処理を施す場合に比べて、格段に生産性を上げることができる。
【００３０】
なお、上述した実施の形態においては、粒子発生装置１１として、レーザアブレーション法により粒子群を発生させるものを用いているが、これに限らず、スパッタリング法やＣＶＤ法、共沈法、エレクトロスプレーによる噴霧等の他の方法により粒子群を発生させるものを用いるようにしてもよい。また、熱処理装置１４として、電気ヒータを備えた電気炉を用いているが、これに限らず、赤外線ランプ加熱装置等の任意の熱処理装置を用いるようにしてもよい。
【００３１】
【実施例】
次に、上述した実施の形態の具体的実施例について述べる。
【００３２】
粒子発生装置において、容器内を減圧場（約２Ｔｏｒｒ）の酸素雰囲気とし、粒子発生用原材としてのＳＢＴ（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９）のセラミック棒に対してＮｄ−ＹＡＧレーザによりレーザ光を照射し、レーザアブレーション法によりセラミック棒からナノサイズの粒子群を発生させた。
【００３３】
ここで、粒子発生装置の容器には流量が３００ｓｃｃｍの酸素ガスをキャリアガスとして導入し、容器内にて発生した粒子群を酸素ガス中に分散させた状態で熱処理装置の容器に導入した。
【００３４】
そして、このようにして熱処理装置の容器に導入された粒子群を容器内にてキャリアガスとともに流し、容器内にて酸素ガス中で分散状態に保持したまま所定の温度（３００℃、６００℃および８００℃）で熱処理を施した。
【００３５】
その後、熱処理装置の容器内にて熱処理を施した粒子群を、酸素ガスとともに粒子捕集装置の容器に導入し、捕集器を介して、各温度で熱処理が施された後の粒子群を、捕集用基板としての透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察用カーボン支持膜上に捕集した。
【００３６】
これにより、カーボン支持膜上には、強誘電性を発揮するペロブスカイト構造でかつ高い結晶度を有する、粒径が約７ｎｍのＳＢＴナノ粒子結晶が得られた。
【００３７】
以下、このようにして得られたＳＢＴナノ粒子結晶の詳細な測定結果を述べる。
【００３８】
図２は各温度（３００℃、６００℃および８００℃）で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒径分布を、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の粒径分布とともに示す図である。なお、ＳＢＴナノ粒子の粒径分布は、微分型電気移動度分級装置（ＤＭＡ）を用いて測定した。
【００３９】
図２に示す測定結果から、熱処理の有無または熱処理の温度に依存することなく、ＳＢＴのナノ粒子の粒径分布が４〜２０ｎｍの範囲でほぼ同一であり、高温で熱処理を施した場合でも、熱処理中における粒子の成長が抑制されていることが分かる。
【００４０】
図３(a)(b)(c)(d)はＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示すＴＥＭ写真である。なお、このＴＥＭ写真は、粒子群が捕集されたＴＥＭ観察用カーボン支持膜を約４００万倍の高分解能ＴＥＭで観察することにより得た。
【００４１】
このうち、図３(a)(b)はそれぞれ、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の結晶構造の２０万倍および４００万倍のＴＥＭ像を示し、図３(c)(d)はそれぞれ、８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の結晶構造の２０万倍および４００万倍のＴＥＭ像を示す。
【００４２】
ここで、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子には、図３(a)に示すように、球形の粒子と板状の粒子とが含まれることが分かる。また、この粒子をさらに拡大した４００万倍のＴＥＭ像（図３(b)）では、結晶格子が観察されず、この粒子がアモルファス相であることが分かる。
【００４３】
一方、８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子は、２０万倍のＴＥＭ像（図３(c)）で、球形の粒子のみが含まれていることが分かる。また、この粒子をさらに拡大した４００万倍のＴＥＭ像（図３(c)）では、この粒子が所定の格子間隔（０．２７ｎｍ）を有する結晶構造を持つことが分かる。
【００４４】
なお、図示はしないが、３００℃および６００℃の各温度で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子のＴＥＭ像では、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子と同様に粒子がアモルファス相であることが観察された。
【００４５】
このような測定結果から、高温（８００℃）で熱処理を施すことにより、高い結晶度を有するＳＢＴナノ粒子結晶が得られることが分かった。
【００４６】
図４は８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルを示す図である。なお、ＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルは、電子線マイクロビームを利用したＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）測定により得た。
【００４７】
図４に示すように、ＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルとして、Ｓｒ、ＢｉおよびＴａのＸ線ピークと、Ｏ（酸素）のＸ線ピークが観測されることが分かる。なお、図４に示す測定結果では、Ｃｕの信号が観測されているが、この信号は、粒子を捕集するために用いたマイクログリッドに起因したものである。
【００４８】
このような測定結果から、ＳＢＴナノ粒子には不純物が少ないことが分かった。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を実現する製造装置の構成の一例を示す図。
【図２】各温度（３００℃、６００℃および８００℃）で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒径分布を、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の粒径分布とともに示す図である。
【図３】ＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示す透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真。図３(a)(b)は熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示し、図３(c)(d)は熱処理（８００℃）が施された後のＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示す。
【図４】８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルを示す図。
【符号の説明】
１０ 製造装置
１１ 粒子発生装置
１２ 容器
１３ レーザ出力装置
１４ 熱処理装置
１５ 容器
１６ 電気ヒータ
１７ 粒子捕集装置
１８ 容器
１９ 捕集器
２０ 捕集用基板
２１ａ 導入管
２１ｂ，２１ｃ 連絡管
３１ 粒子発生用原材
３２ キャリアガス
３３ レーザ光
【発明の属する技術分野】
本発明は、ナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を製造する方法に係り、とりわけ、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、強誘電体の持つ自発分極は、その分極方向が反対になっている熱力学的に安定な二つの状態を有しており、外部から電場をかけることにより、その分極方向をスイッチングすることができる。
【０００３】
近年、強誘電体の上記のような特徴を利用して不揮発性メモリーの本格的な実用化が進んでいる。また、強誘電体を利用した新たな記録メディア（記録媒体）の開発も進んでいる。なお、このような不揮発性メモリや新たな記録メディアでは、原子間力顕微鏡等を利用して微小領域の強誘電体の分極を反転させたりさせなかったりすることにより、高密度の記録を実現している。また、このような不揮発性メモリや新たな記録メディアでは、これらに最も適した強誘電体として、ビスマス酸化物の層状構造（ペロブスカイト構造）を結晶構造として持つ金属酸化物強誘電体（代表的なものとしては、例えばＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（以下「ＳＢＴ」ともいう。））が用いられている。
【０００４】
ところで、このような不揮発性メモリや新たな記録メディアにおいては、近年、高集積化と微細化の要求が強まっており、具体的には例えば、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の高いメモリー容量を得るために、５０ｎｍ以下のサイズの高純度でかつ高い結晶度を有する金属酸化物強誘電体の微結晶が必要とされている。
【０００５】
従来においては、このような金属酸化物強誘電体の微結晶を製造するための方法として、シリコン基板上にゾル−ゲル法やＣＶＤ法によりアモルファス状の前駆体薄膜を塗布し、次いで、この塗布された前駆体薄膜に対して熱処理を施すことにより結晶化を行う方法が一般的に用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の方法では、薄膜状の金属酸化物強誘電体に対して熱処理を施すこととなるため、金属酸化物強誘電体の微結晶のサイズと結晶度とを同時に制御することが困難である。すなわち、金属酸化物強誘電体に対して低温で熱処理を施した場合には、ナノサイズの微結晶は得られるものの、熱処理の温度が低いため、大量の不純物が残留するとともに結晶度も低くなり、不揮発性メモリや新たな記録メディアのための強誘電体材料として適していないものとなってしまう。これに対して、金属酸化物強誘電体に対して高温で熱処理を施した場合には、高純度でかつ高い結晶度を有する金属酸化物強誘電体の微結晶は得られるものの、結晶が成長してしまうため、ナノサイズの微結晶を得ることが困難である。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる、金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を製造する方法において、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群をレーザアブレーション法により発生させ、当該粒子群を気相中に分散させる工程と、前記レーザアブレーション法により発生させた前記粒子群を気相中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施す工程とを含むことを特徴とする、金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を提供する。
【０００９】
なお、本発明において、前記金属酸化物強誘電体は、結晶構造としてペロブスカイト構造をとることが好ましい。また、前記気相は、酸素ガス、または酸素ガスと他のガスとの混合ガスからなることが好ましい。
【００１０】
本発明によれば、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群を発生させるとともに当該粒子群を気相中に分散させ、粒子群を気相中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、高温で熱処理を施した場合でも、熱処理中における粒子の成長を抑制することができ、このため、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる。
【００１１】
また、本発明によれば、粒子群の発生方法や発生条件等を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）を容易に制御することができ、また、熱処理条件を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）、結晶形および結晶度を容易に制御することができる。
【００１２】
さらに、本発明によれば、粒子群を気相中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、粒子ごとの結晶化のばらつきが少なく、また、粒子群を薄膜状態等に保持して熱処理を施す場合に比べて、格段に生産性を上げることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施の形態に係る金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を実現するための製造装置の一例を示す図である。
【００１５】
図１に示すように、製造装置１０は、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群を発生させるとともに当該粒子群を酸素雰囲気（気相）中に分散させる粒子発生装置１１と、粒子群を酸素雰囲気中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施す熱処理装置１４と、熱処理が施された粒子群を捕集する粒子捕集装置１７とを備えている。
【００１６】
このうち、粒子発生装置１１は、容器１２と、容器１２内に載置された金属酸化物強誘電体からなる粒子発生用原材３１に対してレーザ光３３を照射するレーザ出力装置１３とを有し、レーザアブレーション法により粒子発生用原材３１からナノサイズ（１〜１００ｎｍ）の粒子群を発生させることができるようになっている。なお、金属酸化物強誘電体としては、結晶構造としてペロブスカイト構造をとるものを用いることが好ましい。具体的には例えば、(1)ＰｂＴｉＯ３やＢａＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３）等の単純ペロブスカイト構造または複合ペロブスカイト構造をとる金属酸化物強誘電体や、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９やＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９等のビスマス酸化物の層状構造（疑似ペロブスカイト構造）をとる金属酸化物強誘電体を用いることができる。
【００１７】
ここで、粒子発生装置１１の容器１２には導入管２１ａを介してキャリアガス３２が導入されるようになっており、容器１２内にて発生した粒子群は、キャリアガス３２中に分散された状態で連絡管２１ｂを介して熱処理装置１４に導入される。なお、粒子発生装置１１の容器１２に導入されるキャリアガス３２としては、酸素ガス、または酸素ガスと他のガスとの混合ガスを用いることが好ましい。また、容器１２内の空間は、粒子同士の凝集を効果的に抑制するため、粒子の発生量等に応じて所望の減圧場に保つことが好ましい。
【００１８】
熱処理装置１４は、容器１５と、容器１５の外部に設けられた電気ヒータ１６とを有し、粒子発生装置１１の容器１２から連絡管２１ｂを介してキャリアガス３２とともに導入された粒子群を容器１５内にて酸素雰囲気（気相）中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して所定の温度で所定の時間だけ熱処理を施すことができるようになっている。なお、ここでいう「分散状態」とは、粒子が重力により落下することなく、常に酸素雰囲気（気相）中に浮遊した状態（いわゆるエアロゾル状態）を意味する。このような状態は、粒子の粒径および比重等を考慮してキャリアガス３２の流入量および流入速度を制御することにより形成することができる。
【００１９】
ここで、熱処理装置１４の容器１５内における熱処理の温度および時間は粒子の大きさや材質等に応じて適宜設定されるものであり、熱処理の温度に関しては電気ヒータ１６を制御することにより設定され、熱処理の時間に関しては容器１５内に導入されるキャリアガス３２の流入量や圧力、容器１５の長さ等を制御することにより設定される。なお、容器１５内の空間は、粒子同士の凝集を効果的に抑制するため、粒子の発生量等に応じて所望の減圧場に保つことが好ましい。
【００２０】
粒子捕集装置１７は、容器１８と、熱処理装置１４の容器１５から連絡管２１ｃを介してキャリアガス３２とともに導入された粒子群を捕集する捕集器１９とを有し、熱処理装置１４により熱処理が施された粒子群を容器１８内の捕集用基板２０上に捕集することができるようになっている。
【００２１】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００２２】
粒子発生装置１１において、容器１２内に載置された粒子発生用原材３１に対してレーザ出力装置１３によりレーザ光３３が照射され、レーザアブレーション法により粒子発生用原材３１からナノサイズの粒子群が発生する。
【００２３】
ここで、粒子発生装置１１の容器１２には導入管２１ａを介してキャリアガス３２が導入されており、容器１２内にて発生した粒子群は、キャリアガス３２中に分散された状態で連絡管２１ｂを介して熱処理装置１４の容器１５に導入される。
【００２４】
そして、このようにして熱処理装置１４の容器１５に導入された粒子群は、容器１５内にてキャリアガス３２とともに流れ、酸素雰囲気（気相）中で分散状態に保持されたまま電気ヒータ１６により所定の温度で所定の時間だけ熱処理が施される。
【００２５】
その後、熱処理装置１４の容器１５内にて熱処理が施された粒子群は、キャリアガス３２とともに連絡管２１ｃを介して粒子捕集装置１７の容器１８に導入され、捕集器１９を介して捕集用基板２０上に捕集される。
【００２６】
これにより、捕集用基板２０上には、所定の結晶形および結晶度を有する、ナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶が製造される。
【００２７】
このように本実施の形態によれば、粒子発生装置１１により、金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群を発生させるとともに当該粒子群をキャリアガス３２中に分散させ、熱処理装置１４により、粒子群を酸素雰囲気（気相）中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、高温で熱処理を施した場合でも、熱処理中における粒子の成長を抑制することができ（粒子の大きさを粒子の発生段階での大きさと変わらず保つことができ）、このため、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる。
【００２８】
また、本実施の形態によれば、粒子発生装置１１における粒子群の発生方法や発生条件等を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）を容易に制御することができ、また、熱処理装置１４における熱処理条件を変えることにより、最終的に製造される金属酸化物強誘電体粒子のサイズ（粒径）、結晶形および結晶度を容易に制御することができる。
【００２９】
さらに、本実施の形態によれば、粒子群をキャリアガス３２中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施すようにしているので、粒子ごとの結晶化のばらつきが少なく、また、粒子群を薄膜状態等に保持して熱処理を施す場合に比べて、格段に生産性を上げることができる。
【００３０】
なお、上述した実施の形態においては、粒子発生装置１１として、レーザアブレーション法により粒子群を発生させるものを用いているが、これに限らず、スパッタリング法やＣＶＤ法、共沈法、エレクトロスプレーによる噴霧等の他の方法により粒子群を発生させるものを用いるようにしてもよい。また、熱処理装置１４として、電気ヒータを備えた電気炉を用いているが、これに限らず、赤外線ランプ加熱装置等の任意の熱処理装置を用いるようにしてもよい。
【００３１】
【実施例】
次に、上述した実施の形態の具体的実施例について述べる。
【００３２】
粒子発生装置において、容器内を減圧場（約２Ｔｏｒｒ）の酸素雰囲気とし、粒子発生用原材としてのＳＢＴ（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９）のセラミック棒に対してＮｄ−ＹＡＧレーザによりレーザ光を照射し、レーザアブレーション法によりセラミック棒からナノサイズの粒子群を発生させた。
【００３３】
ここで、粒子発生装置の容器には流量が３００ｓｃｃｍの酸素ガスをキャリアガスとして導入し、容器内にて発生した粒子群を酸素ガス中に分散させた状態で熱処理装置の容器に導入した。
【００３４】
そして、このようにして熱処理装置の容器に導入された粒子群を容器内にてキャリアガスとともに流し、容器内にて酸素ガス中で分散状態に保持したまま所定の温度（３００℃、６００℃および８００℃）で熱処理を施した。
【００３５】
その後、熱処理装置の容器内にて熱処理を施した粒子群を、酸素ガスとともに粒子捕集装置の容器に導入し、捕集器を介して、各温度で熱処理が施された後の粒子群を、捕集用基板としての透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察用カーボン支持膜上に捕集した。
【００３６】
これにより、カーボン支持膜上には、強誘電性を発揮するペロブスカイト構造でかつ高い結晶度を有する、粒径が約７ｎｍのＳＢＴナノ粒子結晶が得られた。
【００３７】
以下、このようにして得られたＳＢＴナノ粒子結晶の詳細な測定結果を述べる。
【００３８】
図２は各温度（３００℃、６００℃および８００℃）で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒径分布を、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の粒径分布とともに示す図である。なお、ＳＢＴナノ粒子の粒径分布は、微分型電気移動度分級装置（ＤＭＡ）を用いて測定した。
【００３９】
図２に示す測定結果から、熱処理の有無または熱処理の温度に依存することなく、ＳＢＴのナノ粒子の粒径分布が４〜２０ｎｍの範囲でほぼ同一であり、高温で熱処理を施した場合でも、熱処理中における粒子の成長が抑制されていることが分かる。
【００４０】
図３(a)(b)(c)(d)はＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示すＴＥＭ写真である。なお、このＴＥＭ写真は、粒子群が捕集されたＴＥＭ観察用カーボン支持膜を約４００万倍の高分解能ＴＥＭで観察することにより得た。
【００４１】
このうち、図３(a)(b)はそれぞれ、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の結晶構造の２０万倍および４００万倍のＴＥＭ像を示し、図３(c)(d)はそれぞれ、８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の結晶構造の２０万倍および４００万倍のＴＥＭ像を示す。
【００４２】
ここで、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子には、図３(a)に示すように、球形の粒子と板状の粒子とが含まれることが分かる。また、この粒子をさらに拡大した４００万倍のＴＥＭ像（図３(b)）では、結晶格子が観察されず、この粒子がアモルファス相であることが分かる。
【００４３】
一方、８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子は、２０万倍のＴＥＭ像（図３(c)）で、球形の粒子のみが含まれていることが分かる。また、この粒子をさらに拡大した４００万倍のＴＥＭ像（図３(c)）では、この粒子が所定の格子間隔（０．２７ｎｍ）を有する結晶構造を持つことが分かる。
【００４４】
なお、図示はしないが、３００℃および６００℃の各温度で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子のＴＥＭ像では、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子と同様に粒子がアモルファス相であることが観察された。
【００４５】
このような測定結果から、高温（８００℃）で熱処理を施すことにより、高い結晶度を有するＳＢＴナノ粒子結晶が得られることが分かった。
【００４６】
図４は８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルを示す図である。なお、ＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルは、電子線マイクロビームを利用したＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）測定により得た。
【００４７】
図４に示すように、ＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルとして、Ｓｒ、ＢｉおよびＴａのＸ線ピークと、Ｏ（酸素）のＸ線ピークが観測されることが分かる。なお、図４に示す測定結果では、Ｃｕの信号が観測されているが、この信号は、粒子を捕集するために用いたマイクログリッドに起因したものである。
【００４８】
このような測定結果から、ＳＢＴナノ粒子には不純物が少ないことが分かった。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高純度でかつ高い結晶度を有するナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法を実現する製造装置の構成の一例を示す図。
【図２】各温度（３００℃、６００℃および８００℃）で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒径分布を、熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の粒径分布とともに示す図である。
【図３】ＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示す透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真。図３(a)(b)は熱処理が施されていないＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示し、図３(c)(d)は熱処理（８００℃）が施された後のＳＢＴナノ粒子の結晶構造を示す。
【図４】８００℃で熱処理が施された後のＳＢＴナノ粒子の粒子組成スペクトルを示す図。
【符号の説明】
１０ 製造装置
１１ 粒子発生装置
１２ 容器
１３ レーザ出力装置
１４ 熱処理装置
１５ 容器
１６ 電気ヒータ
１７ 粒子捕集装置
１８ 容器
１９ 捕集器
２０ 捕集用基板
２１ａ 導入管
２１ｂ，２１ｃ 連絡管
３１ 粒子発生用原材
３２ キャリアガス
３３ レーザ光
Claims (4)
- ナノサイズの金属酸化物強誘電体粒子結晶を製造する方法において、
金属酸化物強誘電体からなるナノサイズの粒子群をレーザアブレーション法により発生させ、当該粒子群を気相中に分散させる工程と、
前記レーザアブレーション法により発生させた前記粒子群を気相中で分散状態に保持したまま当該粒子群に対して熱処理を施す工程とを含むことを特徴とする、金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法。 - 前記金属酸化物強誘電体は、結晶構造としてペロブスカイト構造をとることを特徴とする、請求項１記載の金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法。
- 前記気相は酸素ガスからなることを特徴とする、請求項１または２記載の金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法。
- 前記気相は酸素ガスと他のガスとの混合ガスからなることを特徴とする、請求項１または２記載の金属酸化物強誘電体粒子結晶の製造方法。
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