JP3727587B2 - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、特に薄型の半導体パッケージを創出するのに適した半導体装置及びその実装方法並びに実装体に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化にともない、回路基板が薄型化している。そして、小型電子機器(小型携帯機器)内部の狭く複雑な空間に部品を高密度に実装するために、折り曲げが可能なフレキシブル回路基板(FPC:Flexible Printed Circuit)が用いられるようになってきた。また、筐体自体に回路パターンを形成し、小型軽量化を図る手法も提案されている。
【0003】
このような現状の中で、従来の半導体パッケージ、例えばQFP(Quad Flat Package)や,BGA(Ball Grid Allay)やCSP(Chip Scale Package)に代表される樹脂封止型の半導体パッケージを電子機器、特に小型携帯機器に使用する場合には以下のような問題が生じる。
【0004】
すなわち、薄型の基板やフレキシブル回路基板が、小型携帯機器内部で複雑な形状に曲がる(変形する)ことが可能となっても、従来の半導体パッケージは硬質なため曲げることができない。つまり、自由に湾曲可能なフレキシブル回路基板上に、変形できない半導体パッケージが搭載されることになり、小型携帯機器内部の複雑な形状の空間に基板を治めることが困難になる。
【0005】
また、筐体自体の湾曲面に形成された回路上に、硬質な半導体パッケージを搭載することは困難であった。
【0006】
このような課題に対して、例えば特開平6−64379号公報や特開2000−11129号公報には、半導体装置(以下、半導体チップと称する)を薄くし、可撓性をもたせるようにして、曲げに対して強くするという技術が開示されている。
【0007】
一般に、半導体パッケージ全体の厚みを薄くするために、半導体チップと回路基板との電気的接続にはフリップチップ接続が用いられている。これは、半導体装置と回路基板の電気的接続をワイヤーボンディングで行った場合、ワイヤの保護のためにエポキシ樹脂などで被覆する必要が有り、半導体パッケージの厚みが大きくなるとともに、曲がりにくくなってしまうからである。
【0008】
例えば、フリップチップ接続により半導体チップと回路基板とを接続する場合には、回路基板基板上に予め熱硬化性の接着樹脂などを供給し、半導体チップの外部取り出し電極上に形成された突起電極を、回路基板上の電極に位置合わせし、両者を接触させるように加圧するとともに、接着樹脂を硬化させることで、半導体チップはフリップチップ接続により回路基板に実装され、薄型の半導体パッケージが形成される。
【0009】
なお、上記公報のうち、特開2000−11129号公報には、異方性導電シートを介して半導体チップを回路基板にフリップチップ接続により実装した例が開示されている。
【0010】
このようにして作製された半導体パッケージは、従来の半導体パッケージに比べて半導体チップが非常に薄いため、該半導体パッケージ自体の厚みも非常に薄くでき、湾曲することが可能となる。したがって、筐体等の狭い内部空間の曲面に沿って、半導体パッケージを取り付けることが可能となる。
【0011】
また、半導体パッケージの薄型化を図るために、半導体チップを100μm以下に薄くすれば、破損しやすくなる。このため、半導体チップの搬送時や、回路基板への実装時における取り扱いが困難となり、生産性の低下を招くという問題が生じる。
【0012】
そこで、半導体チップの裏面に厚みの厚い補強用部材を一時的に形成し.フリップチップ接続後に、上記補強用部材を取り除くことにより、薄型化により破損しやすい半導体チップの取り扱いを容易にする方法が提案されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体チップを回路基板に対してフリップチップ接続する場合、通常、ACF(異方導電性接着フィルム)やACP(異方導電性接着ペースト)などに代表される、少なくともフリップチップ接続時に軟化、あるいは流動する熱硬化性の接着剤が使用される。
【0014】
しかしながら、上記のような薄型の半導体チップを上記のような接着剤により回路基板に対してフリップチップ接続する場合には、以下に示すような問題が生じる。
【0015】
通常、フリップチップ接続では、図7に示すように、回路基板105上にACF等の熱硬化性の接着剤107を介して、半導体チップ101がそれぞれの電極が電気的に接続されるように仮圧着した状態で、ボンディングコレット110により半導体チップ101側から回路基板105に向かって圧接するようになっている。
【0016】
このため、ボンディングコレット110による加圧時、すなわち接続時に加熱された接着剤107は、熱により軟化あるいは流動化され、半導体チップ101と回路基板105との間から溢れ出し、半導体チップ101の側面側に回り込もうとする。
【0017】
したがって、図7に示すように、ボンディングコレット110により直接半導体チップ101を押圧するような場合には、溢れ出した接着剤107がボンディングコレット110に付着する虞がある。
【0018】
また、図8に示すように、半導体チップ101上に補強部材108が設けられている場合には、該補強部材108の厚みによってはボンディングコレット110に接着剤107が付着しないようになるものの、補強部材108に接着剤107が付着する虞がある。
【0019】
つまり、図7に示すように、ボンディングコレット110に接着剤107が達した場合は、該ボンディングコレット110が半導体チップ101に固着されてしまうので、正常なフリップチップ接続を連続して行うことが困難となる。
【0020】
また、図8に示すように、補強部材108に接着剤107が達した場合は、半導体チップ101を回路基板105に実装後に該補強部材108を取り外すことが困難となる。
【0021】
したがって、半導体チップを回路基板に対してフリップチップ接続する際に、軟化あるいは流動化する接着剤を使用する場合、半導体パッケージの生産性が低下するという問題が生じる。
【0022】
また、図8に示すように、半導体チップに補強部材を形成する方法では、半導体チップに取り付ける工程と、回路基板に実装された半導体チップから取り除く工程とが必要となり、半導体パッケージの製造にかかる工程が増加する。これによっても、半導体パッケージの生産性が低下するという問題が生じる。
【0023】
本発明は、上記の問題点を解決するためのものであり、その目的は、半導体チップと回路基板のフリップチップ接続時に軟化あるいは流動化する接着剤を使用した場合に、半導体パッケージの生産性の低下を招かないような半導体装置及びその実装方法を提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置の実装方法は、表面に機能回路及び該機能回路に接続された外部取り出し用の電極が設けられた回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定され、上記絶縁層はシリコン基板上に設けられており、当該シリコン基板上の絶縁層上に上記回路構成部が形成される半導体装置の実装方法であって、上記半導体装置を回路基板に対して接着剤を用いてフリップチップ接続する工程と、上記半導体装置のシリコン基板をエッチング除去する工程とを含むことを特徴としている。
【0025】
あるいは、表面に機能回路及び該機能回路に接続された外部取り出し用の電極が設けられた回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定され、上記絶縁層はシリコン基板上に設けられており、当該シリコン基板上の絶縁層上に上記回路構成部が形成される半導体装置の実装方法であって、上記半導体装置を回路基板に対して接着剤を用いてフリップチップ接続する工程と、上記半導体装置のSiO 2 からなる絶縁層をエッチング除去する工程とを含むことを特徴としている。
【0026】
通常、ACF(異方導電性接着フィルム)やACP(異方導電性接着ペースト)などに代表される、少なくともフリップチップ接続時に軟化、あるいは流動する接着剤を使用して半導体装置を回路基板に対してフリップチップ接続する場合、回路基板上に供給した前記接着剤がフリップチップ接続時に流動し半導体装置外に押し出され、はみ出した接着剤が半導体装置の回路構成部側面に回り込み、さらに該回路構成部の裏面にまで回り込む虞がある。特に、回路構成部の厚みが薄くなればなるほど、はみ出した接着剤が半導体装置の裏面にまで回り込む可能性が高くなる。
【0027】
そこで、上記構成のように、回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定されていることで、フリップチップ接続時において半導体装置と回路基板との間からはみ出した接着剤は、半導体装置の回路構成部側面に回り込んでも、絶縁層によりせき止められる。
【0028】
したがって、フリップチップ接続時に、絶縁層側から加圧するためのボンディングコレットにはみ出した接着剤が付着することがないので、接着剤によるボンディングコレットが半導体装置に固着するという不具合を低減することができ、正常なフリップチップ接続を続けることが可能となる。
【0029】
これにより、半導体装置を回路基板に実装して得られる実装体としての半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【0030】
また、絶縁層がシリコン基板上に設けられていることで、シリコン基板を有する状態でフリップチップ接続することになる。このため、回路構成部が薄くて破損しやすい場合であっても、シリコン基板が補強基板の機能を果たすので、半導体装置の強度を確保して破損を防ぐと共に、取り扱いが容易な半導体装置を提供することができる。
【0031】
しかも、このシリコン基板は、フリップチップ接続後に除去する事で、回路基板上には回路構成部のみが実装された状態にする事が可能である。特に、100μm以下の厚みの薄い回路構成部を有する半導体装置のように搬送中に破損しやすく、取り扱いが難しい場合にシリコン基板を補強部材の代わりに使用すれば効果的である。
【0032】
上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積を、上記回路構成部が取り出し用の電極を介して回路基板とフリップチップ接続される時に使用される接着剤のうち、回路構成部材と回路基板との接続部分からはみ出した接着剤が該絶縁層を越えてはみ出さない大きさに設定すればよい。
【0033】
この場合、フリップチップ接続時における半導体装置と回路基板との間からはみ出す接着剤を絶縁層によって確実にせき止めることができるので、半導体装置の裏面、すなわちボンディングコレット等が接触する面にまで接着剤が到達することがなくなる。
【0034】
したがって、ボンディングコレット等のフリップチップ接続に必要な装置へのはみ出した接着剤の付着がなくなるので、半導体パッケージの生産性の向上をより高めることが可能となる。
【0035】
上記外部取り出し電極が、ニッケル、金、ハンダのいずれかからなり、回路構成部と回路基板とが対向した際に、回路基板に向かって突起した突起電極であってもよい。
【0036】
この場合、半導体装置の回路構成部表面に突起電極を形成しておく事で、フリップチップ接続が容易に、また確実に実施することが可能となる。そして、この電極がニッケル、金、ハンダのいずれかからなるこで、フリップチップ接続後に良好な導通を得ることができる。
【0037】
上記回路構成部の厚みが、0.5μm〜100μmの厚みであってもよい。
【0038】
この場合、回路構成部が形成されている半導体層の厚みが0.5μm〜100μmの厚みとする事で、曲げに対して強くなり、可撓性を有するようになることから、薄くて曲げる事が可能な半導体パッケージを提供する事ができる。
【0039】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態1〕
本発明の実施の一形態について説明すれば、以下の通りである。
【0040】
本実施の形態にかかる半導体装置は、図1に示すように、表面1aに機能回路及び該機能回路に接続された外部取り出し用の電極である突起電極4が設けられた回路構成部1の裏面1bに、絶縁層2が形成された構造となっている。
【0041】
上記絶縁層2の回路構成部1に対向する側の面(表面2a)とは反対側の面(裏面2b)に、該絶縁層2の面積と同じ面積を有するSi基板(シリコン基板)3が形成されている。なお、このSi基板3は、半導体装置が後述する回路基板5に実装された時点で除去される。
【0042】
上記絶縁層2の表面2aの面積が、上記該回路構成部1の裏面1bの面積よりも大きくなるように設定されている。
【0043】
ここで、上記絶縁層2の表面2aの面積について、図2を参照しながら以下に説明する。図2は、上記構成の半導体装置を回路基板5に実装した状態、すなわち実装体(半導体パッケージ)の概略断面図を示している。
【0044】
図2に示すように、半導体装置を回路基板5に実装する場合には、該回路基板5の表面5aに設けられた電極6に、回路構成部1の表面1aに設けられた突起電極4とが電気的に接続されるように、半導体装置と回路基板5とが対向して配置され、ACF(Anisotropic Conductive Film)等の熱硬化性樹脂からなる接着剤7によって接続される。
【0045】
上記の半導体装置と回路基板5との接続は、フリップチップ接続であり、接続時に加圧及び加熱している。このため、接着剤7は、軟化あるいは流動化して半導体装置の回路構成部1と回路基板5との接続部分から外側に溢れ出す。このとき、溢れ出した接着剤7のはみ出し部7aが回路構成部1の裏面1bを越えて半導体装置の裏側に到達しないようにせき止める必要がある。
【0046】
したがって、少なくとも、フリップチップ接続時に溢れ出した接着剤7のはみ出し部7aが絶縁層2の表面2aに接触して、図2に示すようにせき止める大きさに、絶縁層2の表面2aの大きさを設定すればよい。
【0047】
本実施の形態では、図1に示すように、絶縁層2の裏面2bにはSi基板3が形成されており、絶縁層2の表面2aには回路構成部1が形成された半導体装置、すなわちSOI(Silicon on Insulator)ウエーハに回路構成部1が形成されたSOI型の半導体装置について説明する。
【0048】
また、回路構成部1の表面1aには外部に突出した突起電極4が形成されているので、回路基板5(フレキシブル基板)の電極6との接続が容易で確実に行う事ができる。
【0049】
上記のSOI型の半導体装置の製造方法について、図3(a)(b)及び図4(a)〜(c)を参照しながら以下に説明する。
【0050】
まず、図3(a)に示すように、Si基板3上の絶縁層2上に、機能回路を形成した回路構成部1を複数形成する。
【0051】
回路構成部1の厚みは、半導体装置としての回路が構成するために必要な厚み0.5μm程度から100μm程度であるが、半導体装置の曲げに対する強さを確保するには、望ましくは10μm以下である。なお、本実施の形態では、3μmとした。
【0052】
絶縁層2は、Si02やSiNなどの酸化膜や窒化膜を用いることができる。なお、本実施の形態では、絶縁層2として、0.1μm厚みを有するSiO2膜を用いた。この絶縁層2は、後工程でSi基板3をエッチング除去する際のストッパーとしての役割を果たす。
【0053】
上記回路構成部1と絶縁層2を合わせたときの厚みが100μm以下では、強度が弱く、搬送等の取り扱いも難しいため、Si基板3の厚みを400μmに設定している。
【0054】
回路基板5は、ポリイミド系樹脂からなり10〜25μmの厚さのフレキシブ基板である。
【0055】
続いて、図3(b)に示すように、半導体装置の能動面、すなわち回路構成部1の表面1aの機能回路に形成されている外部取り出し電極上に、3−5μm程度の高さを有する突起電極4を形成する。
【0056】
上記突起電極4は、電解、あるいは無電解メッキによりニッケル及び金が順次形成されることにより設けられている。
【0057】
こうして作製された半導体装置は、所定のダイシング位置に基づいて、個別の半導体装置に切り分けられる。
【0058】
次に、上記半導体装置を回路基板5に実装した半導体パッケージの製造方法について説明する。
【0059】
まず、図4(a)に示すように、回路基板5上にフィルム状の異方導電性の接着剤7を貼り付ける。
【0060】
一方、半導体装置は、Si基板3側でボンディングコレット10によって真空吸着され、半導体装置の回路構成部1に形成された突起電極4と上記回路基板5の電極6との位置合わせを行う。ボンディングコレット10は、中央部に設けられた真空吸着穴10aによって半導体装置を真空吸着するようになっている。
【0061】
次いで、図4(b)に示すように、ボンディングコレット10によって、半導体装置と回路基板5とを接触させるように加圧し、そして加熱する。
【0062】
この時、半導体装置下部の接着剤7は軟化、流動し、その一部は半導体装置の外部に排出され、該接着剤7のはみ出し部7aは半導体装置の絶縁層2の表面2aに達する。
【0063】
しかしながら、上述したように、少なくとも、フリップチップ接続時に溢れ出した接着剤7のはみ出し部7aが絶縁層2の表面2aに接触して、図2に示すようにせき止める大きさに、絶縁層2の表面2aの大きさに設定されているので、Si基板3やボンディングコレット10への付着を防止できるため、問題なくフリップチップ実装が完了する。
【0064】
次に、Si基板3をエッチング除去する。これにより、図4(c)に示すように、回路構成部1及び絶縁層2が回路基板5に対してフリップチップ実装された形状となるため、曲げて使用する事ができるフレキシブルな半導体パッケージを実現する事ができる。なお、曲げる必要もなく、Si基板3の厚みも問題にならないのであれば、Si基板3を除去する必要はない。
【0065】
Si基板3のエッチングは、例えばフッ酸と硝酸の混合液などで行う事ができる。
【0066】
本実施の形態では、半導体装置の回路構成部1の厚みが10μm以下と薄いため、曲げに対して強くなり、可撓性を有するようになる。これにより、薄くて曲げる事が可能な半導体パッケージを提供する事ができる。さらに、絶縁層2をフッ酸で除去してもよい。
【0067】
〔実施の形態2〕
本発明の他の実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、前記の実施の形態と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【0068】
本実施の形態にかかる半導体装置は、前記実施の形態1と同様にして製造されるが、図5(a)に示すように、突起電極4の代わりに、金ワイヤバンプ14が回路構成部1上に設けられている点と、ACFからなる接着剤7の代わりにペースト状の異方導電性接着剤(ACP:(Anisotropic Conductive Paste))8が用いられている点とが異なる。
【0069】
上記金ワイヤバンプ14は、ワイヤボンド技術を用いて回路構成部1上に設けられ、その高さは50−60μmに設定されている。
【0070】
ここで、上記構成の半導体装置を回路基板5に実装して半導体パッケージを製造する方法について、図5(a)(b)を参照しながら以下に説明する。
【0071】
まず、図5(a)に示すように、回路基板5上の所定の位置、すなわち回路構成部1と回路基板5の接続部中央近傍位置に接着剤8をディスペンスにより供給する。
【0072】
一方、半導体装置は、ボンディングコレット10で吸着され、該半導体装置の金ワイヤバンプ14と回路基板5の電極6との位置合わせをする。
【0073】
そして、半導体装置と回路基板5とを接触させるように、ボンディングコレット10によって加圧すると接着剤8は、半導体装置と回路基板5間を広がり、その一部は回路構成部1の外部に排出され、はみ出し部8aが半導体装置の絶縁層2の表面2aに達する。この加圧状態で、接続部分を加熱し接着剤8を硬化する。
【0074】
次に、SiO2からなる絶縁層2をエッチング除去する。このとき、同時にSi基板3を除去する。これにより、図5(b)に示すような回路構成部1のみが回路基板5にフリップチップ接続された半導体パッケージを得ることができる。
【0075】
なお、上記のSi02のエッチングにはフッ酸を用いた。
【0076】
このように、薄い半導体装置の回路構成部1のみが可撓性を有する回路基板5に対してフリップチップ実装された形状となるため、曲げて使用する事ができるフレキシブルな半導体パッケージを実現する事ができる。
【0077】
〔実施の形態3〕
本発明のさらに他の実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、前記の各実施の形態と同一機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【0078】
本実施の形態にかかる半導体装置は、前記実施の形態1と同様にして製造されるが、図6(a)に示すように、突起電極4の代わりに、半田バンプ24が回路構成部1上に設けられている点と、ACFからなる接着剤7の代わりに、液状の熱硬化性樹脂からなる接着剤9が用いられている点とが異なる。
【0079】
上記半田バンプ24は、電気メッキにより回路構成部1上に設けられ、その高さは80μm程度に設定されている。
【0080】
ここで、上記構成の半導体装置を回路基板5に実装して半導体パッケージを製造する方法について、図6(a)〜(c)を参照しながら以下に説明する。
【0081】
まず、図6(a)に示すように、回路基板5上の所定の位置、すなわち回路構成部1と回路基板5の接続部中央近傍位置に接着剤9を塗布する。
【0082】
一方、半導体装置は、ボンディングコレット10で吸着され、該半導体装置の半田バンプ24と回路基板5の電極6との位置合わせをする。
【0083】
そして、半導体装置と回路基板5とを接触させるように、ボンディングコレット10によって加圧すると接着剤9は、図6(b)に示すように、半導体装置と回路基板5間を広がり、その一部は回路構成部1の外部に排出され、はみ出し部9aが半導体装置の絶縁層2の表面2aに達する。
この加圧状態で、回路基板5をリフロー炉に入れ、半田バンプ24を溶融させて回路基板5の電極6に濡れ広がるようにする。このとき、接着剤9は、加熱により硬化する。
【0084】
次に、SiO2からなる絶縁層2をエッチング除去する。このとき、同時にSi基板3を除去する。これにより、図6(c)に示すような回路構成部1のみが回路基板5にフリップチップ接続された半導体パッケージを得ることができる。
【0085】
なお、上記のSi02のエッチングにはフッ酸を用いた。
【0086】
このように、薄い半導体装置の回路構成部1のみが可撓性を有する回路基板5に対してフリップチップ実装された形状となるため、曲げて使用する事ができるフレキシブルな半導体パッケージを実現する事ができる。
【0087】
以上述べてきたように、本発明によれば、非常に薄い半導体回路構成部をSi基板で補強した状態で実装が可能なため、半導体チッブを破壊する事無く取り扱う事が可能となる。
【0088】
また、ACFやACPなどの接続時に軟化、流動する接着剤を用いたフリップチップ実装が可能なため、曲げる事が可能なフレキシブルな半導体パッケージを提供する事ができる。
【0089】
【発明の効果】
以上のように、本発明の半導体装置の実装方法は、表面に機能回路及び該機能回路に接続された外部取り出し用の電極が設けられた回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定され、上記絶縁層はシリコン基板上に設けられており、当該シリコン基板上の絶縁層上に上記回路構成部が形成される半導体装置の実装方法であって、上記半導体装置を回路基板に対して接着剤を用いてフリップチップ接続する工程と、上記半導体装置のシリコン基板をエッチング除去する工程とを含む。
【0090】
あるいは、表面に機能回路及び該機能回路に接続された外部取り出し用の電極が設けられた回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定され、上記絶縁層はシリコン基板上に設けられており、当該シリコン基板上の絶縁層上に上記回路構成部が形成される半導体装置の実装方法であって、上記半導体装置を回路基板に対して接着剤を用いてフリップチップ接続する工程と、上記半導体装置のSiO 2 からなる絶縁層をエッチング除去する工程とを含む。
【0091】
それゆえ、回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定されていることで、フリップチップ接続時において半導体装置と回路基板との間からはみ出した接着剤は、半導体装置の回路構成部側面に回り込んでも、絶縁層によりせき止められる。
【0092】
したがって、フリップチップ接続時に、絶縁層側から加圧するためのボンディングコレットにはみ出した接着剤が付着することがないので、接着剤によるボンディングコレットが半導体装置に固着するという不具合を低減することができ、正常なフリップチップ接続を続けることが可能となる。
【0093】
これにより、半導体装置を回路基板に実装して得られる実装体としての半導体パッケージの生産性を向上させることができるという効果を奏する。
【0094】
また、上記絶縁層は、該絶縁層と同じ面積のシリコン基板上に設けられていてもよい。
【0095】
この場合、絶縁層が該絶縁層と同じ面積のシリコン基板上に設けられていることで、シリコン基板を有する状態でフリップチップ接続することになる。このため、回路構成部が薄くて破損しやすい場合であっても、シリコン基板が補強基板の機能を果たすので、半導体装置の強度を確保して破損を防ぐと共に、取り扱いが容易な半導体装置を提供することができるという効果を奏する。
【0096】
上記絶縁層の面積を、上記回路構成部が取り出し用の電極を介して回路基板とフリップチップ接続される時に使用される接着剤が、回路構成部材と回路基板との接続部分からはみ出した接着剤が該絶縁層を越えてはみ出さない大きさに設定すればよい。
【0097】
この場合、フリップチップ接続時における半導体装置と回路基板との間からはみ出す接着剤を絶縁層によって確実にせき止めることができるので、半導体装置の裏面、すなわちボンディングコレット等が接触する面にまで接着剤が到達することがなくなる。
【0098】
したがって、ボンディングコレット等のフリップチップ接続に必要な装置へのはみ出した接着剤の付着がなくなるので、半導体パッケージの生産性の向上をより高めることができるという効果を奏する。
【0099】
上記外部取り出し電極が、ニッケル、金、ハンダのいずれかからなり、回路構成部が回路基板に対向した際に、該回路基板に向かって突起した突起電極であってもよい。
【0100】
この場合、半導体装置の回路構成部表面に突起電極を形成しておく事で、フリップチップ接続が容易に、また確実に実施することが可能となる。そして、この電極がニッケル、金、ハンダのいずれかからなるこで、フリップチップ接続後に良好な導通を得ることができるという効果を奏する。
【0101】
上記回路構成部の厚みが、0.5μm〜100μmの厚みであってもよい。
【0102】
この場合、回路構成部が形成されている半導体層の厚みが0.5μm〜100μmの厚みとする事で、曲げに対して強くなり、可撓性を有するようになることから、薄くて曲げる事が可能な半導体パッケージを提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の概略断面図である。
【図2】 図1に示す半導体装置を回路基板上に実装した半導体パッケージの概略断面図である。
【図3】 (a)(b)は、図1に示す半導体装置の製造工程を示す概略断面図である。
【図4】 (a)〜(c)は、図3(a)(b)に示す製造工程により製造された半導体装置を回路基板に実装する実装工程を示す概略断面図である。
【図5】 (a)(b)は、本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置を回路基板に実装する実装工程を示す概略断面図である。
【図6】 (a)〜(c)は、本発明のさらに他の実施の形態にかかる半導体装置を回路基板に実装する実装工程を示す概略断面図である。
【図7】 従来の半導体装置と回路基板の実装工程を示す概略断面図である。
【図8】 従来の半導体装置と回路基板の実装工程の他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 回路構成部
1a 表面
1b 裏面
2 絶縁層
2a 表面
2b 裏面
3 Si基板(シリコン基板)
4 突起電極
5 回路基板
6 電極
7 接着剤
7a はみ出し部
8 接着剤
8a はみ出し部
9 接着剤
9a はみ出し部
10 ボンディングコレット
14 金ワイヤバンプ
24 半田バンプ
Claims (7)
- 表面に機能回路及び該機能回路に接続された外部取り出し用の電極が設けられた回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、
上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定され、
上記絶縁層はシリコン基板上に設けられており、当該シリコン基板上の絶縁層上に上記回路構成部が形成される半導体装置の実装方法であって、
上記半導体装置を回路基板に対して接着剤を用いてフリップチップ接続する工程と、
上記半導体装置のシリコン基板をエッチング除去する工程とを含むことを特徴とする実装方法。 - 表面に機能回路及び該機能回路に接続された外部取り出し用の電極が設けられた回路構成部の裏面に、絶縁層が形成され、
上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積が、該回路構成部の裏面の面積よりも大きくなるように設定され、
上記絶縁層はシリコン基板上に設けられており、当該シリコン基板上の絶縁層上に上記回路構成部が形成される半導体装置の実装方法であって、
上記半導体装置を回路基板に対して接着剤を用いてフリップチップ接続する工程と、
上記半導体装置のSiO 2 からなる絶縁層をエッチング除去する工程とを含むことを特徴とする実装方法。 - 上記絶縁層の回路構成部に対向する側の面積は、上記回路構成部が取り出し用の電極を介して回路基板とフリップチップ接続される時に使用される接着剤のうち、回路構成部材と回路基板との接続部分からはみ出した接着剤が該絶縁層を越えてはみ出さない大きさに設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の実装方法。
- 上記半導体装置はSOI型であって、上記絶縁層の裏面にはシリコン基板が形成されており、上記絶縁層の表面には回路構成部が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3の何れか1項に記載の半導体装置の実装方法。
- 上記外部取り出し電極が、ニッケル、金、ハンダのいずれかからなり、回路構成部が回路基板に対向した際に、該回路基板に向かって突起した突起電極であることを特徴とする請求項1ないし4の何れか1項に記載の半導体装置の実装方法。
- 上記回路構成部の厚みが、0.5μm〜100μmの厚みであることを特徴とする請求項1ないし5の何れか1項に記載の半導体装置の実装方法。
- 上記接着剤が、異方導電性を有する液状またはフィルム状の接着剤であることを特徴とする請求項1ないし6の何れか1項に記載の実装方法。
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