JP3719624B2 - 電子部品実装用はんだ及び電子部品の実装方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明ははんだに関し、特にIC等の電子部品を回路基板に実装するのに有用なものである。
【0002】
【従来の技術】
近来、電子機器の小型、薄型、軽量、多機能化は、PHS、カ−ナビゲ−ションシステム、ビデオカメラ、ノ−トブックパソコン等のパ−ソナルユ−スにおいて顕著であり、これに伴い電子部品の小型化、複合化、高機能化、表面実装の高密度化が加速され、電子回路板の発熱量の増加や使用条件の過酷化に対処するために、電子部品のはんだ付け部の熱疲労に対する信頼性の一層の向上が要求されている。
電子部品のはんだ付けには、Sn−Pb系はんだを使用することが多く、前述した要求に対応するため、そのはんだ付け部の機械的強度を増強させ、耐熱疲労性を向上させるために、Cuを添加することが公知である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
回路基板のランド或いは半導体パッケ−ジのリ−ドやランドには、防食のためにNiをメッキすることがあり、この場合、そのメッキを無電解メッキで行うことがある。
例えば、BGA(ボ−ルグリッドアレイ)においては、はんだボ−ルを固着するランドのNiメッキを無電解メッキで行って、ランドの微小化、工数の低減、低コスト化を図ることが公知である。
しかしながら、無電解Niメッキ面を、上記Cuを添加したSn−Pb系はんだではんだ付けしても、耐熱疲労性のさしたる向上を得ることができない。
【0004】
そこで、本発明者において、その原因を鋭意探究したところ、Ni膜の析出時、無電解Niメッキ浴中の還元剤〔Na H PO
、KH PO 、NaBH 、(CH ) NH・BH 〕のPやBが共析してその析出Ni膜に含有され、熱履歴の経過中、接合界面にSnの脆弱な燐化物や硼化物が生成される結果であることが判明した。
本発明の目的は、Sn−Pb系のはんだにおいて、はんだ付け部の耐熱疲労性(繰返し熱応力により破断に至る難易性)をCu単独添加の場合に較べて一段と向上させることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子部品実装用はんだは、Snが5.0〜95.0重量%、Cuが0.1〜3.0重量%、Ptが0.05〜0.2重量%、残部がPbであることを特徴とし、100重量部に対し、PまたはBの少なくとも一方を0.3重量部以下添加することができる。
本発明に係る電子部品の実装方法は、無電解Niメッキ面を有する電子部品、特にシリコンチップと該電子部品を実装する基板とを上記はんだにより接続することを特徴とする。
【0006】
本発明に係るはんだにおいて、Sn−Pb系をベ−スとした理由は、耐熱性の低い半導体部品の実装にも使用できるようにすることにある。
本発明に係るはんだにおいては、被接合面が無電解Niメッキ面であっても、すなわち、析出金属膜中に無電解Niメッキ浴中の還元剤成分であるPやBが共析していても、好適にはんだ付けできる。
本発明に係るはんだにおいて、Snを5〜95重量%とした理由は、被接合面に対する濡れ性及び広がり性を確保するためである。
Cuを添加する理由は、後述するPtとの相乗作用で、はんだの機械的強度を増強させ、耐熱疲労性を向上させると共に当該Cuの接合界面近傍への移行によりSnと金属間化合物を形成させ、Snの燐化物や硼化物の生成を抑えて接合強度の低下を抑制するためである。Cuの添加量を0.1重量%〜3.0重量%とする理由は、0.1重量%未満では、これらの向上・抑制効果を満足に達成し難く、3.0重量%を越えると、液相線温度が高くなり(250℃以上)、半導体部品の安全なはんだ付けが難しくなり、またSnとの金属間化合物量の過剰化のために、接合界面の機械的強度の低下が招来されるからである。
Ptを添加する理由は、上記Cuとの相乗作用で、はんだの機械的強度を増強させ、耐熱疲労性を向上させると共に当該Ptの接合界面近傍への移行により燐化物や硼化物をSnよりも優先的に生成させ、Snの燐化物や硼化物の生成を抑えて接合強度の低下を抑制するためである。Ptの添加量を0.05重量%〜0.2重量%とする理由は、0.05重量%未満では、機械的強度の増強、耐熱疲労性の向上がCu単独添加の場合に較べ実質的に優位差がなくなり、またPtの燐化物や硼化物の生成が僅少となって接合強度の低下阻止を満足に達成し難く、0.2重量%を越えると、液相線温度が高くなって、半導体部品の安全なはんだ付けが難しくなり、また、流動性も低下するからである。
【0007】
本発明に係るはんだにおいて、PまたはBを添加する理由は、PまたはBを含有する無電解Niメッキ膜との接合前に、はんだ中に予めSnの硼化物を生成させておき、はんだ付け時やその後の熱履歴の経過中に、無電解Niメッキ膜に含有されているPまたはBとの化合物が接合界面に生成するのを抑制し、接合強度の低下を抑制することにある。PまたはBの添加量を0.3重量部以下とする理由は、0.3重量部を越えると高価になるばかりか、はんだの脆弱化が招来されるからである。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明に係るはんだは、発明の作用効果を実質的に維持できる範囲内であれば、不純物を含んだ状態で使用することができる。
而して、JIS Z 3282−1986−表3に規定されているA級の化学成分に従い、Znを0.003重量%以下、Feを0.03重量%以下、Alを0.005重量%以下、Asを0.03重量%以下、Cdを0.005重量%以下の範囲で含有することが許容される。
【0009】
本発明に係るはんだは、ランドを無電解NiメッキしたBGAやCSP(チップサイズパツケ−ジ)等におけるランドでのはんだバンプの形成に使用するはんだボ−ル、シリコンチップ等の電子部品をフロ−はんだ付け法によって回路基板に実装する場合に使用するはんだ浴、電子部品をリフロ−はんだ付け法によって回路基板に実装する場合に使用するクリ−ムはんだのはんだ粉末の外、棒状はんだ、線状はんだ、リボン状はんだ、プリフォ−ム状はんだ、やに入りはんだとしても使用できる。
【0010】
上記BGAにおけるはんだバンプの形成においては、本発明に係るはんだのボ−ル(通常1000〜500μmの直径)を、BGAの無電解Niメッキランド(直径は上記のボ−ル直径よりもやや小)にフラックスと共に搭載し、リフロ−によりはんだボ−ルを溶融してバンプに形成することができる。このようにして、バンプを形成したBGAを実装するには、回路基板にフラックスまたはソルダ−ペ−ストを印刷し、BGAのバンプをこの印刷フラックス或いは印刷ソルダ−ペ−ストに仮固定し、リフロ−によりバンプを溶融させ、次いで冷却してはんだを凝固させ、これにて実装を終了する。
本発明に係るはんだを使用する無電解Ni接合面は、本発明の効果を実質的に維持できる範囲内であれば、はんだの濡れ性を良くするために、その表面にSnやPdやAu等をメッキすることもできる。
【0011】
【実施例】
〔実施例1〕
BGA(ランドピッチ1.5mm、ランド外径700μm、ランド個数15×15)のランドに無電解Niメッキを施したものを、被接合面とした。
はんだには、Sn5重量%、Cu0.5重量%、Pt0.2重量%、残部Pbを使用し、このはんだで直径800μmのはんだボ−ルを調製し、このはんだボ−ルを上記BGAの無電解Niメッキランドにフラックスで付着させ、不活性雰囲気中、液相線温度+50℃の温度でリフロ−によりバンプを形成した。
このバンプ形成BGAを不活性雰囲気中、液相線温度+50℃の温度でリフロ−により回路基板に接合した。
この試料を150℃×100時間でエ−ジングし、プッシュプルゲ−ジを用い引張り速度約1mm/sec、試験温度25℃で引張り試験を行ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り強度は表1の通りであった。
また、エ−ジング後での引張り破断は、はんだ合金内部からの破断であった。
【0012】
【表1】
【0013】
〔実施例2〜9及び参考例1〕
はんだとして、表1に示す組成のものを使用した以外、実施例1に同じとした。
実施例1と同様の条件でエ−ジングし、引張り試験を行ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り強度は表1の通りであった。
また、エ−ジング後での引張り破断は、何れの実施例ともはんだ合金内部からの破断であった。
なお、Sn−Pb系はんだの電解Niメッキ面に対する接合部のエ−ジング引張り破断ははんだ合金内部からの破断であり、上記各実施例の破断はエ−ジング後での引張り破断は、この破断状態に一致している。
【0014】
〔比較例1〜4〕
はんだとして、表1に示す組成のものを使用した以外、実施例1に同じとした。
実施例1と同様の条件でエ−ジングし、引張り試験を行ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り強度は表1の通りであった。
また、エ−ジング後での引張り破断は、比較例4においては、はんだ合金内部からの破断であったが、他は全て接合界面からの破断であった。
【0015】
【発明の効果】
比較例1と比較例3または4との対比から、CuまたはPt単独添加でも初期引張り強度を増加できるが、この単独添加では、エ−ジング後での引張り強度保持率がたかだか60%であって、耐熱疲労特性が不充分であるのに対し、実施例1〜9のようにCuとPtの両方を添加しているはんだでは、初期引張り強度の増加及びエ−ジング後での引張り強度保持率90%もの充分な耐熱疲労特性を保証でき、参考例1と実施例の対比から、Ptが0.2重量%以下の少量添加でも充分な耐熱疲労特性を保証できる。
かかる優れた耐熱疲労特性と、破断状態も対電解Ni接合時と同様にはんだ内部から発生することから、はんだ付け界面に脆いSnの硼化物が生成するのを防止できることが明らかである。
従って、本発明に係るはんだを使用して電子部品を実装すれば、電子部品を無電解Niメッキ面にはんだ付けしても、充分な接合信頼性、安定性を保証できる。
Claims (5)
- Snが5.0〜95.0重量%、Cuが0.1〜3.0重量%、Ptが0.05〜0.2重量%、残部がPbからなることを特徴とする電子部品実装用はんだ。
- 請求項1記載の組成100重量部にPまたはBの少なくとも一方が0.3重量部以下添加されていることを特徴とする電子部品実装用はんだ。
- 無電解Niメッキ面のはんだ付けに使用する請求項1または2記載の電子部品実装用はんだ。
- 無電解Niメッキ面を有する電子部品と該電子部品を実装する基板とを請求項1〜3何れか記載の電子部品実装用はんだにより接続することを特徴とする電子部品の実装方法。
- 電子部品がシリコンチップである請求項4記載の電子部品の実装方法。
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