JP3707759B2 - 情報記録媒体及びオキソノール化合物 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高エネルギー密度のレーザ光を用いて情報の書き込みが可能な情報記録媒体及び情報記録媒体の製造に有用な色素化合物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、レーザ光により一回限りの情報の記録が可能な情報記録媒体（光ディスク）は追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）とも呼ばれ、例えばコンピュータ用ディスクメモリーなどとして広く利用されている。ＣＤ−Ｒ型の光ディスクの基本構造は、ポリマーなどからなる透明な円盤状基板と、この上に設けられたＴｅ、Ｉｎ等の金属又は半金属；又はシアニン系、金属錯体系、キノン系などの色素からなるレーザ光により情報の記録が可能な記録層とを有する。なお、通常は、該記録層の上に金などからなる反射層、更に樹脂製の保護層が順に積層状態で設けられている。
【０００３】
光ディスクへの情報の書き込み（記録）は、通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光を照射することにより行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的な変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）も通常、記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（ピットの生成などによる記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
【０００４】
色素からなる記録層は、金属のように蒸着法でなく、塗布により容易に形成できるため、製造コストの面で有利であり、更に金属記録層に比べて高感度であるなどの利点を有する。しかし色素記録層は、一般に熱、あるいは光に対する経時的な安定性が低いなどの問題がある。従って、長期間にわたって熱、あるいは光に対しても安定した性能を維持できる記録層の開発が望まれる。しかし、今まで必ずしも満足すべき性能を持つ記録層が開発されていないのが現状である。
【０００５】
特開昭６３−２０９９９５号公報には、オキソノール色素からなる記録層が基板上に設けられた情報記録媒体が開示されている。この色素化合物を用いることにより、長期間にわたり安定した記録再生特性を維持し得るとされている。そしてここには、分子内に塩の形でアンモニウムが導入されたオキソノール色素化合物が記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者の検討によれば、上記公報に記載されているオキソノール色素を記録層に含む情報記録媒体は、熱に対する保存性及び耐久性（繰り返しの再生）は改善されるものの、長時間日光などの光に曝された場合には再生不良が発生し易く、耐光性に対してはなお充分ではないことが判明した。
従って、本発明の主な目的は、記録特性を長期にわたって充分維持し得るような高い安定性、特に耐光性においても高い安定性を有する情報記録媒体を提供することである。
また本発明の目的は、上記のような保存安定性の高い情報記録媒体の製造に有用な新規なオキソノール色素化合物を提供することでもある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者の研究により、従来のオキソノール系色素化合物に対してオニウム原子に水素原子が結合していないオニウム塩、特に第四級アンモニウム塩を導入した色素化合物を用いることにより、従来に比べて耐光性においても更に改良された保存安定性の高い情報記録媒体を製造できることが見出された。
【０００８】
本発明は、基板上に、レーザ光により情報の記録が可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体において、該記録層が、下記の一般式（Ｉ−１）で表される色素化合物及び／又は一般式（Ｉ−２）で表される色素化合物を含むことを特徴とする情報記録媒体にある。
【０００９】
【化１５】

【００１０】
［式中、Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² は各々独立に置換基を表し、Ｙ¹ 及びＺ¹ は各々独立に、上記の式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３及びＡ−４からなる群より選ばれる炭素環もしくは上記の式Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７及びＡ−４２からなる群より選ばれる複素環を形成するために必要な原子団を表し、ＥおよびＧは各々独立に、共役二重結合鎖を完成するために必要な原子団を表し、Ｘ¹ は、＝Ｏ、＝ＮＲまたは＝Ｃ（ＣＮ）₂ を表し、Ｘ² は、−Ｏ、−ＮＲ又は−Ｃ（ＣＮ）₂ を表し（但し、Ｒは置換基を表す）、Ｌ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 、Ｌ⁴ 及びＬ⁵ は各々独立に、置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ^k+は、正電荷を持つオニウム原子に水素原子が結合してないオニウムイオンを表し、ＲａとＲｂは各々独立に水素原子もしくは置換基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０、１または２を表し、ｘ及びｙは各々独立に０または１を表し、そしてｋは１〜１０の整数を表す。］
【００１１】
また本発明は、一般式（IV−１）で表されるオキソノール化合物または一般式（IV−２）で表されるオキソノール化合物にもある。
【００１２】
【化１６】

【００１３】
［式中、Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ およびＢ⁴ は各々独立に、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数２〜１８のアシル基、炭素数１〜１８のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基、炭素数１〜１８のアルキルスルフィニル基、炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１８のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基、炭素数２〜１８のアシルオキシ基、スルホニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、又は４〜７員の複素環基を表し（これらの置換基は、更に上記置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）、Ｙ² 及びＺ² は各々独立に上記の式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３及びＡ−４からなる群より選ばれる炭素環もしくは上記の式Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７及びＡ−４２からなる群より選ばれる複素環を形成するために必要な原子団を表し（これらの環は更に上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていても良く、また４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環と縮合していてもよい）、Ｌ⁶、Ｌ⁷、Ｌ⁸ 、Ｌ⁹ 及びＬ¹⁰は各々独立に、上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる一又は二の基で置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ²⁺は第４級アンモニウムイオンを表し、ＲａとＲｂは各々独立に水素原子もしくは置換基を表し、そしてｍ１及びｎ１は各々独立に０、１または２を表す。］
【００１４】
上記の本発明は、以下の態様であることが好ましい。
（１）一般式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）において、Ｍ^k+が第４級アンモニウムイオンである。
（２）一般式（Ｉ−１）または（Ｉ−２）において、ｋが１〜４である。
（３）一般式（Ｉ−１）または（Ｉ−２）において、ｋが２である。
（４）一般式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）で表される色素化合物において、Ｍ^k+が下記一般式（II）もしくは（ III ）で表されるオニウムイオンである。
【００１５】
【化１７】

【００１６】
一般式（II）において、Ｒ¹ 及びＲ² は各々独立にアルキル基、 アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又は複素環基を表し、Ｒ³ 及びＲ⁴ は各々独立に置換基を表し、但し、Ｒ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ 又はＲ³ とＲ⁴ は各々互いに連結して環を形成しても良く、ｑ１及びｒ１は各々独立に０〜４の整数を表し、そしてｑ１とｒ１の双方が２以上の場合には、複数のＲ³ 及び複数のＲ⁴ は各々互いに同じでもあっても異なっていてもよい。また、一般式（III）において、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は各々独立にアルキル基、 アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又は複素環基を表し、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ は各々独立に置換基を表し、但し、Ｒ⁵ とＲ⁶ 、Ｒ⁵ とＲ⁷ 、Ｒ⁶ とＲ⁸ 又はＲ⁷ とＲ⁸ は各々互いに連結して環を形成しても良く、ｑ２及びｒ２は各々独立に０〜４の整数を表し、そしてｑ２とｒ２の双方が２以上の場合には、複数のＲ⁷ 及び複数のＲ⁸ は各々互いに同じでもあっても異なっていてもよい。
【００１７】
本発明はまた、基板上に、レーザ光により情報の記録が可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体において、該記録層が、下記一般式（Ｉ−１）で表される色素化合物及び／又は一般式（Ｉ−２）で表される色素化合物を含むことを特徴とする情報記録媒体にもある。
【００１８】
【化１８】

【００１９】
［式中、Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² は各々独立に置換基を表し、Ｙ¹ 及びＺ¹ は各々独立に、炭素環もしくは複素環を形成するために必要な原子団を表し、ＥおよびＧは各々独立に、共役二重結合鎖を完成するために必要な原子団を表し、Ｘ¹ は、＝Ｏ、＝ＮＲまたは＝Ｃ（ＣＮ）₂ を表し、Ｘ² は、−Ｏ、−ＮＲ又は−Ｃ（ＣＮ）₂ を表し（但し、Ｒは置換基を表す）、Ｌ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 、Ｌ⁴ 及びＬ⁵ は各々独立に、置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ^k+は、正電荷を持つオニウム原子に水素原子が結合してないオニウムイオンを表し、ｍ及びｎは各々独立に０、１または２を表し、ｘ及びｙは各々独立に０または１を表し、そしてｋは２を表す。］
【００２０】
本発明はまた、一般式（IV−１）で表されるオキソノール化合物または一般式（IV−２）で表されるオキソノール化合物にもある。
【００２１】
【化１９】

【００２２】
式中、Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ およびＢ⁴ は各々独立に、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数２〜１８のアシル基、炭素数１〜１８のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基、炭素数１〜１８のアルキルスルフィニル基、炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１８のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基、炭素数２〜１８のアシルオキシ基、スルホニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、又は４〜７員の複素環基を表し（これらの置換基は、更に上記置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）、Ｙ² 及びＺ² は各々独立に４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環を形成するために必要な原子団を表し（これらの環は更に上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていても良く、また４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環と縮合していてもよい）、Ｌ⁶ 、Ｌ⁷ 、Ｌ⁸ 、Ｌ⁹ 及びＬ¹⁰は各々独立に、上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ₄ で表される置換基からなる群より選ばれる一又は二の基で置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ²⁺は一般式（Ｖ）もしくは（VI）で表される第４級アンモニウムイオンを表し、そしてｍ１及びｎ１は各々独立に０、１または２を表す。
【００２３】
Ｒ¹¹及びＲ¹²は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、但し、Ｒ¹¹とＲ¹³、Ｒ¹²とＲ¹⁴又はＲ¹³とＲ¹⁴は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、ｑ３及びｒ３は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ３とｒ３の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹³及び複数のＲ¹⁴は各々互いに同じであっても異なっていてもよい、そして
【００２４】
Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、ただし、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶、Ｒ¹⁵とＲ¹⁷、Ｒ¹⁶とＲ¹⁸又はＲ¹⁷とＲ¹⁸は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、そしてｑ４及びｒ４は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ４とｒ４の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹⁷及び複数のＲ¹⁸は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。
【００２５】
上記の式において、ｍ１及びｎ１は共に１であるか、あるいはｍ１が０でｎ１が２、又はｍ１が２でｎ１が０であることが好ましい。
【００２６】
上記の一般式（IV−２）では、Ｙ² 及びＺ² が形成する炭素環もしくは複素環が、各々独立に、ピラゾロン環、チオバルビツール酸環、バルビツール酸環、インダンジオン環、又はヒドロキシフェナレンオン環であることが好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の情報記録媒体に用いられる色素化合物について説明する。
【００２８】
本発明の情報記録媒体に用いられる色素化合物は、アニオン部（色素成分）とカチオン部（オニウム成分）からなる。
【００２９】
まず、アニオン部について詳述する。
上記式において、Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² で表される置換基としては、例えば以下のものを挙げることができる。
【００３０】
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基（例、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロヘキシル、メトキシエチル、エトキシカルボニルエチル、シアノエチル、ジエチルアミノエチル、ヒドロキシエチル、クロロエチル、アセトキシエチル、トリフルオロメチル等）。
【００３１】
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）のアルケニル基（例、ビニル等）。
【００３２】
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）のアルキニル基（例、エチニル等）。
【００３３】
炭素数６〜１８（好ましくは炭素数６〜１０）の置換もしくは無置換のアリール基（例、フェニル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、４−カルボキシフェニル、３、５−ジカルボキシフェニル等）。
【００３４】
炭素数７〜１８（好ましくは炭素数７〜１２）の置換もしくは無置換のアラルキル基（例、ベンジル、カルボキシベンジル等）。
【００３５】
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のアシル基（例、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、クロロアセチル等）；
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のアルキルまたはアリールスルホニル基（例、メタンスルホニル、ｐ−トルエンスルホニル等）。
【００３６】
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）のアルキルスルフィニル基（例、メタンスルフィニル、エタンスルフィニル、オクタンスルフィニル等）。
【００３７】
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）のアルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル等）。
炭素数７〜１８（好ましくは炭素数７〜１２）のアリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル、４−メチルフェノキシカルボニル、４−メトキシフェニルカルボニル等）。
【００３８】
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−ブトキシ、メトキシエトキシ等）。
炭素数６〜１８（好ましくは炭素数６〜１０）の置換もしくは無置換のアリールオキシ基（例、フェノキシ、４−メトキシフェノキシ等）。
【００３９】
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）のアルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ等）。
炭素数６〜１０のアリールチオ基（例、フェニルチオ等）。
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のアシルオキシ基（例、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルキシ、ベンゾイルオキシ、クロロアセチルオキシ等）。
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のスルホニルオキシ基（例、メタンスルホニルオキシ等）。
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基（例、メチルカルバモイルオキシ、ジエチルカルバモイルオキシ等）。
【００４０】
無置換のアミノ基、もしくは炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換アミノ基（例、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、アニリノ、メトキシフェニルアミノ、クロロフェニルアミノ、ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、メチルカルバモイルアミノ、フェニルカルバモイルアミノ、エチルチオカルバモイルアミノ、メチルスルファモイルアミノ、フェニルスルファモイルアミノ、アセチルアミノ、エチルカルボニルアミノ、エチルチオカルボニルアミノ、シクロヘキシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、クロロアセチルアミノ、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等）。
【００４１】
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のカルバモイル基（例、無置換のカルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル、ピロリジノカルバモイル等）。
無置換のスルファモイル基、もしくは炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換スルファモイル基（例、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等）。
【００４２】
ハロゲン原子（例、フッ素、塩素、臭素等）；水酸基；ニトロ基；シアノ基；カルボキシル基。
ヘテロ環基（例、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン環、モルホリン環、ピペリジン環、ピロリジン環、アミノスルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマン環、及びクマリン環など）。
【００４３】
Ａ¹ 及びＡ² で表される置換基は、ハメットの置換基定数（σp ）値が０．２以上のものであることが好ましい。ハメットの置換基定数は例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．９１，１６５（１９９１）に記載されている。特に好ましい置換基は、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルスルホニル基及びアリールスルホニル基である。
【００４４】
Ｂ¹ 及びＢ² で表される置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、又はアミノ基であることが好ましい。
【００４５】
Ｙ¹ に結合する［−Ｃ（＝Ｌ¹ ）−（Ｅ）x −Ｃ（＝Ｘ¹ ）−］（以下、便宜的に、Ｗ１と称する。）と、Ｚ¹ に結合する［−Ｃ（−Ｌ⁵ ）＝（Ｇ）y ＝Ｃ（−Ｘ^{2 -} ) −］（以下、便宜的に、Ｗ２と称する）とはそれぞれ共役状態にあるため、Ｙ¹ とＷ１とで形成される炭素環もしくは複素環、及びＺ¹ とＷ２とで形成される炭素環もしくは複素環はそれぞれ共鳴構造の１つとして考えられる。
上記Ｙ¹ とＷ１、及びＺ¹ とＷ２とで形成される炭素環もしくは複素環は、４〜７員環が好ましく、特に好ましくは、５員環または６員環である。これらの環は更に他の４〜７員環と縮合環を形成していても良い。またこれらは置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² で表される置換基として示したものが挙げられる。複素環を形成するヘテロ原子として好ましいものは、Ｂ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅである。特に好ましくは、Ｎ、Ｏ及びＳである。
ｘ及びｙは、それぞれ独立に０または１であり、好ましくは共に０である。
【００４６】
Ｘ¹ は、＝Ｏ、＝ＮＲ又は＝Ｃ（ＣＮ）₂ を表す。またＸ² は、−Ｏ、−ＮＲ又は−Ｃ（ＣＮ）₂ を表す。Ｒは置換基を表す。Ｒで表される置換基は、前述したＡ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² で表される置換基として示したものが挙げられる。Ｒは、アリール基であることが好ましい。特に好ましくはフェニルである。
本発明においては、Ｘ¹ は、＝Ｏであり、またＸ² は、−Ｏである場合が好ましい。
【００４７】
Ｙ¹ とＷ１、およびＺ¹ とＷ２で形成される炭素環としては例えば、以下のものが挙げられる。なお、例示中、Ｒa 及びＲb は各々独立に、水素原子または置換基を表す。
【００４８】
【化２０】

【００４９】
好ましい炭素環は、Ａ−１、及びＡ−４で示される炭素環である。
【００５０】
Ｙ¹ とＷ１、およびＺ¹ とＷ２で形成される複素環としては例えば、以下のものが挙げられる。なお、例示中、Ｒa 、Ｒb 及びＲc は各々独立に、水素原子または置換基を表す。
【００５１】
【化２１】

【００５２】
【化２２】

【００５３】
【化２３】

【００５４】
【化２４】

【００５５】
【化２５】

【００５６】
好ましい複素環は、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、Ａ−９及びＡ−４２で示される複素環である。特に好ましいものは、Ａ−５（ピラゾロン環）、Ａ−６（バルビツール酸環）、Ａ−７（チオバルビツール酸環）及びＡ−４２（ベンゾ［ｂ］チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド環）で示される複素環である。
Ｒa 、Ｒb 及びＲc で表される置換基は、前記Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² で表される置換基として挙げたものと同義である。
またＲa 、Ｒb 及びＲc はそれぞれ互いに連結して炭素環又は複素環を形成してもよい。上記炭素環としては、例えば、シクロヘキシル環、シクロペンチル環、シクロヘキセン環、及びベンゼン環などの飽和または不飽和の炭素環を挙げることができる。また複素環としては、例えば、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロフラン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、及びピラジン環など飽和または不飽和の複素環を挙げることができる。これらの炭素環又は複素環は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、前記Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 、又はＢ² で表される置換基として挙げたものと同義である。
【００５７】
Ｌ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 、Ｌ⁴ 及びＬ⁵ で表されるメチン基は各々独立に、置換基を有していてもよいメチン基である。その置換基としては、例えば、前述したＡ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² で表される置換基とした挙げたものが挙げられる。好ましい置換基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、アミノ基、カルバモイル基及びヘテロ環基である。又置換基同志が連結して５〜７員環（例、シクロペンテン環、１−ジメチルアミノシクロペンテン環、１−ジフェニルアミノシクロペンテン環、シクロヘキセン環、１−クロロシクロヘキセン環、イソホロン環、１−モルホリノシクロペンテン環、シクロヘプテン環）を形成してもよい。本発明においては、ｍ及びｎが共に１であるか、あるいはｍが０でｎが２、又はｍが２でｎが０である場合が好ましい。
【００５８】
次に、カチオン部について詳述する。
Ｍ^k+で表されるオニウムイオンは、正電荷を持ったオニウム原子に水素原子が結合していないものである。
Ｍ^k+で表されるオニウムイオンとしては、例えば、第４級アンモニウムイオン、オキソニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン、セレノニウムイオン、ヨードニウムイオンなどが挙げられる。Ｍ^k+は、シアニン色素ではないことが好ましい。好ましくは第４級アンモニウムイオンである。
【００５９】
第４級アンモニウムは、一般に第３級アミン（例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、トリエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラメチルエチレンジアミンなど）あるいは含窒素複素環（ピリジン環、ピコリン環、２，２´−ビピリジル環、４，４´−ビピリジル環、１，１０−フェナントロリン環、キノリン環、オキサゾール環、チアゾール環、Ｎ−メチルイミダゾール環、ピラジン環、テトラゾール環など）をアルキル化（メンシュトキン反応）、アルケニル化、アルキニル化あるいはアリール化して得られる。
【００６０】
Ｍ^k+で表される第４級アンモニウムイオンとしては、含窒素複素環からなる第４級アンモニウムイオンが好ましく、特に好ましくは第４級ピリジニウムイオンである。
【００６１】
ｋは、１〜１０の整数を表す。好ましくは１〜４である。特に好ましくは２である。
【００６２】
Ｍ^k+で表されるオニウムイオンは、下記一般式（II）または一般式(III）で示されるものが最も好ましい。これらの化合物は、通常２，２’−ビピリジルあるいは４，４’−ビピリジルを目的の置換基をもつハロゲン化物とのメンシュトキン反応（例えば、特開昭６１−１４８１６２号公報参照）あるいは、特開昭５１−１６６７５号公報、及び特開平１−９６１７１号公報に記載の方法に準ずるアリール化反応により容易に得ることができる。
【００６３】
【化２６】

【００６４】
【化２７】

【００６５】
式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又は複素環基を表す。Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ は、各々独立に置換基（置換原子を含む）を表す。Ｒ³ とＲ⁴ 、Ｒ⁵ とＲ⁶ 、そしてＲ⁷ とＲ⁸ は、それぞれが互いに連結して環を形成してもよく、あるいはまたＲ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ 、Ｒ⁵ とＲ⁷ 、そしてＲ⁶ とＲ⁸ は、それぞれが互いに連結して環を形成してもよい。ｑ１及びｑ２、そしてｒ１及びｒ２はそれぞれ０から４の整数を表し、ｑ１、ｑ２、ｒ１及びｒ２が各々２以上の場合には、それらの複数のＲ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ はそれぞれ互いに同じであっても異なってもよい。
【００６６】
上記Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁵ およびＲ⁶ で表されるアルキル基は、炭素数１〜１８の置換もしくは無置換のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜８の置換もしくは無置換のアルキル基である。これらは、直鎖状、分岐鎖状、あるいは環状であってもよい。これらの例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、及びシクロプロピル等が挙げられる。
【００６７】
アルキル基の置換基の例としては、以下のものを挙げることができる。
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のアルケニル基（例、ビニル）；
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のアルキニル基（例、エチニル）；
炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基（例、フェニル、ナフチル）；
ハロゲン原子（例、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等）；
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のアルコキシ基（例、メトキシ、エトキシ）；
炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基（例、フェノキシ、ｐ−メトキシフェノキシ）；
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のアルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ）；
炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールチオ基（例、フェニルチオ）； 炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のアシル基（例、アセチル、プロピオニル）；
【００６８】
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例、メタンスルホニル、ｐ−トルエンスルホニル）；
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のアシルオキシ基（例、アセトキシ、プロピオニルオキシ）；
炭素数２〜１８（好ましくは炭素数２〜８）の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）；
炭素数７〜１１の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基（例、ナフトキシカルボニル）；
無置換のアミノ基、もしくは炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換アミノ基（例、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、アニリノ、メトキシフェニルアミノ、クロロフェニルアミノ、ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、メチルカルバモイルアミノ、エチルチオカルバモイルアミノ、フェニルカルバモイルアミノ、アセチルアミノ、エチルカルボニルアミノ、エチルチオカルバモイルアミノ、シクロヘキシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、クロロアセチルアミノ、メチルスルホニルアミノ）；
【００６９】
炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換もしくは無置換のカルバモイル基（例、無置換のカルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル、ピロリジノカルバモイル）；
無置換のスルファモイル基、もしくは炭素数１〜１８（好ましくは炭素数１〜８）の置換スルファモイル基（例、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイル）；
シアノ基；ニトロ基；カルボキシ基；水酸基；
ヘテロ環基（例、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン環、ピペリジン環、ピロリジン環、モルホリン環、スルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマン環、クマリン環）。
【００７０】
上記Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁵ およびＲ⁶ で表されるアルケニル基は、炭素数２〜１８の置換もしくは無置換のアルケニル基が好ましく、より好ましくは炭素数２〜８の置換もしくは無置換のアルケニル基であり、例えば、ビニル、アリル、１−プロペニル、１，３−ブタジエニル等が挙げられる。
アルケニル基の置換基としては、前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。
【００７１】
上記Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁵ およびＲ⁶ で表されるアルキニル基は、炭素数２〜１８の置換もしくは無置換のアルキニル基が好ましく、より好ましくは炭素数２〜８の置換もしくは無置換のアルキニル基であり、例えば、エチニル、２−プロピニル等が挙げられる。
アルキニル基の置換基は、前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。
【００７２】
上記Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁵ およびＲ⁶ で表されるアリール基は、炭素数６〜１８の置換もしくは無置換のアリール基が好ましく、例えば、フェニル、ナフチル等が挙げられる。
アリール基の置換基は前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。またこれらの他に、アルキル基（例えば、メチル、エチル等）も好ましい。
【００７３】
上記Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ で表される複素環基は、炭素原子、窒素原子、酸素原子、あるいは硫黄原子から構成される５〜６員環の飽和又は不飽和の複素環であり、これらの例としては、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン環、ピペリジン環、ピロリジン環、モルホリン環、スルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマン環、及びクマリン環が挙げられる。複素環基は置換されていてもよく、その場合の置換基としては、前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。
【００７４】
Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ で表される置換基は、前記Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ およびＢ² で表される置換基として挙げたものと同義である。
本発明においては、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ で表される置換基は、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。特に好ましくは、水素原子である。
【００７５】
本発明においては、Ｒ⁵ とＲ⁶ が互いに連結して環を形成している場合が好ましい。形成される環は５〜７員環が好ましく、より好ましくは６員環である。
またＲ³ とＲ⁴ 、及びＲ⁷ とＲ⁸ はそれぞれ互いに連結して炭素環または複素環を形成している場合も好ましい。更に好ましくは炭素環であり、特に好ましくは、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ がそれぞれ結合しているピリジン環との縮合芳香環である。
【００７６】
なお、一般式（IV−１）で表されるオキソノール化合物または一般式（IV−２）で表されるオキソノール化合物において、Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ 、Ｙ² およびＺ² 、Ｌ⁶ 、Ｌ⁷ 、Ｌ⁸ 、Ｌ⁹ およびＬ¹⁰、並びにｍ１及びｎ１は、それぞれ前述した一般式（Ｉ−１）又は一般式（Ｉ−２）におけるＡ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² 、Ｙ¹ およびＺ¹ 、Ｌ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 、Ｌ⁴ およびＬ⁵ 、並びにｍ及びｎとそれぞれ同義であり、またそれぞれについて好ましい範囲も同義である。
また、一般式（Ｖ）又は一般式（VI）で表されるＭ²⁺において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸、並びにｑ３、ｒ３、ｑ４及びｒ４は、それぞれ前述した一般式（II）または一般式（III)におけるＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ 、並びにｑ１、ｒ１、ｑ２及びｒ２とそれぞれ同義であり、またそれぞれについて好ましい範囲も同義である。
【００７７】
本発明で用いられる一般式（Ｉ−１）で表される色素化合物または（Ｉ−２）で表される色素化合物のアニオン部（「Ｂ−」で表示）とカチオン部（「Ｃ−」で表示）の例を以下に具体的に記載する。
【００７８】
【化２８】

【００７９】
【化２９】

【００８０】
【化３０】

【００８１】
【化３１】

【００８２】
【化３２】

【００８３】
【化３３】

【００８４】
【化３４】

【００８５】
【化３５】

【００８６】
【化３６】

【００８７】
【化３７】

【００８８】
【化３８】

【００８９】
【化３９】

【００９０】
【化４０】

【００９１】
【化４１】

【００９２】
【化４２】

【００９３】
【化４３】

【００９４】
【化４４】

【００９５】
【化４５】

【００９６】
【化４６】

【００９７】
【化４７】

【００９８】
【化４８】

【００９９】
【化４９】

【０１００】
【化５０】

【０１０１】
【化５１】

【０１０２】
【化５２】

【０１０３】
【化５３】

【０１０４】
【化５４】

【０１０５】
【化５５】

【０１０６】
【化５６】

【０１０７】
【化５７】

【０１０８】
【化５８】

【０１０９】
【化５９】

【０１１０】
【化６０】

【０１１１】
【化６１】

【０１１２】
【化６２】

【０１１３】
【化６３】

【０１１４】
【化６４】

【０１１５】
【化６５】

【０１１６】
【化６６】

【０１１７】
本発明で用いられる好ましい具体的な化合物例を下記の表１に示す。
表１において、化合物例は、アニオン部とカチオン部とを組み合わせてなるものである。例えば、以下に、化合物Ｎｏ．１とＮｏ．５の例を挙げて説明する。化合物Ｎｏ．１［アニオン部（Ｂ−３）／カチオン部（Ｃ−１）］で示される化合物例、及び化合物Ｎｏ．５［アニオン部（Ｂ−３）／カチオン部（Ｃ−２２）］で示される化合物例は、それぞれ下記の式で示される。
【０１１８】
【化６７】

なお、化合物Ｎｏ．２〜Ｎｏ．４、及び化合物Ｎｏ．６以降の化合物例についても同様な意味である。
【０１１９】
【表１】

【０１２０】
【表２】

【０１２１】
【表３】

【０１２２】
本発明に係る一般式（Ｉ−１）および一般式（Ｉ−２）で表される化合物は、下記の一般式（VII −１）および一般式（VII −２）で表される色素化合物のアルカリ金属塩（例、Ｌｉ塩、Ｎａ塩、Ｋ塩など）、アンモニウム塩（ＮＨ⁴⁺塩）、あるいはトリエチルアンモニウム塩（Ｅｔ₃ ＮＨ⁺ 塩）、トリブチルアンモニウム塩（Ｂｕ₃ ＮＨ⁺ 塩）などの有機イオンを対塩とする化合物と、下記一般式（VIII）で表されるオニウム塩との水または有機溶媒中（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジメチルホルムアミドなど）における塩交換反応によって容易に合成できる。
【０１２３】
【化６８】

【０１２４】
式中、Ａ⁵ 及びＡ⁶ 、Ｂ⁵ 及びＢ⁶ 、Ｙ³ 及びＺ³ 、並びにＬ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴およびＬ¹⁵、Ｘ³ 及びＸ⁴ 、Ｅ１及びＧ１、ｍ３及びｎ３、並びにｘ１及びｙ１は、それぞれ前述した一般式（Ｉ−１）または一般式（Ｉ−２）におけるＡ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² 、Ｙ¹ およびＺ¹ 、Ｌ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 、Ｌ⁴ 及びＬ⁵ 、Ｘ¹ 及びＸ² 、Ｅ及びＧ、ｍ及びｎ、並びにｘ及びｙとそれぞれ同義である。
【０１２５】
一般式（VIII）：Ｍ^k+・ｋ／ｒＸ^-r
式中、Ｘ^r-は陰イオンを表し、ｒは１以上（好ましくは１〜４、更に好ましくは１〜２）の整数を表す。
陰イオンとしては、例えば、ハライドイオン（Ｃｌ^- 、Ｂｒ^- 、Ｉ^- ）、スルホナートイオン（ＣＨ₃ ＳＯ₃ ^- 、ｐ−トルエンスルホナートイオン、ナフタレン−１，５−ジスルホナートイオン）、ＣｌＯ₄ ^- 、ＢＦ₄ ^- 、及びＰＦ₆ ^- を挙げることができる。
【０１２６】
なお、一般式（VII −１）および一般式（VII −２）で表される色素化合物は、一般に該当する活性メチレン化合物（例、ピラゾロン、チオバルビツール酸、バルビツール酸、インダンジオン、ヒドロキシフェナレンオン等）とメチン染料にメチン基またはポリメチン基を導入するためのメチン源との縮合反応によって合成することができる。この種の化合物についての詳細は、特公昭３９−２２０６９号、同４３−３５０４号、同５２−３８０５６号、同５４−３８１２９号、同５５−１００５９号、同５８−３５５４４号、特開昭４９−９９６２０号、同５２−９２７１６号、同５９−１６８３４号、同６３−３１６８５３号、及び同６４−４０８２７号各公報、並びに英国特許第１１３３９８６号、米国特許第３２４７１２７号、同４０４２３９７号、同４１８１２２５号、同５２１３９５６号、及び同５２６０１７９号各明細書を参照することができる。
具体的には、モノメチン基の導入には、オルトギ酸エチル、オルト酢酸エチルなどのオルトエステル類またはＮ，Ｎ−ジフェニルホルムアミジン塩酸塩等が、トリメチン鎖の導入には、トリメトキシプロペン、１，１，３，３−テトラメトキシプロパンまたはマロンアルデヒドジアニル塩酸塩（あるいはこれらの誘導体）等が、またペンタメチン鎖の導入には、グルタコンアルデヒドジアニル塩酸塩または１−（２，４−ジニトロフェニル）−ピリジニウムクロリド（あるいはこれらの誘導体）等がそれぞれ使用される。
【０１２７】
以下に、一般式（Ｉ−１）で表される色素化合物又は一般式（Ｉ−２）で表される色素化合物の合成例を記載する。
【０１２８】
（合成例１）化合物Ｎｏ．５の合成
０．１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液２０ｍＬの中に下記の化合物ａ１ｇを室温にて添加し撹拌した。この溶液に下記の化合物ｂ０．５ｇを水５ｍＬに溶解した水溶液を添加した。同温度で３０分撹拌後、析出した結晶を濾過し、水及びエタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．２３ｇを得た。λmax ＝６５４ｎｍ（メタノール中）
【０１２９】
【化６９】

【０１３０】
【化７０】

【０１３１】
（合成例２）化合物Ｎｏ．８の合成
０．１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液１０ｍＬの中に前記で用いた化合物ａ０．５３ｇを室温にて添加し撹拌した。この溶液に下記の化合物ｃ０．２ｇを水５ｍＬに溶解した水溶液を添加した。同温度で３０分撹拌後、析出した結晶を濾過し、水及びエタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．４ｇを得た。λmax ＝６５４ｎｍ（メタノール中）
【０１３２】
【化７１】

【０１３３】
（合成例３）化合物Ｎｏ．９の合成
前記で用いた化合物ａ１．０ｇを水２０ｍＬに懸濁させ、ここに０．１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液２０ｍＬを室温にて添加し撹拌した。この溶液に下記の化合物ｄ０．４ｇを水５ｍＬに溶解した水溶液を添加した。同温度で３０分撹拌後、析出した結晶を濾過し、水及びにエタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．２ｇを得た。λmax ＝６５４ｎｍ（メタノール中）
【０１３４】
【化７２】

【０１３５】
（合成例４）化合物Ｎｏ．２８の合成
下記の化合物ｅ１．０ｇをメタノール１０ｍＬに加え撹拌しながら、２５％アンモニア水０．１ｍＬを室温で滴下した。この溶液に、前記で用いた化合物ｃ０．５ｇを水２ｍＬに溶解した溶液を添加し、そのまま３０分撹拌を続けた。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．８ｇを得た。
λmax ＝６３７ｎｍ（メタノール中）
【０１３６】
【化７３】

【０１３７】
（合成例５）化合物Ｎｏ．６７の合成
下記の化合物ｆ０．５５ｇをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１０ｍＬに溶解した。更に前記で用いた化合物ｃ０．１７ｇをこの溶液に添加し、室温で１時間撹拌した。その後、水７０ｍＬを加え、析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．５ｇを得た。λmax ＝６０７ｎｍ（メタノール中）
【０１３８】
【化７４】

【０１３９】
（合成例６）化合物Ｎｏ．７１の合成
下記の化合物ｇ０．９３ｇをメタノール３０ｍＬに加え撹拌しながら、前記で用いた化合物ｃ０．３５ｇをメタノール２０ｍＬに溶解した溶液を添加し、そのまま２時間撹拌を続けた。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．９ｇを得た。λmax ＝６３３ｎｍ（メタノール中）
【０１４０】
【化７５】

【０１４１】
（合成例７）化合物Ｎｏ．８６の合成
下記の化合物ｈ１．０ｇをメタノールに加え、更にトリエチルアミン０．３５ｍＬを添加して溶解した。この溶液に前記で用いた化合物ｃ０．４６ｇを添加し、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．８５ｇを得た。λmax ＝６６１ｎｍ（メタノール中）
【０１４２】
【化７６】

【０１４３】
（合成例８）化合物Ｎｏ．８９の合成
下記の化合物ｉ１．１ｇを１規定の水酸化ナトリウム水溶液２．５ｍＬに溶解した。この溶液に前記で用いた化合物ｄ０．４６ｇを添加し、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．９ｇを得た。λmax ＝６５２ｎｍ（メタノール中）
【０１４４】
【化７７】

【０１４５】
（合成例９〜１１）
化合物Ｎｏ．４５、４６、及び９８についても前記合成例２、あるいは合成例４と同様な操作で合成した。以下に合成した化合物のメタノール中における最大吸収波長を示す。
化合物Ｎｏ．４５：λｍａｘ＝６５４（ｎｍ）
化合物Ｎｏ．４６：λｍａｘ＝６７４（ｎｍ）
化合物Ｎｏ．９８：λｍａｘ＝６０３（ｎｍ）
【０１４６】
（合成例１２）化合物Ｎｏ．１の合成
前記で用いた化合物ａ２．６ｇを０．１規定の水酸化ナトリウム水溶液５０ｍＬに溶解した。この溶液にテトラメチルアンモニウムブロミド０．８ｇを加え、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、水洗後乾燥して、目的物２．４５ｇを得た。λmax ＝６５４ｎｍ（メタノール中）
【０１４７】
（合成例１３〜１５）
化合物Ｎｏ．３、６及び７においてもテトラメチルアンモニウムブロミドに代えてそれぞれ対応する第４級アンモニウムブロミドを用いて合成例１２と同様な操作で合成した。合成した各化合物のメタノール中における最大吸収波長（λｍａｘ）は、全て６５４（ｎｍ）であった。
【０１４８】
（合成例１６）化合物Ｎｏ．９９の合成
下記の化合物ｊ１．３ｇをメタノール１０ｍＬに加え撹拌しながら、２５％アンモニア水０．１５ｍＬを室温で滴下した。この溶液にテトラブチルアンモニウムブロミド１．４ｇを加え、室温で１時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．２ｇを得た。λmax ＝６７１ｎｍ（メタノール中）
【０１４９】
【化７８】

【０１５０】
（合成例１７）化合物Ｎｏ．１００の合成
前記で用いた化合物ｊ１．３ｇをメタノール１０ｍＬに加え撹拌しながら、２５％アンモニア水０．１５ｍＬを室温で滴下した。この溶液に、前記で用いた化合物ｃ０．３８ｇをメタノール２０ｍＬに溶解した溶液にて添加し、そのまま２時間攪拌を続けた。析出した結晶を濾別し、メタノール洗浄乾燥して、目的物０．７ｇを得た。λmax ＝６７１ｎｍ（メタノール中）
【０１５１】
（合成例１８）化合物Ｎｏ．１０２の合成
上記合成例１７において、化合物ｊの代わりに、下記の化合物ｋ１．１ｇを用いたこと以外は同様な操作にて目的物０．４５ｇを得た。λmax ＝６５５ｎｍ（メタノール中）
【０１５２】
【化７９】

【０１５３】
（合成例１９）化合物Ｎｏ．１０６の合成
下記の化合物１（エル）１．０ｇをメタノール１０ｍｌに加え、更にトリエチルアミン０．２ｍｌを添加して溶解した。この溶液に下記の化合物ｍ０．３ｇをメタノール１０ｍｌに溶解した溶液を添加して室温で１時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．６ｇを得た。λmax ＝６３６ｎｍ（メタノール中）
【０１５４】
【化８０】

【０１５５】
【化８１】

【０１５６】
（合成例２０）化合物Ｎｏ．１０７の合成
前記で用いた化合物ｇ１．６ｇをメタノール２０ｍｌに加え、更にトリエチルアミン０．５ｍｌを添加して溶解した。この溶液に下記の化合物ｎ１ｇをメタノール５ｍｌに溶解した溶液を添加して室温で１時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物１．６ｇを得た。λmax ＝６４０ｎｍ（ジメチルホルムアミド中）
【０１５７】
【化８２】

【０１５８】
（合成例２１）化合物Ｎｏ．１０９の合成
下記の化合物ｏ２．５ｇをジメチルホルムアミド５０ｍｌに加え、更にトリエチルアミン１ｍｌを添加して溶解した。この溶液に、前記で用いた化合物ｎ１．５ｇをメタノール５ｍｌに溶解した溶液を添加した。さらにこの反応液にメタノール５０ｍｌを徐々に加え、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物３ｇを得た。λmax ＝７０７ｎｍ（ジメチルホルムアミド中）
【０１５９】
【化８３】

【０１６０】
（合成例２２）化合物Ｎｏ．１１２の合成
下記の化合物ｐ３．５ｇをメタノール５０ｍｌに加え、更にトリエチルアミン１．５ｍｌを添加して溶解した。この溶液に下記の化合物ｑ２．５ｇをメタノール１０ｍｌに溶解した溶液を添加した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物４．４ｇを得た。λmax ＝６６１ｎｍ（ジメチルホルムアミド中）
【０１６１】
【化８４】

【０１６２】
【化８５】

【０１６３】
（合成例２３）化合物Ｎｏ．１１５の合成
化合物ｐの代わりに下記の化合物ｒを４．６ｇを用いた以外は合成例２２と同様な操作にて目的物２．３ｇを得た。λmax ＝６５５ｎｍ（メタノール中）
【０１６４】
【化８６】

【０１６５】
（合成例２４）化合物Ｎｏ．１１６の合成
下記の化合物ｓ０．３ｇをジメチルホルムアミド５ｍｌとメタノール１５ｍｌの混合溶液に加え、攪拌しながら、更にこの中に、トリブチルアミン１．２ｍｌを滴下した。室温で３０分攪拌したのち、下記の化合物ｔ０．３０ｇを添加し、そのまま２時間攪拌を続けた。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．２５ｇを得た。λmax ＝６０６ｎｍ（ジメチルホルムアミド中）
【０１６６】
【化８７】

【０１６７】
【化８８】

【０１６８】
（合成例２５）化合物Ｎｏ．１１７の合成
下記の化合物ｕ０．３２ｇをメタノールに加え、更にトリブチルアミン１．２ｍｌを添加して溶解した。この溶液に前記で用いた化合物ｔ０．２８ｇを添加し、室温で１時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄後乾燥して、目的物０．２２ｇを得た。λmax ＝６０９ｎｍ（ジメチルホルムアミド中）
【０１６９】
【化８９】

【０１７０】
本発明に係る上記一般式（Ｉ−１）で示される化合物または一般式（Ｉ−２）で示される化合物は、それぞれ単独で用いてもよいし、あるいはそれぞれ二種以上を併用してもよい。また一般式（Ｉ−１）で示される化合物と一般式（Ｉ−２）で示される化合物とを組み合わせて用いてもよい。あるいはまた本発明に係る化合物とこれら以外の色素化合物と併用してもよい。
【０１７１】
本発明の情報記録媒体は、前記一般式（Ｉ−１）で示される化合物及び／または一般式（Ｉ−２）で示される色素化合物を含む記録層を基板上に設けてなるものである。
本発明の情報記録媒体は、記録層の上に更に反射層が設けられていることが好ましく、更に反射層の上に、保護層が設けられていることが好ましい。
本発明の情報記録媒体は、例えば、以下に述べるような方法により製造することができる。
基板は、従来の情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げることができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板として使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好ましい。
【０１７２】
記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。
下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【０１７３】
また、基板（または下塗層）上には、トラッキング用溝またはアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）が形成されていることが好ましい。このグルーブは、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直接基板上に形成されることが好ましい。
また、グルーブの形成を、プレグルーブ層が設けられることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いることができる。
プレグルーブ層の形成は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線を照射することにより塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。次いで、基板を母型から剥離することにより得ることができる。
【０１７４】
プレグルーブ層の層厚は、一般に０．０５〜１００μｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍの範囲である。
プレグルーブの深さは３００〜２０００Åの範囲にあることが好ましく、またその半値幅は、０．２〜０．９μｍの範囲にあることが好ましい。またプレグルーブ層の深さを１５００〜２０００Åの範囲にすることにより反射率をほとんど低下させることなく感度を向上させることができ、特に好ましい。従って、このような光ディスク（深いプレグルーブの基板に一般式（Ｉ−１）または一般式（Ｉ−２）の色素からなる記録層およびその上に反射層が形成された光ディスク）は、高い感度を有することから、低いレーザパワーでも記録が可能となり、これにより安価な半導体レーザの使用が可能となる、あるいは半導体レーザの使用寿命を延ばすことができる。
【０１７５】
基板上（又は下塗層）の表面（グルーブが形成されている場合には、その表面上）には、本発明に係る前記一般式（Ｉ−１）で示される化合物及び／または一般式（Ｉ−２）で示される色素化合物からなる記録層が設けられる。
なお、記録層には、更に耐光性を向上させるために一重項酸素クエンチャーとして知られる種々の化合物を含有することができる。クエンチャーの代表例としては、特開平３−２２４７９３号公報に記載の一般式(III）、（IV）もしくは（Ｖ）で表される金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩や特開平２−３００２８７号公報や特開平２−３００２８８号公報に示されているニトロソ化合物などを挙げることができる。
【０１７６】
記録層の形成は、本発明に係る色素化合物、更に所望によりクエンチャー、結合剤などを溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことができる。
色素記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮して単独または二種以上組み合わせて用いることができる。
塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤などの各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０１７７】
結合剤を使用する場合に結合剤の例としては、例えばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。
記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、色素化合物１重量部に対して一般に１０重量部以下であり、好ましくは５重量部以下である。
このようにして調製される塗布液の濃度は一般に０．０１〜１０重量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５重量％の範囲にある。
【０１７８】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。
記録層は単層でも重層でもよい。記録層の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲にある。また、記録層は基板の片面のみならず両面に設けられていてもよい。
【０１７９】
上記記録層の上に、情報の再生時における反射率の向上の目的で、反射層が設けられる。
反射層の材料である光反射性物質はレーザ光に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼である。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組み合わせで、または合金として用いてもよい。
反射層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより記録層の上に形成することができる。反射層の層厚は一般には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。
【０１８０】
反射層の上には、記録層などを物理的および化学的に保護する目的で保護層が設けられていることが好ましい。この保護層は、基盤の記録層が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。
保護層に用いられる材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＦ₂ 、ＳｎＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ などの無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
保護層は、たとえばプラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着層を反射層上及び／または基板上にラミネートすることにより形成することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらの適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
保護層の層厚は一般には０．１〜１００μｍの範囲にある。
【０１８１】
本発明の情報記録媒体は、上述した構成からなる単板であってもよいが、あるいは更に上記構成を有する二枚の基板を記録層が内側となるように向かい合わせ、接着剤等を用いて接合することにより、貼り合わせタイプの記録媒体を製造することもできる。あるいはまた、二枚の円盤状基板のうち少なくとも一方に上記構成を有する基板を用いて、リング状内側スペーサとリング状外側スペーサとを介して接合することにより、エアーサンドイッチタイプの記録媒体を製造することができる。
本発明の情報記録媒体は上記のような方法で製造することができる。
このようにして得られる、反射率が極めて高くかつ記録再生特性にも優れた光ディスクは、耐光性においても向上している。即ち、本発明の情報記録媒体は反射率が７０％前後と高いため、市販のＣＤプレーヤで再生することができる。従って、高反射率を有しかつ耐光性に優れた光ディスクも得ることができる。
【０１８２】
本発明の情報記録方法は、上記情報記録媒体を用いて、例えば、次のように行われる。
まず、情報記録媒体を定線速度（ＣＤフォーマットの場合は１．２〜１４ｍ／秒）または定角速度にて回転させながら、基板側から半導体レーザー光などの記録用の光を照射する。この光の照射により、記録層と反射層との界面に空洞を形成（空洞の形成は、記録層または反射層の変形、あるいは両層の変形を伴って形成される）するか、基板が肉盛り変形する、あるいは記録層に変色、会合状態の変化等により屈折率が変化することにより情報が記録されると考えられる。記録光としては５００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザービームが用いられる。このレーザービームの波長は好ましくは５００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下である。そしてＣＤ−Ｒに適したレーザービームの波長は７７０〜７９０ｎｍの範囲である。
上記のように記録された情報の再生は、情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら記録時と同じ波長を持つ半導体レーザ光を基板側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【０１８３】
【実施例】
以下に、本発明の実施例及び比較例を記載する。
【０１８４】
［実施例１］
本発明に係る前記オキソノール系色素化合物（化合物Ｎｏ．１）３ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍＬに溶解し、記録層形成用塗布液を得た。この塗布液を、表面にスパイラルプレグルーブ（トラックピッチ：１．７μｍ、グルーブ幅：０．４μｍ、グルーブ深さ：０．１６μｍ）が射出成形により形成されたポリカーボネート基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ）のそのプレグルーブ面に、スピンコートにより塗布し、記録層を形成した。記録層の厚さは、プレグルーブ内で約２００ｎｍであった。
【０１８５】
記録層上にＡｕをスパッタして、厚さ約１００ｎｍの金属反射層を形成した。更に反射層上にＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化剤ＳＤ−２２０、大日本インキ化学工業（株））を塗布し、紫外線を照射して層厚７μｍの保護層を形成した。
以上の工程により本発明に従う情報記録媒体（以下、サンプル）を得た。
【０１８６】
［実施例２〜１５］
実施例１において、前記オキソノール色素化合物（化合物Ｎｏ．１）の代わりに、表２に示す、本発明に係るオキソノール色素化合物を同量使用した以外は、実施例１と同様にして本発明に従う情報記録媒体を得た。
【０１８７】
［比較例１］
実施例１において、前記オキソノール色素化合物（化合物Ｎｏ．１）の代わりに、色素成分がカチオン部分でアニオン部分が過塩素酸イオンからなる下記のシアニン色素化合物（比較化合物Ａ）を同量使用した以外は、実施例１と同様にして比較用の情報記録媒体を得た。
【０１８８】
【化９０】

【０１８９】
［比較例２］
実施例１において、前記オキソノール色素化合物（化合物Ｎｏ．１）の代わりに、カチオン部に三個のエチル基で置換されたアンモニウム塩を持つ下記のオキソノール色素化合物（比較化合物Ｂ）を同量使用した以外は、実施例１と同様にして比較用の情報記録媒体を得た。
【０１９０】
【化９１】

【０１９１】
［比較例３］
実施例１において、前記オキソノール色素化合物（化合物Ｎｏ．１）の代わりに、カチオン部に三個のエチル基で置換されたアンモニウム塩を持つ下記のオキソノール色素化合物（比較化合物Ｃ）を同量使用した以外は、実施例１と同様にして比較用の情報記録媒体を得た。
【０１９２】
【化９２】

【０１９３】
［比較例４］
実施例１において、前記オキソノール色素化合物（化合物Ｎｏ．１）の代わりに、カチオン部にアンモニウム塩を持つ下記のオキソノール色素化合物（比較化合物Ｄ）を同量使用した以外は、実施例１と同様にして比較用の情報記録媒体を得た。
【０１９４】
【化９３】

【０１９５】
［比較例５］
実施例１において、前記オキソノール色素化合物（化合物Ｎｏ．１）の代わりに、カチオン部に三個のエチル基で置換されたアンモニウム塩を持つ下記のオキソノール色素化合物（比較化合物Ｅ）を同量使用した以外は、実施例１と同様にして比較用の情報記録媒体を得た。
【０１９６】
【化９４】

【０１９７】
［情報記録媒体の評価］
（１）変調度
情報記録媒体に、波長７８０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、プレグルーブをトラッキングしながら、定線速度１．４ｍ／秒で、記録レーザパワーを４〜９ｍＷの範囲で種々変えて、３Ｔと１１ＴのＥＦＭ信号を記録した。レーザパワー０．５ｍＷで再生し、最適記録パワーにおける３Ｔと１１Ｔの変調度を求めた。
（２）反射率
上記の再生時の最適記録パワーにおけるプレグルーブ（非記録領域）の反射率を求めた。
（３）耐光性
上記のように記録された情報記録媒体にＸｅランプ（１４万ルックス）を１８時間又は３６時間照射し、照射後の変調度及び反射率を上記と同様に測定した。また照射後の情報記録媒体の色の有無を下記の観点で目視で調べた。
AA：退色していない。
BB：退色しているが色は残っており、許容範囲である。
CC：ほとんど色が残っていない。
得られた評価結果を表２に示す。
【０１９８】
【表４】

【０１９９】
【表５】

【０２００】
上記表２の結果から、第四級アンモニウムイオンを導入してなるオキソノール化合物を含有した記録層を有する本発明に従うサンプル（実施例１〜１８）の場合には、従来から良く知られているシアニン色素を含有した記録層を有する比較用のサンプル（比較例１）や第三級アンモニウム塩（比較例２、３及び５）やアンモニウム塩（比較例４）を導入してなるオキソノール化合物を含有した記録層を有する比較用のサンプル（比較例２〜５）に比べて、Ｘｅランプを照射後においても変調度の変化は比較的少なく、高い耐光性を有していることがわかる。特に、二価のカチオン部を持つオキソノール化合物を含有した記録層を有するサンプルの場合（実施例３〜１５、及び実施例１７〜２６）に、顕著に耐光性が改善されることがわかる。
【０２０１】
【発明の効果】
正電荷を持つオニウム原子に水素原子が結合してないオニウムイオンをカチオン成分として導入した前記の色素化合物を使用することにより、高い変調度及び反射率を維持しながら、特に耐光性が顕著に向上した情報記録媒体を得ることができる。

Claims (24)

1. 基板上に、レーザ光により情報の記録が可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体において、該記録層が、下記一般式（Ｉ−１）で表される色素化合物及び／又は一般式（Ｉ−２）で表される色素化合物を含むことを特徴とする情報記録媒体。
   

   

   ［式中、Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² は各々独立に置換基を表し、Ｙ¹ 及びＺ¹ は各々独立に、上記の式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３及びＡ−４からなる群より選ばれる炭素環もしくは上記の式Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７及びＡ−４２からなる群より選ばれる複素環を形成するために必要な原子団を表し、ＥおよびＧは各々独立に、共役二重結合鎖を完成するために必要な原子団を表し、Ｘ¹ は、＝Ｏ、＝ＮＲまたは＝Ｃ（ＣＮ）₂ を表し、Ｘ² は、−Ｏ、−ＮＲ又は−Ｃ（ＣＮ）₂ を表し（但し、Ｒは置換基を表す）、Ｌ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 、Ｌ⁴ 及びＬ⁵ は各々独立に、置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ^k+は、正電荷を持つオニウム原子に水素原子が結合してないオニウムイオンを表し、ＲａとＲｂは各々独立に水素原子もしくは置換基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０、１または２を表し、ｘ及びｙは各々独立に０または１を表し、そしてｋは１〜１０の整数を表す。］
2. Ｍ^k+が第４級アンモニウムイオンである請求項１に記載の情報記録媒体。
3. ｋが２である請求項１又は２に記載の情報記録媒体。
4. Ｍ^k+が、一般式（II）で表されるオニウムイオンである請求項１に記載の情報記録媒体。
   

   

   ［式中、Ｒ¹ 及びＲ² は各々独立にアルキル基、 アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又は複素環基を表し、Ｒ³ 及びＲ⁴ は各々独立に置換基を表し、但し、Ｒ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ 又はＲ³ とＲ⁴ は各々互いに連結して環を形成しても良く、ｑ１及びｒ１は各々独立に０〜４の整数を表し、そしてｑ１とｒ１の双方が２以上の場合には、複数のＲ³ 及び複数のＲ⁴ は各々互いに同じでもあっても異なっていてもよい。］
5. Ｍ^k+が、一般式(III）で表されるオニウムイオンである請求項１に記載の情報記録媒体。
   

   

   ［式中、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は各々独立にアルキル基、 アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又は複素環基を表し、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ は各々独立に置換基を表し、但し、Ｒ⁵ とＲ⁶ 、Ｒ⁵ とＲ⁷ 、Ｒ⁶ とＲ⁸ 又はＲ⁷ とＲ⁸ は各々互いに連結して環を形成しても良く、ｑ２及びｒ２は各々独立に０〜４の整数を表し、そしてｑ２とｒ２の双方が２以上の場合には、複数のＲ⁷ 及び複数のＲ⁸ は各々互いに同じでもあっても異なっていてもよい。］
6. 色素化合物が、下記一般式（IV−１）で表されるオキソノール化合物または一般式（IV−２）で表されるオキソノール化合物である請求項１に記載の情報記録媒体。
   

   

   ［式中、Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ およびＢ⁴ は各々独立に、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数２〜１８のアシル基、炭素数１〜１８のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基、炭素数１〜１８のアルキルスルフィニル基、炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１８のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基、炭素数２〜１８のアシルオキシ基、スルホニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、又は４〜７員の複素環基を表し（これらの置換基は、更に上記置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）、Ｙ² 及びＺ² は各々独立に上記の式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３及びＡ−４からなる群より選ばれる炭素環もしくは上記の式Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７及びＡ−４２からなる群より選ばれる複素環を形成するために必要な原子団を表し（これらの環は更に上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていても良く、また４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環と縮合していてもよい）、Ｌ⁶、Ｌ⁷、Ｌ⁸ 、Ｌ⁹ 及びＬ¹⁰は各々独立に、上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる一又は二の基で置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ²⁺は第４級アンモニウムイオンを表し、ＲａとＲｂは各々独立に水素原子もしくは置換基を表し、そしてｍ１及びｎ１は各々独立に０、１または２を表す。］
7. Ｍ²⁺が、下記の一般式（Ｖ）で表されるイオンである請求項６に記載の情報記録媒体。
   

   

   ［式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、但し、Ｒ¹¹とＲ¹³、Ｒ¹²とＲ¹⁴又はＲ¹³とＲ¹⁴は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、ｑ３及びｒ３は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ３とｒ３の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹及び複数のＲ¹⁴は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。］
8. Ｍ²⁺が、一般式（VI）で表されるイオンである請求項６に記載の情報記録媒体。
   

   

   ［式中、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、ただし、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶、Ｒ¹⁵とＲ¹⁷、Ｒ¹⁶とＲ¹⁸又はＲ¹⁷とＲ¹⁸は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、そしてｑ４及びｒ４は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ４とｒ４の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹⁷及び複数のＲ¹⁸は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。］
9. ｍ及びｎが共に１であるか、あるいはｍが０でｎが２、又はｍが２でｎが０である請求項１に記載の情報記録媒体。
10. Ｘ¹ が、＝Ｏであり、Ｘ² が、−Ｏである請求項１に記載の情報記録媒体。
11. 記録層上に更に反射層が設けられている請求項１〜１０のいずれかの項に記載の情報記録媒体。
12. 一般式（IV−１）で表されるオキソノール化合物または一般式（IV−２）で表されるオキソノール化合物。
    

    

    ［式中、Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ およびＢ⁴ は各々独立に、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数２〜１８のアシル基、炭素数１〜１８のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基、炭素数１〜１８のアルキルスルフィニル基、炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１８のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基、炭素数２〜１８のアシルオキシ基、スルホニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、又は４〜７員の複素環基を表し（これらの置換基は、更に上記置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）、Ｙ² 及びＺ² は各々独立に上記の式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３及びＡ−４からなる群より選ばれる炭素環もしくは上記の式Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７及びＡ−４２からなる群より選ばれる複素環を形成するために必要な原子団を表し（これらの環は更に上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていても良く、また４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環と縮合していてもよい）、Ｌ⁶ 、Ｌ⁷ 、Ｌ⁸ 、Ｌ⁹ 及びＬ¹⁰は各々独立に、上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる一又は二の基で置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ²⁺は第４級アンモニウムイオンを表し、ＲａとＲｂは各々独立に水素原子もしくは置換基を表し、そしてｍ１及びｎ１は各々独立に０、１または２を表す。］
13. Ｍ²⁺が、一般式（Ｖ）で表されるイオンである請求項１２記載のオキソノール化合物。
    

    

    ［式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、但し、Ｒ¹¹とＲ¹³、Ｒ¹²とＲ¹⁴又はＲ¹³とＲ¹⁴は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、ｑ３及びｒ３は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ３とｒ３の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹³及び複数のＲ¹⁴は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。］
14. Ｍ²⁺が、一般式（VI）で表されるイオンである請求項１２に記載のオキソノール化合物。
    

    

    ［式中、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、ただし、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶、Ｒ¹⁵とＲ¹⁷、Ｒ¹⁶とＲ¹⁸又はＲ¹⁷とＲ¹⁸は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、そしてｑ４及びｒ４は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ４とｒ４の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹⁷及び複数のＲ¹⁸は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。］
15. ｍ１及びｎ１が共に１であるか、あるいはｍ１が０でｎ１が２、又はｍ１が２でｎ１が０である請求項１２に記載のオキソノール化合物。
16. 基板上に、レーザ光により情報の記録が可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体において、該記録層が、下記一般式（Ｉ−１）で表される色素化合物及び／又は一般式（Ｉ−２）で表される色素化合物を含むことを特徴とする情報記録媒体。
    

    

    ［式中、Ａ¹ 、Ａ² 、Ｂ¹ 及びＢ² は各々独立に置換基を表し、Ｙ¹ 及びＺ¹ は各々独立に、炭素環もしくは複素環を形成するために必要な原子団を表し、ＥおよびＧは各々独立に、共役二重結合鎖を完成するために必要な原子団を表し、Ｘ¹ は、＝Ｏ、＝ＮＲまたは＝Ｃ（ＣＮ）₂ を表し、Ｘ² は、−Ｏ、−ＮＲ又は−Ｃ（ＣＮ）₂ を表し（但し、Ｒは置換基を表す）、Ｌ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 、Ｌ⁴ 及びＬ⁵ は各々独立に、置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ^k+は、正電荷を持つオニウム原子に水素原子が結合してないオニウムイオンを表し、ｍ及びｎは各々独立に０、１または２を表し、ｘ及びｙは各々独立に０または１を表し、そしてｋは２を表す。］
17. Ｍ^k+が、一般式（II）で表されるオニウムイオンである請求項１６に記載の情報記録媒体。
    

    

    ［式中、Ｒ¹ 及びＲ² は各々独立にアルキル基、 アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又は複素環基を表し、Ｒ³ 及びＲ⁴ は各々独立に置換基を表し、但し、Ｒ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ 又はＲ³ とＲ⁴ は各々互いに連結して環を形成しても良く、ｑ１及びｒ１は各々独立に０〜４の整数を表し、そしてｑ１とｒ１の双方が２以上の場合には、複数のＲ³ 及び複数のＲ⁴ は各々互いに同じでもあっても異なっていてもよい。］
18. Ｍ^k+が、一般式(III）で表されるオニウムイオンである請求項１６に記載の情報記録媒体。
    

    

    ［式中、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は各々独立にアルキル基、 アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又は複素環基を表し、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ は各々独立に置換基を表し、但し、Ｒ⁵ とＲ⁶ 、Ｒ⁵ とＲ⁷ 、Ｒ⁶ とＲ⁸ 又はＲ⁷ とＲ⁸ は各々互いに連結して環を形成しても良く、ｑ２及びｒ２は各々独立に０〜４の整数を表し、そしてｑ２とｒ２の双方が２以上の場合には、複数のＲ⁷ 及び複数のＲ⁸ は各々互いに同じでもあっても異なっていてもよい。］
19. 一般式（IV−１）で表されるオキソノール化合物または一般式（IV−２）で表されるオキソノール化合物。
    

    

    ［式中、Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ およびＢ⁴ は各々独立に、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数２〜１８のアシル基、炭素数１〜１８のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基、炭素数１〜１８のアルキルスルフィニル基、炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１８のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基、炭素数２〜１８のアシルオキシ基、スルホニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、又は４〜７員の複素環基を表し（これらの置換基は、更に上記置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）、Ｙ² 及びＺ² は各々独立に４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環を形成するために必要な原子団を表し（これらの環は更に上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていても良く、また４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環と縮合していてもよい）、Ｌ⁶ 、Ｌ⁷ 、Ｌ⁸ 、Ｌ⁹ 及びＬ₁₀は各々独立に、上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる一又は二の基で置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ²⁺は一般式（Ｖ）で表される第４級アンモニウムイオンを表し、そしてｍ１及びｎ１は各々独立に０、１または２を表し、そして
    Ｒ¹¹及びＲ¹²は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、但し、Ｒ¹¹とＲ¹³、Ｒ¹²とＲ¹⁴又はＲ¹³とＲ¹⁴は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、ｑ３及びｒ３は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ３とｒ３の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹³及び複数のＲ¹⁴は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。］
20. ｍ１及びｎ１が共に１であるか、あるいはｍ１が０でｎ１が２、又はｍ１が２でｎ１が０である請求項１９に記載のオキソノール化合物。
21. 一般式（IV−２）において、Ｙ² 及びＺ² が形成する炭素環もしくは複素環が、各々独立に、ピラゾロン環、チオバルビツール酸環、バルビツール酸環、インダンジオン環、又はヒドロキシフェナレンオン環である請求項１９に記載のオキソノール化合物。
22. 一般式（IV−１）で表されるオキソノール化合物または一般式（IV−２）で表されるオキソノール化合物。
    

    

    ［式中、Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ およびＢ⁴ は各々独立に、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数２〜１８のアシル基、炭素数１〜１８のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基、炭素数１〜１８のアルキルスルフィニル基、炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１８のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基、炭素数２〜１８のアシルオキシ基、スルホニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、又は４〜７員の複素環基を表し（これらの置換基は、更に上記置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）、Ｙ² 及びＺ² は各々独立に４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環を形成するために必要な原子団を表し（これらの環は更に上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基で置換されていても良く、また４〜７員の炭素環もしくは４〜７員の複素環と縮合していてもよい）、Ｌ⁶ 、Ｌ⁷ 、Ｌ⁸ 、Ｌ⁹ 及びＬ¹⁰は各々独立に、上記Ａ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基からなる群より選ばれる一又は二の基で置換されていてもよいメチン基を表し、Ｍ²⁺は一般式（VI）で表される第４級アンモニウムイオンを表し、そしてｍ１及びｎ１は各々独立に０、１または２を表し、そして
    Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、各々独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、 炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表し（これらの基は、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される置換基で置換されていてもよい）、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は、各々独立に、前記式（IV−１）又は（IV−２）のＡ³ 、Ａ⁴ 、Ｂ³ 及びＢ⁴ で表される基と同義であり、ただし、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶、Ｒ¹⁵とＲ¹⁷、Ｒ¹⁶とＲ¹⁸又はＲ¹⁷とＲ¹⁸は各々互いに連結して４〜７員環を形成しても良く、そしてｑ４及びｒ４は各々独立に０〜４の整数を表し、ｑ４とｒ４の双方が２以上の場合には、複数のＲ¹⁷及び複数のＲ¹⁸は各々互いに同じであっても異なっていてもよい。］
23. ｍ１及びｎ１が共に１であるか、あるいはｍ１が０でｎ１が２、又はｍ１が２でｎ１が０である請求項２２に記載のオキソノール化合物。
24. 一般式（IV−２）において、Ｙ² 及びＺ² が形成する炭素環もしくは複素環が、各々独立に、ピラゾロン環、チオバルビツール酸環、バルビツール酸環、インダンジオン環、又はヒドロキシフェナレンオン環である請求項２２に記載のオキソノール化合物。