JP3707541B2 - データ処理端末、端末設計装置および方法、コンピュータプログラム、情報記憶媒体 - Google Patents

データ処理端末、端末設計装置および方法、コンピュータプログラム、情報記憶媒体 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、第一第二グランドプレーンを具備しているデータ処理端末、データ処理端末の設計に利用される端末設計装置および方法、その端末設計装置のためのコンピュータプログラム、このコンピュータプログラムが格納されている情報記憶媒体、に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、各種のユーザ端末装置が普及しており、それらはPDA(Personal Digital Assistance)として各種のユーザをサポートするとともに、その処理データをPHS(Personal Handy-phone System:登録商標)などの無線通信機能を用いて外部と送受信することもできる。ここで、このようなデータ処理端末の従来例を、図を参照して説明する。
【0003】
図16に第一の従来例としてデータ処理端末10を示す。このデータ処理端末10は、中空の筐体(図示せず)を具備しており、この筐体の内部には、親基板11、子基板15、この両基板をつなぐ接続コネクタ14、が配置されている。その親基板11には、集積回路からなる各種のデータ処理回路(図示せず)が搭載されており、子基板15には、RAM(Random Access Memory)やフラッシュメモリなどのメモリ回路(図示せず)が搭載されている。
【0004】
また、筐体の一端にはカードスロットが形成されており(図示せず)、このカードスロットに別体のカード形状の無線通信ユニット12が着脱自在に装着されている。この無線通信ユニット12には、無線通信回路(図示せず)が内蔵されており、棒状のアンテナ13が取り付けられている。
【0005】
このデータ処理端末10は、筐体の表面にタッチパネルやキーボードなどのユーザインターフェイス(図示せず)を有し、このユーザインターフェイスの入力データなどに対応して、親基板11のデータ処理回路が各種のデータ処理を実行するものである。
【0006】
このデータ処理端末10では、上述のようにカード形状の無線通信ユニット12が筐体のカードスロットに装着されると、無線通信ユニット12の無線通信回路と親基板11のデータ処理回路とが有線通信できる状態となり、この無線通信ユニット12を介してPHS機能により1.9(GHz)付近の周波数帯域で無線通信ができる。
【0007】
つまり、このデータ処理端末10は、必要により無線通信ユニット12で外部と無線通信を実行することで、データ処理回路の処理データを無線で送信することや、無線で受信したデータをデータ処理回路で処理することもできる。さらに、データ処理回路の処理データを子基板15のメモリ回路で記憶させることで、大容量のデータを処理することができる。
【0008】
このようなデータ処理端末10において、親基板11には、金属製の第一グランドプレーンが略全領域に形成されており、子基板15にも、金属製の第二グランドプレーンが略全領域に形成されており(図示せず)、両グランドプレーンは各基板の回路の電位基準を決めている。
【0009】
また、これらの両基板をつなぐ接続コネクタ14には、複数の信号端子と複数のグランド端子とが平行に配列されており、例えば、三本の信号端子ごとに一本のグランド端子が挿入されている。このような構造により、子基板15が親基板11に装着されると、接続コネクタ14の信号端子によって、親基板11のデータ処理回路と子基板15のメモリ回路とが接続され、かつ、接続コネクタ14のグランド端子によって、親基板11の第一グランドプレーンと子基板15の第二グランドプレーンとが接続され、両基板のグランドプレーンによる電位基準がつながる。
【0010】
なお、図16には、子基板15が上下方向に着脱される一対の接続コネクタ14により親基板11に装着されているデータ処理端末10を例示したが、図17の第二の従来例であるデータ処理端末20のように、子基板15が接続コネクタ21に対して前後方向に着脱される製品もある。
【0011】
また、図18の第三の従来例であるデータ処理端末30のように、第一グランドプレーンおよび第二グランドプレーンと各々導通した接続パッド31,32を親基板11および子基板15の表面や裏面に形成し、これらの接続パッド31,32を補助接続手段33の管状の金属柱34およびビス35で導通させた製品もある。なお、このような金属柱34およびビス35は、通常は子基板15の機械的な保持を目的としているため、図示したように、子基板15の対角位置の一対の角部に配置されていることが一般的である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
前述したデータ処理端末10,20では、図19に示すように、接続コネクタ14,21により接続された親基板11の第一グランドプレーン17と子基板15の第二グランドプレーン18とが平行に位置する。また、親基板11の第一グランドプレーン17上には、多数のLSI(Large Scale Integration)などの電子部品や信号配線からなるデータ処理回路19が搭載されている。
【0013】
このデータ処理回路19は、データ処理を実行するときに特定の周波数の繰り返し信号や非繰り返し信号を回路内で伝送するので、この近傍には伝送する信号の基本周波数成分やその高調波成分の電磁界が発生する。この電磁界は親基板11の第一グランドプレーン17に高周波の電流を通電するだけでなく、近傍に位置する子基板15の第二グランドプレーン18にも高周波の電流を誘導する。
【0014】
本発明者は、図19に示すように、親基板11の第一グランドプレーン17と子基板15の第二グランドプレーン18と接続コネクタ14のグランド端子からなるグランド構造が、図20に示すように、"逆Lアンテナ"や"逆Fアンテナ"と呼称される1/4波長共振のアンテナ素子(参考文献:"Small Antennas" K. Fujimoto, A. Henderson and J. R. James, Research Studies Press, Chapter 2.4)と良く似ていることを見出した。
【0015】
このように考えると、接続コネクタ14には複数のグランド端子があることから、子基板15の第二グランドプレーン18の接続コネクタ14側がアンテナ素子の短絡端、接続コネクタ14と対向する端部がアンテナ素子の開放端に相当する。データ処理回路19から第二グランドプレーン18に誘導される電流に、第二グランドプレーン18が1/4波長の共振を起こす周波数成分がある場合、この第二グランドプレーン18の周囲には強い電磁界が発生し、遠方に向かって強い電磁波が放射される。
【0016】
子基板15としてメモリ回路が搭載されたものを考えた場合には、一般にその縁部の長さは25〜75(mm)程度なので、1/4波長となる周波数は1〜3(GHz)程度となる。
【0017】
従来のデータ処理回路19では、回路内で伝送する信号の基本周波数が数MHzであったため、その高調波も100(MHz)程度までであった。この高調波成分が前述のグランド構造の1/4波長となる周波数よりも大幅に下回っていたので、1/4波長の共振は起こらなかった。
【0018】
しかし、最近では集積回路の処理速度が上がってきたため、データ処理回路19の基本周波数が数百MHzまで上がり、その高調波も数GHz程度まで伸びてきた。この高調波と前述のグランド構造が1/4波長となる周波数とが重なるため、このグランド構造は共振を起こすようになった。
【0019】
一方、最近の無線通信の発達にともない、PHSでは約1.9(GHz)、携帯電話機では約800(MHz)と約1.5(GHz)と約2.0(GHz)、無線LAN(Local Area Network)やブルートゥースでは約2.4(GHz)と、GHz帯域の無線利用が進んでいる。
【0020】
このような背景から、前述のグランド構造による共振周波数と無線通信で利用する周波数帯域とが重なり、このグランド構造による無線通信の阻害が問題となってきている。
【0021】
データ処理回路19で発生する電磁界が直接、無線通信ユニット12に影響を与えることは従来から予想されており、対策がとられているが、親基板11のデータ処理回路19の動作に起因して子基板15などが共振アンテナとして作用し、その電磁界が無線通信ユニット12に影響することは予測できなかった。
【0022】
なお、図18に示すように、第三の従来例のデータ処理端末30では、第一第二グランドプレーン17,18の開放端の側部が補助接続手段33で短絡されているので、1/4波長共振は発生しないが、1/2波長共振は起こりえる。前述の大きさで1/2波長の共振を起こす周波数は2〜6(GHz)程度なので、先より周波数が高くなるが、無線通信で利用される周波数帯域とは近いため、やはり通信が阻害されることになる。
【0023】
前述したデータ処理端末10,20,30では、着脱自在に接続される無線通信ユニット12の無線通信が端末内部のグランド構造によって阻害されることを述べた。このような無線通信の阻害は、無線通信ユニット12が上述のグランド構造の近傍に位置すれば発生する。
【0024】
従って、無線通信回路が上述のデータ処理端末に接続ケーブルでつながれた場合や、上述のデータ処理端末に接続されていなくても近傍に配置された場合にも、通信障害が発生しえる(図示せず)。
【0025】
上述のような課題を解決するためには、子基板15を金属ケース(図示せず)で覆い、この金属ケースを親基板11の第一グランドプレーン17と接続することで、子基板15で発生する強力な電磁界を無線通信ユニット12と切り離すことができる。しかし、子基板15全体を金属ケースで覆う構造では、この金属ケースのためにデータ処理端末10,20,30が大型化する課題がある。
【0026】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、無線通信を阻害する電磁界の発生を軽減しているデータ処理端末、このデータ処理端末の親基板および子基板、データ処理端末の設計に利用される端末設計装置および方法、その端末設計装置のためのコンピュータプログラム、このコンピュータプログラムが格納されている情報記憶媒体、を提供することを目的とする。
【0027】
【課題を解決するための手段】
本発明の第一のデータ処理端末は、第一グランドプレーン、第二グランドプレーン、データ処理回路、接続コネクタ、抵抗接続手段、を具備している。第一グランドプレーンは、所定形状の導体からなり、電位基準を決定する。第二グランドプレーンは、少なくとも複数の縁部を具備する所定形状の導体からなり、第一グランドプレーンと略平行に位置する。データ処理回路は、第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとの少なくとも一方に接続されており、データ処理を実行する。接続コネクタは、少なくとも複数のグランド端子を具備しており、第二グランドプレーンを一方の縁部の近傍の位置で第一グランドプレーンに接続している。抵抗接続手段は、所定の抵抗値を発生するように形成されており、接続コネクタの位置と対向する第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を第一グランドプレーンに接続している。このため、第一グランドプレーンと複数のグランド端子と第二グランドプレーンからなるグランド構造の開放端に所定の抵抗値が存在することになり、このグランド構造の共振のQが低下する。
【0028】
また、本発明の他の形態では、第一グランドプレーンと複数のグランド端子と第二グランドプレーンからなるグランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段の抵抗値とが同等であることにより、
グランド構造の開放端が整合終端されている。
【0029】
また、抵抗接続手段が近傍に位置する第二グランドプレーンの縁部の長さを"w"、第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとの間隔を"h"、とすると、抵抗接続手段の抵抗値"R"が、
[α1×120×π×h/w]≦R<[α2×120×π×h/w](Ω)
(α1およびα2は"α1≦1<α2"を満足する所定の係数)
を満足することにより、
グランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段の抵抗値とが同等となる。
【0030】
また、抵抗接続手段の抵抗値"R"が、
R=120×π×h/w(Ω)
を満足することにより、
グランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段の抵抗値とが同一となる。
【0031】
また、抵抗接続手段が第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとを並列に接続するn個からなり、これらn個の抵抗接続手段の各々の抵抗値"Rn"が、
Rn=120×n×π×h/w(Ω)
を満足することにより、
複数からなる抵抗接続手段の抵抗値とグランド構造の特性インピーダンスとが同一となり、抵抗接続手段が複数なので各々に直列に存在する寄生インダクタンスが減少している。
【0032】
また、一つの抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部の中央に近傍した位置を第一グランドプレーンに接続していることにより、
第二グランドプレーンが一つの抵抗接続手段により対称な状態で第一グランドプレーンに接続されている。
【0033】
また、二つの抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部の両端の近傍の位置を第一グランドプレーンに個々に接続していることにより、
第二グランドプレーンが二つの抵抗接続手段により対称な状態で第一グランドプレーンに接続されている。
【0034】
また、三つの抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部の中央と両端との近傍の位置を第一グランドプレーンに個々に接続していることにより、
第二グランドプレーンが三つの抵抗接続手段により対称な状態で第一グランドプレーンに接続されている。
【0035】
また、抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部と同等な全長の細長形状に形成され、第二グランドプレーンの縁部と略平行に位置していることにより、
第二グランドプレーンの縁部の全体が一つの抵抗接続手段により第一グランドプレーンに接続されている。
【0036】
また、第一グランドプレーンはデータ処理回路が搭載された親基板に形成されており、第二グランドプレーンはデータ処理回路の処理データを一時記憶するメモリ回路が搭載された子基板に形成されており、抵抗接続手段は親基板に搭載されて第一グランドプレーンに接続された抵抗体からなり、この親基板の抵抗体と子基板の第二グランドプレーンとが導体で接続されていることにより、
抵抗接続手段に必要な抵抗体が親基板に搭載されているので、子基板の構造は従来と同一である。
【0037】
また、第一グランドプレーンはデータ処理回路が搭載された親基板に形成されており、第二グランドプレーンはデータ処理回路の処理データを一時記憶するメモリ回路が搭載された子基板に形成されており、抵抗接続手段は子基板に搭載されて第二グランドプレーンに接続された抵抗体からなり、この子基板の抵抗体と親基板の第一グランドプレーンとが導体で接続されていることにより、
抵抗接続手段に必要な抵抗体が子基板に搭載されているので、親基板の構造は従来と同一である。
【0038】
また、第一グランドプレーンはデータ処理回路が搭載された親基板に形成されており、第二グランドプレーンはデータ処理回路の処理データを一時記憶するメモリ回路が搭載された子基板に形成されており、抵抗接続手段は親基板と子基板とに個々に搭載されて第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとに個々に接続された二つの抵抗体からなり、これら親基板と子基板との抵抗体が導体で接続されていることにより、
抵抗接続手段が二つの抵抗体からなるので、その各々の抵抗値が半減されている。
【0039】
また、外部と無線通信する無線通信回路が着脱自在に装着されており、無線通信回路とデータ処理回路が有線通信することにより、
データ処理回路と有線通信する無線通信回路が無線通信しても、この無線通信を阻害する電磁界をグランド構造が共振により発生することがない。
【0040】
また、外部と無線通信する無線通信回路が一体に形成されており、無線通信回路とデータ処理回路が有線通信することにより、
データ処理回路と有線通信する無線通信回路が無線通信しても、この無線通信を阻害する電磁界をグランド構造が共振により発生することがない。
【0041】
本発明の端末設計装置は、長さ入力手段、長さ記憶手段、間隔入力手段、間隔記憶手段、抵抗算出手段、を具備しており、本発明のデータ処理端末の設計に利用される。その端末設計方法では、接続コネクタの位置と対向する第二グランドプレーンの他方の縁部の長さ“w”が長さ入力手段に入力されると、この入力された長さ“w”を長さ記憶手段が記憶する。また、第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとの間隔“h”が間隔入力手段に入力されると、この入力された間隔“h”を間隔記憶手段が記憶する。そして、長さ“w”を長さ記憶手段から読み出すとともに、間隔“h”を間隔記憶手段から読み出し、接続コネクタの位置と対向する第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を第一グランドプレーンに接続する抵抗接続手段の抵抗値“R”を抵抗算出手段が“R=120×π×h/w(Ω)”として算出するので、データ処理端末のグランド構造の開放端を整合終端する抵抗接続手段の抵抗値が算出される。
【0042】
なお、本発明で云う所定形状とは、複数の縁部を具備するものであれば良く、例えば、四つの縁部と四つの角部とを具備した矩形などを許容する。また、本発明で云う各種手段は、その機能を実現するように形成されていれば良く、例えば、所定の機能を発揮する専用のハードウェア、所定の機能がコンピュータプログラムにより付与されたコンピュータ装置、コンピュータプログラムによりコンピュータ装置の内部に実現された所定の機能、これらの組み合わせ、等を許容する。また、本発明で言う各種手段は、個々に独立した存在である必要もなく、ある手段が他の手段の一部であるようなことも許容する。
【0043】
また、本発明で云う情報記憶媒体とは、端末設計装置に各種処理を実行させるためのコンピュータプログラムが事前に格納されたハードウェアであれば良く、例えば、端末設計装置を一部とする装置に固定されているROM(Read Only Memory)やHDD(Hard Disc Drive)、端末設計装置を一部とする装置に交換自在に装填されるCD(Compact Disc)−ROMやFD(Floppy Disc)、等を許容する。
【0044】
また、本発明で云う端末設計装置とは、コンピュータプログラムを読み取って対応する処理動作を実行できるハードウェアであれば良く、例えば、CPU(Central Processing Unit)を主体として、これにROMやRAMやI/F(Interface)ユニット等の各種デバイスが接続されたコンピュータ装置などを許容する。
【0045】
なお、本発明でコンピュータプログラムに対応した各種動作を端末設計装置に実行させることは、各種デバイスを端末設計装置に動作制御させることなども許容する。例えば、端末設計装置に各種データをデータ記憶させることは、端末設計装置が一部として具備しているRAM等の情報記憶媒体に各種データを格納すること、端末設計装置に交換自在に装填されているFD等の情報記憶媒体に各種データを格納すること、等を許容する。
【0046】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の第一の形態を図1ないし図5を参照して以下に説明する。ただし、これより以下の実施の形態に関して前述した従来例と同一の部分は、同一の名称および符号を使用して詳細な説明は省略する。
【0047】
まず、本実施の形態のデータ処理端末40は、図1および図2に示すように、第一から第三の従来例として前述したデータ処理端末10,20,30と同様に、大型の長方形状の親基板11に各種のデータ処理回路19が搭載されており、このデータ処理回路19と有線通信する無線通信ユニット12が1.9(GHz)付近の周波数帯域で外部と無線通信する。
【0048】
また、親基板11には、接続コネクタ14により小型の長方形状の子基板15が着脱自在に装着されており、この子基板15の第二グランドプレーン18と親基板11の第一グランドプレーン17とが接続コネクタ14により接続されている。
【0049】
このように接続コネクタ14により電気的かつ機械的に接続されて平行に位置している第一グランドプレーン17と第二グランドプレーン18とは、さらに抵抗接続手段41によっても電気的に接続されており、この抵抗接続手段41では、第一グランドプレーン/プレーン17,18に各々導通したメイン/子基板11,15の接続パッド31,32が、例えば、抵抗体からなる管状の金属柱およびビスで導通されている(図示せず)。
【0050】
また、本形態のデータ処理端末40では、接続コネクタ14は長方形状の子基板15の一方の長辺の近傍に平行に位置しているが、前述のデータ処理端末30などとは相違して、点状の抵抗接続手段41は子基板15の他方の長辺の中央の近傍に位置している。
【0051】
そして、本形態のデータ処理端末40では、抵抗接続手段41が近傍に位置する第二グランドプレーン18の縁部の長さを"w"、第一グランドプレーン17と第二グランドプレーン18との間隔を"h"、とすると、抵抗接続手段41の抵抗値"R"が"R=120×π×h/w(Ω)"を満足している。
【0052】
このため、本形態のデータ処理端末40では、第一グランドプレーン17と複数のグランド端子と第二グランドプレーン18からなるグランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段41の抵抗値とが同一であり、上述のグランド構造の開放端が整合終端されている。
【0053】
なお、本形態のデータ処理端末40では、上述のように第二グランドプレーン18の角部の近傍に接続コネクタ14の端部が位置するとき、その位置を第二グランドプレーン18の角部と近似し、第二グランドプレーン18の縁部の近傍に抵抗接続手段41が位置するとき、その位置を第二グランドプレーン18の縁部と近似する。
【0054】
上述のような構成において、本形態のデータ処理端末40では、無線通信ユニット12が無線通信するときに親基板11のデータ処理回路19がデータ処理を実行して電磁界を発生するため、この電磁界が第一第二グランドプレーン17,18を接続コネクタ14のグランド端子で接続したグランド構造に作用する。
【0055】
しかし、このグランド構造の開放端である第二グランドプレーン18の縁部中央が抵抗接続手段41で第一グランドプレーン17に接続されており、この抵抗接続手段41の抵抗値が上述のグランド構造の特性インピーダンスと同一である。
【0056】
このため、上述のグランド構造は開放端が整合終端されており、データ処理回路19の電磁界が作用しても共振により無線通信を阻害する強力な電磁界を発生しない。このため、本形態のデータ処理端末40は、無線通信ユニット12の無線通信を阻害することを防止でき、無線通信を良好に実行することができる。
【0057】
しかも、本形態のデータ処理端末40では、接続コネクタ14の位置や構造は従来と同一であり、一個の抵抗接続手段41が新規に追加されているだけなので、その構造が簡単で組立性も良好である。さらに、この抵抗接続手段41が接続コネクタ14とは相反する子基板15の長辺の中央付近に位置するので、抵抗接続手段41が子基板15を機械的にも保持すれば、第二グランドプレーン18を対称な状態で良好に第一グランドプレーン17に接続することができる。
【0058】
ここで、上述のような構造のデータ処理端末40の設計に利用される本実施の形態の端末設計装置50を以下に説明する。本形態の端末設計装置50は、図3に示すように、コンピュータの主体となるハードウェアとしてCPU51を具備しており、このCPU51には、バスライン52により、ROM53、RAM54、HDD55、FD56が交換自在に装填されるFDD(FD Drive)57、CD−ROM58が交換自在に装填されるCDドライブ59、キーボード60、マウス61、ディスプレイ62、I/Fユニット63、等のハードウェアが接続されている。
【0059】
本形態の端末設計装置50では、ROM53、RAM54、HDD55、交換自在なFD56、交換自在なCD−ROM58、等のハードウェアが情報記憶媒体に相当し、これらの少なくとも一個にCPU51のためのコンピュータプログラムや各種データがソフトウェアとして格納されている。
【0060】
例えば、CPU51に各種の処理動作を実行させるコンピュータプログラムは、FD56やCD−ROM58に事前に格納されている。このようなソフトウェアはHDD55に事前にインストールされており、端末設計装置50の起動時にRAM54に複写されてCPU51にデータ読取される。
【0061】
このようにCPU51が適正なコンピュータプログラムをデータ読取して各種の処理動作を実行することにより、本形態の端末設計装置50は、図5に示すように、長さ入力手段71、長さ記憶手段72、間隔入力手段73、間隔記憶手段74、抵抗算出手段75、等の各種手段を各種機能として論理的に具備している。
【0062】
各入力手段71,73は、RAM54に格納されているコンピュータプログラムに対応してCPU51がキーボード60の入力データをデータ認識する機能などに相当し、各記憶手段72,74は、上述のコンピュータプログラムに対応してCPU51がデータ認識するようにHDD55に構築された記憶エリアなどに相当する。
【0063】
長さ入力手段71は、接続コネクタ14の位置と対向する第二グランドプレーン18の他方の縁部の長さ"w"がデータ入力され、長さ記憶手段72は、長さ入力手段71にデータ入力された長さ"w"をデータ記憶する。間隔入力手段73は、第一グランドプレーン17と第二グランドプレーン18との間隔"h"がデータ入力され、間隔記憶手段74は、間隔入力手段73にデータ入力された間隔"h"をデータ記憶する。
【0064】
そして、抵抗算出手段75は、CPU51がコンピュータプログラムに対応して所定のデータ処理を実行する機能などに相当し、上述の各記憶手段72,74の記憶データに基づいて、"R=120×π×h/w(Ω)"として抵抗接続手段41の抵抗値"R"を算出する。
【0065】
上述のような各種手段は、必要によりキーボード60やディスプレイ62等のハードウェアを利用して実現されるが、その主体はRAM54等の情報記憶媒体に格納されたソフトウェアに対応して、端末設計装置50のハードウェアであるCPU51が機能することにより実現されている。
【0066】
このようなソフトウェアは、例えば、キーボード60などによる長さ"w"のデータ入力を受け付ける長さ入力処理、そのデータ入力された長さ"w"をHDD55などによりデータ記憶する長さ記憶処理、間隔"h"のデータ入力を受け付ける間隔入力処理、そのデータ入力された間隔"h"をデータ記憶する間隔記憶処理、"R=120×π×h/w(Ω)"として抵抗接続手段41の抵抗値"R"を算出する抵抗算出処理、等の処理動作をCPU51等に実行させるためのコンピュータプログラムとしてRAM54等の情報記憶媒体に格納されている。
【0067】
上述のような構成において、本形態のデータ処理端末40は、データ処理回路19と有線通信する無線通信ユニット12が外部と無線通信することができ、そのとき、第一グランドプレーン17と接続コネクタ14と第二グランドプレーン18からなるグランド構造にデータ処理回路19が発生する高周波の電磁界が作用する。
【0068】
しかし、本形態のデータ処理端末40では、第二グランドプレーン18の接続コネクタ14とは反対の縁部が抵抗接続手段41で第一グランドプレーン17に接続されており、その抵抗接続手段41の抵抗値が上述のグランド構造の特性インピーダンスと一致している。
【0069】
このため、このグランド構造は開放端が整合終端されており、データ処理回路19から作用する高周波の電磁界に共振して、無線通信ユニット12の無線通信を阻害する強力な電磁界を発生することがないので、本形態のデータ処理端末40は、無線通信ユニット12が良好に無線通信することができる。
【0070】
ここで、このようなデータ処理端末40の設計に利用される端末設計装置50の端末設計方法を以下に説明する。本形態の端末設計装置50は、第二グランドプレーン18の長さ"w"と、第一グランドプレーン17と第二グランドプレーン18との間隔"h"とが決定されているデータ処理端末40での、抵抗接続手段41の抵抗値を算出することができる。
【0071】
その場合、図5に示すように、端末設計装置50のディスプレイ62には"以下のデータを入力して下さい。"などのガイダンステキストが"長さw= (mm),間隔h= (mm)"なる入力項目とともに表示出力される(ステップS3)。
【0072】
そこで、データ処理端末40を設計する作業者(図示せず)が、上述の入力項目に所望の数値データをキーボード60などでデータ入力すると(ステップS4)、端末設計装置50は、そのデータ入力された数値データをデータ記憶する(ステップS5)。
【0073】
このようにデータ入力された数値データは上述の入力項目の位置に表示出力されるが、事前にデータ入力されてデータ記憶された数値データが存在するときは(ステップS1)、その数値データが変更自在なデフォルト値として入力項目に表示される(ステップS2,S3)。
【0074】
そして、本形態の端末設計装置50は、長さ"w"と間隔"h"との両方をデータ記憶した状態で処理開始がデータ入力されると(ステップS6,S7)、上述の記憶データに基づいて"R=120×π×h/w(Ω)"として抵抗接続手段41の抵抗値"R"を算出する(ステップS8)。
【0075】
このように算出された抵抗接続手段41の抵抗値"R"はディスプレイ62で表示出力されるので(ステップS9)、作業者は、製造するデータ処理端末40の第一第二グランドプレーン17,18を抵抗値"R"の抵抗接続手段41で接続することができる。
【0076】
なお、本発明は上記形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では端末設計装置50が長さ"w"と間隔"h"とのデータ入力に対応して抵抗値"R"をデータ出力することを例示したが、長さ"w"と間隔"h"と抵抗値"R"とのデータ入力に対応して"R=120×π×h/w(Ω)"の成立の有無をデータ出力することも可能である。
【0077】
また、上記形態の端末設計装置50では、RAM54等に格納されているコンピュータプログラムに対応してCPU51が動作することにより、端末設計装置50の各種機能として各種手段が論理的に実現されることを例示した。しかし、このような各種手段の各々を固有のハードウェアとして形成することも可能であり、一部をソフトウェアとしてRAM54等に格納するとともに一部をハードウェアとして形成することも可能である。
【0078】
さらに、上記形態ではデータ処理端末40の抵抗接続手段41の抵抗値"R"が"R=120×π×h/w(Ω)"を満足していることを例示したが、例えば、"α1≦1<α2"を満足する所定の係数α1,α2により、抵抗接続手段41の抵抗値"R"が、
[α1×120×π×h/w]≦R<[α2×120×π×h/w](Ω)
なる所定の範囲を満足することも可能である。
【0079】
この場合でも、データ処理端末40のグランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段41の抵抗値とが完全に同一ではなくとも同等となるので、グランド構造から無線通信を阻害する強力な電磁界の発生を防止することができる。なお、抵抗接続手段41の抵抗値がデータ処理端末40のグランド構造の特性インピーダンスと同等でなくとも、所定の抵抗値によりグランド構造の共振のQを低下させることはできるので、発生する電磁界を低減することは可能である。
【0080】
また、上記形態ではデータ処理端末40に無線通信ユニット12が着脱自在に装着されることを例示したが、例えば、無線通信ユニット12が一体に固定されていることも可能であり、無線通信ユニット12が接続ケーブル(図示せず)を介して接続されることも可能であり、別体の無線通信ユニット12が接続されることなく近傍で使用されることも可能である。
【0081】
同様に、上記形態では子基板15が親基板11に着脱自在に装着されることを例示したが、これが一体に固定されていることも可能である。また、上記形態では子基板15と無線通信ユニット12とが親基板11の同一面上に配置されていることを例示したが、例えば、子基板15が親基板11の表面上に位置して無線通信ユニット12が親基板11の裏面上に位置することも可能である。
【0082】
さらに、上記形態のデータ処理端末40では、子基板15が接続される親基板11にデータ処理回路19が搭載されていることを例示したが、このデータ処理回路19が子基板15のみに搭載されていることも可能であり、親基板11と子基板15との両方に分散されて搭載されていることも可能である。
【0083】
上述のようにデータ処理回路19が子基板15のみに搭載されている場合、回路基板としての親基板11は不要なので、大面積かつ大容量の第一グランドプレーン17は、回路基板とは別個のグランド専用の部材として形成することが好適である。
【0084】
また、上記形態ではデータ処理端末40が携帯用に形成されていることを例示したが、これが据置用に形成されていることも可能である。また、上記形態では無線通信ユニット12の通信周波数がPHS用の1.9(GHz)付近であることを例示したが、これが携帯電話用の800(MHz)、1.5(GHz)、2.0(GHz)、付近であることも可能であり、Bluetooth用の2.4(GHz)付近であることも可能である。
【0085】
さらに、上記形態のデータ処理端末40では、子基板15の接続コネクタ14とは反対の縁部の中央付近に一個の点状の抵抗接続手段41が位置することを例示したが、例えば、このような抵抗接続手段41を複数とすることも可能である。
【0086】
例えば、図6に上記形態の第一の変形例として例示するデータ処理端末80では、長方形の子基板15の一辺の両側の角部に二個の抵抗接続手段81が一個ずつ位置しており、図7に第二の変形例として例示するデータ処理端末82では、長方形の子基板15の一辺の両側の角部と中央とに三個の抵抗接続手段83が一個ずつ位置している。
【0087】
これらの場合も、複数の抵抗接続手段81,83の合計の抵抗値"R"は"R=120×π×h/w(Ω)"を満足するので、二個の抵抗接続手段81の個々の抵抗値"Rn"は"Rn=240×π×h/w(Ω)"を満足しており、三個の抵抗接続手段83の個々の抵抗値"Rn"は"Rn=360×π×h/w(Ω)"を満足している。
【0088】
このように第一第二グランドプレーン17,18を複数の抵抗接続手段81,83で並列に接続すると、抵抗接続手段81,83に直列に存在する寄生インダクタンスが減少して前述のグランド構造を広帯域で整合終端することができるので、無線通信を阻害する強力な電磁界の発生を広帯域で防止することができる。
【0089】
さらに、図8に第三の変形例として例示するデータ処理端末84では、抵抗接続手段85が子基板15の一辺と同等な全長の細長形状の金属部材からなり、この一個の抵抗接続手段85が子基板15の一辺と平行に配置されている。このように第二グランドプレーン18の一辺の全体を細長形状の抵抗接続手段85で第一グランドプレーン17に接続すると、抵抗接続手段85に直列に存在する寄生インダクタンスを最低とすることができる。
【0090】
また、上記形態では子基板15および第二グランドプレーン18が単純な長方形に形成されていることを例示したが、図9(a)に示すように、第二グランドプレーン90がL字型に形成されていることも可能であり、同図(b)に示すように、第二グランドプレーン91がT字型に形成されていることも可能である。
【0091】
このような場合でも、抵抗接続手段92,93は異形の第二グランドプレーン90,91の接続コネクタ14とは反対の縁部に位置すれば良く、その縁部の長さ"w"に対して"R=120×π×h/w(Ω)"の抵抗値を満足すれば良い。
【0092】
しかし、上述のように第二グランドプレーン90,91がL字型やT字型に形成されていると、図中で側方に突出した部分も開放端として作用する懸念がある。そこで、これが問題となる場合には、図10に示すように、第二グランドプレーン90,91の図中側方に突出した部分にも抵抗接続手段94,95を配置することが好適である。
【0093】
ただし、このような場合でも、抵抗接続手段92〜95は、各々が配置された縁部の長さ"w"に対して"R=120×π×h/w(Ω)"の抵抗値を満足すれば良いので、例えば、L字型の第二グランドプレーン90で抵抗接続手段92,94が位置する縁部の長さが"w1,w2"として相違する場合、抵抗接続手段92,94の抵抗値"R1,R2"も"R1=120×π×h/w1(Ω),R2=120×π×h/w2(Ω)"として相違することになり、これはT字型の第二グランドプレーン91でも同様である。
【0094】
さらに、上記形態のデータ処理端末40等では、接続コネクタ14が第二グランドプレーン18の縁部に位置することを例示したが、図11に示すように、接続コネクタ14が第二グランドプレーン96の中央に位置することも可能である。
【0095】
この場合、接続コネクタ14が縁部に位置する一対の第二グランドプレーン18を一体に接合した構造と等価なので、接続コネクタ14の両側に位置する第二グランドプレーン96の縁部の各々に二個の抵抗接続手段41を一個ずつ配置することが好適である。
【0096】
また、上記形態のデータ処理端末40等では、接続コネクタが上下方向に着脱自在な一対の接続コネクタ14からなることを例示したが、図17に例示したデータ処理端末20のように、接続コネクタが子基板15の一方の縁部が前後方向に着脱される接続コネクタ21からなることも可能である。
【0097】
さらに、上記形態のデータ処理端末40,80,82では、抵抗接続手段41,81,83が管状の金属柱およびビスからなることを想定し、データ処理端末84では、抵抗接続手段85が細長形状の金属部材からなることを例示したが、このような構造の抵抗接続手段41等で所定の抵抗値を実現することは容易ではない。
【0098】
そこで、このような課題を解決したデータ処理端末100を本発明の実施の第二の形態として図12および図13を参照して以下に説明する。まず、本形態のデータ処理端末100では、図12に示すように、親基板11の上面に接続パッド101が形成されており、この接続パッド101が第一グランドプレーン17に導通されている。
【0099】
子基板15の下面にも接続パッド102が形成されており、この子基板15の接続パッド102は親基板11の接続パッド101に導体の金属柱34およびビス35で導通されている。ただし、図13に示すように、子基板15の下面には抵抗接続手段である抵抗体103が実装されており、この抵抗体103を介して子基板15の接続パッド102と第二グランドプレーン18とが導通されている。
【0100】
より具体的には、子基板15の下面には一対の実装パッド104,105が形成されており、その一方の実装パッド104は接続パッド102と一体に形成されている。他方の実装パッド105はヴィアホール106により第二グランドプレーン18と導通されており、抵抗体103は両端が一対の実装パッド104,105に接続されている。
【0101】
このような構成において、本形態のデータ処理端末100では、抵抗接続手段である抵抗体103が子基板15のみに搭載されているので、親基板11は従来と同一の構造で良い。このため、親基板11のみ搭載されて子基板15は搭載されていないデータ処理端末100を製品として販売し、このデータ処理端末100に顧客が所望によりオプションの子基板15を追加するような場合、この追加により発生する課題を防止する抵抗体103を子基板15のみに搭載しておけば良いことになる。
【0102】
従って、子基板15が搭載されていない初期状態のデータ処理端末100に無用な対策を実施する必要がなく、初期状態のデータ処理端末100の構造を簡略化して生産性を向上させることができる。また、データ処理装置100に子基板15が最初から搭載される場合でも、例えば、子基板15のサイズや形状が設計変更されるときに親基板15まで設計変更する必要がないので、量産するデータ処理端末100の生産性が良好である。
【0103】
なお、本発明も上記形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では抵抗接続手段となる抵抗体103が子基板15のみに搭載されていることを例示したが、抵抗体103が親基板11のみに搭載されていることも可能である。
【0104】
この場合、子基板15は従来と同一の構造で良いので、例えば、複数種類の子基板15を交換自在としても、その各々に抵抗体103を搭載する必要がないので、複数種類の子基板15の生産性が良好である。また、二個の抵抗体を親基板11と子基板15とに一個ずつ搭載することも可能であり、この場合は抵抗体の各々の抵抗値を半分とすることができる。
【0105】
ここで、本発明者による実験結果を図14および図15を参照して以下に説明する。
【0106】
本発明者はFDTD(Finite Differential Time Domain)法に基づいた既存の電磁界シミュレーションのアプリケーションソフトを一般的なパーソナルコンピュータにインストールし、その電磁界シミュレーションソフトにより、前述したデータ処理端末10,30,40,82の遠方放射電界強度の周波数特性を算出した。なお、遠方放射電界強度と端末近傍の電磁界による電磁干渉とは同一ではないが、遠方放射電界強度が高いほど近傍の電磁干渉も発生しやすいことは容易に想定できる。
【0107】
図14に電磁界シミュレーションのモデルを示す。第一グランドプレーン17は、左右長が160(mm)、前後幅が70(mm)、上下厚が無限小、の完全導体でモデル化し、第二グランドプレーン18は、左右長が40(mm)、前後幅が50(mm)、上下厚が無限小、の完全導体でモデル化した。さらに、接続コネクタ14は、左右長が20(mm)、前後幅が無限小、上下厚が4(mm)、の完全導体でモデル化し、第二グランドプレーン18の長辺に沿って位置した。
【0108】
データ処理回路19は、信号配線と抵抗と電圧源とで構成した。信号配線は、左右幅と上下厚が無限小、前後長が5(mm)、の棒状の完全導体でモデル化し、第一グランドプレーン17から2(mm)の高さに配置した。この信号配線の一端と第一グランドプレーン17との間には1(Ω)の抵抗を挿入し、信号配線の他端と第一グランドプレーン17との間には棒状の完全導体を挿入した。電圧源は信号配線の中央に第一グランドプレーン17と平行に配置した。電圧源の内部インピーダンスは0(Ω)、電圧源の出力電圧は1(V)とした。
【0109】
このデータ処理回路19は、長手方向が接続コネクタ14と直交する方向で、第二グランドプレーン18の中央付近の真下で第一グランドプレーン17上に位置するものとした。本来、データ処理回路19は親基板11の全体に搭載されているものであるが、わずか5(mm)の信号配線でも第二グランドプレーン18が共振することを示すため、このようなモデルとした。
【0110】
本シミュレーションでは、従来例と本発明とのデータ処理端末についてそれぞれ二つずつ検討した。従来例1は、第一グランドプレーン17と第二グランドプレーン18とが接続コネクタ14と対向する縁部で開放端になったデータ処理端末10、従来例2は、第二グランドプレーン18の対角位置にあるA点とD点とで両グランドプレーン17,18が完全導体でつながれたデータ処理端末30、に相当する。
【0111】
本発明1は、両グランドプレーン17,18間が縁部の中心B点で抵抗接続手段41により接続されたデータ処理端末40、本発明2は、両グランドプレーン17,18間が縁部の三点A,B,Cで抵抗接続手段83により接続されたデータ処理端末82、に相当する。
【0112】
接続コネクタ14と対向する第二グランドプレーン18の縁部では、両グランドプレーン17,18の間隔hが4(mm)、縁部の長さwが40(mm)であるから、"R=120×π×h/w(Ω)"の数式より、抵抗接続手段の抵抗値Rは37.7(Ω)となる。そこで、本発明1では抵抗接続手段41の抵抗値を37.7(Ω)とし、本発明2では抵抗接続手段83の抵抗値をRの三倍の値である113(Ω)とした。
【0113】
FDTD法による電磁界シミュレーションでは、計算モデルを含む計算領域を用意し、その外周に吸収境界領域を設ける。さらに、計算領域内をメッシュで分割する。本計算では、左右長が260(mm)、前後幅が170(mm)、上下幅が100(mm)の計算領域を設け、この中央に計算モデルを配置した。吸収境界条件には、10層のPML(Perfectly Matched Layer)の吸収境界条件を用いた。さらに、計算領域内は左右長と前後長とがともに5.0(mm)、上下幅が2.0(mm)の均一メッシュで分割した。
【0114】
以上の条件のもと、1.0〜3.0(GHz)の遠方放射電界強度を計算した。図15に計算結果を示す。第一グランドプレーン17の中心に原点を設定し、x-y平面、y-z平面、z-x平面での遠方放射電界強度の最大値をプロットした。従来例1の計算モデルにおいて、第二グランドプレーン17と接続コネクタ14とを取り去った場合の遠方放射電界強度の最大値をもとに正規化した結果である。
【0115】
従来1のデータ処理端末10では、1.4(GHz)付近にピークがある。第二グランドプレーン18の接続コネクタ14の位置から他方の縁部までの距離は45(mm)であり、この長さが1/4波長となる周波数は1.7(GHz)である。第二グランドプレーン18が幅広の導体板形状をしているため、共振周波数が多少低くなることを想定すると、このピークの原因は第一グランドプレーン17と第二グランドプレーン18と両グランドプレーン17,18をつなぐ接続コネクタ14とで形成されるグランド構造の共振にあると推測できる。
【0116】
従来2のデータ処理端末30では、2.2(GHz)付近にピークがある。第二グランドプレーン18の接続コネクタ14の位置から他方の縁部までの距離が1/2波長となる周波数は3.4(GHz)と、上述のピーク周波数とは大きく異なる。しかし、両グランドプレーン17,18を短絡するA点の位置が非対称であるのと、先と同様に第二グランドプレーン18が幅広の導体板形状をしているため、共振周波数が多少低くなることを想定すると、このピークの原因も第一第二グランドプレーン17,18と接続コネクタ14とA,D点の補助接続手段33とで形成されるグランド構造の共振にあると推測できる。
【0117】
この従来2のデータ処理端末30では、従来1のデータ処理端末10に比べて共振周波数を高くすることができたが、依然として無線通信で利用される周波数帯域で強い電磁波が発生している。例えば、PHSでは約1.9(GHz)、携帯電話機では約2.0(GHz)、無線LANやブルートゥースでは約2.4(GHz)を利用することから、これらの無線通信が従来2のデータ処理端末30では阻害されやすい。
【0118】
一方、本発明1,2のデータ処理端末40,82では、少なくとも1.0〜3.0(GHz)の広帯域で遠方放射電界強度のピークは存在せず、基準とした第二グランドプレーン18と接続コネクタ14とがない状態と同等である。ともに基準に対する増加分が2.0(dB)と、従来1,2に比べて非常に低い。
【0119】
第一グランドプレーン17と第二グランドプレーン18と接続コネクタ14からなるグランド構造において、第一第二グランドプレーン17,18によって形成される伝送線路の特性インピーダンス値と同値の抵抗体を、第二グランドプレーン18の接続コネクタ14と対向する縁部につけることで、このグランド構造による強い共振を広帯域で抑制することができる。
【0120】
【発明の効果】
本発明の第一のデータ処理端末では、所定の抵抗値を発生する抵抗接続手段が接続コネクタの位置と対向する第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を第一グランドプレーンに接続していることにより、
第一グランドプレーンと複数のグランド端子と第二グランドプレーンからなるグランド構造の共振のQを低下させることができるので、データ処理回路の電磁界に起因したグランド構造の共振を低減して無線通信を阻害する強力な電磁界の発生を防止することができる。
【0121】
また、本発明の他の形態では、第一グランドプレーンと複数のグランド端子と第二グランドプレーンからなるグランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段の抵抗値とが同等であることにより、
グランド構造の開放端を整合終端することができるので、データ処理回路の電磁界に起因したグランド構造の共振を予防して無線通信を阻害する強力な電磁界の発生を確実に防止することができる。
【0122】
また、抵抗接続手段が近傍に位置する第二グランドプレーンの縁部の長さを"w"、第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとの間隔を"h"、とすると、抵抗接続手段の抵抗値"R"が、
[α1×120×π×h/w]≦R<[α2×120×π×h/w](Ω)
(α1およびα2は"α1≦1<α2"を満足する所定の係数)
を満足することにより、
グランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段の抵抗値とを同等とすることができる。
【0123】
また、抵抗接続手段の抵抗値"R"が、
R=120×π×h/w(Ω)
を満足することにより、
グランド構造の特性インピーダンスと抵抗接続手段の抵抗値とを同一とすることができる。
【0124】
また、抵抗接続手段が第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとを並列に接続するn個からなり、これらn個の抵抗接続手段の各々の抵抗値"Rn"が、
Rn=120×n×π×h/w(Ω)
を満足することにより、
複数からなる抵抗接続手段の抵抗値とグランド構造の特性インピーダンスとを同一とすることができ、抵抗接続手段が複数なので各々に直列に存在する寄生インダクタンスを減少させてグランド構造を広帯域で整合終端することができる。
【0125】
また、一つの抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部の中央に近傍した位置を第一グランドプレーンに接続していることにより、
また、二つの抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部の両端の近傍の位置を第一グランドプレーンに個々に接続していることにより、
また、三つの抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部の中央と両端との近傍の位置を第一グランドプレーンに個々に接続していることにより、
第二グランドプレーンを所定個数の抵抗接続手段により対称な状態で第一グランドプレーンに接続することができる。
【0126】
また、抵抗接続手段が第二グランドプレーンの縁部と同等な全長の細長形状に形成されて略平行に位置していることにより、
第二グランドプレーンの縁部の全体を一つの抵抗接続手段により第一グランドプレーンに接続することができる。
【0127】
また、抵抗接続手段は親基板に搭載されて第一グランドプレーンに接続された抵抗体からなり、この親基板の抵抗体と子基板の第二グランドプレーンとが導体で接続されていることにより、
抵抗接続手段に必要な抵抗体が親基板に搭載されているので、子基板の構造を従来と同一にすることができる。
【0128】
また、抵抗接続手段は子基板に搭載されて第二グランドプレーンに接続された抵抗体からなり、この子基板の抵抗体と親基板の第一グランドプレーンとが導体で接続されていることにより、
抵抗接続手段に必要な抵抗体が子基板に搭載されているので、親基板の構造を従来と同一にすることができる。
【0129】
また、抵抗接続手段は親基板と子基板とに個々に搭載されて第一グランドプレーンと第二グランドプレーンとに個々に接続された二つの抵抗体からなり、これら親基板と子基板との抵抗体が導体で接続されていることにより、
抵抗接続手段が二つの抵抗体からなるので、その各々の抵抗値を半減することができる。
【0130】
また、外部と無線通信する無線通信回路が着脱自在に装着されており、無線通信回路とデータ処理回路が有線通信することにより、
また、外部と無線通信する無線通信回路が一体に形成されており、無線通信回路とデータ処理回路が有線通信することにより、
無線通信回路の無線通信を阻害する電磁界をグランド構造が共振により発生することがないので、無線通信回路が良好に無線通信することができる。
【0131】
本発明の端末設計装置および端末設計方法では、データ処理端末の接続コネクタの位置と対向する第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を第一グランドプレーンに接続する抵抗接続手段の抵抗値“R”を抵抗算出手段が“R=120×π×h/w(Ω)”として算出することにより、
データ処理端末のグランド構造の開放端を整合終端する抵抗接続手段の抵抗値を算出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の第一の形態のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図2】第一グランドプレーンや第二グランドプレーンなどの電気的構造を示す模式図である。
【図3】本発明の実施の一形態の端末設計装置の物理構造を示すブロック図である。
【図4】端末設計装置の論理構造を示す模式図である。
【図5】端末設計装置による端末設計方法を示すフローチャートである。
【図6】第一の変形例のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図7】第二の変形例のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図8】第三の変形例のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図9】第四第五の変形例のデータ処理端末の要部を示す平面図である。
【図10】第六第七の変形例のデータ処理端末の要部を示す平面図である。
【図11】第八の変形例のデータ処理端末の要部を示す平面図である。
【図12】第二の形態のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図13】子基板の要部を示す底面図である。
【図14】電磁界シミュレーションのモデルを示す模式図である。
【図15】遠方放射電界強度の周波数特性を示す特性図である。
【図16】第一の従来例のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図17】第二の従来例のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図18】第三の従来例のデータ処理端末の内部構造を示す斜視図である。
【図19】第一の従来例のデータ処理端末の第一グランドプレーンや第二グランドプレーンなどの電気的構造を示す模式図である。
【図20】逆Lアンテナと逆Fアンテナとの構造を示す模式図である。
【符号の説明】
11 親基板
14 接続コネクタ
15 子基板
17 第一グランドプレーン
18,90,91,96 第二グランドプレーン
19 データ処理回路
40,80,82,84,100 データ処理端末
41,81,83,85,92〜95,103 抵抗接続手段
50 端末設計装置
51 コンピュータの主体であるCPU
53 情報記憶媒体であるROM
54 情報記憶媒体であるRAM
55 情報記憶媒体であるHDD
56 情報記憶媒体であるFD
58 情報記憶媒体であるCD−ROM
71 長さ入力手段
72 長さ記憶手段
73 間隔入力手段
74 間隔記憶手段
75 抵抗算出手段

Claims (18)

  1. 電位基準を決定する所定形状の導体からなる第一グランドプレーンと、
    少なくとも複数の縁部を具備する所定形状の導体からなり前記第一グランドプレーンと略平行に位置する第二グランドプレーンと、
    前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとの少なくとも一方に接続されているデータ処理回路と、
    前記第二グランドプレーンの一方の縁部の近傍の位置を前記第一グランドプレーンに複数のグランド端子で接続している接続コネクタと、
    この接続コネクタの位置と対向する前記第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を所定の抵抗値で前記第一グランドプレーンに接続している抵抗接続手段と、
    具備しているデータ処理端末。
  2. 前記第一グランドプレーンと複数の前記グランド端子と前記第二グランドプレーンからなるグランド構造の特性インピーダンスと前記抵抗接続手段の抵抗値とが同等である請求項1に記載のデータ処理端末。
  3. 前記抵抗接続手段が近傍に位置する前記第二グランドプレーンの縁部の長さを“w”、前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとの間隔を“h”、とすると、前記抵抗接続手段の抵抗値“R”が、
    [α1×120×π×h/w]≦R<[α2×120×π×h/w](Ω)
    (α1およびα2は“α1≦1<α2”を満足する所定の係数)
    を満足する請求項2に記載のデータ処理端末。
  4. 前記抵抗接続手段の抵抗値“R”が、
    R=120×π×h/w(Ω)
    を満足する請求項3に記載のデータ処理端末。
  5. 前記抵抗接続手段が前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとを並列に接続するn個からなり、
    これらn個の抵抗接続手段の各々の抵抗値“Rn”が、
    Rn=120×n×π×h/w(Ω)
    を満足する請求項4に記載のデータ処理端末。
  6. 一つの前記抵抗接続手段が前記第二グランドプレーンの縁部の中央に近傍した位置を前記第一グランドプレーンに接続している請求項1ないし4の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  7. 二つの前記抵抗接続手段が前記第二グランドプレーンの縁部の両端の近傍の位置を前記第一グランドプレーンに個々に接続している請求項1ないし5の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  8. 三つの前記抵抗接続手段が前記第二グランドプレーンの縁部の中央と両端との近傍の位置を前記第一グランドプレーンに個々に接続している請求項1ないし5の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  9. 前記抵抗接続手段が前記第二グランドプレーンの縁部と同等な全長の細長形状に形成されており、
    前記抵抗接続手段が前記第二グランドプレーンの縁部と略平行に位置している請求項6に記載のデータ処理端末。
  10. 前記第一グランドプレーンは前記データ処理回路が搭載された親基板に形成されており、
    前記第二グランドプレーンは前記データ処理回路の処理データを一時記憶するメモリ回路が搭載された子基板に形成されており、
    前記抵抗接続手段は前記親基板に搭載されて前記第一グランドプレーンに接続された抵抗体からなり、
    この親基板の抵抗体と前記子基板の第二グランドプレーンとが導体で接続されている請求項1ないし9の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  11. 前記第一グランドプレーンは前記データ処理回路が搭載された親基板に形成されており、
    前記第二グランドプレーンは前記データ処理回路の処理データを一時記憶するメモリ回路が搭載された子基板に形成されており、
    前記抵抗接続手段は前記子基板に搭載されて前記第二グランドプレーンに接続された抵抗体からなり、
    この子基板の抵抗体と前記親基板の第一グランドプレーンとが導体で接続されている請求項1ないし9の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  12. 前記第一グランドプレーンは前記データ処理回路が搭載された親基板に形成されており、
    前記第二グランドプレーンは前記データ処理回路の処理データを一時記憶するメモリ回路が搭載された子基板に形成されており、
    前記抵抗接続手段は前記親基板と前記子基板とに個々に搭載されて前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとに個々に接続された二つの抵抗体からなり、
    これら親基板と子基板との前記抵抗体が導体で接続されている請求項1ないし9の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  13. 外部と無線通信する無線通信回路が着脱自在に装着されており、
    前記無線通信回路と前記データ処理回路が有線通信する請求項1ないし12の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  14. 外部と無線通信する無線通信回路が一体に形成されており、
    前記無線通信回路と前記データ処理回路が有線通信する請求項1ないし12の何れか一項に記載のデータ処理端末。
  15. 電位基準を決定する所定形状の導体からなる第一グランドプレーンと、少なくとも複数の縁部を具備する所定形状の導体からなり前記第一グランドプレーンと略平行に位置する第二グランドプレーンと、前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとの少なくとも一方に接続されているデータ処理回路と、前記第二グランドプレーンの一方の縁部の近傍の位置を前記第一グランドプレーンに複数のグランド端子で接続している接続コネクタと、を具備するデータ処理端末の設計に利用される端末設計装置であって、
    前記接続コネクタの位置と対向する前記第二グランドプレーンの他方の縁部の長さ“w”入力する長さ入力手段と、
    前記長さ入力手段入力された長さ“w”を記憶する長さ記憶手段と、
    前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとの間隔“h”入力する間隔入力手段と、
    前記間隔入力手段入力された間隔“h”を記憶する間隔記憶手段と、
    前記長さ“w”を前記長さ記憶手段から読み出すとともに、前記間隔“h”を前記間隔記憶手段から読み出し、前記接続コネクタの位置と対向する前記第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を前記第一グランドプレーンに接続する抵抗接続手段の抵抗値“R”を“R=120×π×h/w(Ω)”として算出する抵抗算出手段と、
    を具備している端末設計装置。
  16. 電位基準を決定する所定形状の導体からなる第一グランドプレーンと、少なくとも複数の縁部を具備する所定形状の導体からなり前記第一グランドプレーンと略平行に位置する第二グランドプレーンと、前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとの少なくとも一方に接続されているデータ処理回路と、前記第二グランドプレーンの一方の縁部の近傍の位置を前記第一グランドプレーンに複数のグランド端子で接続している接続コネクタと、を具備しているデータ処理端末を設計する端末設計方法であって、
    前記接続コネクタの位置と対向する前記第二グランドプレーンの他方の縁部の長さ“w”入力する工程と、
    前記入力された長さ“w”を長さ記憶手段に記憶する工程と、
    前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとの間隔“h”入力する工程と、
    前記入力された間隔“h”を間隔記憶手段に記憶する工程と、
    前記長さ“w”を前記長さ記憶手段から読み出すとともに、前記間隔“h”を前記間隔記憶手段から読み出し、前記接続コネクタの位置と対向する前記第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を前記第一グランドプレーンに接続する抵抗接続手段の抵抗値“R”を“R=120×π×h/w(Ω)”として算出する工程と、
    を具備している端末設計方法。
  17. 請求項15に記載の端末設計装置のためのコンピュータプログラムであって、
    前記接続コネクタの位置と対向する前記第二グランドプレーンの他方の縁部の長さ“w”入力する処理と、
    力された長さ“w”を長さ記憶手段に記憶する処理と、
    前記第一グランドプレーンと前記第二グランドプレーンとの間隔“h”入力する処理と、
    力された間隔“h”を間隔記憶手段に記憶する処理と、
    前記長さ“w”を前記長さ記憶手段から読み出すとともに、前記間隔“h”を前記間隔記憶手段から読み出し、前記接続コネクタの位置と対向する前記第二グランドプレーンの他方の縁部の近傍の位置を前記第一グランドプレーンに接続する抵抗接続手段の抵抗値“R”を“R=120×π×h/w(Ω)”として算出する処理と、
    を前記端末設計装置に実行させるためのコンピュータプログラム。
  18. 端末設計装置のためのコンピュータプログラムが格納されている情報記憶媒体であって、
    請求項17に記載のコンピュータプログラムが格納されている情報記憶媒体。
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