JP3687243B2 - パターン検査装置 - Google Patents
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【従来の技術】
最近のLSIの高集積化に伴い、ますますウエハ、マスクなどの試料面上の欠陥検出感度が高くなってきている。例えば、256MDRAMのパターン寸法0.25μmウエハパターン上の検出すべき欠陥の寸法に対して0.1μmの検出感度が必要とされている。また、高検出感度化とともに検査速度の高速化をも満足させた検査装置の要求が高まってきている。これらの要求に応えるべく、電子ビームを用いた表面検査装置が開発されている。
【0002】
従来、電子ビームを用いたパターン検査装置として、例えば、特開平5−258703号公報や特開平7−249393号公報などがある。
従来技術の代表例として、特開平7−249393号公報について簡単に説明する。図10は、従来のパターン検査装置の全体構成図である。矩形電子ビームを発生させる電子銃と四極子レンズ系とからなる1次コラム81と試料からの二次電子もしくは反射電子を検出する投影型二次電子検出コラム84とから構成されている。矩形陰極と四極子レンズ系とをからなる電子光学系を用いたことにより、容易に試料面82に照射されるビーム形状を任意に形成することができる。本装置は、適正なアスペクト比をもつ矩形ビームにより、高検出感度で、試料全面を走査するための検査時間は大幅に短縮できることを特徴としている。
【0003】
次に、試料からの二次電子を検出する二次電子検出系としては様々な検出系が提案されている。その一例としてMCP/蛍光面/リニアイメージセンサを用いた二次電子検出器について説明する。図11は、従来の二次電子検出器の断面図である。試料からの放出された二次電子は、二次電子検出コラムを通過してMCP検出面に結像される。その後段に蛍光面72を塗布したファイバプレート73を配置し、倍増された電子群の信号を光信号に変換され、MOS型リニアイメージセンサ74で電気信号に再変換される構成である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術においては、ウエハを連続的に検査する処理速度を考えると、ステージの折り返し時間を最小にする為に、TDIアレイCCDに双方向の撮像機能のあるカメラを採用する必要が出てくる。ところが、双方向のTDIカメラでは、TDIの積算ライン数を可変に設定することができず、積算ライン数は固定に設定しなければならない。これでは、装置が安定に稼働できる条件を最優先としてTDIカメラを選択しなくてはならず、積算ライン数を、試料の電子ビーム照射によるダメージ特性に合わせて最適に設定したり、装置の設置環境の善し悪し(床振動の大小、変動磁場の大小、等)に合わせて最適化したりする条件設定の自由度がなくなるという問題が生じる。
【0005】
双方向の撮像が可能なTDIカメラで、かつ積算ライン数を可変にできるものを開発するには、膨大な開発コストが発生し、CCDの内部構成も複雑になり、CCDの開口率も低下し、ひいてはライン積算の効果が低くなるという問題が生じる。
本発明の目的は、高感度な欠陥検出性能を維持しつつ、MCPの寿命を向上させ、低コストで高速処理を可能とするパターン検査装置を提供することにある。
【0006】
【問題を解決するための手段】
上記問題点の解決の為に本発明では、まず、請求項1では、試料面上に電子ビームを照射する照射手段と、前記試料を前記電子ビーム照射面に移動するX−Yステージと、該X−Yステージの位置を検出する位置検出手段と、前記電子ビームにより照射された試料面からの二次電子、反射電子及び後方散乱電子のうち少なくとも1つを試料画像ビームとして検出する単方向のTDIカメラと、前記試料画像ビームを前記単方向のTDIカメラ上に試料像として結像させる投影型電子光学系とを有する試料のパターンを検出するパターン検出装置であって、前記ステージの移動方向変化に応じて前記投影型電子光学系を制御することにより前記単方向のTDIカメラ上に結像された試料像を反転させて、試料面上のパターンを連続検査することとした。
【0007】
本発明の請求項2では、請求項1に付け加え、前記単方向のTDIカメラは積算ライン可変型であり、前記積算ライン数は検査対象試料の状態に応じて設定を可変とした。
【0008】
本発明の請求項3では、請求項1に付け加え、前記照射手段は1次前記電子ビームの電流量を検査対象試料の状態に応じて設定を可変とした。
【0009】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施の形態の全体構成図である。図にステージ6の位置ずれ方向を示す座標としてX軸、紙面に垂直方向にY軸、θはZ軸回りの角度を示した。
矩形電子ビームを形成する電子銃1と四極子レンズ系2とからなる電子ビーム照射手段としての一次コラム3から照射される一次照射ビーム100により、試料6から二次電子110が発生する。試料6の表面上から発生する二次電子110は、投影型二次電子検出コラム4により捕獲され、電子検出手段としてのMCPアセンブリ検出器5に拡大投影される。
【0010】
MCPアセンブリ検出器5は積算ライン可変型96段TDI方式CCDカメラ駆動制御手段8により制御され、試料画像信号が取り出される。
試料6はステージ7上に載置され、ステージは駆動手段によりX及びY方向に移動可能となっており、その実際の位置X、Y及び角度θは、位置検出手段としてのレーザー干渉計ユニット9により読み取り可能となっている。
【0011】
CPU10からの指示により、ステージ駆動手段がX−Yステージ7を駆動する。そのステージの位置情報が、レーザー干渉計ユニット9からTDI方式CCDカメラ駆動制御手段8へ伝達されて、順次試料画像がCPU10へ供給され、ディスプレイ12上に画像表示されるようになっている。
上述の如く構成された電子ビームによる欠陥検査装置の動作について以下順を追って説明する。
【0012】
まず始めに、積算ライン可変型TDIアレイCCDについて簡単に説明する。第2図は、積算ライン可変型96段TDI(Time-Delay-Integration)アレイCCDのブロック図である。
C1〜C2048の2048個のCCD画素が水平方向に並んでいるライン状のCCDステージが、Row1〜Row96の96個だけ垂直方向に並べられている。
各CCDステージ上の蓄積電荷は、外部から供給される1垂直クロック信号により、一度に垂直方向へ1ステージ分だけ転送されるしくみになっている。
【0013】
積算ライン数が外部からの信号により最大の96ラインに設定されている場合、
例えばある時点でRow96に撮像された2048画素の画像が、垂直方向に1ステージ分だけ移動し、それと同期して垂直クロック信号が与えられると、Row96に撮像されたライン画像はRow95に転送される。そこで同じ画像を撮像し続けるので、蓄積される画像の電荷は2倍になる。続けて画像が垂直方向にさらに1ステージ分移動し、同期クロック信号が与えられると、蓄積画像はRow94に転送され、そこで3倍の画像電荷を蓄積する。
【0014】
以下順々に、画像の移動に追随してRow1まで電荷の転送と撮像を繰り返し終わると、96倍の画像電荷を蓄積した結果が水平出力レジスタからシリアルに画像データとして取り出される。
以上のような動作が、各ステージRow1〜Row96で同時に行われ、2次元の画像(2048画素×96画素)を垂直方向に送りながら、96倍の画像電荷を蓄積した画像を、1ラインずつ同期して取り出していくことが可能となる。
【0015】
外部制御により、積算ライン数を可変にする場合は、以下のようになる。
このカメラの場合、積算ラインは、96、48、24、12、6段の5通りが選択可能になっている。
例えば、48段に設定された場合は、CSS48で図示されているライン状の箇所で、転送電荷はカットされる構造になっている。つまり48段設定の場合、実際に撮像に寄与するのはRow1〜Row48までに限定される。他の段数設定の場合は、その段数に応じて、CSS24、CSS12、CSS6、の箇所で転送電荷がカットされるようになる。
【0016】
次にMCPアセンブリ検出器について説明する。図3はMCPアセンブリ検出器の構成説明図である。
前記投影型二次電子コラムから投影される試料画像ビーム36は、第1のMCP31に入射する。第1のMCP31に入射した試料画像ビーム36はその電流量をMCP内で増幅しながら、第2のMCP32を経由して蛍光面33に衝突する。
【0017】
その際、第1のMCP31の入口の電位は、投影型二次電子コラムから投影される試料画像ビーム36の加速電圧を、MCPの検出効率の最も良い値に調整する為に設定される。例えば、投影試料画像ビーム36の加速電圧が+5kVであった場合、第1のMCP31の入口の電位は−4.5kVに設定して減速させ、その電子エネルギーが0.5keV程度になるようにする。
【0018】
試料画像ビーム電流量の増幅率は、第1のMCP31と第2のMCP32の間に印可される電圧で規定される。例えば1kV印可で1×104の増幅率となる。
また、第2のMCP32から出力される画像ビームの拡がりをできるだけ抑制する為に、第2のMCP32と蛍光面33との間には、4kV程度の電圧を印可する。
【0019】
蛍光面33では電子が光子に変換され、その出力画像はFOP(ファイバーオプティックプレート)34を通過して、前記TDIアレイCCDを搭載したTDI方式CCDカメラ35に照射される。蛍光面33での画像サイズとTDIアレイCCDの撮像サイズを合わせる為、FOP34では約3:1に画像が縮小されて投影されるように、設計されている。
【0020】
以上のような機能を持つ構成要素を用いて、実際にどのようにして試料画像がCPUに取り込まれていくかを、以下に説明する。
図4おいて、試料(ウエハ)44の中の斜線で示された検査対象領域43を検査する場合を想定する。前記CPUの指示により、試料44は一定の速度で垂直方向に連続的に移動しているものとする。また、一次照射ビーム100により照射された試料領域からのライン状画像ビーム40は、前記MCPアセンブリ検出器に適正に拡大投影されているとする。
【0021】
今、図4で示されている位置から検査を開始すると、検査対象領域43の座標(X1,Y1)から(X2048,Y1)までの試料画像が、前記TDIアレイCCDのRow96に撮像、蓄積される。試料44の垂直移動により、一次ビーム照射位置が移動方向42に一画素分移動すると、前記レーザー干渉計ユニット8は前記TDIカメラコントロールユニット9に垂直クロック信号を1つ送出する。
【0022】
すると、前記TDIアレイCCDのRow96に撮像された画像はRow95に転送され、次のクロックが来るまで、(X1,Y1)から(X2048,Y1)までの試料画像は前記TDIアレイCCDのRow95に、(X1,Y2)から(X2048,Y2)までの試料画像はRow96に撮像される様になる。
以下同様にして、一次照射ビーム41のRow96が、(X1,Y96)から(X2048,Y96)までの試料座標位置まで来てその撮像を終えると、前記(X1,Y1)から(X2048,Y1)までの試料画像が、TDIカメラコントロールユニット9を経由して、はじめてCPU10に出力され始める。次の垂直クロック信号からは、(X1,Y2)から(X2048,Y2)までの試料画像がCPU10に出力され、以下順々に画像がCPUに取得され、検査が遂行されていく。
【0023】
図5は、検査対象ウエハ全体から見た、検査の流れを図示している。
図中、X−Yステージ移動による照射ビーム位置の軌跡50に示した。この図のように、1方向のステージ連続移動による検査を終えると、次の検査ではステージの移動方向は正反対にするのが最も処理速度が早くなる。
そこで、本実施例ではTDIアレイCCDの積算方向は変えられないので、投影型二次電子検出コラム2の内部において、写像を倒立させる手段を用いる。
【0024】
図6は、写像の正立、倒立を切り替える、結像モードの光線模式図である。
写像を倒立させるには、静電レンズによる結像の回数を1回多くするか、少なくすれば良くい。その際に生じる倍率差は、十分吸収できるようにレンズ構成をあらかじめ設計しておく。
図6Aは、試料面上の試料像がMCP検出器面上に正立結像するモードを概念的に説明している。カソードレンズ61およびトランスファーレンズ62により、試料像はある倍率でフィールドアパーチャー65面に結像される。
さらに後段の第一投影レンズ63および第二投影レンズ64により、試料像はMCP面上に結像される。
【0025】
図6Bは、第一投影レンズ63および第二投影レンズ64の印可電圧を変えて、結像回数を1回少なくしている。従って、図6Bの結像は図6Aの倒立した像となる。倍率調整は、各レンズの印可電圧を調整することにより行う。
以上のような方法により、双方向に画像積算のできるTDIカメラを用いなくとも、図5のような流れの検査が可能となる。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、TDIカメラでの積算ライン数を選択可能とできるので、1次ビーム電流量をある程度、試料の表面状態や表面材質に合わせて最適化することが可能となる。従って、試料の1次ビーム照射によるチャージアップや、汚染などのダメージを、最小限に抑えることが可能となる。
【0027】
さらに、装置に最適な画素構成、積算ライン数の構成を選択できるように、TDIアレイCCDおよびカメラコントロールユニットを特別に開発しても、単方向のTDI方式で良いので、その開発コストを大幅に削減することができる。
例えば、TDI積算ライン数の最大可能値は512ラインにできるように設計し、その選択を、512、256、128、64、32、16、8、とできるようにすることも容易にでき、安定かつ高速な検査を可能とする装置を安価に開発することが可能となる。
【0028】
本発明においては、写像の倒立手段に静電レンズの印可電圧による像倒立を用いているが、偏向器による像回転や電磁レンズによる像回転など、他の回転手段を用いても良いことは言うまでも無い。
本発明においては、試料ステージの折り返し時に写像を180度回転させることが出来るので、単方向のTDIカメラを使用しても、双方向TDIカメラを採用した場合と同じ処理速度が得られる。
また、積算ライン数を可変に設定出来るTDIカメラを採用できるので、TDIカメラでの積算ライン数と、1次電子ビーム量をケースに応じて最適化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の全体構成概念図。
【図2】TDI方式アレイCCDのブロック図
【図3】電子検出手段(MCPアッセンブリ検出器)の構成図
【図4】パターン検査時におけるTDI方式アレイCCDの動作説明図。
【図5】パターン検査時における試料ステージ動作説明図。
【図6】写像結像モード概念説明図。
【符号の説明】
1 電子銃
2 四極子レンズ系
3 電子ビーム照射手段(電子銃と四極子レンズ系とからなる1次電子コラム)
4 二次電子検出コラム
5 電子検出手段(MCPアッセンブリ検出器)
6 試料
7 X−Yステージ
8 TDIアレイCCDカメラ駆動制御手段
9 干渉計ユニット(X−Yステージ位置検出手段)
10 CPU
11 メモリ
12 ディスプレイ
13 遮蔽手段
14 電子ビーム照射手段移動機構
31、32 MCP受像部
33 蛍光部
34 ファイバオプテイクプレート(FOP)
35 TDIアレイCCDを搭載したカメラ
100 一次照射ビーム
110 試料からの放射される電子ビーム
Claims (3)
- 試料面上に電子ビームを照射する照射手段と、前記試料を前記電子ビーム照射面に移動するX−Yステージと、該X−Yステージの位置を検出する位置検出手段と、前記電子ビームにより照射された試料面からの二次電子、反射電子及び後方散乱電子のうち少なくとも1つを試料画像ビームとして検出する単方向のTDIカメラと、前記試料画像ビームを前記単方向のTDIカメラ上に試料像として結像させる投影型電子光学系とを有する試料のパターンを検出するパターン検出装置であって、
前記ステージの移動方向変化に応じて前記投影型電子光学系を制御することにより前記単方向のTDIカメラ上に結像された試料像を反転させて、試料面上のパターンを連続検査させることを特徴とするパターン検査装置。 - 前記単方向のTDIカメラは積算ライン可変型であり、前記積算ライン数は検査対象試料の状態に応じて設定を可変としたことを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。
- 前記照射手段は前記電子ビームの電流量を検査対象試料の状態に応じて設定を可変としたことを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。
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