JP3683779B2 - ワンダ発生器のｔｄｅｖマスク特性設定装置 - Google Patents
ワンダ発生器のｔｄｅｖマスク特性設定装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワンダを含むクロック信号を発生するワンダ発生器に係わり、特に、出力されるクロック信号のワンダが有するＴＤＥＶ（Time DEViation タイムデビエーション）特性を規定するＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
デジタル伝送システムに組込まれた各種電子機器や伝送装置の伝送特性の１つとして、この各種電子機器や伝送装置に入力される信号における位相揺らぎに対する耐力がある。この信号における位相揺らぎのうち、一般に揺らぎの周波数が１０Hzより高い成分をジッタと称し、１０Hzより低い成分をワンダと称する。
【０００３】
これらの位相揺らぎのうち信号に含まれるワンダを定量的に評価する指標としてＴＤＥＶ（Time DEViation タイムデビエーション）特性が規定されている。このＴＤＥＶ特性を測定する場合、ワンダを含む被測定信号の位相とワンダを含まない基準信号とを所定のサンプリング周期τSでサンプリングする。そして、ワンダを含む被測定信号の位相と、ワンダを含まない基準信号の位相とを比較して各サンプリング時におけるその位相差ＴＩＥ（Time Interval Error）を、元々両信号相互間が有する初期位相差に対する変化量ｘi（ＴＩＥデータ）として順次求め、この各サンプリング時における変化量ｘiを各積分期間（積分時間）τ（＝ｎ・τS）時点における変化量ｘiのパワーとして(1)式で求めてＴＤＥＶ特性（τ）とする。
【０００４】
【数１】
【０００５】
但し、ｘi；変化量、Ｎ；総サンプル数、τS；サンプリング周期、ｎ；サンプリング周期の数、τ；積分時間（＝ｎ・τS）である。
すなわち、このＴＤＥＶ特性（τ）は、位相差のパワースペクトラム密度分布を時間（経過時間）で評価するものである。
【０００６】
前述した各種電子機器や伝送装置の被測定系が有するワンダに対する特性を測定する測定手法には下記の３種類がある。
【０００７】
（１） 被測定系自体が発生するワンダの特性の測定
入力信号を印加しないで被測定系自体から出力される被測定信号に含まれるワンダをワンダ測定器で測定して上述したＴＤＥＶ特性を得る。この被測定系としては例えば発振器等がある。
【０００８】
（２） 被測定系が有する耐ワンダ特性の測定
ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測定系へ印加して、この被測定系の出力信号のビット誤りを誤り測定器で測定することによって、この被測定系が試験信号をどの程度誤りなくデータ処理できるかを評価する。この被測定系としては一般的なデータ処理装置等がある。
【０００９】
（３） 被測定系が有するワンダの伝達特性の測定
ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測定系へ印加して、この被測定系の出力信号に含まれるワンダをワンダ測定器で測定して上述したＴＤＥＶ特性（τ）を得る。この被測定系としては例えば中継器や増幅器等がある。
【００１０】
これらの３種類の測定のうち（２）、（３）の各測定においては、所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワンダを含む試験信号を発生させることが可能なワンダ発生器が必要である。
【００１１】
このワンダ発生器は例えば図９に示すように構成されている。変調信号発生部１から出力される１０Hzより低い位相変調用の変調信号と基準電圧発生部２から出力された直流の基準電圧とを加算部３で加算して、その加算部３の出力をＶＣＯ（電圧制御発振器）４に入力して、基準電圧に対応した中心周波数を有し、変調信号によって位相変調されたクロック信号ＣＫを発生している。
【００１２】
このワンダ発生器では、変調信号発生部１から出力される変調信信号の周波数や振幅を可変することによって、出力されるクロック信号ＣＫのワンダの周波数や大きさを可変することが可能である。
【００１３】
近年、被測定系が有するワンダに対する特性を測定する測定規格がＡＮＳＩ等によって提唱されている。この規格においては、ワンダ発生器から出力されるワンダを含む試験信号のＴＤＥＶ特性（τ）をＴＤＥＶマスク特性と称する規格値（特性値）で規定し、被測定系に対する測定結果の普遍性を確保するようにしている。
【００１４】
このＴＤＥＶマスク特性は、例えば被測定系の種類や測定目的に応じて複数種類準備されているが、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、複数の線分６ａ、６ｂ、６ｃを接続して１つのＴＤＥＶマスク特性５を構成している。なお、ＴＤＥＶマスク特性５における横軸は前述した時間経過を示す積分時間τ（＝ｎ・τS）であり、縦軸は位相の変化量のパワースペクトラム密度を示す特性値である。
【００１５】
例えば、図１０（ａ）のＴＤＥＶマスク特性５は、２本の線分６ａ、６ｂで構成され、(2)式でこのＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
【００１６】
ここで、Ａ0、Ａ1、τ0、τ1、τ2はこのＴＤＥＶマスク特性５を構成する線分６ａ，６ｂを特定するための各パラメータである。具体的にはτ0、τ1は各線分６ａ、６ｂの開始点を示し、τ2は線分６ｂの終了点を示し、Ａ0は線分６ａの開始点τ0での特性値を示し、Ａ1は線分６ｂの傾斜を示す。
【００１７】
また、図１０（ｂ）のＴＤＥＶマスク特性５は、３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃで構成され、(3)式でこのＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
【００１８】
ここで、Ａ0、Ａ1、Ａ2 、τ0、τ1、τ2 、τ3はこのＴＤＥＶマスク特性５を構成する線分６ａ，６ｂ、６ｃを特定するための各パラメータである。具体的にはτ0、τ1、τ2は各線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点を示し、τ3は線分６ｃの終了点を示し、Ａ0は線分６ａの開始点τ0での特性値を示し、Ａ1は線分６ｂの傾斜を示し、Ａ2は線分６ｃの開始点τ2での特性値を示す。
【００１９】
しかしながら、図９に示すワンダ発生器においては、単信号の位相変調しかできないので、上述した規格に定められた積分時間範囲毎に特性値が異る複数の線分６ａ〜６ｃで構成されたＴＤＥＶマスク特性５を満足するＴＤＥＶ特性のワンダを含む試験信号を発生させることが困難であった。
【００２０】
このような不都合を解消するためにＴＤＥＶ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器が開発されている。このＴＤＥＶ特性設定装置においては、前述した各規格で定められた複数のＴＤＥＶマスク特性が予め記憶されている。なお、具体的には、各ＴＤＥＶマスク特性５を構成する複数の線分６ａ〜６ｃを特定する各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…が記憶保持されている。
【００２１】
そして、ワンダ発生器の操作者がＴＤＥＶマスク特性５を特定する特性番号（グラフ番号）を操作パネル上で操作入力すると、ＴＤＥＶ特性設定装置に記憶されている指定された特性番号のＴＤＥＶマスク特性５の各パラメータＡ0〜τ3が読出されてＴＤＥＶマスク特性５が作成されて、変調信号（揺らぎ信号）発生器部１へ印加される。
【００２２】
変調信号（揺らぎ信号）発生部１は、入力されたＴＤＥＶマスク特性５に基づいてこのＴＤＥＶマスク特性に対応した変調信号（揺らぎ信号）を生成して、基準電圧発生部２から出力された直流の基準電圧とを加算部３で加算して、その加算部３の出力をＶＣＯ（電圧制御発振器）４に入力して、基準電圧に対応した中心周波数を有し、変調信号（揺らぎ信号）によって位相変調されて、指定したＴＤＥＶマスク特性５に対応したＴＤＥＶ特性（τ）を有するワンダを含むクロック信号ＣＫが発生する。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したＴＤＥＶ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器においてもまだ改良すべき次のような課題があった。
【００２４】
すなわち、このワンダ発生器に組込まれたＴＤＥＶ特性設定装置においては、上述したように、ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ１等の各測定規格に定められた数種類のＴＤＥＶマスク特性５のみしか記憶されていなかった。
【００２５】
しかし、近年、デジタル通信技術が飛躍的に発達して、ワンダに関する特性も上述した各測定規格に定められた測定のみならず、種々の測定条件でワンダに関する特性を測定することが切望されている。
【００２６】
この場合、新規の測定条件として、上記各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性５とは全く異なるＴＤＥＶマスク特性を設定可能とすることは勿論のこと、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性の一部を変更したのみのＴＤＥＶマスク特性を簡単にかつ短時間で設定できることが望まれている。
【００２７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性以外にも、測定者が必要とする任意のＴＤＥＶマスク特性を簡単な操作でかつ誤りなく設定でき、ワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する測定範囲を大幅に拡大できるワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、指定されたＴＤＥＶマスク特性に対応するＴＤＥＶ特性を有するワンダを含むクロック信号を発生するワンダ発生器に組込まれ、ＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置に適用される。
【００２９】
そして、上記課題を解消するために本発明のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、それぞれ複数の線分を接続してなるＴＤＥＶマスク特性を記憶するＴＤＥＶマスク特性ファイルと、操作指定されたＴＤＥＶマスク特性をＴＤＥＶマスク特性ファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスク特性読出手段と、ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分の開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示を取込む変更指示取込手段と、この変更指示取込手段で取込んだ各変更指示を受け、操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを算出することによって操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を変更するＴＤＥＶマスク特性変更手段とを備えている。
【００３０】
このように構成されたワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、例えば、規格で定められた各ＴＤＥＶマスク特性はＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されている。そして、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマスク特性がＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されている規格で定められている各ＴＤＥＶマスク特性の中の１つのＴＤＥＶマスク特性に近似している場合は、該当ＴＤＥＶマスク特性を表示画面上へ読出して、このＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分のうち変更すべき線分の開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示を入力する。
【００３１】
すると、この各変更指示を用いて、指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータが自動的に算出される。すなわち、ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分は互いに接続されている。したがって、目的とする１つの線分の開始点や終了点や、開始点や終了点での各特性値を変更した場合、この目的とする線分に隣接する各線分の開始点や終了点や、開始点や終了点での各特性値や傾斜も同時に変更しなければ、隣接する線分相互間に不連続部分が発生したり、重複部分が発生したりする。
【００３２】
このような事態が発生しないようにするためには、操作者は目的とする１つの線分の開始点や終了点や特性値等の各変更指令を入力するとともに、それに応じて変更する必要がある隣接する各線分の開始点や終了点や傾斜や特性値等の各変更指令を入力する必要がある。この場合、不連続部分や重複部分が発生しないように隣接する各線分の開始点や終了点や傾斜や特性値の値を正しく定めて変更指令を入力するためには、操作者は多大の手間と煩雑な操作を実施する必要がある。
【００３３】
そこで、本発明においては、目的とする線分の開始点や終了点や特性値等の各変更指令を入力すると、不連続部分や重複部分が発生しないように隣接する各線分の開始点や終了点や特性値等のパラメータが自動的に算出される。
【００３４】
このようにして、操作者は、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されたＴＤＥＶマスク特性を利用することによって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設定することが可能となる。
【００３５】
また別の発明は、上述した本発明のＴＤＥＶマスク特性設定装置に対して、さらに、それぞれ複数の線分を接続してなる複数のＴＤＥＶマスクパターンを記憶するＴＤＥＶマスクパターンファイルと、操作指定されたＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスクパターンファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスクパターン読出手段と、操作入力されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分の開始点とこの開始点での特性値とを取込む新規パラメータ取込手段と、新規パラメータ取込手段で取込んだ各開始点と各特性値とを用いて、操作指定されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを算出することによって新規のＴＤＥＶマスク特性を求めるＴＤＥＶマスク特性新規作成手段とを備えている。
【００３６】
このように構成されたＴＤＥＶマスタ特性設定装置においては、新たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスクパターンファイルに予め書込んでおく。
【００３７】
そして、操作者は、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマスク特性のマスクパターンがＴＤＥＶマスクパターンファイルに記憶されている各ＴＤＥＶマスクパターンの中の一致しているＴＤＥＶマスクパターンを表示画面上へ読出して、このＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分の開始点とこの開始点での特性値のみを入力する。
【００３８】
すると、ＴＤＥＶマスク特性の各線分は接続されていると言う条件を用いて、新規のＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータが自動計算される。
【００３９】
このようにして、操作者は、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスクパターンファイルに記憶されたＴＤＥＶマスクパターンを利用することによって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設定することが可能となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。
図１は実施形態に係るＴＤＥＶマスク特性設定装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を示すブロック図である。
【００４１】
このワンダ発生器は、大きく分けて、中心周波数設定部１１と、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２と、揺らぎ信号列発生部１３と、加算部１４と、ＤＤＳ（ダイレクト・デジタル・シンセサイザ）１５と、クロック信号出力回路１６とで構成されている。
【００４２】
中心周波数設定部１１は、このワンダ発生器から出力される試験信号に採用されるクロック信号ＣＫ1の中心周波数（例えば２ＭHz）、すなわち、ＤＤＳ１５の出力信号の中心周波数を決めるデジタルのデータＹ0を加算部１４へ送出する。
【００４３】
ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２は操作者が指示したＴＤＥＶマスク特性を作成して揺らぎ信号列発生部１３へ送出する。
【００４４】
揺らぎ信号列発生部１３は、雑音発生部１７とインパルス応答演算部１８とメモリ１９と畳込み演算部２０とで構成されている。このような構成の揺らぎ信号列発生部１３において、雑音発生部１７は、例えばＰＮ（擬似雑音）信号発生回路で構成されており、ＰＮ信号ｎ（ｋ）を発生して畳込み演算部２０へ送出する。インパルス応答演算部１８は、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性が示す位相差の変化量のパワースペクトル密度分布特性に近似する伝達関数のインパルス応答の各時間毎のタップ係数ｈ（ｔ）を算出してメモリ１９へ格納する。畳込み演算部２０は、雑音発生部１７から入力されるＰＮ信号ｎ（ｋ）とメモリ１９に記憶された各時間毎のタップ係数ｈ（ｔ）とによる畳み込み演算を行い、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性を満足する揺らぎ信号列ｙ（ｋ）を出力する。
【００４５】
加算部１４は、中心周波数設定部１１で設定されたデータＹ0と揺らぎ信号列発生部１３から出力された揺らぎ信号列ｙ（ｋ）とを加算して、その加算結果のデータｕ（ｋ）をＤＤＳ１５へ送出する。
【００４６】
ＤＤＳ１５は、加算器２１とラッチ回路２２と波形メモリ２３とＤ／Ａ変換器２４とで構成されている。ラッチ回路２２は加算器２１の出力データを、出力されるクロック信号ＣＫ1の周波数に比較して遙かに高い周波数を有するクロック信号ＣＫ2に同期してラッチする。加算器２１は、入力された揺らぎ信号列ｙ（ｋ）の成分を含む加算結果のデータｕ（ｋ）とラッチ回路２２にラッチされたデータとを加算してラッチ回路２２へ送出する。波形メモリ２３は、正弦波データが連続したアドレス領域に予め記憶されたラッチ回路２２の出力で指定されたアドレスのデータを読出して記憶保持する。すなわち、この波形メモリ２３内には、基準の正弦波波形に対して、揺らぎ信号列のデータが付加された、すなわちワンダが付加されたクロック信号の波形が記憶されていることになる。Ｄ／Ａ変換器２４は波形メモリ２３に記憶された波形のデータを読出してアナログ信号に変換して次のクロック信号出力回路１６へ送出する。
【００４７】
クロック信号出力回路１６は、ＢＰＦ２５とコンパレータ２６とで構成されている。このクロック信号出力回路１６においては、ＤＤＳ１５から出力されたアナログ信号を波形整形して最終のクリック信号ＣＫ1を作成するために、ＤＤＳ１５から出力される階段波形状のアナログ信号をデータＹ0に対応する通過帯域幅を有したＢＰＦ２５で波形整形してコンパレータ２６へ入力する。コンパレータ２６は、ＢＰＦ２５から出力された波形整形後のアナログ信号をしきい値電圧Ｖｒで２値化して矩形波形を有するクロック信号ＣＫ1として出力する。
【００４８】
よって、このワンダ発生器は、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２で操作者が設定したＴＤＥＶマスク特性に対応したＴＤＥＶ特性のワンダを有するクロック信号ＣＫ1を発生ることが可能である。
【００４９】
次に、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の構成及び詳細動作を説明する。
【００５０】
図２は、例えばマイクロコンピユータで構成されたＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の概略構成図である。ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２内には、操作パネル上に設けられた各種操作ボタンや操作ノブ等からなる操作部２７、操作パネル上に設けられた液晶表示器等からなる表示部２８、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０、特性出力メモリ３１が設けられている。
【００５１】
ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９内には、前述した３種類の各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳＩにおいて規定された例えば図１０（ａ）（ｂ）に示すそれぞれ複数の線分６ａ、６ｂ、…を接続してなる複数のＴＤＥＶマスク特性５が記憶されている。具体的には、メモリ容量を節約するために、各ＴＤＥＶマスク特性５のグラフを記憶するのではなく、各ＴＤＥＶマスク特性５毎に、各線分６ａ、６ｂ、…毎の開始点、開始点での特性値、傾斜がある場合の傾斜等のパラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…で記憶保持している。
【００５２】
ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０内には、図３に示すように、このワンダ発生器において、新たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマスク特性のパターンであるＴＤＥＶマスクパターン３９が記憶されている。なお、このＴＤＥＶマスクパターンとは、ＴＤＥＶマスク特性が何本の線分６ａ、６ｂ、…で構成されているか、各線分が水平（傾斜＝０）か、各線分がいずれの方向に傾斜しているかの区分と、これらの区分を有した各線分の組合せのパターンを示す。
【００５３】
この実施形態のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２においては、図３に示すように、１番から１２番までグラフ番号が付された１２個のＴＤＥＶマスクパターン３９が記憶されている。同時に、各ＴＤＥＶマスクパターン３９毎に、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９を用いてこのパターンに対応するＴＤＥＶマスク特性を得るために操作者が最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目が記憶されている。さらに、該当項目のパラメータが入力された場合における入力されたパラメータを用いて各線分６ａ、６ｂ、…を特定する全てのパラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出する計算式が記憶されている。
【００５４】
特性出力メモリ３１内には、このＴＤＥＶマスク特性設定装置１２で作成されたＴＤＥＶマスク特性が書込まれる。具体的には、算出されたＴＤＥＶマスク特性における各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値が記憶されている。
【００５５】
さらに、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２内には、アプリケーションプログラム上に形成されたＴＤＥＶマスク特性読出部３２、変更指示取込部３３、ＴＤＥＶマスク特性変更部３４、マスクパターン読出部３５、新規パラメータ取込部３６、ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７、特性出力部３８等が組込まれている。
【００５６】
このような構成のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２において、前述した各部３２〜３８は、図４に示す流れ図に従ってＴＤＥＶマスク特性の設定処理を実施する。
【００５７】
先ず、操作者が操作部２７の操作ボタンで設定モードを選択する（Ｓ１）。選択された設定モードが規格値モードの場合（Ｓ２）、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ１で定められたＴＤＥＶマスク特性５をそそのまま使用すると判断する。
【００５８】
そして、上述した３種類のうちの１つの規格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると（Ｓ３）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出して（Ｓ４）、表示部２８に表示出力する（Ｓ５）。この場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶマスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…の他に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して表示する。
【００５９】
そして、この表示部２８に表示されたＴＤＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性として、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。この場合、前述したように、ＴＤＥＶマスク特性５における各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値を特性出力メモリ３１へ書込む。次に、特性出力部３８が起動して、この特性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定められているＴＤＥＶマスク特性５をそのまま採用する場合の処理を終了する。
【００６０】
また、Ｓ１で選択された設定モードが規格値変更モードの場合（Ｓ８）、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳＩで定められたＴＤＥＶマスク特性を一部変更して使用すると判断する。
【００６１】
そして、上述した３種類のうちの１つの規格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると（Ｓ９）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出して（Ｓ１０）、表示部２８に表示出力する（Ｓ１１）。この場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶマスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…他に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して表示出力する（Ｓ１２）。
【００６２】
そして、操作部２７から変更したい線分６ａ、６ｂのパラメータに対する変更指示が入力される（Ｓ１３）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値とする座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見ながら、変更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ軸の値をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマーカを移動可能にし、このマーカ点を変更する。すると、変更指示取込部３３が起動して、入力した変更パラメータをＴＤＥＶマスク特性変更部３４へ送出する。
【００６３】
ＴＤＥＶマスク特性変更部３４は、この入力された各線分６ａ、６ｂのパラメータの変更指示を用いて、先に読出したＴＤＥＶマスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂの開始点、傾斜、開始点での特性値を含む各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出する（Ｓ１４）。この算出した変更後のＴＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示出力する（Ｓ１５）。
【００６４】
そして、この表示部２８に表示されたＴＤＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性として、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定められているＴＤＥＶマスク特性５を一部変更して採用する場合の処理を終了する。
【００６５】
ＴＤＥＶマスク特性変更部３４の具体的演算動作を図６、図７、図８を用いて説明する。
【００６６】
図６は、図６（ａ）に示す規格で定められた３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃを接続してなるＴＤＥＶマスク特性５の一部（線分６ａの開始点τ0での特性値Ａ0）を変更して図６（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
【００６７】
規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(4)式で示されるとする。
【００６８】
ここで、Ａ0＝３、Ａ1＝０．１２、Ａ2＝１２、τ0＝０．１、τ1＝２５、τ2＝１００、τ3＝１００００はこのＴＤＥＶマスク特性５を構成する線分６ａ，６ｂ、６ｃを特定するための各パラメータである。
【００６９】
ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における先頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパラメータをＡ0＝３からＡ0＝５へ変更するとする。
この場合、新たなＴＤＥＶマスク特性４０においても、各線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点、終了点は変化せず、各線分６ａ、６ｂ、６ｃは接続されているとする。
【００７０】
図６（ｂ）において、線分６ａと線分６ｂとの接続点τ1（＝２５）における特性値は等しいので、
Ａ1τ1＝Ａ0（＝５）
となり、線分６ｂの傾斜Ａ1は、
Ａ1＝Ａ0／τ1＝５／２５＝０．２
となる。
【００７１】
同様に、図６（ｂ）において、線分６ｂと線分６ｃとの接続点τ2（＝１００）における特性値は等しいので、
Ａ2 ＝Ａ1τ1＝０，２×１００＝２０
となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の各線分の各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(5)式で示される。
【００７２】
このように、操作者は規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５上の変更したい部分の開始点や開始点における特性値問のパラメータの変更指示を入力するのみで、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する他の部分のパラメータが自動的に変更される。したがって、このＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の操作性を大幅に向上できる。
【００７３】
図７は、図６（ａ）と同一の図７（ａ）に示す規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の一部（線分６ｃでの開始点τ2）を変更して図７（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
【００７４】
規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(6)式で示されるとする。
【００７５】
なお、Ａ0＝３、Ａ1＝０．１２、Ａ2＝１２、τ0＝０．１、τ1＝２５、τ2＝１００、τ3＝１００００
ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における３番目の線分６ｃの開始点τ2（＝１００）のパラメータをτ2＝１００からτ2＝２００へ変更するとする。
【００７６】
この場合、図７（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０においても、線分６ｂの終了点の特性値（Ａ1τ2）と線分６ｃの開始点τ2での特性値（Ａ2）とは等しいので、
Ａ1τ2＝Ａ2
Ａ2＝０．１２×２００＝２４
となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(7)式で示される。
【００７７】
この場合においても、操作者は規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５上の変更したい部分の開始点や開始点における特性値のパラメータの変更指示を入力するのみで、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する部分のパラメータが自動的に変更される。
【００７８】
図８は、図８（ａ）に示す規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の一部（先頭の線分６ｄの開始点τ0での特性値Ａ0）を変更して図８（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
【００７９】
規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは(8)式で示されるとする。
【００８０】
但し、先頭の線分６ａの開始点τ0＝０．１での特性値Ａ0はＩＯ．１２である。
【００８１】
ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における先頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパラメータをＡ0＝１０．１２からＡ0＝２０へ変更するとする。
【００８２】
図１０（ｂ）に示す、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における先頭の線分６ａの傾斜をＡ1とすると、
Ａ0＝２０＝Ａ1τ0 -o.5 ＝Ａ1（０．１）-o.5
となり、傾斜Ａ1＝６，３２４となる。
【００８３】
変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の２番目の線分６ｂの特性値をＡ2とすると、
Ａ2＝Ａ1τ1 -o.5＝６，３２４×（２．５）-o.5＝３．９９９≒４，０
となる。
【００８４】
さらに、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における３番目の線分６ｃの傾斜をＡ3とすると、３番目の線分６ｃの開始点τ2の特性値はＡ2であるので、
Ａ2＝４．０＝Ａ3τ2 o.5 ＝Ａ3（４０）o.5
となり、傾斜Ａ3＝０，６３２となる。
【００８５】
最後に、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における４番目の線分６ｄの特性値をＡ4とすると、
Ａ4＝Ａ3τ3 o.5＝０．６３２×（１０００）o.5＝１９，９８≒２０
となる。
【００８６】
したがって、図８（ｂ）に示す変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは(9)式で示される。
【００８７】
但し、先頭の線分６ａの開始点τ0＝０．１での特性値Ａ0は２０である。
【００８８】
この場合においても、操作者は規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５上の変更したい部分の開始点や開始点における特性値のパラメータの変更指示を入力するのみで、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する部分のパラメータが自動的に変更される。
【００８９】
図５の流れ図のＳ１６で、設定モードが新規作成モードの場合、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶された各ＴＤＥＶマスク特性を使用せずに、規格にない全く新規のＴＤＥＶマスタ特性を作成すると判断する。
【００９０】
この設定モードにおいては、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０に記録されている図１３に示す１２個のＴＤＥＶマスクパターン３９の選択メニューを表示する（Ｓ１７）。操作者が操作部２７を介して１個のＴＤＥＶマスクパターン３９をパターン番号で選択すると（Ｓ１８）、マスクパターン読出部３５が起動して、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０に記録されている該当パターン番号のＴＤＥＶマスクパターン３９、最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目、及び各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出するための計算式を読出す（Ｓ１９）。そして、ＴＤＥＶマスクパターン３９、最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目を表示部２８に表示する（Ｓ２０）。
【００９１】
この状態で、操作者が操作部２７を介して表示部２８に表示された最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータを入力する（Ｓ２１）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値とする座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見ながら、変更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ軸の値をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマーカを移動可能にし、このマーカ点を変更する。
【００９２】
すると、新規パラメータ取込部３６が起動して、入力した各パラメータをＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７へ送出する。ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７は、この入力された各パラメータから、先に読出した計算式を用いて、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９の各線分３ａ、３ｂ、…を特定する全てのＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出する（Ｓ２２）。さらに、ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７は、算出した各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2τ3、…及びＴＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示出力する（Ｓ２３）。
【００９３】
そして、この表示部２８に表示されたＴＤＥＶマスク特性を決定されたＴＤＥＶマスク特性として、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定められていない全く新規のＴＤＥＶマスク特性を作成する場合の処理を終了する。
【００９４】
このように構成されたワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２においては、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９内には、ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳＩ等の各規格に定められたそれぞれ複数の線分６ａ、６ｂ、…を接続してなる複数のＴＤＥＶマスク特性５が記憶されている。さらに、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０内には、新たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマスク特性のパターンであるＴＤＥＶマスクパターン３９が記憶されている。
【００９５】
そして、操作者は、ワンダ発生器を用いて被測定系におけるワンダに関する試験を実施する場合、ワンダ発生器から被測定系へ印加する試験信号としてのクロック信号のワンダを特定するＴＤＥＶ特性を広い範囲で選択設定できる。具体的には、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２におけるＴＤＥＶマスク特性を変更することによって、ＴＤＥＶマスク特性を任意に変更可能である。
【００９６】
この実施形態においては、規格に定められたＴＤＥＶマスク特性をそのまま使用する場合は、動作モードを規格値モードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶されている１つのＴＤＥＶマスク特性を指定する。
【００９７】
規格に定められたＴＤＥＶマスク特性を一部変更して使用する場合は、動作モードを規格値変更モードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶されている変更したい１つのＴＤＥＶマスク特性を選択して、このＴＤＥＶマスク特性の変更すべき１個又は複数の線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点の変更又は開始点での特性値を操作入力する。すると、隣接する線分６ａ、６ｂ、６ｃどうしは接続されているとの境界条件を用いて、各線分における変更すべき傾斜等の各パラメータが自動的に算出されて変更後のＴＤＥＶマスク特性が自動的に設定される。
【００９８】
規格に定められていない全く新規のＴＤＥＶマスク特性を使用する場合は、動作モードを新規作成モードに設定して、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０から新規に作成使用とするＴＤＥＶマスク特性のパターンに一致するＴＤＥＶマスクパターンを読出して、表示された各パラメータの必要最低限の入力項目（開始点及び開始点での特性値）の値を操作入力する。すると、前述と同様に、隣接する線分６ａ、６ｂ、６ｃどうしは接続されているとの境界条件を用いて、各線分における変更すべき傾斜等の各パラメータが自動的に算出されて新規のＴＤＥＶマスク特性が自動的に設定される。
【００９９】
このように、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２においては、ＴＤＥＶマスク特性を任意に設定できる。さらに、操作者は、ＴＤＥＶマスク特性を変更したり、新規にＴＤＥＶマスク特性を作成する場合、ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分を特定する開始点、傾斜、開始点での特性値を含む全てのパラメータを入力するのではなく、必要最低限のパラメータのみを入力するのみでよいので、操作性を大幅に向上できる。したがって、このＴＤＥＶマスク特性設定装置１２が組込まれたワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する試験作業効率を大幅に向上できる。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性以外にも、測定者が必要とする任意のＴＤＥＶマスク特性を簡単な操作でかつ誤りなく設定でき、この装置が組込まれたワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する測定範囲を大幅に拡大できると共に、測定作業能率を大幅に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のＴＤＥＶマスタ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を示すブロック図
【図２】同実施形態のＴＤＥＶマスク特性設定装置の概略構成を示すブロック図
【図３】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置内に形成されたＴＤＥＶマスクパターンファイルの記憶内容を示す図
【図４】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置の動作を示す流れ図
【図５】同じくＴＤＥＶマスク特性設定装置の動作を示す流れ図
【図６】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置におけるＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明するための図
【図７】同じくＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明するための図
【図８】同じくＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明するための図
【図９】一般的なワンダ発生器を示す模式図
【図１０】規格に定められたＴＤＥＶマスク特性を示す図
【符号の説明】
５…ＴＤＥＶマスク特性
６ａ，６ｂ、６ｃ、６ｄ…線分
１１…中心周波数設定部
１２…ＴＤＥＶマスク特性設定装置
１３…揺らぎ信号列発生部
１４…加算部
１５…ＤＤＳ
１６…クロック信号出力回路
２７…操作部
２８…標示部
２９…ＴＤＥＶマスク特性ファイル
３０…ＴＤＥＶマスクパターンファイル
３１…特性出力メモリ
３２…ＴＤＥＶマスク特性読出部
３３…変更指示取込部
３４…ＴＤＥＶマスク特性変更部
３５…マスクパターン読出部
３６…新規パラメータ取込部
３７…ＴＤＥＶマスク特性新規作成部
３８…特性出力部
３９…ＴＤＥＶマスクパターン
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワンダを含むクロック信号を発生するワンダ発生器に係わり、特に、出力されるクロック信号のワンダが有するＴＤＥＶ（Time DEViation タイムデビエーション）特性を規定するＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
デジタル伝送システムに組込まれた各種電子機器や伝送装置の伝送特性の１つとして、この各種電子機器や伝送装置に入力される信号における位相揺らぎに対する耐力がある。この信号における位相揺らぎのうち、一般に揺らぎの周波数が１０Hzより高い成分をジッタと称し、１０Hzより低い成分をワンダと称する。
【０００３】
これらの位相揺らぎのうち信号に含まれるワンダを定量的に評価する指標としてＴＤＥＶ（Time DEViation タイムデビエーション）特性が規定されている。このＴＤＥＶ特性を測定する場合、ワンダを含む被測定信号の位相とワンダを含まない基準信号とを所定のサンプリング周期τSでサンプリングする。そして、ワンダを含む被測定信号の位相と、ワンダを含まない基準信号の位相とを比較して各サンプリング時におけるその位相差ＴＩＥ（Time Interval Error）を、元々両信号相互間が有する初期位相差に対する変化量ｘi（ＴＩＥデータ）として順次求め、この各サンプリング時における変化量ｘiを各積分期間（積分時間）τ（＝ｎ・τS）時点における変化量ｘiのパワーとして(1)式で求めてＴＤＥＶ特性（τ）とする。
【０００４】
【数１】
但し、ｘi；変化量、Ｎ；総サンプル数、τS；サンプリング周期、ｎ；サンプリング周期の数、τ；積分時間（＝ｎ・τS）である。
すなわち、このＴＤＥＶ特性（τ）は、位相差のパワースペクトラム密度分布を時間（経過時間）で評価するものである。
【０００６】
前述した各種電子機器や伝送装置の被測定系が有するワンダに対する特性を測定する測定手法には下記の３種類がある。
【０００７】
（１） 被測定系自体が発生するワンダの特性の測定
入力信号を印加しないで被測定系自体から出力される被測定信号に含まれるワンダをワンダ測定器で測定して上述したＴＤＥＶ特性を得る。この被測定系としては例えば発振器等がある。
【０００８】
（２） 被測定系が有する耐ワンダ特性の測定
ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測定系へ印加して、この被測定系の出力信号のビット誤りを誤り測定器で測定することによって、この被測定系が試験信号をどの程度誤りなくデータ処理できるかを評価する。この被測定系としては一般的なデータ処理装置等がある。
【０００９】
（３） 被測定系が有するワンダの伝達特性の測定
ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測定系へ印加して、この被測定系の出力信号に含まれるワンダをワンダ測定器で測定して上述したＴＤＥＶ特性（τ）を得る。この被測定系としては例えば中継器や増幅器等がある。
【００１０】
これらの３種類の測定のうち（２）、（３）の各測定においては、所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワンダを含む試験信号を発生させることが可能なワンダ発生器が必要である。
【００１１】
このワンダ発生器は例えば図９に示すように構成されている。変調信号発生部１から出力される１０Hzより低い位相変調用の変調信号と基準電圧発生部２から出力された直流の基準電圧とを加算部３で加算して、その加算部３の出力をＶＣＯ（電圧制御発振器）４に入力して、基準電圧に対応した中心周波数を有し、変調信号によって位相変調されたクロック信号ＣＫを発生している。
【００１２】
このワンダ発生器では、変調信号発生部１から出力される変調信信号の周波数や振幅を可変することによって、出力されるクロック信号ＣＫのワンダの周波数や大きさを可変することが可能である。
【００１３】
近年、被測定系が有するワンダに対する特性を測定する測定規格がＡＮＳＩ等によって提唱されている。この規格においては、ワンダ発生器から出力されるワンダを含む試験信号のＴＤＥＶ特性（τ）をＴＤＥＶマスク特性と称する規格値（特性値）で規定し、被測定系に対する測定結果の普遍性を確保するようにしている。
【００１４】
このＴＤＥＶマスク特性は、例えば被測定系の種類や測定目的に応じて複数種類準備されているが、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、複数の線分６ａ、６ｂ、６ｃを接続して１つのＴＤＥＶマスク特性５を構成している。なお、ＴＤＥＶマスク特性５における横軸は前述した時間経過を示す積分時間τ（＝ｎ・τS）であり、縦軸は位相の変化量のパワースペクトラム密度を示す特性値である。
【００１５】
例えば、図１０（ａ）のＴＤＥＶマスク特性５は、２本の線分６ａ、６ｂで構成され、(2)式でこのＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
【００１６】
【００１７】
また、図１０（ｂ）のＴＤＥＶマスク特性５は、３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃで構成され、(3)式でこのＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
【００１８】
【００１９】
しかしながら、図９に示すワンダ発生器においては、単信号の位相変調しかできないので、上述した規格に定められた積分時間範囲毎に特性値が異る複数の線分６ａ〜６ｃで構成されたＴＤＥＶマスク特性５を満足するＴＤＥＶ特性のワンダを含む試験信号を発生させることが困難であった。
【００２０】
このような不都合を解消するためにＴＤＥＶ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器が開発されている。このＴＤＥＶ特性設定装置においては、前述した各規格で定められた複数のＴＤＥＶマスク特性が予め記憶されている。なお、具体的には、各ＴＤＥＶマスク特性５を構成する複数の線分６ａ〜６ｃを特定する各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…が記憶保持されている。
【００２１】
そして、ワンダ発生器の操作者がＴＤＥＶマスク特性５を特定する特性番号（グラフ番号）を操作パネル上で操作入力すると、ＴＤＥＶ特性設定装置に記憶されている指定された特性番号のＴＤＥＶマスク特性５の各パラメータＡ0〜τ3が読出されてＴＤＥＶマスク特性５が作成されて、変調信号（揺らぎ信号）発生器部１へ印加される。
【００２２】
変調信号（揺らぎ信号）発生部１は、入力されたＴＤＥＶマスク特性５に基づいてこのＴＤＥＶマスク特性に対応した変調信号（揺らぎ信号）を生成して、基準電圧発生部２から出力された直流の基準電圧とを加算部３で加算して、その加算部３の出力をＶＣＯ（電圧制御発振器）４に入力して、基準電圧に対応した中心周波数を有し、変調信号（揺らぎ信号）によって位相変調されて、指定したＴＤＥＶマスク特性５に対応したＴＤＥＶ特性（τ）を有するワンダを含むクロック信号ＣＫが発生する。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したＴＤＥＶ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器においてもまだ改良すべき次のような課題があった。
【００２４】
すなわち、このワンダ発生器に組込まれたＴＤＥＶ特性設定装置においては、上述したように、ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ１等の各測定規格に定められた数種類のＴＤＥＶマスク特性５のみしか記憶されていなかった。
【００２５】
しかし、近年、デジタル通信技術が飛躍的に発達して、ワンダに関する特性も上述した各測定規格に定められた測定のみならず、種々の測定条件でワンダに関する特性を測定することが切望されている。
【００２６】
この場合、新規の測定条件として、上記各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性５とは全く異なるＴＤＥＶマスク特性を設定可能とすることは勿論のこと、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性の一部を変更したのみのＴＤＥＶマスク特性を簡単にかつ短時間で設定できることが望まれている。
【００２７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性以外にも、測定者が必要とする任意のＴＤＥＶマスク特性を簡単な操作でかつ誤りなく設定でき、ワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する測定範囲を大幅に拡大できるワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、指定されたＴＤＥＶマスク特性に対応するＴＤＥＶ特性を有するワンダを含むクロック信号を発生するワンダ発生器に組込まれ、ＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置に適用される。
【００２９】
そして、上記課題を解消するために本発明のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、それぞれ複数の線分を接続してなるＴＤＥＶマスク特性を記憶するＴＤＥＶマスク特性ファイルと、操作指定されたＴＤＥＶマスク特性をＴＤＥＶマスク特性ファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスク特性読出手段と、ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分の開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示を取込む変更指示取込手段と、この変更指示取込手段で取込んだ各変更指示を受け、操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを算出することによって操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を変更するＴＤＥＶマスク特性変更手段とを備えている。
【００３０】
このように構成されたワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、例えば、規格で定められた各ＴＤＥＶマスク特性はＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されている。そして、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマスク特性がＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されている規格で定められている各ＴＤＥＶマスク特性の中の１つのＴＤＥＶマスク特性に近似している場合は、該当ＴＤＥＶマスク特性を表示画面上へ読出して、このＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分のうち変更すべき線分の開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示を入力する。
【００３１】
すると、この各変更指示を用いて、指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータが自動的に算出される。すなわち、ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分は互いに接続されている。したがって、目的とする１つの線分の開始点や終了点や、開始点や終了点での各特性値を変更した場合、この目的とする線分に隣接する各線分の開始点や終了点や、開始点や終了点での各特性値や傾斜も同時に変更しなければ、隣接する線分相互間に不連続部分が発生したり、重複部分が発生したりする。
【００３２】
このような事態が発生しないようにするためには、操作者は目的とする１つの線分の開始点や終了点や特性値等の各変更指令を入力するとともに、それに応じて変更する必要がある隣接する各線分の開始点や終了点や傾斜や特性値等の各変更指令を入力する必要がある。この場合、不連続部分や重複部分が発生しないように隣接する各線分の開始点や終了点や傾斜や特性値の値を正しく定めて変更指令を入力するためには、操作者は多大の手間と煩雑な操作を実施する必要がある。
【００３３】
そこで、本発明においては、目的とする線分の開始点や終了点や特性値等の各変更指令を入力すると、不連続部分や重複部分が発生しないように隣接する各線分の開始点や終了点や特性値等のパラメータが自動的に算出される。
【００３４】
このようにして、操作者は、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されたＴＤＥＶマスク特性を利用することによって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設定することが可能となる。
【００３５】
また別の発明は、上述した本発明のＴＤＥＶマスク特性設定装置に対して、さらに、それぞれ複数の線分を接続してなる複数のＴＤＥＶマスクパターンを記憶するＴＤＥＶマスクパターンファイルと、操作指定されたＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスクパターンファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスクパターン読出手段と、操作入力されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分の開始点とこの開始点での特性値とを取込む新規パラメータ取込手段と、新規パラメータ取込手段で取込んだ各開始点と各特性値とを用いて、操作指定されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを算出することによって新規のＴＤＥＶマスク特性を求めるＴＤＥＶマスク特性新規作成手段とを備えている。
【００３６】
このように構成されたＴＤＥＶマスタ特性設定装置においては、新たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスクパターンファイルに予め書込んでおく。
【００３７】
そして、操作者は、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマスク特性のマスクパターンがＴＤＥＶマスクパターンファイルに記憶されている各ＴＤＥＶマスクパターンの中の一致しているＴＤＥＶマスクパターンを表示画面上へ読出して、このＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分の開始点とこの開始点での特性値のみを入力する。
【００３８】
すると、ＴＤＥＶマスク特性の各線分は接続されていると言う条件を用いて、新規のＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータが自動計算される。
【００３９】
このようにして、操作者は、新規にＴＤＥＶマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスクパターンファイルに記憶されたＴＤＥＶマスクパターンを利用することによって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設定することが可能となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。
図１は実施形態に係るＴＤＥＶマスク特性設定装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を示すブロック図である。
【００４１】
このワンダ発生器は、大きく分けて、中心周波数設定部１１と、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２と、揺らぎ信号列発生部１３と、加算部１４と、ＤＤＳ（ダイレクト・デジタル・シンセサイザ）１５と、クロック信号出力回路１６とで構成されている。
【００４２】
中心周波数設定部１１は、このワンダ発生器から出力される試験信号に採用されるクロック信号ＣＫ1の中心周波数（例えば２ＭHz）、すなわち、ＤＤＳ１５の出力信号の中心周波数を決めるデジタルのデータＹ0を加算部１４へ送出する。
【００４３】
ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２は操作者が指示したＴＤＥＶマスク特性を作成して揺らぎ信号列発生部１３へ送出する。
【００４４】
揺らぎ信号列発生部１３は、雑音発生部１７とインパルス応答演算部１８とメモリ１９と畳込み演算部２０とで構成されている。このような構成の揺らぎ信号列発生部１３において、雑音発生部１７は、例えばＰＮ（擬似雑音）信号発生回路で構成されており、ＰＮ信号ｎ（ｋ）を発生して畳込み演算部２０へ送出する。インパルス応答演算部１８は、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性が示す位相差の変化量のパワースペクトル密度分布特性に近似する伝達関数のインパルス応答の各時間毎のタップ係数ｈ（ｔ）を算出してメモリ１９へ格納する。畳込み演算部２０は、雑音発生部１７から入力されるＰＮ信号ｎ（ｋ）とメモリ１９に記憶された各時間毎のタップ係数ｈ（ｔ）とによる畳み込み演算を行い、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性を満足する揺らぎ信号列ｙ（ｋ）を出力する。
【００４５】
加算部１４は、中心周波数設定部１１で設定されたデータＹ0と揺らぎ信号列発生部１３から出力された揺らぎ信号列ｙ（ｋ）とを加算して、その加算結果のデータｕ（ｋ）をＤＤＳ１５へ送出する。
【００４６】
ＤＤＳ１５は、加算器２１とラッチ回路２２と波形メモリ２３とＤ／Ａ変換器２４とで構成されている。ラッチ回路２２は加算器２１の出力データを、出力されるクロック信号ＣＫ1の周波数に比較して遙かに高い周波数を有するクロック信号ＣＫ2に同期してラッチする。加算器２１は、入力された揺らぎ信号列ｙ（ｋ）の成分を含む加算結果のデータｕ（ｋ）とラッチ回路２２にラッチされたデータとを加算してラッチ回路２２へ送出する。波形メモリ２３は、正弦波データが連続したアドレス領域に予め記憶されたラッチ回路２２の出力で指定されたアドレスのデータを読出して記憶保持する。すなわち、この波形メモリ２３内には、基準の正弦波波形に対して、揺らぎ信号列のデータが付加された、すなわちワンダが付加されたクロック信号の波形が記憶されていることになる。Ｄ／Ａ変換器２４は波形メモリ２３に記憶された波形のデータを読出してアナログ信号に変換して次のクロック信号出力回路１６へ送出する。
【００４７】
クロック信号出力回路１６は、ＢＰＦ２５とコンパレータ２６とで構成されている。このクロック信号出力回路１６においては、ＤＤＳ１５から出力されたアナログ信号を波形整形して最終のクリック信号ＣＫ1を作成するために、ＤＤＳ１５から出力される階段波形状のアナログ信号をデータＹ0に対応する通過帯域幅を有したＢＰＦ２５で波形整形してコンパレータ２６へ入力する。コンパレータ２６は、ＢＰＦ２５から出力された波形整形後のアナログ信号をしきい値電圧Ｖｒで２値化して矩形波形を有するクロック信号ＣＫ1として出力する。
【００４８】
よって、このワンダ発生器は、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２で操作者が設定したＴＤＥＶマスク特性に対応したＴＤＥＶ特性のワンダを有するクロック信号ＣＫ1を発生ることが可能である。
【００４９】
次に、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の構成及び詳細動作を説明する。
【００５０】
図２は、例えばマイクロコンピユータで構成されたＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の概略構成図である。ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２内には、操作パネル上に設けられた各種操作ボタンや操作ノブ等からなる操作部２７、操作パネル上に設けられた液晶表示器等からなる表示部２８、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０、特性出力メモリ３１が設けられている。
【００５１】
ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９内には、前述した３種類の各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳＩにおいて規定された例えば図１０（ａ）（ｂ）に示すそれぞれ複数の線分６ａ、６ｂ、…を接続してなる複数のＴＤＥＶマスク特性５が記憶されている。具体的には、メモリ容量を節約するために、各ＴＤＥＶマスク特性５のグラフを記憶するのではなく、各ＴＤＥＶマスク特性５毎に、各線分６ａ、６ｂ、…毎の開始点、開始点での特性値、傾斜がある場合の傾斜等のパラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…で記憶保持している。
【００５２】
ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０内には、図３に示すように、このワンダ発生器において、新たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマスク特性のパターンであるＴＤＥＶマスクパターン３９が記憶されている。なお、このＴＤＥＶマスクパターンとは、ＴＤＥＶマスク特性が何本の線分６ａ、６ｂ、…で構成されているか、各線分が水平（傾斜＝０）か、各線分がいずれの方向に傾斜しているかの区分と、これらの区分を有した各線分の組合せのパターンを示す。
【００５３】
この実施形態のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２においては、図３に示すように、１番から１２番までグラフ番号が付された１２個のＴＤＥＶマスクパターン３９が記憶されている。同時に、各ＴＤＥＶマスクパターン３９毎に、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９を用いてこのパターンに対応するＴＤＥＶマスク特性を得るために操作者が最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目が記憶されている。さらに、該当項目のパラメータが入力された場合における入力されたパラメータを用いて各線分６ａ、６ｂ、…を特定する全てのパラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出する計算式が記憶されている。
【００５４】
特性出力メモリ３１内には、このＴＤＥＶマスク特性設定装置１２で作成されたＴＤＥＶマスク特性が書込まれる。具体的には、算出されたＴＤＥＶマスク特性における各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値が記憶されている。
【００５５】
さらに、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２内には、アプリケーションプログラム上に形成されたＴＤＥＶマスク特性読出部３２、変更指示取込部３３、ＴＤＥＶマスク特性変更部３４、マスクパターン読出部３５、新規パラメータ取込部３６、ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７、特性出力部３８等が組込まれている。
【００５６】
このような構成のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２において、前述した各部３２〜３８は、図４に示す流れ図に従ってＴＤＥＶマスク特性の設定処理を実施する。
【００５７】
先ず、操作者が操作部２７の操作ボタンで設定モードを選択する（Ｓ１）。選択された設定モードが規格値モードの場合（Ｓ２）、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ１で定められたＴＤＥＶマスク特性５をそそのまま使用すると判断する。
【００５８】
そして、上述した３種類のうちの１つの規格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると（Ｓ３）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出して（Ｓ４）、表示部２８に表示出力する（Ｓ５）。この場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶマスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…の他に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して表示する。
【００５９】
そして、この表示部２８に表示されたＴＤＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性として、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。この場合、前述したように、ＴＤＥＶマスク特性５における各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値を特性出力メモリ３１へ書込む。次に、特性出力部３８が起動して、この特性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定められているＴＤＥＶマスク特性５をそのまま採用する場合の処理を終了する。
【００６０】
また、Ｓ１で選択された設定モードが規格値変更モードの場合（Ｓ８）、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳＩで定められたＴＤＥＶマスク特性を一部変更して使用すると判断する。
【００６１】
そして、上述した３種類のうちの１つの規格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると（Ｓ９）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出して（Ｓ１０）、表示部２８に表示出力する（Ｓ１１）。この場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶマスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…他に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して表示出力する（Ｓ１２）。
【００６２】
そして、操作部２７から変更したい線分６ａ、６ｂのパラメータに対する変更指示が入力される（Ｓ１３）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値とする座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見ながら、変更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ軸の値をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマーカを移動可能にし、このマーカ点を変更する。すると、変更指示取込部３３が起動して、入力した変更パラメータをＴＤＥＶマスク特性変更部３４へ送出する。
【００６３】
ＴＤＥＶマスク特性変更部３４は、この入力された各線分６ａ、６ｂのパラメータの変更指示を用いて、先に読出したＴＤＥＶマスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂの開始点、傾斜、開始点での特性値を含む各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出する（Ｓ１４）。この算出した変更後のＴＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示出力する（Ｓ１５）。
【００６４】
そして、この表示部２８に表示されたＴＤＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性として、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定められているＴＤＥＶマスク特性５を一部変更して採用する場合の処理を終了する。
【００６５】
ＴＤＥＶマスク特性変更部３４の具体的演算動作を図６、図７、図８を用いて説明する。
【００６６】
図６は、図６（ａ）に示す規格で定められた３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃを接続してなるＴＤＥＶマスク特性５の一部（線分６ａの開始点τ0での特性値Ａ0）を変更して図６（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
【００６７】
規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(4)式で示されるとする。
【００６８】
【００６９】
ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における先頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパラメータをＡ0＝３からＡ0＝５へ変更するとする。
この場合、新たなＴＤＥＶマスク特性４０においても、各線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点、終了点は変化せず、各線分６ａ、６ｂ、６ｃは接続されているとする。
【００７０】
図６（ｂ）において、線分６ａと線分６ｂとの接続点τ1（＝２５）における特性値は等しいので、
Ａ1τ1＝Ａ0（＝５）
となり、線分６ｂの傾斜Ａ1は、
Ａ1＝Ａ0／τ1＝５／２５＝０．２
となる。
【００７１】
同様に、図６（ｂ）において、線分６ｂと線分６ｃとの接続点τ2（＝１００）における特性値は等しいので、
Ａ2 ＝Ａ1τ1＝０，２×１００＝２０
となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の各線分の各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(5)式で示される。
【００７２】
【００７３】
図７は、図６（ａ）と同一の図７（ａ）に示す規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の一部（線分６ｃでの開始点τ2）を変更して図７（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
【００７４】
規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(6)式で示されるとする。
【００７５】
ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における３番目の線分６ｃの開始点τ2（＝１００）のパラメータをτ2＝１００からτ2＝２００へ変更するとする。
【００７６】
この場合、図７（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０においても、線分６ｂの終了点の特性値（Ａ1τ2）と線分６ｃの開始点τ2での特性値（Ａ2）とは等しいので、
Ａ1τ2＝Ａ2
Ａ2＝０．１２×２００＝２４
となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(7)式で示される。
【００７７】
【００７８】
図８は、図８（ａ）に示す規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の一部（先頭の線分６ｄの開始点τ0での特性値Ａ0）を変更して図８（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
【００７９】
規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは(8)式で示されるとする。
【００８０】
【００８１】
ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における先頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパラメータをＡ0＝１０．１２からＡ0＝２０へ変更するとする。
【００８２】
図１０（ｂ）に示す、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における先頭の線分６ａの傾斜をＡ1とすると、
Ａ0＝２０＝Ａ1τ0 -o.5 ＝Ａ1（０．１）-o.5
となり、傾斜Ａ1＝６，３２４となる。
【００８３】
変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の２番目の線分６ｂの特性値をＡ2とすると、
Ａ2＝Ａ1τ1 -o.5＝６，３２４×（２．５）-o.5＝３．９９９≒４，０
となる。
【００８４】
さらに、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における３番目の線分６ｃの傾斜をＡ3とすると、３番目の線分６ｃの開始点τ2の特性値はＡ2であるので、
Ａ2＝４．０＝Ａ3τ2 o.5 ＝Ａ3（４０）o.5
となり、傾斜Ａ3＝０，６３２となる。
【００８５】
最後に、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における４番目の線分６ｄの特性値をＡ4とすると、
Ａ4＝Ａ3τ3 o.5＝０．６３２×（１０００）o.5＝１９，９８≒２０
となる。
【００８６】
したがって、図８（ｂ）に示す変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは(9)式で示される。
【００８７】
【００８８】
この場合においても、操作者は規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５上の変更したい部分の開始点や開始点における特性値のパラメータの変更指示を入力するのみで、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する部分のパラメータが自動的に変更される。
【００８９】
図５の流れ図のＳ１６で、設定モードが新規作成モードの場合、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶された各ＴＤＥＶマスク特性を使用せずに、規格にない全く新規のＴＤＥＶマスタ特性を作成すると判断する。
【００９０】
この設定モードにおいては、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０に記録されている図１３に示す１２個のＴＤＥＶマスクパターン３９の選択メニューを表示する（Ｓ１７）。操作者が操作部２７を介して１個のＴＤＥＶマスクパターン３９をパターン番号で選択すると（Ｓ１８）、マスクパターン読出部３５が起動して、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０に記録されている該当パターン番号のＴＤＥＶマスクパターン３９、最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目、及び各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出するための計算式を読出す（Ｓ１９）。そして、ＴＤＥＶマスクパターン３９、最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目を表示部２８に表示する（Ｓ２０）。
【００９１】
この状態で、操作者が操作部２７を介して表示部２８に表示された最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータを入力する（Ｓ２１）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値とする座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見ながら、変更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ軸の値をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマーカを移動可能にし、このマーカ点を変更する。
【００９２】
すると、新規パラメータ取込部３６が起動して、入力した各パラメータをＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７へ送出する。ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７は、この入力された各パラメータから、先に読出した計算式を用いて、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９の各線分３ａ、３ｂ、…を特定する全てのＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出する（Ｓ２２）。さらに、ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７は、算出した各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2 、…、τ0、τ1、τ2τ3、…及びＴＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示出力する（Ｓ２３）。
【００９３】
そして、この表示部２８に表示されたＴＤＥＶマスク特性を決定されたＴＤＥＶマスク特性として、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定められていない全く新規のＴＤＥＶマスク特性を作成する場合の処理を終了する。
【００９４】
このように構成されたワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２においては、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９内には、ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳＩ等の各規格に定められたそれぞれ複数の線分６ａ、６ｂ、…を接続してなる複数のＴＤＥＶマスク特性５が記憶されている。さらに、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０内には、新たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマスク特性のパターンであるＴＤＥＶマスクパターン３９が記憶されている。
【００９５】
そして、操作者は、ワンダ発生器を用いて被測定系におけるワンダに関する試験を実施する場合、ワンダ発生器から被測定系へ印加する試験信号としてのクロック信号のワンダを特定するＴＤＥＶ特性を広い範囲で選択設定できる。具体的には、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２におけるＴＤＥＶマスク特性を変更することによって、ＴＤＥＶマスク特性を任意に変更可能である。
【００９６】
この実施形態においては、規格に定められたＴＤＥＶマスク特性をそのまま使用する場合は、動作モードを規格値モードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶されている１つのＴＤＥＶマスク特性を指定する。
【００９７】
規格に定められたＴＤＥＶマスク特性を一部変更して使用する場合は、動作モードを規格値変更モードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記憶されている変更したい１つのＴＤＥＶマスク特性を選択して、このＴＤＥＶマスク特性の変更すべき１個又は複数の線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点の変更又は開始点での特性値を操作入力する。すると、隣接する線分６ａ、６ｂ、６ｃどうしは接続されているとの境界条件を用いて、各線分における変更すべき傾斜等の各パラメータが自動的に算出されて変更後のＴＤＥＶマスク特性が自動的に設定される。
【００９８】
規格に定められていない全く新規のＴＤＥＶマスク特性を使用する場合は、動作モードを新規作成モードに設定して、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０から新規に作成使用とするＴＤＥＶマスク特性のパターンに一致するＴＤＥＶマスクパターンを読出して、表示された各パラメータの必要最低限の入力項目（開始点及び開始点での特性値）の値を操作入力する。すると、前述と同様に、隣接する線分６ａ、６ｂ、６ｃどうしは接続されているとの境界条件を用いて、各線分における変更すべき傾斜等の各パラメータが自動的に算出されて新規のＴＤＥＶマスク特性が自動的に設定される。
【００９９】
このように、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２においては、ＴＤＥＶマスク特性を任意に設定できる。さらに、操作者は、ＴＤＥＶマスク特性を変更したり、新規にＴＤＥＶマスク特性を作成する場合、ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分を特定する開始点、傾斜、開始点での特性値を含む全てのパラメータを入力するのではなく、必要最低限のパラメータのみを入力するのみでよいので、操作性を大幅に向上できる。したがって、このＴＤＥＶマスク特性設定装置１２が組込まれたワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する試験作業効率を大幅に向上できる。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性以外にも、測定者が必要とする任意のＴＤＥＶマスク特性を簡単な操作でかつ誤りなく設定でき、この装置が組込まれたワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する測定範囲を大幅に拡大できると共に、測定作業能率を大幅に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のＴＤＥＶマスタ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を示すブロック図
【図２】同実施形態のＴＤＥＶマスク特性設定装置の概略構成を示すブロック図
【図３】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置内に形成されたＴＤＥＶマスクパターンファイルの記憶内容を示す図
【図４】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置の動作を示す流れ図
【図５】同じくＴＤＥＶマスク特性設定装置の動作を示す流れ図
【図６】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置におけるＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明するための図
【図７】同じくＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明するための図
【図８】同じくＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明するための図
【図９】一般的なワンダ発生器を示す模式図
【図１０】規格に定められたＴＤＥＶマスク特性を示す図
【符号の説明】
５…ＴＤＥＶマスク特性
６ａ，６ｂ、６ｃ、６ｄ…線分
１１…中心周波数設定部
１２…ＴＤＥＶマスク特性設定装置
１３…揺らぎ信号列発生部
１４…加算部
１５…ＤＤＳ
１６…クロック信号出力回路
２７…操作部
２８…標示部
２９…ＴＤＥＶマスク特性ファイル
３０…ＴＤＥＶマスクパターンファイル
３１…特性出力メモリ
３２…ＴＤＥＶマスク特性読出部
３３…変更指示取込部
３４…ＴＤＥＶマスク特性変更部
３５…マスクパターン読出部
３６…新規パラメータ取込部
３７…ＴＤＥＶマスク特性新規作成部
３８…特性出力部
３９…ＴＤＥＶマスクパターン
Claims (2)
- 指定されたＴＤＥＶマスク特性に対応するＴＤＥＶ特性を有するワンダを含むクロック信号を発生するワンダ発生器に組込まれ、前記ＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置（１２）において、
それぞれ複数の線分（６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ）を接続してなるＴＤＥＶマスク特性（５）を記憶するＴＤＥＶマスク特性ファイル（２９）と、
操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を前記ＴＤＥＶマスク特性ファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスク特性読出手段（３２）と、
前記ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分の開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示を取込む変更指示取込手段（３３）と、
前記変更指示取込手段で取込んだ各変更指示を受取け、前記操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを算出することによって前記操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を変更するＴＤＥＶマスク特性変更手段（３４）と
を備えたことを特徴とするワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置。 - それぞれ複数の線分を接続してなる複数のＴＤＥＶマスクパターン（３９）を記憶するＴＤＥＶマスクパターンファイル（３０）と、
操作指定されたＴＤＥＶマスクパターンを前記ＴＤＥＶマスクパターンファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスクパターン読出手段（３５）と、
操作入力されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分の開始点とこの開始点での特性値とを取込む新規パラメータ取込手段（３６）と、
前記新規パラメータ取込手段で取込んだ各開始点と各特性値とを用いて、前記操作指定されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを算出することによって新規のＴＤＥＶマスク特性を求めるＴＤＥＶマスク特性新規作成手段（３７）と
を備えたことを特徴とする請求項１記載のワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置。
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