JP3626313B2 - 電子管 - Google Patents

電子管 Download PDF

Info

Publication number
JP3626313B2
JP3626313B2 JP03811297A JP3811297A JP3626313B2 JP 3626313 B2 JP3626313 B2 JP 3626313B2 JP 03811297 A JP03811297 A JP 03811297A JP 3811297 A JP3811297 A JP 3811297A JP 3626313 B2 JP3626313 B2 JP 3626313B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
face plate
input face
sealing
metal
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03811297A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10241622A (ja
Inventor
康晴 根木
憲夫 朝倉
本比呂 須山
俊光 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP03811297A priority Critical patent/JP3626313B2/ja
Priority to US09/027,206 priority patent/US6008579A/en
Priority to EP98301270A priority patent/EP0860857B1/en
Priority to DE69813654T priority patent/DE69813654T2/de
Publication of JPH10241622A publication Critical patent/JPH10241622A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3626313B2 publication Critical patent/JP3626313B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86Vessels; Containers; Vacuum locks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/28Vessels, e.g. wall of the tube; Windows; Screens; Suppressing undesired discharges or currents
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/26Sealing together parts of vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、融点以下の温度状態(例えば常温)に維持された封止用金属(例えばインジウムを主成分とする金属)によって、側管と入力面板とを接着固定した電子管に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から存在する電子管として、特開平4−58444号公報がある。この公報に開示された電子管は、コールドインジウム法によって製造されたものである。このコールドインジウム法とは、トランスファー装置と呼ばれる真空装置内で側管と入力面板とをインジウムを介して接続する際に、インジウムを融点以下の温度状態(例えば常温)に維持し、インジウムを固体のままで利用する技術である。そこで、側管と入力面板とを接合させる際、側管に入力面板を押し付けるようにしてインジウムを変形させ、インジウムを側管及び入力面板に圧着させることで、電子管の真空気密封止を達成している。また、電子管にコールドインジウム法を適用した例として、特開昭57−136748号公報、特開昭54−16167号公報や特開昭61−211941号公報等がある。
【0003】
また、電子管にホットインジウム法を適用した例として、特開平6−318439号公報や特開平3−133037号公報等がある。ホットインジウム法とは、トランスファー装置内において、加熱器で溶融させたインジウムにより、側管と入力面板とを接合させる技術であり、側管側には、溶けたインジウムが流れ出さないためのインジウム溜まり凹部が設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述のコールドインジウム法を適用する電子管は、上述したように構成されているため、次のような課題が存在していた。すなわち、このような電子管では、インジウムで封止した部分を側面から包囲するための封止用金属支持体が利用され、この金属支持体は、側管の側面に対峙する単純なリング体を構成すると共に、その内側でインジウムを単に保持するだけの形状になっている。また、側管の端面と入力面板の内面との間でインジウムを挟むようにして、入力面板及び側管をインジウムに力強く押し付けているので、インジウムとの接触面でなじみ性が悪くなる虞れがあり、その結果、十分な真空気密が要求される電子管に気密不良が発生する場合があった。そして、この気密不良に起因して、大気中の酸素や水分が電子管内に入り込み、光電面感度の劣化を招来していた。特に、側管の接合端部が金属材料で形成されている場合には、インジウムとのなじみ性が悪くなる。
【0005】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、特に、気密性が良く、大量生産に適した電子管を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る本発明の電子管は、第1の開口と第1の開口と反対側に位置する第2の開口とを有する側管と、側管の第1の開口側に設けられて、入射した光に応じて電子を放出する光電面をもった入力面板と、側管の第2の開口側に設けられて、入力面板と共に真空領域を規定するステムとを備え、加圧変形自在な封止用金属で入力面板と側管との間を封止し、封止用金属で封止した部分を環状の封止用金属支持体で外側から包囲した電子管において、側管の端面には、入力面板を収容し且つ支持する環状の面板収容部が切欠き形成され、封止用金属支持体は、入力面板の外面に対峙して延在する環状の第1の封止板と、側管の外側面に対峙すると共に第1の封止板から略直交して延在する環状の第2の封止板とからなることを特徴とする。
【0007】
この電子管においては、入力面板と側管の端部とを加圧変形自在な封止用金属(例えばインジウム又はインジウムの合金)で接合させるにあたって、側管の面板収容部内に入力面板を載置させた状態で、入力面板の外面と側管の外側面とで形成されたコーナ部分を、封止用金属支持体で包囲するように組み立てる。このとき、第1の封止板と第2の封止板とからなる封止用金属支持体の内壁面に封止用金属が配置されていることに起因して、封止用金属は、第1の封止板により入力面板の外面に延在すると同時に、第2の封止板により側管の外側面にも延在するように変形する。その結果、入力面板と側管とからなるコーナ部分を、封止用金属で外側から包み込むことが可能になり、入力面板が側管から外れにくくなるばかりか、電子管内の気密性保持に極めて有効である。また、第1の封止板と入力面板の外面とを対峙させているので、封止用金属支持体の第1の封止板を入力面板に向けて加圧することができ、第1の封止板と入力面板との間で挟まれた封止用金属に適切な圧力を加えることができる。従って、入力面板及び封止用金属支持体に対する封止用金属のなじみ性が良くなり、電子管の気密性が高まることになる。更に、第1の封止板を利用して、低融点金属を加圧変形させることができるので、ガラス製の入力面板を直接加圧する場合に比べて、電子管の大量生産に適した構成といえる。
【0008】
この場合、入力面板の外面の外周縁部には、第1の封止板と入力面板との間で挟まれた封止用金属を収容する環状の金属収容部が切欠き形成されていると好ましい。このような構成を採用した場合、入力面板に切欠き形成された金属収容部内に封止用金属が納まることで、封止用金属が入力面板の外面に必要以上はみ出すのを適切に阻止することができる。
【0009】
また、第1の封止板の内端には、入力面板の外面に向けて延び、入力面板の外面に当接する環状の入力面板当接片が形成されていると好ましい。このような構成を採用した場合、第1の封止板に設けられた入力面板当接片が入力面板の外面に当接することで、第1の封止板と入力面板との間に封止用金属が封入される。その結果、封止用金属が入力面板の外面に必要以上はみ出すのを適切に阻止することができる。
【0010】
更に、面板収容部は、入力面板の内面に対向すると共に入力面板を当接させる面板支持面と、入力面板の周側面に対向すると共に面板支持面から立設する切立ち面とから形成され、面板収容部の切立ち面と入力面板の周側面とを当接させると好ましい。このような構成を採用した場合、面板収容部の切立ち面で、入力面板の周側面を位置決めすることができる。従って、電子管の組み立て時において、側管に対する入力面板の確実な芯出しが可能になる。
【0011】
更に、面板収容部は、入力面板の内面に対向すると共に入力面板を当接させる面板支持面と、入力面板の周側面に対向すると共に面板支持面から立設する切立ち面とから形成され、面板収容部の面板支持面と切立ち面とが交わる環状のコーナラインと、入力面板の内面と周側面とが交わる環状のコーナラインとを合致させると好ましい。このような構成を採用した場合、側管に対する入力面板の位置決めが可能になると同時に、面板収容部の切立ち面の形状や入力面板の周側面の形状を任意にすることができ、面板収容部の切立ち面と入力面板の周側面との間に所望量の封止用金属を入り込ませることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面と共に本発明による電子管の好適な実施形態について詳細に説明する。
【0013】
図1は、本発明に係る電子管の第1実施形態を示す断面図である。同図に示すように、電子管1は円筒状の側管10を有し、この側管10は、導電性の良いコバール金属を利用して、プレス成形又は射出成形又は切削加工等の様々な一体成形方法により作り出されたリング状のカソード電極11と、電気絶縁性材料(例えばセラミック)からなるリング状のバルブ12と、コバール金属からなるリング状の溶接電極13と、バルブ12を2分割することで形成された第1バルブ12Aと第2バルブ12Bとの間で、挟むようにして固定させたコバール金属製のリング状中間電極50とから構成され、これら部材11,12,13及び50は互いに同心状に積層配置されている。
【0014】
また、中間電極50をもったバルブ12は、カソード電極11と溶接電極13との間に設けられ、バルブ12の一端は、カソード電極11のフラットな内端面11aに突き合わせた後、ろう付け等で固定され、バルブ12の他端は、溶接電極13のフラットな内端面13aに突き合わせた後、ろう付け等で固定されている。また、バルブ12は、第1バルブ12Aと第2バルブ12Bとで中間電極50の外周端部を挟み、接合部分にろう付け作業を施すことで形成される。従って、ろう付け作業により、側管10は簡単に一体化が図られることになる。
【0015】
更に、カソード電極11とバルブ12と溶接電極13の筒状本体13Aとは略同じ外形(この場合「例えば直径14mmの円形」)に形成されている。従って、側管10の外面から凹凸を無くすことができ、引っ掛かりの無いシンプルな形状にすることができる。その結果、狭い空間においても多数本の電子管を密に配列させることができ、取り扱い易い電子管が可能になり、しかも高圧に耐え得る構造を可能にしている。なお、リング体をなすカソード電極11、バルブ12、中間電極50及び溶接電極13の外形は多角形であってもよい。
【0016】
カソード電極11の内周壁面11bはバルブ12の内周壁面12aより内側に位置し、バルブ12の内径に対してカソード電極11の内径を小さくしている。従って、後述する光電面22側の意図しない場所で生じた迷走電子が、バルブ12に衝突するのを防止でき、迷走電子の衝突により発生するバルブ12の帯電や、これに起因する電子軌道への影響を無くすことができる。この場合、カソード電極11は、電子管1のフォーカス電極を兼ねているので、所定の電圧を電子管1に印加したとき、有効径8mmの光電面22から放出した電子は2mm程度の径に収束しながら、半導体素子40に入射する必要がある。そこで、カソード電極11は、内径10mm、長さ3mmが好適であり、セラミック製の第1及び第2バルブ12A,12Bは、内径11mm、長さ3mmが好適である。
【0017】
前述した中間電極50は、バルブ12の内周壁面12aから内方に突出し、中間電極50の開口部50aの内径は、電子軌道に干渉しない範囲内で極力小さくなっている(好適には7mmである)。従って、迷走電子によるバルブ12の帯電が防止されると共に、仮に何らかの理由でバルブ12が帯電しても、電子軌道に近い空間の電位を中間電極50により固定させているので、バルブ12の帯電が電子軌道に悪影響を与えるのを防止することができる。なお、中間電極50の厚さは、0.5mmが好適である。
【0018】
側管10の溶接電極13には導電性材料(例えばコバール金属)よりなる円盤状のステム31が固設され、このステム31は、側管10の第2の開口15側に配置されている。ここで、溶接電極13の筒状本体13Aの外端には、ステム31との接合に利用するために外方に突出した円形の第1フランジ部13Bが形成され、筒状本体13Aの内端には、バルブ12との接合に利用するために内方に突出した円形の第2フランジ部13Cが形成されている。また、ステム31の外周には、第1フランジ部13Bに嵌合させるための円形の切欠き縁部31aが形成されている。従って、溶接電極13の第1フランジ部13Bをステム31の切欠き縁部31aに嵌合させ、抵抗溶接を施すだけの簡単な組立て作業で、溶接電極13とステム31とを簡単に接合させることができる。また、抵抗溶接中において、ステム31に対する側管10の着座性は極めて良い。なお、ステム31にはガラス34で絶縁した貫通ピン32が固定されている。
【0019】
また、ステム31における真空側の面上には、APD(アバランシェ・フォトダイオード)として動作する半導体素子40が導電性の接着剤を介して固着されている。半導体素子40の電子入射面44aの直径は3mm程度であり、半導体素子40の所定の部位は、ステム31と絶縁させた貫通ピン32に対してワイヤー33により接続されている。更に、半導体素子40と中間電極50との間には板状のアノード電極60が配置され、アノード電極60の外周端部は溶接電極13の第2フランジ部13Cに固定されている。このアノード電極60は、半導体素子40に近い側に位置すると共に、厚さ0.3mmのステンレス製の薄板をプレス加工することで形成されている。なお、アノード電極60と半導体素子40との間隔は1mmが好適である。
【0020】
このアノード電極60の中央には、半導体素子40の電子入射面44aに対峙させた開口部61が形成されている。このアノード電極60には、開口部61を包囲するように突出した円筒状のコリメーター部(コリメーター電極)62が一体に形成され、このコリメーター部62は、光電面22に向けて突出すると共に、開口部61に対して同心的に配置されている。また、コリメーター部62の内径は3.0mmが好適であり、この高さは1.3mmが好適である。なお、アノード電極60は、溶接電極13の第2フランジ部13Cの延長上に予め形成させておいて、溶接電極13がアノード電極60を兼ねるように構成することも可能である。
【0021】
更に、図1及び図2に示すように、側管10におけるカソード電極11には、光を透過させるガラス製の入力面板21が固設され、この入力面板21は、内側に光電面22を有すると共に、側管10の第1の開口14側に配置されている。そして、この入力面板21は、光電面22を作製した後、封止用金属として利用する加圧変形自在な低融点金属(例えば、取り扱い容易で加工し易いインジウムそれ自体、インジウムを主成分とする合金、鉛又は鉛合金)23を介してカソード電極11に一体化され、その結果、入力面板21と側管10の端部との間は低融点金属23で封止される。また、低融点金属23で封止した部分は、コバール金属からなる環状の封止用金属支持体24で外側から包囲されている。
【0022】
更に、光電面22の周辺部分には、クロム、ニッケル、銅の薄膜よりなる光電面電極25が配置されているので、カソード電極11及び低融点金属23を介して光電面22と封止用金属支持体24とが電気的に接続される。この光電面電極25は、入力面板21の周側面21aを作り出すように入力面板本体に蒸着され、光電面電極25が、低融点金属23に接する位置まで延びることで、低融点金属23と機械的に接触し、その導通が積極的に確保される。また、光電面電極25の内径8mmは光電面22の有効径を規定している。なお、光電面電極25が、後述する面板収容部70の面板支持部71にのみ接触し、そこで導通を確保するようにしてもよい。また、封止用金属として、加圧変形可能な金(Au)が利用されることもある。
【0023】
図2に示すように、側管におけるカソード電極11の開放側端面には、その内側に環状の面板収容部70が切欠き形成されている。この面板収容部70は、入力面板21を収容し且つ支持するために、入力面板21の内面21Aを当接させる面板支持面71と、面板支持面71から直角方向に立設する切立ち面72とから形成されている。そして、切立ち面72と入力面板21の周側面21aとを当接させることで、側管10に対する入力面板21の確実な芯出しや位置決めが可能になる。
【0024】
更に、金属支持体24は、入力面板21の外面21Bに対峙して延在する環状の第1の封止板73と、側管10の外側面11cに対峙すると共に第1の封止板73から略直交して延在する環状の第2の封止板74とからなっている。このように、金属支持体24は、入力面板21と側管10とからなるコーナ部分を保護するような形状になっている。また、金属支持体24と入力面板21及び側管10との間には低融点金属23が装填され、この低融点金属23は、金属支持体24の内面に沿うように、入力面板21の外面21Bから側管10の外側面11cに亙って延在している。すなわち、低融点金属23は、第1の封止板73により入力面板21の外面21Bに沿って延在すると同時に、第2の封止板74により側管10の外側面11cにも沿って延在することになる。従って、入力面板21と側管10とからなるコーナ部分を、その全周に亙って、低融点金属23で外側から包み込むことが可能になり、入力面板21が側管10から外れにくくなるばかりか、電子管1内の気密性保持に極めて有効である。
【0025】
更に、入力面板21の外面21Bには、その外周縁部に環状の金属収容部75が切欠き形成され、第1の封止板73の内端には、金属収容部75の段差面75aに向けて延びる環状の入力面板当接片76が一体形成され、この入力面板当接片76が段差面75aに当接することで、第1の封止板73の内壁面と入力面板21の段差面75aとの間に低融点金属23が封入される。従って、組立て時において、低融点金属23が入力面板21の外面21Bに必要以上はみ出すのを、入力面板当接片76で適切に阻止し、入力面板21上で確保すべき光入射領域が、低融点金属23により汚染されることがない。また、仮に、入力面板当接片76を越えて、低融点金属23が金属支持体24からはみ出した場合でも、金属収容部75内に低融点金属23を収容することができるので、低融点金属23が入力面板21の外面21Bに必要以上にはみ出すのが確実に阻止されることになる。
【0026】
更に、入力面板21と側管10との間の接着性及び気密性を向上させるに当たって、入力面板21の周側面21aと側管10の端部との間に、所定量の低融点金属23を介在させることが必要になる。そこで、カソード電極11の先端部に切欠き状の金属流入部77を形成する。この金属流入部77は、低融点金属23の流入を許容するように、入力面板21の周側面21aから離間する位置に形成された突起部78により具現化されている。この金属流入部77は、カソード電極11と入力面板21との間で幅0.3mm程度の溝状に形成され、第1の封止板73側を開放することで低融点金属23の流入を可能にしている。
【0027】
次に、トランスファー装置と呼ばれる真空装置(図示せず)内で、側管10と入力面板21との間を低融点金属23で封止する手順について簡単に説明する。なお、封止の際、トランスファー装置の内部は、低融点金属23が溶融しない融点以下の温度(例えば常温)状態に維持されている。
【0028】
先ず、封止準備として、図3のステップ(I)で示すように、金属支持体24の第1及び第2の封止板73及び74の内壁面にリング状の低融点金属23が当接するように、所定量の低融点金属23を金属支持体24上に置く。その後、ステップ(II)で示すように、低融点金属23と金属支持体24とを一体化させるために、500℃に一旦加熱して低融点金属23を溶解させる。その後、ステップ(III)で示すように、低融点金属23が冷めるのを待って、余剰な低融点金属23をカッター等で削り取る。このように、低融点金属23と金属支持体24とが一体化されたものを、トランスファ装置内に入れる。
【0029】
図4に示すように、組立て完了後の側管10と、光電面22をもった入力面板21と、低融点金属23をもった金属支持体24とを、トランスファ装置内で組み立てるにあたって、先ず、カソード電極11の面板収容部70に入力面板21を嵌め込む。その後、低融点金属23が、入力面板21と側管10とからなるコーナー部分に被さるように、金属支持体24を入力面板21に向けて押し付ける。このとき、低融点金属23を変形させながら、入力面板21に向けて第1の封止板73を加圧するので、第1の封止板73と入力面板21との間で挟まれた低融点金属23に適切な圧力が加わることになる。また、その影響により、第2の封止板74とカソード電極11との間の低融点金属23にも適切な圧力が加わることになる。その結果、入力面板21及びカソード電極11に対する低融点金属23のなじみ性が良くなり、電子管1の気密性をアップさせる。
【0030】
また、入力面板当接片76が入力面板21を直に押すことで、面板支持面71に対して、入力面板21の内面21Aを圧着させることができるので、この部分での気密保持が可能になる。このように、低融点金属23を加圧変形させるにあたって、第1の封止板73を利用しているので、ガラス製の入力面板21を治具等で直接加圧する場合に比べて、電子管1の大量生産に適した構造といえる。
【0031】
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、図5に示すように、金属支持体24Aには入力面板当接片76が設けられていない。この場合でも、金属収容部75内に低融点金属23を収容しているので、低融点金属23が、入力面板21の外面21Bに必要以上にはみ出すことがなく、入力面板21の光入射領域を低融点金属23で汚染することがない。
【0032】
また、図6に示すように、入力面板21には金属収容部75が設けられていない。この場合、入力面板当接片76が入力面板21の外面21Bに当接することで、低融点金属23が、入力面板21の外面21Bに必要以上にはみ出すことがない。そして、図7に示すように、突起部78の長さを短くすることで、金属流入部77の体積は小さくなるが、低融点金属23の充填量を多くすることができる。
【0033】
更に、図8に示すように、入力面板21の外面21Bにおいて、その最外周縁にL字状の切欠き面79を形成し、面板収容部70の切立ち面72を、入力面板21の外面21Bの位置まで立ち上げる。その結果、切欠き面79と切立ち面72との協働で、断面矩形の金属流入部80が形成されることになる。
【0034】
図9に示すように、入力面板21の外面21Bにおいて、その最外周縁にテーパ状の切欠き面81を形成し、面板収容部70の切立ち面72を、入力面板21の外面21Bの位置まで立ち上げる。その結果、切欠き面81と切立ち面72との協働で、断面三角形状の金属流入部82を形成することもできる。この場合、面板収容部70の面板支持面71と切立ち面72とが交わる部分で形成される環状のコーナラインAと、入力面板21の内面21Aと周側面21aとが交わる部分で形成される環状のコーナラインBとを合致させることで、側管10に対する入力面板21の位置決めが可能になる。このような位置決め手段を採用することで、面板収容部70の切立ち面72の形状や入力面板21の周側面21aの形状を任意にでき、面板収容部70の切立ち面72と入力面板21の周側面21aとの間に所望形状の金属流入部82を作り出すことができ、この部分に、必要量の低融点金属23を入り込ませることができる。
【0035】
図10に示すように、面板収容部70の切立ち面83をテーパ状に形成し、入力面板21の周側面21aを外面21Bに対して直角にすることで、断面三角形状の金属流入部84を形成することもできる。また、面板収容部70のコーナラインAと、入力面板21のコーナラインBとを合致させることで、側管10に対する入力面板21の位置決めが可能になる。
【0036】
図11に示すように、カソード電極11には、入力面板21に対する正確な位置決め機能をもたない面板収容部85が形成されている。この面板収容部85は、入力面板21を収容し且つ支持するために、入力面板21の内面21Aを当接させる面板支持面86と、面板支持面86から直角方向に立設する切立ち面87とから形成されている。そして、切立ち面87の径は、入力面板21の周側面21aの径より大きく形成されることで、面板収容部85内に入力面板21がルーズに嵌め込まれることになる。このような構成は、大量生産に最も適しており、側管10と入力面板21との芯出しに厳密な精度が要求されない場合や、製品の製造コストを下げる場合に適している。なお、図12に示すように、入力面板当接片76を設けない金属支持体24Aを、図11の電子管1に適用させてもよい。
【0037】
図13に示した光電子増倍管90は、TO−8型のパッケージサイズを有している。この光電子増倍管90は、コバール金属からなる円筒状の側管91を有し、この側管91は、板厚0.3mmのコバール金属をプレス加工にて筒状に形成し、その全長は約10mmに達する。側管91の一端には、光を透過させるガラス製の入力面板92が固設され、この入力面板92は、その内側にGaAs結晶の光電面93を有すると共に、側管91の第1の開口94側に配置されている。
【0038】
この入力面板92は、光電面93をCs蒸気と酸素とで活性化した後、封止用金属として利用する低融点金属(例えば、インジウムそれ自体、インジウムを主成分とする加圧変形自在な合金、鉛又は鉛合金)23を介して側管91に一体化され、その結果、入力面板92と側管91との間は低融点金属23で封止される。また、低融点金属23で封止した部分は、コバール金属からなる環状の封止用金属支持体24で外側から包囲されている。更に、光電面93の周辺部分には、光電面93と低融点金属23とを電気的に接続するように、クロムの薄膜よりなる光電面電極96が配置されている。この光電面電極96の内径は光電面93の有効径を規定している。なお、封止用金属として、加圧変形可能な金(Au)が利用される場合もある。
【0039】
更に、側管91の他端には、導電性材料(例えばコバール金属)よりなる円盤状のステム97が抵抗溶接により固定されている。このステム97は、側管96の第2の開口98側に配置されると共に、ガラス99で絶縁した複数の貫通ピン100を有している。また、側管91内には、光電面93から放出した電子を増倍させる積層型ダイノード101が配置され、ダイノード101の各ダイノード部101a〜101hは抵抗溶接により8段に亙って組付けられている。そして、各ダイノード部101a〜101hを各貫通ピン100の先端に抵抗溶接で固定することで、ダイノード101は側管91内で固定されることになる。また、最終段ダイノード部101hの上方には、増倍した電子を収集して検出する陽極部102が配置されている。
【0040】
ここで、図14に示すように、側管91の端部には、絞り成形により面板収容部103が形成され、この面板収容部103は、入力面板92を収容し且つ支持するために、入力面板92の内面92Aを当接させる面板支持面104と、面板支持面104から略直角方向に立設する切立ち面105とから形成されている。また、側管91の最端部を外側に広げることで、面板収容部103の切立ち面105を、入力面板92の周側面92aに対して離間させることができ、この離間部分が金属流入部106となる。このように、側管91の端部を折曲げ形成するだけで、面板収容部103や金属流入部106を所望の形状にすることができ、簡単な設計変更で、種々の製品に対応させることができる。
【0041】
【発明の効果】
本発明による電子管は、以上のように構成されているため、次のような効果を得る。すなわち、側管の端面には、入力面板を収容し且つ支持する環状の面板収容部が切欠き形成され、封止用金属支持体は、入力面板の外面に対峙して延在する環状の第1の封止板と、側管の外側面に対峙すると共に第1の封止板から略直交して延在する環状の第2の封止板とからなるので、電子管の気密性が良好になる。そして、第1の封止板を利用して、低融点金属を加圧変形させることができるので、電子管の大量生産が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子管の第1の実施形態を示す断面図である。
【図2】図1に示した電子管の要部を示す拡大断面図である。
【図3】金属支持体と低融点金属とを融合させる工程を示す断面図である。
【図4】図1に示した電子管の組立て要領を示す要部拡大断面図である。
【図5】本発明に係る電子管の第2の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図6】本発明に係る電子管の第3の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図7】本発明に係る電子管の第4の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図8】本発明に係る電子管の第5の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図9】本発明に係る電子管の第6の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図10】本発明に係る電子管の第7の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図11】本発明に係る電子管の第8の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図12】本発明に係る電子管の第9の実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図13】本発明に係る電子管の第10の実施形態を示す断面図である。
【図14】図13に示した電子管の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
A,B…コーナライン、1,90…電子管、10,91…側管、10c…側管の外側面、12,98…第2の開口、14,94…第1の開口、21,92…入力面板、21a,92a…入力面板の周側面、21A,92A…入力面板の内面、21B…入力面板の外面、22,93…光電面、23…封止用金属(低融点金属)、24,24A…封止用金属支持体、31,97…ステム、71,86,104…面板支持面、72,87,105…切立ち面、73…第1の封止板、74…第2の封止板、75…金属収容部、76…入力面板当接片、77,80,82,106…金属流入部。

Claims (5)

  1. 第1の開口と前記第1の開口と反対側に位置する第2の開口とを有する側管と、
    前記側管の前記第1の開口側に設けられて、入射した光に応じて電子を放出する光電面をもった入力面板と、
    前記側管の前記第2の開口側に設けられて、前記入力面板と共に真空領域を規定するステムとを備え、
    加圧変形自在な封止用金属で前記入力面板と前記側管との間を封止し、前記封止用金属で封止した部分を環状の封止用金属支持体で外側から包囲した電子管において、
    前記側管の端面には、前記入力面板を収容し且つ支持する環状の面板収容部が切欠き形成され、前記封止用金属支持体は、前記入力面板の外面に対峙して延在する環状の第1の封止板と、前記側管の外側面に対峙すると共に前記第1の封止板から略直交して延在する環状の第2の封止板とからなることを特徴とする電子管。
  2. 前記入力面板の前記外面の外周縁部には、前記第1の封止板と前記入力面板との間で挟まれた前記封止用金属を収容する環状の金属収容部が切欠き形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子管。
  3. 前記第1の封止板の内端には、前記入力面板の前記外面に向けて延び、前記入力面板の前記外面に当接する環状の入力面板当接片が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の電子管。
  4. 前記面板収容部は、前記入力面板の内面に対向すると共に前記入力面板を当接させる面板支持面と、前記入力面板の周側面に対向すると共に前記面板支持面から立設する切立ち面とから形成され、前記面板収容部の前記切立ち面と前記入力面板の前記周側面とを当接させたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の電子管。
  5. 前記面板収容部は、前記入力面板の内面に対向すると共に前記入力面板を当接させる面板支持面と、前記入力面板の周側面に対向すると共に前記面板支持面から立設する切立ち面とから形成され、前記面板収容部の前記面板支持面と前記切立ち面とが交わる環状のコーナラインと、前記入力面板の前記内面と前記周側面とが交わる環状のコーナラインとを合致させたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の電子管。
JP03811297A 1997-02-21 1997-02-21 電子管 Expired - Fee Related JP3626313B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03811297A JP3626313B2 (ja) 1997-02-21 1997-02-21 電子管
US09/027,206 US6008579A (en) 1997-02-21 1998-02-20 Electron tube with improved airtight seal between faceplate and side tube
EP98301270A EP0860857B1 (en) 1997-02-21 1998-02-20 Electron tube
DE69813654T DE69813654T2 (de) 1997-02-21 1998-02-20 Elektronenröhre

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03811297A JP3626313B2 (ja) 1997-02-21 1997-02-21 電子管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10241622A JPH10241622A (ja) 1998-09-11
JP3626313B2 true JP3626313B2 (ja) 2005-03-09

Family

ID=12516401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03811297A Expired - Fee Related JP3626313B2 (ja) 1997-02-21 1997-02-21 電子管

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6008579A (ja)
EP (1) EP0860857B1 (ja)
JP (1) JP3626313B2 (ja)
DE (1) DE69813654T2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6297489B1 (en) * 1996-05-02 2001-10-02 Hamamatsu Photonics K.K. Electron tube having a photoelectron confining mechanism
US8267767B2 (en) * 2001-08-09 2012-09-18 Igt 3-D reels and 3-D wheels in a gaming machine
US7141926B2 (en) * 2004-08-10 2006-11-28 Burle Technologies, Inc. Photomultiplier tube with improved light collection
JP4926392B2 (ja) * 2004-10-29 2012-05-09 浜松ホトニクス株式会社 光電子増倍管及び放射線検出装置
EP2001037B1 (en) 2006-03-29 2017-03-22 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing photoelectric converting device
CN104733272A (zh) * 2015-03-26 2015-06-24 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种用于混合型光电探测器的电子光学系统
WO2017017811A1 (ja) * 2015-07-29 2017-02-02 パイオニア株式会社 撮像装置
WO2020045495A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 京セラ株式会社 セラミックス構造体
JP7252179B2 (ja) * 2020-07-08 2023-04-04 浜松ホトニクス株式会社 イオン検出器、測定装置および質量分析装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3153839A (en) * 1962-01-11 1964-10-27 Rauland Corp Method of forming vacuum seals
US3767283A (en) * 1970-05-07 1973-10-23 Emi Ltd Improvements in or relating to electron discharge devices
US4030789A (en) * 1974-06-14 1977-06-21 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an electric discharge tube
JPS5416167A (en) * 1977-07-06 1979-02-06 Akai Electric Method of sealing electron tube
JPS57136748A (en) * 1981-02-18 1982-08-23 Hitachi Ltd Image pickup tube
NL8204238A (nl) * 1982-11-02 1984-06-01 Philips Nv Elektronenbuis en werkwijze voor het vervaardigen van deze elektronenbuis.
US4608517A (en) * 1984-06-28 1986-08-26 Rca Corporation Faceplate assembly having integral gauging means
JPS61211941A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Hitachi Ltd 静電偏向撮像管
JPS63119141A (ja) * 1986-11-07 1988-05-23 Hitachi Ltd 撮像管用タ−ゲツト
JPH03133037A (ja) * 1989-10-17 1991-06-06 Nec Corp 近接型イメージ管
JPH0458444A (ja) * 1990-06-26 1992-02-25 Nec Corp イメージ管の封止構造
JPH06138439A (ja) * 1992-10-27 1994-05-20 Sharp Corp 液晶表示装置
US5475227A (en) * 1992-12-17 1995-12-12 Intevac, Inc. Hybrid photomultiplier tube with ion deflector

Also Published As

Publication number Publication date
DE69813654T2 (de) 2004-03-04
DE69813654D1 (de) 2003-05-28
EP0860857A1 (en) 1998-08-26
EP0860857B1 (en) 2003-04-23
US6008579A (en) 1999-12-28
JPH10241622A (ja) 1998-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1045428B1 (en) Gas discharge tube
JP3626313B2 (ja) 電子管
JP3260901B2 (ja) 電子増倍管
US4119234A (en) Vacuum-tight windows for passage of X-rays or similar penetrating radiation
JP5439079B2 (ja) 電子管
US7148461B2 (en) Photomultiplier tube with enchanced hermiticity
US6020684A (en) Electron tube with improved airtight seal between faceplate and side tube
TWI698058B (zh) 半導體雷射裝置及其製造方法
US5519284A (en) Short pumping stem for flat display screens
JP3626312B2 (ja) 電子管
JP4275853B2 (ja) ガス放電管
US6469433B1 (en) Package structure for mounting a field emitting device in an electron gun
JP2002042636A (ja) 光電陰極および電子管
JP3872419B2 (ja) 光電陰極、電子管及び光電陰極の組立方法
US4094563A (en) Method of fabricating an electron tube
JPH10241623A (ja) 電子管
US6531821B1 (en) Gas discharge tube
JPH065098U (ja) X線管
JPH05325880A (ja) 電子管
JP2003142026A (ja) 冷陰極放電管用電極組立体及び冷陰極放電管
JP3430533B2 (ja) 陰極線管の陰極構造
JP2002056810A (ja) 放電電極組立て体、放電電極組立て体の製造方法及び放電ランプ
JP2000090874A (ja) 光電子増倍管
JPH0548571B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees