JPS63119141A - 撮像管用タ−ゲツト - Google Patents
撮像管用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS63119141A JPS63119141A JP26370586A JP26370586A JPS63119141A JP S63119141 A JPS63119141 A JP S63119141A JP 26370586 A JP26370586 A JP 26370586A JP 26370586 A JP26370586 A JP 26370586A JP S63119141 A JPS63119141 A JP S63119141A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive
- membrane
- tube
- sensitizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テレビカメラ等に用いる撮像管用ターゲット
に関し、特に、増感層を含んだ光導電膜を備えた光導電
形撮像管用ターゲットに関する。
に関し、特に、増感層を含んだ光導電膜を備えた光導電
形撮像管用ターゲットに関する。
この種の撮像管用ターゲットとして、従来よりＳｅ、Ａ
ｓ、Ｔｅを主成分とする光導電膜を用いたものがあり、
その撮像特性を向上させるために、ＴｅやＡｓの含有量
の分布や不純物の添加等について、種々の提案がなされ
ている（例えば特公昭５３−３１８２９号公報、特開昭
５７−１５４７５７号公報）。
ｓ、Ｔｅを主成分とする光導電膜を用いたものがあり、
その撮像特性を向上させるために、ＴｅやＡｓの含有量
の分布や不純物の添加等について、種々の提案がなされ
ている（例えば特公昭５３−３１８２９号公報、特開昭
５７−１５４７５７号公報）。
しかしながら、」二記従来例では、太陽や照明光源など
の高輝度被写体を撮像するような場合に゛ｒＣ含有層で
過剰なキャリアが生じ、それが捕獲されるために生ずる
と考えられる留像現象をなくすには至っていなかった。
の高輝度被写体を撮像するような場合に゛ｒＣ含有層で
過剰なキャリアが生じ、それが捕獲されるために生ずる
と考えられる留像現象をなくすには至っていなかった。
この発明は、上述したような高輝度被写体撮像時の留像
現象を軽減した撮像管用ターゲットを提供することを目
的とする。
現象を軽減した撮像管用ターゲットを提供することを目
的とする。
」二記問題点は、光導電膜のうち増感層のみを、信号電
極とは別の導電材に導通させて撮像管外部へ引出すこと
し５より解決される。
極とは別の導電材に導通させて撮像管外部へ引出すこと
し５より解決される。
増感層に牛した過剰キャリアが、［−配信外電極とは別
の導電材を通じて放出される。
の導電材を通じて放出される。
以下図面を参照してこの発明の一実施例について説明す
る。
る。
第１図において、ガラス外管１の１端に配置されたガラ
ス基板（面板）２の内面にＳｎ○２またはＩｎ（）ｚ等
からなる透明導電膜３、ＳｅおよびＡｓからなる第１層
光導電膜４、Ｓｃ、Ａｓ、Ｔｅからなる増感層５および
２〜６μｍ程度のＳ ｃ ｒ Ａ ｓからなる光導電膜
６が順次積層被着されている。
ス基板（面板）２の内面にＳｎ○２またはＩｎ（）ｚ等
からなる透明導電膜３、ＳｅおよびＡｓからなる第１層
光導電膜４、Ｓｃ、Ａｓ、Ｔｅからなる増感層５および
２〜６μｍ程度のＳ ｃ ｒ Ａ ｓからなる光導電膜
６が順次積層被着されている。
ここで、第１層光導電膜４は、透明感電膜３と増感層５
とを絶縁するように、透明導電膜３を完全に覆い隠す形
に被着し、透明導電膜３を信号電極７に接続する一方、
増感Ｍ５は、その周辺部に全周にわたってリング状に形
成した導電性層８に接続しである。導電性層８は、本実
施例では透明導電膜；３と同一の材料により同時に形成
される。
とを絶縁するように、透明導電膜３を完全に覆い隠す形
に被着し、透明導電膜３を信号電極７に接続する一方、
増感Ｍ５は、その周辺部に全周にわたってリング状に形
成した導電性層８に接続しである。導電性層８は、本実
施例では透明導電膜；３と同一の材料により同時に形成
される。
そしてこの導電性層８は、さらにＩｎからなる導電性真
空シール９を介して、ガラス外管１の外部に配置された
ターケラ１へリング１０に電気的に接続しである。
空シール９を介して、ガラス外管１の外部に配置された
ターケラ１へリング１０に電気的に接続しである。
このように、増感層５で生ずる光発生キャリア（゛６流
）の一部が、ターゲットリング１０を通じて放出される
構造をとるため、留像の原因となる過剰なキャリアを上
記ターゲットリング１０からアース用導線Ｊ、、 、＋
ｔＫ介して放電させることにより、留像現象を軽減する
ことができる。
）の一部が、ターゲットリング１０を通じて放出される
構造をとるため、留像の原因となる過剰なキャリアを上
記ターゲットリング１０からアース用導線Ｊ、、 、＋
ｔＫ介して放電させることにより、留像現象を軽減する
ことができる。
−Ｌ述した実施例では、増感部５の周辺部を、全周にわ
たって導電性層８まで延在させ、ターゲットリング１０
に導通させるようにしたが、周囲の一部分においてのみ
、接続するようにしてもよいことはいうまでもない。
たって導電性層８まで延在させ、ターゲットリング１０
に導通させるようにしたが、周囲の一部分においてのみ
、接続するようにしてもよいことはいうまでもない。
また、導電性層８を介さず、増感ＰＰＪ５を直接ガラス
面板２の外周部まで延在させ、シール９によりターゲッ
トリング１０に接続してもよい。第２図にその例を示す
が、従来の撮像管において、増感層での形状および面積
を変えるだけで対処でき、特に新たに加えるべき部材は
必要としない。
面板２の外周部まで延在させ、シール９によりターゲッ
トリング１０に接続してもよい。第２図にその例を示す
が、従来の撮像管において、増感層での形状および面積
を変えるだけで対処でき、特に新たに加えるべき部材は
必要としない。
さらに、−（二連した各実施例ではターゲットリング１
０はアース用心線１１により直接アースしていたが、第
３図に示すようにここに電源１２を挿入し、ターゲット
リング１０にバイアス電圧を印加する構造としてもよい
。バイアス電圧を制御することにより、ターゲットリン
グ１０からの放出゛耐流の大きさを制御し、留像現象を
軽減する−１−で最適な値とすることができる。
０はアース用心線１１により直接アースしていたが、第
３図に示すようにここに電源１２を挿入し、ターゲット
リング１０にバイアス電圧を印加する構造としてもよい
。バイアス電圧を制御することにより、ターゲットリン
グ１０からの放出゛耐流の大きさを制御し、留像現象を
軽減する−１−で最適な値とすることができる。
以Ｊ−１Ｓｃ、 Ａｓ、 ７１″ｅを主成分とする光導
電膜髪備え、゛１゛ｅ含有層を増感層とする例について
説明したが、Ｔｅの代りにＣｄ、 Ｂ１などの別の増感
材を有した光導電膜を用いたものにおいても、本発明は
同様に適用可能である。
電膜髪備え、゛１゛ｅ含有層を増感層とする例について
説明したが、Ｔｅの代りにＣｄ、 Ｂ１などの別の増感
材を有した光導電膜を用いたものにおいても、本発明は
同様に適用可能である。
また、増感層をターゲットリングに接続したが、他の導
電材をキャリア放出用としてもよい。もちろん、ターゲ
ットリングのように、本来備えられている部材を利用す
れば、経済性が良いことはいうまでもない。
電材をキャリア放出用としてもよい。もちろん、ターゲ
ットリングのように、本来備えられている部材を利用す
れば、経済性が良いことはいうまでもない。
本発明によれば、増感層に過剰のキャリアが発生しても
、その一部を外部に放出してしまうことから、留像現象
を軽減することができる。
、その一部を外部に放出してしまうことから、留像現象
を軽減することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す要部断面図、第２図お
よび第３図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す要部断
面図である。 ５・・・増感層、７・・・信号電極、８・・・導電性層
、９・・・導電性真空シール、１０・・・ターゲラ１−
リング。 一電子ビーム
よび第３図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す要部断
面図である。 ５・・・増感層、７・・・信号電極、８・・・導電性層
、９・・・導電性真空シール、１０・・・ターゲラ１−
リング。 一電子ビーム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、増感層を含む光導電膜を備えた光導電形撮像管用タ
ーゲットにおいて、光導電膜のうち増感層のみを、信号
電極とは別の電極に導通させて撮像管外部へ引出したこ
とを特徴とする撮像管用ターゲット。 ２、Ｓｅ、Ａｓ、Ｔｅを主成分とする光導電膜を備え、
Ｔｅ含有層を増感層としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の撮像管用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26370586A JPS63119141A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 撮像管用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26370586A JPS63119141A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 撮像管用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119141A true JPS63119141A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17393177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26370586A Pending JPS63119141A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 撮像管用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008579A (en) * | 1997-02-21 | 1999-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube with improved airtight seal between faceplate and side tube |
| US6020684A (en) * | 1997-01-27 | 2000-02-01 | Hamamatsu Photonics K,K, | Electron tube with improved airtight seal between faceplate and side tube |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP26370586A patent/JPS63119141A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020684A (en) * | 1997-01-27 | 2000-02-01 | Hamamatsu Photonics K,K, | Electron tube with improved airtight seal between faceplate and side tube |
| US6008579A (en) * | 1997-02-21 | 1999-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube with improved airtight seal between faceplate and side tube |
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