JP3625366B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、冗長性を組み込んだ配線群を有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュ−タ−や通信機器の重要部分には、多数のトランジスタや抵抗等を電気回路を達成するようにむすびつけ、１チップ上に集積化して形成した大規模集積回路（ＬＳＩ）が多用されている。このため、機器全体の性能は、ＬＳＩ単体の性能と大きく結び付いている。
【０００３】
ＬＳＩ単体の性能向上は、集積度を高めること、つまり素子の微細化により実現できる。したがって、微細加工技術は重要な重要となる。一方、このような微細加工技術と同時に、微細加工にて得られたチップやデバイスなどに欠陥部分があっても使用できるように、例えば本来必要な配線の他に予備の配線（冗長配線）を形成するというリダンタンシ（冗長）技術も、半導体装置の発展・進歩には重要である。
【０００４】
図８に、この種の冗長性を組み込んだ配線群の平面図および断面図を示す。
図中、９１は第１の層間絶縁膜を示しており、この第１の層間絶縁膜９１上には複数の配線９２が形成されている。本来必要な配線および冗長配線は同じ構造であり、区別はない。なお、図には簡単なために３本の配線９２しか示していないが、実際には多数の配線が形成されている。
【０００５】
これらの配線９２上には第２の層間絶縁膜９３が形成されている。この第２の層間絶縁膜９３には溝（窓）９４が形成されている。この溝９４は配線９２には達してなく、配線９２上には第２の層間絶縁膜９３が薄く残っている。
【０００６】
ここで、必要な配線が２本である場合には、余分な配線９２を１本断線させる必要がある。この断線させる配線はそれに接続する素子や回路などが不良である場合もあるし、正常である場合もある。
【０００７】
配線９２の断線は、図９（ａ）に示すように、レーザービーム９５を溝９４を介して配線９２に照射することにより行なう。このように配線９３上に第２の層間絶縁膜９３が存在する状態で、レーザ９５の照射を行なうことにより、図９（ｂ）に示すように、配線９２の材料（配線材料）９６の飛散を抑制できる。これにより、配線間の距離を大きくしてなくても、配線材料９６がその隣の配線９２にまで飛散することによるショートなどの問題を防止きる。
【０００８】
しかしながら、配線材料９６の飛散量はゼロではないので、その飛散量を考慮した分（マージン）だけ配線間の距離は長くなり、高集積化が妨げられるという問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、本来必要な配線の他に予備の配線を形成し、必要な数だけの配線を利用し、残りの不要な配線をレーザ照射により断線させる場合に、配線上に層間絶縁膜を薄く形成しておくことにより、配線材料の飛散によるショートなどの問題を防止していた。しかしながら、配線材料の飛散量はゼロではないので、その飛散量を考慮した分だけ配線間の距離は長くなり、高集積化が妨げられるという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、高集積化の妨げにならない冗長性を組み込んだ配線群を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
［構成］
本発明に係る半導体装置の製造方法（請求項１）は、金属を主成分とする複数の配線からなる冗長性を有する配線群を形成する工程と、この配線群を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングし、該絶縁膜に前記配線に達する接続孔を形成する工程であって、該接続孔を前記配線毎にそれぞれ形成する工程と、前記接続孔内を前記配線よりも融点の高い充填部材により充填する工程とを有し、前記充填部材の底部は前記配線に電気的に接続され、前記充填部材の上部は電気的に絶縁され、かつ、前記複数の配線のうちの不要な配線上の充填部材にレーザービームを照射し、前記不要な配線を前記充填部材を飛散させることなく実質的に断線させることを特徴とする
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法（請求項２）は、金属を主成分とする複数の第１の配線からなる冗長性を有する配線群を形成する工程と、この配線群を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜をエッチングし、該第１の絶縁膜に前記第１の配線に達する第１の接続孔を形成する工程であって、該第１の接続孔を前記第１の配線毎にそれぞれ形成する工程と、前記第１の接続孔内を前記第１の配線よりも融点の高い第１の充填部材により充填する工程と、前記第１の充填部材および前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜をエッチングし、該第２の絶縁膜に前記第１の充填部材に達する第２の接続孔を形成する工程であって、該第２の接続孔を前記第１の充填部材毎にそれぞれ形成する工程と、前記第２の接続孔内を前記第１の配線よりも融点の高い第２の充填部材により充填する工程とを有し、前記第１の充填部材の底部は前記第１の配線と電気的に接続され、前記第２の充填部材の底部は前記前記第１の充填部材と電気的に接続され、前記第２の充填部材の上部は電気的に絶縁され、かつ、前記複数の第１の配線のうちの不要な第１の配線上の第２の充填部材にレーザービームを照射し、前記不要な第１の配線を前記第１および第２の充填部材を飛散させることなく実質的に断線させることを特徴とする。
【００１６】
このような製造方法は、例えば前記第２の接続孔の形成時に第３の接続孔を前記第１の絶縁膜を形成し、この第３の接続孔内を第３の充填部材により充填し、この第３の充填部材を介して前記第１の配線と接続する第２の配線を形成した後に、前記第２の絶縁膜を形成する場合に有効である（請求項３）。
【００２１】
また、不要な配線または不要な第１の配線の断線は、必ずしも完全である必要ない。その理由は、断線が不完全でも配線に流れる電流が十分に小さくなれば、完全に断線した場合と実質的に同様な効果が得られるからである。具体的には、配線抵抗が１０倍上、好ましくは１００倍以上なる程度の断線で良い。
【００２２】
［作用］
本発明では、不要な配線を断線させるために、断線するべき配線上の充填部材にエネルギービームを照射し、充填部材を加熱し、充填部材を昇温させる。
【００２３】
このように充填部材が昇温すると、その下の不要な配線は加熱され、昇温し、膨脹する。その結果、不要な配線にストレスマイグレーションが生じ、不要な配線は溶融することなく断線することになる。
【００２４】
このように不要な配線は溶融しないので、その配線材料が飛散することがなくなり、仮に溶融が生じても、不要な配線は充填部材でキャップされているので、配線材料の飛散は防止できる。
【００２５】
また、充填部材は配線よりも融点が高いので、充填部材の飛散を招かずに、不要な配線のみをストレスマイグレーションにより断線させることができるエネルギーを有するエネルギービームを容易に選択することができる。
【００２６】
このように本発明によれば、充填部材を介してそれよりも低融点の不要な配線を加熱し、その不要な配線をストレスマイグレーションにより断線させることにより、配線材料の飛散を防止できる。
【００２７】
したがって、配線間の距離を配線材料の飛散量の分だけ長くするということが不要になり、高集積化の妨げない冗長性を組み込んだ配線群を有する半導体装置を実現できるようになる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る冗長性を組み込んだ配線群の平面図および断面図である。同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ´断面図を示している。
【００２９】
図中、１は層間絶縁膜を示しており、この第１の層間絶縁膜１上には、Ｔｉ膜２、ＴｉＮ膜３、Ａｌ・Ｃｕ合金膜（配線本体）４、ＴｉＮ膜５からなる配線６が形成されている。
【００３０】
ここで、配線６は図示しない素子や回路などに接続している。また、図には簡単なために３本の配線からなる配線群を示しているが、実際にはもっと多数の配線により配線群は構成されている。
【００３１】
本来必要な配線および冗長配線は同じ構造であり、両者に区別はない。ここでは、本来必要な配線は２本、冗長配線は１本とする。同様に、本来必要な素子および冗長素子や、本来必要な回路および冗長回路なども同じ構造であり、両者に区別はない。また、第１の層間絶縁膜１下には、例えば上述したような素子や回路などが実際には存在するがここでは省略してある。
【００３２】
これらの配線６上には第２の層間絶縁膜７が形成され、この第２の層間絶縁膜７にはＡｌ・Ｃｕ合金膜４に達する接続孔（窓）８が形成されている。この接続孔８は各配線毎に形成され、その内部はＡｌ・Ｃｕ合金膜４よりも融点が高いＷプラグ９で埋め込まれている。
【００３３】
ここでは、必要な配線数は２本であるので、配線６を１本断線させる必要がある。この断線させる配線６はそれに接続する素子や回路などが不良である場合もあるし、正常である場合もある。不良である場合とは、例えば素子や回路などの出力が常にハイレベルである場合である。
【００３４】
配線６を断線させるには、図２（ａ）に示すように、断線させるべき配線６上のＷプラグ９にレーザービーム１０を照射し、Ｗプラグ９を加熱し、Ｗプラグ９を昇温させる。
【００３５】
このようにＷプラグ９が昇温すると、その下のＡｌ・Ｃｕ合金膜４は加熱され、昇温し、膨脹する。その結果、図２（ｂ）に示すように、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４にストレスマイグレーションが生じ、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４は溶融することなく断線することになる。
【００３６】
このようにＡｌ・Ｃｕ合金膜４は溶融しないので、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４の配線材料が飛散することはなく、仮にＡｌ・Ｃｕ合金膜４が溶融しても、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４はＷプラグ９でキャップされているので、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４の配線材料の飛散は防止できる。
【００３７】
また、Ｗプラグ９はＡｌ・Ｃｕ合金膜４よりも融点が高いので、Ｗプラグ９の飛散を招かずに、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４のみをストレスマイグレーションにより断線させることができるエネルギー（波長）を有するレーザービーム１０を容易に選択することができる。
【００３８】
以上述べたように本実施形態によれば、Ｗプラグ９を介してそれよりも低融点のＡｌ・Ｃｕ合金膜４を加熱し、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４をストレスマイグレーションにより断線させることにより、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４の配線材料の飛散を防止できる。
【００３９】
したがって、配線間の距離を配線材料の飛散量の分だけ長くする必要がなくなるので、高集積化の妨げない冗長性を組み込んだ配線群を有する半導体装置を実現できるようになる。
【００４０】
なお、Ｔｉ膜２、ＴｉＮ膜３，５は断線されていないが、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４が断線されれば、配線６の抵抗は１００倍以上になり、配線に流れる電流は十分に小さくなり、配線６の全体を断線させた場合と実質的に同じ効果が得られる。下記表に、ＴｉＮ／ＡｌＣｕ／ＴｉＮ／Ｔｉ積層膜のＡｌＣｕ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜の膜厚を変えた場合の配線６の抵抗の増加量（倍）を示す。
【００４１】
【表１】

【００４２】
また、本実施形態では、Ｗプラグ９が残るようにしているが、レーザービーム１０の照射の際に、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４の体積膨脹をより大きくなるようにして、接続孔８からＷプラグ９が抜けるようにしても良い。
【００４３】
次に本実施形態の配線群の形成方法について説明する。図３はその工程断面図である。この工程断面図は、図１のＡ−Ａ´断面図におけるものである。
まず、図３（ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜１上に、配線としての厚さ２０ｎｍのＴｉ膜２、厚さ７０ｎｍのＴｉＮ膜３、厚さ４００ｎｍのＡｌ・Ｃｕ合金膜４および厚さ３０ｎｍのＴｉＮ膜５を順次形成する。成膜方法としては、例えばスパッタ法を用いる。
【００４４】
次に図３（ｂ）に示すように、Ｔｉ膜２、ＴｉＮ膜３、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４およびＴｉＮ膜５の積層膜をフォトリソグラフィとＲＩＥ等のエッチングを用いて加工し、上記積層膜からなる配線６を形成する。
【００４５】
次に同図（ｂ）に示すように、配線６を覆うように全面に第２の層間絶縁膜７をプラズマＣＶＤ法にて形成する。ここでは、第２の層間絶縁膜７として、Ｓｉ、Ｏ（またはＳｉ、Ｏ、Ｆ）からなる絶縁膜と、Ｓｉ，Ｎからなる絶縁膜との積層膜を用いる。
【００４６】
次に図３（ｃ）に示すように、第２の層間絶縁膜７およびＴｉＮ膜５をフォトリソグラフィおよびＲＩＥ等のエッチングを用いて加工し、Ａｌ・Ｃｕ合金膜４に達する接続孔（窓）８を形成する。
【００４７】
次に図３（ｄ）に示すように、接続孔８内をＷプラグ９により埋め込む。
なお、図にはＷプラグ９を選択的に形成した様子が示されているが、Ｗ膜をコンフォーマルに形成した後、余剰なＷ膜をＣＭＰまたはエッチバック等により除去しても良い。
【００４８】
さらに、図３（ｄ）の工程の後、接続孔８外のＷプラグ９を除去しても良い。この後、実際のプロセスでは、不要な配線６を断線させた後、残りの配線６とパッドを接続するボンディング工程に進むことになる。
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る冗長性を組み込んだ配線群の平面図および断面図である。同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ´断面図を示している。
【００４９】
図中、２１は第１の層間絶縁膜を示しており、この第１の層間絶縁膜２１上には、Ｔｉ膜２２、ＴｉＮ膜２３、Ａｌ・Ｃｕ合金膜（配線本体）２４、ＴｉＮ膜２５からなる下層配線２６が形成されている。
【００５０】
ここで、下層配線２６は図示しない素子や回路などに接続している。また、図には簡単なために３本の多層配線からなる配線群を示しているが、実際にはもっと多数の多層配線により配線群は構成されている。
【００５１】
また、本来必要な下層配線および冗長下層配線は同じ構造であり、両者に区別はない。ここでは、本来必要な下層配線は２本、冗長下層配線は１本とする。同様に、本来必要な素子および冗長素子や、本来必要な回路および冗長回路なども同じ構造であり、両者に区別はない。また、第１の層間絶縁膜２１下には、例えば上述したような素子や回路などが実際には存在するがここでは省略してある。
【００５２】
これらの配線２６上には第２の層間絶縁膜２７が形成され、この第２の層間絶縁膜２７にはＡｌ・Ｃｕ合金膜２４に達する第１の接続孔２８、第２の接続孔２９（請求項６の第３の接続孔に相当）が形成されている。接続孔２８，２９は各配線毎に形成され、その内部はＡｌ・Ｃｕ合金膜２４よりも融点が高いＷプラグ３０で埋め込まれている。
【００５３】
下層配線２６は、接続孔２８内のＷプラグ３０（請求項６の第３の充填部材に相当）を介して、Ｔｉ膜３１、ＴｉＮ膜３２、Ａｌ・Ｃｕ合金膜（配線本体）３３、ＴｉＮ膜３４からなる上層配線３５に接続している。
【００５４】
第２の層間絶縁膜２７上には第３の層間絶縁膜３６が形成され、この第３の層間絶縁膜３５には接続孔２９内のＷプラグ３０（請求項６の第１のプラグに相当）に達する第３の接続孔３７（請求項６の第２の接続孔に相当）が形成されている。この第３の接続孔３７内はＷプラグ３８（請求項６の第２の充填部材に相当）で埋め込まれている。
【００５５】
ここで、必要な下層配線数は２本であるので、下層配線２６を１本断線させる不要がある。この断線させる配線２６は、第１の実施形態の場合と同様に、それに接続する素子や回路などが不良である場合もあるし、正常である場合もある。
【００５６】
下層配線２６を断線させるには、図５（ａ）に示すように、断線させるべき下層配線２６上のＷプラグ３８にレーザービーム３９を照射し、Ｗプラグ３０，３８を加熱し、Ｗプラグ３０，３８を昇温させる。
【００５７】
このようにＷプラグ３０，３８が昇温すると、その下のＡｌ・Ｃｕ合金膜２４は加熱され、昇温し、膨脹する。その結果、図５（ｂ）に示すように、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４にストレスマイグレーションが生じ、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４は溶融することなく断線することになる。
【００５８】
このようにＡｌ・Ｃｕ合金膜２４は溶融しないので、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４の配線材料が飛散することはなく、仮にＡｌ・Ｃｕ合金膜２４が溶融しても、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４はＷプラグ３０，３８でキャップされているので、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４の配線材料の飛散は防止できる。
【００５９】
また、Ｗプラグ３０，３８はＡｌ・Ｃｕ合金膜２４よりも融点が高いので、Ｗプラグ３０，３８の飛散を招かずに、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４のみをストレスマイグレーションにより分断させることができるエネルギー（波長）を有するレーザービーム３９を容易に選択することができる。
【００６０】
以上述べたように本実施形態によれば、Ｗプラグ３０，３８を介してそれよりも低融点のＡｌ・Ｃｕ合金膜２４を加熱し、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４をストレスマイグレーションにより断線させることにより、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４の配線材料の飛散を防止できる。
【００６１】
したがって、下層配線間の距離を配線材料の飛散量の分だけ長くする必要がなくなるので、高集積化の妨げない冗長性を組み込んだ配線群を有する半導体装置を実現できるようになる。
【００６２】
なお、Ｔｉ膜２２、ＴｉＮ膜２３，２５は断線されているが、これらの膜２２，２３，２５は必ずしも断線される必要はない。すなわち、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４が断線されれば、下層配線２６の抵抗は１００倍以上になり、下層配線２６に流れる電流は十分に小さくなり、下層配線２６の全体を断線させた場合と実質的に同じ効果が得られる。
【００６３】
また、本実施形態では、Ｗプラグ３０，３８が残るようにしているが、レーザービーム３９の照射の際に、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４の体積膨脹をより大きくなるようにして、接続孔２９，３７からＷプラグ３０，３８が抜けるようにしても良い。
【００６４】
次に本実施形態の配線群の形成方法について説明する。図６、図７はその工程断面図である。この工程断面図は、図４のＡ−Ａ´断面図におけるものである。
まず、図６（ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜２１上に、下層配線としての厚さ２０ｎｍのＴｉ膜２２、厚さ７０ｎｍのＴｉＮ膜２３、厚さ４００ｎｍのＡｌ・Ｃｕ合金膜２４および厚さ３０ｎｍのＴｉＮ膜２５を順次形成する。成膜方法としては、例えばスパッタ法を用いる。
【００６５】
次に図６（ｂ）に示すように、Ｔｉ膜２２、ＴｉＮ膜２３、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４およびＴｉＮ膜２５の積層膜をフォトリソグラフィとＲＩＥ等のエッチングを用いて加工し、上記積層膜からなる下層配線２６を形成する。
【００６６】
次に同図（ｂ）に示すように、下層配線２６を覆うように全面に第２の層間絶縁膜２７をプラズマＣＶＤ法にて形成する。第２の層間絶縁膜２７としては、Ｓｉ、Ｏ（またはＳｉ、Ｏ、Ｆ）からなる絶縁膜を用いる。
【００６７】
次に図６（ｃ）に示すように、第２の層間絶縁膜２７およびＴｉＮ膜２５をフォトリソグラフィおよびＲＩＥ等のエッチングを用いて加工し、Ａｌ・Ｃｕ合金膜２４に達する第１、第２の接続孔２８，２９を形成する。
【００６８】
次に図６（ｄ）に示すように、第１、第２の接続孔２８，２９内をそれぞれＷプラグ３０により埋め込んだ後、図７（ｅ）に示すように、第１、第２の接続孔２８，２９外のＷプラグ３０を例えばＣＭＰにより除去し、表面を平坦化する。
【００６９】
なお、図ｃ６（ｄ）にはＷプラグ３０を選択的に形成した様子が示されているが、Ｗ膜をコンフォーマルに形成した後、第１、第２の接続孔２８，２９外のＷ膜をＣＭＰまたはエッチバック等の平坦化技術により除去することにより、表面を平坦化しても良い。
【００７０】
次に図７（ｆ）に示すように、第２の接続孔２９と重ならないように、第１の接続孔２８内のＷプラグ３０を介して下層配線２６と接続する、Ｔｉ膜３１、ＴｉＮ膜３２、Ａｌ・Ｃｕ合金膜３３、ＴｉＮ膜３４からなる上層配線３５を形成する。上層配線３６の形成方法は下層配線２５のそれと同様である。
【００７１】
次に同図（ｆ）に示すように、第３の層間絶縁膜３６をプラズマＣＶＤ法にて形成する。ここでは、第３の層間絶縁膜３６として、Ｓｉ、Ｏ（またはＳｉ、Ｏ、Ｆ）からなる絶縁膜を用いる。
【００７２】
次に図７（ｇ）に示すように、接続孔２９内のＷプラグ３０上の第３の層間絶縁膜３６をフォトリソグラフィとＲＩＥを用いて選択的に除去し、第２の接続孔２９内のＷプラグ３０に達する第３の接続孔３７を第３の層間絶縁膜３６に形成する。
【００７３】
次に同図（ｇ）に示すように、第３の接続孔３７内をＷプラグ３８により埋め込む。このようにして第２の層間絶縁膜２７および層間絶縁膜３６に形成された第２の接続孔２９と第３の接続孔３７からなるアスペクト比の高い接続孔内がＷプラグ３０，３８により埋め込まれた構造が完成する。
【００７４】
なお、図７（ｇ）にはＷプラグ３８を選択的に形成した様子が示されているが、Ｗ膜をコンフォーマルに形成した後、余剰なＷ膜をＣＭＰまたはエッチバック等により除去しても良い。
【００７５】
また、Ｗプラグ３８の代わりに、他の導電性のプラグを形成しても良い。さらに、図７（ｇ）の工程の後、接続孔３４外のＷプラグ３８を除去しても良い。この後、実際のプロセスでは、不要な下層配線２６を断線させた後、残りの上層配線３５とパッドを接続するボンディング工程に進むことになる。
【００７６】
以上述べたように、本実施形態の形成方法によれば、第２の層間絶縁膜２７および第３の層間絶縁膜３３の形成後にそれぞれ接続孔の形成およびＷプラグによる接続孔の埋込みを行なうことにより、アスペクトの高い接続孔内をＷプラグにより容易に埋め込むことができるようになる。
【００７７】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、エネルギービームとしてレーザービームを使用したが、イオンビームを使用することも可能である。
【００７８】
配線材料はＡｌ・Ｃｕ合金に限定されるものではなく、例えばＡｌ、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎの少なくとも１つを主成分とする材料も使用できる。また、プラグ材料もＷに限定されるものではなく、例えばＭｏやＴｉなどの高融点金属も使用できる。
【００７９】
また、上記実施形態では特に配線の種類については言及しなかったが、上記配線は例えばＤＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭなどの半導体記憶装置のビット線である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００８０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、充填部材を介してそれよりも低融点の配線を加熱し、この配線をストレスマイグレーションにより断線させることにより、配線材料の飛散を防止でき、これにより配線間の距離を配線材料の飛散量の分だけ長くすることが不要になるので、高集積化の妨げない冗長性を組み込んだ配線群を有する半導体装置を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る冗長性を組み込んだ配線群の平面図および断面図
【図２】不要な配線の切断方法を説明するための図
【図３】図１の配線群の形成方法を示す工程断面図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る冗長性を組み込んだ配線群の平面図および断面図
【図５】不要な下層配線の切断方法を説明するための図
【図６】図４の配線群の前半の形成方法を示す工程断面図
【図７】図４の配線群の後半の形成方法を示す工程断面図
【図８】従来の冗長性を組み込んだ配線群の平面図および断面図
【図９】従来の不要な配線の切断方法を説明するための図
【符号の説明】
１…層間絶縁膜
２…Ｔｉ膜
３…ＴｉＮ膜
４…Ａｌ・Ｃｕ合金膜
５…ＴｉＮ膜
６…配線
７…層間絶縁膜
８…接続孔
９…Ｗプラグ（充填部材）
１０…レーザービーム
２１…層間絶縁膜
２２…Ｔｉ膜
２３…ＴｉＮ膜
２４…Ａｌ・Ｃｕ合金膜
２５…ＴｉＮ膜
２６…下層配線（第１の配線）
２７…層間絶縁膜（第１の絶縁膜）
２８…第１の接続孔（第１の接続孔）
２９…第２の接続孔（第３の接続孔）
３０…Ｗプラグ（第１，第３の充填部材）
３１…Ｔｉ膜
３２…ＴｉＮ膜
３３…Ａｌ・Ｃｕ合金膜
３４…ＴｉＮ膜
３５…上層配線（第２の配線）
３６…層間絶縁膜（第２の絶縁膜）
３７…第３の接続孔（第２の接続孔）
３８…Ｗプラグ（第２の充填部材）
３９…レーザービーム

Claims (3)

1. 金属を主成分とする複数の配線からなる冗長性を有する配線群を形成する工程と、
   この配線群を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜をエッチングし、該絶縁膜に前記配線に達する接続孔を形成する工程であって、該接続孔を前記配線毎にそれぞれ形成する工程と、
   前記接続孔内を前記配線よりも融点の高い充填部材により充填する工程と
   を有し、
   前記充填部材の底部は前記配線に電気的に接続され、前記充填部材の上部は電気的に絶縁され、かつ、前記複数の配線のうちの不要な配線上の充填部材にレーザービームを照射し、前記不要な配線を前記充填部材を飛散させることなく実質的に断線させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 金属を主成分とする複数の第１の配線からなる冗長性を有する配線群を形成する工程と、
   この配線群を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１の絶縁膜をエッチングし、該第１の絶縁膜に前記第１の配線に達する第１の接続孔を形成する工程であって、該第１の接続孔を前記第１の配線毎にそれぞれ形成する工程と、
   前記第１の接続孔内を前記第１の配線よりも融点の高い第１の充填部材により充填する工程と、
   前記第１の充填部材および前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２の絶縁膜をエッチングし、該第２の絶縁膜に前記第１の充填部材に達する第２の接続孔を形成する工程であって、該第２の接続孔を前記第１の充填部材毎にそれぞれ形成する工程と、
   前記第２の接続孔内を前記第１の配線よりも融点の高い第２の充填部材により充填する工程と
   を有し、
   前記第１の充填部材の底部は前記第１の配線と電気的に接続され、前記第２の充填部材の底部は前記前記第１の充填部材と電気的に接続され、前記第２の充填部材の上部は電気的に絶縁され、かつ、前記複数の第１の配線のうちの不要な第１の配線上の第２の充填部材にレーザービームを照射し、前記不要な第１の配線を前記第１および第２の充填部材を飛散させることなく実質的に断線させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記第１の接続孔の形成時に第３の接続孔を前記第１の絶縁膜に形成し、この第３の接続孔内を第３の充填部材により充填し、この第３の充填部材を介して前記第１の配線と接続する第２の配線を形成した後に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

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