JP3596836B2 - 配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板の表面に形成された導電領域に対する配線層のコンタクト構造の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の製造工程において、製造工程の簡略化のため、セルフアラインビット線コンタクトを形成するのと同時に、他のゲート電極層にも配線コンタクトを形成するような方法が用いられている。
【0003】
図27〜図32は、従来の配線層コンタクト構造の製造方法を示す断面図である。図27を参照して、p型のシリコン基板101上にCVD法によりシリコン酸化膜102を形成する。シリコン酸化膜102上にCVD法によりドープトポリシリコンからなるポリシリコン膜103を形成する。ポリシリコン膜103上にタングステンシリサイドからなるシリサイド膜104をCVD法により形成する。
【0004】
図28を参照して、所定の形状にパターニングされたレジスト(図示せず)をシリサイド膜104上に形成し、このレジストに従ってシリサイド膜104、ポリシリコン膜103、シリコン酸化膜102をエッチングする。これにより、ゲート電極層110、111、ゲート酸化膜112を形成する。
【0005】
図29を参照して、シリコン基板101と、ゲート電極層110、111と、ゲート酸化膜112を覆うようにCVD法によりシリコン酸化膜を形成する。このシリコン酸化膜を全面エッチバックすることにより、シリコン酸化膜からなるサイドウォールスペーサ114がゲート電極層110、111およびゲート酸化膜112の側壁に形成される。次に、ゲート電極層110とサイドウォールスペーサ114をマスクとしてシリコン基板101にn型の不純物イオンを注入することにより、n型の不純物領域113を形成する。次に、ゲート電極層110、サイドウォールスペーサ114および不純物領域113を覆うシリコン窒化膜を形成し、このシリコン窒化膜を選択的にエッチングすることにより、シリコン窒化膜115が形成される。次に、シリコン基板101と、ゲート電極層110、111と、ゲート酸化膜112と、不純物領域113と、サイドウォールスペーサ114と、シリコン窒化膜115とを覆うようにシリコン酸化膜116をCVD法により形成する。次に、シリコン酸化膜116を覆うようにレジストを塗布し、このレジストに所定のパターニングを形成することにより、レジストパターン118を形成する。
【0006】
図30を参照して、レジストパターン118をマスクとしてシリコン酸化膜116を異方性エッチングすることにより、シリコン窒化膜115に達する孔119aと、ゲート電極層110に達する孔120aを形成する。
【0007】
図31を参照して、レジストパターン118とシリコン酸化膜116をマスクとしてシリコン窒化膜115を異方性エッチングすることにより、不純物領域113に達する孔119bを形成する。また、このとき、孔120aの下に、ドープトポリシリコンからなるゲート電極層111に達する孔120bも形成される。孔119a、119bがコンタクトホール119を形成し、孔120a、120bがコンタクトホール120を形成する。レジストパターン118を除去する。
【0008】
図32を参照して、不純物領域113およびゲート電極層110、111に達する配線層121をCVD法により形成する。配線層121は、ドープトポリシリコンからなる。
【0009】
このようにして、従来の配線層コンタクト構造は形成される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上に示した従来の配線層コンタクト構造の製造方法においては、図31で示す工程において、シリコン窒化膜115を異方性エッチングする際に、孔120aの底壁がエッチングされ、ドープトポリシリコンからなるゲート電極層111に達する孔120bが形成される。そのため、コンタクトホール120は、ゲート電極層111に達する。したがって、図32で示す工程において、配線層121を形成した場合に、配線層121とゲート電極層111が直接接触することになる。
【0011】
このように、ドープトポリシリコンからなる配線層121とドープトポリシリコンからなるゲート電極層111が直接接触した場合には、ドープトポリシリコンからなる配線層121とタングステンシリサイドからなるゲート電極層110が直接接触した場合に比べて、接触抵抗が増大し、接触箇所での発熱などの問題が生じる。そのため、半導体装置の電気特性を大きく損ねてしまうという問題がある。
【0012】
そこで、この発明は、上述のような問題を解決するためになされたものであり、接触抵抗が増大せず、良好な電気特性を示す配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【0036】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法は、以下の(1)〜(10)で示す工程を備える。
【0037】
(1) 半導体基板の主表面上に第1と第2と第3の電極層を互いに距離を隔てて形成する工程。
【0038】
(2) 第1と第2の電極層の間であって半導体基板の表面に不純物領域を形成する工程。
【0039】
(3) 第1と第2の電極層の側壁と不純物領域とを覆うシリコン窒化物層を形成する工程。
【0040】
(4) 半導体基板と、第1と第2と第3の電極層と、シリコン窒化物層とを覆うシリコン酸化物層を形成する工程。
【0041】
(5) シリコン酸化物層の上にレジストを形成する工程。
(6) シリコン酸化物層の表面を露出させる第1の孔とレジストからなる底部を有する第2の孔とをレジストに形成する工程。
【0042】
(7) レジストをマスクとして用いてシリコン酸化物層を選択的に除去することにより、第1の孔に通じかつシリコン窒化物層の表面を露出させる第3の孔をシリコン酸化物層に形成するとともに、底部のレジストを除去し、レジストをマスクとして用いてシリコン酸化物層を選択的に除去することにより、第2の孔に通じかつシリコン酸化物層からなる底部を有する第4の孔をシリコン酸化物層に形成する工程。
【0043】
(8) シリコン酸化物層をマスクとして用いてシリコン窒化物層を選択的に除去することにより、第3の孔に通じかつ不純物領域の表面に達する第5の孔をシリコン窒化物層の形成するとともに、第4の孔に通じかつ第3の電極層の表面に達する第6の孔をシリコン酸化物層に形成する工程。
【0044】
(9) 第3と第5の孔を充填し、不純物領域に電気的に接続された第1の配線層を形成する工程。
【0045】
(10) 第4と第6の孔を充填し、第3の電極層に電気的に接続された第2の配線層を形成する工程。
【0046】
このような工程を備えた配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法においては、(7)で示す工程において、第1の孔に通じかつシリコン窒化物層の表面を露出させる第3の孔と第2の孔に通じかつシリコン酸化物層からなる底部を有する第4の孔とを形成する。このとき、第2の孔の底部のレジストを除去して第4の孔を形成するため、第4の孔は、電極層に達しない。その後、(8)で示す工程において、第3の孔に通じかつ不純物領域の表面に達する第4の孔を形成すると同時に、第4の孔に通じかつ第3の電極層の表面に達する第6の孔を形成する。このとき、シリコン酸化物層とシリコン窒化物層を同程度除去すれば第3の電極層の表面を大きく削ることがない。したがって、第3の電極層が損傷を受けず、第3の電極層と第2の配線層とを確実に接続することができる。
【0047】
また、(6)で示す工程は、第1の孔が形成されるレジストの部分に相対的に強度の大きい光を照射し、第2の孔が形成されるレジストの部分に相対的に強度の小さい光を照射することを含むことが好ましい。この場合、光が照射されたレジストを現像すれば、第2の孔は、第1の孔に比べて浅くなり、第2の孔の底部が確実にレジストとなる。
【0048】
さらに、相対的に強度の小さい光は、半透明の膜を介して照射されれば、相対的に強度の小さい光が容易に作り出される。
【0049】
さらに、相対的に強度の小さい光は、焦点をレジストからずらすことにより照射されれば、相対的に強度の小さい光が容易に作り出されることができる。
【0050】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0051】
(実施の形態1)
図1〜図9は、この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法を示す断面図である。図1を参照して、p型のシリコン基板1上にCVD法により厚さ約20nmのシリコン酸化膜2が形成される。シリコン酸化膜2上に、CVD法によりドープトポリシリコンからなるポリシリコン膜3が形成される。ポリシリコン膜3の厚さは約50nmである。ポリシリコン膜3上にCVD法またはシリコンターゲットとタングステンターゲットを用いたスパッタリング法によりタングステンシリサイド(WSi)からなるシリサイド膜4を形成する。シリサイド膜4の厚さは約50nmである。シリサイド膜4上にCVD法により厚さ約50nmのシリコン酸化膜30を形成する。シリコン酸化膜30上に、CVD法によりシリコン窒化膜からなる反射防止膜5aを形成する。反射防止膜5aの厚さは約50nmである。反射防止膜5aを覆うようにレジストを塗布し、このレジストに所定のパターニングを施すことにより、レジストパターンを形成する。ここで、図の中央部の破れ線より右側と左側で同一符号が付いているものは、破れ線を挟んで繋がっているものとする。たとえば、シリコン基板1、シリコン酸化膜2、30、ポリシリコン膜3、シリサイド膜4、反射防止膜5a、レジストパターン7は、破れ線より右側と左側で繋がっている。以下、すべての図面において同様とする。
【0052】
図2を参照して、レジストパターン7をマスクとしてCHF3 ガスを用いて反射防止膜5aおよびシリコン酸化膜30をエッチングすることにより、シリコン窒化膜9a、シリコン酸化膜31を形成する。アッシングによりレジストパターン7を除去する。
【0053】
図3を参照して、シリコン窒化膜9aおよびシリコン酸化膜31をマスクとしてCl2 やHBrなどのハロゲンガスによりシリサイド膜4、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜2をエッチングすることにより、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜12を形成する。
【0054】
図4を参照して、シリコン窒化膜9a、シリコン酸化膜31、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜12を覆うようにCVD法によりシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜を全面エッチバックすることにより、シリコン窒化膜9a、シリコン酸化膜31、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜12の側壁に接するようにサイドウォールスペーサ14を形成する。次に、サイドウォールスペーサとシリコン窒化膜9aをマスクとして注入角度10°〜20°でシリコン基板1にリンイオンを注入することにより、n型の不純物領域13を形成する。
【0055】
図5を参照して、不純物領域13とサイドウォールスペーサ14とシリコン窒化膜9aを覆うようにCVD法により厚さ30〜70nmのシリコン窒化膜を形成する。このシリコン窒化膜上に所定形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンに従ってシリコン窒化膜をエッチングすることにより、シリコン窒化膜15を形成する。シリコン窒化膜15は、2つの電極間に形成され、シリコン窒化膜9a、サイドウォールスペーサ14、不純物領域13に接する。
【0056】
図6を参照して、シリコン基板1、シリコン窒化膜9a、シリコン酸化膜31、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜12、不純物領域13、サイドウォールスペーサ14およびシリコン窒化膜15を覆うようにBPSG(Boro Phospho Silicate Glass )からなるシリコン酸化膜16を形成する。シリコン酸化膜16の厚さは300nm〜500nmである。シリコン酸化膜16の表面にレジストを塗布し、このレジストに所定のパターニングを施すことにより、レジストパターン18を形成する。レジストパターン18には、孔18a、18bが形成されており、孔18a、18bの内径は、それぞれ0.3〜0.35μmである。
【0057】
図7を参照して、レジストパターン18をマスクとしてC4 F8 やC3 F8 などのガスにより、シリコン酸化膜16をエッチングすることにより、孔19a、20aを形成する。ここで、孔19aは、シリコン窒化膜15に達する。また、孔20aは、シリコン窒化膜9aに達する。C4 F8 やC3 F8 ガスのエッチング選択比(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜)は、20〜40である。この場合、エッチング選択比は、シリコン酸化膜16のエッチング速度と、シリコン窒化膜15、9aのエッチング速度との比率で表わされる。
【0058】
図8を参照して、レジストパターン18とシリコン酸化膜16とをマスクとして、CHF3 +O2 ガスにより、シリコン窒化膜15とシリコン窒化膜9aとシリコン酸化膜31をエッチングする。これにより、孔19b、20bを形成する。孔19bは、不純物領域13に達し、孔20bは、ゲート電極層10に達する。孔19a、19bがコンタクトホール19となる。孔20a、20bがコンタクトホール20となる。CHF3 +O2 ガスのエッチング選択比(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜)は1/3〜1/2である。レジストパターン18をアッシングにより除去する。
【0059】
図9を参照して、コンタクトホール19、20を充填するように、かつ不純物領域13、ゲート電極層10に接するようにドープトポリシリコンからなる配線層21をCVD法により形成する。このようにして配線層コンタクト構造が完成する。
【0060】
このような工程を備えたこの発明の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法においては、まず、図7で示す工程において、シリコン窒化膜15に達する孔19aと、シリコン窒化膜9aに達する孔20aを同時に形成する。このときシリコン窒化膜9aがストッパーとなるため、孔20aはゲート電極層10に達しない。次に、図8で示す工程において、孔19aの底部に、不純物領域13に達する孔19bを形成するとともに、孔20aの底壁に、ゲート電極層10に達する孔20bを形成する。そのため、ゲート電極層10のみを大きくエッチングしてしまうことがない。したがって、ドープトポリシリコンからなるゲート電極層11が露出せず、図9で示す工程において、配線層21とタングステンシリサイドからなるゲート電極層10が接続され、接触抵抗の低減を図ることができる。また、図1で示す工程において、反射防止膜5aからの光の反射がないので、レジストパターン7を写真製版により精度よく形成できる。
【0061】
(実施の形態2)
図10〜図18は、この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法を示す断面図である。図10を参照して、実施の形態1の図1と同様に、シリコン基板1上にシリコン酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリサイド膜4、シリコン酸化膜30を形成する。次に、シリコン酸化膜30上にCVD法によりシリコン窒化膜5bを形成する。シリコン窒化膜5bの厚さは約50nmである。シリコン窒化膜5bの上にCVD法により厚さ約50nmのシリコン酸化膜6を形成する。シリコン酸化膜6上に、レジストを塗布し、このレジストに所定のパターニングを施すことにより、レジストパターン7を形成する。
【0062】
図11を参照して、レジストパターン7をマスクとしてシリコン酸化膜6、30、シリコン窒化膜5bをCHF3 ガスによりエッチングすることにより、シリコン酸化膜8、31、シリコン窒化膜9bを形成する。レジストパターン7をアッシングにより除去する。
【0063】
図12を参照して、シリコン酸化膜8、31、シリコン窒化膜9bをマスクとしてCl2 やHBrなどのハロゲンガスによりシリサイド膜4、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜2をエッチングすることにより、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜12を形成する。
【0064】
図13を参照して、シリコン基板1、シリコン酸化膜8、31、シリコン窒化膜9b、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜21を覆うようにシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜を全面エッチバックすることにより、シリコン酸化膜8、31、シリコン窒化膜9b、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜12の側壁にシリコン酸化膜からなるサイドウォールスペーサ14を形成する。次に、注入角度10°〜20°でリンイオンをシリコン基板1に注入することにより、n型の不純物領域13を形成する。
【0065】
図14を参照して、シリコン基板1、不純物領域13、サイドウォールスペーサ14、シリコン窒化膜8を覆うように厚さ30〜70nmのシリコン窒化膜を形成する。このシリコン窒化膜をレジストパターンに従ってパターニングすることにより、シリコン窒化膜15を形成する。シリコン窒化膜15は、2つの電極間に形成され、不純物領域13とサイドウォールスペーサ14とシリコン酸化膜8に接する。
【0066】
図15を参照して、シリコン基板1、シリコン酸化膜8、31、シリコン窒化膜9b、15、ゲート電極層10、11、ゲート酸化膜12、不純物領域13、サイドウォールスペーサ14を覆うようにBPSGからなる厚さ300nm〜500nmのシリコン酸化膜16をCVD法により形成する。シリコン酸化膜16の表面にレジストを塗布し、このレジストに所定のパターニングを施して、レジストパターン18を形成する。レジストパターン18には、孔18a、18bが形成される。孔18a、18bの内径は、それぞれ0.3〜0.35μmである。
【0067】
図16を参照して、レジストパターン18をマスクとしてC4 F8 やC3 F8 ガスにより、シリコン酸化膜16をエッチングする。これにより、シリコン窒化膜15に達する孔19aと、シリコン窒化膜9bに達する孔20aが形成される。ここで、C4 F8 やC3 F8 ガスのエッチング選択比は、実施の形態1と同様である。
【0068】
図17を参照して、レジストパターン18と、シリコン酸化膜16をマスクとしてCHF3 +O2 ガスにより、シリコン窒化膜9b、15、シリコン酸化膜31をエッチングする。これにより、不純物領域13に達する孔19b、ゲート電極層10に達する孔20bを形成する。CHF3 +O2 ガスのエッチング選択比は、実施の形態1と同様である。孔19a、19bが、コンタクトホール19となる。孔20a、20bが、コンタクトホール20となる。レジストパターン18をアッシングにより除去する。
【0069】
図18を参照して、不純物領域13とゲート電極層10に接するように、かつコンタクトホール20、19を充填するようにドープトポリシリコンからなる配線層21をCVD法により形成する。これにより、この発明の配線層コンタクト構造を有する半導体装置が完成する。
【0070】
このような工程を備えたこの発明の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法においては、図16で示す工程において、まず、シリコン窒化膜19に達する孔19aとシリコン窒化膜9bに達する孔20aを形成する。このとき、シリコン窒化膜9b上のシリコン酸化膜は、実施の形態1よりも厚いため、シリコン窒化膜9bをエッチングしやすいガスを用いても孔20bがゲート電極層層10に達しない。次に、図17で示す工程において、孔19aの底部に、不純物領域13に達する孔19bを形成すると同時に、孔20aの底部に、ゲート電極層10に達する孔20bを形成する。そのため、ゲート電極層10を深くエッチングしてしまうことがない。したがって、ドープトポリシリコンからなるゲート電極層11が露出せず、図18で示す工程において、配線層21とタングステンシリサイドからなるゲート電極層10が接続され、接触抵抗の低減を図ることができる。
【0071】
(実施の形態3)
図19〜図25は、この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法を示す断面図である。図19を参照して、シリコン基板51上にCVD法により厚さ約30nmのシリコン酸化膜52を形成する。シリコン酸化膜52上にドープトポリシリコンからなる厚さ約50nmのポリシリコン膜53を形成する。ポリシリコン膜53上にCVD法またはシリコンターゲットとタングステンターゲットを用いたスパッタリング法によりタングステンシリサイド(WSi)からなるシリサイド膜54を形成する。シリサイド膜54の厚さは約50nmである。シリサイド膜54上にレジストを塗布し、このレジストに所定のパターニングを施すことにより、レジストパターン57を形成する。
【0072】
図20を参照して、レジストパターン57をマスクとしてCl2 やHBrガスなどのハロゲンガスにより、シリサイド膜54、ポリシリコン膜53、シリコン酸化膜52をエッチングすることにより、ゲート電極層60、61、ゲート酸化膜62を形成する。レジストパターン57をアッシングにより除去する。
【0073】
図21を参照して、シリコン基板51、ゲート電極層60、61、ゲート酸化膜62、不純物領域63を覆うシリコン酸化膜をCVD法により形成する。このシリコン酸化膜を全面エッチバックすることにより、ゲート電極層60、61、ゲート酸化膜62の側壁にシリコン酸化膜からなるサイドウォールスペーサ64を形成する。ゲート電極層60、サイドウォールスペーサ64をマスクとしてシリコン基板51にリンイオンを注入角度10°〜20°で注入することにより、n型の不純物領域63を形成する。不純物領域63とサイドウォールスペーサ64とゲート電極層60に接するようにシリコン窒化膜を形成する。このシリコン窒化膜をレジストパターンに従ってパターニングすることにより、シリコン窒化膜65を形成する。シリコン窒化膜65は2つの電極間に形成され、ゲート電極層60とサイドウォールスペーサ64と不純物領域63に接する。シリコン基板51とゲート電極層60、61と、ゲート酸化膜62と、不純物領域63と、サイドウォールスペーサ64と、シリコン窒化膜65とを覆うように厚さ300〜500nmのBPSGからなるシリコン酸化膜66を形成する。シリコン酸化膜66の表面にレジスト67を塗布する。
【0074】
図22を参照して、フォトマスク90を介してレジスト67に矢印91、92で示す光を照射する。このとき、フォトマスク90のガラス基板93の表面には、モリブデンシリサイドからなる遮光体94が形成されている。遮光体94がない部分を矢印91で示す光が透過し、強度を維持したままレジスト67に達する。また、遮光体94の間にMoSiOX (酸化モリブデンシリサイド)をはじめとする半透明膜95がガラス基板93に接するように形成されている。半透明膜95を介して照射される光を矢印92で示す。矢印92で示す光は、矢印91で示す光に比べて、強度が小さくなっている。矢印92で示す光もレジスト67に達する。矢印91、92で示す光が照射されたレジスト67を現像することにより、レジストパターン68が形成される。レジストパターン68には、孔68a、68bが形成される。孔68aは、シリコン酸化膜66に達している。孔68aは、矢印91で示す光が照射された部分に形成される。孔68bの底部にレジストが残っており、孔68bは、シリコン酸化膜66には達していない。孔68bは、矢印92で示す光が照射された部分に形成される。孔68a、68bの内径はそれぞれ、0.3〜0.35μmである。孔68bの底部とシリコン酸化膜66との距離は50nm以下である。
【0075】
図23を参照して、レジストパターン68をマスクとしてC4 F8 やC3 F8 ガスを用いてシリコン酸化膜66をエッチングすることにより、シリコン窒化膜65に達する孔69aと、その底壁がシリコン酸化膜66である孔70aを形成する。孔70aは、まず孔68bの底部に残ったレジスト67をエッチングし、その後シリコン酸化膜66をエッチングして形成されるため、ゲート電極層60には達していない。また、C4 F8 やC3 F8 ガスのエッチング選択比は、実施の形態1と同様である。
【0076】
図24を参照して、レジストパターン68、シリコン酸化膜66をマスクとしてCHF3 +O2 ガスを用いてシリコン窒化膜65、シリコン酸化膜66をエッチングすることにより、不純物領域63に達する孔69b、ゲート電極層60に達する孔70bを形成する。孔69a、69bはコンタクトホール69となる。孔70a、70bが、コンタクトホール70となる。CHF3 +O2 ガスのエッチングレートは、実施の形態1と同様である。アッシングによりレジストパターン68を除去する。
【0077】
図25を参照して、不純物領域63とゲート電極層60に接するように、かつコンタクトホール69、70を充填するようにドープトポリシリコンからなる配線層71をCVD法により形成する。これにより、配線層コンタクト構造を有する半導体装置が完成する。
【0078】
このような工程を備えたこの発明の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法においては、図23で示す工程において、シリコン窒化膜65に達する孔69aを形成する。その一方、孔68bの底部にレジストが残っているためゲート電極層60に達しない孔70aを形成することができる。次に、図24で示す工程において、不純物領域63に達する孔69bを孔69aの底部に形成すると同時に、ゲート電極層60に達する孔70bを孔70aの底部に形成する。このとき、シリコン窒化膜65とシリコン酸化膜66を同じようにエッチングするガスを用いるため、ゲート電極層60だけが深くエッチングされることがない。したがって、ドープトポリシリコンからなるゲート電極層61まで孔70bが達することがなく、図25で示す工程において、ドープトポリシリコンからなる配線層71とタングステンシリサイドからなるゲート電極層60が接続し、接触抵抗の低減を図ることができる。また、図22で示す工程において、半透明膜95を用いることにより、矢印92で示す相対的に強度の小さい光を容易に作り出すことができる。
【0079】
(実施の形態4)
図26は、この発明の実施の形態4に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法を示す断面図である。図26を参照して、実施の形態3の図22で示す工程において、孔68aが形成される部分に焦点99aを合わせる。一方、孔68bが形成される部分の上側に焦点99bを合わせる。このようにすることによって、孔68aが形成される部分には強い光、孔68bが形成される部分には弱い光が照射される。そのため、レジストを現像すれば、孔68aが形成される部分は、強く露光されているため、孔68aはシリコン酸化膜66まで達する。一方、孔68bが形成される部分は、弱く露光されているので、孔68bはシリコン酸化膜66には達しない。このようにして、孔68a、68bを形成する。これ以降の工程は、実施の形態3と同様である。このような工程を備えた配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法においては、実施の形態3のような半透明膜を用いることなく、露光装置の焦点を調整することのみで、相対的に強度の大きい光と強度の小さい光を作り出すことができる。
【0080】
以上、この発明の実施の形態について説明したが、ここで示した実施の形態は、さまざまに変形可能であることは言うまでもない。たとえば、実施の形態1〜4で使うシリコン酸化膜を構成する材料は、PSG(Phospho Silicate Glass)でもよい。また、不純物領域を形成するために注入するイオンは、ヒ素イオンでもよい。さらに、各膜の膜厚は、必要に応じて変更することが可能である。また、エッチングに用いるガスも、ここで示したエッチング選択比と同様のものであれば特に制限されるものではない。
【0081】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0082】
【発明の効果】
この発明の1つの局面に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法においては、第2のシリコン窒化物層を露出させる第1の孔と第1のシリコン窒化物層を露出させる第2の孔とを形成する。次に第1の孔に通じ不純物領域に達する第3の孔を形成するとともに第2の孔に通じかつ第3の電極層に達する第4の孔を形成する。次に、第1と第3の孔を充填する配線層を形成し、第2と第4の孔を充填する配線層を形成するため、電極層のみを大幅にエッチングすることがなく、電極層と配線層との接触抵抗が増大することがない。
【0083】
この発明のさらに別の局面に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法においては、第1の孔に通じシリコン窒化物層を露出させる第3の孔を形成するとともに第2の孔に通じかつシリコン酸化物層からなる底部を有する第4の孔を形成する。次に、第3の孔に通じかつ不純物領域の表面に達する第5の孔を形成するとともに第4の孔に通じかつ電極層に達する第6の孔を形成する。次に第3と第5の孔を充填する配線層を形成し、第4と第6の孔を充填する配線層を形成する。そのため、電極層のみが大幅にエッチングされることがなく、電極層と配線層との接触抵抗が増大することがない。
【0084】
また、第1の孔が形成される部分に相対的に強度の大きい光を照射し、第2の孔が形成される部分に相対的に強度の小さい光を照射すれば、シリコン酸化膜に達する第1の孔とシリコン酸化膜に達しない第2の孔とを確実に形成することができる。
【0085】
また、半透明の膜を用いることにより、相対的に強度の小さい光を作ることができる。
【0086】
また、焦点をレジストからずらすことにより、相対的に強度の小さい光を作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第1工程を示す断面図である。
【図2】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第2工程を示す断面図である。
【図3】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第3工程を示す断面図である。
【図4】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第4工程を示す断面図である。
【図5】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第5工程を示す断面図である。
【図6】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第6工程を示す断面図である。
【図7】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第7工程を示す断面図である。
【図8】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第8工程を示す断面図である。
【図9】この発明の実施の形態1に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第9工程を示す断面図である。
【図10】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第1工程を示す断面図である。
【図11】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第2工程を示す断面図である。
【図12】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第3工程を示す断面図である。
【図13】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第4工程を示す断面図である。
【図14】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第5工程を示す断面図である。
【図15】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第6工程を示す断面図である。
【図16】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第7工程を示す断面図である。
【図17】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第8工程を示す断面図である。
【図18】この発明の実施の形態2に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第9工程を示す断面図である。
【図19】この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第1工程を示す断面図である。
【図20】この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第2工程を示す断面図である。
【図21】この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第3工程を示す断面図である。
【図22】この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第4工程を示す断面図である。
【図23】この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第5工程を示す断面図である。
【図24】この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第6工程を示す断面図である。
【図25】この発明の実施の形態3に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第7工程を示す断面図である。
【図26】この発明の実施の形態4に従った配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図27】従来の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第1工程を示す断面図である。
【図28】従来の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第2工程を示す断面図である。
【図29】従来の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第3工程を示す断面図である。
【図30】従来の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第4工程を示す断面図である。
【図31】従来の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第5工程を示す断面図である。
【図32】従来の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法の第6工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1、51 シリコン基板、8、16、66 シリコン酸化膜、9a、9b、15、65 シリコン窒化膜、10、11、60、61 ゲート電極層、13、63 不純物領域、19a、19b、20a、20b、68a、68b、69a、69b、70a、70b 孔、21、71 配線層、67 レジスト、91、92 光、95 半透明膜、99a、99b 焦点。
Claims (4)
- 半導体基板の主表面上に第1と第2と第3の電極層を互いに距離を隔てて形成する工程と、
前記第1と第2の電極層の間であって前記半導体基板の表面に不純物領域を形成する工程と、
前記第1と第2の電極層の側壁と前記不純物領域とを覆うシリコン窒化物層を形成する工程と、
前記半導体基板と、前記第1と第2と第3の電極層と、前記シリコン窒化物層とを覆うシリコン酸化物層を形成する工程と、
前記シリコン酸化物層の上にレジストを形成する工程と、
前記シリコン酸化物層の表面を露出させる第1の孔と前記レジストからなる底部を有する第2の孔とを前記レジストに形成する工程と、
前記レジストをマスクとして用いて前記シリコン酸化物層を選択的に除去することにより、前記第1の孔に通じかつ前記シリコン窒化物層の表面を露出させる第3の孔を前記シリコン酸化物層に形成するとともに、前記底部のレジストを除去し、前記レジストをマスクとして用いて前記シリコン酸化物層を選択的に除去することにより、前記第2の孔に通じかつ前記シリコン酸化物層からなる底部を有する第4の孔を前記シリコン酸化物層に形成する工程と、
前記シリコン酸化物層をマスクとして用いて前記シリコン窒化物層を選択的に除去することにより、前記第3の孔に通じかつ前記不純物領域の表面に達する第5の孔を前記シリコン窒化物層に形成するとともに、前記第4の孔に通じかつ前記第3の電極層の表面に達する第6の孔を前記シリコン酸化物層に形成する工程と、
前記第3と第5の孔を充填し、前記不純物領域に電気的に接続された第1の配線層を形成する工程と、
前記第4と第6の孔を充填し、前記第3の電極層に電気的に接続された第2の配線層を形成する工程とを備えた、配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン酸化物層の表面を露出させる第1の孔と前記レジストからなる底部を有する第2の孔とを前記レジストに形成する工程は、前記第1の孔が形成される前記レジストの部分に相対的に強度の大きい光を照射し、前記第2の孔が形成される前記レジストの部分に相対的に強度の小さい光を照射することを含む、請求項1に記載の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記相対的に強度の小さい光は、半透明の膜を介して照射される、請求項2に記載の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記相対的に強度の小さい光は、焦点を前記レジストからずらすことにより照射される、請求項2に記載の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法。
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