JP3585901B2 - デュアルダマシンの配線形成方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はデュアルダマシンの配線形成方法に関するもので、より詳しくはデュアルダマシンの工程を適用した配線の形成工程において、半導体基板に接続するバイアホールを形成した後、上層の配線が形成される配線溝のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝を形成することによって、配線溝とバイアホールの境界領域にポリマーが残留することを防止するデュアルダマシンの配線形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、半導体素子が段々高集積化になることによって、配線と配線との間の高集積化のために、バイアホールだけでなく半導体基板上の配線の広さにかかわる問題が大きく問われている。
【０００３】
図１ないし図４は従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【０００４】
図１に示すように、半導体基板１０上には第１エッチング静止膜２０、第１層間絶縁膜３０、第２エッチング静止膜４０及び第２層間絶縁膜５０を順次に積層する。その時、第１層間絶縁膜３０と第２層間絶縁膜５０はシリコン酸化膜で構成する。
【０００５】
そして、前期第２層間絶縁膜５０の上部に第１感光膜６０をパターニングした後、これをマスクとして第１及び第２層間絶縁膜３０と５０を第１エッチング静止膜２０の上部までエッチングし、洗浄工程を施すことによってバイアホール７０が形成される。
【０００６】
その後、図２に示すように、前記第１感光膜６０の除去後、第２層間絶縁膜５０に配線溝の形成のために第２感光膜８０をパターニングする。
【０００７】
次に、前記第２エッチング静止膜４０の上部までエッチングして、洗浄工程を施すことによって第２層間絶縁膜５０内に配線溝９０が形成される。
【０００８】
そして、図３に示すように、前記第２感光膜８０をマスクとして大気に露出された第１エッチング静止膜２０と第２エッチング静止膜４０を除去した後、第２感光膜８０を除去する。
【０００９】
続いて、図４に示すように、前記バイアホール７０と配線溝９０の内部を金属膜９５で埋込んでデュアルダマシン配線を形成する。
【００１０】
ところで、前記のような従来のデュアルダマシンの配線形成方法によれば、エッチング率が同一な層間絶縁膜内に配線溝が形成される。又、層間絶縁膜は第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜に分けられており、その間にはエッチング静止膜である窒化膜を形成して配線溝の形成のためのエッチング工程を制御しなければならない。従って、配線形成工程の段階が複雑になる問題点があった。
【００１１】
また、エッチング静止膜である窒化膜は誘電率が６〜７ε程度と大きいので、絶縁膜の誘電常数Ｋが低い絶縁膜が形成できず、そのために配線間のキャパシタンスが増加され半導体素子の電気的特性が低下する問題点があった。
【００１２】
図１ないし図４に示す従来技術の問題点が解決できるデュアルダマシン配線を形成するもう一つの従来の方法として、図５ないし図８に示すような断面図も提示した。
【００１３】
図５ないし図８は他の従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【００１４】
図５に示すように、半導体基板１００上にエッチング静止膜１１０と層間絶縁膜１２０を順次に積層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニングする。
【００１５】
この後、パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして用いてエッチング静止膜１１０の上部までエッチングしバイアホール１３０を形成した後、第１感光膜（図示しない）を除去して洗浄工程を行う。
【００１６】
そして、図６に示すように、前記バイアホール１３０が形成された結果物の上に反射防止膜１４０を積層した後、第２感光膜１５０を形成し、パターニングする。
【００１７】
次に、パターニングされた第２感光膜１５０をマスクとしてＣＨＦ３とＣＦ４及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して大気に露出された反射防止膜１４０を除去する。
【００１８】
その時、反射防止膜１４０の除去時、バイアホール１３０の内部の反射防止膜１４０が完全に除去されず、バイアホール１３０の内部にスペーサー形態で反射防止膜１４０が残留するようになる。
【００１９】
続いて、図７に示すように、前記パターニングされた第２感光膜１５０をマスクとして１００ｍＴｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）以下の低圧でＣ４Ｆ８ガスとＯ２及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶縁膜１２０内に配線溝１６０を形成する。
【００２０】
その時、配線溝１６０の形成時に使用される多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ４Ｆ８ガスが、前記バイアホール１３０の内部に残留された反射防止膜１４０と化学反応を起こして、バイアホール１３０の開口部の両端に突出した形態のポリマー１７０が形成される。
【００２１】
続いて、図８に示すように、前記第２感光膜１５０と反射防止膜１４０を除去した後、前記バイアホール１３０と配線溝１６０が形成された層間絶縁膜１２０をマスクとしてエッチング静止膜１１０をエッチングする。
【００２２】
以後、前記バイアホール１３０と配線溝１６０の内部を金属膜１８０で埋込んでデュアルダマシン配線を形成する。
【００２３】
しかし、前記のようなデュアルダマシン配線を形成する従来の方法では、反射防止膜の除去時、前記バイアホールの内部の反射防止膜が完全に除去されず、バイアホールの両内側壁にスペーサー形態で残留される問題点があった。
【００２４】
その結果、後続の配線溝形成のためのエッチング工程時、多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ４Ｆ８ガスが前記バイアホールの内部に残留された反射防止膜と化学反応を起こしてバイアホールの両端が突出した形態のポリマーを形成する。従って、このポリマーを除去するための工程を更に行う必要があり、これはデュアルダマシンの配線形成工程がより複雑化する問題点があった。
【００２５】
また、前記ポリマーを除去するための配線溝形成のエッチング工程時、Ｏ２ガスの流量を増加させると配線の幅が広くなる問題点があった。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
このような問題点を解決するための本発明は、デュアルダマシン工程を適用した配線の形成工程において、半導体基板に接続するバイアホールを形成した後、上層の配線で形成される配線溝のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝を形成することによって、配線溝とバイアホールとの境界領域にポリマーが残留することを防止できるだけでなく、バイアホールエッジの領域が傾斜しているため、後続の金属膜の埋込みが容易であり、その結果、配線プロファイルが改善され配線の幅が広くなることを防止できるようにするデュアルダマシンの配線形成方法を提供することが目的である。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を達成するために、デュアルダマシンの配線形成方法は半導体基板上にエッチング静止膜と層間絶縁膜を順次に積層した後、第１感光膜を塗布してバイアホールが形成できるようにパターニングし、これをマスクとして用いてエッチング静止膜の上部までエッチングすることによってバイアホールを形成する段階と、前記第１感光膜を除去して反射防止膜を積層した後、配線溝が形成されるように第２感光膜をパターニングし、これをマスクとしてドライエッチングして反射防止膜を除去する段階と、前記第２感光膜をマスクとしてＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶縁膜をエッチングすることによって前記バイアホールに連通する配線溝を形成する段階と、前記第２感光膜と反射防止膜を除去した後、前記バイアホールが形成された層間絶縁膜をマスクとしてエッチング静止膜をエッチングし、バイアホールと配線溝の内部を金属膜で埋込む段階と、を含むことを特徴とするデュアルダマシンの配線形成方法を提供する。
【００２８】
また、前記バイアホールの形成段階では１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用してエッチングを行うことが望ましく、その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜４０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜２４０×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８００×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００２９】
また、前記配線溝のエッチング時、５００〜１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）の高圧の雰囲気下でエッチングを行い、その時、前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ４ガス１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３０】
また、前記エッチング静止膜は、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングされることが望ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ4ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３１】
また、前記反射防止膜は、１０００〜２０００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングされることが望ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ4ガス１５０〜２００ｓｃｃｍ（９００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３２】
また、前記バイアホールを形成する時には２段階に分けてエッチングすることが望ましく、その時第１段階のエッチングでは３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．００〜６．６７Ｐａ）の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングが行われることが望ましい。その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを３５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３３】
次に、前記バイアホールを形成する時の第２段階のエッチングは、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによって行われることが望ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３４】
本発明は、配線溝のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝が形成されることによって、配線溝とバイアホールの境界領域にポリマーが残留することを防止する事を特徴とする。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の望ましい実施の形態について詳細に説明する。また、この発明ならびにそれ以外の関連目的と特徴は添付図面に基づく次の説明と請求範囲中で指摘したその新規事項を読めば明白になる。
【００３６】
図９ないし図１２は本発明によるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【００３７】
図９に示すように、半導体基板２００上にエッチング静止膜２１０と層間絶縁膜２２０を順次に積層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニングする。
【００３８】
その時、エッチング静止膜２１０はシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２２０内に後続のバイアホールを形成する際、エッチングにより半導体基板２００の損失を防止するために、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２２０に対してエッチング選択比の優れた窒化膜を使用する。
【００３９】
以後、前記パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして用いて、エッチング静止膜２１０の上部まで１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣ４Ｆ８ガスとＯ２ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用してドライエッチングしてバイアホール２３０を形成する。
【００４０】
前記ドライエッチング時に使用された混合ガスは、Ｃ４Ｆ８ガスを１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜１８０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ｏ２ガスが１０〜４０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜２４０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ａｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８００×１０−５〜３０００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量比で混合して使用する。
【００４１】
以後、第１感光膜（図示しない）を除去した後、ＮＨ４ＯＨとＣＨ３ＣＯＯＨ及びＨ２Ｏを約２：３：３０の割合で混合した洗浄液を使用して湿式洗浄工程を行う。
【００４２】
一方、前記バイアホールのエッチングは２段階に分けてエッチングすることもできる。
【００４３】
まず、第１段階では前記パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．００〜６．６７Ｐａ）程度の圧力でＣ４Ｆ８ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜１８０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ｏ２ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜１８０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ａｒガスを３５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０−５〜３０００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量で混合された混合ガスを使用して層間絶縁膜２２０をエッチングしてバイアホール２３０を形成する。
【００４４】
そして、第２段階では前記パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ３ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度と、Ｏ２ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度及びＡｒガスを２００〜８００（１２００×１０−５〜４８００×１０−５ｍ３／ｈ）ｓｃｃｍ程度の流量で混合した混合ガスをエッチングガスとして使用して、もう一度エッチングすることによってプロファイルの優れたバイアホール２３０を形成する。
【００４５】
そして、図１０に示すように、前記バイアホール２３０が形成された結果物の上に反射防止膜２４０を積層した後、第２感光膜２５０を形成しパターニングする。なお、図１０に示されているように、第２感光膜２５０のパターニングは、バイアホール２３０の開口を含む周辺領域を露出させ、さらにバイアホール２３０に埋まった反射防止膜２４０の上面を露出させるように行っている。
【００４６】
次に、パターニングされた第２感光膜２５０をマスクとして大気に露出された反射防止膜２４０を除去する。
【００４７】
その時、反射防止膜２４０のエッチング時、１０００〜２０００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）範囲の圧力でＣＨＦ３ガスは１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜６００×１０−５ｍ３／ｈ）程度、ＣＦ４ガスは１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０−５〜１２００×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ａｒガスは１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０−５〜１２０００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量を混合したエッチングガスとして使用してエッチングする。
【００４８】
続いて、図１１に示すように、前記パターニングされた第２感光膜２５０をマスクとして５００〜１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）範囲の高圧で単一カーボンを含むフッ素ガスであるＣＨＦ3ガスとＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶縁膜２２０内にバイアホール２３０に連通する配線溝２６０を形成する。その時、混合ガスはＣＨＦ3ガスを１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、ＣＦ4ガスを１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合して使用する。
【００４９】
それによって、前記バイアホールの開口部２３０の周辺において、エッチングガスに含まれた多重カーボンと反射防止膜２４０が化学結合し形成されるポリマーの生成を防止する。
【００５０】
続いて、図１２に示すように、前記第２感光膜２５０と反射防止膜２４０を除去した後、バイアホール２３０と配線溝２６０が形成された層間絶縁膜２２０をマスクとしてエッチング静止膜２１０をエッチングする。
【００５１】
その時、前記エッチング静止膜２１０のエッチング時、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ３ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度と、ＣＦ４ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度及びＡｒガス２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０−５〜４８００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量で混合された混合ガスをエッチングガスとして使用してエッチングする。
【００５２】
そして、前記バイアホール２３０と配線溝２６０の内部を金属膜２８０で埋込んでデュアルダマシン配線を形成する。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によるデュアルダマシンの配線形成方法を用いれば、上層の配線の配線溝の形成時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングすることで、前記配線溝とバイアホールの境界領域にポリマーが残留されることが防止できるだけでなく、バイアホールエッジの領域が傾斜しているため、後続の金属膜の埋込み時、容易に埋込むことができる。
【００５４】
また、その結果、配線プロファイルが改善され配線の幅が広くなることも防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図２】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図３】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図４】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図５】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図６】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図７】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図８】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図９】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法説明するために順次に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【符号の説明】
２００ 半導体基板、２１０ エッチング静止膜、２２０ 層間絶縁膜、２３０ バイアホール、２４０ 反射防止膜、２５０ 第２感光膜、２６０ 配線溝、２８０ 金属膜。
【発明の属する技術分野】
本発明はデュアルダマシンの配線形成方法に関するもので、より詳しくはデュアルダマシンの工程を適用した配線の形成工程において、半導体基板に接続するバイアホールを形成した後、上層の配線が形成される配線溝のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝を形成することによって、配線溝とバイアホールの境界領域にポリマーが残留することを防止するデュアルダマシンの配線形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、半導体素子が段々高集積化になることによって、配線と配線との間の高集積化のために、バイアホールだけでなく半導体基板上の配線の広さにかかわる問題が大きく問われている。
【０００３】
図１ないし図４は従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【０００４】
図１に示すように、半導体基板１０上には第１エッチング静止膜２０、第１層間絶縁膜３０、第２エッチング静止膜４０及び第２層間絶縁膜５０を順次に積層する。その時、第１層間絶縁膜３０と第２層間絶縁膜５０はシリコン酸化膜で構成する。
【０００５】
そして、前期第２層間絶縁膜５０の上部に第１感光膜６０をパターニングした後、これをマスクとして第１及び第２層間絶縁膜３０と５０を第１エッチング静止膜２０の上部までエッチングし、洗浄工程を施すことによってバイアホール７０が形成される。
【０００６】
その後、図２に示すように、前記第１感光膜６０の除去後、第２層間絶縁膜５０に配線溝の形成のために第２感光膜８０をパターニングする。
【０００７】
次に、前記第２エッチング静止膜４０の上部までエッチングして、洗浄工程を施すことによって第２層間絶縁膜５０内に配線溝９０が形成される。
【０００８】
そして、図３に示すように、前記第２感光膜８０をマスクとして大気に露出された第１エッチング静止膜２０と第２エッチング静止膜４０を除去した後、第２感光膜８０を除去する。
【０００９】
続いて、図４に示すように、前記バイアホール７０と配線溝９０の内部を金属膜９５で埋込んでデュアルダマシン配線を形成する。
【００１０】
ところで、前記のような従来のデュアルダマシンの配線形成方法によれば、エッチング率が同一な層間絶縁膜内に配線溝が形成される。又、層間絶縁膜は第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜に分けられており、その間にはエッチング静止膜である窒化膜を形成して配線溝の形成のためのエッチング工程を制御しなければならない。従って、配線形成工程の段階が複雑になる問題点があった。
【００１１】
また、エッチング静止膜である窒化膜は誘電率が６〜７ε程度と大きいので、絶縁膜の誘電常数Ｋが低い絶縁膜が形成できず、そのために配線間のキャパシタンスが増加され半導体素子の電気的特性が低下する問題点があった。
【００１２】
図１ないし図４に示す従来技術の問題点が解決できるデュアルダマシン配線を形成するもう一つの従来の方法として、図５ないし図８に示すような断面図も提示した。
【００１３】
図５ないし図８は他の従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【００１４】
図５に示すように、半導体基板１００上にエッチング静止膜１１０と層間絶縁膜１２０を順次に積層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニングする。
【００１５】
この後、パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして用いてエッチング静止膜１１０の上部までエッチングしバイアホール１３０を形成した後、第１感光膜（図示しない）を除去して洗浄工程を行う。
【００１６】
そして、図６に示すように、前記バイアホール１３０が形成された結果物の上に反射防止膜１４０を積層した後、第２感光膜１５０を形成し、パターニングする。
【００１７】
次に、パターニングされた第２感光膜１５０をマスクとしてＣＨＦ３とＣＦ４及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して大気に露出された反射防止膜１４０を除去する。
【００１８】
その時、反射防止膜１４０の除去時、バイアホール１３０の内部の反射防止膜１４０が完全に除去されず、バイアホール１３０の内部にスペーサー形態で反射防止膜１４０が残留するようになる。
【００１９】
続いて、図７に示すように、前記パターニングされた第２感光膜１５０をマスクとして１００ｍＴｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）以下の低圧でＣ４Ｆ８ガスとＯ２及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶縁膜１２０内に配線溝１６０を形成する。
【００２０】
その時、配線溝１６０の形成時に使用される多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ４Ｆ８ガスが、前記バイアホール１３０の内部に残留された反射防止膜１４０と化学反応を起こして、バイアホール１３０の開口部の両端に突出した形態のポリマー１７０が形成される。
【００２１】
続いて、図８に示すように、前記第２感光膜１５０と反射防止膜１４０を除去した後、前記バイアホール１３０と配線溝１６０が形成された層間絶縁膜１２０をマスクとしてエッチング静止膜１１０をエッチングする。
【００２２】
以後、前記バイアホール１３０と配線溝１６０の内部を金属膜１８０で埋込んでデュアルダマシン配線を形成する。
【００２３】
しかし、前記のようなデュアルダマシン配線を形成する従来の方法では、反射防止膜の除去時、前記バイアホールの内部の反射防止膜が完全に除去されず、バイアホールの両内側壁にスペーサー形態で残留される問題点があった。
【００２４】
その結果、後続の配線溝形成のためのエッチング工程時、多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ４Ｆ８ガスが前記バイアホールの内部に残留された反射防止膜と化学反応を起こしてバイアホールの両端が突出した形態のポリマーを形成する。従って、このポリマーを除去するための工程を更に行う必要があり、これはデュアルダマシンの配線形成工程がより複雑化する問題点があった。
【００２５】
また、前記ポリマーを除去するための配線溝形成のエッチング工程時、Ｏ２ガスの流量を増加させると配線の幅が広くなる問題点があった。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
このような問題点を解決するための本発明は、デュアルダマシン工程を適用した配線の形成工程において、半導体基板に接続するバイアホールを形成した後、上層の配線で形成される配線溝のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝を形成することによって、配線溝とバイアホールとの境界領域にポリマーが残留することを防止できるだけでなく、バイアホールエッジの領域が傾斜しているため、後続の金属膜の埋込みが容易であり、その結果、配線プロファイルが改善され配線の幅が広くなることを防止できるようにするデュアルダマシンの配線形成方法を提供することが目的である。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を達成するために、デュアルダマシンの配線形成方法は半導体基板上にエッチング静止膜と層間絶縁膜を順次に積層した後、第１感光膜を塗布してバイアホールが形成できるようにパターニングし、これをマスクとして用いてエッチング静止膜の上部までエッチングすることによってバイアホールを形成する段階と、前記第１感光膜を除去して反射防止膜を積層した後、配線溝が形成されるように第２感光膜をパターニングし、これをマスクとしてドライエッチングして反射防止膜を除去する段階と、前記第２感光膜をマスクとしてＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶縁膜をエッチングすることによって前記バイアホールに連通する配線溝を形成する段階と、前記第２感光膜と反射防止膜を除去した後、前記バイアホールが形成された層間絶縁膜をマスクとしてエッチング静止膜をエッチングし、バイアホールと配線溝の内部を金属膜で埋込む段階と、を含むことを特徴とするデュアルダマシンの配線形成方法を提供する。
【００２８】
また、前記バイアホールの形成段階では１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用してエッチングを行うことが望ましく、その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜４０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜２４０×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８００×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００２９】
また、前記配線溝のエッチング時、５００〜１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）の高圧の雰囲気下でエッチングを行い、その時、前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ４ガス１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３０】
また、前記エッチング静止膜は、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングされることが望ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ4ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３１】
また、前記反射防止膜は、１０００〜２０００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングされることが望ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ4ガス１５０〜２００ｓｃｃｍ（９００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３２】
また、前記バイアホールを形成する時には２段階に分けてエッチングすることが望ましく、その時第１段階のエッチングでは３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．００〜６．６７Ｐａ）の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングが行われることが望ましい。その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを３５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３３】
次に、前記バイアホールを形成する時の第２段階のエッチングは、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによって行われることが望ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）の流量で混合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３４】
本発明は、配線溝のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝が形成されることによって、配線溝とバイアホールの境界領域にポリマーが残留することを防止する事を特徴とする。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の望ましい実施の形態について詳細に説明する。また、この発明ならびにそれ以外の関連目的と特徴は添付図面に基づく次の説明と請求範囲中で指摘したその新規事項を読めば明白になる。
【００３６】
図９ないし図１２は本発明によるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【００３７】
図９に示すように、半導体基板２００上にエッチング静止膜２１０と層間絶縁膜２２０を順次に積層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニングする。
【００３８】
その時、エッチング静止膜２１０はシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２２０内に後続のバイアホールを形成する際、エッチングにより半導体基板２００の損失を防止するために、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２２０に対してエッチング選択比の優れた窒化膜を使用する。
【００３９】
以後、前記パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして用いて、エッチング静止膜２１０の上部まで１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣ４Ｆ８ガスとＯ２ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用してドライエッチングしてバイアホール２３０を形成する。
【００４０】
前記ドライエッチング時に使用された混合ガスは、Ｃ４Ｆ８ガスを１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜１８０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ｏ２ガスが１０〜４０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜２４０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ａｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８００×１０−５〜３０００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量比で混合して使用する。
【００４１】
以後、第１感光膜（図示しない）を除去した後、ＮＨ４ＯＨとＣＨ３ＣＯＯＨ及びＨ２Ｏを約２：３：３０の割合で混合した洗浄液を使用して湿式洗浄工程を行う。
【００４２】
一方、前記バイアホールのエッチングは２段階に分けてエッチングすることもできる。
【００４３】
まず、第１段階では前記パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．００〜６．６７Ｐａ）程度の圧力でＣ４Ｆ８ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜１８０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ｏ２ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜１８０×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ａｒガスを３５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０−５〜３０００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量で混合された混合ガスを使用して層間絶縁膜２２０をエッチングしてバイアホール２３０を形成する。
【００４４】
そして、第２段階では前記パターニングされた第１感光膜（図示しない）をマスクとして１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ３ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度と、Ｏ２ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度及びＡｒガスを２００〜８００（１２００×１０−５〜４８００×１０−５ｍ３／ｈ）ｓｃｃｍ程度の流量で混合した混合ガスをエッチングガスとして使用して、もう一度エッチングすることによってプロファイルの優れたバイアホール２３０を形成する。
【００４５】
そして、図１０に示すように、前記バイアホール２３０が形成された結果物の上に反射防止膜２４０を積層した後、第２感光膜２５０を形成しパターニングする。なお、図１０に示されているように、第２感光膜２５０のパターニングは、バイアホール２３０の開口を含む周辺領域を露出させ、さらにバイアホール２３０に埋まった反射防止膜２４０の上面を露出させるように行っている。
【００４６】
次に、パターニングされた第２感光膜２５０をマスクとして大気に露出された反射防止膜２４０を除去する。
【００４７】
その時、反射防止膜２４０のエッチング時、１０００〜２０００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）範囲の圧力でＣＨＦ３ガスは１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜６００×１０−５ｍ３／ｈ）程度、ＣＦ４ガスは１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０−５〜１２００×１０−５ｍ３／ｈ）程度、Ａｒガスは１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０−５〜１２０００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量を混合したエッチングガスとして使用してエッチングする。
【００４８】
続いて、図１１に示すように、前記パターニングされた第２感光膜２５０をマスクとして５００〜１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）範囲の高圧で単一カーボンを含むフッ素ガスであるＣＨＦ3ガスとＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶縁膜２２０内にバイアホール２３０に連通する配線溝２６０を形成する。その時、混合ガスはＣＨＦ3ガスを１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、ＣＦ4ガスを１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合して使用する。
【００４９】
それによって、前記バイアホールの開口部２３０の周辺において、エッチングガスに含まれた多重カーボンと反射防止膜２４０が化学結合し形成されるポリマーの生成を防止する。
【００５０】
続いて、図１２に示すように、前記第２感光膜２５０と反射防止膜２４０を除去した後、バイアホール２３０と配線溝２６０が形成された層間絶縁膜２２０をマスクとしてエッチング静止膜２１０をエッチングする。
【００５１】
その時、前記エッチング静止膜２１０のエッチング時、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ３ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度と、ＣＦ４ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０−５〜３００×１０−５ｍ３／ｈ）程度及びＡｒガス２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０−５〜４８００×１０−５ｍ３／ｈ）程度の流量で混合された混合ガスをエッチングガスとして使用してエッチングする。
【００５２】
そして、前記バイアホール２３０と配線溝２６０の内部を金属膜２８０で埋込んでデュアルダマシン配線を形成する。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によるデュアルダマシンの配線形成方法を用いれば、上層の配線の配線溝の形成時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングすることで、前記配線溝とバイアホールの境界領域にポリマーが残留されることが防止できるだけでなく、バイアホールエッジの領域が傾斜しているため、後続の金属膜の埋込み時、容易に埋込むことができる。
【００５４】
また、その結果、配線プロファイルが改善され配線の幅が広くなることも防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図２】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図３】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図４】従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図５】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図６】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図７】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図８】従来の、もう一つの異なるデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図９】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法説明するために順次に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図である。
【符号の説明】
２００ 半導体基板、２１０ エッチング静止膜、２２０ 層間絶縁膜、２３０ バイアホール、２４０ 反射防止膜、２５０ 第２感光膜、２６０ 配線溝、２８０ 金属膜。
Claims (14)
- 半導体基板上にエッチング静止膜と層間絶縁膜を順次に積層した後、第１感光膜を形成してパターニングし、前記第１感光膜をマスクとして用いて前記エッチング静止膜の上部までエッチングすることによってバイアホールを形成する段階と、
前記第１感光膜を除去して反射防止膜を積層した後に、第２感光膜を形成してパターニングし、前記第２感光膜をマスクとして用いてドライエッチングすることによって反射防止膜を除去する段階と、
前記第２感光膜をマスクとしてＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス、及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して前記層間絶縁膜をエッチングすることによって前記バイアホールに連通する配線溝を形成する段階と、
前記第２感光膜と反射防止膜を除去した後、前記バイアホールが形成された前記層間絶縁膜をマスクとして前記エッチング静止膜をエッチングし、前記バイアホールと前記配線溝の内部を金属膜で埋込む段階と、
を含むことを特徴とするデュアルダマシンの配線形成方法。 - 前記バイアホールの形成段階では、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス、及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用してエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記バイアホールを形成するための前記混合ガスは、Ｃ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜４０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜２４０×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８００×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）を含むことを特徴とする請求項２に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記配線溝の形成段階では、５００〜１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）の高圧の雰囲気下でエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記配線溝を形成するための前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ4ガス１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）を含むことを特徴とする請求項４に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記エッチング静止膜は、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングされることを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記エッチング静止膜のエッチングのための前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ4ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）を含むことを特徴とする請求項６に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記反射防止膜は、１０００〜２０００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングされることを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記反射防止膜のエッチングのための前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）と、ＣＦ4ガス１５０〜２００ｓｃｃｍ（９００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）を含むことを特徴とする請求項８に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記バイアホールの形成時、２段階に分けてエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記バイアホールの形成のための第１段階のエッチングは、３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．００〜６．６７Ｐａ）の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによって行われることを特徴とする請求項１０に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記第１段階のエッチングのための前記混合ガスは、Ｃ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを３５０〜５００ｓｃｃｍ（３００×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）を含むことを特徴とする請求項１１に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記バイアホールの形成のための第２段階のエッチングは、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによって行われることを特徴とする請求項１０に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
- 前記第２段階のエッチングのための前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）と、Ｏ2ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）を含むことを特徴とする請求項１３に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。
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