JP3564243B2 - 自己活性化機能付きフリップフロップ回路及び半導体集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、通常のフリップフロップ回路に自己活性化機能を付加した自己活性化機能付きフリップフロップ回路、及びこのフリップフロップ回路を搭載した半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
機器の高度化や複雑化およびシステム化の進展に伴い、故障が社会に与える影響や損害が大きくなり、信頼性が重要な品質の一特性として注目されている。半導体集積回路においても、機器に組み込まれた後、最終ユーザーにおいて所望の時間、機器の機能や性能が発揮できる信頼性を確保するために、スクリーニングを行うのが一般的となっている。
【0003】
スクリーニングは、通常、最大定格より厳しいストレスを加え、劣化の原因を物理的、時間的に加速することにより、潜在的故障要因を持つデバイスを不良として取り除くことを目的としている。
【0004】
半導体集積回路のスクリーニングにおいてストレスをかける方法として代表的なものがバーンインと呼ばれる手法である。
【0005】
図14に示すように、従来の半導体集積回路は、現在の入力のみによって出力が決定される組み合わせ回路110と、フリップフロップ回路(以下、F/F回路という)121のように現在の入力と回路の状態によって出力が決定される順序回路120とで構成されている。
【0006】
このような半導体集積回路のバーンイン工程では、バーンイン装置を使用して、バーイン用の入力パターン(以下、バーインパターンという)を集積回路に送り集積回路を活性化させた状態(回路が動作している様態)にし、外部からストレス(電圧、温度等)を加えることが行われる。バーンインパターンの一例としては、図15に示すように、例えば入力信号数は最大256本とし、パターン長は最大32Kステップとするものが用いられる。バーンイン工程中は、このようなバーンインパターンを繰り返し実行し、集積回路を活性化させることになる。
【0007】
その際、集積回路に十分なストレスをかけるためには、できるだけ回路を活性化させること(広範囲で動作している状態)が必要である。回路を十分活性化させることによって効果的なスクリーニングが可能となり、極めて高い信頼性を得ることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、スクリーニングを効率的に行うには、できるだけ広範囲に回路を動作させる(活性化する)ことが必要であるが、近年の半導体プロセスの微細化による回路規模増大に伴い回路全体を動作させるためのバーンインパターンは益々長大で複雑となる傾向にある。
【0009】
一般にバーンインパターンの長さは、組み合わせ回路より順序回路に大きく左右される。すなわち、順序回路の出力値は入力端子に与えられた値だけでなく回路の内部状態に依存し、この順序回路を活性化するために、長大なパターンが必要となる。通常100Kゲート規模の大規模集積回路では、最低100Kステップのバーンインパターンが必要とされている。
【0010】
そのため、一般に使われているバーンイン装置において、例えば上記のように入力信号数=最大256本、パターン長=最大32Kステップ等の制約があった場合には、大規模集積回路を十分に活性化させるのは困難となる。このようなことから、従来では、より高機能で高価なバーンイン装置が必要になっていた。
【0011】
本発明は、上述の如き従来の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、回路の自己活性化を可能にする自己活性化機能付きフリップフロップ回路を提供することである。またその他の目的は、高機能なバーンイン装置を用いることなく容易に効果的なスクリーニングを行うことができる半導体集積回路を提供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第1の発明である半導体集積回路の特徴は、外部からの入力データに対して所定の論理動作を行い出力を決定する組み合わせ回路と、前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理値を保持する複数のフリップフロップ回路を有する順序回路とを備えた半導体集積回路において、活性化モード/通常モードを切換えるためのモード切換え信号を設定する活性化モード設定回路を設けると共に、前記各フリップフロップ回路に保持されている論理値を反転させた反転出力信号と前記組み合わせ回路からの信号を前記モード切換え信号に応じて選択する選択回路を前記各フリップフロップ回路に対応してそれぞれ設け、前記各々の選択回路の選択結果を前記各フリップフロップ回路の入力信号としてそれぞれ供給し、活性化モード時には前記各選択回路により前記各フリップフロップ回路の反転出力信号をそれぞれ選択してその各々のフリップフロップ回路の入力信号値を同時にトグルさせ、各フリップフロップ回路を同時に活性化させるように構成したことにある。
【0019】
この第1の発明によれば、活性化モード時には、各選択回路によりフリップフロップ回路の反転出力信号をそれぞれ選択し、各フリップフロップ回路の入力信号値をトグルさせて、全てのフリップフロップ回路を自ら活性化する。これにより、半導体集積回路のバーンイン工程でフリップフロップ回路を活性化するために必要とされるバーンインパターンのビット幅とステップ数を著しく少なくすることができる。
【0020】
第2の発明である半導体集積回路の特徴は、外部からの入力データに対して所定の論理動作を行い出力を決定する組み合わせ回路と、前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理値を保持する複数のフリップフロップ回路を有する順序回路とを備えた半導体集積回路において、活性化モード/通常モードを切換えるためのモード切換え信号を設定する活性化モード設定回路を設けると共に、前記各フリップフロップ回路の正転出力信号の論理値を反転する反転回路と、該反転回路の出力信号と前記組み合わせ回路からの信号を前記モード切換え信号に応じて選択する選択回路とを前記各フリップフロップ回路に対応してそれぞれ設け、前記選択回路の選択結果を前記各フリップフロップ回路の入力信号としてそれぞれ供給し、活性化モード時には前記各選択回路により前記反転回路の出力信号をそれぞれ選択して前記各フリップフロップ回路の入力信号値を同時にトグルさせ、各フリップフロップ回路を同時に活性化させるように構成したことにある。
【0021】
この第2の発明によれば、活性化モード時には、各選択回路により反転回路の出力信号をそれぞれ選択し、各フリップフロップ回路の入力信号値をトグルさせて、全てのフリップフロップ回路を自ら活性化する。これにより、第1の発明と同様にバーンインパターンのビット幅とステップ数を著しく少なくすることができる。
【0022】
第3の発明である半導体集積回路の特徴は、外部からの入力データに対して所定の論理動作を行い出力を決定する組み合わせ回路と、前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理値を保持する複数のフリップフロップ回路を有する順序回路とを備えた半導体集積回路において、活性化モード/通常モードを切換えるためのモード切換え信号を設定する活性化モード設定回路を設けると共に、前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理の反転切換えを前記モード切換え信号に応じて行う反転切換え回路を前記各フリップフロップ回路に対応してそれぞれ設け、前記各反転切換え回路の出力を各々のフリップフロップ回路の入力信号としてそれぞれ供給すると共に、活性化モード時には前記モード切換え信号によって前記各フリップフロップ回路の入力信号値を同時にトグルさせ、各フリップフロップ回路を同時に活性化させるように構成したことにある。
【0023】
第3の発明によれば、活性化モード時には、組み合わせ回路から与えられた信号の論理の反転切換えを制御するモード切換え信号によって各フリップフロップ回路の入力信号値をトグルさせ、全てのフリップフロップ回路を自ら活性化する。これにより、第1の発明と同様にバーンインパターンのビット幅とステップ数を著しく少なくすることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の自己活性化機能付きフリップフロップ回路の基本原理を示す概念図である。
【0025】
本発明の自己活性化機能付きF/F回路は、図1に示すように、半導体集積回路内の通常のF/F回路1の入力側に、通常入力信号とその反転信号を切換える切換え回路2を設け、この切換え回路2の出力をF/F回路1のD端子に入力させて、F/F回路1にシステムクロックを与えることにより、F/F回路1を自ら活性化するものである。
【0026】
次に、このような基本原理を踏まえて第1実施形態の構成及び動作を説明をする。
【0027】
図2は、本発明の第1実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図である。
【0028】
この半導体集積回路は、組み合わせ回路10と順序回路20とで構成されている。組み合わせ回路10は、外部より入力データINを取り込んで所定の論理動作を行いその結果である出力データOUTを外部に出力する機能を有する回路であり、順序回路20は、組み合わせ回路10の中間処理データを一旦保持し、所定のタイミングでその保持データを組み合わせ回路10に送り返す機能を有している。
【0029】
順序回路20は、本発明の自己活性化機能付きF/F回路で構成されるが、本実施形態では、説明を簡単にするためその個数を例えば3個とし、自己活性化機能付きF/F回路21,22,23で構成されるものとする。
【0030】
この自己活性化機能付きF/F回路21〜23は、通常F/F回路21a,22a,23aと、切換え回路(選択回路)21b,22b,23bとでそれぞれ構成され、各々の切換え回路21b〜23bにより、通常モード時の入力信号(S21〜S23)と活性化モード時の入力信号(通常F/F回路21a〜23aのQN出力)を切り換える構造となっている。
【0031】
具体的には、切換え回路21bは、通常F/F回路21aの反転出力端子QNから出力される反転出力信号と組み合わせ回路10から送られてくる入力信号S21をモード切換え信号MDに応じて切換える機能を有している。同様に、切換え回路22b,23bは、それぞれ通常F/F回路22a,23aの反転出力端子QNから出力される反転出力信号と組み合わせ回路10から送られてくる入力信号S22,S23をモード切換え信号MDに応じて切換えるようになっている。
【0032】
図3(a),(b),(c)に上記切換え回路(選択回路)21b〜23bの構成例を示す。同図(a)の例では、インバータ31、ANDゲート32,33、及びORゲート34で構成されている。また、同図(b)の例では、インバータ41とアナログスイッチ42,43で構成され、同図(c)の例では、インバータ51とトライステートバッファ52,53で構成されている。
【0033】
ここで、入力信号S21,S22,S23は、任意のレベルにあり、外部からはダイレクトに制御できない信号であり、自己活性化機能付きF/F回路21〜23に与えられるクロック信号CLK1,CLK2,CLK3は、クロック端子30a,30b,30cに接続されたクロックバッファ31a,31b,31cを介して供給され、外部よりダイレクトに入力することができるようになっている。なお、クロック信号CLK1,CLK2,CLK3は共通のクロック信号を使用している。
【0034】
また、前記モード切換え信号MDは、活性化モード設定回路60で設定されるようになっている。活性化モード設定回路60は、図4に示すように例えばD−FF回路で構成され、TEST信号入力用の外部端子61とMODESEL信号入力用の外部端子62にそれぞれバッファ63,64を介して接続されている。本例のモード切換え信号MDは、活性化モード時には“L”レベルに、通常モード時には“H”レベルに設定されるものとする。
【0035】
図5は、本実施形態の自己活性化機能付きF/F回路の動作を示すタイミングチャートであり、同図を参照しつつ本実施形態の動作を説明する。
【0036】
通常モード時では、活性化モード設定回路60の出力であるモード切換え信号MDが“1”であり(図5参照)、その結果、自己活性化機能付きF/F回路21〜23内部の切換回路21b〜23bにより、入力信号S21〜S23が通常F/F回路21a〜23aのD端子に入力される状態となり、従来回路のF/F回路と同じ動作をする。
【0037】
活性化モード設定回路60を活性化モードに設定すると、モード切換え信号MDは“0”になり、自己活性化機能付きF/F回路21〜23内部の切換え回路21b〜23bにより、通常F/F回路21a〜23aのD端子に当該F/F回路21a〜23aのQN端子の出力が入力される状態となる。
【0038】
この状態で通常F/F回路21a〜23aのクロック端子CKにシステムクロックCLKを入力すれば、通常F/F回路21a〜23aの端子Qの出力は、図5に示すようにシステムクロックCLKの1周期毎に“H”レベル→“L”レベル→“H”レベル→“L”レベルを繰り返す。これにより、F/F回路21〜23を活性化することができる。
【0039】
このような半導体集積回路のスクリーニング方法としては、バーイン装置(図示省略)を当該半導体集積回路に接続し、その全外部端子を介してバーンインパターンを集積回路内に入力する。そのうち前記クロック端子30a〜30c及び前記外部端子61,62には、上記自己活性化機能付きF/F回路21〜23からなる順序回路20を活性化すべく、図6に示すバーンインパターンを入力するようにする。
【0040】
このようにして集積回路を活性化させた状態にし、外部からストレス(電圧、温度等)を加え、潜在的故障要因を持つデバイスを不良として排除する。
【0041】
このように実際に本実施形態の自己活性化機能付きF/F回路21〜23を使用すると、バーンインパターンは、図6に示したように端子数5本(CLK入力端子3本+活性化モード設定端子2本)、及びテストステップ数6ステップという極小規模にもかかわらず、全ての順序回路を活性化することができる。また、全てのF/F回路21〜23の出力信号が変化することにより、組み合わせ回路10も活性化することが可能である。
【0042】
図7は、本発明の第2実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図であり、図2に共通する要素には同一の符号が付されている。
【0043】
本実施形態の半導体集積回路は、上記図2に示した第1実施形態の半導体集積回路において、自己活性化機能付きF/F回路のみの構成が変更されている。すなわち、本実施形態の自己活性化機能付きF/F回路71,72,73は、それぞれ通常F/F回路21a〜23aの正転出力端子Qの出力である正転出力信号を一旦反転回路71a,72a,73aに入力し、切換回路21b〜23bの入力側に接続する構成となっている。
【0044】
このような通常F/F回路の正転出力端子Qの出力を用いた構成であっても、上記第1実施形態と同様の作用効果を有する。
【0045】
図8は、本発明の第3実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図であり、図2に共通する要素には同一の符号が付されている。
【0046】
本実施形態の半導体集積回路は、上記図2に示した第1実施形態の半導体集積回路において、自己活性化機能付きF/F回路のみの構成が変更されている。すなわち、本実施形態の自己活性化機能付きF/F回路81,82,83は、反転切換え回路81a,82a,83aにより活性化モード時に通常モード時の入力信号S21〜S23を反転し、これを通常F/F回路21a〜23aのD端子に供給する構成となっている。
【0047】
反転切換え回路81a〜83aは、例えば、図9(a)に示すように排他的論理和回路(EX−OR回路)で構成するほか、図9(b)に示すように、インバータ91、トライステートバッファ92及びトライステートインバータ93を用いた回路で構成することも可能である。
【0048】
図10は、本実施形態の自己活性化機能付きF/F回路の活性化モード時の動作を示すタイミングチャートであり、同図を参照しつつ本実施形態の動作を説明する。
【0049】
通常モード時には、活性化モード設定回路60の出力信号(モード切換え信号MD)は“0”になる。その結果、自己活性化機能付きF/F回路81〜83内部の反転切換え回路81a〜83aにより、入力信号S21〜S23がそのまま通常F/F回路21a〜23aのD端子に入力される状態となり、従来のF/F回路と同じ動作をする。
【0050】
活性化モード設定回路60を活性化モードに設定すると、モード切換え信号MDは“1”になり、自己活性化機能付きF/F回路81〜83内部の反転切換え回路81a〜83aにより、通常F/F回路21a〜23aのD端子に入力信号S21〜S23が反転されて入力される状態となる。
【0051】
このような状態でシステムクロックCLKを入力しながら、活性化モードと通常モードを交互に切り替えると(図10参照)、自己活性化機能付きF/F回路81〜83内部の通常F/F回路21a〜23aの正転出力端子Qの出力は、システムクロックCLKの1周期毎に“H”レベル→“L”レベル→“H”レベル→“L”レベルを繰り返す。これにより半導体集積回路内の通常F/F回路21a〜23aを活性化することができる。
【0052】
実際に本実施形態の自己活性化機能付きF/F回路を適用するバーンインパターンは、図11に示したように端子数5本(CLK入力端子3本+活性化モード設定端子2本)、及びテストステップ数13ステップという極小規模にもかかわらず、全ての順序回路20を活性化することができる。また、全てのF/F回路の出力信号が変化することにより、組み合わせ回路10も活性化することが可能である。
【0053】
図12は、本発明の第4実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図であり、図2に共通する要素には同一の符号が付されている。
【0054】
本実施形態は、上記第1実施形態の自己活性化機能付きF/F回路21〜23のクロックCLKが組み合わせ回路10に接続されている例を示すものである。この場合、通常F/F回路21aを活性化し、組み合わせ回路10を動作させることによって、組み合わせ回路10の出力信号S22a,S23aが変化し、通常F/F回路22a,23aを活性化することが可能である。
【0055】
図13は、本発明の第5実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図であり、図2に共通する要素には同一の符号が付されている。
【0056】
本実施形態は、上記第1実施形態の自己活性化機能付きF/F回路22,23のクロック端子CKが前段の自己活性化機能付きF/F回路21の出力に接続されている例を示すものである。
【0057】
この場合、通常F/F回路21aを活性化することにより、そのF/F回路21aの出力信号Qaが変化し、通常F/F回路22a,23aを活性化することが可能である。
【0058】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、第1乃至第3の発明である自己活性化機能付きF/F回路によれば、比較的簡単な構成により、通常のF/F回路に自己活性化機能を付加することができる。
【0059】
第4乃至第6の発明である半導体集積回路によれば、自己活性化機能付きF/F回路を搭載したので、半導体集積回路のバーンイン工程でF/F回路を活性化するために通常必要とされるバーンインパターンのビット幅とステップ数を著しく少なくすることができる。これにより、大規模半導体集積回路の十分なスクリーニングを比較的簡単なバーイン装置で実現することができ、バーイン装置の大幅なコスト削減が可能になる。さらに、F/F回路の活性化率を100%にすることができるため、初期不良が収束するまでの時間が短縮され、半導体集積回路のコストダウン、及び量産TATの短縮が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の自己活性化機能付きフリップフロップ回路の基本原理を示す概念図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図である。
【図3】第1実施形態における切換え回路の構成例を示す図である。
【図4】第1実施形態における活性化モード設定回路の構成例を示す図である。
【図5】第1実施形態における自己活性化機能付きF/F回路の活性化モード時の動作を示すタイミングチャートである。
【図6】第1実施形態における活性化に必要なバーンインパターン例を示す図である。
【図7】本発明の第2実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図である。
【図8】本発明の第3実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図である。
【図9】第3実施形態における反転切換え回路の構成例を示す図である。
【図10】第3実施形態の自己活性化機能付きF/F回路の活性化モード時の動作を示すタイミングチャートである。
【図11】第3実施形態における活性化に必要なバーンインパターン例を示す図である。
【図12】本発明の第4実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図である。
【図13】本発明の第5実施形態に係る自己活性化機能付きF/F回路を適用した半導体集積回路のブロック図である。
【図14】従来の半導体集積回路の構成図である。
【図15】従来のバーンインパターンの一例を示す図である。
【符号の説明】
10 組み合わせ回路
20 順序回路
21〜23,71〜73,81〜83 自己活性化機能付きF/F回路
60 活性化モード設定回路
MD モード切換え信号
CLK システムクロック
S21〜S23 入力信号
Claims (3)
- 外部からの入力データに対して所定の論理動作を行い出力を決定する組み合わせ回路と、前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理値を保持する複数のフリップフロップ回路を有する順序回路とを備えた半導体集積回路において、
活性化モード/通常モードを切換えるためのモード切換え信号を設定する活性化モード設定回路を設けると共に、
前記各フリップフロップ回路に保持されている論理値を反転させた反転出力信号と前記組み合わせ回路からの信号を前記モード切換え信号に応じて選択する選択回路を前記各フリップフロップ回路に対応してそれぞれ設け、
前記各々の選択回路の選択結果を前記各フリップフロップ回路の入力信号としてそれぞれ供給し、活性化モード時には前記各選択回路により前記各フリップフロップ回路の反転出力信号をそれぞれ選択してその各々のフリップフロップ回路の入力信号値を同時にトグルさせ、各フリップフロップ回路を同時に活性化させるように構成したことを特徴とする半導体集積回路。 - 外部からの入力データに対して所定の論理動作を行い出力を決定する組み合わせ回路と、前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理値を保持する複数のフリップフロップ回路を有する順序回路とを備えた半導体集積回路において、
活性化モード/通常モードを切換えるためのモード切換え信号を設定する活性化モード設定回路を設けると共に、
前記各フリップフロップ回路の正転出力信号の論理値を反転する反転回路と、該反転回路の出力信号と前記組み合わせ回路からの信号を前記モード切換え信号に応じて選択する選択回路とを前記各フリップフロップ回路に対応してそれぞれ設け、
前記選択回路の選択結果を前記各フリップフロップ回路の入力信号としてそれぞれ供給し、活性化モード時には前記各選択回路により前記反転回路の出力信号をそれぞれ選択して前記各フリップフロップ回路の入力信号値を同時にトグルさせ、各フリップフロップ回路を同時に活性化させるように構成したことを特徴とする半導体集積回路。 - 外部からの入力データに対して所定の論理動作を行い出力を決定する組み合わせ回路と、前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理値を保持する複数のフリップフロップ回路を有する順序回路とを備えた半導体集積回路において、
活性化モード/通常モードを切換えるためのモード切換え信号を設定する活性化モード設定回路を設けると共に、
前記組み合わせ回路から与えられた信号の論理の反転切換えを前記モード切換え信号に応じて行う反転切換え回路を前記各フリップフロップ回路に対応してそれぞれ設け、
前記各反転切換え回路の出力を各々のフリップフロップ回路の入力信号としてそれぞれ供給すると共に、活性化モード時には前記モード切換え信号によって前記各フリップフロップ回路の入力信号値を同時にトグルさせ、各フリップフロップ回路を同時に活性化させるように構成したことを特徴とする半導体集積回路。
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