JP3563289B2 - 配線間ショート検出用テストエレメントグループ、その製造方法及び配線間ショート検出方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ基板等に半導体集積回路と共に形成され、該半導体集積回路内の配線間ショートを検出するために用いられる配線間ショート検出用テストエレメントグループと、配線間ショート検出用テストエレメントグループの製造方法と、配線間ショート検出方法とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図4は、従来の配線間ショート検出用テストエレメントグループを示す構成図である。
このテストエレメントグループは、基板1の上部に図示しない半導体集積回路と共に形成された複数の下層配線2を備えている。基板1上には層間絶縁膜1aが堆積され、該層間絶縁膜1a上に下層配線2が形成されている。各下層配線2は、基板1の図示しない半導体集積回路とは別の位置に独立し、同じ幅で平行に配列され、その間隔も等しくなっている。複数の下層配線2の間及び上部は、層間絶縁膜3で覆われている。層間絶縁膜3上には、2系統の櫛形の上層配線4,5が形成されている。櫛形の上層配線4における複数の櫛歯は、下層配線2と直交するように形成されている。櫛形の上層配線5における複数の櫛歯も、下層配線2と直交するように形成されている。上層配線4の櫛歯と上層配線5の櫛歯は、交互になるように配置されている。上層配線4,5は、前記半導体集積回路の検査対象の配線パターンと同一の製造工程により、形成されたものであり、該各上層配線4,5は、それぞれパッド6,7に接続されている。
【0003】
このテストエレメントグループは、半導体集積回路における同一層内の配線間ショートを検出するために、基板1に形成されたものであり、下層配線2により上層配線4,5に段差を生じさせた構造にしている。段差を生じさせた構造を採用したのは、上層配線4,5の状態を悪化させてその部分にエッチング不良を発生させるためである。上層配線4,5の下層配線2の間隙に対応する部分では、エッチングが不完全となり、配線部材がフイラメント状に残り、この残った配線部材によって上層配線4の櫛歯と上層配線5の櫛歯とがつながった状態になる。上層配線4及び上層配線5と半導体集積回路内の検査対象の配線パターンとは同じ工程で形成されているので、上層配線4,5間の導通テストを行って導通状態を検出することにより、半導体集積回路にも配線間ショートが発生している危険性があるか否かを検出できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のテストエレメントグループには、次のような課題があった。
上層配線4及び上層配線5に生じている段差は、下層配線2の配置により決定されるが、下層配線2の幅や間隔は一定でなので、最悪の状態が必ずしも上層配線4,5に設定されていないことがあり、半導体集積回路で配線間ショートが発生している場合でも、上層配線4,5の導通テストではそれが検出できない場合が考えられ、信頼性に課題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明のうちの第1の発明は、配線間ショート検出用テストエレメントグループにおいて、次のような構成にしている。
即ち、半導体集積回路が形成された基板の上部に該半導体集積回路とは独立して形成され、所定の方向を向き互いに平行にかつ線幅を変えて配列された複数の下層配線と、下層配線間を埋めかつ該下層配線の上部を覆うように堆積された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されて櫛形をなし、櫛形における複数の櫛歯が複数の下層配線とは直交する方向を向く第1の上層配線と、その層間絶縁膜上に形成されて櫛形をなし、櫛形における複数の櫛歯が前記下層配線とは直交する方向を向きかつ第1の上層配線の複数の櫛歯とは交互に配置された第2の上層配線とで構成している。
【0006】
このような構成を採用したことにより、下層配線の線幅が変わるので、下層配線によって生じる段差の状態が複数種類でき、第1の上層配線と第2の上層配線にエッチング不良を発生させやすくなり、最悪の状態を設定できるようになる。
【0007】
第2の発明では、テストエレメントグループにおいて、複数の下層配線は、線幅を変えてそれぞれ形成すると共に間隔を変えて配列している。
このような構成を採用したことにより、下層配線の幅及び間隔を変えるので、下層配線によって生じる段差の状態が複数種類でき、第1の上層配線と第2の上層配線にエッチング不良を発生させやすくなり、最悪の状態を設定できるようになる。
【0008】
第3の発明では、第1または第2の発明のテストエレメントグループを製造する配線間ショート検出用テストエレメントグループの製造方法において、次のような製造方法を講じている。
即ち、前記半導体集積回路が形成される基板の上部に該半導体集積回路とは独立に、複数の下層配線を配列して形成し、下層配線間を埋めかつ該下層配線の上部を覆うように層間絶縁膜を堆積し、半導体集積回路中の検査対象の配線パターンを製造する工程と同じ工程により、第1の上層配線及び第2の上層配線を層間絶縁膜上に形成するようにしている。
このような製造方法を採用したことにより、第1の上層配線及び第2の上層配線が検査対象の配線パターンと同じ工程により形成されるので、半導体集積回路の配線パタンの製造条件に変動があっても、それが第1の上層配線及び第2の上層配線の状態に顕われ、下層配線によって生じる複数種類の段差において、その第1及び第2の上層配線の状態に応じてエッチング不良が発生する。
【0009】
第4の発明では、配線間ショート検出方法において、第1または第2の発明のテストエレメントグループを基板に形成しておき、第1の上層配線と第2の上層配線との間の導通テストを行うことにより、前記半導体集積回路における検査対象の配線パターンの配線間ショートの有無を検出するようにしている。
このような方法を採用したことにより、半導体集積回路中の検査対象の配線パターンに、配線間ショートが発生する場合には、複数種類の段差のいずれかにエッチング不良が発生する。よって、第1及び第2の上層配線間の導通テストを行うことにより、配線間ショートの発生状態を推定することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
(参考例)
図2は、本発明の参考例を示す配線間ショート検出用テストエレメントグループの構成図である。
このテストエレメントグループは、図示しない半導体集積回路における配線間ショートの有無を判定するために基板10の上部に設けられた回路である。
【0011】
基板10の上には、層間絶縁膜11が堆積され、その上に、テストエレメントグループを構成するポリシリコン製の複数の下層配線12が形成されている。下層配線12は半導体集積回路とは独立した位置に配列されている。各下層配線12の厚みは、例えば0.7μmであり、従来と同様に、同じ幅で形成されており、互いが平行になっている。複数の下層配線12の間隔Gは、従来とは異なり、例えば0.5μmを中心として変化させ、左端側から右側に行くほど大きくなっている。複数の下層配線12の間及び上部は、例えばPSG(リンガラス)等の層間絶縁膜13で覆われている。層間絶縁膜13の上には、第1の上層配線14と第2の上層配線15とが、例えば厚さ約0.3μmで形成されている。上層配線14及び上層配線15は、半導体集積回路内の検査対象の配線パターンを形成する工程と同じ工程によって形成されたものであり、アルミニウム等の配線部材がエッチングされて形成されている。これら上層配線14及び上層配線15は共に櫛形をなし、該上層配線14及び上層配線15における櫛形の櫛歯が複数の下層配線12の方向に対して垂直になっている。上層配線14の各櫛歯と上層配線15の各櫛歯は、それぞれ交互に配置されて平行になっている。上層配線14が導通テスト用のパッド16aに接続され、上層配線15が導通テスト用のパッド16bに接続されている。
【0012】
図3は、図2に発生するエッチング残りを示す図である。
下層配線12が形成されているので、層間絶縁膜13には段差が生じ、該層間絶縁膜13の上の上層配線14及び15にも、下層配線12の方向に沿った段差が生じている。このような段差を生じた上層配線14,15では、エッチングが不完全となって配線部材がフィラメント状に残りやすい。例えば、段差のために上層配線14,15の上側の落ち込み部分が、下層配線12の高さ程度になったAの部分等では、下層配線12の肩付近に、配線部材のエッチング残り17が発生しやすい。また、下層配線12の間隔Gが広く、上層配線14,15の落ち込み部分が、下層配線12の隙間の底部に近くまで落ち込んだBの部分等では、該上層配線14,15の落ち込んだ部分の底部付近で、配線部材のエッチング残り18が発生しやすい。
【0013】
導通テスト用パッド16a,16bにテスタを当てて導通テストを行うことにより、エッチング残り17,18が発生しているか否かが検証できる。エッチング残り17,18が発生していれば、パッド16a,16b間が導通状態を示す。このときには、半導体集積回路にも配線間ショートが発生している可能性が高いので、ウエハを不良として処理する。
【0014】
以上のように、この参考例では、下層配線12の間隔Gを変化させているので、段差のでき方が複数種類となり、上層配線14,15と下層配線12との間の層間絶縁膜13の膜厚や形状が変化した場合でも、該上層配線14,15のエッチング残りが発生しやすい最悪の形状が常に確保でき、半導体集積回路における配線間ショートのテストの信頼性が向上する。
【0015】
(実施形態)
図1は、本発明の実施形態を示す配線間ショート検出用テストエレメントグループの構成図である。
このテストエレメントグループは、図示しない半導体集積回路における配線間ショートの有無を判定するために基板20の上部に設けられた回路である。
基板20の上には、層間絶縁膜21が堆積され、その上に、テストエレメントグループを構成するポリシリコン製の複数の下層配線22が形成されている。下層配線22は半導体集積回路とは独立した位置に配列されている。各下層配線22の厚みは例えば0.7μmであり、第1の実施形態とは異なり、間隔Gを等しくし、幅Wを変化させている。各下層配線22は、互いが平行になっている。複数の下層配線22の間隔Gは、例えば0.5μmになっている。
【0016】
複数の下層配線22の間及び上部は、例えばPSG(リンガラス)等の層間絶縁膜23で覆われている。層間絶縁膜23の上には、第1の上層配線24と第2の上層配線25とが、例えば厚さ約0.3μmで形成されている。上層配線24及び上層配線25は、半導体集積回路内の検査対象の配線パターンを形成する工程と同じ工程によって形成されたものであり、アルミニウム等の配線部材で構成されている。これら上層配線24及び上層配線25は共に櫛形をなし、該上層配線24及び上層配線25における櫛形の櫛歯が複数の下層配線22の方向に対して垂直になっている。上層配線24の各櫛歯と上層配線25の各櫛歯は、それぞれ交互に配置されて平行になっている。上層配線24が導通テスト用のパッド26aに接続され、上層配線25が導通テスト用のパッド26bに接続されている。
【0017】
このテストエレメントグループでは、下層配線22が形成されているので、層間絶縁膜23には段差が生じ、該層間絶縁膜23の上の上層配線24及び25にも、下層配線22の方向に沿った段差が生じている。段差のでき方は、下層配線22の幅が異なることによっても、状態が異なる。このような段差を生じた上層配線24,25では、エッチングが不完全となって配線部材がフィラメント状に残りやすい。そこで、導通テスト用パッド26a,26bにテスタを当てて導通テストを行うことにより、エッチング残りが発生しているか否かが検証できる。エッチング残りが発生していれば、パッド26a,26b間が導通状態を示す。このときには、半導体集積回路にも配線間ショートが発生している可能性が高いので、ウエハを不良として処理する。
【0018】
以上のように、この実施形態では、下層配線22の幅Wを変化させているので、段差のでき方が複数種類となり、上層配線24,25と下層配線22との間の層間絶縁膜23の膜厚や形状が変化した場合でも、該上層配線24,25のエッチング残りが発生しやすい最悪の形状が常に確保でき、半導体集積回路における配線間ショートのテストの信頼性が向上する。
【0019】
なお、本発明は、上記の参考例や実施形態に限定されず種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。
(1) テストエレメントグループにおける下層配線12,22の幅Wや間隔G及び厚み等は、参考例や実施形態に限定されず、半導体集積回路の構造に応じて設定することが望ましい。
(2) 参考例では下層配線12の間隔Gを変化させ、実施形態では下層配線22の幅Wを変化させているが、これらを併用し、間隔Gと幅Wの両方を変化させてもよい。
【0020】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、第1の発明によれば、複数の下層配線の幅をそれぞれ変化させたので、層間絶縁膜及び第1及び第2の上層配線の段差のでき方が複数種類となり、第1及び第2の上層配線のエッチング残りが発生しやすい最悪の形状が常に確保できるようになる。
【0021】
そのため、第4の発明により、第1及び第2の上層配線の導通テストを行って、半導体集積回路における配線間ショートの有無を検出するときのテストの信頼性が向上する。
【0022】
第2の発明によれば、下層配線の間隔及び幅を変化させたので、層間絶縁膜及び第1及び第2の上層配線の段差のでき方が複数種類となり、第1及び第2の上層配線のエッチング残りが発生しやすい最悪の形状が常に確保できるようになる。そのため、第4の発明により、第1及び第2の上層配線の導通テストを行って、半導体集積回路における配線間ショートの有無を検出するときのテストの信頼性が向上する。
【0023】
第3の発明によれば、基板の上部に第1または第2の発明における複数の下層配線を配列して形成し、層間絶縁膜を堆積し、第1の上層配線及び第2の上層配線は、検査対象の配線パターンを製造する工程と同じ工程により形成するので、配線パタンの製造条件に変動があっても、それが第1の上層配線及び第2の上層配線の状態に顕われる。そのため、第1及び第2の上層配線の導通テストを行って、半導体集積回路における配線間ショートの有無を検出するときのテストの信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示すテストエレメントグループの構成図である。
【図2】本発明の参考例を示すテストエレメントグループの構成図である。
【図3】図2に発生するエッチング残りを示す図である。
【図4】従来のテストエレメントグループを示す構成図である。
【符号の説明】
10,20 基板
12,22 下層配線
13,23 層間絶縁膜
14,15,24,25 上層配線
G 下層配線の間隔
W 下層配線の線幅
Claims (4)
- 半導体集積回路が形成された基板の上部に該半導体集積回路とは独立して形成され、所定の方向を向き互いに平行にかつ線幅を変えて配列された複数の下層配線と、
前記下層配線間を埋めかつ該下層配線の上部を覆うように堆積された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成されて櫛形をなし、該櫛形における複数の櫛歯が前記複数の下層配線とは直交する方向を向く第1の上層配線と、
前記層間絶縁膜上に形成されて櫛形をなし、該櫛形における複数の櫛歯が前記下層配線とは直交する方向を向きかつ前記第1の上層配線の複数の櫛歯とは交互に配置された第2の上層配線とを、備えたことを特徴とする配線間ショート検出用テストエレメントグループ。 - 半導体集積回路が形成された基板の上部に該半導体集積回路とは独立して形成され、所定の方向を向き互いに平行にかつ間隔及び線幅を変えて配列された複数の下層配線と、
前記下層配線間を埋めかつ該下層配線の上部を覆うように堆積された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成されて櫛形をなし、該櫛形における複数の櫛歯が前記複数の下層配線とは直交する方向を向く第1の上層配線と、
前記層間絶縁膜上に形成されて櫛形をなし、該櫛形における複数の櫛歯が前記下層配線とは直交する方向を向きかつ前記第1の上層配線の複数の櫛歯とは交互に配置された第2の上層配線とを、備えたことを特徴とする配線間ショート検出用エレメントグループ。 - 請求項1または2記載の配線間ショート検出用エレメントグループを製造する配線間ショート検出用エレメントグループの製造方法において、
前記半導体集積回路が形成される前記基板の上部に該半導体集積回路とは独立に、前記複数の下層配線を配列して形成し、
前記下層配線間を埋めかつ該下層配線の上部を覆うように前記層間絶縁膜を堆積し、
前記半導体集積回路中の検査対象の配線パターンを製造する工程と同じ工程により、前記第1の上層配線及び前記第2の上層配線を前記層間絶縁膜上に形成することを特徴とする配線間ショート検出用エレメントグループの製造方法。 - 請求項1または2記載の配線間ショート検出用エレメントグループを前記基板に形成しておき、前記第1の上層配線と前記第2の上層配線との間の導通テストを行うことにより、前記半導体集積回路における検査対象の配線パターンの配線間ショートの有無を検出することを特徴とする配線間ショート検出方法。
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