JP5370250B2

JP5370250B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP5370250B2
Application number: JP2010097171A
Authority: JP
Inventors: 剛一澤田; 一輝山内
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2010-04-20
Filing date: 2010-04-20
Publication date: 2013-12-18
Anticipated expiration: 2030-04-20
Also published as: JP2011228491A

Description

本発明は、ボンディングワイヤやバンプなどの接続部材が接続されるボンディングパッドを一面に有する半導体基板を備えた半導体装置の製造方法に関し、特に接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出する場合に好適である。

一般に、この種の半導体装置は、半導体基板の内部に回路素子を有し、回路素子の上に絶縁層を有し、絶縁層の内部に各種の配線を有し、ボンディングパッドを絶縁層の上に設けた構成のものが提案されている。そして、ボンディングパッドには、接続部材としてのボンディングワイヤやバンプなどが接続されるようになっている。

ここで、ボンディングワイヤやバンプなどの接続部材は、ボンディングパッド上に接触した状態で、当該接続部材に荷重を加えつつ必要に応じて振動を印加することにより、当該パッドに接続される。このとき、ボンディングパッドの下部に位置する基板内部には、接続時の荷重や振動により、クラックが発生し、基板内部の配線やその下の回路素子がダメージを受ける恐れがある。

このような場合、一般には、接続部材の接続前後で回路素子の特性を測定し、その接続前後の特性を比較することにより、基板内部のダメージの検出を行っていた。

ここで、従来より、特許文献１には、プローブが接触する検査用電極の下に検査用配線を配置し、プローブ接触時の荷重による基板内部のクラックの発生を検出するようにしたものが提案されている。

一方で、従来より、接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出するものではないが、特許文献２には、複数の配線領域の配線不良を検出するときに、パッド数を低減する方法が提案されている。

特開２００８−２３５４８５号公報特開２００２−７６２７４号公報

本発明者は、ワイヤボンディング用のボンディングパッドの下部に発生するクラックを検出する方法として、上記特許文献１に記載の方法を適用することを考えた。この場合、具体的には、ボンディングパッドの下の基板内部に、検査用配線を配置し、ワイヤボンディングの荷重や振動により発生する検査用配線の断線や短絡を検出することが考えられる。

しかし、この特許文献１のものでは、検査用電極と接続された検査用パッドが必要であり、半導体基板上に検査用パッドを配置するためのスペースが必要となるため、装置の大型化を招きやすくなる。

また、上記特許文献２のものでは、パッド数の削減効果があるとはされているものの、各配線領域を選択するために複雑な回路構成が必要であり、また、パッド数の削減効果が発揮されるためのパッド数に制約がある。たとえば５個以上の場合に使用可能とされている。

このように、従来では、接続部材が接続されるボンディングパッドを一面に有する半導体基板を備えた半導体装置において、接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出する場合に、適切にパッド数の増加を抑制できるものはなかった。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、接続部材が接続されるボンディングパッドを一面に有する半導体基板を備えた半導体装置において、接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出する場合に、適切にパッド数の増加を抑制できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明者は、ボンディングパッドを検査用パッドに兼用してやれば、検査用パッド数の増加を防止できると考え、この点に着目して鋭意検討を行い、本発明を創出するに至った。

請求項１に記載の発明は、特にボンディングパッドは通常、複数個配列されて設けられていることに着目してなされたものである。

すなわち、請求項１に記載の発明では、接続部材が接続されるボンディングパッド（１１〜１３）を一面上に有する半導体基板（１）を備え、ボンディングパッド（１１〜１３）は、半導体基板（１）の一面にて隣り合う第１のボンディングパッド（１１）と第２のボンディングパッド（１２）とよりなるものである半導体装置の製造方法であって、以下の点を特徴としている。

・接続部材の第１のボンディングパッド（１１）への接続による、半導体基板（１）のうち第１のボンディングパッド（１１）の直下部位のダメージを検査する検査工程を備えていること。

・半導体基板（１）の一面に１個の検査用パッド（２０）を形成し、半導体基板（１）において、一端側が検査用パッド（２０）に導通し、検査用パッド（２０）から延びる中間部が第１のボンディングパッド（１１）の直下部位に配置され、他端側が第１のボンディングパッド（１１）に導通する第１の検査用配線（３１）を形成すること。

・半導体基板（１）において、一端側が検査用パッド（２０）に導通し、検査用パッド（２０）から延びる中間部が第１のボンディングパッド（１１）の直下部位にて第１の検査用配線（３１）と並列するように配置され、他端側が第２のボンディングパッド（１２）に導通する第２の検査用配線（３２）を形成すること。

・その後、検査工程では、検査用パッド（２０）と第１のボンディングパッド（１１）とを介して第１の検査用配線（３１）の抵抗値である第１の抵抗値を測定するとともに、検査用パッド（２０）と第２のボンディングパッド（１２）とを介して第２の検査用配線（３２）の抵抗値である第２の抵抗値を測定する抵抗値測定工程と、第１のボンディングパッド（１１）と第２のボンディングパッド（１２）との間に電圧差を与え、漏れ電流の有無を測定する漏れ電流測定工程とを行うこと。

・接続部材の第１のボンディングパッド（１１）への接続前および接続後に検査工程を行い、当該接続の前後における第１の抵抗値および第２の抵抗値の変化、および、当該接続の前後における漏れ電流の有無に基づいて、半導体基板（１）のうち第１のボンディングパッド（１１）の直下部位のダメージを検出するようにしたこと。本製造方法はこれらの点を特徴としている。

それによれば、接続部材の接続による、半導体基板（１）のうち前記第１のボンディングパッド（１１）の直下部位のダメージを検出するにあたって、当該接続前後にて、第１の抵抗値、第２の抵抗値が変化していれば、第１の検査用配線（３１）、第２の検査用配線（３２）の断線を検出することができる。また、当該接続後にて漏れ電流が発生していれば、第１のボンディングパッド（１１）の直下部位にて並列する第１および第２の検査用配線（３１、３２）同士が短絡していると判定される。

このように、本発明によれば、２個の隣り合うボンディングパッド（１１、１２）のうち第１のボンディングパッド（１１）の直下部位のダメージを検出する場合に、第１のボンディングパッド（１１）自身および隣の第２のボンディングパッド（１２）を検査用パッドとして兼用できるから、適切にパッド数の増加を抑制しつつ当該ダメージを検出することができる。

また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、第１の検査用配線（３１）、第２の検査用配線（３２）には、それぞれ、当該検査用配線側から検査用パッド（２０）側へ電流が流れるのを防止するダイオード（４０）が備えられていることを特徴とする。

それによれば、半導体装置の完成後、半導体装置の使用時などにおいて、両ボンディングパッド（１１、１２）間に電位差が発生したとき、第１および第２の検査用配線（３１、３２）のうち一方の検査用配線に導通するボンディングパッドから、検査用パッド（２０）を介して他方の検査用配線を通り、当該他方の検査用配線に導通するボンディングパッドへ、電流が流れるのを防止できる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の実施形態に係る半導体装置の要部の概略平面図である。検査工程における断線モードの検出を説明するための概略平面図である。検査工程における短絡モードの検出を説明するための概略平面図である。検査用配線の配置パターンのバリエーションを示す概略平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の要部の概略平面構成を示す図である。本半導体装置は、大きくは、半導体基板１の一面上に複数個のボンディングパッド１１、１２、１３および１個の検査用パッド２０を備え、半導体基板１の内部に複数個の検査用配線３１、３２、３３を備えてなる。

半導体基板１は、図示しないが、典型的には、シリコン半導体などよりなる半導体の部分にトランジスタなどの回路素子を備えたものであり、その回路素子の上にＴＥＯＳなどよりなる絶縁層を設け、この絶縁層の上すなわち半導体基板１の一面上に上記各パッド１１〜１３、２０が設けられている。

また、この図示しない絶縁層中に上記検査用配線３１〜３３および上記回路素子と接続される素子用の配線などが設けられている。このような半導体基板１、および、各素子、配線は一般的な半導体プロセスにより形成される。

複数個のボンディングパッド１１〜１３は、ここでは３個示されているが、少なくとも２個以上であればよく、もちろん４個以上であってもよい。これらボンディングパッド１１〜１３は、接続部材としてのボンディングワイヤや、電子部品に設けられたバンプが接続されるパッドである。

ここで、図１中の検査用パッド２０側から数えて２個のボンディングパッド１１、１２のうち、検査用パッド２０に近い方を第１のボンディングパッド１１、検査用パッド２０から遠い方であって第１のボンディングパッド１２に隣り合うものを第２のボンディングパッド１２とする。

また、検査用パッド２０は、半導体基板１の一面上の適所に設けられている。この検査用パッド２０は、後述する接続部材の第１のボンディングパッド１１への接続による、半導体基板１のうち第１のボンディングパッド１１の直下部位のダメージを検査する検査工程に用いられる。これら各パッド１１〜１３および２０は、たとえばスパッタやＣＶＤなどより形成されたアルミニウムなどよりなる。

また、検査用配線３１〜３３は、ボンディングパッド１１〜１３の数に対応した数が設けられており、１個のボンディングパッド１１〜１３につき１個の検査用配線３１〜３３が対応して設けられている。なお、図１では、隣り合う検査用配線３１〜３３の識別を容易にするため、１個おきに実線、破線と変えて、検査用配線を示している。

すべての検査用配線３１〜３３は、その一端側が１個の共通する検査用パッド２０に接続されており、各々の検査用配線３１〜３３の他端側は、それぞれ対応するボンディングパッド１１〜１３に接続されている。つまり、１個の検査用パッド２０と複数個のボンディングパッド１１〜１３のそれぞれとの間は、検査用配線３１〜３３により結線され、電気的に接続されている。

また、各々の検査用配線３１〜３３の中間部は、それぞれ対応するボンディングパッド１１〜１３の直下部位、具体的にはボンディングパッド１１〜１３の直下の上記絶縁層内に配置されている。ここでは、図１に示されるように、ボンディングパッド１１〜１３の直下に位置する検査用配線３１〜３３の部分は、複数回折り返された形状とされている。また、検査用配線３１〜３３と各パッド１１〜１３，２０とは、上記絶縁層に設けられたスルーホールを介して接続される。

ここで、半導体基板１に形成されている各検査用配線３１〜３３のうち、検査用パッド２０に導通する一端側から延びる中間部が第１のボンディングパッド１１の直下部位に配置され、他端側が第１のボンディングパッド１１に導通するものを、第１の検査用配線３１とする。

また、各検査用配線３１〜３３のうち、検査用パッド２０に導通する一端側から延びる中間部が第２のボンディングパッド１２の直下部位に配置され、他端側が第２のボンディングパッド１２に導通するものを、第２の検査用配線３２とする。

さらに、第２の検査用配線３２においては、検査用パッド２０に導通する一端側と第２のボンディングパッド１２の直下部位に配置されている部位との間の部位が、第１のボンディングパッド１１の直下部位に配置されている。

そして、第１のボンディングパッド１１の直下部位では、第１の検査用配線３１および第２の検査用配線３２が並列するように配置されている。ここでは、両検査用配線３１、３２ともに複数回折り返された形状とされるとともに、互いに略平行となるように設けられている。

また、本実施形態では、第１の検査用配線３１、第２の検査用配線３２には、それぞれ、当該検査用配線側から検査用パッド２０側へ電流が流れるのを防止するダイオード４０が備えられている。

具体的には、ダイオード４０は、第１の検査用配線３１、第２の検査用配線３２のうちボンディング３１〜３３の直下部位に位置する部分と検査用パッド２０との間の部分に設けられている。

ここでは、第１の検査用配線３１、第２の検査用配線３２を含めてすべての検査用配線３１〜３３に、同じようにダイオード４０が設けられている。このダイオード４０は、上記回路素子と同様半導体基板１における半導体部分に形成され、スルーホールにより検査用配線３１〜３３と導通している。

このダイオード４０は、半導体装置の完成後、すなわち製品としての半導体装置の使用時などにおいて、両ボンディングパッド１１、１２間に電位差が発生したとき、第１および第２の検査用配線３１、３２のうち一方の検査用配線に導通するボンディングパッドから、検査用パッド２０を介して他方の検査用配線を通り、当該他方の検査用配線に導通するボンディングパッドへ、電流が流れるのを防止するものである。

次に、本半導体装置の製造方法について述べる。本半導体装置は、上記したように、通常の半導体プロセスにより、半導体基板１に上記各パッド１１〜１３、２０および検査用配線３１〜３３を形成することにより製造される。

次に、本製造方法では、ボンディングパッド１１〜１３にボンディングワイヤなどの上記接続部材を接続する。たとえば、ボンディングワイヤは、ボンディングパッド１１〜１３上に接触した状態で、荷重を加えつつ振動を印加することにより、当該パッドに接続される。

このとき、ボンディングパッド１１〜１３の下部に位置する基板内部、具体的には上記絶縁層には、接続時の荷重や振動により、クラックが発生し、絶縁層内の素子用配線やその下の回路素子がダメージを受ける恐れがある。そこで、本実施形態では、ボンディングパッド１１〜１３に検査用配線３１〜３３を配置し、当該ダメージによる検査用配線３１〜３３の電気特性の変化を測定することで当該ダメージの検出、すなわちダメージの検査工程を行うようにしている。

具体的に、本半導体装置においては、各ボンディングパッド１１〜１３と検査用パッド２０とを介して、各検査用配線３１〜３３の抵抗値を測定できるようになっている。この場合、ボンディングパッド１１〜１３側をマイナス極（またはＧＮＤ）、検査用パッド２０側をプラス極として当該測定を抵抗する。これにより検査用配線の断線が測定できる。

また、隣り合うボンディングパッドに電圧差を与え、漏れ電流を測定すれば、当該隣り合うパッドの一方の直下部位にて並列に配置されている検査用配線間の短絡を検出することができるようになっている。本実施形態では、これら抵抗や漏れ電流といった電気特性を測定することで、断線や短絡といったダメージのモードを検出するものである。

このようなダメージの検査工程は、ボンディングパッド１１〜１３への接続部材の接続の前および後に行う。本実施形態では、接続部材の第１のボンディングパッド１１への接続による第１のボンディングパッド１１の直下部位のダメージを検査する検査工程について、図２、図３を参照して述べる。

図２は、当該検査工程における断線モードの検出を説明するための概略平面図であり、図３は、当該検査工程における短絡モードの検出を説明するための概略平面図である。

まず、検査工程では、断線モードを検出する抵抗値測定工程を行う。この場合の断線モードは、第１のボンディングパッド１１の直下部位において、並列配置された第１および第２の検査用配線３１および３２のいずれか一方もしくは両方が、上記ダメージにより断線することである。図２では、第１のボンディングパッド１１の直下部位にて第１の検査用配線１１が断線した状態を示している。

そして、この抵抗値測定工程では、検査用パッド２０と第１のボンディングパッド１１とを介して第１の検査用配線３１の抵抗値である第１の抵抗値を測定するとともに、検査用パッド２０と第２のボンディングパッド１２とを介して第２の検査用配線３２の抵抗値である第２の抵抗値を測定する。

具体的には、検査用パッド２０側をプラス極として電圧を印加し、第１のボンディングパッド１１側、第２のボンディングパッド１２側をマイナス極（またはＧＮＤ）として、第１および第２の抵抗値を測定する。この両抵抗値の測定を第１のボンディングパッド１１への接続部材の接続前および接続後に行う。

そして、当該接続前の第１または第２の抵抗値に比べて、当該接続後の第１または第２の抵抗値が大きくなっていれば、第１または第２の検査用配線３１、３２がダメージを受け断線していると判定される。一方、当該接続の前後で、第１または第２の抵抗値に変化が無ければ、第１または第２の検査用配線３１、３２の断線が無いと判定され、当該断線については、ダメージが無いと判定される。

また、上記抵抗値測定工程とともに、検査工程では、短絡モードを検出する漏れ電流測定工程を行う。この場合の短絡モードは、第１のボンディングパッド１１の直下部位において、並列配置された第１および第２の検査用配線３１および３２同士が、上記ダメージにより接触し導通することである。図３では、第１のボンディングパッド１１の直下部位にて第１の検査用配線１１が断線した状態を示している。

そして、この漏れ電流測定工程では、第１のボンディングパッド１１と第２のボンディングパッド１２との間に電圧差を与え、漏れ電流の有無を測定する。

ここで、両検査用配線３１、３２への通電は、検査用パッド２０をプラス極、各ボンディングパッド１１、１２をマイナス極として通電を行うようにする。そして、この漏れ電流の測定を第１のボンディングパッド１１への接続部材の接続前および接続後に行う。

そして、当該接続前の漏れ電流が０の状態に比べて、当該接続後にて漏れ電流が発生していれば、第１のボンディングパッド１１の直下部位にて並列する第１および第２の検査用配線３１、３２同士が短絡していると判定され、当該接続前後で漏れ電流が発生しなければ、当該短絡は無いものと判定される。

そして、当該接続前後の各値の比較により、上記断線および上記短絡が無いと判定されれば、第１のボンディングパッド１１の直下部位のダメージが無いと判定し、上記断線および上記短絡のいずれか一方または両方が有ると判定されれば、当該ダメージが有ると判定する。

このように、本製造方法によれば、接続部材の第１のボンディングパッド１１への接続前および接続後に上記検査工程を行い、当該接続の前後における第１の抵抗値および第２の抵抗値の変化、および、当該接続の前後における漏れ電流の有無に基づいて、半導体基板１のうち第１のボンディングパッド１１の直下部位のダメージを検出するようにしている。

そして、上記検査工程の終了に伴い、上記ダメージが無いと判定された半導体装置については、製品として出荷される。以上が本実施形態の製造方法である。

このように、本実施形態によれば、２個の隣り合うボンディングパッド１１、１２のうち第１のボンディングパッド１１の直下部位のダメージを検出する場合に、第１のボンディングパッド１１自身および隣の第２のボンディングパッド１２を検査用パッドとして兼用できるから、適切にパッド数の増加を抑制しつつ当該ダメージを検出することができる。

また、本実施形態の半導体装置は、半導体基板１の内部にてボンディングパッド１１〜１３の直下部位に、当該半導体装置の特性を検査するための検査用配線３１〜３３が設けられており、検査用配線３１〜３３の一端側は、半導体基板１の一面に設けられた検査用パッド２０に導通し、検査用配線３１〜３３の他端側はボンディングパッド１１〜１３に導通している構成とされている。この場合、ボンディングパッド１１〜１３を検査用パッドとして兼用できるから、適切にパッド数の増加を抑制しつつボンディングパッド直下のダメージを検出することができる。

ここで、図４は、ボンディングパッド１１〜１３の直下部位にて並列配置される２個の検査用配線３１〜３３の配置パターンのバリエーションを示す概略平面図である。図４において、（ａ）は図４中の上下方向に折り返された上下蛇行、（ｂ）は左右方向に折り返された左右蛇行、（ｃ）は渦巻き形状の例を示す。このように種々の配置パターンが可能であり、また、この図４以外の配置も可能である。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、図１中の検査用パッド２０に最も近いボンディングパッド１１を第１のボンディングパッド１１、その隣のボンディングパッド１２を第２のボンディングパッドとし、図１中の検査用配線３１を第１の検査用配線３１、検査用配線３２を第２の検査用配線３２として、第１のボンディングパッド１１の直下部位のダメージを検出するようにしたが、隣り合うボンディングパッドであれば、第１および第２のボンディングパッドの組み合わせは、上記実施形態に限定されるものではない。

たとえば図１中の検査用パッド２０に２番目に近いボンディングパッド１２を第１のボンディングパッド１２とし、その隣の３番目に近いボンディングパッド１３を第２のボンディングパッド１３とし、当該第１のボンディングパッド１２の直下部位のダメージを検出するようにしてもよい。この場合、図１中の検査用配線３２を第１の検査用配線３２、検査用配線３３を第２の検査用配線３３とすることで、同様に検出が可能となる。

そして、上記図１において、検査用パッド２０側から１番目のボンディングパッド１１の直下部位のダメージについて、上記実施形態に示した検査工程により検出した後、次に、２番目のボンディングパッド１２、３番目のボンディングパッド１３についても、順次、同様の検査工程を行えば、その直下部位のダメージを検出できる。

さらに、ボンディングパッドがより多数（４個以上）の場合でも、隣り合うボンディングパッド同士で、上記実施形態同様の検査用配線の構成、検査方法を適用し、４番目、５番目・・・のボンディングパッドについて同様に検査工程を行えば、当該ダメージの検出が可能になることはもちろんである。

また、ボンディングパッドが複数の場合、検査工程の抵抗値測定工程においては、個別チェックでもよいし、全数チェックを行ってもよい。個別チェックの場合は、たとえば検査用パッド２０をプラス極としてこれに電圧を印加し、検査したいボンディングパッドをＧＮＤとし、他のボンディングパッドをオープンにすることで、検査したい検査用配線の抵抗値を測定する。

これに対して、全数チェックの場合は、たとえば検査用パッド２０をプラス極としてこれに電圧を印加し、すべてのボンディングパッドをＧＮＤとすることで、すべての検査用配線の抵抗値を一括して測定するようにする。

また、ボンディングパッドが複数ではなく、たとえば図１中のボンディングパッド１１の１個だけである場合でもよい。この場合、１個の検査用パッド２０は同様に必要であるが、検査用配線は検査用配線３１の１個だけでよい。

そして、この場合、検査用パッド２０とボンディングパッド１１を介して検査用配線３１の断線を測定すれば、ボンディングパッド１１の直下部位のダメージ検出が可能となる。そして、この場合もボンディングパッド１１が検査用パッドを兼用するので、パッド数の低減効果が発揮される。

また、第１の検査用配線３１、第２の検査用配線３２には、それぞれ、当該検査用配線側から検査用パッド２０側へ電流が流れるのを防止するダイオード４０が備えられていたが、このダイオード４０に代えて、トランジスタなどのスイッチング素子であってもよく、これによっても同様の効果が得られる。

１半導体基板
１１第１のボンディングパッド
１２第２のボンディングパッド
２０検査用パッド
３１第１の検査用配線
３２第２の検査用配線
４０ダイオード

Claims

接続部材が接続されるボンディングパッド（１１〜１３）を一面上に有する半導体基板（１）を備え、
前記ボンディングパッド（１１〜１３）は、前記半導体基板（１）の一面にて隣り合う第１のボンディングパッド（１１）と第２のボンディングパッド（１２）とよりなるものである半導体装置の製造方法であって、
前記接続部材の前記第１のボンディングパッド（１１）への接続による、前記半導体基板（１）のうち前記第１のボンディングパッド（１１）の直下部位のダメージを検査する検査工程を備えており、
前記半導体基板（１）の一面に１個の検査用パッド（２０）を形成し、
前記半導体基板（１）において、一端側が前記検査用パッド（２０）に導通し、前記検査用パッド（２０）から延びる中間部が前記第１のボンディングパッド（１１）の直下部位に配置され、他端側が前記第１のボンディングパッド（１１）に導通する第１の検査用配線（３１）を形成し、
前記半導体基板（１）において、一端側が前記検査用パッド（２０）に導通し、前記検査用パッド（２０）から延びる中間部が前記第１のボンディングパッド（１１）の直下部位にて前記第１の検査用配線（３１）と並列するように配置され、他端側が前記第２のボンディングパッド（１２）に導通する第２の検査用配線（３２）を形成し、
その後、前記検査工程では、前記検査用パッド（２０）と前記第１のボンディングパッド（１１）とを介して前記第１の検査用配線（３１）の抵抗値である第１の抵抗値を測定するとともに、前記検査用パッド（２０）と前記第２のボンディングパッド（１２）とを介して前記第２の検査用配線（３２）の抵抗値である第２の抵抗値を測定する抵抗値測定工程と、
前記第１のボンディングパッド（１１）と前記第２のボンディングパッド（１２）との間に電圧差を与え、漏れ電流の有無を測定する漏れ電流測定工程とを行うものであり、
前記接続部材の前記第１のボンディングパッド（１１）への接続前および接続後に前記検査工程を行い、当該接続の前後における前記第１の抵抗値および前記第２の抵抗値の変化、および、当該接続の前後における前記漏れ電流の有無に基づいて、前記半導体基板（１）のうち前記第１のボンディングパッド（１１）の直下部位のダメージを検出するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第１の検査用配線（３１）、前記第２の検査用配線（３２）には、それぞれ、当該検査用配線側から前記検査用パッド（２０）側へ電流が流れるのを防止するダイオード（４０）が備えられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。