JP2011014703A - 半導体集積回路装置、及び半導体集積回路装置のテスト方法 - Google Patents

Abstract

【課題】測定パターンに含まれる電極数を低減することのできる、半導体集積回路装置、及びそのテスト方法を提供する。
【解決手段】複数の第１チェーンと、複数の第２チェーンと、前記複数の第１チェーンの各々の一端に接続される、第１共通電極と、前記複数の第２チェーンの各々の一端に接続される、第２共通電極と、複数の選択電極とを具備する。前記複数の選択電極の各々は、前記複数の第１チェーンのうちのいずれかの他端と、前記複数の第２チェーンのうちの何れかの他端とに接続される。テスト対象チェーンが前記複数の第１チェーンの中から選ばれた場合に、前記第１共通電極には、第１基準電圧が印加され、前記第２共通電極には、第２基準電圧が印加され、前記複数の選択電極のうちで前記テスト対象チェーンに接続された対象選択電極には、前記第２基準電圧が印加され、前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値が求められる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体集積回路装置、及び半導体集積回路装置のテスト方法に関する。

半導体集積回路装置が知られている。半導体集積回路装置は、半導体チップを含んでいる。半導体チップには、複数の配線層、及び、複数の配線層間を接続するホール（ビアやコンタクトホール）が設けられる。加えて、半導体チップには、各配線層に形成された配線やホールの抵抗特性が所望のものであるか否かを確認するため、チェーン構造が搭載される。チェーン構造は、複数の配線層の各々に形成された配線と、それらを接続するホールとによって作成される。例えば、配線層が３層である場合、拡散層、第１層配線、第２層配線、第３層配線、第１層配線と拡散層とを接続する第１ビア、第１層配線と第２層配線とを接続する第２ビア、及び第２層配線と第３層配線とを接続する第３ビアにより、１本のチェーン構造を作成することができる。そして、そのチェーン構造の抵抗値を測定することにより、配線及びホールの抵抗値が所望のものであるか否かが確認される。

抵抗特性を確認する場合に、不具合が生じている配線層やビアが特定される必要がある。そのため、複数の配線層に対応して、複数のチェーン構造が形成される。各チェーン構造の抵抗特性を確認するために、各チェーン構造の両端に電極が設けられる。各チェーン構造の電極を探針することにより、各チェーン構造の抵抗特性が測定される。

一方、特許文献１（特開平６−２１６２０８）には、基板上方にｍ×ｎのマトリックス状に配置された複数のコンタクトホールと、コンタクトホールの同一行同士を一方の極側から結線するｍ本の第１層配線と、コンタクトホールの同一列同士を他方の極側から結線するｍ本の第２層配線とを備える集積回路のコンタクト抵抗測定器、が開示されている。

また、特許文献２（特開２００５−１１９７０）には、ゲートが信号線と接続され、ソース及びドレインのうちの一方が第１の配線と接続されたスイッチングトランジスタと、一の端子がスイッチングトランジスタのソース及びドレインのうちの他方と接続され、他の端子が第２の配線と接続された第１の抵抗素子とを備え、第１の抵抗素子は、少なくとも一つの電気的接続手段を含む、導体装置の評価装置が記載されている。

特開平６−２１６２０８号公報 特開２００５−１１９７０号公報

半導体集積回路装置に含まれる配線層の数は、増えつつある。多層配線構造では、各配線層やホールの抵抗値を測定するために、多くの測定パターンが必要とされる。そのため、レイアウト面積が増加しつつある。一例として、拡散層を第１層とした９層構造を有する半導体集積回路装置について考える。この場合、測定パターンとして、第１チェーン（拡散層、第２層配線、及び拡散層−第２層配線間のホール）、第２チェーン（第２層配線、第３層配線、及び第２層配線−第３層配線間のビア）、・・・及び第８チェーン（第８層配線、第９層配線、及び第８層配線−第９層配線間のビア）が必要になる。すなわち、８種類の測定パターンが必要になる。これにより、測定パターンが占めるレイアウト面積が増加してしまう。従って、高集積化が困難になる。また、各チェーンの両端に電極を設けた場合、合計で１６個の電極が必要になる。すなわち、電極数も増加してしまう。半導体集積回路装置に配置できる電極数には制限がある。測定用の電極数が増えれば、製品回路に使用することのできる電極の数が減ってしまう。それによって、製品設計への影響が大きくなる。

特許文献１（特開平０６−２１６２０８）では、コンタクトがマトリックス状に配置される。従って、単位面積にあたりに配置することのできるコンタクト数に制限が生じる。また、各コンタクトから引き出される各配線に電極が必要であるため、電極数を低減できない、という問題点がある。

また、特許文献２（特開２００５−１１９７０）では、被測定素子領域の他に、選択回路やスイッチングトランジスタおよび、それらと被測定素子を接続する配線領域が必要になってしまう。従って、レイアウト面積が増加してしまう、という問題点は解決されない。

本発明に係る半導体集積回路装置は、複数の第１チェーンと、複数の第２チェーンと、前記複数の第１チェーンの各々の一端に接続される、第１共通電極と、前記複数の第２チェーンの各々の一端に接続される、第２共通電極と、複数の選択電極とを具備する。前記複数の選択電極の各々は、前記複数の第１チェーンのうちのいずれかの他端と、前記複数の第２チェーンのうちの何れかの他端とに接続される。前記複数の第１チェーンの中からテスト対象チェーンが選ばれた場合に、前記第１共通電極には、第１基準電圧が印加され、前記第２共通電極には、第２基準電圧が印加され、前記複数の選択電極のうちで前記テスト対象チェーンに接続された対象選択電極には、前記第２基準電圧が印加される。前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値が求められる。

この発明によれば、第１共通電極及び第２共通電極により、複数のチェーンの電極を共通化することができる。その結果、電極数を減らすことができ、レイアウト面積を低減することができる。

本発明に係る半導体集積回路装置のテスト方法は、複数の第１チェーンの各々の一端に、第１基準電圧を印加するステップと、複数の第２チェーンの各々の一端に、第２基準電圧を印加するステップと、前記複数の第１チェーンの中からテスト対象チェーンを選択するステップと、前記テスト対象チェーンの他端と前記複数の第２チェーンの何れかの他端とに接続された対象選択電極に、前記第２基準電圧を印加するステップと、前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値を求めるステップとを具備する。

本発明によれば、測定パターンに含まれる電極数を低減することのできる、半導体集積回路装置、及びそのテスト方法が提供される。

第１の実施形態に係る半導体集積回路装置の概略図である。 チェーンと配線層との関係を示す模式図である。 各チェーンの構成を示す模式図である。 第１の実施形態に係る半導体集積回路装置を示す回路図である。 第２の実施形態に係る半導体集積回路装置を示す回路図である。

（第１の実施形態）
以下に、図面を参照しつつ、本発明の第１の実施形態について説明する。

図１は、本実施形態に係る半導体集積回路装置１０の概略図を示している。図１に示されるように、半導体集積回路装置１０は、図示しない基板上に形成された複数層（本実施形態では８層とする）のチェーン１−１〜１−８、第１共通電極２、第２共通電極３、及び複数（４つ）の選択電極４（４−１〜４−４）を有している。また、半導体集積回路装置１０には、第１領域と第２領域とが設定されている。

複数層のチェーン１−１〜１−８のうち、奇数番目（２ｎ−１番目；ｎは正の整数）のチェーン（１−１、１−３、１−５、１−７）は、第１領域上に積層されている。チェーン（１−１、１−３、１−５、１−７）の各々は、以下、第１チェーンと呼ばれる。一方、偶数番目（２ｎ番目）のチェーン（１−２、１−４、１−６、１−８）は、第２領域上に積層されている。チェーン（１−２、１−４、１−６、１−８）の各々は、以下、第２チェーンと呼ばれる。

図２は、チェーンと配線層との関係を示す模式図である。図２に示されるように、基板上に、９層の配線層が形成されている。９層の配線層のうちの一層目は、拡散層であるものとする。各配線層には、配線パターン５（５−１〜５−９）が形成されている。また、基板上には、各配線層間で配線パターン５同士を接続する、ホール６（６−１〜６−８）が形成されている。各第１チェーン（１−１、１−３、１−５、１−７）は、（２ｎ−１）層目の配線層に形成された配線パターン５（第（２ｎ−１）配線パターン）、２ｎ層目の配線層に形成された配線パターン５（第２ｎ配線パターン）、及び第（２ｎ−１）配線パターンと第２ｎ配線パターンとを接続するホール６（第（２ｎ−１）ホール）、により形成される。例えば、第１チェーン１−１は、配線層１−１（拡散層）に形成された配線パターン５−１、配線層１−２に形成された配線パターン５−２、及び配線パターン５−１と配線パターン５−２とを接続するホール６−１（コンタクトホールとも呼ばれる）によって形成される。一方、各第２チェーン（１−２、１−４、１−６、１−８）は、第２ｎ層目に形成された配線パターン５（第（２ｎ）配線パターン）、（２ｎ＋１）層目の配線層に形成された配線パターン５（第（２ｎ＋１）配線パターン）、及び第２ｎ配線パターンと第（２ｎ＋１）配線パターンとを接続するホール６（第２ｎホール）、により形成される。２〜８層目には、第１領域と第２領域との双方に配線パターンが形成されている。例えば、第１チェーン１−１は、拡散層に形成されたパターン５−１、２層目に形成された配線パターン５−２のうち第１領域に設けられた部分、及びこれらを接続するホール６−１により形成される。

図３は、各チェーンの構成を示す模式図である。図３には、第１チェーンの構成が模式的に示されている。図３に示されるように、各チェーンは、下層配線、上層配線、及びこれらを接続するホールにより形成される。例えば、第１チェーン１−３は、下層配線としての配線層５−３、上層配線としての配線層５−４、及び配線層５−３と配線層５−４との間を接続する少なくとも一つのビア６−３、により形成される。同様に、第１チェーン１−５は、下層配線としての配線層５−５、上層配線としての配線層５−６、及び配線層５−５と配線層５−６との間を接続する少なくとも一つのビア６−５、により形成される。第１チェーン１−７は、下層配線としての配線層５−７、上層配線としての配線層５−８、及び配線層５−７と配線層５−８との間を接続する少なくとも一つのビア６−３、により形成される。

再び図１を参照する。第１共通電極２は、複数の第１チェーン（１−１、１−３、１−５、１−７）に共通の電極である。すなわち、第１共通電極２は、複数の第１チェーンそれぞれの一端に接続されている。第２共通電極３は、複数の第２チェーン（１−２、１−４、１−６、１−８）に共通の電極である。第２共通電極３は、複数の第２チェーンそれぞれの一端に接続されている。

複数の選択電極４の各々は、複数の第１チェーンの何れかの他端と、複数の第２チェーンの何れかの他端とに接続されている。すなわち、選択電極４−１は、第１チェーン１−１の他端と、第２チェーン１−２の他端とに接続されている。選択電極４−２は、第１チェーン１−３の他端と、第２チェーン１−４の他端とに接続されている。選択電極４−３は、第１チェーン１−５の他端と、第２チェーン１−６の他端とに接続されている。選択電極４−４は、第１チェーン１−７の他端と、第２チェーン１−８の他端とに接続されている。

図１に示されるように、第１共通電極２、第２共通電極３、及び各選択電極４には、測定装置１１が接続されている。測定装置１１は、これらの電極に、所定の電圧を印加する。

上述のような構成を有する半導体集積回路装置１０は、図４に示される回路図により表現できる。尚、図４において、測定装置１１の図示は省略されている。

図４を参照しつつ、本実施形態に係る半導体集積回路装置１０のテスト方法について説明する。

まず、テスト対象チェーンとして、第１チェーン１−７を選択する。測定装置１１により、第１共通電極２及び選択電極４−４（対象選択電極）以外の電極に、第１基準電圧を印加する。すなわち、第２共通電極３、選択電極４−１〜４−３に、第１基準電圧として、正電圧を印加する。

次に、測定装置１１により、第１共通電極２に、第２基準電圧として、グランド電圧を印加する。

続いて、測定装置１１により、対象選択電極４−４に、第１基準電圧を印加する。そして、測定装置１１により、対象選択電極４−４に流れる電流が測定される。このとき、第２共通電極３及び選択電極４−１〜４−３は、対象選択電極４−４と同電位である。従って、対象選択電極４−４からは、第１共通電極２以外の方向には、電流が流れない。すなわち、対象選択電極４−４に流れる電流は、対象選択電極４−４から第１チェーン１−７を介して第１共通電極２に流れる電流である。従って、測定された電流値と、第１基準電圧とに基づいて、第１チェーン１−７の抵抗値を求めることができる。

第１チェーン１−７の測定が終了した後、第１チェーン１−５の測定を行う。測定装置１１により、第１共通電極２及び選択電極４−３（対象選択電極）以外の電極に、第１基準電圧を印加する。次いで、測定装置１１により、第１共通電極２にグランド電圧を印加する。そして、対象選択電極４−３に第１基準電圧を印加し、このとき対象選択電極４−３に流れる電流を測定する。このとき、対象選択電極４−３に流れる電流は、対象選択電極４−３から第１チェーン１−５を介して第１共通電極２に流れる電流である。従って、測定された電流値と、第１基準電圧とに基づいて、第１チェーン１−５の抵抗値を計算することができる。

以下、同様にして、他の第１チェーン（１−１、１−３）の抵抗値が測定される。

次いで、第２チェーン１−８の抵抗値が測定される。測定装置１１により、第２共通電極３及び選択電極４−４（対象選択電極）以外の電極に、第１基準電圧が印加される。次いで、測定装置１１により、第２共通電極３にグランド電圧（第２基準電圧）が印加される。次いで、測定装置１１により、対象選択電極４−４に第１基準電圧が印加され、対象選択電極４−４に流れる電流が測定される。このとき、対象選択電極４−４に流れる電流は、第２チェーン１−８を流れる電流である。従って、測定された電流値に基づいて、第２チェーン１−８の抵抗値を計算することができる。以下、同様にして、他の第２チェーン（１−２、１−４、１−６）の抵抗値が測定される。

以上のようなテスト方法により、各チェーンの抵抗値を求めることができる。

ここで、本実施形態では、テスト時に使用される電極の数を減らすことができる。本実施形態との比較のために、８個のチェーンの両端に接続される電極を、別々に設ける場合について考える。この場合、テスト用の電極として、１６個の電極が必要となる。これに対して、本実施形態では、テスト用の電極は、６個（第１共通電極、第２共通電極、選択電極４−１〜４−４）でよい。すなわち、電極数の約６３％を削減することができる。拡散層に加えてｋ層の配線層が積層された半導体集積回路装置の場合、本実施形態を採用することで、以下に示される数の電極数を削減することができる。ｋが偶数の場合、「｛１−（ｋ÷２＋２）÷（ｋ×２）｝×１００（％）」の電極数を削減できる。ｋが奇数の場合、「｛１−（ｋ÷２＋２．５）÷（ｋ×２）｝×１００（％）」の電極数を削減できる。このように、配線総数が多くなるほど、本実施形態による電極数低減効果が大きくなる。

また、本実施形態では、複数の第１チェーンが第１領域上に積層され、複数の第２チェーンが第２領域上に積層される。複数のチェーンを重ならないように配置した場合と比べて、チェーンのレイアウト面積を７５％ほど削減できる。拡散層に加えてｋ層の配線層が積層された半導体集積回路装置の場合、本実施形態を採用することで、「（１−２÷ｋ）×１００（％）」のレイアウト面積を削減することができる。配線層数が多い半導体集積回路装置ほど、本実施形態によるレイアウト面積低減効果が大きくなる。

尚、本実施形態では、各第１チェーンの抵抗値をテストした後に、各第２チェーンの抵抗値をテストする場合について説明した。但し、テストを行う順番は限定されるものではなく、任意の順番にテストを行うことができる。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態に対して、選択電極４の数、及び選択電極４とチェーン構造との接続関係とが、変更されている。その他の点については、第１の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

図５は、本実施形態に係る半導体集積回路装置１０を示す回路図である。図５に示されるように、本実施形態では、２個の選択電極（４−５、４−６）が用いられる。また、第１チェーン１−１及び第１チェーン１−３によって、第１チェーングループ７−１が形成されている。同様に、第１チェーン１−５及び第１チェーン１−７によって、第１チェーングループ７−２が形成されている。第２チェーン１−２及び第２チェーン１−４によって、第２チェーングループ８−１が形成されている。第２チェーン１−６及び第２チェーン１−８によって、第２チェーングループ８−２が形成されている。

選択電極４−５は、第１チェーングループ７−１の他端、及び第２チェーングループ８−１の他端に接続されている。選択電極４−６は、第１チェーングループ７−２の他端、及び第２チェーングループ８−２の他端に接続されている。

ついで、本実施形態に係る半導体集積回路装置１０のテスト方法について説明する。本実施形態では、複数のチェーングループの中から、テスト対象チェーングループが選ばれる。まず、第１チェーングループ７−２が、テスト対象チェーンとして選ばれた場合について考える。

尚、第１チェーングループ７−２において、第１チェーン１−７の抵抗設計値は、第１チェーン１−５の抵抗設計値に比べ十分に大きいものとする。また、これらの差は、測定精度や抵抗特性ばらつきよりも、十分に大きいものとする。加えて、第１チェーングループ７−２の合成抵抗値と第１チェーン１−７の抵抗設計値との差も、同様に、十分に大きいものとする。さらに、その合成抵抗値と第１チェーン１−５の抵抗設計値との差も、十分に大きいものとする。ここでは、一例として、第１チェーン１−７の抵抗設計値が２０Ωであり、第１チェーン１−５の抵抗設計値が１０Ωである場合について説明する。

まず、測定装置１１により、第１共通電極２と選択電極４−６（対象選択電極）以外の電極（すなわち、第２共通電極３、選択電極４−５）に、第１基準電圧を印加する。次に、測定装置１１により、第１共通電極２を接地する（第２基準電圧としてグランド電圧を印加する）。

そして、対象選択電極４−６に第１基準電圧を印加し、対象選択電極４−６に流れる電流１を測定する。この際、対象選択電極４−６に流れる電流は、第１チェーングループ７−２を介して、第１共通電極２の方向に流れる電流である。従って、測定された電流値と第１基準電圧とに基づいて、第１チェーングループ７−２の合成抵抗値を求めることができる。第１チェーングループ７−２に含まれる２つのチェーンが共に正常であれば、合成抵抗値として、６．７Ωが計算される。一方、第１チェーン１−７が断線している場合には、合成抵抗値として、１０Ωが計算される。また、第１チェーン１−５が断線した場合、合成抵抗値として、２０Ωが計算される。従って、計算された合成抵抗値に基づいて、異常（断線）が生じたチェーンを特定することができる。

以下、同様に、他のテスト対象チェーングループについても、同様に、合成抵抗値が計算され、チェーンのテストが行われる。これにより、８個のチェーンのそれぞれについて、抵抗値に異常が発生しているか否かを確認することができる。

本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。加えて、本実施形態では、選択電極４の数を更に削減することができる。すなわち、８種類のビアチェーンが存在する場合に、電極数を、１６本から４本に低減できる（約７５％の削減）。拡散層に加えてｋ層の配線層が積層された半導体集積回路装置の場合、本実施形態を採用することで、以下のように、電極数を削減することができる。ｋが１〜４の場合、「｛１−３÷（ｋ×２）｝×１００（％）」の電極数が削減される。ｋが５〜８の場合、「｛１−４÷（ｋ×２）｝×１００（％）」の電極数が削減される。ｋが９〜１２の場合、「｛１−５÷（ｋ×２）｝×１００（％）」の電極数が削減される。このように、配線層数が多い半導体集積回路装置ほど、本実施形態による電極数の低減効果が大きくなる。

１−１、１−３、１−５、１−７ 第１チェーン
１−２、１−４、１−６、１−８ 第２チェーン
２ 第１共通電極
３ 第２共通電極
４−１〜４−６ 選択電極
５−１〜５−９ 配線パターン
６−１〜６−８ ビア
７−１、７−２ 第１チェーングループ
８−１、８−２ 第２チェーングループ
１０ 半導体集積回路装置
１１ 測定装置

Claims (11)

1. 複数の第１チェーンと、
   複数の第２チェーンと、
   前記複数の第１チェーンの各々の一端に接続される、第１共通電極と、
   前記複数の第２チェーンの各々の一端に接続される、第２共通電極と、
   複数の選択電極と、
   を具備し、
   前記複数の選択電極の各々は、前記複数の第１チェーンのうちのいずれかの他端と、前記複数の第２チェーンのうちの何れかの他端とに接続され、
   テスト対象チェーンが前記複数の第１チェーンの中から選ばれた場合に、
   前記第１共通電極には、第１基準電圧が印加され、
   前記第２共通電極には、第２基準電圧が印加され、
   前記複数の選択電極のうちで前記テスト対象チェーンに接続された対象選択電極には、前記第２基準電圧が印加され、
   前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値が求められる
   半導体集積回路装置。
2. 請求項１に記載された半導体集積回路装置であって、
   前記複数の第１チェーンは、第１領域上に積層されており、
   前記複数の第２チェーンは、第２領域上に積層されている
   半導体集積回路装置。
3. 請求項１又は２に記載された半導体集積回路装置であって、
   前記テスト対象チェーンが前記複数の第２チェーンの中から選ばれた場合に、
   前記第１共通電極には、前記第２基準電圧が印加され、
   前記第２共通電極には、前記第１基準電圧が印加され、
   前記複数の選択電極のうちで前記テスト対象チェーンに接続された対象選択電極には、前記第２基準電圧が印加され、
   前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値が求められる
   半導体集積回路装置。
4. 請求項３に記載された半導体集積回路装置であって、
   前記複数の第１チェーンと前記複数の第２チェーンとは、積層方向において交互となるように配置されている
   半導体集積回路装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載された半導体集積回路装置であって、
   前記複数の第１チェーン及び前記複数の第２チェーンは、積層された複数の配線層の一部により形成され、
   前記各第１チェーンは、（２ｎ−１）層目（ｎは正の整数）の配線層に形成された第（２ｎ−１）配線パターン、（２ｎ）層目の配線層に形成された第２ｎ配線パターン、及び前記第（２ｎ−１）配線パターンと前記第２ｎ配線パターンとを接続する第（２ｎ−１）ホールにより形成され、
   前記各第２チェーンは、前記第２ｎ配線パターン、（２ｎ＋１）層目の配線層に形成された第（２ｎ＋１）配線パターン、及び前記第２ｎ配線パターンと前記第（２ｎ＋１）配線パターンとを接続する第２ｎホールにより形成される
   半導体集積回路装置。
6. それぞれが複数の第１チェーンを備える、複数の第１チェーングループと、
   それぞれが複数の第２チェーンを備える、複数の第２チェーングループと、
   前記複数の第１チェーングループの各々の一端に接続される、第１共通電極と、
   前記複数の第２チェーングループの各々の一端に接続される、第２共通電極と、
   複数の選択電極と、
   を具備し、
   前記複数の選択電極の各々は、前記複数の第１チェーングループのうちのいずれかの他端と、前記複数の第２チェーングループのうちの何れかの他端とに接続され、
   テスト対象チェーンが前記複数の第１チェーングループの中から選ばれた場合に、
   前記第１共通電極には、第１基準電圧が印加され、
   前記第２共通電極には、第２基準電圧が印加され、
   前記複数の選択電極のうちで前記テスト対象チェーングループに接続された対象選択電極には、前記第２基準電圧が印加され、
   前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーングループの抵抗値が求められる
   半導体集積回路装置。
7. 複数の第１チェーンの各々の一端に、第１基準電圧を印加するステップと、
   複数の第２チェーンの各々の一端に、第２基準電圧を印加するステップと、
   前記複数の第１チェーンの中からテスト対象チェーンを選択するステップと、
   前記テスト対象チェーンの他端と前記複数の第２チェーンの何れかの他端とに接続された対象選択電極に、前記第２基準電圧を印加するステップと、
   前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値を求めるステップと、
   を具備する
   半導体集積回路装置のテスト方法。
8. 請求項７に記載された半導体集積回路装置のテスト方法であって、
   前記複数の第１チェーンは、第１領域上に積層されており、
   前記複数の第２チェーンは、第２領域上に積層されている
   半導体集積回路装置のテスト方法。
9. 請求項７又は８に記載された半導体集積回路装置のテスト方法であって、
   前記複数の第１チェーンと前記複数の第２チェーンとは、積層方向において交互となるように配置されている
   半導体集積回路装置のテスト方法。
10. 請求項７乃至９のいずれかに記載された半導体集積回路装置のテスト方法であって、
    前記複数の第１チェーン及び前記複数の第２チェーンは、積層された複数の配線層の一部により形成され、
    前記各第１チェーンは、（２ｎ−１）層目（ｎは正の整数）の配線層に形成された第（２ｎ−１）配線パターン、（２ｎ）層目の配線層に形成された第２ｎ配線パターン、及び前記第（２ｎー１）配線パターンと前記第２ｎ配線パターンとを接続する第（２ｎ−１）ホールにより形成され、
    前記各第２チェーンは、前記第２ｎ配線パターン、（２ｎ＋１）層目の配線層に形成された第（２ｎ＋１）配線パターン、及び前記第２ｎ配線パターンと前記第（２ｎ＋１）配線パターンとを接続する第２ｎホールにより形成される
    半導体集積回路装置のテスト方法。
11. それぞれが複数の第１チェーンを備える複数の第１チェーングループの各々の一端に、第１基準電圧を印加するステップと、
    それぞれが複数の第２チェーンを備える複数の第２チェーングループの各々の一端に、第２基準電圧を印加するステップと、
    前記複数の第１チェーングループの中からテスト対象チェーングループを選択するステップと、
    前記テスト対象チェーングループの他端と前記複数の第２チェーングループの何れかの他端とに接続された対象選択電極に、前記第２基準電圧を印加するステップと、
    前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーングループの抵抗値を求めるステップと、
    を具備する
    半導体集積回路装置のテスト方法。

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