JP3555922B2 - フォールトトレラントアーキテクチャ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、アクティブマトリックス液晶表示装置(AMLCD)の駆動回路に用いられ得るフォールトトレラント回路構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近、薄膜トランジスタを用いてガラス基板上に集積回路を製造することにかなりの関心が寄せられている。このような関心の主な理由は、AMLCDの駆動回路を表示装置自体のガラス基板上に集積させたいという願望である。しかし、このような制御回路の集積は、集積された駆動回路内の欠陥により製造歩留りの低下を招くことにもなり得る。このような集積駆動回路は、面積が大きいため、および薄膜トランジスタの特性の本来的な変動のため、故障しやすい。トランジスタの閾値電圧および移動度などのパラメータの変動は、特定のトランジスタが同じ回路内の隣接するトランジスタの性能と整合しないために生じるソフト故障として明らかになることが多い。これらの理由により、フォールトトレラント回路設計は、集積駆動回路を有する表示装置の歩留りを上げるためにAMLCDに適用される場合にも、また薄膜エレクトロニクスの他の大面積への適用の場合にも、ますます重要になっている。
【0003】
多くのフォールトトレラント設計方法が既に知られている。修復付き冗長(RWR)は、基本機能回路を複製すること、および製造後にこれら機能回路のうちの1つが欠陥であると分かる場合に修復を行う手段を用いることを包含する。米国特許第5,111,060号(日本電気株式会社)およびY. TakafujiらのSID 93 Digest、383〜386頁は、RWR法のAMLCDへの適用を開示している。さらに、添付図面の図1は、AMLCDの周辺回路のためのRWR回路構成を示す。この回路構成では、多くの基本機能回路が複製されて、シフトレジスタ要素対1、1a;2、2a;3、3aなどを形成する。スペアシフトレジスタ要素1、2、3などは、溶接パッド4および5によって関連する回路入出力間に接続され、切断パッド6および7によって関連する回路入出力間に接続されたシフトレジスタ要素1a、2a、3aなどと並列に接続されている。従って、切断パッド6および7をレーザ照射することにより要素1aなどの欠陥シフトレジスタ要素を回路から完全に除去し、溶接パッド4および5によって要素1などのシフトレジスタ要素を代わりに溶接接続する準備がなされている。RWR法は、有意の欠陥許容性を提供し得ると共に、妥当なオーバーヘッドを有し、また回路性能への有害な影響は無視し得る程度である一方で、多くの適用では、このような方法の低レベル試験および修復工程は費用が掛かり過ぎるため、製造プロセスに組み込むことができない。
【0004】
添付図面の図2に示すように、三重モジュール冗長(TMR)は、基本機能回路を3倍に複製し、回路10、11および12の出力を共通ボーティング回路13に接続して、回路10、11および12の出力の多数決に対応する出力を生成することを包含する。このようは方法は、C. BolchiniらのIEEE International Symposium on Circuits and Systems 1994、83〜86頁、およびA.A. Sorenson、「Digital circuit reliability through redundancy」、Electro−Technology, 68,July 1961、118〜125頁に記載されている。このような方法は、回路10、11および12を共通ORゲートを駆動する3つのANDゲートに接続することによって実現され得ることは理解されよう。このような構成は、3つの回路10、11および12のうちのいずれか1つに欠陥がある場合には許容性がある。しかし、さらに別の欠陥がある場合にこのような構成がこれらの欠陥を許容する確率は少ししかない。さらに、この方法は、3倍の回路の配備および関連する決定ロジックによってコストが高くなる。その上、3つの並列回路によって与えられる負荷の上乗せおよび決定ロジックを通るための遅延の結果として、正しく機能する非冗長回路に比べて、性能は電力消費および速度の点でかなり劣る。これらの理由により、TMR法は、高速で動作する必要がある本質的に簡単な複製回路であるAMLCDの決定回路にとっては実用的ではない。
【0005】
文献ではそれほど注目を浴びていない別の方法として、R. Kuenの「Computer redundancy: design, performance and future」、IEEE Transactions on Reliability、第R−18巻,第1号, 1969年2月、3〜11頁において引用されている方法などの、4重マスキング(QM)がある。添付図面の図4(a)に概略的に示すように、QM法は、4つの基本機能回路15、16、17および18を、回路15および16ならびに回路17および18がそれぞれ順列に接続され、そして回路対15、16および17、18が2つの並列経路において共通の入出力間で接続されるように接続することを包含する。このようは方法はTMR法よりかなり確実であり、回路の少なくとも2つが故障しない限りこの構成は故障しない。図4(a)に点線で示す接続19は、開の状態(非伝導)で動かなくなるおよび閉の状態(伝導)で動かなくなるという欠陥が生じる相対的な確率に従って形成され得る。その構成が開の状態で動かなくなる欠陥を生じ易い場合は、接続19は、その構成に別の経路を与えるために形成される。この方法は非常に確実ではあるが、薄膜MOSの実装には僅かな面積しか必要ないため、このタイプのロジックにより構成される回路構成は、非冗長の回路構成より速度がかなり低く、また消費電力が高い。
【0006】
米国特許第5,465,053号は、図3(a)に概略的に示すように、AMLCDを駆動する回路構成を開示している。この構成は、それぞれn個のステージ72を有するN/n個の短いシフトレジスタ70および71に分割されたNステージよりなる複製シフトレジスタを備えている。これらの短いシフトレジスタはk倍(図ではk=2)に複製されている。従って、回路構成は、それぞれが長さnのk個の非冗長レジスタよりなるN/n個のバンクを備えている。さらに、シフトレジスタ70、71のそれぞれの最終ステージ72の出力は、試験手順を実行する各バンクの端部の試験/制御回路73への入力を形成し、この回路でこれらの入力は試験信号と比較され、どのレジスタが正しく機能しているかが決定される。さらに、シフトレジスタ70、71のステージ72からの出力は、k入力マルチプレクサ74およびドライバ回路75によってアクティブマトリックスに接続される。動作においては、試験/制御回路73は、レジスタ70、71のうちのいずれが正しく機能しているかを決定し、レジスタ70、71のうちの正しく働いている適切な方を選択し、これにより、選択されたレジスタのステージ72からの出力がドライバ回路75に供給されるようにマルチプレクサ74を制御することによってAMLCDのアドレッシングを行う。
【0007】
このタイプの冗長の効率性は、ドライバ回路からのN個の出力すべてが正しいという確率であり、これは、各トランジスタが、fに等しい故障(開の状態で動かなくなる場合または閉の状態で動かなくなる場合)確率を有する簡単なデジタルスイッチとして機能すること、バンク内のある行のいずれかのシフトレジスタステージが故障するとその行全体が故障したとみなされること、特定のバンク内のサポート回路内に欠陥があるとそのバンク全体が故障したとみなされること、およびバンクが故障すると回路構成全体が故障したとみなされることを仮定する分析によって示すことができる。ここで、サポート回路は、それぞれが従来の非冗長TFT回路を備えている試験/制御回路73および関連するマルチプレクサ74の組み合わせを含むと見なされる。
【0008】
これらの仮定により、以下の確率が計算され得る。
【0009】
1個のトランジスタが正しく働く確率は以下の通りである。
【0010】
【数1】
P(TOK)=1−f=g
t個のトランジスタを有する1個のラッチに欠陥がない確率は以下の通りである。
【0011】
【数2】
P(LatchOK)=gt=l
n個のこのようなラッチよりなるレジスタに欠陥がない確率は以下によって与えられる。
【0012】
【数3】
P(RegOK)=ln=r
従って、バンク内のk個の行のうちのすくなくとも1つの行が正しく機能する確率は以下によって与えられる。
【0013】
【数4】
P(RowOK)=1−(1−r)k=R
それぞれがm個のトランジスタを有するn個のk入力マルチプレクサ74すべてが働く確率は以下によって与えられる。
【0014】
【数5】
P(MultOK)=gnkm=M
s個のトランジスタを含む試験/制御回路34に欠陥がない確率は以下によって与えられる。
【0015】
【数6】
P(ControlOK)=gs=C
従って、各バンクは以下の正しく機能する確率を有する。
【0016】
【数7】
P(BankOK)=P(RowOK)×P(ControlOK)×P(MultOK)=RCM
最後に、N/n個のこのようなバンクを含む回路構成全体の歩留りは以下によって与えられる。
【0017】
【数8】
P(DriverOK)=(RCM)N/n
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
図3(b)は、トランジスタ故障率f=0.01%、列数N=800、各ラッチのトランジスタ数が6、試験/制御回路73内のトランジスタ数が17(k=2)、そして各マルチプレクサ74内のトランジスタ数が1である典型的な回路構成において、各バンク内のステージ数nおよび各バンク内の重複レジスタ数kの関数として表された回路構成全体の歩留りを示す。このグラフから、米国特許第5,465,053号の冗長回路構成には多くの制約があり、これにより、このような構成の回路が複雑であることも加えて、ほとんどの適用において採用の正当性がなくなることは明らかである。図示するように、対応する非冗長回路構成の歩留り約61%と比べて、米国特許第5,465,053号の回路構成で得られる最大歩留りは約82%(k=2およびn=50のとき)であるが、これと引き替えに回路複雑度が非常に高くなる。さらに、サポート回路内の欠陥は歩留り全体に有意の衝撃を与えるため、各バンク内の行数を増やすことによる利点はほとんどない。さらに、試験/制御回路73はマルチプレクサ74の動作が正しいかどうかの試験を行わない。
【0019】
本発明の1つの目的は、特に欠陥に対する許容性を有する一方で、速度および電力消費に関して非冗長回路構成の性能を実質的に維持する回路構成を提供することである。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、並列接続され、それぞれが入力と検証出力を含む複数の出力とを有する、複数の複製された非冗長機能回路と、各回路の該入力に与えられる入力信号に応答して該回路の該検証出力から出力される検証信号を検出し、該検証信号を基準信号と比較して該回路内に欠陥が存在するかどうかを決定し、そして該試験された回路のうちから、対応する該検証信号によって欠陥がないことが示される回路を機能動作のために選択する試験/制御回路手段とを備え、該試験/制御回路手段は、該試験/制御回路手段に欠陥に対する許容性を与えるためにマスキング冗長を組み込んだ回路要素を備えている、フォールトトレラント回路構成が提供される。
【0021】
このような回路構成は、標準的なフォールトトレラントではない等価の回路と実質的に同様の速度および電力消費で動作する自己適応フォールトトレラントデジタル回路アーキテクチャを提供し、また(機能回路自体のためには標準的な非冗長ロジックを用いる一方で)機能回路の自己試験およびパワー制御を行うために信頼性の高い4重マスキングロジックを利用して実現され得る。従って、この回路構成は、AMLCDの集積フォールトトレラント駆動回路の実現に特に適している。
【0022】
1つの好適な実施態様では、前記機能回路のそれぞれは、入力信号を受け取るイネーブル入力と、機能出力信号を出力する複数の並列のシフト出力とを有するシフトレジスタである。好ましくは、前記検証出力は、各シフトレジスタの前記シフト出力のうちの1つによって構成される。さらに、前記試験/制御回路手段は、前記回路からの前記検証信号を連続して検出し、対応する該検証信号によって欠陥がないことが示される試験された第1の回路を機能動作のために選択するように構成され得る。
【0023】
便宜的には、前記試験/制御回路手段は、対応する前記検証信号が前記回路内に欠陥が存在することを示す場合には、該回路にディスエーブル信号を与え、連続する次の回路にイネーブル信号を与えるように構成され得る。また、検証署名生成器が配備されて、入力信号を受け取ると前記基準信号を供給するようにしてもよい。
【0024】
前記試験/制御回路手段は、前記複数の回路に数において対応する複数のステージを有し、該回路のうちの1つに欠陥がないことが示されるまで、該回路に連続してイネーブル信号を与えるようにクロック化されるシフトレジスタを備えてもよい。さらに、前記試験/制御回路手段は、前記回路にパワーを供給するために該回路にイネーブル信号を与え、該回路によって出力される対応する前記検証信号が該回路内に欠陥が存在することを示す場合には、該回路へのパワーを遮断するように構成され得る。この場合には、前記回路の前記出力はORゲートに接続され、前記選択された回路の出力に依存し他の回路からは独立した出力信号を提供するようにしてもよい。
【0025】
好ましくは、前記試験/制御回路手段は、4個の複製された回路要素を備えた4重マスキング(QM)回路アーキテクチャを有し、該回路要素は、2つの要素対が並列に接続され、各対の要素は直列に接続されるように接続されている。最も好ましくは、前記回路要素の一方の対の2つの回路要素間の相互連結ポイントと、該回路要素の他方の対の2つの回路要素間の相互連結ポイントとの間に、該相互連結ポイント間の伝導を制御するために制御要素が接続される。
【0026】
前記制御要素はMOSFETであってもよい。
【0027】
本発明の液晶表示装置は、上述したフォールトトレラント回路を組み込んでいる。これにより、上記目的が達成される。
【0028】
前記回路は、表示装置の基板上に製造される駆動回路であってもよい。
【0029】
前記回路は、薄膜トランジスタ(TFT)を用いて実現されてもよい。
【0030】
【発明の実施の形態】
本発明をもっと十分に理解し得るように、以下に、本発明を添付図面を参照して実施例により示す。
【0031】
図5は、AMLCDを駆動するための(または他の適用のための)本発明の回路構成を示し、k倍に複製されたシフトレジスタの形態の基本機能回路30を備えている。これらの回路すべてが並列に接続され、各回路は、回路を作動させるイネーブル信号E1...Ekを受け取るイネーブル/構成入力31と、回路内に欠陥状態が存在するかどうかを示す検証信号V1...Vkを出力する検証出力32とを有する。イネーブル/構成入力31は、回路のクロック化および/または電力供給を行うために接続され得、また回路が選択されていないときはすべての出力がロー状態かハイ状態かにデフォルトされていることを確実にしなければならない。回路構成はさらに、固定基準信号を供給する検証署名生成器33と、回路30の出力32からの検証信号が供給される比較器34と、イネーブル信号をイネーブル/構成入力31に供給する制御回路35とを組み込んでいる。
【0032】
制御回路35は、第1の回路から始めて各回路30のイネーブル/構成入力31に適切なイネーブル信号を供給することによって、各回路30の試験を制御する。これにより、第1の回路30の検証出力32からの検証信号V1が比較器34へ供給され、比較器は、検証信号V1を、検証署名生成器33によって供給される固定基準信号と比較する。検証信号V1が基準信号から有意に異なる場合は、第1の回路に欠陥が存在することを示し、制御回路35は、第1の回路のイネーブル/構成入力31にディスエーブル信号を供給して、この回路を非動作にする一方で、同時に、次の回路30のイネーブル/構成入力31に適切なイネーブル信号を供給して、この回路のために試験手順を繰り返す。試験手順は、関連する回路に欠陥が存在しないことを示す検証信号を比較器34が受け取るまで、各回路30に対して繰り返される。欠陥が存在しないことを示す検証信号を受け取った時点で、試験手順は停止され、対応する回路はそのイネーブル/構成入力31に与えられるイネーブル信号によって選択された状態に保持され、これによりこの回路は動作状態になり、その入力37での入力信号の受領に応答して、その出力36から出力信号O0...ONを供給する。
【0033】
比較器34および制御回路35の試験/制御ロジックはQM法を用いて構成される。従って、QM法の非常に高い誤差許容性を利用する一方で、試験および選択機能は機能回路の速度の端数の速度で走らせるだけでよいため、低速で高い電力消費という欠点を回避することができる。薄膜トランジスタ(TFT)MOSの実装に適した、本適用で使用され得る可能なQM回路設計を図4(b)に示す。この場合には、4つのMOSFET20、21、22および23よりなる回路構成の中央接続は、MOSFET24の制御の下で行われる。制御信号がローのときは、中央接続は開となり、入出力間の伝導の確率を下げる。一方、制御信号がハイのときは、中央接続が実現され、入出力間の伝導の確率を上げる。このQM回路は信頼性が高く、特に緻密な複合TFT構造によって実現され得る
本発明のフォールトトレラント回路構成をAMLCDの集積駆動回路に適用する場合について以下に述べる。図6は、典型的なAMLCDマトリックス40を概略的に示す。このAMLCDマトリックスは、マトリックスの各行へのサンプル信号、および映像データをシリアルからパラレルへ変換するためのタイミング信号を供給する、シフトレジスタの形態の集積された走査ドライバ回路41およびデータドライバ回路42を備えている。詳細43は、マトリックス40の各画素の典型的なアクティブ回路を示す。
【0034】
図7は、AMLCDドライバ回路の1つの回路構成を示す。各ドライバ回路は、N個のステージを有する長いシフトレジスタの形態であり、Nは典型的には1000桁の数である。この長いシフトレジスタは、それぞれがn個のステージを有するN/n個の短いシフトレジスタ50に分割され、これらの短いシフトレジスタ50は互いに複製されたk個のレジスタ51よりなる。レジスタ51は図では点線で示され、これらは標準的なロジック回路により実現されることを示す。従って、ドライバ回路は、それぞれが長さnのk個の非冗長レジスタよりなるN/n個のバンクより構成される。さらに、レジスタ50のバンクそれぞれの機能は試験/制御ロジック52によって制御される。試験/制御ロジックは、QM法を用いて構成され、またイネーブル/ディスエーブル信号を各レジスタ51のイネーブル/構成入力53(QMロジックにより実現される)に供給し、そして検証出力54に出力される検証信号を、単一ステージのシフトレジスタの形態の検証署名生成器55によって供給される固定基準信号と比較するように構成される。
【0035】
図8は、このような回路構成で使用される試験/制御ロジックの詳細を示す。この場合では、検証署名生成器55は、N/n個のステージを有するシフトレジスタ中の単一のステージによって提供される。すなわち、シフトレジスタ50のバンク毎に1つのステージが提供され、この1つのステージはマスタークロックのnサイクル毎にクロックされる。検証署名生成器55からの出力信号はEXORゲート56の入力に供給される。EXORゲートは、選択されたレジスタ51からの検証出力54を基準信号と比較し、またレジスタ50のバンクそれぞれのk個のレジスタ51のQMロジック入力53にイネーブル信号を供給する長さkのシフトレジスタ57を制御するための出力信号を提供する。QMロジック入力53は、各レジスタ51のi番目のステージのk個の出力を共通のポイントに接続し、この共通のポイントが、このステージのためのバンク出力Oiおよび各レジスタ51の次の(i+1)番目のステージへの入力を形成するように構成される。n個のステージよりなるシフトレジスタ51のそれぞれの検証出力54は、単にn番目のステージの出力Onであり、これはEXORゲート56の他方の入力に接続される。
【0036】
EXORゲート56の出力がハイの場合は、検証信号と検証署名生成器55からの基準信号との間に不一致があることを示し、これは選択されたレジスタ51内に欠陥状態があることを示す。このため、現在選択されているレジスタ51をディスエーブルにし、連続する次に利用可能なレジスタ51をイネーブルにするために、レジスタ57をクロック化するパルスが生成される。レジスタ57の同期クロック化を行うために、EXORゲート56とレジスタ57との中間にANDゲート58が設けられている。EXORゲート56の出力信号がローの場合は、検証信号と基準信号との間が一致することを示し、これは現在選択されているレジスタ51は欠陥状態ではないと考えられることを示す。この結果、現在選択されているレジスタ51が回路のさらなる動作のために使用されるようにレジスタ57は非クロック化される。前のステージの検証署名生成器55からの出力信号が、次のレジスタバンク50への入力信号を提供する。このような構成の1つの重要な利点は、前のステージの出力のすべてが次のステージのQMロジックによって試験されることである。
【0037】
図9に別の回路構成を示す。この構成では、k個のレジスタ51の対応する出力Oikは、QMロジック入力53を介してバンク出力Oiに個別に接続される。これにより、現在選択されているレジスタ51内のステージが他のk−1個の非選択レジスタ51によって負荷されるのを防ぐが、イネーブルロジック入力53、従って各バンクからのn個のO1 〜 n出力は制御ロジックによって試験されない。この変形構成は、前の構成より信頼性は低いが、負荷が低減されるためkが大きい場合にはより速くなり得る。
【0038】
図8および図9の回路構成は明瞭な試験信号を生成する必要はないこと、およびこれらの構成は、製造後のいかなる時でも、恐らく薄膜トランジスタの応力の結果として起こり得る欠陥状態を許容することに留意されたい。
【0039】
本発明のこのような回路構成の歩留りを、米国特許第5,465,053号の回路構成の歩留りと比較するために、図10は、トランジスタ故障率f=0.01%、列数N=800、各ラッチのトランジスタ数が6、試験/制御回路内の複合トランジスタの数が17(k=2)、そしてマルチプレクサ内の複合トランジスタの数が1などの、図3(b)のグラフの場合と同じ仮定を用いて、各バンク内のステージ数nおよび各バンク内の複製レジスタ数kの関数としての、本発明の回路構成の歩留りのグラフを示す。
【0040】
これらの仮定により、以下の確率が計算され得る。
【0041】
1個のトランジスタが正しく働く確率は以下の通りである。
【0042】
【数9】
P(TOK)=1−f=g
(図4(b)に示すような)QM複合トランジスタが正しく働く確率は以下の通りである。
【0043】
【数10】
P(QTOK)=1−1.5f2+0.5f3=h
(これは単一トランジスタの場合よりかなり高い。)
t個のトランジスタを有する1個のラッチに欠陥がない確率は以下の通りである。
【0044】
【数11】
P(LatchOK)=gt=l
n個のこのようなラッチよりなるレジスタに欠陥がない確率は以下によって与えられる。
【0045】
【数12】
P(RegOK)=ln=r
従って、バンク内のk行のうちの少なくとも1つの行が正しく機能する確率は以下によって与えられる。
【0046】
【数13】
P(RowOK)=1−(1−r)k=R
それぞれがm個のQM複合トランジスタを有するn個のk入力マルチプレクサすべてが働く確率は以下によって与えられる。
【0047】
【数14】
P(MultOK)=hnkm=M
s個のQM複合トランジスタを含む試験/制御回路に欠陥がない確率は以下によって与えられる。
【0048】
【数15】
P(ControlOK)=hs=C
従って、各バンクは以下の正しく機能する確率を有する。
【0049】
【数16】
P(BankOK)=P(RowOK)×P(ControlOK)×P(MultOK)=RCM
最後に、N/n個のこのようなバンクを含む回路構成全体の歩留りは以下によって与えられる。
【0050】
【数17】
P(DriverOK)=(RCM)N/n
図10のグラフから、本発明の回路構成の歩留りは、非冗長回路構成で典型的に予想され得る61%の歩留りよりかなり大きいことが分かる。例えば、k=3およびn≦100では、歩留りは99%を超える。さらに、米国特許第5,465,053号の回路構成により得られる対応する歩留りを示す図3(b)のグラフと比較すれば、本発明の回路構成を利用すれば、有意に大きな歩留りが、様々な異なる値kに対して広い範囲nにわたって得られることが理解されよう。従って、本発明の回路構成ははるかに優れた欠陥許容性を与える。
【0051】
本発明の範囲および精神から外れることなく様々な他の改変が当業者には明らかであり、また容易に行われ得る。従って、上記の請求の範囲は本明細書に示した記述に限定されるものではなく、各請求項は幅広く解釈されるように意図される。
【0052】
【発明の効果】
従って、本発明のフォールトトレラント回路構成は、標準的なフォールトトレラントではない等価の回路と実質的に同様の速度および電力消費で動作する自己適応フォールトトレラントデジタル回路アーキテクチャを提供し、また(機能回路自体のためには標準的な非冗長ロジックを用いる一方で)機能回路の自己試験およびパワー制御を行うために信頼性の高い4重マスキングロジックを利用する。これにより、欠陥に対する許容性を有する一方で、速度および電力消費に関して非冗長回路構成の性能を実質的に維持する回路構成が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】AMLCD制御回路のための従来のRWR回路構成を示す図。
【図2】従来のTMR回路構成を示す図。
【図3】(a)は、別の従来の回路構成を示す図、(b)は、このような回路構成が正しく働く確率を示すグラフ。
【図4】(a)は、従来のQM回路構成を示す図、(b)は、本発明の回路構成で利用され得る回路レベルでのQMの可能な実現を示す図。
【図5】本発明の一般的な回路構成を示す図。
【図6】周辺駆動回路を集積した典型的なAMLCDを示す概略図。
【図7】本発明の1つの回路構成を示す図。
【図8】本発明の別の回路構成を示す図。
【図9】本発明のさらに別の回路構成を示す図。
【図10】本発明の回路構成が正しく働く確率を示すグラフ。
【符号の説明】
30 基本機能回路
31、53 イネーブル/構成入力
32、54 検証出力
33、55 検証署名生成器
34 比較器
35 制御回路
40 AMLCDマトリックス
41、42 ドライバ回路
50、51 レジスタ
52 試験/制御ロジック
56 EXORゲート
57 イネーブル信号を供給するレジスタ
58 ANDゲート
Claims (10)
- フォールトトレラント回路構成であって、
並列接続され、それぞれが入力と検証出力を含む複数の出力とを有し、それぞれが基本機能回路を複製して構成されている複数の非冗長機能回路と、
前記各非冗長機能回路にそれぞれ与えられる入力信号に応答して各非冗長機能回路から出力される検証信号を検出し、該検証信号を基準信号と比較して各非冗長機能回路内に欠陥が存在するかどうかを決定し、そして該試験された非冗長機能回路のうちから、該対応する検証信号によって欠陥がないことが示される非冗長機能回路を機能動作のために選択する試験/制御回路手段とを備え、
該試験/制御回路手段は、欠陥に対する高い許容性を該試験/制御回路手段に与えるためにマスキング冗長として4重マスキング(QM)回路アーキテクチャを組み込んだ回路要素を備えており、
前記試験/制御回路手段は、前記各非冗長機能回路のそれぞれに対して、パワーを供給するためイネーブル信号を順番に与えて、前記各非冗長機能回路から出力される前記検証信号を順番に検出し、対応する前記検証信号によって欠陥がないことが示される試験された最初の非冗長機能回路を該イネーブル信号によって機能動作のために選択するとともに、対応する該検証信号が前記非冗長機能回路内に欠陥が存在することを示す場合には、該非冗長機能回路に対して該非冗長機能回路へのパワーを遮断するディスエーブル信号を与え、
前記各非冗長機能回路のそれぞれは、入力信号を受け取るイネーブル入力と、機能出力信号を出力する複数の並列のシフト出力とを有するシフトレジスタであり、
該回路要素は、前記シフトレジスタの複数の並列のシフト出力のそれぞれに接続されて、該シフト出力をそれぞれ制御するようになっており、
前記試験/制御回路手段の回路要素の4重マスキング(QM)回路アーキテクチャは、それぞれが基本回路構成を複製して構成されている4個の回路要素を備え、該2つの回路要素同士が、一方の回路要素の出力が他方の回路要素の入力になるように、それぞれ直列に接続されており、直列接続された2つの回路要素対同士が並列に接続されて構成されている、フォールトトレラント回路構成。 - 前記検証出力は、各シフトレジスタの前記シフト出力のうちの1つによって構成される、請求項1に記載の回路構成。
- 入力信号の受領に応答して前記基準信号を供給する検証署名生成器が設けられている、請求項1に記載の回路構成。
- 前記試験/制御回路手段は、前記各非冗長機能回路における前記複数の出力のそれぞれに対応する複数のステージを有し、該複数の非冗長機能回路のうちの1つに欠陥がないことが示されるまで、該1つの非冗長機能回路に連続してイネーブル信号であるクロック信号を与えて前記各ステージ毎に前記検証信号を検出する、請求項1に記載の回路構成。
- 前記各非冗長機能回路の前記出力は1つのORゲートに接続されて、該ORゲートには、前記選択された非冗長機能回路の出力のみが他の非冗長機能回路からは独立して供給されるようになっており、該ORゲートにて、前記選択された非冗長機能回路の出力が前記検証署名生成器の出力と比較される、請求項3に記載の回路構成。
- 前記回路要素対の一方の2つの回路要素間の相互連結ポイントと、前記回路要素対の他方の2つの回路要素間の相互連結ポイントとの間に、該相互連結ポイント間の伝導を制御するために制御要素が接続される、請求項1に記載の回路構成。
- 前記制御要素はMOSFETである、請求項6に記載の回路構成。
- 請求項1に記載のフォールトトレラント回路構成を組み込んだ液晶表示装置。
- 前記フォールトトレラント回路構成は、表示装置の基板上に製造される駆動回路である、請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記フォールトトレラント回路構成は、薄膜トランジスタ(TFT)を用いて実現される、請求項9に記載の液晶表示装置。
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