JP3493451B2 - レーザビーム走査装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビーム走査
装置、特に、プリンターやデジタル複写機等に用いられ
るレーザビーム走査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、レーザビーム走査光学装置等
に用いられる複数の光源を有した半導体レーザビーム制
御装置の分野では、Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ．４，２０
１，９９４に記載されているように、複数の走査ビーム
の各々のビーム毎に画像書き出し位置の検出を行なって
各ビーム間の相対位置精度を保つ技術が提案されてい
る。さらに、特開平５−１８３６９８号公報には、複数
の走査ビームのうち少なくとも１本のビームにて画像書
き出し位置の検出を行なう技術が提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザビーム走査装置にあっては、複数の光源からそれ
ぞれ放射されるレーザビーム間で波長差があると、走査
レンズ群の色収差によって書き込み画像の倍率が光ビー
ム毎に異なり、各光ビーム間で主走査方向のビーム位置
誤差が発生し、画像が劣化するという問題があった。こ
の複数の光ビームの波長差による画像倍率差を補正する
ための対策として、各々の光ビーム毎に異なる画像クロ
ックにて描画する技術（特開平５−６０７８号公報参
照）もあるが、半導体レーザ素子は周囲温度や半導体レ
ーザ素子自身の温度で波長が変動し、かつ、その変動量
も個々の半導体レーザ素子毎に固有であるので、初期状
態では調整できても、使用環境が変わると前記問題が再
び生じ、画像が劣化する心配があった。

【０００４】そこで、本発明の目的は、複数の光源間の
波長差が抑止され、光ビーム間で書き込み画像の倍率差
が小さいレーザビーム走査装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係るレーザビーム走査装置は、
（ａ）複数のレーザ光源と、（ｂ）前記レーザ光源から
放射された各レーザビームを被走査面上に走査させて画
像形成を行う走査手段と、（ｃ）前記光源を駆動するた
めの駆動回路と、（ｄ）画像形成領域外に配置され、前
記レーザ光源からそれぞれ放射されたレーザビームの少
なくとも一つを検知する単一の光検出素子と、（ｅ）前
記光検出素子がレーザビームを検知してから所定時間後
に前記駆動回路に画像形成信号を送り、かつ、画像形成
信号を送り終えてから次に前記光検出素子がレーザビー
ムを検知するまでの間に一定時間だけ前記レーザ光源を
全て点灯させる制御信号を前記駆動回路に送る制御回路
と、を備えたことを特徴とする。

【０００６】また、本発明に係るレーザビーム走査装置
は、前記単一の光検出素子が、前記複数のレーザ光源の
うちの一レーザ光源から放射されたレーザビームを検知
し、前記制御回路が前記光検出素子にて検知させるレー
ザビームのレーザ光源を残して他のレーザ光源を、次に
前記光検出素子がレーザビームを検知する前に点灯終了
させる制御信号を前記駆動回路に送ることを特徴とす
る。

【０００７】以上の構成により、画像形成領域外におい
て、画像書き出し位置のタイミングを決めるためのレー
ザビーム点灯の他に、複数のレーザ光源間の温度差を減
少させるためのレーザビーム点灯が行われ、レーザ光源
間の温度差が小さくなる。従って、レーザ光源間の波長
差が抑止される。また、本発明に係るレーザビーム走査
装置は、画像形成領域外に配置された、前記各レーザ光
源間の波長差を検出するための光検出素子をさらに備
え、前記単一の光検出素子が、画像書き出し位置のタイ
ミングを決めるための光検出素子であり、前記制御回路
が、この波長差を検出するための光検出素子に前記レー
ザ光源からそれぞれ放射されたレーザビームを照射させ
ると共に、波長差を検出するための光検出素子からの信
号に基づいて、画像形成領域外で前記駆動回路に制御信
号を送ることを特徴とする。

【０００８】また、本発明に係るレーザビーム走査装置
は、前記レーザ光源からそれぞれ放射されたレーザビー
ムを重ね合わせる重ね合わせ手段と、前記重ね合わせ手
段から出射した波長差測定用レーザビームを異なる波長
毎に分離する波長検出手段と、前記波長検出手段にて分
離された複数のレーザビームの角度差を検出する受光素
子とをさらに備え、前記制御回路が前記角度差を検出す
る受光素子からの信号に基づいて画像形成領域外で前記
駆動回路に制御信号を送ることを特徴とする。

【０００９】以上の構成により、複数のレーザビームの
波長差が検知されるため、複数のレーザビームの波長差
が小さくなるように、画像形成領域外で個々のレーザ光
源の点灯時間、点灯デューティ又は点灯光量が制御さ
れ、書き込み画像の倍率差が更に確実に小さくなる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るレーザビーム
走査装置の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態において、同一部品及び同一部分には同
じ符号を付した。 ［第１実施形態、図１〜図３］図１に示すように、レー
ザビーム走査光学装置は、半導体レーザ素子ＬＤ１，Ｌ
Ｄ２と、ハーフミラー４と、ポリゴンミラー５と、走査
レンズ群６と、平面ミラー７と、ＳＯＳ用光センサ８と
で構成されている。半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２
は、駆動回路に入力された印字データに基づいて変調
（オン，オフ）制御され、オン時にそれぞれレーザビー
ムを放射する。半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２から放
射されたレーザビームＬ１，Ｌ２はハーフミラー４によ
り重ね合わされた後、ポリゴンミラー５の偏向面に導か
れる。ポリゴンミラー５の偏向面に導かれるレーザビー
ムＬ１，Ｌ２は、主走査方向については相互に平行であ
るが、副走査方向については僅かに相互にずらすように
設定されている。

【００１１】ポリゴンミラー５は矢印ａ方向に一定速度
で回転駆動される。レーザビームＬ１，Ｌ２はポリゴン
ミラー５の回転に基づいて各偏向面で等角速度に偏向さ
れ、走査レンズ群６に入射する。走査レンズ群６を透過
したレーザビームＬ１，Ｌ２は平面ミラー７で反射され
た後、感光体ドラム１０上に集光され、感光体ドラム１
０上を矢印ｂ方向に同時走査する。走査レンズ群６は主
に前記ポリゴンミラー５で等角速度で偏向されたレーザ
ビームを被走査面上（感光体ドラム１０）上での主走査
速度を等速に補正、即ち、歪曲収差を補正する機能を有
している。

【００１２】感光体ドラム１０は一定速度で回転駆動さ
れ、ポリゴンミラー５による矢印ｂ方向への主走査とド
ラム１０の回転方向への副走査によってドラム１０上に
画像（静電潜像）が形成される。ＳＯＳ用光センサ８
は、主走査方向上流側の画像形成領域外に配置されてい
る。図２に示すように、半導体レーザビーム制御装置
は、半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２が、それぞれ駆動
回路１１，１２を介して画像制御回路１６に接続されて
いる。画像制御回路１６はＣＰＵ１５と強制点灯回路１
３，１４とで構成されている。画像書き出し位置のタイ
ミングを決めるため、ＣＰＵ１５から制御信号Ｓ５が強
制点灯回路１３へ入力される。強制点灯回路１３は、制
御信号Ｓ５に基づいて駆動回路１１を介して半導体レー
ザ素子ＬＤ１を強制点灯させる。こうして、主走査方向
先端部のレーザビームＬ１は、ＳＯＳ用光センサ８に入
射される。

【００１３】ＳＯＳ用光センサ８から出力されるビーム
検出信号はＣＰＵ１５に入力され、１走査ライン毎に画
像書き出し位置のタイミングを決めるための垂直同期信
号を発生させる。この垂直同期信号に基づいて、図示し
ないビットマップメモリから画像データがＣＰＵ１５を
介して画像形成信号Ｓ１，Ｓ２及び画像形成信号Ｓ３，
Ｓ４として強制点灯回路１３，１４へそれぞれ入力され
る。強制点灯回路１３，１４は画像形成信号Ｓ１，Ｓ２
及びＳ３，Ｓ４に基づいて駆動回路１１，１２を介して
半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２をオン，オフ制御す
る。こうして、半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２から放
射されたレーザビームＬ１，Ｌ２が感光体ドラム１０上
に同時照射され、ドラム１０上に一回の走査で同時に２
ラインの描画をすることができる。

【００１４】ところで、半導体レーザ素子ＬＤ１は、画
像書き出しタイミング位置を検出するために画像形成領
域外で強制的に点灯されているので、半導体レーザ素子
ＬＤ１とＬＤ２の間に点灯時間に差が生じ、半導体レー
ザ素子ＬＤ１自体の温度と半導体レーザ素子ＬＤ２自体
の温度で差が生じる。一般に、半導体レーザ素子から放
射されるレーザビームは温度が高くなると、長波長側に
ずれるという性質を有しており、半導体レーザ素子ＬＤ
１，ＬＤ２間に波長差が生じる。この波長差が大きくな
ると、走査レンズ群の色収差によって書き込み画像の倍
率が光ビーム毎に異なり、各光ビーム間で主走査方向の
ビーム位置誤差が発生し、画像が劣化するという問題が
発生する。

【００１５】そこで、この問題を解決するために、第１
実施形態では、画像形成領域が終了してから、次にＳＯ
Ｓ用光センサ８がレーザビームＬ１を検知するまでの間
に一定時間だけ、全ての半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ
２を強制点灯させた。図３に示すように、画像形成領域
が終了した後、所定の時期（Ａ）にＣＰＵ１５から制御
信号Ｓ５，Ｓ６がそれぞれ強制点灯回路１３，１４に入
力される。強制点灯回路１３，１４は制御信号Ｓ５，Ｓ
６に基づいて駆動回路１１，１２を介して半導体レーザ
素子ＬＤ１，ＬＤ２を強制点灯させる。そして、ＳＯＳ
用光センサ８が次の半導体レーザ素子ＬＤ１から放射さ
れたレーザビームＬ１を検知する時期（Ｃ）までの間
で、かつ、予め設定された時期（Ｂ）に、ＣＰＵ１５か
らの制御信号Ｓ６によって強制点灯回路１４及び駆動回
路１２を介して半導体レーザ素子ＬＤ２の点灯を終了さ
せる。従って、時期（Ａ）から時期（Ｂ）の期間Ｔ１は
全ての半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２が点灯されるこ
とになる。一方、ＳＯＳ用光センサ８が半導体レーザ素
子ＬＤ１から放射された次のレーザビームＬ１を検知す
る時期（Ｃ）に、ＣＰＵ１５からの制御信号Ｓ５によっ
て強制点灯回路１３及び駆動回路１１を介して半導体レ
ーザ素子ＬＤ１の点灯を終了させる。

【００１６】従って、画像形成領域外で、画像書き出し
位置のタイミングを決めるためのレーザビーム点灯の他
に、半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２間の温度差を減少
させるためのレーザビーム点灯も行うため、半導体レー
ザ素子ＬＤ１自体の温度と半導体レーザ素子ＬＤ２自体
の温度差が抑えられる。その結果、半導体レーザ素子Ｌ
Ｄ１，ＬＤ２間の波長差が小さくなり、書き込み画像の
倍率差が抑えられ、描画性能の優れたレーザビーム走査
装置が得られる。

【００１７】［第２実施形態、図４及び図５］図４に示
すように、半導体レーザビーム制御装置は、半導体レー
ザ素子ＬＤ１，ＬＤ２と、駆動回路２１，２２と、画像
制御回路２４と、ＳＯＳ用光センサ８とで構成されてい
る。主走査方向先端部のレーザビームＬ１はＳＯＳ用光
センサ８に入射される。ＳＯＳ用光センサ８から出力さ
れるビーム検出信号は画像制御回路２４に入力され、画
像制御回路２４で１走査ライン毎に画像書き出し位置の
タイミングを決めるための垂直同期信号を発生させる。

【００１８】この垂直同期信号に基づいて、図示しない
ビットマップメモリから画像データが画像制御回路２４
を介して画像形成信号Ｓ１，Ｓ２及び画像形成信号Ｓ
３，Ｓ４として駆動回路２１，２２にそれぞれ入力され
る。駆動回路２１，２２は画像形成信号Ｓ１，Ｓ２及び
Ｓ３，Ｓ４に基づいて半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２
をオン，オフ制御する。こうして、半導体レーザ素子Ｌ
Ｄ１，ＬＤ２から放射されたレーザビームＬ１，Ｌ２が
感光体ドラム上に同時照射され、感光体ドラム上に一回
の走査で同時に２ラインの描画をすることができる。

【００１９】さらに、このレーザビーム走査装置は、半
導体レーザ素子ＬＤ１が画像書き出しタイミング位置を
検出するために画像形成領域外で強制的に点灯されてい
るため、半導体レーザ素子ＬＤ１と半導体レーザ素子Ｌ
Ｄ２の間で温度差が生じるが、これを抑えるため、画像
形成領域が終了してから次のＳＯＳ用光センサ８がレー
ザビームＬ１を検知する前に、半導体レーザ素子ＬＤ２
を強制的に点灯させ、かつ終了させている。

【００２０】すなわち、図５に示すように、画像形成領
域が終了した後、所定の時期（Ａ）に画像制御回路２４
から制御信号Ｓ５，Ｓ６がそれぞれ駆動回路２１，２２
に入力される。駆動回路２１，２２では制御信号Ｓ５，
Ｓ６に基づいて半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２を強制
点灯させる。そして、ＳＯＳ用光センサ８が次の半導体
レーザ素子ＬＤ１から放射されたレーザビームＬ１を検
知する時期（Ｃ）までの間で、かつ、ＳＯＳ用光センサ
８が先の半導体レーザ素子ＬＤ１から放射されたレーザ
ビームＬ１を検知した時期（Ｃ）を基準にして予め設定
された期間Ｔ２後の時期（Ｄ）に、画像制御回路２４か
らの制御信号Ｓ６によって駆動回路２２を介して半導体
レーザ素子ＬＤ２の点灯を終了させる。従って、時期
（Ａ）から時期（Ｄ）までの期間Ｔ３は全ての半導体レ
ーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２が点灯されることになる。

【００２１】一方、半導体レーザ素子ＬＤ１は、ＳＯＳ
用光センサ８が次の半導体レーザ素子ＬＤ１から放射さ
れたレーザビームＬ１を検知する時期（Ｃ）に、画像制
御回路２４からの制御信号Ｓ５によって駆動回路２１を
介して点灯が終了させられる。従って、画像形成領域外
で、画像書き出し位置のタイミングを決めるためのレー
ザビーム点灯の他に、半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２
間の温度差を減少させるためのレーザビーム点灯も行う
ため、半導体レーザ素子ＬＤ１自体の温度と半導体レー
ザ素子ＬＤ２自体の温度差が抑えられる。その結果、半
導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２間の波長差が小さくな
り、書き込み画像の倍率差が抑えられ、描画性能の優れ
たレーザビーム走査装置が得られる。

【００２２】［第３実施形態、図６〜図８］第３実施形
態は、さらに、各半導体レーザ素子から放射されるレー
ザビームの波長差を直接検知して、より正確に波長差を
抑える場合について説明する。図６及び図７に示すよう
に、第３実施形態のレーザビーム走査装置は、波長差検
出用光センサ３１を残して前記第１実施形態と同様のも
のである。波長差検出用光センサ３１は、主走査方向下
流側の画像形成領域外に配置され、受光光量に比例した
電流を出力する。

【００２３】二つの半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２か
ら放射されたレーザビームＬ１，Ｌ２の波長差を検出す
るため、画像制御回路１６のＣＰＵ１５から制御信号Ｓ
５，Ｓ６が強制点灯回路１３，１４へ入力される。強制
点灯回路１３，１４は制御信号Ｓ５，Ｓ６に基づいて駆
動回路１１，１２を介して半導体レーザ素子ＬＤ１，Ｌ
Ｄ２を強制点灯させる。こうして、主走査方向後端部の
レーザビームＬ１，Ｌ２はそれぞれ波長差検出用光セン
サ３１に入射される。波長差検出用光センサ３１では、
入射光量に応じて出力電流を発生させ、この出力電流を
電圧に変換した出力波形信号をＣＰＵ１５にフィードバ
ックする。ＣＰＵ１５では、この出力波形に基づいてレ
ーザビームＬ１とＬ２の間に波長差があるかどうかを検
知する。

【００２４】すなわち、出力波形のピーク位置が一つで
ある場合（図８（Ａ）参照）は波長差無し、出力波形の
ピーク位置が二つである場合（図８（Ｂ）参照）は波長
差有りと検知する。波長差有りの場合は、ピーク位置の
差Δの量によって波長差の量を検知することができる。
ＣＰＵ１５で波長差有りと検知された場合には、画像形
成領域外での半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２の点灯時
間、点灯デューティ又は発光エネルギーを制御したり、
半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２を個々にヒータ等にて
暖める等の温度制御をしたりして、より正確に半導体レ
ーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２間の波長差を抑える。具体的に
は、例えば、ＣＰＵ１５において前記第１実施形態の時
期（Ｂ）をずらせて、全ての半導体レーザ素子ＬＤ１，
ＬＤ２が点灯している期間Ｔ１を可変させるように制御
信号Ｓ５，Ｓ６を強制点灯回路１０，１４に入力して、
より正確に制御する。

【００２５】［第４実施形態、図９及び図１０］第４実
施形態は、各半導体レーザ素子から放射されるレーザビ
ームの波長差を光源部分で直接検知する場合について説
明する。第４実施形態のレーザビーム走査光学装置は、
半導体レーザビーム制御装置を残して前記第２実施形態
と同様のものである。

【００２６】図９に示すように、半導体レーザビーム制
御装置は、半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２と、キュー
ブ型ビームスプリッタ４１と、波長検出素子４２と、波
長差検出用光センサ４３と、集光レンズ４４，４５，４
６とを備えている。ビームスプリッタ４１は、半導体レ
ーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２から放射されたレーザビームＬ
１，Ｌ２を重ね合わせるものである。このビームスプリ
ッタ４１は三角形のプリズムを２個組み合わせたもので
あり、その合わせ面４１ａは、半導体レーザ素子ＬＤ
１，ＬＤ２から放射されるレーザビームＬ１，Ｌ２の進
行方向に対して４５度傾斜している。合わせ面４１ａに
はハーフミラーがコーティングされている。

【００２７】波長検出素子４２は、ビームスプリッタ４
１から出射した波長差測定用レーザビームを異なる波長
毎に分離するものである。第４実施形態では、波長検出
素子４２として三角プリズムを用いたが、この他に、回
折格子等を用いてもよい。波長差検出用光センサ４３
は、波長検出素子４２によって波長毎に分離されたレー
ザビームの角度差を検出するものである。第４実施形態
では、波長差検出用光センサ４３として位置センサを用
いたが、この他に分割センサ等を用いてもよい。集光レ
ンズ４４，４５は、半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２か
ら放射された発散光をビームスプリッタ４１の合わせ面
４１ａに集光させるためのものである。

【００２８】以上の構成から半導体レーザビーム制御装
置において、半導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２から放射
されたレーザビームＬ１，Ｌ２は、ビームスプリッタ４
１によって重ね合わされた後、ビーム２本のマルチビー
ムとしてポリゴンミラー５に導かれる。ただし、レーザ
ビームＬ１，Ｌ２のそれぞれ一部はポリゴンミラー５に
は進行せず、ビームスプリッタ４１及び集光レンズ４６
を通った後、波長差測定用レーザビームとして、波長検
出素子４２に入射する。波長検出素子４２に斜入射した
波長差測定用レーザビームは、波長によって屈折角が異
なるため、波長が異なっていれば、波長毎に分離され、
異なる出射角で波長検出素子４２から出射する。この分
離されたレーザビームは波長差検出用光センサ４３に入
射し、波長差検出用光センサ４３では、分離されたレー
ザビームのそれぞれの照射位置を出力波形信号として画
像制御回路２４にフィードバックする（図１０参照）。
画像制御回路２４では、この出力波形信号に基づいてレ
ーザビームＬ１とＬ２の間に出射角度差、言い換えると
波長差があるかどうか検知する。

【００２９】すなわち、出力波形のピーク位置が一つで
ある場合は波長差無し、出力波形のピーク位置が二つで
ある場合は波長差有りと検知する。そして、波長差有り
の場合は、ピーク間距離によって波長差の量を検知する
ことができる。画像制御回路２４で波長差有りと検知さ
れた場合には、画像形成領域外での半導体レーザ素子Ｌ
Ｄ１，ＬＤ２の発光エネルギーを制御したり、半導体レ
ーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２を個々にヒータ等にて暖める等
の温度制御をしたりして、より正確に半導体レーザ素子
ＬＤ１，ＬＤ２間の波長差を抑える。具体的には、例え
ば、画像制御回路２４において、前記第２実施形態の時
期（Ｄ）をずらせて、半導体レーザ素子ＬＤ２が点灯し
ている期間Ｔ３を可変させるように制御信号Ｓ５，Ｓ６
を駆動回路２１，２２に入力して、より正確に制御す
る。あるいは、画像形成領域外での半導体レーザ素子Ｌ
Ｄ２（あるいはＬＤ１）の駆動電流を増（減）してレー
ザビームＬ２（あるいはＬ１）の強度を強（弱）くさせ
るように制御信号Ｓ５，Ｓ６を駆動回路２１，２２に入
力して、より正確に制御する。

【００３０】［他の実施形態］なお、本発明に係るレー
ザビーム走査装置は前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
光源は１個のチップ内に光源を複数有した半導体レーザ
アレイ素子であってもよく、また、光源の数は３個以上
であってもよい。

【００３１】また、図３において画像形成領域外での半
導体レーザ素子ＬＤ１，ＬＤ２の強制点灯開始時期
（Ａ）を同時期に設定しているが、異なっていてもよい
ことは言うまでもない。例えば、図１１に示すように、
半導体レーザ素子ＬＤ１の強制点灯開始時期を遅らせ
て、半導体レーザ素子ＬＤ１とＬＤ２の強制点灯時間が
略等しくなるように設定してもよい。

【００３２】さらに、図６において、ＳＯＳ用光センサ
８と波長差検出用光センサ３１はそれぞれ画像形成領域
外の上流側及び下流側に配置されているが、図１２に示
すように、両者を画像形成領域外の上流側に配置しても
よいし、あるいは両者を画像形成領域外の下流側に配置
してもよい。

【００３３】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、画像形成信号を送り終えてから次に光検出素子
がレーザビームを検知するまでの間に一定時間だけレー
ザ光源を全て点灯させることにより、画像形成領域外
で、画像書き出し位置のタイミングを決めるためのレー
ザビーム点灯の他に、複数のレーザ光源間の温度差を減
少させるためのレーザビーム点灯を行なうので、レーザ
光源間の波長差が抑止され、書き込み画像の倍率差を小
さくすることができる。その結果、簡素な構成で、各光
ビーム間の主走査方向のビーム位置誤差が小さく、描画
性能の優れたレーザビーム走査装置が得られる。

【００３４】さらに、画像形成領域外に各レーザ光源間
の波長差を検出するための光検出素子を設けたり、光源
部分に重ね合わせ手段と波長検出手段と受光素子とを設
けたりすることによって、複数のレーザビーム間の波長
差を直接検知することができ、この波長差を小さくする
ように画像形成領域外で個々のレーザ光源の点灯時間、
点灯デューティ又は点灯光量を制御することにより、書
き込み画像の倍率差をより確実に小さくすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るレーザビーム走査装置の第１実施
形態を示す概略構成図。

【図２】第１実施形態のレーザビーム走査装置の半導体
レーザビーム制御装置ブロック図。

【図３】第１実施形態のレーザビーム走査装置のタイミ
ングチャート。

【図４】本発明に係るレーザビーム走査装置の第２実施
形態を示すブロック図。

【図５】第２実施形態のレーザビーム走査装置のタイミ
ングチャート。

【図６】本発明に係るレーザビーム走査装置の第３実施
形態を示す概略構成図。

【図７】第３実施形態のレーザビーム走査装置の半導体
レーザビーム制御装置ブロック図。

【図８】（Ａ）はレーザビームの波長差無しの場合の波
長差検出用光センサの出力波形を示すグラフ、（Ｂ）は
レーザビームの波長差有りの場合の波長差検出用光セン
サの出力波形を示すグラフ。

【図９】本発明に係るレーザビーム走査装置の第４実施
形態を示す概略構成図。

【図１０】第４実施形態のレーザビーム走査装置の半導
体レーザビーム制御装置ブロック図。

【図１１】他の実施形態を示すレーザビーム走査装置の
タイミングチャート。

【図１２】別の他の実施形態を示す概略構成図。

【符号の説明】

８…ＳＯＳ用光センサ １１，１２…駆動回路 １３，１４…強制点灯回路 １５…ＣＰＵ １６…画像制御回路 ２１，２２…駆動回路 ２４…画像制御回路 ３１…波長差検出用光センサ ４１…ビームスプリッタ ４２…波長検出素子 ４３…波長差検出用光センサ ＬＤ１，ＬＤ２…半導体レーザ素子 Ｌ１，Ｌ２…レーザビーム

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のレーザ光源と、 前記レーザ光源から放射された各レーザビームを被走査
   面上に走査させて画像形成を行う走査手段と、 前記レーザ光源を駆動するための駆動回路と、 画像形成領域外に配置され、前記レーザ光源からそれぞ
   れ放射されたレーザビームの少なくとも一つを検知する
   単一の光検出素子と、 前記光検出素子がレーザビームを検知してから所定時間
   後に前記駆動回路に画像形成信号を送り、かつ、画像形
   成信号を送り終えてから次に前記光検出素子がレーザビ
   ームを検知するまでの間に一定時間だけ前記レーザ光源
   を全て点灯させる制御信号を前記駆動回路に送る制御回
   路と、 を備えたことを特徴とするレーザビーム走査装置。
2. 【請求項２】 前記単一の光検出素子が、前記複数のレ
   ーザ光源のうちの一レーザ光源から放射されたレーザビ
   ームを検知し、前記制御回路が前記光検出素子にて検知
   させるレーザビームのレーザ光源を残して他のレーザ光
   源を、次に前記光検出素子がレーザビームを検知する前
   に点灯終了させる制御信号を前記駆動回路に送ることを
   特徴とする請求項１記載のレーザビーム走査装置。
3. 【請求項３】 画像形成領域外に配置された、前記各光
   源間の波長差を検出するための光検出素子をさらに備
   え、前記単一の光検出素子が、画像書き出し位置のタイ
   ミングを決めるための光検出素子であり、前記制御回路
   が、この波長差を検出するための光検出素子に前記レー
   ザ光源からそれぞれ放射されたレーザビームを照射させ
   ると共に、波長差を検出するための光検出素子からの信
   号に基づいて、画像形成領域外で前記駆動回路に制御信
   号を送ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
   レーザビーム走査装置。
4. 【請求項４】 前記光源からそれぞれ放射されたレーザ
   ビームを重ね合わせる重ね合わせ手段と、前記重ね合わ
   せ手段から出射した波長差測定用レーザビームを異なる
   波長毎に分離する波長検出手段と、前記波長検出手段に
   て分離された複数のレーザビームの角度差を検出する受
   光素子とをさらに備え、前記制御回路が前記角度差を検
   出する受光素子からの信号に基づいて画像形成領域外で
   前記駆動回路に制御信号を送ることを特徴とする請求項
   １又は請求項２記載のレーザビーム走査装置。
5. 【請求項５】 複数のレーザ光源と、 前記レーザ光源から放射された各レーザビームを被走査
   面上に走査させて画像形成を行う走査手段と、 前記レーザ光源を駆動するための駆動回路と、 画像形成領域外に配置され、前記レーザ光源からそれぞ
   れ放射されたレーザビームの少なくとも一つを検知する
   単一の光検出素子と、 前記光検出素子がレーザビームを検知してから所定時間
   後に前記駆動回路に画像形成信号を送り、かつ、画像形
   成信号を送り終えてから次に前記光検出素子がレーザビ
   ームを検知するまでの間に前記レーザ光源を点灯させる
   制御信号を前記駆動回路に送る制御回路と、 を備えたことを特徴とするレーザビーム走査装置。
6. 【請求項６】 複数のレーザ光源と、 前記レーザ光源から放射された各レーザビームを被走査
   面上に走査させて画像形成を行う走査手段と、 前記レーザ光源を駆動するための駆動回路と、 画像形成領域外に配置され、前記複数のレーザ光源のう
   ちの一つのレーザ光源から放射されたレーザビームを検
   知する単一の光検出素子と、 前記光検出素子から出力される検出信号に基づいて、前
   記複数のレーザ光源の画像書き出し位置のタイミングを
   決めるとともに、前記駆動回路に画像形成信号を送り終
   えてから次に前記光検出素子がレーザビームを検知する
   までの間に、前記一つのレーザ光源以外のレーザ光源を
   点灯させる制御信号を前記駆動回路に送る制御回路と、 を備えたことを特徴とするレーザビーム走査装置。