JP3487725B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、所定の軸回りに回
転され、基板と対向する対向面を有するスピンベースの
対向面と基板保持部材に保持された基板のスピンベース
側の面との間の空間に、スピンベースの対向面の回転中
心部付近から不活性ガスやドライエアーなどの気体を供
給する基板処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置は、例え
ば、図１０に示すように構成されている。図１０に示す
装置は、図示しないモーターに伝動連結されて軸Ｊ回り
に回転される回転軸１０１の上端部に基板Ｗに対向する
水平な対向面１０２ａを有する円板状のスピンベース１
０２が一体的に連結され、スピンベース１０２の周縁部
付近に３個以上の基板保持部材１０３が設けられてい
る。基板Ｗは外周端部が基板保持部材１０３に３箇所以
上で保持され、スピンベース１０２の対向面１０２ａか
ら離れた状態で、正面から見て基板Ｗのスピンベース１
０２側の下面とスピンベース１０２の対向面１０２ａと
が平行になるように水平姿勢で保持される。 【０００３】基板保持部材１０３に保持された基板Ｗの
上方には、基板Ｗの上面（この装置では表面）に平行に
対向する対向面１０４ａを有する円板状の雰囲気遮断部
材１０４が配置されている。この雰囲気遮断部材１０４
は、アーム１０５を介して昇降自在に構成されていて、
基板保持部材１０３に基板Ｗが保持されると、雰囲気遮
断部材１０４が下降されて、図に示すように、保持され
た基板Ｗの上面に雰囲気遮断部材１０４の対向面１０４
ａが近接配置される。 【０００４】この雰囲気遮断部材１０４の中心部には、
基板保持部材１０３に保持された基板Ｗの上面に洗浄液
を供給するノズル１０６が設けられている。このノズル
１０６には、洗浄液供給管１０７を介して洗浄液が供給
されるようになっている。また、ノズル１０６の周囲に
は、基板保持部材１０３に保持された基板Ｗの雰囲気遮
断部材１０４側の上面と雰囲気遮断部材１０４の対向面
１０４ａとの間の雰囲気遮断部材側空間１０８に、不活
性ガスやドライエアーなどの清浄な気体を供給する気体
供給口１０９が設けられている。この気体供給口１０９
には、気体供給路１１０を介して気体が供給されるよう
になっている。 【０００５】また、スピンベース１０２の中心部には、
基板保持部材１０３に保持された基板Ｗのスピンベース
１０２側の下面（この装置では裏面）に洗浄液を供給す
るノズル１１１が設けられている。このノズル１１１に
は、回転軸１０１に内設された洗浄液供給管１１２を介
して洗浄液が供給されるようになっている。さらに、ノ
ズル１１１の周囲には、基板保持部材１０３に保持され
た基板Ｗの下面とスピンベース１０２の対向面１０２ａ
との間のスピンベース側空間１１３に、気体を供給する
気体供給口１１４が設けられている。この気体供給口１
１４には、洗浄液供給管１１２と同軸に回転軸１０１に
内設された気体供給路１１５を介して気体が供給される
ようになっている。 【０００６】上記装置による洗浄・乾燥処理は以下のよ
うに行われる。まず、基板Ｗが基板保持部材１０３に保
持されると、雰囲気遮断部材１０４が下降される。次
に、回転軸１０１を回転させて保持した基板Ｗを軸Ｊ回
りに回転させ、ノズル１０６およびノズル１１１から基
板Ｗの上面および下面に洗浄液を供給して基板Ｗの両面
に対する洗浄を行う。このとき、洗浄液がフッ化水素酸
などのエッチング作用がある薬液であるような場合に
は、基板Ｗの表面（図の上面）に自然酸化膜が成長する
のを抑制するために、気体供給口１０９から雰囲気遮断
部材側空間１０８に不活性ガスが供給されて、雰囲気遮
断部材側空間１０８が不活性ガス雰囲気に置換・維持さ
れて洗浄処理が行われる。 【０００７】洗浄処理が終了すると、ノズル１０６、１
１１からの洗浄液の供給を停止するとともに、基板Ｗの
回転を継続して、基板Ｗに付着した洗浄液を振り切り乾
燥させる。この乾燥の際、基板Ｗの上面および下面の乾
燥を促進するために、気体供給口１０９から雰囲気遮断
部材側空間１０８に気体を供給するとともに、気体供給
口１１４からスピンベース側空間１１３に気体を供給す
るようにしている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。従来装置において、スピンベース１０２および基
板Ｗを回転させながら、気体供給口１１４からスピンベ
ース側空間１１３に供給された気体は、基板保持部材１
０３に保持された基板Ｗのスピンベース１０２側の面の
中心部から外周端部方向に流れ、基板保持部材１０３に
保持された基板Ｗの外周端部とスピンベース１０２との
間の隙間（以下、この隙間を「スピンベース側隙間」と
も言う）１３０から外部に流れ出すことになる。基板Ｗ
のスピンベース１０２側の面の乾燥を促進するために
は、基板Ｗのその面全面に気体が触れるようにスピンベ
ース側空間１１３に気体が満たされる必要がある。従っ
て、従来装置の構成では、スピンベース側隙間１３０か
ら流れ出す気体を補うように新たな気体を気体供給口１
１４から順次供給し続けなければならず、スピンベース
側空間１１３へ供給する気体の使用量が多くなってい
た。 【０００９】また、図１０に示す従来装置においては、
スピンベース側隙間１３０からスピンベース側空間１１
３に外部雰囲気が流れ込むことがあり、基板Ｗのスピン
ベース１側の面を汚染することもあった。 【００１０】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、スピンベース側空間へ供給する気体の
使用量を低減するとともに、基板のスピンベース側の面
の汚染を軽減することができる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、所定の軸回りに回転さ
れ、基板と対向する対向面を有するスピンベースと、前
記スピンベースに設けられ、前記スピンベースの対向面
から離して基板を保持する基板保持部材と、前記基板保
持部材に保持された基板のスピンベース側の面と前記ス
ピンベースの対向面との間の空間に、前記スピンベース
の対向面の回転中心部付近から気体を供給する気体供給
手段と、を備え、前記基板保持部材に保持された基板の
外周端部と前記スピンベースとの間の隙間の間隔を、前
記基板保持部材に保持された基板の前記スピンベース側
の面の中央部付近とその部分に対向する前記スピンベー
スの対向面との間隔よりも狭くするように、水平部と、
スピンベースの周縁部に基板の外周端部を通る鉛直線よ
りもスピンベースの中心部側の位置から基板側に折り返
した折り返し部とでスピンベースを構成し、折り返し部
の上端を基板の下面を含む水平面よりも下方としたこと
を特徴とするものである。 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板保持部材に基板が保持され、スピンベースが所
定の軸回りに回転されてスピンベースと基板がその軸回
りに回転されながら、気体供給手段により、スピンベー
スの対向面の回転中心部付近から、基板保持部材に保持
された基板のスピンベース側の面とスピンベースの対向
面との間の空間に気体が供給されると、気体は基板保持
部材に保持された基板のスピンベース側の面の中心部か
ら外周端部へ流れる。 【００１７】この請求項１に記載の発明では、基板保持
部材に保持された基板の外周端部とスピンベースとの間
の隙間（以下、この隙間を「スピンベース側隙間」とも
言う）の間隔が、基板保持部材に保持された基板のスピ
ンベース側の面の中央部付近とその部分に対向するスピ
ンベースの対向面との間隔（以下、この間隔を「スピン
ベース側中央部間隔」とも言う）よりも狭くなるように
構成しているので、スピンベース側隙間の間隔とスピン
ベース側中央部間隔とが同じである従来装置に比べて、
基板保持部材に保持された基板のスピンベース側の面の
中心部から外周端部へ流れる気体が、スピンベース側隙
間から流れ出難くなり、スピンベース側隙間からの気体
の流出量が少なくなる。従って、上記空間に気体を満た
しておくために気体供給手段から新たに順次供給し続け
る気体の供給量が従来装置よりも少なくなる。 【００１８】また、スピンベース側隙間の間隔がスピン
ベース側中央部間隔よりも狭いので、スピンベース側隙
間の間隔とスピンベース側中央部間隔とが同じである従
来装置に比べて、スピンベース側隙間から上記空間へ外
部雰囲気が流れ込み難くなる。 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【００２２】 【００２３】 【００２４】 【００２５】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の第１実施例に係
る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。 【００２６】スピンベース１は、図示しないモーターに
伝動連結されて軸Ｊ回りに回転される回転軸２の上端部
に一体的に連結され、軸Ｊ回りに回転可能に構成されて
いる。このスピンベース１には、基板Ｗの外周端部を３
箇所以上で保持するための３個以上の基板保持部材３が
設けられている。 【００２７】基板Ｗは外周端部がこれら基板保持部材３
に３箇所以上で保持され、スピンベース１から離れた状
態で水平姿勢で保持される。 【００２８】スピンベース１は、基板Ｗに対向する水平
面を有する水平部１ａと、水平部１ａの周囲（スピンベ
ース１の周縁部）が基板保持部材３に保持された基板Ｗ
の外周端部側に折り返された折り返し部１ｂとを備えて
いる。この水平部１ａと折り返し部１ｂとは一体の部材
で構成してもよいし、円板状の水平部１ａの周囲に折り
返し部１ｂを取付けるように別部材で構成してもよい。 【００２９】また、基板保持部材３に保持された基板Ｗ
の外周端部とスピンベース１との間の隙間（以下、この
隙間を「スピンベース側隙間」とも言う）４の間隔ｄ１
が、基板保持部材３に保持された基板Ｗのスピンベース
１側の下面の中央部付近（例えば、中心部）とその部分
に対向するスピンベース１の対向面（この実施例では水
平部１ａの水平面）との間隔（以下、この間隔を「スピ
ンベース側中央部間隔」とも言う）ｄ２よりも狭く（ｄ
１＜ｄ２）なるように前記折り返し部１ｂが構成されて
いる。 【００３０】スピンベース１の中心部には、基板保持部
材３に保持された基板Ｗのスピンベース１側の下面（こ
の実施例装置のように基板Ｗをスピンベース１の上方で
保持する装置では通常は裏面になる）に洗浄液を供給す
るノズル５が設けられている。このノズル５には、回転
軸２に内設された洗浄液供給管６や管７などを介して洗
浄液供給部８から洗浄液が供給されるようになってい
る。 【００３１】また、ノズル５の周囲には不活性ガス（窒
素ガスなど）やドライエアーなどの気体を、基板保持部
材３に保持された基板Ｗのスピンベース１側の下面とス
ピンベース１の対向面との間のスピンベース側空間９に
供給する気体供給口１０が設けられている。この気体供
給口１０には、洗浄液供給管６と同軸に回転軸２に内設
された気体供給路１１や管１２などを介して気体供給部
１３から気体が供給されるようになっている。 【００３２】基板保持部材３に保持された基板Ｗの上方
には雰囲気遮断部材２０が設けられている。この雰囲気
遮断部材２０はアーム２１に連結されていて、このアー
ム２１を介して図示しない昇降機構により雰囲気遮断部
材２０は基板保持部材３に保持された基板Ｗに対して接
離するように昇降可能に構成されている。 【００３３】基板保持部材３に保持された基板Ｗの雰囲
気遮断部材２０側の上面（この実施例装置のように基板
Ｗをスピンベース１の上方で保持する装置では通常は表
面になる）に対向する雰囲気遮断部材２０の対向面２０
ａは、基板保持部材３に保持された基板Ｗの上面から見
て湾曲した凹面状に構成されている。これにより、基板
保持部材３に保持された基板Ｗの外周端部と雰囲気遮断
部材２０の対向面２０ａとの隙間（以下、この隙間を
「雰囲気遮断部材側隙間」とも言う）２２の間隔ｄ３
が、基板保持部材３に保持された基板Ｗの上面の中央部
付近（例えば、中心部）とその部分に対向する雰囲気遮
断部材２０の対向面２０ａとの間隔（以下、この間隔を
「雰囲気遮断部材側中央部間隔」とも言う）ｄ４よりも
狭く（ｄ３＜ｄ４）なるように構成している。 【００３４】雰囲気遮断部材２０の中心部には、基板保
持部材３に保持された基板Ｗの上面に洗浄液を供給する
ノズル２３が設けられている。このノズル２３には、ア
ーム２１に内設された洗浄液供給管２４や管２５などを
介して洗浄液供給部２６から洗浄液が供給されるように
なっている。 【００３５】また、ノズル２３の周囲には不活性ガスや
ドライエアーなどの気体を、基板保持部材３に保持され
た基板Ｗの雰囲気遮断部材２０側の上面と雰囲気遮断部
材２０の対向面２０ａとの間の雰囲気遮断部材側空間２
７に供給する気体供給口２８が設けられている。この気
体供給口２８には、洗浄液供給管２４と同軸にアーム２
１に内設された気体供給路２９や管３０などを介して気
体供給部３１から気体が供給されるようになっている。 【００３６】上記第１実施例装置による洗浄・乾燥処理
は以下のように行われる。まず、基板Ｗが基板保持部材
３に保持されると、雰囲気遮断部材２０が下降され、図
１に示すように、雰囲気遮断部材２０が基板保持部材３
に保持された基板Ｗに近接配置される。 【００３７】次に、回転軸２を回転させて保持した基板
Ｗをスピンベース１とともに、軸Ｊ回りに回転させ、ノ
ズル５およびノズル２３から基板Ｗの下面および上面に
洗浄液を供給して基板Ｗの両面に対する洗浄を行う。こ
のとき、洗浄液がフッ化水素酸などのエッチング作用が
あるような薬液である場合には、基板Ｗの表面（図の上
面）に自然酸化膜が成長するのを抑制するために、気体
供給口２８から雰囲気遮断部材側空間２７に不活性ガス
が供給されて、雰囲気遮断部材側空間２７が不活性ガス
雰囲気に置換・維持されて洗浄処理が行われる。 【００３８】洗浄処理が終了すると、ノズル５、２３か
らの洗浄液の供給を停止するとともに、基板Ｗの回転を
継続して、基板Ｗに付着した洗浄液を振り切り乾燥させ
る。この乾燥の際、基板Ｗの上面および下面の乾燥を促
進するために、気体供給口２８から雰囲気遮断部材側空
間２７に気体を供給するとともに、気体供給口１０から
スピンベース側空間９に気体を供給する。 【００３９】さて、基板Ｗの下面（裏面）の乾燥の促進
などのために、スピンベース側空間９に気体を供給した
場合、この第１実施例装置では、図１に示すように、ス
ピンベース側隙間４の間隔ｄ１を、スピンベース側中央
部間隔ｄ２よりも狭くするように構成しているので、図
１０に示すように、スピンベース側隙間１３０の間隔ｄ
１１とスピンベース側中央部間隔ｄ１２とが同じ（ｄ１
１＝ｄ１２）である従来装置に比べて、基板保持部材３
に保持された基板Ｗのスピンベース１側の面の中心部か
ら外周端部へ流れた気体がスピンベース側隙間４から流
れ出難くなり、スピンベース側隙間４からの気体の流出
量が少なくなる。 【００４０】また、スピンベース側隙間４から流れ出そ
うとする気体の流れは、スピンベース１の周縁部の折り
返し部１ｂの内側面（スピンベース側空間９側の面）に
よって妨げられるので、そのことによってもスピンベー
ス側隙間４から気体はさらに流れ出難くなり、スピンベ
ース側隙間４からの気体の流出量が従来装置よりも少な
くなる。 【００４１】従って、スピンベース側空間９に気体を満
たしておくために気体供給口１０から新たに順次供給し
続ける気体の供給量を従来装置よりも少なくでき、スピ
ンベース側空間９に供給する気体の使用量を低減させる
ことができる。 【００４２】また、スピンベース側隙間４の間隔ｄ１が
スピンベース側中央部間隔ｄ２よりも狭いので、スピン
ベース側隙間１３０の間隔ｄ１１とスピンベース側中央
部間隔ｄ１２とが同じである従来装置に比べて、スピン
ベース側隙間４からスピンベース側空間９へ外部雰囲気
が流れ込み難くなる。 【００４３】さらに、スピンベース側隙間４からスピン
ベース側空間９へ流れ込もうとする外部雰囲気はスピン
ベース１の周縁部の折り返し部１ｂに阻まれることにも
なるので、そのことによっても従来装置に比べてスピン
ベース側空間９へ外部雰囲気が流れ込み難くなる。 【００４４】従って、基板Ｗのスピンベース１側の下面
の汚染を従来装置より軽減することができる。 【００４５】なお、スピンベース側中央部間隔ｄ２が１
０mmであるのに対して、スピンベース側隙間４の間隔ｄ
１を１mmにすると高い効果が得られたことが実験的に確
認できた。 【００４６】また、上記第１実施例では、図１に示すよ
うに、雰囲気遮断部材側隙間２２の間隔ｄ３を雰囲気遮
断部材側中央部間隔ｄ４よりも狭くするように構成して
いるので、基板Ｗの上面（表面）の自然酸化膜の成長の
抑制や乾燥の促進などのために、雰囲気遮断部材側空間
２７に気体を供給する場合にも、基板Ｗとスピンベース
１との関係と同様に、雰囲気遮断部材側隙間２２の間隔
ｄ１３と雰囲気遮断部材側中央部間隔ｄ１４とが同じで
ある従来装置（図１０参照）に比べて、基板保持部材３
に保持された基板Ｗの雰囲気遮断部材２０側の面の中心
部から外周端部へ流れた気体が雰囲気遮断部材側隙間２
２から流れ出難くなり、雰囲気遮断部材側隙間２２から
の気体の流出量が少なくなり、雰囲気遮断部材側空間２
７に気体を満たしておくために気体供給口２８から新た
に順次供給し続ける気体の供給量を従来装置よりも少な
くでき、雰囲気遮断部材側空間２７に供給する気体の使
用量を低減させることができる。 【００４７】また、雰囲気遮断部材側隙間２２の間隔ｄ
３が雰囲気遮断部材側中央部間隔ｄ４よりも狭いので、
雰囲気遮断部材側隙間２２から雰囲気遮断部材側空間２
７へ外部雰囲気が流れ込み難くなり、基板Ｗの雰囲気遮
断部材２０側の上面の汚染を従来装置より軽減すること
ができる。 【００４８】次に、スピンベース側隙間４の間隔ｄ１を
スピンベース側中央部間隔ｄ２よりも狭くするための変
形例をいくつか紹介する。 【００４９】図２（ａ）に示すように、基板保持部材３
に保持された基板Ｗの外周端部を通る鉛直線ＶＬよりも
スピンベース１の中心部側の位置からスピンベース１の
折り返し部１ｂを折り返すようにしてもよい。 【００５０】また、スピンベース１の折り返し部１ｂの
折り返し角度θを、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、
０°＜θ≦９０°にすれば、この折り返し部１ｂに、流
出しようとする気体があたった後、流出とは逆方向へ気
体が流れるので、スピンベース側隙間４からの気体が流
出し難くなり、スピンベース側隙間４からの気体の流出
量がさらに少なくなる。 【００５１】さらに、図２（ｄ）に示すように、スピン
ベース１の周縁部（折り返し部１ｂの周縁部）の上端１
ｃが、基板保持部材３に保持された基板Ｗの下面を含む
水平面ＨＰよりも下方になるように構成してもよいし、
同程度、あるいは、若干上方になるように構成してもよ
い。 【００５２】また、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、
基板保持部材３に保持された基板Ｗの下面に対向するス
ピンベース１の対向面１ｄを、雰囲気遮断部材１の対向
面２０ａと同様に、基板Ｗの下面から見て湾曲した凹面
状にすれば、スピンベース１の対向面の回転中心部付近
から供給された気体は、スピンベース側空間９全体に行
き渡るようになる。なお、図３（ａ）では、スピンベー
ス１を皿状の部材で構成したもので、図３（ｂ）は、円
柱状のスピンベース１に上記構成の対向面１ｄが形成さ
れるように凹部を設けたものである。 【００５３】また、図３（ａ）、（ｂ）では、スピンベ
ース１の対向面１ｄを湾曲させたが、図３（ｃ）、
（ｄ）に示すように、その湾曲部分を直線状の傾斜面で
構成してもよい。 【００５４】なお、図４に示すように、スピンベース１
の中心部付近に凸部１ｅを設け、この凸部１ｅにノズル
５や気体供給口１０を設けているような場合には、スピ
ンベース側中央部間隔ｄ２は、その凸部１ｅの周囲の間
隔とする。 【００５５】また、スピンベース側隙間４の間隔ｄ１を
スピンベース側中央部間隔ｄ２よりも狭くするために
は、上記第１実施例やその変形例以外の構成でも実現す
ることができることは言うまでもない。 【００５６】次に、雰囲気遮断部材側隙間２２の間隔ｄ
３を遮断部材側中央部間隔ｄ４よりも狭くするための変
形例をいくつか紹介する。 【００５７】上記第１実施例では、雰囲気遮断部材２０
を皿状の部材で構成したが、図５（ａ）に示すように、
円柱状の雰囲気遮断部材２０に湾曲した凹面状の対向面
２０ａが形成されるように凹部を設けて構成してもよ
い。 【００５８】また、上記第１実施例の雰囲気遮断部材２
０や図５（ａ）の変形例の雰囲気遮断部材２０の対向面
２０ａの湾曲部分を、図５（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、直線状の傾斜面で構成してもよい。 【００５９】さらに、図５（ｄ）に示すように、雰囲気
遮断部材２０を上記第１実施例のスピンベース１と同様
に、水平部２０ｂと折り返し部２０ｃを備えて構成して
もよい。なお、このように構成した雰囲気遮断部材２０
の折り返し部２０ｃについては、スピンベース１の折り
返し部１ｂに関して図２で述べた変形例と同様に変形実
施してもよい。 【００６０】また、雰囲気遮断部材側隙間２２の間隔ｄ
３を雰囲気遮断部材側中央部間隔ｄ４よりも狭くするた
めには、上記第１実施例やその変形例以外の構成でも実
現することができることは言うまでもない。 【００６１】上記第１実施例または図２、図３の各変形
例の任意のスピンベース１と、上記第１実施例または図
５の各変形例の任意の雰囲気遮断部材２０とを適宜に組
み合わせて基板処理装置を構成してもよい。 【００６２】次に、本発明の第２実施例装置の構成を図
６を参照して説明する。この第２実施例装置は、スピン
ベース側空間９に供給された気体がスピンベース側隙間
４から流れ出す気体の流れを妨げるとともに、雰囲気遮
断部材側空間２７に供給された気体が雰囲気遮断部材側
隙間２２から流れ出す気体の流れを妨げる抵抗部材４０
を、スピンベース１の周縁部の近傍および雰囲気遮断部
材２０の周縁部の近傍に設けたことを特徴としている。 【００６３】この抵抗部材４０はリング状の部材で構成
され、図示しない昇降機構によってスピンベース１に対
して昇降自在に構成されている。なお、抵抗部材４０の
昇降は、雰囲気遮断部材２０と独立して行うように構成
してもよいし、抵抗部材４０を雰囲気遮断部材２０に連
結して、雰囲気遮断部材２０とともに昇降させるように
構成してもよい。その他、第１実施例と共通する部分
は、図１と同一符号を付してその詳述は省略する。 【００６４】このような抵抗部材４０を設けたことによ
り、スピンベース側空間９に供給され、基板保持部材３
に保持された基板Ｗのスピンベース１側の面の中心部か
ら外周端部へ流れ、スピンベース側隙間４から流れ出る
気体の流れは、この抵抗部材４０によって妨げられるの
で、スピンベース側隙間４から気体が流れ出難くなる。
従って、図６に示すように、スピンベース１を従来装置
（図１０参照）と同様の構成にしていても、スピンベー
ス側隙間４からの気体の流出量は従来装置よりも少な
り、スピンベース側空間９に空気を満たしておくために
気体供給口１０から新たに順次供給し続ける気体の供給
量を従来装置よりも少なくでき、スピンベース側空間９
に供給する気体の使用量を低減させることができる。 【００６５】また、スピンベース側隙間４からスピンベ
ース側空間９へ流れ込もうとする外部雰囲気は抵抗部材
４０に阻まれるので、従来装置に比べて、スピンベース
側空間９へ外部雰囲気が流れ込み難くなり、基板Ｗのス
ピンベース１側の下面の汚染を従来装置より軽減するこ
とができる。 【００６６】また、雰囲気遮断部材側空間２７に供給さ
れ、基板保持部材３に保持された基板Ｗの雰囲気遮断部
材２０側の面の中心部から外周端部へ流れ、雰囲気遮断
部材側隙間２２から流れ出る気体の流れも抵抗部材４０
によって妨げられるので、雰囲気遮断部材側隙間２２か
ら気体が流れ出難くなる。従って、図６に示すように、
雰囲気遮断部材２０を従来装置（図１０参照）と同様の
構成にしていても、雰囲気遮断部材側隙間２２からの気
体の流出量は従来装置よりも少なくなり、雰囲気遮断部
材側空間２７に空気を満たしておくために気体供給口２
８から新たに順次供給し続ける気体の供給量を従来装置
よりも少なくでき、雰囲気遮断部材側空間２７に供給す
る気体の使用量を低減させることができる。 【００６７】また、雰囲気遮断部材側隙間２２から雰囲
気遮断部材側空間２７へ流れ込もうとする外部雰囲気は
抵抗部材４０に阻まれるので、従来装置に比べて、雰囲
気遮断部材側空間２７へ外部雰囲気が流れ込み難くな
り、基板Ｗの雰囲気遮断部材２０側の上面の汚染を従来
装置より軽減することができる。 【００６８】なお、上記第２実施例装置では、スピンベ
ース側空間９に供給された気体がスピンベース側隙間４
から流れ出す気体の流れを妨げる抵抗部材と、雰囲気遮
断部材側空間２７に供給された気体が雰囲気遮断部材側
隙間２２から流れ出す気体の流れを妨げる抵抗部材とを
一体の部材４０で構成しているが、図７に示すように、
これら部材を別個に、すなわち、スピンベース側空間９
に供給された気体がスピンベース側隙間４から流れ出す
気体の流れを妨げるリング状の抵抗部材４０ａと、雰囲
気遮断部材側空間２７に供給された気体が雰囲気遮断部
材側隙間２２から流れ出す気体の流れを妨げるリング状
の抵抗部材４０ｂとに分けて設けてもよい。 【００６９】また、抵抗部材４０ａは、例えば、第１実
施例装置のスピンベース１や図２の変形例のスピンベー
ス１の折り返し部１ｂのように、スピンベース１の周縁
部に設けてもよい。抵抗部材４０ｂも同様に、雰囲気遮
断部材２０の周縁部に設けてもよい。 【００７０】上記第２実施例やその変形例では抵抗部材
をリング状の部材で構成しているがその他の形状、構成
で抵抗部材を構成してもよい。 【００７１】また、抵抗部材４０を設けたことにより、
スピンベース側空間９や雰囲気遮断部材側空間２７への
気体の供給量の低減や基板Ｗの両面の汚染の軽減などの
効果が得られるので、図６に示すように、スピンベース
１や雰囲気遮断部材２０は従来装置と同様の構成（スピ
ンベース側隙間の間隔とスピンベース側中央部間隔とが
同じで、雰囲気遮断部材側隙間の間隔と雰囲気遮断部材
側中央部間隔とが同じ）にしてもよいが、例えば、第１
実施例装置やその変形例のようにスピンベース１または
／および雰囲気遮断部材２０を構成するとともに、抵抗
部材４０を設けるように構成してもよい。このように構
成すれば、一層高い効果を得ることができる。 【００７２】次に、本発明の第３実施例装置の構成を図
８を参照して説明する。この第３実施例装置は、基板Ｗ
をスピンベース１の下方で保持するように構成したこと
を特徴としている。この装置の基板保持部材５０は、例
えば、図の矢印で示すように開閉自在に構成されてい
て、基板Ｗの外周端部を３箇所以上で挟持するように基
板Ｗを保持する。このような構成の装置は、通常、基板
Ｗの表面をスピンベース１側の上面にして処理される。
その他の構成は、上記第１実施例と略同じであるので、
共通する部分は図１と同一符号を付してその詳述を省略
する。 【００７３】このような構成の装置であっても、第１実
施例装置と同様の効果を得ることができる。また、第１
実施例装置について説明した各変形例は、この第３実施
例装置にも同様に適用することができる。 【００７４】図９に示す第４実施例装置は、上記第３実
施例装置と同様に基板Ｗをスピンベース１の下方で保持
するように構成した装置に、上記第２実施例装置と同様
に抵抗部材４０を設けたものである。 【００７５】この第４実施例装置でも、第２実施例装置
と同様の効果を得ることができる。また、第２実施例装
置について説明した各変形例は、この第４実施例装置に
も同様に適用することができる。 【００７６】なお、上記各実施例では、雰囲気遮断部材
２０を備え、雰囲気遮断部材側空間２７への気体の供給
量の低減や基板Ｗの雰囲気遮断部材２０側の面の汚染の
低減を図る工夫をこらしているが、本発明は、雰囲気遮
断部材２０を備えていない装置に対しても同様に適用で
き、スピンベース側空間９への気体の供給量の低減や基
板Ｗのスピンベース１側の面の汚染の低減を図ることが
できる。 【００７７】また、上記第１、第３実施例装置の雰囲気
遮断部材を従来装置と同様の構成の雰囲気遮断部材で構
成したり、上記第２抵抗部材４０ｂを省いた構成（第４
実施例装置も同様）にしたような装置においても、少な
くともスピンベース側空間９への気体の供給量の低減や
基板Ｗのスピンベース１側の面の汚染の低減は図ること
ができる。 【００７８】 【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板保持部材に保持された基
板の外周端部とスピンベースとの間の隙間（スピンベー
ス側隙間）の間隔を、基板保持部材に保持された基板の
スピンベース側の面の中央部付近とその部分に対向する
スピンベースの対向面との間隔（スピンベース側中央部
間隔）よりも狭くするように構成したので、スピンベー
ス側隙間の間隔とスピンベース側中央部間隔とが同じで
ある従来装置に比べて、スピンベース側隙間からの気体
の流出量が従来装置よりも少なくなる。従って、基板保
持部材に保持された基板のスピンベース側の面とスピン
ベースの対向面との間の空間に気体を満たしておくため
に気体供給手段から新たに順次供給し続ける気体の供給
量を従来装置よりも少なくでき、上記空間に供給する気
体の使用量を低減させることができる。 【００７９】また、スピンベース側隙間の間隔がスピン
ベース側中央部間隔よりも狭いので、スピンベース側隙
間の間隔とスピンベース側中央部間隔とが同じである従
来装置に比べて、スピンベース側隙間から上記空間へ外
部雰囲気が流れ込み難くなり、基板のスピンベース側の
面の汚染を従来装置より軽減することができる。 【００８０】 【００８１】 【００８２】 【００８３】 【００８４】

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第１実施例に係る基板処理装置の構成
を示す縦断面図である。 【図２】スピンベース側隙間の間隔をスピンベース側中
央部間隔よりも狭くするための変形例の構成を示す部分
断面図である。 【図３】スピンベース側隙間の間隔をスピンベース側中
央部間隔よりも狭くするためのその他の変形例の構成を
示す縦断面図である。 【図４】スピンベースの中心部に凸部が形成されている
場合のスピンベース側中央部間隔を示す図である。 【図５】雰囲気遮断部材側隙間の間隔を雰囲気遮断部材
側中央部間隔よりも狭くするための変形例の構成を示す
縦断面図である。 【図６】本発明の第２実施例装置の構成を示す縦断面図
である。 【図７】第２実施例装置の変形例の構成を示す縦断面図
である。 【図８】本発明の第３実施例装置の構成を示す縦断面図
である。 【図９】本発明の第４実施例装置の構成を示す縦断面図
である。 【図１０】従来装置の構成を示す縦断面図である。 【符号の説明】 １ スピンベース ２ 回転軸 ３ 基板保持部材 ４ スピンベース側隙間 ９ スピンベース側空間 １０ スピンベース側の気体供給口 ４０、４０ａ、４０ｂ 抵抗部材 Ｗ 基板 Ｊ 基板を回転させる所定の軸 ｄ１ スピンベース側隙間の間隔 ｄ２ スピンベース側中央部間隔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深津 英司 京都府京都市伏見区羽束師古川町322 大日本スクリーン製造株式会社 洛西事 業所内 (56)参考文献 特開 昭52−58458（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−73626（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−247531（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/00

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 所定の軸回りに回転され、基板と対向す
   る対向面を有するスピンベースと、 前記スピンベースに設けられ、前記スピンベースの対向
   面から離して基板を保持する基板保持部材と、 前記基板保持部材に保持された基板のスピンベース側の
   面と前記スピンベースの対向面との間の空間に、前記ス
   ピンベースの対向面の回転中心部付近から気体を供給す
   る気体供給手段と、 を備え、 前記基板保持部材に保持された基板の外周端部と前記ス
   ピンベースとの間の隙間の間隔を、前記基板保持部材に
   保持された基板の前記スピンベース側の面の中央部付近
   とその部分に対向する前記スピンベースの対向面との間
   隔よりも狭くするように、水平部と、スピンベースの周
   縁部に基板の外周端部を通る鉛直線よりもスピンベース
   の中心部側の位置から基板側に折り返した折り返し部と
   でスピンベースを構成し、 折り返し部の上端を基板の下面を含む水平面よりも下方
   とした ことを特徴とする基板処理装置。